JP2010510468A - 物質の粒度選択および/または乾燥装置 - Google Patents

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Abstract

少なくとも90重量%で、サイズが60mm未満の粒子の無機物質の懸濁処理のための、粉末状物質の粒度の選択および/または乾燥装置であり、装置(30)は、主に、上昇流(Fa)が通過するほぼ鉛直なガス導管(1)から構成されており、該ガス導管は、その底部にガスの取入口を備え、下部開口部(2)と上部開口部(3)を具備し、該二つの開口部の間に、同様に物質を導入するための供給口(4)を備え、前記装置内で物質の、特に「微細な」と呼ばれる物質の一部が、前記上昇流(Fa)の揚力によって上部開口部(3)からガスと共に逃れることが可能であるのに対し、それよりも粗い物質の他の部分は、前記ガスによって運ばれず、下部開口部(2)から落下する装置に関するものである。本発明によると、装置(30)は、また、粒度の異なる分画物の分離、および、物質の懸濁化にとって好都合な乱流を生成する手段(5)を有し、該手段は、前記ガス導管(1)の内壁に備えられ、前記導管(1)の下部開口部(2)および供給口(4)の間に位置付けられている。
【選択図】図1

Description

本発明は、少なくとも90重量%で、サイズが60mm未満の粒子の無機物質の懸濁処理のための、物質の粒度選択および/または乾燥装置に関するものである。
無機物質の粉砕および/または乾燥工場では、平均粒度が10mm未満の物質に適用される「一連の工程」の懸濁乾燥装置を使用することが知られている。これらの装置における乾燥を介した熱交換は膨大で、また、極めて迅速であり、しばしば、「フラッシュ」と呼ばれる。鉛直な高温ガスの導管の設備の形状を呈するそのようなシステムは、出版物そして、特に、B.Reinhardt、Ph.Duhamel、R.Evrard、A.Cordonnier著の「Le sechage flash、Seminaire de la Societe de l’industrie Minerale」Dijon(1999年10月9日)に記載されている。
処理すべき物質の大部分を確実に懸濁化し、高温ガスと接触させ、前記物質の乾燥を可能にするために、速度が約30から40m/秒の高温ガスの上昇流を生成させ、このようにして、装填物の大きな損失が引き起こされる。
原則的に、そのようなシステムでは、物質の最も粗い分画物は運ばれないにもかかわらず、これらの装置は粒度選択器とはみなされない。実際、これらの装置に様々な直径の粒子から構成された粗い分画物が装填されたとき、一般的に、分画物の大部分は、その大部分を構成する最も微細な粒子の分離および懸濁化もなく、落下する。
逆に、また、上昇流の強さから、より小さなサイズの粗い分画が引き起こされる。したがって、その粒子のサイズに応じて選択することができる能力を示すこれらの機械の物質を選択する能力は、低い。
また、粗い分画物の存在する量が多すぎると、これらの装置の動作およびその内部に該装置が設置されているそれらの設備の動作を妨害する。例えば、セメント製造用の粉砕設備の場合、装置は、その下流に置かれた空気分離機の動作を妨害する。実際、乾燥装置に大きな粗い分画物が装填されると、装置は不安定になり、物質の懸濁化に不可欠な上昇流が不規則に吹く。
本発明の目的は、粒度スペクトルが大きい物質に適用するためのオンラインで安定して動作する、少なくとも90重量%で、サイズが60mm未満の粒子の無機物質の懸濁処理のための、粉末状物質の粒度選択および/または乾燥装置を提案することにある。
本発明の別の目的は、懸濁化することができる分画物の良好な分離が可能な粒度選択および/または乾燥装置を提案することにある。
本発明のまた別の目的は、サイズが小さい、特に、従来技術で既知の「フラッシュ」型乾燥装置のガス導管の高さよりも低い高さの、鉛直なガス導管によって主に構成される粉末状物質の粒度選択および/または乾燥装置を提案することにある。
本発明のさらに別の目的は、当業者に既知の「フラッシュ」型乾燥装置のガスの上昇流の速度よりも遅い速度のガス上昇流によって動作し、このようにして装填物の損失を減少させる、粉末状物質の粒度選択および/または乾燥装置を提案することにある。
