JP2010524215A - 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイス又は投影対物器械である光学システム - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1b
Description
光学システム、特に、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイス及び投影対物器械は、少なくとも1つの偏光修正部分要素を有する偏光補償器と、少なくとも1つの部分要素の位置を変更することができるマニピュレータとを有し、この光学システムでは、光軸に対して垂直な平面に属して光源からの光を用いて照明することができる領域にわたる強度が、この平面における最大強度の20%を超えない少なくとも1つの作動モードを設定することができ、このマニピュレータは、上記領域に配置される。
実施形態により、少なくとも1つの部分要素は、この部分要素を通過する光において、直交する偏光状態の振幅比を修正する。直交する偏光状態の振幅比(「二重減衰」とも呼ぶ効果)を修正するそのような要素は、一例として回折格子偏光器として設計することができる。更に、直交する偏光状態の振幅比を修正するそのような要素は、溶融シリカ(SiO2)のような誘電体で作られた傾斜プレートとして設計することができる(そのようなプレートは、付加的なコーティングを含むことも含まないこともある)。
マニピュレータの例示的な実施形態に対しては、後に図8〜図10を参照してより詳細に説明する。
ΔIPS=sin2(Δφ/2)*sin2(2*α) (1)
ここでΔφは、遅延を表し、αは、入射光の好ましい偏光方向に対する遅延の速軸の角度を表している。
例えば、図1a〜図1bの構成において適切なマニピュレータの機械的な実現のための実施形態を図8〜図10を参照して以下に説明する。
110、120、130、140 部分要素
150 マニピュレータ
160 光不透過遮蔽体
Claims (27)
- 光軸(OA)を有する光学システム、特に、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイス及び投影対物器械であって、
少なくとも1つの偏光修正部分要素(110〜140、210〜240、310〜340、410〜440、723、810〜840、910〜940)を有する偏光補償器(100、200、300、400、800、900)と、
前記少なくとも1つの部分要素(110〜140、210〜220、310〜340、410〜440、723、810〜840、910〜940)の位置を変更することができるマニピュレータ(150、250、722、851〜854、951a〜954a、951b〜954b)と、
を含み、
光学システムにおいて、前記光軸(OA)に対して垂直な平面に属し、かつ光源からの光を用いて照明することができる領域にわたる強度が、該平面における最大強度の20%を超えない少なくとも1つの作動モード(501〜504)を設定することができ、
前記マニピュレータ(150、250、722、851〜854、951a〜954a、951b〜954b)は、前記領域に配置される、
ことを特徴とする光学システム。 - 前記領域にわたって、前記強度は、前記作動モードでは、前記平面における前記最大強度の10%を超えず、より好ましくは、5%を超えず、より一層好ましくは、2%を超えないことを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記領域は、前記作動モード(501〜504)では未照明のままに留まることを特徴とする請求項2に記載の光学システム。
- 前記光軸(OA)に対して垂直な前記平面は、光学システムの瞳平面であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記光軸(OA)に対して垂直な前記平面は、光学システムの視野平面であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記少なくとも1つの部分要素(110〜140、210〜240、310〜340、410〜440、723、810〜840、910〜940)は、複屈折材料から成ることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記少なくとも1つの部分要素は、該部分要素を通過する光に対して、直交偏光状態の振幅の比を修正することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記少なくとも1つの部分要素は、該部分要素を通過する光に対して、直交偏光状態の間の相対位相を修正することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記偏光補償器(100、200、300、400)は、少なくとも2つの偏光修正部分要素(110〜140、210〜240、310〜340、410〜440、810〜840、910〜940)を有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記2つの部分要素の互いに対する相対位置及び/又は相対方位は、前記マニピュレータ(150、250、851〜854、951a〜954a、951b〜954b)を用いて変更することができることを特徴とする請求項9に記載の光学システム。
- 前記偏光補償器(200)は、前記少なくとも2つの部分要素(210、220)を同心配置で有することを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の光学システム。
- 前記少なくとも2つの部分要素(210、220)は、前記光軸(OA)に対して同心状に配置されることを特徴とする請求項11に記載の光学システム。
- 前記少なくとも2つの部分要素(110〜140、310〜340、410〜440)は、多角形幾何学形状を有することを特徴とする請求項9から請求項12のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記マニピュレータ(150、250、851〜854、951a〜954a、951b〜954b)は、前記少なくとも1つの部分要素(110〜140、210〜220、310〜340、410〜440、810〜840、910〜940)の回転、変位、及び/又は傾斜に向けて形成されることを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の光学システム。
- 第1のマニピュレータ(722)に加えて、該第1のマニピュレータ(722)の位置を変更することができる第2のマニピュレータ(721)を含むことを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記第2のマニピュレータ(721)は、前記光源を用いて照明することができる領域の外側に配置されることを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の光学システム。
- 光学システムに前記偏光状態の擾乱をもたらす少なくとも1つの光学要素を有することを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記偏光補償器(100、200、300、400、800、900)は、それが光学システムの瞳平面の第1の領域の前記擾乱を増強し、かつ該瞳平面の第2の領域でそれを弱めるように設定することができることを特徴とする請求項17に記載の光学システム。
- 重力誘起応力複屈折を有する少なくとも1つの光学要素が存在し、
前記偏光補償器(100、200、300、400、800、900)は、それが該応力複屈折を少なくとも部分的に補償するように構成される、
ことを特徴とする請求項1から請求項18のいずれか1項に記載の光学システム。 - 前記部分要素(110〜140、210〜220、310〜340、410〜440、810〜840、910〜940)の互いに対する前記方位に関して互いに異なる前記偏光補償器の少なくとも2つの設定を、前記マニピュレータ(150、250)を用いて生成することができ、この設定は、該部分要素(110〜140、210〜220、310〜340、410〜440、810〜840、910〜940)から成る該偏光補償器(100、200、300、400、800、900)の幾何学形状に関して適合することを特徴とする請求項9から請求項19のいずれか1項に記載の光学システム。
