JP2010528885A - 窓付きの薄い研磨パッド及び成形プロセス - Google Patents

窓付きの薄い研磨パッド及び成形プロセス Download PDF

Info

Publication number
JP2010528885A
JP2010528885A JP2010511259A JP2010511259A JP2010528885A JP 2010528885 A JP2010528885 A JP 2010528885A JP 2010511259 A JP2010511259 A JP 2010511259A JP 2010511259 A JP2010511259 A JP 2010511259A JP 2010528885 A JP2010528885 A JP 2010528885A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
window
layer
polishing pad
aperture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010511259A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5363470B2 (ja
Inventor
ドミニク ジェイ. ベンヴェグヌ,
ジミン ツァン,
トーマス エイチ. オスターヘルド,
ボグスロウ エー. スウェデク,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2010528885A publication Critical patent/JP2010528885A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5363470B2 publication Critical patent/JP5363470B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013Devices or means for detecting lapping completion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

研磨面をもつ研磨層と、研磨層とは反対の研磨層の側にある接着剤層と、研磨層を貫通して延びて研磨層に成形される固体の光透過窓とを有する研磨パッドが説明される。窓は、研磨面と同一平面の最上面、及び接着剤層の下面と同一平面の底面を有する。研磨パッドを作成する方法は、研磨層及び接着剤層を貫通してアパーチャーを形成し、研磨層の研磨面とは反対側で接着剤層にバッキング部片を固定し、アパーチャーに液体ポリマーを投与し、液体ポリマーを硬化して窓を形成することを含む。
【選択図】 図4

