JP2010278252A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】歩留まりと信頼性を高めるフラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板1に素子分離絶縁膜6を形成する工程と、シリコン基板1の表面にトンネル絶縁膜を形成する工程と、素子分離絶縁膜6とトンネル絶縁膜の上に第1導電膜を形成する工程と、第1導電膜をパターニングして導電パターン13aにする工程と、導電パターン13aの表層部分をスパッタエッチングする工程と、導電パターン13aと素子分離絶縁膜6の上に中間絶縁膜16を形成する工程と、中間絶縁膜16の上に第2導電膜17を形成する工程と、導電パターン13a、中間絶縁膜16、及び第2導電膜17をパターニングすることによりフラッシュメモリセルFLを形成する工程とを有する。
【選択図】図36
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板1に素子分離絶縁膜6を形成する工程と、シリコン基板1の表面にトンネル絶縁膜を形成する工程と、素子分離絶縁膜6とトンネル絶縁膜の上に第1導電膜を形成する工程と、第1導電膜をパターニングして導電パターン13aにする工程と、導電パターン13aの表層部分をスパッタエッチングする工程と、導電パターン13aと素子分離絶縁膜6の上に中間絶縁膜16を形成する工程と、中間絶縁膜16の上に第2導電膜17を形成する工程と、導電パターン13a、中間絶縁膜16、及び第2導電膜17をパターニングすることによりフラッシュメモリセルFLを形成する工程とを有する。
【選択図】図36
Description
本発明は、半導体装置とその製造方法に関する。
半導体基板に形成される不揮発性メモリには様々なタイプのものがあるが、なかでもフローティングゲートに電子を蓄積して情報を記憶するフラッシュメモリは、高集積化に有利である等の利点により、一般に広く普及している。
フラッシュメモリは、半導体基板に複数のフラッシュメモリセルを有する。一つ一つのフラッシュメモリセルは、半導体基板の活性領域の上に、トンネル絶縁膜、フローティングゲート、中間絶縁膜、及びコントロールゲートをこの順に備える。
書き込みに際しては、電子やホール等の電荷を活性領域からトンネル絶縁膜を介してフローティングゲートに注入し、これによりフラッシュメモリセルの閾値電圧を変化させる。その閾値電圧は、フローティングゲート内の電荷の有無によって差を生じる。その差を「1」や「0」といった情報に対応させることで、フラッシュメモリセルに情報が書き込まれることになる。
このようにフローティングゲート内の電荷が情報の担い手になるため、実使用下においてその電荷がフローティングゲート外に漏洩してしまうと、フラッシュメモリセルに書き込まれた情報を正しく読み出すことができなくなってしまう。
電荷が漏洩する原因として、導電膜をパターニングしてフローティングゲートを形成する際に発生するフェンス状の導電性残渣がある。その導電性残渣は、上記の導電膜をパターニングするときに中間絶縁膜がエッチングマスクとなり、その中間絶縁膜の横に導電膜が残ることで発生する。この導電性残渣は、隣り合うフローティングゲート同士を電気的に接続してしまうため、フローティングゲート内の電荷が導電性残渣を通じて外部に漏れてしまう。このような電荷の漏れが原因の不良は、チャージロス不良とも呼ばれ、フラッシュメモリセルを備えた半導体装置の歩留まりや信頼性を低下させる一因となる。
フラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法において、当該半導体装置の歩留まりと信頼性を高めることを目的とする。
以下の開示の一観点によれば、半導体基板に活性領域を画定する素子分離絶縁膜を形成する工程と、前記半導体基板の前記活性領域の表面にトンネル絶縁膜を形成する工程と、前記素子分離絶縁膜と前記トンネル絶縁膜の上に第1導電膜を形成する工程と、前記第1導電膜をパターニングして導電パターンにする工程と、前記導電パターンの表層部分に対してスパッタエッチングを行う工程と、前記導電パターンと前記素子分離絶縁膜の上に中間絶縁膜を形成する工程と、前記中間絶縁膜の上に第2導電膜を形成する工程と、前記導電パターン、前記中間絶縁膜、及び前記第2導電膜をパターニングすることにより、フローティングゲート、前記中間絶縁膜、及びコントロールゲートを備えたフラッシュメモリセルを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
また、その開示の他の観点によれば、半導体基板と、前記半導体基板に形成されて活性領域を画定する素子分離絶縁膜と、前記半導体基板の前記活性領域の表面に形成されたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜と前記素子分離絶縁膜の上に形成され、フローティングゲート、中間絶縁膜、及びコントロールゲートをこの順に形成してなるフラッシュメモリセルとを有し、前記フローティングゲートの側面が前記素子分離絶縁膜の上に位置し、該側面が前記活性領域側に傾いた半導体装置が提供される。
以下の開示によれば、フローティングゲートとなる導電パターンの表層部分に対してスパッタエッチングを行う。これにより、素子分離絶縁膜上にある導電パターンの側面に、マイクロローディング効果によって裾引き部が形成されていても、その裾引き部がスパッタエッチングにより除去される。
その結果、その裾引き部が導電性のストリンガーとして残るのを防止でき、隣接するフローティングゲート同士がストリンガーによって電気的に接続される危険性が低減され、半導体装置の歩留まりと信頼性とを高めることが可能となる。
