JP2010278395A - 直接変調型半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【課題】緩和振動周波数を向上させて、良好なアイ開口を得ることができる直接変調型半導体レーザを提供する。
【解決手段】第1の信号光117を出力する第1の半導体レーザ128と、第1の半導体レーザ128のInGaAsP活性層122に吸収される波長を含む第2の信号光113を出力する第2の半導体レーザ127とを独立して有し、第2の信号光113がInGaAsP活性層122に入射するように、第1の半導体レーザ128と第2の半導体レーザ127とを直列に配置し、同一の信号電流111をp型電極108及びp型電極125に入力した。
【選択図】図1
【解決手段】第1の信号光117を出力する第1の半導体レーザ128と、第1の半導体レーザ128のInGaAsP活性層122に吸収される波長を含む第2の信号光113を出力する第2の半導体レーザ127とを独立して有し、第2の信号光113がInGaAsP活性層122に入射するように、第1の半導体レーザ128と第2の半導体レーザ127とを直列に配置し、同一の信号電流111をp型電極108及びp型電極125に入力した。
【選択図】図1
Description
本発明は、光送信機を構成する直接変調型半導体レーザに関する。
高速・広帯域でかつ小型の光伝送システムを実現するため、直接変調を行う半導体レーザ(直接変調型半導体レーザ)を複数個並列に並べ、波長多重方式で伝送する方式の開発が進んでいる。この例として、現在規格策定が進む25Gb/s×4波長のLANWDM(Local Area Network Wavelength Division Multiplexing)伝送技術が、従来技術として知られている。
図6は、従来の直接変調型半導体レーザを示す概略構成図である。
図6を参照して、従来の直接変調型半導体レーザを説明すると、n型InP基板1000上のn型のInPクラッド1001上に、回折格子1002を形成し、順次、InGaAsPガイド層1003、InGaAsP活性層1004、p型のInPクラッド1005、キャップ層1006を設け、更に、n型InP基板1000の裏面側にn側電極1007を、キャップ層1006上にp側電極1008を設けている。
図6を参照して、従来の直接変調型半導体レーザを説明すると、n型InP基板1000上のn型のInPクラッド1001上に、回折格子1002を形成し、順次、InGaAsPガイド層1003、InGaAsP活性層1004、p型のInPクラッド1005、キャップ層1006を設け、更に、n型InP基板1000の裏面側にn側電極1007を、キャップ層1006上にp側電極1008を設けている。
n側電極1007をアース1012に接続し、p側電極1008をバイアスT1009に接続し、バイアスT1009を通して、CW(Continuous Wave)電流1010、信号電流1011を注入することで、レーザ発振光1013が信号電流1011によって変調されて、光の送信信号となる。ここで、例えば、CW電流1010は75mA、信号電流1011の振幅は50mA、レーザ発振光1013の平均光出力強度は5dBm、その発振波長は1310nm、伝送速度は25Gb/s、光送信信号の消光比は4dBである。そして、信号電流1011として、ビットパターン[10110]の電気信号を印加すると、レーザ発振光1013として、ビットパターン[10110]の信号光が送信されることになる。
しかしながら、上記の直接変調型半導体レーザは、帯域の不足により、きれいなアイ開口が得られない問題があった。図7に、直接変調型半導体レーザの変調波形(25Gb/s)を示す。図7では、アイパターンの立ち上がりが遅くなっていることがわかる。立ち上がりが遅い理由としては、主に緩和振動周波数が不十分なことによる。一般に緩和振動周波数は、キャリア密度(即ち、CW電流)があがるにつれて、図8に示すように、帯域が伸びていくが、一定電流以上のCW電流(例えば、100mA)を越えると、今度は熱の影響で微分利得が下がり、緩和振動周波数が逆に低下してしまう。そのため、CW電流を100mAに押さえざるを得ず、キャリアが不足していることになる。
以上説明したように、従来の直接変調型半導体レーザでは、信号の立ち上がり時にはキャリアが不足し、十分なアイ開口が得られない問題があった。
本発明は上記課題に鑑みなされたもので、緩和振動周波数を向上させて、良好なアイ開口を得ることができる直接変調型半導体レーザを提供することを目的とする。
上記課題を解決する第1の発明に係る直接変調型半導体レーザは、
半導体レーザを直接変調する直接変調型半導体レーザにおいて、
第1の電気信号に応じた第1の信号光を出力する第1の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザの活性層に吸収される波長を含み、第2の電気信号に応じた第2の信号光を出力する第2の半導体レーザとを有し、