本発明のその他の目的および利点は、以下の説明から明らかになるが、これらの説明は、例示されるものであり、本発明を何ら限定する趣旨のものではない。
装置は、少なくとも90重量%で、サイズが60mm未満の粒子の無機物質の懸濁処理のための、粉末状物質の粒度の選択および/または乾燥装置に関するものであり、装置は、主に、上昇流が通過するほぼ鉛直なガス導管から構成されており、該ガス導管は、その底部にガスの取入口を備え、下部開口部と上部開口部を具備し、該二つの開口部の間に、同様に物質を導入するための供給口を備え、前記装置内で物質の、特に微細な、と呼ばれる物質の一部が、前記上昇流の揚力によって上部開口部からガスと共に逃れることが可能であるのに対し、それよりも粗い物質の他の部分は、前記ガスによって運ばれず、下部開口部から落下する装置である。
本発明によると、装置は、また、粒度の異なる分画物の分離、および、物質の懸濁化にとって好都合な乱流を生成する手段を有し、該手段は、ガス導管の内壁に備えられ、前記ガス導管の下部開口部および供給口の間に位置付けられている。
本発明は、また、閉循路型の、特にセメント工業用の連続粉砕設備であり、
−粉砕する製品の取入口および粉砕された製品の排出口を有する、特にローラまたはボール付き粉砕機、
−本発明による、上昇流が内部を通過する粒度選択および乾燥装置によって構成され、粉砕機の取入口に接続された下部の排出物の排出口および上部の舞い上がる物質の排出口を備え、その間にまた物質の供給口を備える、選択−乾燥器、
−少なくとも選択−乾燥器から舞い上がる物質の前記排出口に接続された少なくとも一つの物質の取入口、選択された物質用の排出口、および、粉砕機の取入口に接続された排出物の排出口を含む、力学的選択器、
−力学的選択器の物質の排出口に接続された、選択された物質に満ちたガスを濾過することが可能なフィルタを含み、
−粉砕機の排出口が、力学的選択器の前記少なくとも一つの物質の取入口および/または選択−乾燥器の供給口に接続され、
−少なくとも一つの物質の供給装置が、粉砕機の取入口および/または選択−乾燥器の供給口から供給する、
連続粉砕設備に関するものである。
本発明は、本発明の一部をなす添付図面を参照しておこなう以下の説明からより良く理解されるであろう。
本発明にかなった第一の実施態様による、粒度選択および/または乾燥装置の概略的な断面図である。 本発明にかなった第二の実施態様による、粉末状物質の粒度選択および/または乾燥装置の概略的な断面図である。 本発明にかなった第三の実施態様による、粉末状物質の粒度選択および/または乾燥装置の概略的な断面図である。 「風箱」とも呼ばれる、プレナムへの様々なガス供給の可能性を示す水平方向の断面図である。 「風箱」とも呼ばれる、プレナムへの様々なガス供給の可能性を示す水平方向の断面図である。 「風箱」とも呼ばれる、プレナムへの様々なガス供給の可能性を示す水平方向の断面図である。 「風箱」とも呼ばれる、プレナムへの様々なガス供給の可能性を示す水平方向の断面図である。 特に図1に示したような装置の羽根を示す、ガス導管の鉛直方向の断面図である。 本発明にかなった粒度選択および/または乾燥装置を搭載した、閉循路型の、特にセメント工業用の連続粉砕設備の概略図である。 本発明にかなった粒度選択および/または乾燥装置の高い粒度選択能力を示すことができる対数目盛で表された対数尺によるグラフである。
本発明にかなった粉末状物質の粒度および/または乾燥装置は、「フラッシュ」型の既知の乾燥システムとは異なり、該フラッシュ型の乾燥装置は、物質の懸濁化のための主要要素として頚部にベンチュリ管を備え、そのガスの速度は30から40m/秒に保たれている。ベンチュリ管の構造は、装置の全高が鉛直導管の直径の5から6倍となる。
これらの「フラッシュ」システムによって、粒子のサイズが20mm未満の物質を、ガス1kgにつき2.5kgを越えない単位あたりの濃度で処理することが可能になる。これらの数値を超えると、動作の不安定性の問題が生じる。
本発明にかなった粉末状物質の粒度選択および/または乾燥装置は、少なくとも90重量%のサイズが60mm未満の粒子の無機物質の懸濁処理のためのものである。
図1から3の実施態様に示したように、装置は、主に、上昇流Faが通過するほぼ鉛直なガス導管1から構成されており、該ガス導管は、その底部にガスの取入口を備える。