以下に、本実施形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
(予備的事項)
本実施形態の説明に先立ち、本実施形態の基礎となる予備的事項について説明する。
本実施形態の説明に先立ち、本実施形態の基礎となる予備的事項について説明する。
図1〜図23は本発明の予備的事項に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
また、図24〜図28はこの半導体装置の製造途中の平面図である。そして、図1〜図23の各断面図は、図24〜図28のX1−X1線、X2−X2線、及びY1−Y1線に沿う断面図に相当する。
この半導体装置はフラッシュメモリであって、以下のようにして作製される。
最初に、図1に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、p型シリコン(半導体)基板1の表面に厚さが約3nmの熱酸化膜2を形成した後、その熱酸化膜2の上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法で窒化シリコン膜3を約120nmの厚さに形成する。そして、フォトリソグラフィとエッチングによりこの窒化シリコン膜3をパターニングし、シリコン基板1の活性領域上にのみその窒化シリコン膜3を残す。
この工程を終了後の平面図は図24のようになる。
図24に示すように、パターニング後の窒化シリコン膜3の平面形状は、行方向に延在するストライプ状となる。なお、図24における列方向は、行方向に直交する方向を指す。
続いて、図2に示すように、酸化雰囲気中において、窒化シリコン膜3が形成されていない領域のシリコン基板1を熱酸化し、厚さが約300nmの素子分離絶縁膜6を形成する。
このとき、窒化シリコン膜3の下の活性領域では、熱酸化が進行せず、素子分離絶縁膜6が形成されない。
また、その熱酸化は、窒化シリコン膜3に近い部位において遅く進行するので、窒化シリコン膜3寄りの素子分離絶縁膜6には、シリコン基板1の表面に対して傾斜した傾斜面6aが形成される。
その後に、図3に示すように、リン酸溶液により窒化シリコン膜3をウエットエッチングして除去する。
更に、図4に示すように、フッ酸溶液をエッチング液とするウエットエッチングにより熱酸化膜2を除去し、隣接する素子分離絶縁膜6の間にシリコン基板1の清浄面を露出させる。
ここまでの工程により、複数の活性領域ARが素子分離絶縁膜6で画定された構造が得られた。このような素子分離構造はLOCOS(Local Oxidation of Silicon)と呼ばれる。
この工程を終了後の平面図は図25のようになる。
図25に示すように、素子分離絶縁膜6の平面形状は、行方向に延在するストライプ状である。
続いて、図5に示すように、シリコン基板1の表面を再び熱酸化することにより、保護絶縁膜11として厚さが約15nmの熱酸化膜を形成する。
そして、保護絶縁膜11をスルー膜として使用しながら、シリコン基板1の表層部分にp型不純物をイオン注入し、後述のフラッシュメモリセルの閾値電圧を調節するための不純物拡散領域10を形成する。
その後に、図6に示すように、イオン注入のスルー膜として使用した保護絶縁膜11をフッ酸溶液でウエットエッチングして除去する
次に、図7に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
次に、図7に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、シリコン基板1の表面を再び熱酸化する。これにより、厚さが約10nmの熱酸化膜がトンネル絶縁膜12として形成される。
更に、このトンネル絶縁膜12と素子分離絶縁膜6の上に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法によりアモルファスシリコン膜を厚さ約90nmに形成し、そのアモルファスシリコン膜を第1導電膜13とする。そのアモルファスシリコン膜には、低抵抗化のために成膜時に約5×1019cm-3の濃度のリンがドープされる。
なお、アモルファスシリコン膜に代えてポリシリコン膜を第1導電膜13として形成してもよい。
次いで、図8に示すように、第1導電膜13の上側全面にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像することにより、素子分離絶縁膜6の上に窓15aを備えた第1レジストパターン15を形成する。
その後に、図9に示すように、第1レジストパターン15をマスクにして第1導電膜13をドライエッチングすることにより、第1導電膜13を素子分離絶縁膜6の上で互いに分離された複数の導電パターン13aとする。
そのドライエッチングは、反応性イオンエッチング(RIE: Reactive Ion Etching)によりより行われ、例えばCl2(塩素)ガスとO2(酸素)ガスとの混合ガスがエッチングガスとして使用される。
このようなエッチングガスを使用すると、第1レジストパターン15や第1導電膜13がエッチングガスと反応して生成されたエッチングポリマが導電パターン13aの側面にエッチング生成物EPとして付着する。そのエッチング生成物EPは、導電パターン13aの側面13bをエッチング雰囲気から保護するように機能するので、このエッチングは基板垂直方向に進行する異方性エッチングとなる。
ここで、理想的には、導電パターン13aの側面13bは素子分離絶縁膜6の平坦な頂面6b上に位置するのが好ましい。しかし、実際には、導電パターン13aと素子分離絶縁膜6との位置ずれにより、図10の点線円内に示すように、導電パターン13aの側面13bが素子分離絶縁膜6の傾斜面6aに位置することがある。