前記第2の信号光が前記第1の半導体レーザの活性層に入射するように、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを同一基板上に直列に配置し、
前記第1の半導体レーザ及び前記第2の半導体レーザに共通の電極を設け、
前記第1の電気信号及び前記第2の電気信号として、同一の電気信号を前記電極に入力したことを特徴とする。
半導体レーザを直接変調する直接変調型半導体レーザにおいて、
第1の電気信号に応じた第1の信号光を出力する第1の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザの活性層に吸収される波長を含み、第2の電気信号に応じた第2の信号光を出力する第2の半導体レーザとを有し、
前記第2の信号光が前記第1の半導体レーザの活性層に入射するように、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを同一基板上に直列に配置し、
前記第1の半導体レーザ及び前記第2の半導体レーザに共通の電極を設け、
前記第1の電気信号及び前記第2の電気信号として、同一の電気信号を前記電極に入力したことを特徴とする。
上記課題を解決する第2の発明に係る直接変調型半導体レーザは、
半導体レーザを直接変調する直接変調型半導体レーザにおいて、
第1の電気信号に応じた第1の信号光を出力する第1の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザの活性層に吸収される波長を含み、第2の電気信号に応じた第2の信号光を出力する第2の半導体レーザとを独立して有し、
前記第2の信号光が前記第1の半導体レーザの活性層に入射するように、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを直列に配置し、
前記第1の半導体レーザに前記第1の電気信号を入力する第1の電極と、前記第2の半導体レーザに前記第2の電気信号を入力する第2の電極とを独立して設け、
前記第1の電気信号及び前記第2の電気信号として、同一の電気信号を前記第1の電極及び前記第2の電極に入力したことを特徴とする。
半導体レーザを直接変調する直接変調型半導体レーザにおいて、
第1の電気信号に応じた第1の信号光を出力する第1の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザの活性層に吸収される波長を含み、第2の電気信号に応じた第2の信号光を出力する第2の半導体レーザとを独立して有し、
前記第2の信号光が前記第1の半導体レーザの活性層に入射するように、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを直列に配置し、
前記第1の半導体レーザに前記第1の電気信号を入力する第1の電極と、前記第2の半導体レーザに前記第2の電気信号を入力する第2の電極とを独立して設け、
前記第1の電気信号及び前記第2の電気信号として、同一の電気信号を前記第1の電極及び前記第2の電極に入力したことを特徴とする。
上記課題を解決する第3の発明に係る直接変調型半導体レーザは、
半導体レーザを直接変調する直接変調型半導体レーザにおいて、
第1の電気信号に応じた第1の信号光を出力する第1の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザの活性層に吸収される波長を含み、第2の電気信号に応じた第2の信号光を出力する第2の半導体レーザとを有し、
前記第2の信号光が前記第1の半導体レーザの活性層に入射するように、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを、電気的に分離して、同一基板上に直列に配置し、
前記第1の半導体レーザに前記第1の電気信号を入力する第1の電極と、前記第2の半導体レーザに前記第2の電気信号を入力する第2の電極とを独立して設け、
前記第1の電気信号及び前記第2の電気信号として、同一の電気信号を前記第1の電極及び前記第2の電極に入力したことを特徴とする。
半導体レーザを直接変調する直接変調型半導体レーザにおいて、
第1の電気信号に応じた第1の信号光を出力する第1の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザの活性層に吸収される波長を含み、第2の電気信号に応じた第2の信号光を出力する第2の半導体レーザとを有し、
前記第2の信号光が前記第1の半導体レーザの活性層に入射するように、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを、電気的に分離して、同一基板上に直列に配置し、
