JP2010279702A - 粒子線照射装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】照射制御手段14は、複数の小領域のうち照射対象とする小領域を荷電粒子ビームが走査するように第一走査手段3を制御し、照射対象とする小領域を複数の小領域のうち別の小領域に変更するように第二走査手段4を制御し、かつ、第二走査手段4による標的領域における荷電粒子ビームの走査速度よりも、第一走査手段3による標的領域における荷電粒子ビームの走査速度の方が高速であるように制御する。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、スキャニング照射によって形成する線量分布のペナンブラの増大を抑えることのできるビームスポットの線量分布の変更手段を提供することを第二の目的とする。
また、本発明の粒子線照射装置は、荷電粒子ビームを加速する粒子線加速手段と、前記粒子線加速手段から出射された荷電粒子ビームを輸送する粒子線輸送手段と、前記粒子線輸送手段で輸送される荷電粒子ビームを走査する走査装置と、複数の小領域を含む標的領域に対して前記荷電粒子ビームを照射するように前記走査装置を制御する照射制御手段とを備える粒子線照射装置であって、前記照射制御手段は、前記複数の小領域のうち照射対象とする小領域を前記荷電粒子ビームが走査するように前記走査装置を制御する第一の制御信号と、前記照射対象とする小領域を前記複数の小領域のうち別の小領域に変更するように前記走査装置を制御する第二の制御信号とを前記走査装置に出力し、かつ、前記第二の制御信号による前記標的領域における前記荷電粒子ビームの走査速度よりも、前記第一の制御信号による前記標的領域における前記荷電粒子ビームの走査速度の方が高速であるものである。
また、走査装置を用いてスポットサイズを拡大することができるため、疑似拡大スポット(小領域)を構成する各スポットの線量分布の標準偏差σ1はスポットサイズ拡大前とほぼ同一に保たれたままである。このためこの標準偏差σ1と比例関係にある疑似拡大スポットの線量分布のペナンブラも大きくなることはなく、腫瘍周辺にある正常組織に照射する余分な線量を最小化することができる。
さらに、同じ大きさの標的領域をより少ないスポットの照射によって十分な線量分布の形成が可能になるため、照射管理の手間を低減することができる。
図1は、本発明の実施の形態1における粒子線照射装置を示す構成図である。図1において、1は入射された荷電粒子ビームを加速する粒子線加速手段、2は加速され出射された荷電粒子ビームが輸送される粒子線輸送手段である。3は荷電粒子ビーム走査電磁石12を有する第一走査手段であり、4は荷電粒子ビーム走査電磁石13を有する第二走査手段であり、走査電源11より荷電粒子ビーム走査電磁石12,13に電力が印加され走査される。第一走査手段3,第二走査手段4及び走査電源11で走査装置を構成する。走査装置は図1では、粒子線輸送手段2に対して荷電粒子ビーム経路の下流側に配置されている。5はビーム取り出し窓、6は荷電粒子ビームの線量モニタとビーム位置モニタ、7は照射対象である標的領域を表す。14は照射制御手段で粒子線照射装置の全体を制御し、加速器1からのビームエネルギーを制御し、荷電粒子ビームの出射、停止を制御し、標的領域への照射を制御する。15はオペレータが操作でき照射制御手段14に指令を入力するインターフェースで、ディスプレイとキーボードなどで構成される。また、10は加速器1によって所定ビームエネルギーに加速されて、粒子線輸送手段2によって走査装置まで輸送される荷電粒子ビームを表す。26は第一走査手段によって照射領域が拡大された疑似拡大スポットを表す。なお、ビーム取り出し窓5は第二走査手段4又は第一走査手段3より上流側に配置してもよい。線量モニタとビーム位置モニタ6は第二走査手段4より上流側に配置してもよい。
また、第一走査手段3と第二走査手段4は、粒子線輸送手段2に対して荷電粒子ビーム経路の下流側に配置し、第一走査手段3は第二走査手段4の上流側に設置されているが、第一走査手段3と第二走査手段4の設置順番を入れ替えても、上述した基本的な効果は同じである。さらに、第一走査手段3と第二走査手段4の設置位置を入れ子配置または、同じ位置に配置した場合でも、前述と同じ効果が得られる。要するに、第一走査手段3は第二走査手段4と比較して、その走査繰り返し周波数f1が第二走査手段の走査繰り返し周波数f2より高く、且つその走査幅A1は第二走査手段の走査幅A2より小さいことである。そうすれば、安定した拡大スポットを第一走査手段3により得ることができる。
