JP2010258310A - コンデンサ及びその製造方法、配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板に内蔵する際などに生じるクラックを防止することができるコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサ１０１は、コンデンサ本体１０４とコンデンサ内ビア導体１３１，１３２とを備え、コンデンサ本体１０４は、第１誘電体積層部１０７と第２誘電体積層部１０８，１０９とを備える。第１誘電体積層部１０７は、第１誘電体層１０５とコンデンサ内ビア導体１３１，１３２に接続された内部電極１４１，１４２とを交互に積層してなる。第２誘電体積層部１０８，１０９は、コンデンサ本体１０４のコンデンサ主面１０２またはコンデンサ裏面１０３にて露出するように配置される。また、第２誘電体積層部１０８，１０９の外周部となる領域には、穴部１６１がコンデンサ内ビア導体１３１，１３２を包囲するように設けられる。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線基板に内蔵または表面実装されるコンデンサ及びそのコンデンサを内蔵または表面実装した配線基板に関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。その一例として、高分子材料製のコア基板内にコンデンサを埋め込むとともに、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が従来提案されている（例えば特許文献１参照）。

具体的には、特許文献１に記載の配線基板では、コア基板の中央部において上面及び下面に開口する収容穴部が形成されており、この収容穴部にビアアレイタイプのセラミックコンデンサが収容されている。

図１６は、従来のビアアレイタイプのセラミックコンデンサ２０１の一例を示している。このセラミックコンデンサ２０１は、コンデンサ形成層部２０２とカバー層部２０３とを備える。コンデンサ形成層部２０２は、セラミック誘電体層２０５を介して第１内部電極２０６と第２内部電極２０７とを交互に積層配置した構造を有している。セラミック誘電体層２０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、第１内部電極２０６及び第２内部電極２０７間の誘電体（絶縁体）として機能する。

カバー層部２０３は、複数のセラミック誘電体層２０９を積層してなり、コンデンサ形成層部２０２を覆うようにセラミックコンデンサ２０１の表層部に設けられている。このカバー層部２０３を設けることによって、セラミックコンデンサ２０１の絶縁性、耐熱性、耐湿性等が確保される。

また、セラミックコンデンサ２０１には多数のビア穴２１０が形成されている。これらのビア穴２１０は、セラミックコンデンサ２０１をその厚さ方向に貫通するとともに、全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビア穴２１０内には、セラミックコンデンサ２０１の上面及び下面間を貫通する複数のビア導体２１１，２１２が形成されている。各第１ビア導体２１１は、各第１内部電極２０６を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各第２ビア導体２１２は、各第２内部電極２０７を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。

特開２００５−３９２４３号公報（図４など）

ところで、図１６に示す従来のセラミックコンデンサ２０１を特許文献１のように配線基板に内蔵した場合、セラミックコンデンサ２０１の表面には樹脂の硬化収縮や熱履歴（熱膨張差）に伴う外部応力が加わるようになる。具体的に言うと、セラミックコンデンサ２０１は熱硬化性樹脂で覆われているため、製造時及び使用時の熱履歴によって、熱膨張差に起因した応力がかかるようになっている。なお、セラミックコンデンサ２０１のカバー層部２０３は、セラミック誘電体層２０９のみにて形成されており比較的に靭性が低いため、そのカバー層部２０３の外周部にクラック２１５（図１７参照）が発生、進展しやすくなる。このため、配線基板の信頼性が低下するおそれがある。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、配線基板に内蔵する際などに生じるクラックを防止することができるコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。また、第２の目的は、上記コンデンサを内蔵または表面実装した好適な配線基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コンデンサ主面及びコンデンサ裏面を有する板状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の厚さ方向に沿って延びる複数のビア穴内に形成された複数のコンデンサ内ビア導体とを備えるコンデンサであって、前記コンデンサ本体が、複数の第１誘電体層と前記複数のコンデンサ内ビア導体に電気的に接続された複数の内部電極とを交互に積層してなる第１誘電体積層部と、前記コンデンサ本体の前記コンデンサ主面または前記コンデンサ裏面にて露出するように配置された第２誘電体積層部とを含んで構成され、厚さ方向から見て前記第２誘電体積層部の少なくとも外周部となる領域に、前記第２誘電体積層部の厚さ方向に沿って延びるとともに前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ裏面の少なくとも一方にて開口する穴部が、前記コンデンサ内ビア導体を包囲するように設けられていることを特徴とするコンデンサがある。

従って、手段１のコンデンサによると、第２誘電体積層部の外周部には、第２誘電体積層部の厚さ方向に沿って延びる穴部が設けられているため、誘電体部分が穴部によって分断され、非連続になる。これにより、配線基板への内蔵時などにコンデンサ表面に加わる外部応力によって、コンデンサの外周面を起点とするクラックが発生し、それがコンデンサ中心方向に向けて進展したとしても、穴部に到達することでそれ以上進展しなくなる。

ここで、コンデンサの外形寸法は、例えば長辺が５ｍｍ以上であることが好ましい。このようにすれば、コンデンサ表面に加わる外部応力が大きくなって、コンデンサの外周面を起点とするクラックが発生しやすくなるため、本発明の課題が生じやすくなる。