前記第1の半導体レーザに前記第1の電気信号を入力する第1の電極と、前記第2の半導体レーザに前記第2の電気信号を入力する第2の電極とを独立して設け、
前記第1の電気信号及び前記第2の電気信号として、同一の電気信号を前記第1の電極及び前記第2の電極に入力したことを特徴とする。
上記課題を解決する第4の発明に係る直接変調型半導体レーザは、
上記第2又は第3の発明に記載の直接変調型半導体レーザにおいて、
前記第2の信号光を増幅する増幅領域を、独立して、又は、電気的に分離して設け、
前記増幅領域を間に挟んで、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを直列に配置したことを特徴とする。
上記第2又は第3の発明に記載の直接変調型半導体レーザにおいて、
前記第2の信号光を増幅する増幅領域を、独立して、又は、電気的に分離して設け、
前記増幅領域を間に挟んで、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを直列に配置したことを特徴とする。
上記課題を解決する第5の発明に係る直接変調型半導体レーザは、
上記第2〜第4のいずれか1つの発明に記載の直接変調型半導体レーザにおいて、
前記第1の電極及び前記第2の電極へ同一の電気信号を入力する際に、前記第1の電極への電気信号を遅延させる遅延線を設けたことを特徴とする。
上記第2〜第4のいずれか1つの発明に記載の直接変調型半導体レーザにおいて、
前記第1の電極及び前記第2の電極へ同一の電気信号を入力する際に、前記第1の電極への電気信号を遅延させる遅延線を設けたことを特徴とする。
第1〜第3の発明によれば、第1の半導体レーザ及び第2の半導体レーザに同一の電気信号を入力すると共に、第2の信号光が第1の半導体レーザの活性層に入射するように配置したので、第1の信号光を出力する第1の半導体レーザの活性層に、第1の信号光と同期する第2の信号光を入射することになり、第1の信号光の立ち上がり時におけるキャリア不足が、第2の信号光の吸収により補うことができ、緩和振動周波数を向上させて、良好なアイ開口を得ることができる。その結果、直接変調型半導体レーザの動作速度を向上させることができる。
第4の発明によれば、第1の半導体レーザと第2の半導体レーザとの間に増幅領域を設けたので、第1の半導体レーザ、第2の半導体レーザ間の相互作用を調整して、よりよい動作条件を得ることができる。
第5の発明によれば、遅延線を設けることにより、第2の半導体レーザから第2の信号光が出力した後、遅れて、第1の半導体レーザから第1の信号光が出力するので、緩和振動周波数をよりあげることができ、より良好なアイ開口を得ることができる。
以下、図1〜図5を用いて、本発明に係る直接変調型半導体レーザの実施形態を説明する。
(実施例1)
図1は、本実施例の直接変調型半導体レーザを示す概略構成図である。
図1に示すように、本実施例の直接変調型半導体レーザは、第1の半導体レーザ128と第2の半導体レーザ127とを独立して有し、これらを直列に配置したものである。
図1は、本実施例の直接変調型半導体レーザを示す概略構成図である。
図1に示すように、本実施例の直接変調型半導体レーザは、第1の半導体レーザ128と第2の半導体レーザ127とを独立して有し、これらを直列に配置したものである。
第2の半導体レーザ127では、InP基板10上に形成したn−InPクラッド層101上に、回折格子102を形成し、順次、InGaAsPガイド層103、InGaAsP活性層104、p−InPクラッド層105、キャップ層106を設け、更に、InP基板10の裏面側にn側電極107を、キャップ層106上にp側電極108(第2の電極)を設けている。第2の半導体レーザ127は、後述する第1の半導体レーザ128のInGaAsP活性層122が吸収する波長を含む波長を出力するように構成されており、この波長に対応して、回折格子102が形成されている。
又、第2の半導体レーザ127の出射側端面(第1の半導体レーザ128側の端面)には、第2の信号光113を透過して、第1の信号光116を反射する反射防止膜132が設けられており、その反対側の端面には、第2の信号光113を反射する高反射膜131が設けられている。
そして、n側電極107をアース112に接地し、p側電極108をバイアスT109に接続し、バイアスT109を通して、CW電流110、信号電流111(第2の電気信号)を注入することで、信号電流111に応じた第2の信号光113が第2の半導体レーザ127から出力される。
なお、バイアスT109は、コンデンサとコイルをT字状に接続した3ポートの回路であり、入力電気信号にDCバイアスを印加して出力するものである。これは、後述する他のバイアスTも同様である。