このガス導管の断面は、ほぼ楕円形または長円形である。好ましくは、形のファクター、すなわち、断面のサイズの長さ/幅の比は3を超えない。
このガス導管は、下部開口部2および上部開口部3を具備し、該二つの開口部の間に、同様に物質を導入するための供給口4を備える。下部開口部2は、特に「風箱」とも呼ばれるプレナム7によってガスを供給されることができる。
特に「微粒子」と呼ばれる粒子状無機物質の一部が、上昇流Faの揚力によって上部開口部3からガスと共に逃れることが可能であるのに対し、それよりも粗いその他の部分は、ガスによって運ばれず、下部開口部2から落下する。
本発明によると、装置30は、また、粒度の異なる分画物を分離、および、物質の懸濁化にとって好都合な乱流を生成する手段5を有し、該手段は、ガス導管1の内壁に備えられ、ガス導管1の下部開口部2と供給口4の間に位置付けられている。
有利には、乱流は、特に、物質の粗い分画物から様々な直径の粒子を分離することを可能にするものであり、したがって、この分画物の「微細な」と呼ばれる粒子の懸濁化、上部開口部3からの排出、および、よりサイズの大きい粒子の下部開口部2からの落下を可能にする。
特に図1に示した第一の実施態様によると、乱流を生成する手段5は、少なくとも一部がガス導管1の内壁に位置付けられた、ガス上昇流Fa用の障害物によって構成することができる。特に図1および図5に詳細に示されているように、障害物は、全体的に水平な羽根10の形状を呈することができ、該羽根の長さ方向はガス導管1の中心に向けられている。
羽根は、特に図1に示すように、少なくとも二つの連続した高さに配置することができる。有利には、羽根は、二つの連続した高さの間に角度的に五点型に配置することが可能であり、場合によっては、特に上昇ガス流を、異なる高さにある羽根の間をジグザグに進ませる側面被覆区域を備えることが可能である。
羽根の長さ方向を、ガス導管1の中心に向けて位置付けられた方向に定め、そして幅方向を水平面の直交方向に定めた場合、それぞれの羽根の長さは、羽根の軸に沿ったガス導管1の空洞の幅の2から30%を占めることができる。
少なくとも二つの連続した高さに配置したそれぞれの羽根の幅の合計は、ガス導管の周縁の長さの少なくとも60%を占めることができる。ガス導管の周縁の長さとは、ガス導管と水平面の交差によって得られる、ガス導管1の断面の周縁の長さを意味する。羽根の幅の合計は、有利には、ガス導管の周縁の長さの120から200%の範囲にある。
有利には、図5に示したように、ガス導管1内の羽根10の形状および位置は、前記羽根を腐食から保護するために、動作期間中に前記羽根10の上部に物質を、特に停滞する物質を蓄積させるのに適していることが可能である。特に、羽根は、羽根の上面上に窪みを有すること、または、特に羽根の端部13に一つまたは複数の上部折り返しを有することがある。端部13は、より硬い物質で保護されることがあり、ガス導管1は浸食から保護する素材12で被覆されることがある。
そのように、物質の導入点、および、自然の落下速度がガスの上昇速度よりも早い粗い分画物の存在の事実から、物質の一部は懸濁化されない。物質の落下は、主に、壁に沿った滑動によって実施される。壁に沿って滑動する物質は停止し、羽根の近傍で生成されたガスの乱流によって、存在する様々な粒度の分画物の分離と、それほど粗くない分画物の懸濁化が可能となる。
ガス導管の内壁上の、特に前記羽根10である障害物と交互、または、それに加え、乱流を生成する手段5は、少なくとも一部が、全体的に上昇流Faの方向に垂直に向けられた、少なくとも一つ壁のガス流Fpによって構成されており、該上昇流は、前記ガス導管1の壁の孔8からガス導管1の内部容積に、特に半径方向または接線方向に侵入する。
孔8の表面積の合計は、導管1の断面積の空いている部分の15%から150%を占めることができる。
装置は、ガス導管の低部を囲む少なくとも一つのプレナム7を有することが可能であり、該プレナムは、ガスの取入口である下部開口部2および/または、場合によっては、ガス導管の壁の孔8からガスを供給することができる。特に、図示していない実施態様によると、ガスの取入口は下部開口部2によってのみ構成される。図1または2の実施例によると、ガス導管のガスの取入口は、下部開口部2および壁の孔8によって構成される。図3の実施例によると、ガスの取入口は、壁の孔8によってのみ構成される。プレナム7は、特に図1または2に示したように、落下する物質の排出口9を有するケースの形状を呈することができる。