Description

[0001]窓付き研磨パッド、このような研磨パッドを含むシステム、及びこのような研磨パッドを作成して使用するプロセスについて説明する。
背景
[0002]近代的な半導体集積回路(IC)を製造するプロセスでは、基板の外面を平坦化することがしばしば必要となる。例えば、導電性フィラー層を、その下の層の最上面が露出するまで研磨して、絶縁層の持ち上がったパターン間に導電性材料を残し、基板上の薄膜回路間に導電性経路を与えるビア、プラグ及びラインを形成するために、平坦化が必要になることがある。更に、酸化物層をフラットに且つ薄くして、ホトリソグラフィーに適したフラットな表面を与えるために、平坦化が必要になることもある。
[0003]半導体基板の平坦化又はトポグラフィー除去を達成する1つの方法は、化学的機械的研磨(CMP)である。在来の化学的機械的研磨(CMP)プロセスは、磨き剤(abrasive)スラリーの存在中で回転する研磨パッドに対して基板を押し付けることを含む。
[0004]一般的に、研磨を停止すべきかどうか決定するには、所望の表面平坦性又は層厚みに到達したとき又はその下の層が露出したときを検出することが必要である。CMPプロセス中に終了点をその場で検出するために多数の技術が開発されている。例えば、層の研磨中に基板上の層の均一性をその場で測定するために光学的監視システムが使用されている。この光学的監視システムは、研磨中に基板に光ビームを向ける光源と、基板から反射した光を測定する検出器と、検出器からの信号を分析して、終了点が検出されたかどうか計算するコンピュータとを含むことができる。幾つかのCMPシステムでは、光ビームが研磨パッドの窓を通して基板に向けられる。
概要
[0005]1つの態様において、研磨面をもつ研磨層と、研磨層とは反対の研磨層の側にある接着剤層と、研磨層を貫通して延びて研磨層に成形された固体の光透過窓とを有する研磨パッドが説明される。窓は、研磨面と同一平面の最上面、及び接着剤層の下面と同一平面の底面を有する。
[0006]本発明の実施は、次の1つ以上を含んでもよい。研磨層は、単一の層でよい。取り外し可能なライナーが接着剤層に広がってもよい。ライナーは、窓と整列された穴を有してもよい。取り外し可能な窓バッキング部片がライナーの穴に位置付けられて窓に当接してもよい。研磨面には溝があってもよく、また、窓の一部分が溝へと突出し、そこに成形されてもよい。窓の周囲は、でこぼこした経路をたどってもよい。研磨パッドは、円形でもよく、窓は、研磨パッドの半径に沿って延びてもよく、また、窓は、半径に直角な方向に沿うよりも半径に沿って長くなっている。研磨パッドは、その全厚みが1mm未満でよい。
[0007]別の態様において、研磨パッドを作成する方法が説明される。この方法は、研磨層及び接着剤層を貫通してアパーチャーを形成し、研磨層の研磨面とは反対側で接着剤層にバッキング部片を固定し、アパーチャーに液体ポリマーを投与し、液体ポリマーを硬化して窓を形成することを含む。
[0008]本発明の実施は、次の1つ以上を含むことができる。取り外し可能なライナーに穴が形成されてもよく、バッキング部片を固定することは、バッキング部片を穴に設置する(installing)ことを含んでもよい。窓の一部分が研磨面の上に突出してもよい。研磨面の溝に液体ポリマーを流し込んでもよい。研磨層は、単一層でよい。研磨パッドを型抜きする(stamping)又は研磨パッドをカットすることによりアパーチャーが形成されてもよい。窓の周囲は、でこぼこした経路をたどってもよい。研磨パッドは、円形でもよく、窓は、研磨パッドの半径に沿って延びてもよく、また、窓は、半径に直角な方向に沿うよりも半径に沿って長くなっている。研磨パッドは、その全厚みが1mm未満でよい。
[0009]本発明の1つ以上の実施形態の詳細を添付図面に示して以下に説明する。本発明の他の特徴、目的及び効果は、以下の説明及び添付図面、並びに特許請求の範囲から明らかとなろう。
研磨パッドを含むCMP装置の断面図である。 窓付き研磨パッドの一実施形態を示す上面図である。 図2の研磨パッドの断面図である。 研磨パッドを形成する方法を示す。 研磨パッドを形成する方法を示す。 研磨パッドを形成する方法を示す。 研磨パッドを形成する方法を示す。 研磨パッドを形成する方法を示す。 研磨パッドを形成する方法を示す。
詳細な説明
[0014]種々の図面において同一要素は同一参照符号で示す。
[0015]図1に示すように、CMP装置10は、プラテン16上の研磨パッド18に対して半導体基板14を保持するための研磨ヘッド12を含んでいる。CMP装置は、米国特許第5,738,574号に説明されたように構成することができ、その全ての開示内容を参考としてここに援用する。
[0016]基板は、例えば、製品基板(例えば、複数のメモリ又はプロセッサダイを含む)、テスト基板、裸基板、及びゲート基板である。基板は、集積回路製造の種々の段階にあり、例えば、基板は、裸のウェハであったり、又は1つ以上の堆積及び/又はパターン化された層を含んだりする。基板という語は、円形ディスク及び長方形シートを含む。
[0017]研磨パッド18の有効部分は、基板に接触する研磨面24及び接着剤28によりプラテン16に固定される底面22をもつ研磨層20を含むことができる。研磨パッドは、研磨層20が化学的機械的研磨プロセスに適した薄い耐久性材料で形成された単一層パッドである。このような研磨パッドは、日本国東京のフジボーからH7000HNという商品名で入手することができる。