一方、第1の半導体レーザ128では、InP基板11上に形成したn−InPクラッド層119上に、回折格子120を形成し、順次、InGaAsPガイド層121、InGaAsP活性層122、p−InPクラッド層123、キャップ層124を設け、更に、InP基板11の裏面側にn側電極129を、キャップ層124上にp側電極125(第1の電極)を設けている。第1の半導体レーザ128は、光送信機として使用する波長を出力するように構成されており、この波長に対応して、回折格子120が形成されている。
又、第1の半導体レーザ128の一方の端面(第2の半導体レーザ127側の端面)には、第2の信号光113を透過して、第1の信号光116を反射する反射防止膜133が設けられており、その反対側の端面(第1の半導体レーザ128の出射側端面)には、第1の信号光117を透過して、第2の信号光113を反射する反射防止膜134が設けられている。なお、第1の半導体レーザ128の出射側端面の前面に、第1の信号光117を透過して、第2の信号光113を反射するフィルタ126を更に設けてもよく、フィルタ126により、第1の半導体レーザ128を抜けてきた第2の信号光113をカットすることができる。
そして、n側電極129をアース118に接地し、p側電極125をバイアスT114に接続し、バイアスT114を通して、CW電流115、信号電流111(第1の電気信号)を注入することで、信号電流111に応じた第1の信号光117が第1の半導体レーザ128から出力される。
本実施例の直接変調型半導体レーザにおいて、メインとなるのは第1の半導体レーザ128であり、信号電流111に従って、光送信信号となる第1の信号光117を得ることになる。この第1の半導体レーザ128のみでは、前述したように、第1の信号光117の立ち上がり時にキャリアが不足する問題がある。
そこで、本実施例の直接変調型半導体レーザでは、p側電極125及びp側電極108を介して、第1の半導体レーザ128及び第2の半導体レーザ127に同一の信号電流111(=第1の電気信号=第2の電気信号)を入力すると共に、第2の信号光113が第1の半導体レーザ128のInGaAsP活性層122に入射するように、第1の半導体レーザ128と第2の半導体レーザ127とを直列に配置したので、第2の半導体レーザ127から第1の半導体レーザ128へ、第1の信号光117に同期した第2の信号光113を入射することになる。
従って、第1の半導体レーザ128のInGaAsP活性層122が第2の信号光113を吸収し、キャリアへと変換するので、キャリアが補充され、キャリアの不足が解消されることになる。これにより、第1の信号光117の立ち上がり時におけるキャリア不足が解消され、緩和振動周波数をあげることができ、図2に示すように、良好なアイ開口を得ることができる。なお、図2は、本実施例の直接変調型半導体レーザの25Gb/sにおける変調波形(アイパターン)である。その結果、直接変調型半導体レーザの動作速度を向上させることができる。
なお、本実施例の直接変調型半導体レーザにおいて、後述の実施例3(図4等参照)に示すような遅延線を設け、第2の半導体レーザ127から第2の信号光113が出力した後、遅れて、第1の半導体レーザ128から第1の信号光117が出力するようにしてもよい。その場合、第1の信号光117が立ち上がるときには、既に第2の信号光113が出射されており、先に出射された第2の信号光113を第1の半導体レーザ128InGaAsP活性層122が吸収して、キャリアへと変換するので、十分なキャリアが存在することになる。これにより、緩和振動周波数をよりあげることができ、より良好なアイ開口を得ることができる。
更に、第1の半導体レーザ128と第2の半導体レーザ127との間に、後述の実施例4(図5等参照)に示すような増幅領域を設けてもよく、その場合、増幅領域に入力するCW電流を調節することにより、第1の半導体レーザ128、第2の半導体レーザ127間の相互作用を調整して、よりよい動作条件を得ることができる。
(実施例2)
図3は、本実施例の直接変調型半導体レーザを示す概略構成図である。
図3に示すように、本実施例の直接変調型半導体レーザは、第1の半導体レーザ215と第2の半導体レーザ214とを、同一基板上に直列に配置したものである。
図3は、本実施例の直接変調型半導体レーザを示す概略構成図である。
図3に示すように、本実施例の直接変調型半導体レーザは、第1の半導体レーザ215と第2の半導体レーザ214とを、同一基板上に直列に配置したものである。
第1の半導体レーザ215及び第2の半導体レーザ214では、同一のInP基板20上に形成したn−InPクラッド層201上に、回折格子202a、202bを各々形成し、その後、順次、InGaAsPガイド層203、InGaAsP活性層204、p−InPクラッド層205、キャップ層206を設けている。