その場合、傾斜面6a上では、上記のエッチング生成物EPがマスクとなって第1導電膜13を完全にエッチングすることができず、傾斜面6a上の導電パターン13aに裾引き部13dが形成される。このような現象はマイクロローディング現象とも呼ばれる。
このエッチングを終了した後に、第1レジストパターン15は除去される。
この工程を終了後の平面図は図26のようになる。
図26に示されるように、導電パターン13aの平面形状は、素子分離絶縁膜6の延在方向に沿って延びるストライプ状である。
次に、図10に示すように、素子分離絶縁膜6と導電パターン13aのそれぞれの上に中間絶縁膜16としてONO膜を形成する。
その中間絶縁膜16は、第1熱酸化膜16x、窒化シリコン膜16y、及び第2熱酸化膜16zをこの順に形成してなる。
そのうち、第1熱酸化膜16xは、導電パターン13aの上面を熱酸化して形成され、その厚さは約8nm程度である。また、窒化シリコン膜16yは、第1熱酸化膜16xの上にCVD法により厚さ約10nm程度に形成される。そして、第2熱酸化膜16zは、窒化シリコン膜16yの表層を熱酸化して形成され、その厚さは約10nm程度である。
次に、図11に示すように、中間絶縁膜16の上にCVD法で第2導電膜17を形成する。
その第2導電膜17は、下から順に約3×1020cm-3の濃度でリンがドープされた厚さ約120nmのアモルファスシリコン膜17xと、厚さ約150nmのタングステンシリサイド(WSi)膜17yと、厚さ約40nmのキャップポリシリコン膜17zである。
なお、アモルファスシリコン膜17xに代えてポリシリコン膜を形成してもよい。
更に、この第2導電膜17の上に、反射防止絶縁膜19としてCVD法により酸窒化シリコン(SiON)膜を厚さ約100nmに形成する。
次いで、図12に示すように、反射防止絶縁膜19の上にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像して第2レジストパターン20を形成する。その第2レジストパターン20は、後述のコントロールゲートに対応したストライプ状の平面形状を有する。
次いで、図13に示すように、第2レジストパターン20をマスクにしながら反射防止絶縁膜19、第2導電膜17、及び中間絶縁膜16をRIEチャンバ内でドライエッチングし、エッチングされずに残存する第2導電膜17をコントロールゲート17aとする。
このエッチングでは、第2導電膜17に対するエッチングガスとしてCl2ガス、O2ガス、及びHBrガスの混合ガスが使用される。
一方、中間絶縁膜16に対するエッチングガスとしては、CF4ガスとO2ガスとの混合ガスが使用される。
そのドライエッチングは、シリコン基板1の上面に垂直な方向でエッチングレートが最大となる異方性エッチングである。したがって、導電パターン13aの上面に形成された中間絶縁膜16はエッチングにより完全に除去することが可能であるが、導電パターン13aの側面13bに形成された中間絶縁膜16は、シリコン基板1の垂直方向の膜厚が他の部分よりも厚いため完全に除去することはできない。
その結果、図13の点線円内に示されるように、導電パターン13aの側面13bに中間絶縁膜16の残渣16aが残ることになる。
次いで、図14に示すように、上記のRIEエッチングチャンバを引き続いて用いながら、エッチングガスをCl2ガス、O2ガス、及びHBrガスとの混合ガスに切り替える。これにより、第2レジストパターン20で覆われていない部分の導電パターン13aをRIEにより除去し、エッチングされずに残存する導電パターン13aをフローティングゲート13cとする。
既述のように、素子分離絶縁膜6の傾斜面6a上には導電パターン13aの裾引き部13dが形成されており、それを覆うようにして中間絶縁膜16の残渣16aが残っている。そのため、図14の点線円内に示されるように、本工程では残渣16aが裾引き部13dに対するエッチングのマスクになり、オーバーエッチングを行ってもその裾引き部13dが残渣16aの横にストリンガー(線状の残渣)13sとして残ることになる。
図27は、この工程を終了した後の平面図である。なお、図27では、第2レジストパターン20を省略してある。
図27に示されるように、フローティングゲート13cは行列状に複数形成される。そして、コントロールゲート17aは、列方向に延在するストライプ状の平面形状を有すると共に、行方向に間隔をおいて複数形成され、一つの列における複数のフローティングゲート13cの各々を覆う。
また、残渣16aは、行方向に隣り合う二つのフローティングゲート13cの一方から他方に延在する。従って、図27の点線円内のように残渣16aの横にストリンガー13sが形成されていると、そのストリンガー13sによって隣接するフローティングゲート13c同士が電気的に短絡することになる。
次に、図15に示すように、第2レジストパターン20が形成されている状態で、フローティングゲート13cの横のシリコン基板1に砒素やリン等のn型不純物をイオン注入して、フラッシュメモリセル用のn型ソース/ドレイン領域21を形成する。
そのイオン注入の条件は特に限定されない。本例では、加速エネルギ50keV、ドーズ量4.0×1015cm-2の条件で砒素をイオン注入する。
この後に、第2レジストパターン20は除去される。
次いで、図16に示すように、シリコン基板1の上側全面にCVD法により酸化シリコン膜を極薄く、例えば7nmの厚さに形成して、その酸化シリコン膜を保護絶縁膜27とする。
そして、n型ソース/ドレイン領域21に再度n型不純物をイオン注入することにより、該n型ソース/ドレイン領域21の不純物濃度を高める。そのn型不純物としては、リン又は砒素が使用される。
なお、このイオン注入は不図示のレジストパターンをマスクにして行われ、n型ソース/ドレイン領域21以外の領域にはn型不純物は注入されない。