[0018]図2を参照すれば、ある実施において、研磨パッド18は、半径が15.0インチ(381.00mm)で、対応直径が30インチである。他の実施において、研磨パッド18は、半径が15.25インチ(387.35mm)又は15.5インチ(393.70mm)で、対応直径が30.5インチ又は31インチである。
[0019]図3を参照すれば、ある実施において、研磨面24に溝26を形成することができる。これらの溝は、「ワッフル」パターンであり、例えば、傾斜側壁を伴う垂直溝のクロスハッチパターンであり、研磨面を長方形エリア、例えば、方形エリアに分割している。
[0020]図1に戻ると、典型的に、研磨パッド材料は、磨き粒子を含む化学的研磨液体30で濡らされる。例えば、スラリーは、KOH(水酸化カリウム)及び煙霧シリカ(fumed-silica)粒子を含むことができる。しかしながら、ある研磨プロセスは、「磨き剤なし」である。
[0021]研磨ヘッド12は、プラテンがその中心軸の周りを回転するときに研磨パッド18に対して基板14に圧力を付与する。更に、研磨ヘッド12は、通常、その中心軸の周りを回転され、駆動シャフト又は並進移動アーム32を経てプラテン16の表面を横切って並進移動される。研磨溶液に関連した、基板と研磨面との間の圧力及び相対運動で、基板の研磨が生じる。
[0022]プラテン16の最上面には光学的アパーチャー34が形成される。レーザのような光源36及び光検出器のような検出器38を含む光学的監視システムを、プラテン16の最上面の下に配置することができる。例えば、光学的監視システムは、プラテン16内のチャンバーであって光学的アパーチャー34と光学的に連通し且つプラテンと共に回転できるチャンバーに配置することができる。光学的アパーチャー34は、石英ブロックのような透明な固体部片で埋めることもできるし、又は空の穴であってもよい。1つの実施において、光学的監視システム及び光学的アパーチャーは、プラテンにおける対応凹所に嵌合されるモジュールの一部分として形成される。或いは又、光学的監視システムが、プラテンの下に配置される固定システムで、光学的アパーチャーがプラテンを貫通して延びてもよい。光源は、遠赤外線から紫外線までのどこかの波長(例えば、赤い光)を使用できるが、広帯域スペクトル(例えば、白い光)も使用でき、且つ検出器は、分光計でよい。
[0023]窓40は、上に横たわる研磨パッド18に形成され、プラテンの光学的アパーチャー34と整列される。窓40及びアパーチャー34は、ヘッド12の並進移動位置に関わらず、プラテンの回転の少なくとも一部の間に、研磨ヘッド12により保持された基板14が見えるように位置付けることができる。光源36は、少なくとも窓40が基板14に隣接する時間中、アパーチャー34及び窓40を通して光ビームを投射し、その上の基板14の表面に当たるようにする。基板から反射した光は、検出器38によって検出される合成ビームを形成する。光源及び検出器は、図示されていないコンピュータに結合され、このコンピュータは、検出器からの測定された光強度を受け取り、それを使用して、研磨終了点を決定するが、これは、例えば、新たな層の露出を示す基板の反射率の急激な変化を検出するか、干渉計原理を使用して(透明な酸化物層のような)外側層を除去した厚みを計算するか、又は所定の終了点基準について信号を監視することにより行われる。
[0024]通常の大きな長方形窓(例えば、2.25x0.75インチの窓)を非常に薄い研磨層に置くことに伴う1つの問題は、研磨中の層剥離である。特に、研磨中に基板からの横方向摩擦力が、窓をパッドの側壁に成形する接着力より大きくなる。
[0025]図2に戻ると、窓40は、研磨中に基板により付与される摩擦力の方向(研磨パッドを回転する場合には半径に対して接線方向)に沿って細く、且つそれに対して垂直な方向(研磨パッドを回転する場合には半径に沿った方向)に広い。例えば、窓40は、研磨パッド18の中心から約7.5インチ(190.50mm)の距離Dを中心として、幅を約4mm、長さを9.5mmのエリアを使用することができる。
[0026]窓40は、ほぼ長方形の形状で、その長い方の寸法は、窓の中心を通過する研磨パッドの半径に対して実質的に平行である。しかしながら、窓40は、でこぼこした周囲42を有し、例えば、周囲は、同様の形状の長方形の周囲より長くなる。これは、窓が研磨パッドの側壁に接触する表面積を増大し、これにより、研磨パッドに対する窓の接着力を改善することができる。ある実施において、窓40は、3つの概略円形の部分50、52及び54を含み、中央の円形部分52は、外側の円形部分50及び54に直線セグメント56及び58で各々が接続されている。各円形部分は、ほぼ同じ直径を有し、また、直線セグメントは、円形部分の直径より狭い。各々の円形部分50、52及び54は、直径が約4mmである。
[0027]図3を参照すれば、窓40は、研磨層20及び接着剤層28を組み合せたものと同程度の深さであり、窓40の最上面44は、研磨面24と同一平面であり、且つ窓の底面46は、接着剤層28の底面と同一平面である。窓40の周囲は、研磨層20の側壁内縁48に固定することができ、例えば、成形することができる。
[0028]図4を参照すれば、プラテンに設置する前に、研磨パッド18は、研磨パッドの底面22上の接着剤層28に広がるライナー70を含むこともできる。このライナーは、非圧縮性の、一般的に流体不浸透性の層であり、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、例えば、MylarTMである。使用に際し、このライナーは、研磨パッドから手で剥離され、研磨層20が感圧接着剤28でプラテンに付着される。しかしながら、ライナーは、窓40には広がらず、窓40の領域及びその直接的周囲から除去されて、穴72を形成する。