なお、前記ビア穴の内径は特に限定されないが、例えば５０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。仮に、ビア穴の内径が５０μｍ未満であると、ビア穴内に形成されるコンデンサ内ビア導体の断面積が小さくなることから、コンデンサ内ビア導体の抵抗が大きくなり、コンデンサ全体の低抵抗化を達成しにくくなってしまう。また、コンデンサ内ビア導体の形成時にビア穴内へのビア導体形成用材料の充填が困難になり、生産性が低下するおそれもある。一方、ビア穴の内径が１２０μｍよりも大きいと、ビアピッチを大きく設定しなければならなくなり、微細な配線を持つ配線基板側と効率よく接続できなくなるおそれがある。

また、前記穴部の内径も特に限定されないが、例えば５０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。仮に、穴部の内径が５０μｍ未満であると、穴部内に後記するダミービア導体を形成する場合に、穴部内へのビア導体形成用材料の充填が困難になり、生産性が低下するおそれもある。逆に、穴部の内径が１２０μｍよりも大きいと、面積が小さい第２誘電体積層部の外周部に対して、多数の穴部を配置できなくなるおそれがある。なお、穴部の内径は、ビア穴の内径よりも大きく設定してもよいし、小さく設定してもよい。また、穴部の内径をビア穴の内径と等しく設定してもよい。穴部の内径とビア穴の内径が等しければ、同じ条件下で穴部及びビア穴を形成できるため、製造上都合が良い。さらに、前記穴部の深さも特に限定されないが、例えば第２誘電体積層部の厚さと等しくてもよいし、第２誘電体積層部の厚さよりも小さくてもよい。

なお、クラックを確実に穴部に到達させるためには、前記穴部の数は多いことが好ましい。具体的に言うと、第２誘電体積層部の外周部における穴部の数（密度）は、例えば１ｍｍ^２当り５個以上２５個以下であることが好ましい。仮に、１ｍｍ^２当り５個未満であると、クラックを確実に穴部に到達させることができなくなる。一方、１ｍｍ^２当り２５個よりも多いと、ダミービア導体の形成時に穴部内へのビア導体形成用材料の充填が困難になり、生産性が低下するおそれがある。

なお、前記穴部内に、前記内部電極に電気的に接続されていないダミービア導体が形成されていることが好ましい。このようにすれば、ダミービア導体によって、コンデンサ本体の第２誘電体積層部における靭性が向上する。これにより、上記した外部応力に起因するクラックの発生を確実に抑制することができる。

ここで、前記ダミービア導体は、前記コンデンサ内ビア導体と同じ材料を用いて形成されることが好ましい。このようにすれば、ダミービア導体の専用の材料をコンデンサ内ビア導体の材料とは別に用意しなくても済む。よって、コンデンサの製造に必要な材料が少なくなるため、コンデンサの低コスト化を図ることが可能となる。しかも、ダミービア導体をコンデンサ内ビア導体と同じ条件（温度、時間）で同時焼成を行うことができるため、製造コストを抑えることができる。

なお、複数の前記穴部が前記第２誘電体積層部の外周部に形成される場合、複数の前記穴部は、前記第２誘電体積層部の厚さ方向から見て環状にかつ複数列に配置されていてもよい。また、複数の前記穴部は、第２誘電体積層部の外周部を構成する４つの辺と平行に配置されるとともに、第２誘電体積層部の外周部を構成する４つの角部（各辺の接続部分）に配置されることが好ましい。さらに、複数の前記穴部は、連続的にかつ等ピッチで、しかも隙間なく配置されることが好ましい。このようにした場合、上記したクラックが穴部に到達する確率が高くなる。これにより、第２誘電体積層部の外周部において、クラックの進展を確実に防止することができる。なお、複数の穴部が環状にかつ複数列に配置される場合、複数の穴部は千鳥状に配置されることが好ましい。このようにすれば、クラックが外側列を構成する複数の穴部間を通過したとしても、クラックは内側列の穴部に確実に到達するようになる。その結果、第２誘電体積層部の外周部において、クラックの進展をよりいっそう確実に防止できる。

また、前記穴部は、前記第１誘電体積層部及び前記第２誘電体積層部を厚さ方向に貫通し、前記コンデンサ本体の前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ裏面の両方にて開口していてもよい。このようにした場合、上記したクラックが第１誘電体積層部及び第２誘電体積層部のどちらに進展したとしても、穴部に到達する確率が高くなる。これにより、第１誘電体積層部の外周部及び第２誘電体積層部の外周部の両方において、クラックの進展を防止することができる。

さらに、前記コンデンサ本体は、厚さ方向から見て４つの辺を有する略矩形板状をなし、前記穴部は、前記第２誘電体積層部の外周部において、前記４つの辺のうちの少なくとも１辺と平行に延びるスリット状に形成されていてもよい。このようにした場合、上記したクラックが第２誘電体積層部に進展した際に、クラックが穴部に到達する確率が高くなる。これにより、第２誘電体積層部の外周部において、クラックの進展をより確実に防止することができる。

また、前記第２誘電体積層部は、複数の第２誘電体層と、前記複数のコンデンサ内ビア導体に電気的に接続されていないダミー電極層とを交互に積層してなることが好ましい。この場合、ダミー電極層は複数の第２誘電体層の間に積層される。このダミー電極層は、広面積の電極であることが好ましく、例えば、前記コンデンサ内ビア導体の周囲にてクリアランスを隔てて配置されたベタパターンとしてもよい。このようにすれば、コンデンサ本体の第２誘電体積層部における靭性を向上させることができる。これにより、上記した外部応力に起因するクラックの発生をより確実に抑制することができる。

