JP2010524831A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010524831A5
JP2010524831A5 JP2010504633A JP2010504633A JP2010524831A5 JP 2010524831 A5 JP2010524831 A5 JP 2010524831A5 JP 2010504633 A JP2010504633 A JP 2010504633A JP 2010504633 A JP2010504633 A JP 2010504633A JP 2010524831 A5 JP2010524831 A5 JP 2010524831A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
mass
ceramic body
component
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010504633A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5538212B2 (ja
JP2010524831A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/EP2008/054630 external-priority patent/WO2008128948A2/de
Publication of JP2010524831A publication Critical patent/JP2010524831A/ja
Publication of JP2010524831A5 publication Critical patent/JP2010524831A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5538212B2 publication Critical patent/JP5538212B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2010504633A 2007-04-24 2008-04-17 メタライズされたセラミックボディを有するコンポーネント Expired - Fee Related JP5538212B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007019632 2007-04-24
DE102007019632.8 2007-04-24
PCT/EP2008/054630 WO2008128948A2 (de) 2007-04-24 2008-04-17 Bauteil mit einem metallisierten keramikkörper

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010524831A JP2010524831A (ja) 2010-07-22
JP2010524831A5 true JP2010524831A5 (https=) 2013-09-12
JP5538212B2 JP5538212B2 (ja) 2014-07-02

Family

ID=39777665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010504633A Expired - Fee Related JP5538212B2 (ja) 2007-04-24 2008-04-17 メタライズされたセラミックボディを有するコンポーネント

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100147571A1 (https=)
EP (1) EP2155628A2 (https=)
JP (1) JP5538212B2 (https=)
KR (1) KR101476343B1 (https=)
CN (1) CN101687717A (https=)
DE (1) DE102008001226A1 (https=)
WO (1) WO2008128948A2 (https=)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2514181Y2 (ja) 1990-12-26 1996-10-16 トリニティ工業株式会社 押圧機
DE102009025033A1 (de) 2009-06-10 2010-12-16 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelektrische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer thermoelektrischen Vorrichtung
AU2013323472B2 (en) 2012-09-28 2018-07-05 Ellis KLINE Glycosidase regimen for treatment of infectious disease
JP6307832B2 (ja) * 2013-01-22 2018-04-11 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール
JP6111764B2 (ja) * 2013-03-18 2017-04-12 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板の製造方法
JP5672324B2 (ja) 2013-03-18 2015-02-18 三菱マテリアル株式会社 接合体の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法
JP5751357B1 (ja) * 2014-02-03 2015-07-22 トヨタ自動車株式会社 セラミック部材および金属部材の接合構造
DE102014107217A1 (de) * 2014-05-19 2015-11-19 Ceram Tec Gmbh Leistungshalbleitermodul
WO2017220817A1 (de) * 2016-06-24 2017-12-28 Ceramtec Gmbh Bauteile für steckverbinder
FR3054721B1 (fr) * 2016-07-29 2018-12-07 Safran Module electronique de puissance d'un aeronef et procede de fabrication associe
DE102017122575B3 (de) * 2017-09-28 2019-02-28 Rogers Germany Gmbh Kühlvorrichtung zum Kühlen eines elektrischen Bauteils und Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung
CN114974990A (zh) * 2021-02-25 2022-08-30 天津首瑞智能电气有限公司 一种电瓷质气密壳体及其制造方法、灭弧室、电的开关
DE102021106952A1 (de) 2021-03-22 2022-09-22 Infineon Technologies Austria Ag Dbc-substrat für leistungshalbleitervorrichtungen, verfahren zum herstellen eines dbc-substrats und leistungshalbleitervorrichtung mit dbc-substrat
EP4719030A1 (en) * 2024-09-29 2026-04-01 Shenzhen STS Microelectronics Co., Ltd. Intra-cooling devices for power modules, methods for manufacturing same, power modules and electrical systems