本実施例において、第1の半導体レーザ215及び第2の半導体レーザ214は、回折格子202a、202bにより、各々の領域を分ける形になっているが、電気的に分離されずに、一体的に形成されている。従って、InP基板20の裏面側にn側電極207を設け、キャップ層206上にp側電極208を設け、第1の半導体レーザ215、第2の半導体レーザ214共通の電極としている。
又、第2の半導体レーザ214は、第1の半導体レーザ215におけるInGaAsP活性層204が吸収する波長を含む波長となるように構成されており、この波長に対応して、回折格子202aが形成されている。一方、第1の半導体レーザ215は、光送信機として使用する波長となるように構成されており、この波長に対応して、回折格子202bが形成されている。
又、第1の半導体レーザ215の出射側端面には、第1の半導体レーザ215からの第1の信号光213を透過して、第2の半導体レーザ214からの第2の信号光(図示せず)を反射する反射防止膜222が設けられており、その反対側の端面には、第2の信号光を反射する高反射膜221が設けられている。なお、第1の半導体レーザ215の出射側端面の前面に、第1の信号光213を透過して、第2の信号光を反射するフィルタ216を更に設けてもよく、フィルタ216により、第1の半導体レーザ215を抜けてきた第2の信号光をカットすることができる。
そして、n側電極207をアース212に接地し、p側電極208をバイアスT209に接続し、バイアスT209を通して、CW電流210、信号電流211(=第1の電気信号=第2の電気信号)を注入することで、信号電流211に応じた第2の信号光(図示省略)が第2の半導体レーザ214から出力され、同じく信号電流211に応じた第1の信号光213が第1の半導体レーザ215から出力される。
本実施例の直接変調型半導体レーザにおいても、メインとなるのは第1の半導体レーザ215であり、信号電流211に従って、光送信信号となる第1の信号光213を得ることになる。
そして、本実施例の直接変調型半導体レーザでは、共通のp側電極208を介して、第1の半導体レーザ215及び第2の半導体レーザ214に同一の信号電流211を入力すると共に、第2の信号光が第1の半導体レーザ215におけるInGaAsP活性層204に入射するように、第1の半導体レーザ215と第2の半導体レーザ214とを直列に配置したので、第2の半導体レーザ214から第1の半導体レーザ215へ、第1の信号光213に同期した第2の信号光を入射することになる。
従って、第1の半導体レーザ215におけるInGaAsP活性層204が第2の信号光を吸収し、キャリアへと変換するので、キャリアが補充され、キャリアの不足が解消されることになる。これにより、第1の信号光213の立ち上がり時におけるキャリア不足が解消され、緩和振動周波数をあげることができ、実施例1と同様に、良好なアイ開口を得ることができる。その結果、直接変調型半導体レーザの動作速度を向上させることができる。
(実施例3)
図4は、本実施例の直接変調型半導体レーザを示す概略構成図である。
図4に示すように、本実施例の直接変調型半導体レーザは、第1の半導体レーザ318と第2の半導体レーザ317とを、同一基板上に直列に配置したものである。
図4は、本実施例の直接変調型半導体レーザを示す概略構成図である。
図4に示すように、本実施例の直接変調型半導体レーザは、第1の半導体レーザ318と第2の半導体レーザ317とを、同一基板上に直列に配置したものである。
第1の半導体レーザ318及び第2の半導体レーザ317では、同一のInP基板30上に形成したn−InPクラッド層301上に、回折格子302a、302bを各々形成し、その後、順次、InGaAsPガイド層303、InGaAsP活性層304、p−InPクラッド層305(305a、305b)、キャップ層306(306a、306b)を設けている。
本実施例では、分離溝316を設けることにより、InGaAsP活性層304より上層が、p−InPクラッド層305a、305b、キャップ層306a、306bに分離されており、この分離溝316により、第1の半導体レーザ318と第2の半導体レーザ317を、電気的に分離して構成することになる。従って、InP基板30の裏面側には共通のn側電極307を設けているが、キャップ層306a、306b上には、p側電極308a(第2の電極)、308b(第1の電極)を各々独立して設けている。このp側電極308a、308bには、後述するバイアスT309、314を各々接続し、独立して、電気信号を注入することが可能である。
又、第2の半導体レーザ317は、第1の半導体レーザ318におけるInGaAsP活性層304が吸収する波長を含む波長となるように構成されており、この波長に対応して、回折格子302aが形成されている。一方、第1の半導体レーザ318は、光送信機として使用する波長となるように構成されており、この波長に対応して、回折格子302bが形成されている。