この後に、800℃〜900℃程度の酸化雰囲気中でアニールを行い、n型ソース/ドレイン領域21中の不純物を活性化させる。
続いて、図17に示すように、シリコン基板1の上側全面にサイドウォール用絶縁膜33として酸化シリコン膜を厚さ約100nmに形成する。
そして、図18に示すように、サイドウォール用絶縁膜33の上にフォトレジストを塗布し、それを露光現像して第3レジストパターン35を形成する。図示のように、その第3レジストパターン35は、隣接するコントロールゲート17aの間に窓35aを有する。
次いで、図19に示すように、窓35aの下のサイドウォール用絶縁膜33、保護絶縁膜27、及びトンネル絶縁膜12をエッチングする。これにより、窓35aの下でサイドウォール用絶縁膜33が第1絶縁性サイドウォール33aとして残されると共に、シリコン基板1の表面が露出する。
この後に、第3レジストパターン35は除去される。
図28は、この工程を終了した後の断面図である。
図28に示されるように、この工程では、窓35a(図19参照)の下の素子分離絶縁膜6もエッチングして除去される。
続いて、図20に示すように、CVD法によりシリコン基板1の上側全面に厚さ約70nmのシリコン酸化膜を形成した後、その酸化シリコン膜をエッチバックしてコントロールゲート17aとゲート電極17dの横に第2絶縁性サイドウォール34として残す。
次に、図21に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、酸化雰囲気中において基板温度約800℃、処理時間50分の条件でシリコン基板1を熱酸化し、保護絶縁膜45として熱酸化膜を形成する。
そして、シリコン基板1の上側全面にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像して第4レジストパターン37とする。
その後、第4レジストパターン37が備える窓37aを通じてシリコン基板1にn型不純物をイオン注入し、隣接するコントロールゲート17aの間にn型ソースライン38を形成する。
このイオン注入の条件は特に限定されない。本例では、加速エネルギ60keV、ドーズ量3.0×1015cm-2の条件で砒素をイオン注入する。
ここまでの工程により、シリコン基板1には、フローティングゲート13c、中間絶縁膜16、コントロールゲート17a、ソースライン38、及びソース/ドレイン領域21等を有するフラッシュメモリセルFLが形成されたことになる。
この後に、図22に示すように第4レジストパターン37を除去する。
次いで、図23に示すように、シリコン基板1の上側全面に、CVD法により厚さ約100nmの酸化シリコン膜と厚さ約160nmのBPSG膜をこの順に形成し、これらの積層膜を層間絶縁膜40とする。
そして、ソース/ドレイン領域21内の不純物の活性化と、層間絶縁膜40の膜質安定化のために、窒素雰囲気中で基板温度850℃、処理時間30分の条件でアニールを行う。
その後に、層間絶縁膜40の上面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)法により研磨して平坦化する。
次いで、層間絶縁膜40をパターニングしてコンタクトホール40a形成し、その中にタングステンを主にして構成される導電性プラグ43をコンタクトホール40a内に埋め込んで、n型ソース/ドレイン領域21に導電性プラグ43を電気的に接続する。
更に、層間絶縁膜40の上にアルミニウム膜を含む金属積層膜をスパッタ法で形成する。その金属積層膜はフォトリソグラフィによりパターニングされ、導電性プラグ43と電気的に接続された金属配線41となる。
以上により、この半導体装置の基本構造が完成したことになる。
この半導体装置では、図14を参照して説明したように、素子分離絶縁膜6の傾斜面6a上に、導電パターン13aのストリンガー13sが残ってしまう。
図29は、この半導体装置の断面のSEM(Scanning Electron Microscope)写真を基にして描いた図であって、図11のX2−X2線に沿う断面図と同じ部分の図である。図29の点線円で示される領域Aが、上記のストリンガー13sの発生箇所である。
また、図30は、このストリンガー13sが形成された半導体装置の斜視図である。
このようなストリンガー13sは、隣接するフローティングゲート13c同士を電気的に短絡させ、半導体装置の歩留まりや信頼性を低下させる要因となる。
特に、フラッシュメモリセルFLのビット数の増大に伴いデバイスパターンの微細化が進むと、デバイスパターン同士が位置ずれし易くなり、図13に示したように導電パターン13aの側面13bが素子分離絶縁膜6の傾斜面6a上に位置する可能性が高まる。その結果、傾斜面6a上でのマクロローディング効果により、導電パターン13aの裾引き部13dが顕著に発生し、ストリンガー13sの発生が助長されるおそれがある。
よって、フラッシュメモリセルFLを備えた半導体装置においては、その微細化を更に推し進めるために、ストリンガー13sが発生しないようなプロセスを開発することが望まれる。
本願発明者は、このような知見に鑑み、以下に説明するような本実施形態に想到した。
なお、以下の各実施形態で参照する図面において、予備的事項で説明したのと同一の要素には予備的事項と同じ符号を付し、その説明は省略する。
(第1実施形態)
図31〜図40は、第1実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
図31〜図40は、第1実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