なお、前記第２誘電体層の厚さは、前記第１誘電体層の厚さよりも厚いことが好ましい。このようにすれば、第２誘電体積層部の強度を十分に確保することができる。また、前記第２誘電体層の厚さは、前記第１誘電体層の厚さと等しくてもよい。この場合、同じ厚さのシート材を使用して各誘電体層を形成することができるため、製造コストを低減することができる。

前記ダミー電極層は、前記内部電極と同じ材料を用いて形成されることが好ましい。このようにすれば、ダミー電極層の専用の材料を内部電極の材料とは別に用意しなくても済む。よって、コンデンサの製造に必要な材料が少なくなるため、コンデンサの低コスト化を図ることが可能となる。しかも、ダミー電極層を内部電極と同じ条件（温度、時間）で同時焼成を行うことができるため、製造コストを抑えることができる。

前記ダミー電極層の厚さは、前記内部電極の厚さ以上であることが好ましい。このようにすれば、第２誘電体積層部の強度を十分に確保することができ、その第２誘電体積層部の外周部で発生するクラックを確実に防止することができる。

また、前記コンデンサは、前記コンデンサ主面上に配置され、前記複数のコンデンサ内ビア導体の少なくともコンデンサ主面側端部に接続された複数の端子電極を備えることが好ましい。このように端子電極を備えると、配線基板における導体との接続を確実に行うことができる。

前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層としては、セラミック誘電体層、樹脂誘電体層、セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層などが挙げられる。前記セラミック誘電体層としては、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体が好適に使用され、誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。さらに、この他のセラミック誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。また、前記樹脂誘電体層としては、エポキシ樹脂、接着剤を含んだ四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）などの樹脂が好適に使用される。さらに、前記セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層としては、セラミックとして、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどが好適に使用され、樹脂材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステルなどの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂、及び、ニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴムなどのラテックスが好適に使用される。

前記コンデンサ内ビア導体、前記内部電極、前記ダミービア導体、前記ダミー電極層及び前記端子電極としては特に限定されないが、例えば第１誘電体層及び第２誘電体層がセラミック誘電体層である場合にはメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。

また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載のコンデンサを内蔵した配線基板がある。

従って、上記手段２の配線基板によれば、第２誘電体積層部の外周部には、第２誘電体積層部の厚さ方向に沿って延びる穴部が設けられているため、誘電体部分が穴部によって分断され、非連続になる。これにより、コンデンサの内蔵工程においてコンデンサの外周面を起点とするクラックが発生し、それがコンデンサ中心方向に向けて進展したとしても、穴部に到達することでそれ以上進展しなくなる。その結果、配線基板の信頼性が向上する。なお、穴部内にダミービア導体が形成されない場合、コンデンサ主面やコンデンサ裏面に接する樹脂が穴部内に入り込むようになるため、コンデンサの固定強度が向上し、ひいては配線基板の信頼性がよりいっそう向上する。

前記配線基板は、手段１のコンデンサを収容するための収容穴部を有するコア基板と、そのコア基板の上面及び下面上に形成される配線積層部とを備えることが好ましい。このコア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。

また、上記課題を解決するための別の手段（手段３）としては、基板主面を有し、その基板主面上に上記手段１に記載のコンデンサをフリップチップ方式にて表面実装した配線基板がある。

従って、上記手段３の配線基板によれば、第２誘電体積層部の外周部には、第２誘電体積層部の厚さ方向に沿って延びる穴部が設けられているため、誘電体部分が穴部によって分断され、非連続になる。これにより、コンデンサの表面実装工程においてコンデンサの外周面を起点とするクラックが発生し、それがコンデンサ中心方向に向けて進展したとしても、穴部に到達することでそれ以上進展しなくなる。その結果、配線基板の信頼性が向上する。

なお、前記配線基板において、前記基板主面と前記コンデンサとの隙間を樹脂材にて封止してもよい。この樹脂材の封止工程において、熱硬化収縮による引っ張り応力がコンデンサに作用した場合でも、第２誘電体積層部の外周部でクラックが発生することを防止できる。

さらに、上記課題を解決するための別の手段（手段４）としては、上記手段１に記載のコンデンサを製造する方法であって、前記第１誘電体積層部となるセラミックの第１グリーンシートと、前記第２誘電体積層部となるセラミックの第２グリーンシートとを積層一体化して、グリーンシート積層体を作製する積層工程と、レーザー加工を行うことによって、前記グリーンシート積層体に前記ビア穴と前記穴部とを形成する穴開け工程と、前記ビア穴及び前記穴部のうち少なくとも前記ビア穴内に、ビア導体形成用材料を充填するビア充填工程と、セラミックが焼結しうる温度に前記グリーンシート積層体を加熱して、前記第１グリーンシート、前記第２グリーンシート及び前記ビア導体形成用材料を焼成する焼成工程とを含むことを特徴とするコンデンサの製造方法がある。

従って、上記手段４の製造方法によれば、穴開け工程において穴部が形成されるため、誘電体部分が穴部によって分断され、非連続になる。これにより、完成したコンデンサを配線基板に内蔵する際などに、上記した外部応力によってコンデンサの外周面を起点とするクラックが発生し、それがコンデンサ中心方向に進展したとしても、穴部に到達することでそれ以上進展しなくなる。また、穴開け工程において、ビア穴と穴部とが同時に形成される。これにより、コンデンサの製造時間がさほど長くならないため、製造コストを抑えることができる。なお、ビア充填工程において、ビア穴にコンデンサ内ビア導体となるビア導体形成用材料が充填されると同時に、穴部にダミービア導体となるビア導体形成用材料が充填されることが好ましい。このようにすれば、コンデンサの製造時間がよりいっそう短縮される。