[0029]研磨パッド40は、非常に薄くて、例えば、2mm未満であり、例えば、1mm未満である。例えば、研磨層20、接着剤28及びライナー70の合計の厚みは、約0.9mmである。研磨層20が約0.8mmの厚みであり、接着剤28及びライナー70が残りの0.1mmである。溝26は、研磨パッドの深さの約半分であり、例えば、おおよそ0.5mmである。
[0030]ライナー70に加えて、任意の窓バッキング部片74を窓40に広げて、窓40の直接的な周囲で感圧接着剤28の一部分に固定することができる。窓バッキング部片74は、穴72より若干小さいので、バッキング部片は、ライナー70からギャップで分離される。このギャップは、幅が、例えば、数ミリメートル、例えば、2mmである。穴72及びバッキング部片74は、窓40の最大寸法の約2倍のエリアをカバーすることができる。例えば、穴は、直径が約24mmの円形エリアであり、バッキング部片72は、直径が約20mmのディスクである。バッキング部片72は、厚みがライナー70と同じであるか、又はライナー70より薄い。バッキング部片72は、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)又は別の非粘着性材料である。
[0031]研磨パッドを製造するために、最初に、研磨層20が形成され、図5に示すように、研磨層20の底面が感圧接着剤28及びライナー層70で覆われる。感圧接着剤28及びライナー層70を取り付ける前にパッド成形プロセスの一部分として研磨層20に溝26を形成することもできるし、又はパッドが形成された後、さらにライナーが取り付けられた後に研磨層20に溝26をカットすることもできる。
[0032]図6に示すように、研磨層20、接着剤28及びライナー70を含む全パッドを貫通してアパーチャー80が形成される。特に、図2に示す窓形状を形成するために、例えば、直径4mmの3つの別々の穴を、パッドを貫通してあけることができる。穴と穴との間にチャネルをカットし、「ダンベル」形状の連続的なアパーチャーが形成される。
[0033]図7に示すように、ライナー70の一部分を、アパーチャー80の周囲領域から除去して、ライナー70に穴72を形成する。例えば、ライナー70を研磨パッドから完全に剥離し、アパーチャー80の周囲でライナーを貫通して穴をあけ、穴72をアパーチャー80と整列させてライナー70を研磨層20に戻すことができる。或いは又、研磨パッドの初期組み立て前又は初期組み立て中にライナー70に穴72をあけてもよい。
[0034]図8に示すように、窓バッキング部片74の縁が接着剤28に当たる状態で、窓バッキング部片74、例えば、TeflonTMのディスクを穴72に設置する。窓バッキング部片は、きれいにしなければならず、例えば、エタノールで拭かなければならない。窓バッキング部片74は、窓の型の底部として働く。
[0035]液体ポリマーが準備されてアパーチャー80へ移送され、次いで、硬化されて、図9に示すように、窓40を形成する。ポリマーは、ポリウレタンであり、幾つかの成分の混合物から形成することができる。1つの実施において、ポリマーは、(カリフォルニア州ロングビーチのCal Polymers, Inc.から入手できる)カルタンA2300の2部と、カルタンB2300の3部との混合物である。液体ポリマー混合物は、アパーチャーへ入れられる前に、例えば、15から30分間、ガス抜きされる。ポリマーは、室温において約24時間で硬化することができ、又は硬化時間を短縮するためにヒートランプ又はオーブンを使用することもできる。硬化された窓40が研磨面の上に突出する場合には、例えば、ダイアモンドコンディショニングディスクで磨くことにより、研磨面と同一平面になるように窓を平らにすることができる。
[0036]窓バッキング部片74は、硬化が完了した後に、パッドを顧客へ出荷する前に、製造者によりアパーチャー72から除去することもできるし、又は顧客が、研磨パッドをプラテンに設置する前に窓バッキング部片を除去することもできる。
[0037]溝24がアパーチャー80に交差する場合は、液体ポリマーがアパーチャーへ移送されるときに、液体ポリマーの一部分が溝24に沿って流れる。従って、若干のポリマーがアパーチャー80の縁を越えて延びて、溝への突出部分を形成することになる。これらの突出部分は、硬化すると、研磨パッドへの窓の結合を更に強める。更に、充分な液体ポリマーが与えられる場合には、若干の液体ポリマーが研磨層の最上面にわたって流れることになる。この場合も、研磨面にわたるポリマーの部分は、研磨パッドへの窓の結合を強めることができるが、上述したように、研磨面の上に突出する窓40の部分を除去して、窓の最上部が研磨面と平らになるようにすることができる。
[0038]幾つかの実施形態を上述したが、本発明は、これに限定されない。例えば、でこぼこした縁をもつ窓を説明したが、窓は、長方形や楕円形のような単純な形状でもよい。本発明の精神及び範囲から逸脱せずに種々の他の変更がなされ得ることが理解されよう。従って、特許請求の範囲内で他の実施形態も考えられる。
10…CMP装置、12…研磨ヘッド、14…半導体基板、16…プラテン、18…研磨パッド、20…研磨層、22…底面、24…研磨面、26…溝、28…接着剤、30…研磨液体、32…駆動シャフト、34…アパーチャー、36…光源、38…検出器、40…窓、42…でこぼこした周囲、50、52、54…円形部分、56、58…直線セグメント、70…ライナー、72…穴、74…バッキング部片、80…アパーチャー