また、図41及び図42は第1実施形態に係る半導体装置の製造途中の平面図である。そして、図31〜図40の各断面図は、図41及び図42のX1−X1線、X2−X2線、及びY1−Y1線に沿う断面図に相当する。
本実施形態に係る半導体装置を作製するには、まず、予備的事項で説明した図1〜図9の工程を行うことにより、図31に示す断面構造を得る。
既述のように、この時点では、第1導電膜13をドライエッチングした際に発生したエッチング生成物EPが導電パターン13aの側面13bに付着した状態となっている。
また、その側面13bは理想的には素子分離絶縁膜6の頂面6b上に位置しているのが好ましいのであるが、導電パターン13aと素子分離絶縁膜6との位置ずれにより、図示のように傾斜面6a上に側面13bが位置することがある。
その場合は、既述のように、エッチング生成物EPがエッチングのマスクとなって、導電パターン13aの裾引き部13dが形成されている。
次いで、図32に示すように、酸素プラズマを使用するアッシングにより、導電パターン13a上の第1レジストパターン15を除去する。
但し、アッシングでは、第1レジストパターン15は除去されるものの、エッチング生成物EPは除去されずに導電パターン13aの側面13bに残存する。
そこで、次の工程では、図33に示すように、過酸化水素水を含む溶液中にシリコン基板1の全体を浸すことにより、該溶液にエッチング生成物EPを溶解させて除去する。
この工程を終了後の平面図は図41のようになる。
図41に示すように、導電パターン13aの平面形状は、素子分離絶縁膜6の延在方向である行方向に沿って延びるストライプ状である。
次いで、図34に示すように、導電パターン13aのストリンガー13s(図14参照)の原因となる裾引き部13dを除去するために、導電パターン13aと素子分離絶縁膜6のそれぞれの表層部分をアルゴンプラズマでスパッタエッチングする。
図43は、このスパッタエッチングで使用するエッチング装置100の構成図である。
このエッチング装置100はチャンバ101を有し、該チャンバ101内にはシリコン基板1を載置するための基板載置台106が設けられる。その基板載置台106には、キャパシタ105を介して周波数が400kHz程度のバイアス用高周波電源104が接続される。
また、チャンバ101の外周にはコイル102が巻かれており、プラズマ生成用高周波電源103で発生した周波数が13.56MHz程度の高周波電力がそのコイル102に供給される。
そのようなエッチング装置100では、コイル102によりチャンバ101内に高周波磁界が発生し、それによりチャンバ101内のアルゴンガス等の不活性ガスがプラズマ化される。このようなプラズマの生成方法はICP(Inductively Coupled Plasma)方式とも呼ばれる。
そして、プラズマ化した不活性ガスは、バイアス用高周波電源104で生成されたバイアス用高周波電力により、基板垂直方向からシリコン基板1に引き付けられ、上記の導電パターン13aが異方的にスパッタエッチングされることになる。
なお、そのスパッタエッチングの条件は特に限定されないが、本実施形態ではチャンバ101内の圧力を1.0Paにし、バイアス用高周波電力104のパワーを800W、プラズマ生成用高周波電源103のパワーを1400Wとする。
このように異方性エッチングであるスパッタエッチングを行うと、図34の点線円内に示すように導電パターン13aの裾引き部13dが除去されると共に、導電パターン13aの傾斜面13bがエッチングされて活性領域AR側に傾く。
また、導電パターン13aの上面13fと側面13bの境目となる角13eがアルゴンプラズマによりスパッタされて面取りされるので、該角13eが丸みを帯びた形状となる。
なお、スパッタエッチングは、プラズマ化したエッチングガスによりエッチング対象を物理的にエッチングするものであるから、エッチング速度は膜の種類によらず略同じとなる。そのため、本工程では、導電パターン13aで覆われていない部分の素子分離絶縁膜6の上面6bもエッチングされ、上面6bに凹部6xが形成される。その凹部6xの形成に際して導電パターン13aの側面13bはマスクとなるので、凹部6xの側壁は導電パターン13aの側面13bに連続的に繋がるように形成される。
このスパッタエッチングのエッチングガスは特に限定されない。
但し、フッ素等のハロゲンを含むエッチングガスを用いると、ハロゲンと導電パターン13aとが化学的に反応する反応性エッチングとなり、導電パターン13aの側面13bに反応生成物が付着し、それがマスクとなって再び裾引き部13dが形成されてしまう。そのため、裾引き部13dを効率的に除去する観点からすると、アルゴンガスのような不活性ガスのみからなるエッチングガスを用いて、物理的エッチングであるスパッタエッチングを行うのが好ましい。
また、反応生成物の付着防止という観点からすると、本実施形態のように第1レジストパターン15を除去した後にスパッタエッチングを行うのが好ましい。このようにすると、第1レジストパターン15に起因した反応生成物が導電パターン13aの側面13bに付着するのを防止でき、その反応生成物がマスクとなって再び裾引き部13dが形成される危険性を低減できる。
更に、このスパッタエッチングは、エッチングが基板垂直方向に進行する異方性エッチングであるため、裾引き部13dを上からエッチングすることができ、等方性エッチングと比較して裾引き部13dを除去し易い。
なお、導電パターン13aの膜厚は、このスパッタエッチングによって全体的に薄くなる。そのため、スパッタエッチングによる膜減りを見込んで、予備的事項よりも導電パターン13aの厚さを20nm程度予め厚く形成しておくのが好ましい。
次いで、図35に示すように、既述の図10と同様の工程を行うことで、導電パターン13aと素子分離絶縁膜6の上に中間絶縁膜16としてONO膜を形成する。