なお、前記積層工程では、前記第１グリーンシートの第１面側及び第２面側の両方にそれぞれ前記第２グリーンシートを積層し、前記穴開け工程は、前記グリーンシート積層体に前記ビア穴を形成するビア穴形成工程と、前記第１グリーンシートの第１面側に積層した第２グリーンシートに前記穴部を形成する第１穴部形成工程と、前記第１穴部形成工程後、前記グリーンシート積層体を裏返した状態で、前記第１グリーンシートの第２面側に積層した第２グリーンシートに前記穴部を形成する第２穴部形成工程とを含むことが好ましい。このようにすれば、薄くて変形しやすいグリーンシートの状態で穴部を形成するのではなく、積層されることで変形しにくくなったグリーンシート積層体の状態で穴部を形成するため、穴部の形成が容易になる。

本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。 セラミックコンデンサを示す概略断面図。 コンデンサ形成層部において内部電極とコンデンサ内ビア導体との接続を説明するための概略説明図。 コンデンサ形成層部において内部電極とコンデンサ内ビア導体との接続を説明するための概略説明図。 カバー層部においてダミー電極層とダミービア導体との関係を示す概略説明図。 他の実施形態のカバー層部において、ダミー電極層とダミービア導体との関係を示す概略説明図。 他の実施形態のカバー層部において、ダミー電極層とダミービア導体との関係を示す概略説明図。 他の実施形態のカバー層部において、ダミー電極層とダミービア導体との関係を示す概略説明図。 他の実施形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。 他の実施形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。 他の実施形態の配線基板を示す概略断面図。 他の実施形態の配線基板を示す概略断面図。 他の実施形態の配線基板を示す要部断面図。 他の実施形態の配線基板を示す要部断面図。 他の実施形態のセラミックコンデンサを示す要部断面図。 従来のセラミックコンデンサの一例を示す概略断面図。 従来のセラミックコンデンサにおけるカバー層部のクラックを示す拡大断面図。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１の上面１２上に形成される第１ビルドアップ層３１（配線積層部）と、コア基板１１の下面１３上に形成される第２ビルドアップ層３２（配線積層部）とからなる。

本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの平面視略矩形板状である。このコア基板１１における複数箇所にはスルーホール導体１６が形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１の上面１２側と下面１３側とを接続導通している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。また、コア基板１１の上面１２及び下面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。

図１に示されるように、前記第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。また、第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。ＩＣチップ搭載領域２３は、第１ビルドアップ層３１の表面に設定されている。また、樹脂層間絶縁層３３，３５内には、それぞれビア導体４３，４７が設けられている。これらのビア導体４３，４７は、導体層４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。

図１に示されるように、前記第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂層間絶縁層３６の下面上における複数箇所には、ビア導体４７を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８がアレイ状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。

前記コア基板１１は、上面１２の中央部及び下面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９１を有している。即ち、収容穴部９１は貫通穴部である。収容穴部９１内には、セラミックコンデンサ１０１が、埋め込んだ状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１５．０ｍｍ×横１５．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの矩形平板状である。また、収容穴部９１の内面とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、高分子材料（本実施形態では熱硬化性樹脂）からなる充填剤９２によって埋められている。この充填剤９２は、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定するとともに、セラミックコンデンサ１０１及びコア基板１１の面方向や厚さ方向への変形を自身の弾性変形により吸収する機能を有している。

セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１においてＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。

図１，図２に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（コンデンサ本体）は、１つのコンデンサ主面１０２（図１では上面）、１つのコンデンサ裏面１０３（図１では下面）、及び、４つのコンデンサ側面１０６を有し、厚さ方向から見て４つの辺１１０を有する略矩形板状をなしている。

セラミック焼結体１０４は、コンデンサ形成層部１０７（第１誘電体積層部）と、コンデンサ形成層部１０７の上面を覆う上側のカバー層部１０８（第２誘電体積層部）と、コンデンサ形成層部１０７の下面を覆う下側のカバー層部１０９（第２誘電体積層部）とを備える。コンデンサ形成層部１０７は、複数のセラミック誘電体層１０５（第１誘電体層）と、複数の内部電極１４１，１４２とを交互に積層した構造を有している。コンデンサ形成層部１０７に形成されている内部電極は電源用内部電極１４１及びグランド用内部電極１４２であり、セラミック誘電体層１０５を介してそれら電源用内部電極１４１とグランド用内部電極１４２とが交互に積層配置されている。セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極１４１及びグランド用内部電極１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極１４１及びグランド用内部電極１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された導体である。

図２〜図５に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビア穴１３０（内径約１００μｍ）が形成されている。これらのビア穴１３０は、セラミック焼結体１０４の厚さ方向に沿って延びてセラミック焼結体１０４を貫通するとともに、全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、ビア穴１３０を４列×４列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。各ビア穴１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。即ち、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２は、複数の内部電極１４１，１４２と同じ材料を用いて形成されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している（図２，図３参照）。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している（図２，図４参照）。