- 瞳フィルタを有し、
前記マニピュレータ(150、250)は、前記瞳フィルタ上に配置される、
ことを特徴とする請求項1から請求項20のいずれか1項に記載の光学システム。 - 更に中性フィルタを有することを特徴とする請求項1から請求項21のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記少なくとも1つの部分要素(110〜140、210〜220、310〜340、410〜440、810〜840、910〜940)は、システムの前記光軸(OA)に垂直な平面内で配向された光学結晶軸を有することを特徴とする請求項1から請求項22のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記光源(604)は、250nmよりも短く、特に200nmよりも短く、より特定的には160nmよりも短い波長を有する光を発生させることを特徴とする請求項1から請求項23のいずれか1項に記載の光学システム。
- 照明デバイス(601)と、
投影対物器械(602)と、
を含み、
前記照明デバイス(601)又は前記投影対物器械(602)は、請求項1から請求項24のいずれか1項に従って形状される、
ことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置。 - 微細構造構成要素のマイクロリソグラフィ製造の方法であって、
感光材料から成る層が少なくとも部分的に付加された基板(611)を準備する段階と、
結像される構造を有するマスク(603)を準備する段階と、
請求項25に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置を準備する段階と、
前記投影露光装置を用いて前記マスク(603)の少なくとも一部を前記層のある一定の領域上に投影する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項26に記載の方法に従って製造された微細構造構成要素。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US90973407P | 2007-04-03 | 2007-04-03 | |
US60/909,734 | 2007-04-03 | ||
PCT/EP2008/053847 WO2008119794A1 (en) | 2007-04-03 | 2008-03-31 | Optical system, in particular illumination device or projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010524215A true JP2010524215A (ja) | 2010-07-15 |
JP5461387B2 JP5461387B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=39671178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010501496A Expired - Fee Related JP5461387B2 (ja) | 2007-04-03 | 2008-03-31 | 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイス又は投影対物器械である光学システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8237918B2 (ja) |
JP (1) | JP5461387B2 (ja) |
KR (1) | KR101450362B1 (ja) |
WO (1) | WO2008119794A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009152867A1 (en) | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method |
EP2754524B1 (de) | 2013-01-15 | 2015-11-25 | Corning Laser Technologies GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie |
EP2781296B1 (de) | 2013-03-21 | 2020-10-21 | Corning Laser Technologies GmbH | Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser |
US9517963B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-12-13 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
US11556039B2 (en) | 2013-12-17 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same |
US9815144B2 (en) | 2014-07-08 | 2017-11-14 | Corning Incorporated | Methods and apparatuses for laser processing materials |
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US10047001B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-08-14 | Corning Incorporated | Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams |
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-
2008
- 2008-03-31 KR KR1020097019417A patent/KR101450362B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-31 JP JP2010501496A patent/JP5461387B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-31 WO PCT/EP2008/053847 patent/WO2008119794A1/en active Application Filing
-
2009
- 2009-07-07 US US12/498,475 patent/US8237918B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101450362B1 (ko) | 2014-10-14 |
KR20100014447A (ko) | 2010-02-10 |
US8237918B2 (en) | 2012-08-07 |
WO2008119794A1 (en) | 2008-10-09 |
US20090323042A1 (en) | 2009-12-31 |
JP5461387B2 (ja) | 2014-04-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111128 |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130121 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5461387 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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