その中間絶縁膜16は、第1熱酸化膜16x、窒化シリコン膜16y、及び第2熱酸化膜16zをこの順に形成してなる。
次に、図36に示すように、中間絶縁膜16の上に第2導電膜17と反射防止絶縁膜19をこの順に形成する。なお、各膜17、19の形成方法は図11で説明したのと同様なので、ここでは省略する。
その後、図37に示すように、反射防止絶縁膜19の上にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像することにより、コントロールゲートに対応したストライプ状の平面形状の第2レジストパターン20を形成する。
次いで、図38に示すように、第2レジストパターン20をマスクにしながら反射防止絶縁膜19、第2導電膜17、及び中間絶縁膜16をRIEチャンバ内でドライエッチングし、エッチングされずに残存する第2導電膜17をコントロールゲート17aとする。
このエッチングは、図13におけるのと同様に行われ、第2導電膜17に対するエッチングガスとしてCl2ガス、O2ガス、及びHBrガスの混合ガスが使用される。一方、中間絶縁膜16に対するエッチングガスとしては、CF4ガスとO2ガスとの混合ガスが使用される。
図13において説明したように、このエッチングの結果、導電パターン13aの側面13bに形成された中間絶縁膜16は、シリコン基板1の垂直方向の膜厚が他の部分よりも厚いため完全に除去することができず、残渣16aとして残ることになる。
続いて、図39に示すように、中間絶縁膜16のエッチングに使用したRIEエッチングチャンバを引き続いて用いながら、エッチングガスをCl2ガス、O2ガス、及びHBrガスとの混合ガスに切り替える。これにより、第2レジストパターン20で覆われていない部分の導電パターン13aをRIEにより除去し、エッチングされずに残存する導電パターン13aをフローティングゲート13cとする。
ここで、本実施形態では、図34の工程でスパッタエッチングにより導電パターン13aの裾引き部13dを予め除去してあるので、残渣16aの横に裾引き部13dがストリンガー13s(図14参照)として残ることがない。
図42は、この工程を終了した後の平面図である。なお、図42では、第2レジストパターン20を省略してある。
図42に示されるように、フローティングゲート13cは行列状に複数形成される。そして、コントロールゲート17aは、列方向に延在するストライプ状の平面形状を有すると共に、行方向に間隔をおいて複数形成され、一つの列における複数のフローティングゲート13cの各々を覆う。
また、図42の点線円内に示されるように、本実施形態では残渣16aの横にストリンガー13sがないので、図27の場合とは異なり、隣接するフローティングゲート13c同士がストリンガー13sによって電気的に短絡する危険性がない。
この後は、既述の図15〜図23と同じ工程を行うことにより、図40に示すようなフラッシュメモリセルFLを備えた半導体装置の基本構造を完成させる。
以上説明した本実施形態によれば、図34に示したように、異方性エッチングであるスパッタエッチングにより導電パターン13aの裾引き部13dを除去するようにした。そのため、フローティングゲート13cとならない部分の導電パターン13aをエッチングする工程(図39)において、その裾引き部13dがストリンガー13sとして残るのを防止できる。
これにより、ストリンガー13sが原因で隣接するフローリングゲート13c同士が電気的に短絡する危険性が減るので、チャージロス不良の発生頻度が少なくなり、半導体装置の歩留まりと信頼性を高めることが可能となる。
(第2実施形態)
上記した第1実施形態では、LOCOS用の素子分離絶縁膜6の傾斜面6a上において、導電パターン13aの裾引きが発生するのを防止した。
上記した第1実施形態では、LOCOS用の素子分離絶縁膜6の傾斜面6a上において、導電パターン13aの裾引きが発生するのを防止した。
そのような裾引きは、LOCOSに限らず、STI(Shallow Trench Isolation)用の素子分離絶縁膜の上面に傾斜面が生じている場合でも発生する。
本実施形態では、素子分離構造としてSTIを採用した場合について説明する。
図44〜図49は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。また、図50はこの半導体装置の平面図である。そして、図44〜図49の各断面図は、図50のX1−X1線、X2−X2線、及びY1−Y1線に沿う断面図に相当する。
なお、これらの図において第1実施形態で説明した要素には第1実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
この半導体装置を製造するには、まず、図44に示すように、p型シリコン基板1の表面を熱酸化して厚さが約3nmの熱酸化膜2を形成する。更に、その熱酸化膜2の上に、CVD法により窒化シリコン膜3を厚さ約120nmに形成する。
次に、図45に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより窒化シリコン膜3をパターニングする。そして、この窒化シリコン膜3をマスクにして熱酸化膜2とシリコン基板1とをRIEでエッチングすることにより、シリコン基板1に素子分離溝1aを形成する。
次いで、図46に示すように、素子分離溝1a内と窒化シリコン膜3の上に、素子分離絶縁膜70としてCVD法により酸化シリコン膜を形成し、その素子分離絶縁膜70で素子分離溝1aを完全に埋め込む。
その後に、図47に示すように、窒化シリコン膜3上の余分な素子分離絶縁膜70をCMP法により研磨して除去し、素子分離溝1a内にのみ素子分離絶縁膜70を残す。