又、第1の半導体レーザ318の出射側端面には、第1の半導体レーザ318からの第1の信号光313を透過して、第2の半導体レーザ317からの第2の信号光(図示せず)を反射する反射防止膜322が設けられており、その反対側の端面には、第2の信号光を反射する高反射膜321が設けられている。なお、第1の半導体レーザ318の出射側端面の前面に、第1の信号光313を透過して、第2の信号光を反射するフィルタ326を更に設けてもよく、フィルタ326により、第1の半導体レーザ318を抜けてきた第2の信号光をカットすることができる。
そして、n側電極307をアース312に接地し、p側電極308aをバイアスT309に接続し、p側電極308bをバイアスT314に接続しており、バイアスT309を通して、CW電流310、信号電流311(=第1の電気信号=第2の電気信号)を注入することで、信号電流311に応じた第2の信号光が第2の半導体レーザ317から出力され、バイアスT314を通して、CW電流319、信号電流311を注入することで、信号電流311に応じた第1の信号光313が第1の半導体レーザ318から出力される。
又、本実施例では、p側電極308bへの信号電流311を遅延させる遅延線315をバイアスT314の前段側に設けている。従って、p側電極308a、308bへは同一の信号電流311が入力されるが、p側電極308bへの信号電流311は、p側電極308aへの信号電流311より遅延することになり、その結果、第1の信号光313は、第2の信号光に遅れて出射されることになる。なお、遅延線315による遅延は、1ビットの1/10〜1/5の時間幅である。
本実施例の直接変調型半導体レーザにおいても、メインとなるのは第1の半導体レーザ318であり、信号電流311に従って、光送信信号となる第1の信号光313を得ることになる。
そして、本実施例の直接変調型半導体レーザでは、p側電極308a、308bを介して、第1の半導体レーザ318及び第2の半導体レーザ317に同一の信号電流311を入力する際、遅延線315により、第1の半導体レーザ318への信号電流311を遅延させると共に、第2の信号光が第1の半導体レーザ318におけるInGaAsP活性層304に入射するように、第1の半導体レーザ318と第2の半導体レーザ317とを直列に配置したので、第2の半導体レーザ317から第1の半導体レーザ318へ、第1の信号光313と同じ周期の第2の信号光を、第1の信号光313の変化(on/off)に先だって、入射することになる。
従って、第1の信号光313が立ち上がるとき(onのとき)には、既に第2の信号光が出射されており、先に出射された第2の信号光を第1の半導体レーザ318におけるInGaAsP活性層304が吸収して、キャリアへと変換するので、十分なキャリアが存在することになる。これにより、緩和振動周波数をより向上させることができ、より良好なアイ開口を得ることができる。
又、CW電流310、319を別々に調整できるので、第1の半導体レーザ318と第2の半導体レーザ317の強度を別々に設定することができ、よりよい動作条件を得ることができる。
(実施例4)
図5は、本実施例の直接変調型半導体レーザを示す概略構成図である。
図5に示すように、本実施例の直接変調型半導体レーザは、第1の半導体レーザ419と第2の半導体レーザ421と増幅領域420とを有し、増幅領域420を間に挟んで、これらを同一基板上に直列に配置したものである。
図5は、本実施例の直接変調型半導体レーザを示す概略構成図である。
図5に示すように、本実施例の直接変調型半導体レーザは、第1の半導体レーザ419と第2の半導体レーザ421と増幅領域420とを有し、増幅領域420を間に挟んで、これらを同一基板上に直列に配置したものである。
第1の半導体レーザ419、第2の半導体レーザ421及び増幅領域420では、同一のInP基板40上に形成したn−InPクラッド層401上に、第2の半導体レーザ421における回折格子402a、第1の半導体レーザ419における回折格子402bを形成し(増幅領域420には回折格子を形成していない。)、その後、順次、InGaAsPガイド層403、InGaAsP活性層404、p−InPクラッド層405(405a、405b、405c)、キャップ層406(406a、406b、406c)を設けている。
本実施例では、分離溝416、417を設けることにより、InGaAsP活性層404より上層が、p−InPクラッド層405a、405b、405c、キャップ層406a、406b、406cに分離されており、この分離溝416、417により、第1の半導体レーザ419、第2の半導体レーザ421及び増幅領域420を、電気的に分離して構成することになる。従って、InP基板40の裏面側には共通のn側電極407を設けているが、キャップ層406a、406b、406c上には、p側電極408a(第2の電極)、408b(第1の電極)、408cを各々独立して設けている。このp側電極408a、408bには、後述するバイアスT409、414を各々接続し、p側電極408cには、増幅領域420にCW電流418を印加する配線を接続し、独立して、電気信号を注入することが可能である。