Claims (15)

  1. 研磨面を有する研磨層と、
    上記研磨層とは反対の上記研磨層の側にある接着剤層と、
    上記研磨層を貫通して延び且つ研磨層に成形された固体の光透過窓であって、上記研磨面と同一平面の最上面及び上記接着剤層の下面と同一平面の底面を有している窓と、
    を備えた研磨パッド。
  2. 上記研磨層は、単一の層より成る、請求項1に記載の研磨パッド。
  3. 上記接着剤層に広がる取り外し可能なライナーを更に備えた、請求項1に記載の研磨パッド。
  4. 上記ライナーは、上記窓と整列された穴を有する、請求項3に記載の研磨パッド。
  5. 上記ライナーの上記穴に位置付けられて上記窓に当接する取り外し可能な窓バッキング部片を更に備えた、請求項4に記載の研磨パッド。
  6. 上記研磨面における溝を更に備えた、請求項1に記載の研磨パッド。
  7. 上記窓の一部分が上記溝へ突出し、そこに成形される、請求項5に記載の研磨パッド。
  8. 上記窓の周囲は、でこぼこした経路をたどる、請求項1に記載の研磨パッド。
  9. 研磨パッドを製造する方法において、
    研磨層及び接着剤層を貫通するアパーチャーを形成するステップと、
    上記研磨層の研磨面とは反対の側で上記接着剤層にバッキング部片を固定するステップと、
    上記アパーチャーに液体ポリマーを投与するステップと、
    上記液体ポリマーを硬化して、窓を形成するステップと、
    を備えた方法。
  10. 取り外し可能なライナーに穴を形成するステップを更に備え、バッキング部片を固定する上記ステップは、上記バッキング部片を上記穴に設置することを含む、請求項9に記載の方法。
  11. 上記研磨面の上に突出する上記窓の一部分を除去するステップを更に備えた、請求項9に記載の方法。
  12. 上記液体ポリマーは、上記研磨面の溝に流れ込む、請求項9に記載の方法。
  13. 上記研磨層は、単一の層より成る、請求項9に記載の方法。
  14. アパーチャーを形成する上記ステップは、上記研磨パッドを型抜き又はカットすることを含む、請求項9に記載の方法。
  15. 上記窓の周囲は、でこぼこした経路をたどる、請求項9に記載の方法。
JP2010511259A 2007-06-08 2008-05-30 窓付きの薄い研磨パッド及び成形プロセス Active JP5363470B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US94295607P 2007-06-08 2007-06-08
US60/942,956 2007-06-08
PCT/US2008/065316 WO2008154185A2 (en) 2007-06-08 2008-05-30 Thin polishing pad with window and molding process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010528885A true JP2010528885A (ja) 2010-08-26
JP5363470B2 JP5363470B2 (ja) 2013-12-11