プレナム7は、少なくとも一つの半径方向のガスの取入口6、6−1および/または少なくとも一つの接線方向のガスの取入口6−2、6−3を介して、ガスを供給されることができる。特に、図4aおよび4cに示したように、プレナム7のチャンバは、一つまたは二つの半径方向の取入口6;6、6−1から供給される。図4bおよび4dに示したように、プレナム7のチャンバは、一つまたは二つの接線方向の取入口6−2;6−2、6‐3から供給される。
以下に、異なる複数の実施例を記載する。
図1に示した実施例は、主に、上部開口部3、同様に、主にガスの取入口を構成する下部開口部2を有するガス導管1を含むものである。乱流を生成する手段5は、一方では、複数の連続する高さに沿って並べられ、また、二つの連続する高さに沿って角度的に五点型に配置された羽根10によって、他方では、壁のガス流Fpを通過させる壁の孔8によって構成される。
単一のプレナムがガス導管の低部を囲み、一方では孔8に、他方では下部開口部2にガスを供給することができる。
この装置は、長さが直径の4から5倍を越えないガス導管とともに使用される。ガス上昇流の速度は、15m/秒でありうる。この実施例では、これらの物質の粒子の最大サイズは100mmであり、単位当りの濃度はガス1kgにつき5から6kgである。
設備は、安定して動作することができ、サイズが約0.8mm未満の粒子だけが舞い上がり、サイズが約2mmを超える粒子は落下するように選択を行う。その結果生じる装填物の損失は、同じ物質の流量で、従来技術で既知の「フラッシュ」型乾燥装置に対して約60%である。
図2の実施例は、下部開口部2が円錐台の端部に形成され、該下部開口部の直径は、ガス導管1の最大断面の直径よりも小さいという点で、図1の実施例と異なる。
図3の実施例は、全てのガスが、下部開口部2からではなく、壁の孔8を介して導入される装置を記載している。それゆえ、壁のガス流Fpの総量により、上昇流Faの生成が可能である。壁の孔8は、大部分が、上昇流Faのための障害物を構成する羽根10の下に位置付けられる。
図7の一つのロットの物質の分離結果を示すグラフによると、本発明の目的である装置に供給された原料の粒度は、粒子の50%が3.2mm未満(またはそれを超えるもの)であり、10%が15mmのメッシュより大きく、最大サイズは35mmである。単位あたりの供給流量は、ガス1kgにつき5から6kgである。
排出口3の方へ舞い上がる物質の粒度は、粒子のほぼ全量のサイズは7mm未満であり、50%が0.48mm未満である(または、それを超えるもの)。下部開口部2から落下する物質では、ほぼ全量の粒子のサイズは0.15mmを超えるものであり、50%が5mm未満である(または、それを超えるものである)。
それぞれのサイズの粒子の二つのガス流の間の分配率を示す分離曲線は、物質の20%だけが落下する0.7mmのサイズの粒子と物質の90%が落下する3mmのサイズの粒子との間に大きな勾配を有する。この大きな勾配は、高い選択力を示す。
本発明は、また、ガスの取入口が温度ガス源によって供給される本発明による装置を含む乾燥設備に関するものである。
本発明は、閉循路型の、特にセメント工業用の連続粉砕設備40であり、
−粉砕する製品の取入口および粉砕された製品の排出口を有する、特にローラまたはボール付き粉砕機15、
−本発明にかなった上昇流が内部を通過する粒度選択および乾燥装置30によって構成され、粉砕機15の取入口に接続された下部の濾過物排出口9および上部の舞い上がる物質の排出口を備え、その間にまた物質の供給口4を備える、選択−乾燥器22、
−少なくとも、選択−乾燥器22から舞い上がる物質の前記排出口に接続された少なくとも一つの物質の取入口、選択された物質用の排出口および粉砕機15の取入口に接続された濾過物排出口23を備える力学的選択器16、
−力学的選択器16の物質の排出口に接続された、選択された物質に満ちたガスを濾過することが可能なフィルタ21を含み、
−前記粉砕機15の排出口が、力学的選択器16の前記少なくとも一つの物質の取入口(19−1)および/または選択−乾燥器22の供給口4(19−2)に接続され、
