JP2010531529A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. トリプルジャンクション破壊を防ぐ装置であって、
   第１の金属電極と、
   第２の金属電極と、
   前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間に配設される絶縁体と、
   前記第１の金属電極と前記絶縁体との間に配設される第１の伝導層と、
   前記第２の金属電極と前記絶縁体の前記第１の伝導層に対して反対側との間に配設される第２の伝導層と
   を備え、
   前記絶縁体は、前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間において、真空にさらされる面を少なくとも１つ有し、
   前記第１の伝導層は、前記第１の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぎ、
   前記第２の伝導層は、前記第２の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぐ
   装置。
2. イオン注入装置におけるトリプルジャンクションの不安定性を防ぐ装置であって、
   第１の金属電極と、
   第２の金属電極と、
   前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間に配設されている絶縁体と、
   前記第１の金属電極と前記絶縁体との間に配設される第１の伝導層と、
   前記第２の金属電極と前記絶縁体の前記第１の伝導層に対して反対側との間に配設される第２の伝導層と
   を備え、
   前記絶縁体は、前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間において、前記イオン注入装置が生成するイオンビームを輸送する真空にさらされる面を少なくとも１つ有し、
   前記第１の伝導層は、前記第１の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぎ、
   前記第２の伝導層は、前記第２の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぐ
   装置。
3. 前記第１および第２の伝導層は、前記絶縁体にドーピングされた金属粒子を有する
   請求項１または２に記載の装置。
4. 前記第１および第２の伝導層は、前記絶縁体上に堆積されている
   請求項１または２に記載の装置。
5. 前記第１および第２の伝導層は、前記絶縁体上に接合されている
   請求項１または２に記載の装置。
6. 前記第１および第２の伝導層は、前記絶縁体上に接着されている
   請求項５に記載の装置。
7. 前記第１および第２の伝導層は、微小間隙を形成することなく、原子レベルで前記絶縁体に結合されている
   請求項１または２に記載の装置。
8. 第１のＯリングおよび第２のＯリング
   をさらに備え、
   前記第１のＯリングは、前記第１の伝導層と前記第１の金属電極との間に挟まれており、
   前記第２のＯリングは、前記第２の伝導層と前記第２の金属電極との間に挟まれている
   請求項１から７の何れか１項に記載の装置。
9. イオン注入装置におけるトリプルジャンクションの不安定性を防ぐ方法であって、
   第１の金属電極を設ける段階と、
   第２の金属電極を設ける段階と、
   前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間に絶縁体を配設する段階と、
   前記第１の金属電極と前記絶縁体との間に第１の伝導層を設ける段階と、
   前記第２の金属電極と前記絶縁体の前記第１の伝導層とは反対側との間に第２の伝導層を設ける段階と
   を備え、
   前記絶縁体は、前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間において、前記イオン注入装置が生成するイオンビームを輸送する真空にさらされる面を少なくとも１つ有し、
   前記第１の伝導層は、前記第１の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぎ、
   前記第２の伝導層は、前記第２の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぐ
   方法。
10. 前記第１の伝導層を設ける段階および前記第２の伝導層を設ける段階は、前記絶縁体に金属粒子をドーピングする段階を有する
    請求項９に記載の方法。
11. 前記第１の伝導層を設ける段階および前記第２の伝導層を設ける段階は、前記絶縁体上に、前記第１の伝導層を堆積させる段階および前記第２の伝導層を堆積させる段階を有する
    請求項９に記載の方法。
12. 前記第１の伝導層を設ける段階および前記第２の伝導層を設ける段階は、前記絶縁体上に、前記第１の伝導層を接合する段階および前記第２の伝導層を接合する段階を有する
    請求項９に記載の方法。
13. 前記第１の伝導層を接合する段階および前記第２の伝導層を接合する段階は、前記絶縁体に、前記第１の伝導層を接着する段階および前記第２の伝導層を接着する段階を含む
    請求項１２に記載の方法。
14. 前記第１の伝導層を設ける段階および前記第２の伝導層を設ける段階は、微小間隙を形成することなく、原子レベルで、前記絶縁体に、前記第１の伝導層を結合する段階および前記第２の伝導層を結合する段階を有する
    請求項９に記載の方法。
15. 第１のＯリングおよび第２のＯリングを設ける段階
    をさらに備え、
    前記第１のＯリングは、前記第１の伝導層と前記第１の金属電極との間に挟まれており、
    前記第２のＯリングは、前記第２の伝導層と前記第２の金属電極との間に挟まれている
    請求項９から１４の何れか１項に記載の方法。