Family

ID=39684292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010511259A Active JP5363470B2 (ja) 2007-06-08 2008-05-30 窓付きの薄い研磨パッド及び成形プロセス

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8562389B2 (ja)
JP (1) JP5363470B2 (ja)
TW (2) TWI524965B (ja)
WO (1) WO2008154185A2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013039203A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 東レ株式会社 研磨パッド
WO2013039181A1 (ja) * 2011-09-15 2013-03-21 東レ株式会社 研磨パッド
WO2013129426A1 (ja) * 2012-02-27 2013-09-06 東レ株式会社 研磨パッド
JP2014515319A (ja) * 2011-05-23 2014-06-30 ネクスプラナー コーポレイション 上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッド
US9067298B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
US9067297B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
US9597769B2 (en) 2012-06-04 2017-03-21 Nexplanar Corporation Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer
KR20170088444A (ko) * 2010-05-12 2017-08-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 패드 윈도우 삽입
US11673224B2 (en) 2018-05-08 2023-06-13 Ebara Corporation Light transmitting member, polishing pad, and substrate polishing apparatus

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8562389B2 (en) * 2007-06-08 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Thin polishing pad with window and molding process
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US8393940B2 (en) * 2010-04-16 2013-03-12 Applied Materials, Inc. Molding windows in thin pads
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
WO2012068428A2 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising transmissive region
JP5893479B2 (ja) * 2011-04-21 2016-03-23 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
KR102295988B1 (ko) * 2014-10-17 2021-09-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US10618141B2 (en) 2015-10-30 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
TWI676526B (zh) * 2016-02-24 2019-11-11 智勝科技股份有限公司 研磨墊、研磨墊的製造方法及研磨方法
US10213894B2 (en) 2016-02-26 2019-02-26 Applied Materials, Inc. Method of placing window in thin polishing pad
TWI629297B (zh) * 2016-07-05 2018-07-11 智勝科技股份有限公司 研磨層及其製造方法以及研磨方法
CN109641342A (zh) * 2016-08-31 2019-04-16 应用材料公司 具有环形工作台或抛光垫的抛光系统
US10596763B2 (en) 2017-04-21 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing with array of energy sources
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
TWI647065B (zh) * 2017-08-07 2019-01-11 智勝科技股份有限公司 研磨墊及其製造方法以及研磨方法
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
JP2020001162A (ja) * 2018-06-28 2020-01-09 株式会社荏原製作所 研磨パッド積層体、研磨パッド位置決め治具、および研磨パッドを研磨テーブルに貼り付ける方法
ES2701950B2 (es) 2018-08-09 2020-01-15 Demac S A Dispositivo para el masaje y estiramiento de ciertas partes del cuerpo
JP7299970B2 (ja) 2018-09-04 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良型研磨パッドのための配合物
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003062748A (ja) * 2001-08-24 2003-03-05 Inoac Corp 研磨用パッド
JP2003163191A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Tokyo Seimitsu Co Ltd 機械化学的研磨装置用の研磨パッド
JP2003188124A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Rodel Nitta Co 研磨布
JP2005032849A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ研磨装置
JP2007118106A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6068539A (en) * 1998-03-10 2000-05-30 Lam Research Corporation Wafer polishing device with movable window
EP1176630B1 (en) * 1999-03-31 2007-06-27 Nikon Corporation Polishing body, polisher, method for adjusting polisher, method for measuring thickness of polished film or end point of polishing, method for producing semiconductor device
US6146242A (en) * 1999-06-11 2000-11-14 Strasbaugh, Inc. Optical view port for chemical mechanical planarization endpoint detection
US6171181B1 (en) * 1999-08-17 2001-01-09 Rodel Holdings, Inc. Molded polishing pad having integral window
JP2003510826A (ja) * 1999-09-29 2003-03-18 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 研磨パッド
US6685537B1 (en) * 2000-06-05 2004-02-03 Speedfam-Ipec Corporation Polishing pad window for a chemical mechanical polishing tool
US20020137431A1 (en) * 2001-03-23 2002-09-26 Labunsky Michael A. Methods and apparatus for polishing and planarization
US6599765B1 (en) * 2001-12-12 2003-07-29 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection
US6875077B2 (en) * 2002-03-18 2005-04-05 Raytech Innovative Solutions, Inc. Polishing pad for use in chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers having a transparent window for end-point determination and method of making
TWI220405B (en) 2002-11-19 2004-08-21 Iv Technologies Co Ltd Method of fabricating a polishing pad having a detection window thereon
US8845852B2 (en) 2002-11-27 2014-09-30 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad and method of producing semiconductor device
US6806100B1 (en) * 2002-12-24 2004-10-19 Lam Research Corporation Molded end point detection window for chemical mechanical planarization
KR20040093402A (ko) * 2003-04-22 2004-11-05 제이에스알 가부시끼가이샤 연마 패드 및 반도체 웨이퍼의 연마 방법
US7195539B2 (en) * 2003-09-19 2007-03-27 Cabot Microelectronics Coporation Polishing pad with recessed window
US8066552B2 (en) * 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
US7654885B2 (en) * 2003-10-03 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad
WO2005104199A1 (ja) * 2004-04-23 2005-11-03 Jsr Corporation 半導体ウエハ用研磨パッド及びこれを備える半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法
KR101107044B1 (ko) * 2004-12-10 2012-01-25 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 연마 패드의 제조 방법
US7179151B1 (en) * 2006-03-27 2007-02-20 Freescale Semiconductor, Inc. Polishing pad, a polishing apparatus, and a process for using the polishing pad
US8562389B2 (en) * 2007-06-08 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Thin polishing pad with window and molding process
US8393940B2 (en) * 2010-04-16 2013-03-12 Applied Materials, Inc. Molding windows in thin pads