−少なくとも一つの物質の供給装置17、18が、粉砕機15の取入口および/または選択−乾燥器22の供給口から供給する、
連続粉砕設備に関するものである。
図6は、粒度選択および乾燥装置30を搭載した粉砕設備を示している。この設備において供給装置17、18は、少なくとも一つは湿っている物質を処理する。
物質を処理する設備は、粉砕機15、力学的選択器16、粉砕された最終製品を回収するフィルタ21、および、パケットチェーンまたは他のコンベアのような物質の運搬手段、ならびに、ガスの換気手段を含む。この設備は、記載していない源から来る高温ガス20を受ける。
物質の供給装置17は、粉砕機15に供給し、粉砕機から排出された製品19は選択器16に供給される。微細な分画物はフィルター21で回収される最終製品であり、粗い分画物は粉砕機に送り返される。高温ガス20は、粉砕機15、選択−乾燥器22および力学的選択器16に供給される。
記載した設備では、粒度選択および乾燥装置30は、力学的選択器16に供給されるガスの経路に位置付けられ、該力学的選択器にそのガス導管1によって接続されている。装置は、取入口6から高温ガスを受け、材料の供給装置18によって供給され、それにより、この物質が直接粉砕機15に供給された場合よりも効率的な物質の乾燥が実現される。
最も微細な分画物は、ガスの経路にある力学的選択器16へ続くのに対し、粗い分画物は、選択器の濾過物排出口23と同時に排出口9から粉砕機15へ戻る。また、濾過は、選択−乾燥器22の装置30のガス導管1の内部に配置された、力学的選択器16の濾過物導管23’によって実施することもでき、前記濾過物導管23’は、前記選択−乾燥器22の排出口9の下方または近傍で開口している。
選択−乾燥器22は、粒子のサイズが約1mm未満の物質を選択することができ、力学的選択器16は粒子のサイズが100ミクロン未満、さらには、約10ミクロン未満の物質を選択することを可能にする。
装置22によって操作される粒度選択は、力学的選択器16が、従来の「フラッシュ」型システムの懸濁乾燥段階に由来する粗い分画物によって過剰に装填されることと、供給装置18によって補給された新規な物質がかなりの量を含む場合に、粉砕機15が、微細な分画物によって過剰に装填されることとを同時に回避する。粉砕機15の乾燥能力が弱い場合、粉砕機から排出された物質19を二つのライン19−1および19−2に分けることが可能であり、第二のラインは再び急速乾燥段階を受ける。
もちろん、以下の請求項によって規定された本発明の範囲を越えることなく、当業者に理解されるように、他の実施態様を考案することができる。
1 ガス導管
2 下部開口部
3 上部開口部
4 供給口
5 手段
6 取入口
7 プレナム
8 孔
9 排出口
10 羽根
12 素材
13 羽根の端部
15 粉砕機
16 力学的選択器
17 供給装置
18 供給装置
19 物質
20 高温ガス
21 フィルタ
22 選択−乾燥器
23 濾過物排出口
30 装置
40 連続粉砕設備
B.Reinhardt、Ph.Duhamel、R.Evrard、A.Cordonnier著「Le sechage flash、Seminaire de la Societe de l’industrie Minerale」Dijon(1999年10月9日)

Claims (11)

  1. 少なくとも90重量%で、サイズが60mm未満の粒子の無機物質の懸濁処理のための、粉末状物質の粒度の選択および/または乾燥装置であり、
    装置(30)は、主に、上昇流(Fa)が通過するほぼ鉛直なガス導管(1)から構成されており、該ガス導管は、その底部にガスの取入口を備え、下部開口部(2)と上部開口部(3)を具備し、該二つの開口部の間に、同様に物質を導入するための供給口(4)を備え、
    前記装置内で物質の、特に「微細な」と呼ばれる物質の一部が、前記上昇流(Fa)の揚力によって上部開口部(3)からガスと共に逃れることが可能であるのに対し、それよりも粗い物質の他の部分は、前記ガスによって運ばれず、下部開口部(2)から落下するものであり、
    装置(30)は、また、粒度の異なる分画物の分離、および、ガスによって直ちにそれらの導入点に運ばれなかった物質の懸濁化にとって好都合な乱流を生成する手段(5)を有し、