図１，図２に示されるように、前記カバー層部１０８，１０９は、セラミック焼結体１０４の表層部にて露出するよう配置されている。詳述すると、上側のカバー層部１０８は、前記コンデンサ主面１０２にて露出するように配置され、下側のカバー層部１０９は、前記コンデンサ裏面１０３にて露出するように配置されている。各カバー層部１０８，１０９は、複数のセラミック誘電体層１５３（第２誘電体層）と、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２に電気的に接続されていない広面積のダミー電極層１５４とを交互に積層した構造を有する。ダミー電極層１５４は、コンデンサ形成層部１０７における内部電極１４１，１４２と同じ材料（ニッケルを主成分とした金属材料）によって形成されるとともに、その内部電極１４１，１４２の厚さ以上の厚さに形成されている。このダミー電極層１５４は、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の周囲にクリアランス１５５（円形の抜きパターン）を有するベタパターンとなるよう形成されている（図５参照）。また、セラミック誘電体層１５３は、コンデンサ形成層部１０７におけるセラミック誘電体層１０５と同じ材料（具体的にはチタン酸バリウム）によって形成されるとともに、セラミック誘電体層１０５よりも厚く形成されている。

図２，図５に示されるように、セラミック焼結体１０４を厚さ方向から見たときにカバー層部１０８，１０９の外周部となる領域には、多数の穴部１６１（内径約８０μｍ）が形成されている。即ち、本実施形態の穴部１６１の内径は、前記ビア穴１３０の内径よりも小さく設定されている。各穴部１６１は、全てのコンデンサ内ビア導体１３１，１３２を包囲するように設けられ、カバー層部１０８，１０９の厚さ方向から見て矩形環状に配置されている。詳述すると、各穴部１６１は、カバー層部１０８，１０９の外周部において前記４つの辺１１０と平行に配置されるとともに、カバー層部１０８，１０９の４つの角部（各辺１１０の接続部分）にも配置されている。そして、各穴部１６１は、連続的にかつ等ピッチで、しかも隙間なく配置されており、全体として環状をなしている。従って、カバー層部１０８，１０９の外周部における穴部１６１の数（密度）は、本実施形態では１ｍｍ^２当り２５個となっている。なお、上側のカバー層部１０８に形成された穴部１６１は、カバー層部１０８の厚さ方向に沿って延びてカバー層部１０８を貫通するとともに、コンデンサ主面１０２にて開口している。一方、下側のカバー層部１０９に形成された穴部１６１は、カバー層部１０９の厚さ方向に沿って延びてカバー層部１０９を貫通するとともに、コンデンサ裏面１０３にて開口している。即ち、穴部１６１の深さは、カバー層部１０８，１０９の厚さと等しくなっているため、各穴部１６１は、コンデンサ形成層部１０７における対応箇所を貫通していない。

図２，図５に示されるように、各穴部１６１内には、内部電極１４１，１４２に電気的に接続されていない複数のダミービア導体１６２が、ニッケルを主材料として形成されている。即ち、ダミービア導体１６２は、内部電極１４１，１４２及びコンデンサ内ビア導体１３１，１３２と同じ材料を用いて形成されている。また、ダミービア導体１６２の高さは、穴部１６１の深さと等しくなっている。

そして、図１，図２に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、複数の主面側電源用電極１１１（端子電極）と複数の主面側グランド用電極１１２（端子電極）とが突設されている。なお、各主面側グランド用電極１１２は、コンデンサ主面１０２上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。主面側電源用電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。

また、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用電極１２１（端子電極）と複数の裏面側グランド用電極１２２（端子電極）とが突設されている。なお、各裏面側グランド用電極１２２は、コンデンサ裏面１０３上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。裏面側電源用電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極１４１に導通しており、グランド用電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極１４２に導通している。

図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にある電極１１１，１１２は、ビア導体４３、導体層４２、ビア導体４７、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にある電極１２１，１２２は、図示しないマザーボードが有する電極（接触子）に対して、ビア導体４３、導体層４２、ビア導体４７、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して電気的に接続される。

図２に示されるように、電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。これら電極１１１，１１２，１２１，１２２及びコンデンサ内ビア導体１３１，１３２は、ＩＣチップ２１の略中心部の直下に配置されている。なお本実施形態では、電極１１１，１１２，１２１，１２２の直径が約５００μｍに設定されている。

例えば、マザーボード側から電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極１４１−グランド用内部電極１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。

本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、以下のように作製される。即ち、厚さが７μｍ程度であるセラミックの第１グリーンシートを形成するとともに、厚さが３０μｍ程度であるセラミックの第２グリーンシートを形成する。そして、第１グリーンシートに内部電極用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。また、第２グリーンシートにダミー電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後にダミー電極層１５４となるダミー電極層部が形成される。

次に、電源用内部電極部が形成された第１グリーンシートとグランド用内部電極部が形成された第１グリーンシートとを交互に積層し、後にコンデンサ形成層部１０７となる部位を形成する。次に、第１グリーンシートの第１面側（即ちコンデンサ形成層部１０７となる部位の上面）に第２グリーンシートを積層し、後に上側のカバー層部１０８となる部位を形成する。また、第１グリーンシートの第２面側（即ちコンデンサ形成層部１０７となる部位の下面）にも第２グリーンシートを積層し、後に下側のカバー層部１０９となる部位を形成する。そして、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する（積層工程）。