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4072771A (en) * 1975-11-28 1978-02-07 Bala Electronics Corporation Copper thick film conductor
US4182412A (en) * 1978-01-09 1980-01-08 Uop Inc. Finned heat transfer tube with porous boiling surface and method for producing same
US4359086A (en) * 1981-05-18 1982-11-16 The Trane Company Heat exchange surface with porous coating and subsurface cavities
EP0153737B1 (en) * 1984-02-27 1993-07-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate having high thermal conductivity
JPS62113783A (ja) * 1985-11-13 1987-05-25 日本セメント株式会社 窒化けい素焼結体のメタライズ方法
US5352482A (en) * 1987-01-22 1994-10-04 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Process for making a high heat-conductive, thick film multi-layered circuit board
US5418002A (en) * 1990-12-24 1995-05-23 Harris Corporation Direct bonding of copper to aluminum nitride substrates
US5395679A (en) * 1993-03-29 1995-03-07 Delco Electronics Corp. Ultra-thick thick films for thermal management and current carrying capabilities in hybrid circuits
US5545473A (en) * 1994-02-14 1996-08-13 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive interface
US6861290B1 (en) * 1995-12-19 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Flip-chip adaptor package for bare die
DE19603822C2 (de) * 1996-02-02 1998-10-29 Curamik Electronics Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Keramik-Substrat sowie Keramik-Substrat
US5981085A (en) * 1996-03-21 1999-11-09 The Furukawa Electric Co., Inc. Composite substrate for heat-generating semiconductor device and semiconductor apparatus using the same
JPH10284808A (ja) * 1997-04-08 1998-10-23 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板
JP2000281460A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Tokuyama Corp 金属粉末ろう材および窒化アルミニウム部材と金属部材との接合方法
MXPA03006498A (es) * 2001-01-22 2003-10-15 Parker Hannifin Corp Entrecara termica de cambio de fase, de liberacion limpia.
JP3931855B2 (ja) * 2003-08-08 2007-06-20 株式会社日立製作所 電子回路装置
DE102004033933B4 (de) * 2004-07-08 2009-11-05 Electrovac Ag Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates
US7332807B2 (en) * 2005-12-30 2008-02-19 Intel Corporation Chip package thermal interface materials with dielectric obstructions for body-biasing, methods of using same, and systems containing same
TWI449137B (zh) * 2006-03-23 2014-08-11 製陶技術創新製陶工程股份公司 構件或電路用的攜帶體

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010524831A5 (https=)
JP5538212B2 (ja) メタライズされたセラミックボディを有するコンポーネント
Tsai et al. Controlling the microstructure from the gold-tin reaction
JPH0674190B2 (ja) 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体
JP4936261B2 (ja) 炭化ホウ素含有セラミックス接合体及び該接合体の製造方法
US9217192B2 (en) Semiconductor device and bonding material for semiconductor device
JPS62207789A (ja) 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法
KR970701798A (ko) 금속 합금의 산화에 의해 생성된 반응 형성 세라믹을 포함하는 합성물, 합금 제품 및 이들의 제조방법(Composite article, alloy and method)
JP2010526008A5 (https=)
JP2015224151A (ja) Cu/セラミック基板
Tsai et al. Microstructure evolution of gold-tin eutectic solder on Cu and Ni substrates
JP3495052B2 (ja) メタライズ体およびその製造方法
JPH0676264B2 (ja) ガラス層を有する窒化アルミニウム焼結体並びにその製造方法
JPS62176960A (ja) 金属電極を有する窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPH0676268B2 (ja) 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体並びにその製造方法
JPH0460946B2 (https=)
US11729907B2 (en) Structure and circuit board
Su et al. Interfacial reactions of liquid Sn and Sn-3.5 Ag solders with Ag thick films
JP2007266369A (ja) 配線基板
JPH0725610B2 (ja) 表面処理した窒化アルミニウム焼結体とその製造法
JP2616951B2 (ja) 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
JPS6355187A (ja) 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体
KR20230104033A (ko) 구리 접합 질화물 기판용 구리 접합층 니켈 합금 조성물
JPS62167277A (ja) 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体
JPS63206347A (ja) セラミツクス焼結体の製造方法