    前記手段(5)は、ガス導管の下部開口部(2)と供給口(4)の間に位置付けられ、その少なくとも一部は、全体的に水平な羽根(10)の形状をした、ガス上昇流(Fa)用の障害物によって構成され、
    該羽根は、前記ガス導管(1)の内壁に固定され、長さ方向がガス導管(1)の中心に向けられており、また、少なくとも二つの連続した高さに配置され、前記少なくとも二つの連続した高さの間に角度的に五点型に並べられ、場合によっては側面に被覆区域を備えることを特徴とする、装置。
  2. ガス導管(1)内の羽根(10)の形状と位置が、前記羽根を浸食から保護するために、動作中、前記羽根(10)上に物質を蓄積させるのに適していることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  3. ガス導管の中心に向けられた羽根の長さが、前記ガス導管の空洞の幅の2から30%の範囲を占め、羽根の幅の合計が、最小で前記ガス導管の周縁の長さの60%であることを特徴とする、請求項1または2に記載の装置。
  4. 羽根(10)の幅の合計が、前記ガス導管(1)の周縁の長さの120から200%に含まれることを特徴とする、請求項3に記載の装置。
  5. 前記乱流を生成する手段が、また、全体的に上昇流(Fa)の方向にほぼ垂直に向けられた、少なくとも一つの壁のガス流(Fp)によって構成され、該上昇流は、前記ガス導管(1)の壁の孔(8)からガス導管(1)の内部空間に侵入することを特徴とする、請求項1から4のいずれか一つに記載の装置。
  6. ガスの取入口は、ガス導管(1)の低部を囲む少なくとも一つのプレナム(7)によって構成されており、該プレナムは、下部開口部(2)および/または、場合によっては、ガス導管の壁の孔(8)からガスを供給することができることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一つの記載の装置。
  7. プレナム(7)が、少なくとも一つの放射方向のガスの取入口(6、6‐1)および/または少なくとも一つの接線方向のガスの取入口(6‐2、6‐3)を介して、ガスを供給されることを特徴とする、請求項6に記載の装置。
  8. プレナム(7)が、落下する物質のための少なくとも一つの排出口(9)を有するケースの形状を呈することを特徴とする、請求項7に記載の装置。
  9. ガスの取入口が、温度ガス源によって供給される、請求項1から8のいずれか一つの記載の装置を含む乾燥器の設備。
  10. 閉循路型の、特にセメント工業用の連続粉砕設備(40)であり、
    −粉砕する製品の取入口および粉砕された製品の排出口を有する、特にローラまたはボール付き粉砕機(15)、
    −請求項1から9のいずれか一つに記載の上昇流(Fa)が内部を通過する粒度選択および乾燥装置(30)によって構成され、前記粉砕機(15)の取入口に接続された下部の濾過物排出口(9)および上部の舞い上がる物質の排出口を備え、その間にまた物質の供給口(4)を備える、選択−乾燥器(22)、
    −少なくとも選択−乾燥器(22)から舞い上がる物質の前記排出口に接続された少なくとも一つの物質の取入口、選択された物質用の排出口、および、粉砕機(15)の取入口に接続された濾過物排出口(23,23’)を含む、力学的選択器(16)、
    −力学的選択器(16)の物質の排出口に接続された、選択された物質に満ちたガスを濾過することが可能なフィルタ(21)を含み、
    −粉砕機(15)の排出口が、力学的選択器(16)の前記少なくとも一つの物質の取入口(19‐1)および/または選択−乾燥器(22)の供給口(4)(19‐2)に接続され、
    −少なくとも一つの物質の供給装置(17、18)が、粉砕機(15)の取入口および/または選択−乾燥器(22)を供給口から供給する、
    連続粉砕設備。
  11. 力学的選択器(16)の濾過物導管(23’)は、前記選択−乾燥器(22)の濾過物排出口(9)の下または近傍に開口した選択−乾燥器(22)のガス導管(1)の内側にあることを特徴とする、請求項10に記載の設備。
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