次に、レーザー加工機を用いてレーザー加工を行うことにより、グリーンシート積層体にビア穴１３０と穴部１６１とを多数個貫通形成する（穴開け工程）。詳述すると、まずグリーンシート積層体に複数のビア穴１３０を形成する（ビア穴形成工程）。次に、グリーンシート積層体において上側のカバー層部１０８となる部位に複数の穴部１６１を形成する（第１穴部形成工程）。さらに第１穴部形成工程後、グリーンシート積層体を裏返した状態で、下側のカバー層部１０９となる部位に複数の穴部１６１を形成する（第２穴部形成工程）。なお、第１穴部形成工程及び第２穴部形成工程は、ビア穴形成工程時よりもショット数を減らした状態でレーザー加工が実行される。また、第１穴部形成工程と第２穴部形成工程とでは、それぞれ同数の穴部１６１が形成される。

次に、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、各ビア穴１３０内及び各穴部１６１内に、ビア導体用ニッケルペースト（ビア導体形成用材料）を充填する（ビア充填工程）。次に、グリーンシート積層体の上面上に端子電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように端子電極部を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上に端子電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように端子電極部を形成する。

この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各端子電極部をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに還元雰囲気下にて所定温度で所定時間焼成を行う（焼成工程）。このときの焼成温度は、チタン酸バリウムが焼結しうる温度である１３００℃に設定される。その結果、第１グリーンシート中及び第２グリーンシート中のチタン酸バリウムが焼結してセラミック焼結体１０４となる。それと同時に、電源用内部電極部中及びグランド用内部電極中のニッケルが焼結して内部電極１４１，１４２となり、ダミー電極層部中のニッケルが焼結してダミー電極層１５４となり、端子電極部中のニッケルが焼結して電極１１１，１１２，１２１，１２２となる。また、ビア導体用ニッケルペースト中のニッケルが焼結してコンデンサ内ビア導体１３１，１３２及びダミービア導体１６２となる。

次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１１２，１２１，１２２に対して電解銅めっき（厚さ１５μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１１２，１２１，１２２の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する。

このセラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵する際には、まず、収容穴部９１を有するコア基板１１を従来周知の手法により作製して準備する。そして、そのコア基板１１の収容穴部９１内にセラミックコンデンサ１０１を収容し、その収容穴部９１の内面とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間に、熱硬化性樹脂製の充填剤９２を充填する。その後、加熱処理を行うと、充填剤９２が硬化して、セラミックコンデンサ１０１が収容穴部９１内に固定される。

さらに、従来周知の手法に基づいてコア基板１１の上面１２及びセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア基板１１の下面１３及びセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ裏面１０３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。その結果、コア基板１１及びビルドアップ層３１，３２からなる配線基板１０が完成する。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１の内蔵工程において、例えば、コア基板１１の収容穴部９１内に充填剤９２でセラミックコンデンサ１０１を固定する際に、加熱処理により充填剤９２が硬化して収縮する。さらに、コア基板１１の上面１２及び下面１３にビルドアップ層３１，３２を積層する際には、加圧加熱処理を施すことによって、樹脂層間絶縁層３３〜３６となるフィルム状絶縁樹脂材料が硬化して収縮する。これらの場合、セラミックコンデンサ１０１の表面に外部応力が加わるようになる。

そこで本実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、カバー層部１０８，１０９の外周部に穴部１６１を設けている。このため、誘電体部分（セラミック誘電体層１５３の部分）が穴部１６１によって分断され、非連続になる。これにより、配線基板１０への内蔵時などにコンデンサ表面に加わる外部応力によって、セラミックコンデンサ１０１の外周面を起点とするクラック２１５（図１７参照）が発生し、それがセラミックコンデンサ１０１の中心方向に進展したとしても、穴部１６１に到達することでそれ以上進展しなくなる。

（２）本実施形態では、穴部１６１内にダミービア導体１６２が形成されている。このため、ダミービア導体１６２によって、セラミック焼結体１０４のカバー層部１０８，１０９における靭性が向上する。しかも、カバー層部１０８，１０９には広面積のダミー電極層１５４が形成されているため、カバー層部１０８，１０９における靭性がよりいっそう向上する。これにより、上記したクラック２１５の発生を確実に抑制することができる。

（３）本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。

（４）本実施形態では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、第１ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。

なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、カバー層部１０８，１０９の厚さ方向から見て環状にかつ１列に、各穴部１６１が配置されていたが、これに限定されるものではない。例えば、図６に示すセラミックコンデンサ３０１のように、カバー層部１０８，１０９の厚さ方向から見て環状にかつ２列に、各穴部１６１を配置してもよい。このようにすれば、上記したクラック２１５（図１７参照）が穴部１６１に到達する確率が高くなる。これにより、カバー層部１０８，１０９の外周部において、クラック２１５の進展を確実に防止することができる。