図2は実施の形態2における粒子線照射装置(または粒子線治療装置)の基本構成と動作を説明する図である。図2において、図1と同じ符号は同一又は相当部分を示す。2は粒子線輸送手段であり、第一輸送手段2aと第二輸送手段2bとを有する。3は第一走査手段を示す。図1と異なる点は、第一走査手段3を粒子線加速手段1より下流側に設置し、粒子線輸送手段2の粒子線経路中に配置したことである。ここでいう粒子線輸送手段2は普通HEBT (High Energy Beam Transport System)と称されていて、複数の偏向、収束用電磁石から構成される。一般的に、第一走査手段3を標的領域7から離して、なるべくHEBT系の上流に配置した方が、小さい偏向角(キック角)でも、標的領域7において大きい偏向距離(走査幅)を得ることが可能になる。
図14は加速器から得られる拡大前スポットの線量分布とその形状を示す図である。図15は実施の形態3における疑似拡大スポットの線量分布とその形状を示す図である。図14,図15において、34は加速器1から得られた拡大前スポットの線量分布を示し、34aはその形状を示す。35は擬似拡大スポットの線量分布を示し、35aは擬似拡大スポットの形状を示す。粒子線照射装置では、粒子線源としてシンクロトロン加速器を用いることがある。シンクロトン加速器より取り出される荷電粒子ビームは一般的にX−Y平面において、その形状が非対称である。例えば、図14(b)に示したようなY方向に伸びた非対称の断面形状を有している。このような非対称のビームを回転ガントリー照射装置(図示せず)などに導入した場合、被照射体において、図14(b)に示す形状が回転ガントリーの回転角度によって回転する現象が生じる。
実施の形態4における粒子線照射装置を説明する。実施の形態4では、第一走査手段によって形成できる複数種類の擬似拡大スポット分布に対応して、複数種類の走査モードを用意する。また、照射制御手段(スキャニング照射制御手段)には、オペレータが操作可能なインタフェースを用意し、オペレータがこのインタフェースを用いて、実際に照射で使用する走査パターンや走査モードを選択できるようにする。そうすることによって、照射される標的領域の状況に合わせて、予め治療計画で決まった擬似拡大スポット分布を用いたスキャニング照射を実施することが可能である。
図16は実施の形態5における粒子線照射装置を示す構成図である。図1の照射制御手段14と走査電源11は図16に示すように分離して構成してもよい。照射制御手段14には、荷電粒子ビームを走査して疑似拡大スポットを形成する拡大スポット形成信号を出力する第1照射制御手段14aと、疑似拡大スポットの位置を標的領域に合わせて走査する拡大スポット走査信号を出力する第2照射制御手段14bを備える。走査電源11には、第1照射制御手段14aからの出力を受け第一走査手段3を走査する第1走査電源11aを設ける。さらに、走査電源11には、第2照射制御手段14bからの出力を受け第二走査手段4を走査する第2走査電源11bを設ける。このように、第一走査手段3用と第二走査手段4用に、照射制御手段14と走査電源11を分離しておくと、制御が容易になり、走査電源の電力と周波数の制御が容易である。
本発明で示した疑似拡大スポットを形成する第一走査手段の役割と、疑似拡大スポットを走査する第二走査手段の役割を、1組のX方向,Y方向走査電磁石17である走査装置16(図17参照)で実現してもよい。走査装置16は、荷電粒子ビームのビーム進行方向と直交する方向において2次元走査できるものである。図17は実施の形態6における粒子線照射装置を示し構成図である。照射制御手段14には、荷電粒子ビームを走査して疑似拡大スポットを形成する拡大スポット形成信号を出力する第1照射制御手段14aと、疑似拡大スポットの位置を標的領域に合わせて走査する拡大スポット走査信号を出力する第2照射制御手段14bを備える。走査電源11には、第1照射制御手段14aからの出力を受ける第1走査電源11aと、第2照射制御手段14bからの出力を受ける第2走査電源11bを設ける。第1走査電源11aからの拡大スポット形成信号と第2走査電源11bからの拡大スポット走査信号は加算器18で重ね合わせて1つの走査装置16に出力する。換言すれば、拡大スポット走査信号上に拡大スポット形成信号を重畳させた信号を1つの走査装置16に出力する。このように、走査電源11を分離しておくと、走査電源の電力と周波数の制御が容易である。
また、照射制御手段は、荷電粒子ビームを走査して疑似拡大スポットを形成する拡大スポット形成信号を出力しつつ、前記疑似拡大スポットの位置を標的領域に合わせて走査する拡大スポット走査信号を出力するようにしてもよい。
Claims (16)