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003062748A (ja) * 2001-08-24 2003-03-05 Inoac Corp 研磨用パッド
JP2003163191A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Tokyo Seimitsu Co Ltd 機械化学的研磨装置用の研磨パッド
JP2003188124A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Rodel Nitta Co 研磨布
JP2005032849A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ研磨装置
JP2007118106A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170088444A (ko) * 2010-05-12 2017-08-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 패드 윈도우 삽입
KR101956848B1 (ko) 2010-05-12 2019-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 폴리싱 패드 조립체
US9296085B2 (en) 2011-05-23 2016-03-29 Nexplanar Corporation Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
JP2014515319A (ja) * 2011-05-23 2014-06-30 ネクスプラナー コーポレイション 上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッド
WO2013039181A1 (ja) * 2011-09-15 2013-03-21 東レ株式会社 研磨パッド
WO2013039203A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 東レ株式会社 研磨パッド
US9067298B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
US9067297B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
US9931729B2 (en) 2011-11-29 2018-04-03 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
US9931728B2 (en) 2011-11-29 2018-04-03 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
WO2013129426A1 (ja) * 2012-02-27 2013-09-06 東レ株式会社 研磨パッド
US9597769B2 (en) 2012-06-04 2017-03-21 Nexplanar Corporation Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer
US11673224B2 (en) 2018-05-08 2023-06-13 Ebara Corporation Light transmitting member, polishing pad, and substrate polishing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TWI580521B (zh) 2017-05-01
JP5363470B2 (ja) 2013-12-11
WO2008154185A3 (en) 2009-02-12
US8562389B2 (en) 2013-10-22
US20080305729A1 (en) 2008-12-11
US20130309951A1 (en) 2013-11-21
US9138858B2 (en) 2015-09-22
TW201618891A (zh) 2016-06-01
WO2008154185A2 (en) 2008-12-18
TW200906543A (en) 2009-02-16
TWI524965B (zh) 2016-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5363470B2 (ja) 窓付きの薄い研磨パッド及び成形プロセス
US8393940B2 (en) Molding windows in thin pads
JP5277163B2 (ja) 複数の部分を有する窓をもつ研磨パッド
US20110281510A1 (en) Pad Window Insert
US11826875B2 (en) Window in thin polishing pad
JP5474093B2 (ja) 窓支持部を具備する研磨パッドおよび研磨システム
CN108701600B (zh) 在薄型抛光垫中的窗
KR20150132844A (ko) 이차 윈도우 시일을 구비한 연마 패드
TW202417180A (zh) 拋光墊及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20101130

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101210

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110527

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121030

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130130

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130426

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130806

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130905

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5363470

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250