JP2010503233A5 - - Google Patents
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Claims (22)
- (a)コロイドシリカ;
(b)ホスホニウム塩、スルホニウム塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも1種のオニウム化合物;
(c)(a)および(b)の水性キャリアー
を含んで成る、化学的機械的研磨(CMP)組成物、
該組成物は5以下のpHを有する。 - 該コロイドシリカが、組成物中に0.05〜35wt%の範囲の量で存在する、請求項1のCMP組成物。
- 少なくとも1種のオニウム塩が、組成物1グラム当たり、0.04〜200マイクロモルの範囲の量で、該組成物中に存在する、請求項1のCMP組成物。
- 該少なくとも1種のオニウム化合物が、以下の式:
を有するホスホニウム塩を含む、請求項1のCMP組成物。 - 該少なくとも1種のオニウム化合物が、以下の式:
を有するスルホニウム塩を含む、請求項1のCMP組成物。 - 該pHが2〜5の範囲にある、請求項1のCMP組成物。
- (a)0.1〜10wt%のコロイドシリカ;
(b)1グラム当たり0.4〜20マイクロモルの少なくとも1種のホスホニウム塩;
(c)(a)および(b)の水性キャリアー
を含んで成る、化学的機械的研磨(CMP)組成物、
該組成物は、5以下のpHを有する。 - 該コロイドシリカが、1〜6wt%の範囲の量で、該組成物中に存在する、請求項7のCMP組成物。
- 少なくとも1種のホスホニウム塩が、組成物1グラム当たり、1〜10マイクロモルの範囲の量で、該組成物中に存在する、請求項7のCMP組成物。
- 該pHが、2〜5の範囲である、請求項7のCMP組成物。
- 該基材の表面を、請求項1のCMP組成物で磨耗させることを含む、基材を研磨するための化学的機械的研磨(CMP)方法。
- 該少なくとも1種のオニウム化合物が、少なくとも1種のホスホニウム塩を含む、請求項12のCMP法。
- 該基材の表面を、請求項7のCMP組成物で磨耗させることを含む、基材を研磨するための化学的機械的研磨(CMP)方法。
- 半導体基材を研磨するための化学的機械的研磨(CMP)方法、
該方法は:
(a)半導体基材の表面と、研磨パッドおよび水性CMP組成物とを接触させること、 該CMP組成物は、5以下のpHを有し、そしてホスホニウム塩、スルホニウム塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されたコロイドシリカ、少なくとも1種のオニウム化合物、およびそれらの水性キャリアーを含む;そして
(b)少なくとも該半導体表面の一部分を磨耗させるのに充分な時間の間、該CMP組成物の一部分と、該パッドと該基材との間の該表面との接触を維持しながら、該研磨パッドと該基材との間で、相対的な動きを生じさせること、
の各ステップを含んで成る。 - 該コロイドシリカが0.05〜35wt%の範囲の量で、組成物中に存在する、請求項15のCMP法。
- 少なくとも1種のホスホニウム塩が、組成物1グラム当たり、0.04〜200マイクロモルの範囲の量で該組成物中に存在する、請求項15のCMP法。
- 該少なくとも1種のホスホニウム塩が、以下の式:
を有する、請求項15のCMP法。 - 該CMP組成物のpHが、2〜5の範囲である、請求項15のCMP法。
- 少なくとも該オニウム化合物上に、スルホニウム塩を含む、請求項15のCMP法。
- 該スルホニウム塩が、以下の式:
を有する、請求項20のCMP法。 - 該基材が、二酸化ケイ素を含む、請求項15のCMP法。
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