- 荷電粒子ビームを加速する粒子線加速手段と、
前記粒子線加速手段から出射された荷電粒子ビームを輸送する粒子線輸送手段と、
前記粒子線輸送手段で輸送される前記荷電粒子ビームを走査し、第一走査手段と第二走査手段とを有する走査装置と、
複数の小領域を含む標的領域に対して前記荷電粒子ビームを照射するように前記走査装置を制御する照射制御手段とを備える粒子線照射装置であって、
前記照射制御手段は、前記複数の小領域のうち照射対象とする小領域を前記荷電粒子ビームが走査するように前記第一走査手段を制御し、
前記照射対象とする小領域を前記複数の小領域のうち別の小領域に変更するように前記第二走査手段を制御し、
かつ、前記第二走査手段による前記標的領域における前記荷電粒子ビームの走査速度よりも、前記第一走査手段による前記標的領域における前記荷電粒子ビームの走査速度の方が高速であるように制御することを特徴とする
粒子線照射装置。 - 前記照射制御手段は、前記第一走査手段による最大走査幅を前記第二走査手段による最大走査幅よりも小さく制御することを特徴とする請求項1記載の粒子線照射装置。
- 前記照射制御手段は、
前記照射対象とする小領域を前記荷電粒子ビームが走査するように前記第一走査手段を制御した後、
前記照射対象とする小領域を前記複数の小領域のうち別の小領域に変更するように前記第二走査手段を制御することを特徴とする請求項1又は請求項2記載の粒子線照射装置。 - 前記照射制御手段は、
前記照射対象とする小領域を前記荷電粒子ビームが走査するように前記第一走査手段を制御しつつ、
前記照射対象とする小領域を前記複数の小領域のうち別の小領域に変更するように前記第二走査手段を制御することを特徴とする請求項1又は請求項2記載の粒子線照射装置。 - 少なくとも前記第二走査手段は、荷電粒子ビームのビーム進行方向と直交する方向において2次元走査できるものである請求項1記載の粒子線照射装置。
- 前記第一走査手段は、前記第二走査手段に対して荷電粒子ビーム経路の上流側に配置されたことを特徴とする請求項1記載の粒子線照射装置。
- 前記第一走査手段と前記第二走査手段は、前記粒子線輸送手段に対して荷電粒子ビーム経路の下流側に配置されたことを特徴とする請求項6記載の粒子線照射装置。
- 前記第一走査手段は前記粒子線輸送手段の荷電粒子ビーム経路中に配置されたことを特徴とする請求項1記載の粒子線照射装置。
- 前記第一走査手段は前記粒子線輸送手段が有する電磁石で構成されたことを特徴とする請求項1記載の粒子線照射装置。
- 前記第一走査手段を荷電粒子ビーム経路中に複数個配置し、前記複数個の前記第一走査手段の何れかを選定して稼動させるようにした請求項1記載の粒子線照射装置。
- 前記照射制御手段には、オペレータが操作でき前記照射制御手段に指令を入力するインターフェースを備え、
前記インターフェースは、前記複数の小領域を前記第一走査手段によって走査する複数の走査パターン又は走査モードを選択し、前記照射制御手段に入力できることを特徴とする請求項1記載の粒子線照射装置。 - 前記インターフェースは、前記複数の小領域の形および大きさを指定できることを特徴とする請求項11記載の粒子線照射装置。
- 荷電粒子ビームを加速する粒子線加速手段と、
前記粒子線加速手段から出射された荷電粒子ビームを輸送する粒子線輸送手段と、
前記粒子線輸送手段で輸送される荷電粒子ビームを走査する走査装置と、
複数の小領域を含む標的領域に対して前記荷電粒子ビームを照射するように前記走査装置を制御する照射制御手段とを備える粒子線照射装置であって、
前記照射制御手段は、前記複数の小領域のうち照射対象とする小領域を前記荷電粒子ビームが走査するように前記走査装置を制御する第一の制御信号と、
前記照射対象とする小領域を前記複数の小領域のうち別の小領域に変更するように前記走査装置を制御する第二の制御信号とを前記走査装置に出力し、
かつ、前記第二の制御信号による前記標的領域における前記荷電粒子ビームの走査速度よりも、前記第一の制御信号による前記標的領域における前記荷電粒子ビームの走査速度の方が高速であることを特徴とする
粒子線照射装置。 - 前記照射制御手段は、前記第一の制御信号を出力した後、前記第二の制御信号を出力することを特徴とする請求項13記載の粒子線照射装置。
- 前記照射制御手段は、前記第一の制御信号を出力しつつ、前記第二の制御信号を出力することを特徴とする請求項13記載の粒子線照射装置。
- 前記走査装置は、荷電粒子ビームのビーム進行方向と直交する方向において2次元走査できるものである請求項13記載の粒子線照射装置。
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