さらに図６に示されるように、各穴部１６１を千鳥状に配置してもよい。このようにすれば、クラック２１５が外側列を構成する複数の穴部１６１間を通過したとしても、クラック２１５は内側列の穴部１６１に確実に到達するようになる。その結果、カバー層部１０８，１０９の外周部において、クラック２１５の進展をよりいっそう確実に防止できる。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、各穴部１６１（及びダミービア導体１６２）が等ピッチで配置されていたが、これに限定されるものではない。例えば、図８に示すセラミックコンデンサ３５１のように、カバー層部１０８，１０９の角部３５２に上記実施形態の場合よりも多くの穴部１６１（及びダミービア導体１６２）を配置し、角部３５２に配置された穴部１６１のピッチを、４つの辺１１０と平行に配置された穴部１６１のピッチよりも小さくしてもよい。また、角部３５２に配置された穴部１６１を、４つの辺１１０と平行に配置された穴部１６１よりも深く設定してもよい。さらに、角部３５２に配置された穴部１６１の内径を、４つの辺１１０と平行に配置された穴部１６１の内径よりも大きく設定してもよい。以上のようにすれば、ダミービア導体１６２によって、応力が集中しやすい角部３５２の靭性がよりいっそう向上する。これにより、上記したクラック２１５の発生を確実に抑制することができる。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、カバー層部１０８，１０９の外周部となる領域に、多数の穴部１６１がコンデンサ内ビア導体１３１，１３２を包囲するように設けられていたが、これに限定されるものではない。例えば図７に示すセラミックコンデンサ３１１のように、カバー層部１０８，１０９の外周部において、４つの辺１１０とそれぞれ平行に延びるスリット状に形成された穴部１６３をコンデンサ内ビア導体１３１，１３２を包囲するように設け、穴部１６３内にダミービア導体１６４を形成してもよい。このようにすれば、上記したクラック２１５がカバー層部１０８，１０９に進展した際に、クラック２１５が穴部１６３に到達する確率が高くなる。これにより、カバー層部１０８，１０９の外周部において、クラック２１５の進展をより確実に防止することができる。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、カバー層部１０８のみを厚さ方向に貫通する穴部１６１と、カバー層部１０９のみを厚さ方向に貫通する穴部１６１とが設けられていたが、これに限定されるものではない。例えば図９に示すセラミックコンデンサ３２１のように、コンデンサ形成層部１０７及びカバー層部１０８，１０９を厚さ方向に貫通し、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の両方にて開口する穴部１６５を設け、穴部１６５内にダミービア導体１６６を形成してもよい。このようにすれば、上記したクラック２１５がコンデンサ形成層部１０７及びカバー層部１０８，１０９のどちらに進展したとしても、穴部１６５に到達する確率が高くなる。これにより、コンデンサ形成層部１０７の外周部及びカバー層部１０８，１０９の外周部の両方において、クラック２１５の進展を防止することができる。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、ダミービア導体１６２の高さが穴部１６１の深さと等しくなっていたが、これに限定されるものではない。例えば図１３に示すセラミックコンデンサ３６１のように、ダミービア導体３６２の高さを穴部１６１の深さよりも小さくしてもよい。このようにすれば、コンデンサ主面１０２に接する樹脂層間絶縁層３３の一部やコンデンサ裏面１０３に接する樹脂層間絶縁層３４の一部が穴部１６１内に入り込むようになるため、セラミックコンデンサ３６１とビルドアップ層３１，３２との接合強度が向上し、ひいては配線基板１０の信頼性が向上する。また、図１４に示すセラミックコンデンサ３６３のように、ダミービア導体３６４の高さを穴部１６１の深さよりも大きくしてもよい。このようにすれば、コンデンサ主面１０２からのダミービア導体３６４の突出部分が樹脂層間絶縁層３３内に食い込んだり、コンデンサ裏面１０３からのダミービア導体３６４の突出部分が樹脂層間絶縁層３４内に食い込んだりするようになる。その結果、セラミックコンデンサ３６３とビルドアップ層３１，３２との接合強度が向上し、ひいては配線基板１０の信頼性が向上する。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、穴部１６１の深さがカバー層部１０８，１０９の厚さと等しくなっていたが、これに限定されるものではない。例えば図１５に示すセラミックコンデンサ３７１のように、穴部１６７の深さをカバー層部１０８，１０９の厚さよりも小さく（具体的には、２層分のセラミック誘電体層１５３の厚さと等しく）するとともに、穴部１６７内にダミービア導体１６８を形成してもよい。即ち、穴部１６７をコンデンサ形成層部１０７に形成しないことにより、ダミービア導体１６８を内部電極１４１，１４２に電気的に接続しないようにしてもよい。このようにすれば、内部電極１４１，１４２の外周部分をコンデンサ側面１０６の近傍に近づけることにより、内部電極１４１，１４２の面積を大きくすることができるため、セラミックコンデンサ３７１の高容量化を図ることができる。

・上記実施形態のカバー層部１０８，１０９は、複数のセラミック誘電体層１５３とダミー電極層１５４とを交互に積層した構造を有していた。しかし、ダミー電極層１５４を省略し、カバー層部１０８，１０９をセラミック誘電体層１５３のみによって構成してもよい。

・上記実施形態では、カバー層部１０８，１０９のセラミック誘電体層１５３がコンデンサ形成層部１０７のセラミック誘電体層１０５よりも厚く形成され、カバー層部１０８，１０９のダミー電極層１５４がコンデンサ形成層部１０７の内部電極１４１，１４２よりも厚く形成されていた。しかし、セラミック誘電体層１５３の厚さをセラミック誘電体層１０５の厚さと等しく設定するとともに、ダミー電極層１５４の厚さを内部電極１４１，１４２の厚さと等しく設定してもよい。このようにすれば、同じ厚さのグリーンシートを積層してセラミック焼結体１０４を焼成することができるため、その製造コストを抑えることができる。また、カバー層部１０８，１０９において、ダミー電極層１５４の配置間隔が短くなるので、上記したクラック２１５の発生を確実に防止することができる。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２側にカバー層部１０８が設けられるとともに、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３側にカバー層部１０９が設けられていた。しかし、カバー層部１０８，１０９は、コンデンサ主面１０２側にのみ設けられていてもよいし、コンデンサ裏面１０３側にのみ設けられていてもよい。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の両方に端子電極（電極１１１，１１２，１２１，１２２）が形成されていたが、これに限定されるものではない。例えば、図１０に示すセラミックコンデンサ３３１のように、コンデンサ主面１０２側のみに端子電極（電極１１１，１１２）が形成されていてもよい。