又、第2の半導体レーザ421は、第1の半導体レーザ419におけるInGaAsP活性層404が吸収する波長を含む波長となるように構成されており、この波長に対応して、回折格子402aが形成されている。一方、第1の半導体レーザ419は、光送信機として使用する波長となるように構成されており、この波長に対応して、回折格子402bが形成されている。
又、第1の半導体レーザ419の出射側端面には、第1の半導体レーザ419からの第1の信号光413を透過して、第2の半導体レーザ421からの第2の信号光(図示せず)を反射する反射防止膜432が設けられており、その反対側の端面には、第2の信号光を反射する高反射膜431が設けられている。なお、第1の半導体レーザ419の出射側端面の前面に、第1の信号光413を透過して、第2の信号光を反射するフィルタ422を更に設けてもよく、フィルタ422により、第1の半導体レーザ419を抜けてきた第2の信号光をカットすることができる。
そして、n側電極407をアース412に接地し、p側電極408aをバイアスT409に接続し、p側電極408bをバイアスT414に接続している。従って、第2の半導体レーザ421では、バイアスT409を通して、CW電流410、信号電流411(=第1の電気信号=第2の電気信号)を注入することで、信号電流411に応じた第2の信号光が出力される。又、増幅領域420では、CW電流418を注入することで、第2の半導体レーザ421から出射された第2の信号光の強度が調整される。又、第1の半導体レーザ419では、バイアスT414を通して、CW電流430、信号電流411を注入することで、信号電流411に応じた第1の信号光413が出力される。
又、本実施例では、p側電極408bへの信号電流411を遅延させる遅延線415をバイアスT414の前段側に設けている。従って、p側電極408a、408bへは同一の信号電流411が入力されるが、p側電極408bへの信号電流411は、p側電極408aへの信号電流411より遅延することになり、その結果、第1の信号光413は、第2の信号光に遅れて出射されることになる。なお、遅延線415による遅延は、1ビットの1/10〜1/5の時間幅である。
本実施例の直接変調型半導体レーザにおいても、メインとなるのは第1の半導体レーザ419であり、信号電流411に従って、光送信信号となる第1の信号光413を得ることになる。
そして、本実施例の直接変調型半導体レーザでは、p側電極408a、408bを介して、第1の半導体レーザ419及び第2の半導体レーザ421に同一の信号電流411を入力する際、遅延線415により、第1の半導体レーザ419への信号電流411を遅延させる共に、第2の信号光が第1の半導体レーザ419におけるInGaAsP活性層404に入射するように、第1の半導体レーザ419と第2の半導体レーザ421とを直列に配置したので、第2の半導体レーザ421から第1の半導体レーザ419へ、第1の信号光413と同じ周期の第2の信号光を、第1の信号光413の変化(on/off)に先だって、入射することになる。又、このとき、増幅領域420により、第2の信号光の強度が調整されて、入射することになる。
従って、第1の信号光413が立ち上がるとき(onのとき)には、既に第2の信号光が出射されており、先に出射された第2の信号光を第1の半導体レーザ419におけるInGaAsP活性層404が吸収して、キャリアへと変換するので、十分なキャリアが存在することになる。これにより、緩和振動周波数をよりあげることができ、より良好なアイ開口を得ることができる。
又、増幅領域420において、CW電流418を調節することにより、通過するレーザ光の強度を調整することができ、第1の半導体レーザ419、第2の半導体レーザ421間の相互作用を調整することが可能であり、よりよい動作条件を得ることができる。
なお、上記実施例1〜4において、半導体レーザの活性層として、InGaAsP組成のものを例示したが、InGaAsP組成以外でも、例えば、AlGaAs、InGaAlAs、InGaAl、InGaAlP、InGaN等、半導体レーザとして機能する組成のものもよい。
又、活性層の横方向を閉じこめるために、埋込層を用いるようにしてもよい。埋込層としては、ルテニウム(Ru)をドープしたInP、鉄(Fe)をドープしたInP、プロトン(H+)を注入したInP、またはn−InPとp−InPを上下に配したpn接合、ポリイミド埋込等を利用できる。
本発明は、光送信機を構成する直接変調型半導体レーザに好適なものである。
10、11、20、30、40 InP基板
101、119、201、301、401 n−InPクラッド
102、120、202a、202b、302a、302b、402a、402b 回折格子