次に、図48に示すように、燐酸溶液で窒化シリコン膜3をウエットエッチングし、更にフッ酸溶液で熱酸化膜2をウエットエッチングすることにより、シリコン基板1の清浄面を露出させる。
この後は、予備的事項で説明した図1〜図23の工程を行うことにより、図49に示すようなフラッシュメモリセルFLを備えた半導体装置の基本構造を完成させる。
図50は、その半導体装置の平面図である。
上記のようにして形成されたSTI用の素子分離絶縁膜70は、例えば図48のウエットエッチング工程において熱酸化膜2を除去するときにエッチングされ、その上面に傾斜面が形成されることがある。
予備的事項で説明したように、その傾斜面は、第1導電膜13のエッチング工程(図9)において、導電パターン13aに裾引き部13dが形成される要因となる。
そのため、このようにSTIにより素子分離を行う場合においても、第1実施形態のようにスパッタエッチング(図34)により裾引き部13dを除去しておくのが好ましい。これにより、裾引き部13dがストリンガー13s(図14参照)として残存するのを防止でき、隣接するフローティングゲート13cがストリンガー13sによって電気的に短絡する危険性が低減される。
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1) 半導体基板に活性領域を画定する素子分離絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板の前記活性領域の表面にトンネル絶縁膜を形成する工程と、
前記素子分離絶縁膜と前記トンネル絶縁膜の上に第1導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜をパターニングして導電パターンにする工程と、
前記導電パターンの表層部分に対してスパッタエッチングを行う工程と、
前記導電パターンと前記素子分離絶縁膜の上に中間絶縁膜を形成する工程と、
前記中間絶縁膜の上に第2導電膜を形成する工程と、
前記導電パターン、前記中間絶縁膜、及び前記第2導電膜をパターニングすることにより、フローティングゲート、前記中間絶縁膜、及びコントロールゲートを備えたフラッシュメモリセルを形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記半導体基板の前記活性領域の表面にトンネル絶縁膜を形成する工程と、
前記素子分離絶縁膜と前記トンネル絶縁膜の上に第1導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜をパターニングして導電パターンにする工程と、
前記導電パターンの表層部分に対してスパッタエッチングを行う工程と、
前記導電パターンと前記素子分離絶縁膜の上に中間絶縁膜を形成する工程と、
前記中間絶縁膜の上に第2導電膜を形成する工程と、
前記導電パターン、前記中間絶縁膜、及び前記第2導電膜をパターニングすることにより、フローティングゲート、前記中間絶縁膜、及びコントロールゲートを備えたフラッシュメモリセルを形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2) 前記スパッタエッチングを行う工程は、不活性ガスのみからなるエッチングガスを用いて行われることを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3) 前記スパッタエッチングを行う工程は、前記半導体基板が載置された基板載置台にバイアス用高周波電力を印加し、前記不活性ガスのプラズマを基板垂直方向から前記半導体基板に引き付けながら行われることを特徴とする付記2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4) 前記第1導電膜をパターニングする工程は、該第1導電膜上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにしながら、前記第1導電膜をドライエッチングすることにより行われ、
前記導電パターンの表層部分に対してスパッタエッチングを行う工程は、前記ドライエッチングにおいて前記導電パターンの側面に付着したエッチング生成物を除去した後に行われることを特徴とする付記1〜3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記導電パターンの表層部分に対してスパッタエッチングを行う工程は、前記ドライエッチングにおいて前記導電パターンの側面に付着したエッチング生成物を除去した後に行われることを特徴とする付記1〜3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記5) 前記エッチング生成物の除去は、過酸化水素水を含む溶液に該エッチング生成物を溶解させることにより行われることを特徴とする付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6) 前記導電パターンに対してスパッタエッチングを行う工程は、前記レジストパターンを除去した後に行われることを特徴とする付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記7) 前記第1導電膜をパターニングする工程において、前記導電パターンをストライプ状に形成し、
前記フラッシュメモリセルを形成する工程において、前記導電パターンの延在方向の垂直方向に延在するストライプ状に前記コントロールゲートを形成すると共に、該コントロールゲートを互いに間隔をおいて複数形成することを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記フラッシュメモリセルを形成する工程において、前記導電パターンの延在方向の垂直方向に延在するストライプ状に前記コントロールゲートを形成すると共に、該コントロールゲートを互いに間隔をおいて複数形成することを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記8) 半導体基板と、