103、121、203、303、403 InGaAsPガイド層
104、122、204、304、404 InGaAsP活性層
105、123、205、305a、305b、405a、405b、405c p−InPクラッド
106、124、206、306a、306b、406a、406b、406c キャップ層
107、130、207、307、407 n側電極
108、125、208、308a、308b、408a、408b、408c p側電極
109、114、209、309、314、409、414 バイアスT
315、415 遅延線
101、119、201、301、401 n−InPクラッド
102、120、202a、202b、302a、302b、402a、402b 回折格子
103、121、203、303、403 InGaAsPガイド層
104、122、204、304、404 InGaAsP活性層
105、123、205、305a、305b、405a、405b、405c p−InPクラッド
106、124、206、306a、306b、406a、406b、406c キャップ層
107、130、207、307、407 n側電極
108、125、208、308a、308b、408a、408b、408c p側電極
109、114、209、309、314、409、414 バイアスT
315、415 遅延線
Claims (5)
- 半導体レーザを直接変調する直接変調型半導体レーザにおいて、
第1の電気信号に応じた第1の信号光を出力する第1の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザの活性層に吸収される波長を含み、第2の電気信号に応じた第2の信号光を出力する第2の半導体レーザとを有し、
前記第2の信号光が前記第1の半導体レーザの活性層に入射するように、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを同一基板上に直列に配置し、
前記第1の半導体レーザ及び前記第2の半導体レーザに共通の電極を設け、
前記第1の電気信号及び前記第2の電気信号として、同一の電気信号を前記電極に入力したことを特徴とする直接変調型半導体レーザ。 - 半導体レーザを直接変調する直接変調型半導体レーザにおいて、
第1の電気信号に応じた第1の信号光を出力する第1の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザの活性層に吸収される波長を含み、第2の電気信号に応じた第2の信号光を出力する第2の半導体レーザとを独立して有し、
前記第2の信号光が前記第1の半導体レーザの活性層に入射するように、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを直列に配置し、
前記第1の半導体レーザに前記第1の電気信号を入力する第1の電極と、前記第2の半導体レーザに前記第2の電気信号を入力する第2の電極とを独立して設け、
前記第1の電気信号及び前記第2の電気信号として、同一の電気信号を前記第1の電極及び前記第2の電極に入力したことを特徴とする直接変調型半導体レーザ。 - 半導体レーザを直接変調する直接変調型半導体レーザにおいて、
第1の電気信号に応じた第1の信号光を出力する第1の半導体レーザと、前記第1の半導体レーザの活性層に吸収される波長を含み、第2の電気信号に応じた第2の信号光を出力する第2の半導体レーザとを有し、
前記第2の信号光が前記第1の半導体レーザの活性層に入射するように、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを、電気的に分離して、同一基板上に直列に配置し、
前記第1の半導体レーザに前記第1の電気信号を入力する第1の電極と、前記第2の半導体レーザに前記第2の電気信号を入力する第2の電極とを独立して設け、
前記第1の電気信号及び前記第2の電気信号として、同一の電気信号を前記第1の電極及び前記第2の電極に入力したことを特徴とする直接変調型半導体レーザ。 - 請求項2又は請求項3に記載の直接変調型半導体レーザにおいて、
前記第2の信号光を増幅する増幅領域を、独立して、又は、電気的に分離して設け、
前記増幅領域を間に挟んで、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザとを直列に配置したことを特徴とする直接変調型半導体レーザ。 - 請求項2から請求項4のいずれか1つに記載の直接変調型半導体レーザにおいて、
前記第1の電極及び前記第2の電極へ同一の電気信号を入力する際に、前記第1の電極への電気信号を遅延させる遅延線を設けたことを特徴とする直接変調型半導体レーザ。
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