前記半導体基板に形成されて活性領域を画定する素子分離絶縁膜と、
前記半導体基板の前記活性領域の表面に形成されたトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜と前記素子分離絶縁膜の上に形成され、フローティングゲート、中間絶縁膜、及びコントロールゲートをこの順に形成してなるフラッシュメモリセルとを有し、
前記フローティングゲートの側面が前記素子分離絶縁膜の上に位置し、該側面が前記活性領域側に傾いたことを特徴とする半導体装置。
前記半導体基板に形成されて活性領域を画定する素子分離絶縁膜と、
前記半導体基板の前記活性領域の表面に形成されたトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜と前記素子分離絶縁膜の上に形成され、フローティングゲート、中間絶縁膜、及びコントロールゲートをこの順に形成してなるフラッシュメモリセルとを有し、
前記フローティングゲートの側面が前記素子分離絶縁膜の上に位置し、該側面が前記活性領域側に傾いたことを特徴とする半導体装置。
(付記9) 前記フローティングゲートの上面と前記側面との境目となる該フローティングゲートの角が面取りされたことを特徴とする付記8に記載の半導体装置。
(付記10) 前記素子分離絶縁膜の上面に凹部が形成され、該凹部の側壁が前記フローティングゲートの前記側面に連続的に繋がることを特徴とする付記8又は付記9に記載の半導体装置。
(付記11) 前記素子分離絶縁膜に傾斜面が形成され、前記フローティングゲートの前記側面が前記傾斜面上に位置することを特徴とする付記8〜10のいずれかに記載の半導体装置。
1…シリコン基板、1a…素子分離溝、2…熱酸化膜、3…窒化シリコン膜、6…素子分離絶縁膜、10…不純物拡散領域、11…保護絶縁膜、13…第1導電膜、13a…導電パターン、13b…側面、13c…フローティングゲート、13d…裾引き部、13e…角、13f…上面、13s…ストリンガー、15…第1レジストパターン、15a…窓、16…中間絶縁膜、16a…中間絶縁膜の残渣、17…第2導電膜、17a…コントロールゲート、19…反射防止絶縁膜、20…第2レジストパターン、21…n型ソース/ドレイン領域、27…保護絶縁膜、33…サイドウォール用絶縁膜、33a…第1絶縁性サイドウォール、34…第2絶縁性サイドウォール、35…第3レジストパターン、35a…窓、37…第4レジストパターン、37a…窓、38…n型ソースライン、40…層間絶縁膜、41…金属配線、43…導電性プラグ、45…保護絶縁膜、70…素子分離絶縁膜、100…エッチング装置、101…チャンバ、102…コイル、103…プラズマ生成用高周波電源、104…バイアス用高周波電源、105…キャパシタ、106…基板載置台。
Claims (5)
- 半導体基板に活性領域を画定する素子分離絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板の前記活性領域の表面にトンネル絶縁膜を形成する工程と、
前記素子分離絶縁膜と前記トンネル絶縁膜の上に第1導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜をパターニングして導電パターンにする工程と、
前記導電パターンの表層部分に対してスパッタエッチングを行う工程と、
前記導電パターンと前記素子分離絶縁膜の上に中間絶縁膜を形成する工程と、
前記中間絶縁膜の上に第2導電膜を形成する工程と、
前記導電パターン、前記中間絶縁膜、及び前記第2導電膜をパターニングすることにより、フローティングゲート、前記中間絶縁膜、及びコントロールゲートを備えたフラッシュメモリセルを形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記スパッタエッチングを行う工程は、不活性ガスのみからなるエッチングガスを用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1導電膜をパターニングする工程は、該第1導電膜上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにしながら、前記第1導電膜をドライエッチングすることにより行われ、
前記導電パターンの表層部分に対してスパッタエッチングを行う工程は、前記ドライエッチングにおいて前記導電パターンの側面に付着したエッチング生成物を除去した後に行われることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導電パターンに対してスパッタエッチングを行う工程は、前記レジストパターンを除去した後に行われることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成されて活性領域を画定する素子分離絶縁膜と、
前記半導体基板の前記活性領域の表面に形成されたトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜と前記素子分離絶縁膜の上に形成され、フローティングゲート、中間絶縁膜、及びコントロールゲートをこの順に形成してなるフラッシュメモリセルとを有し、
前記フローティングゲートの側面が前記素子分離絶縁膜の上に位置し、該側面が前記活性領域側に傾いたことを特徴とする半導体装置。
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