・上記実施形態の配線基板１０では、コア基板１１の上面１２及び下面１３にて開口する収容穴部９１にセラミックコンデンサ１０１が内蔵されていたが、これに限定されるものではない。例えば、収容穴部９１をコア基板１１の上面１２のみにて開口する有底の凹部（非貫通穴部）とし、そこにセラミックコンデンサ１０１を内蔵してもよい。

・上記実施形態では、配線基板１０のパッケージ形態はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であるが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。

・上記実施形態は、配線基板１０にセラミックコンデンサ１０１を内蔵するものであったが、配線基板１０の基板主面上にセラミックコンデンサ１０１を表面実装してもよい。図１１はその具体例を示している。図１１の配線基板３４１は、基板主面３４２上にセラミックコンデンサ１０１がフリップチップ方式にて表面実装されている。この配線基板３４１において、はんだを用いてセラミックコンデンサ１０１を表面実装する際には、配線基板３４１とセラミックコンデンサ１０１との熱膨張差により、セラミックコンデンサ１０１の表層付近に圧縮応力が加わる。セラミックコンデンサ１０１は、カバー層部１０８，１０９において広面積のダミー電極層１５４が形成されておりその靭性が十分に確保されている。このため、カバー層部１０８，１０９において、セラミックコンデンサ１０１の外周面を起点とするクラックの発生が回避される。また仮にクラックが発生、進展した場合でも、穴部１６１においてクラックが止まり、内層のコンデンサ形成層部１０７までクラックが進展することはない。

さらに、図１２の配線基板３４３のように、基板主面３４４とセラミックコンデンサ１０１との隙間をアンダーフィル材３４５（樹脂材）にて封止してもよい。この配線基板３４３において、アンダーフィル材３４５による封止工程では、アンダーフィル材３４５の熱硬化収縮による引っ張り応力がセラミックコンデンサ１０１に作用する。セラミックコンデンサ１０１は、カバー層部１０８，１０９において広面積のダミー電極層１５４が形成されておりその靭性が十分に確保されている。このため、カバー層部１０８，１０９において、セラミックコンデンサ１０１の外周面を起点とするクラックの発生を回避することができる。また仮にクラックが発生した場合でも、穴部１６１においてクラックが止まり、内層のコンデンサ形成層部１０７までクラックが進展することはない。

・上記実施形態の製造方法では、グリーンシート積層体において上側のカバー層部１０８となる部位に複数の穴部１６１を形成した後、グリーンシート積層体を裏返した状態で、下側のカバー層部１０９となる部位に複数の穴部１６１を形成していたが、例えば以下の方法に変更してもよい。即ち、コンデンサ形成層部１０７となる第１グリーンシートの積層体とカバー層部１０８，１０９となる第２グリーンシートの積層体とを別々に形成し、第２グリーンシートの積層体に対して複数の穴部１６１を形成する。その後、第１グリーンシートの積層体と第２グリーンシートの積層体とを接合してグリーンシート積層体を形成する。

次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）コンデンサ主面及びコンデンサ裏面を有する板状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の厚さ方向に沿って延びる複数のビア穴内に形成された複数のコンデンサ内ビア導体とを備えるコンデンサであって、前記コンデンサ本体が、複数の第１誘電体層と前記複数のコンデンサ内ビア導体に電気的に接続された複数の内部電極とを交互に積層してなる第１誘電体積層部と、前記コンデンサ本体の前記コンデンサ主面または前記コンデンサ裏面にて露出するように配置された第２誘電体積層部とを含んで構成され、厚さ方向から見て前記第２誘電体積層部の少なくとも外周部となる領域に、前記第２誘電体積層部の厚さ方向に沿って延びるとともに前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ裏面の少なくとも一方にて開口する穴部が、前記コンデンサ内ビア導体を包囲するように設けられ、前記穴部内に、前記内部電極に電気的に接続されていないダミービア導体が、前記コンデンサ内ビア導体と同じ材料を用いて形成されていることを特徴とするコンデンサ。

（２）技術的思想（１）において、前記穴部の深さが前記第２誘電体積層部の厚さと等しいことを特徴とするコンデンサ。

（３）技術的思想（２）において、前記穴部の深さが前記第２誘電体積層部の厚さよりも小さいことを特徴とするコンデンサ。

（４）コンデンサ主面及びコンデンサ裏面を有する板状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の厚さ方向に沿って延びる複数のビア穴内に形成された複数のコンデンサ内ビア導体とを備えるコンデンサであって、前記コンデンサ本体が、複数の第１誘電体層と前記複数のコンデンサ内ビア導体に電気的に接続された複数の内部電極とを交互に積層してなる第１誘電体積層部と、複数の第２誘電体層と、前記複数のコンデンサ内ビア導体に電気的に接続されていないダミー電極層とを交互に積層してなり、前記コンデンサ本体の前記コンデンサ主面または前記コンデンサ裏面にて露出するように配置された第２誘電体積層部とを含んで構成され、前記ダミー電極層は、前記内部電極と同じ材料を用いて形成され、厚さ方向から見て前記第２誘電体積層部の少なくとも外周部となる領域に、前記第２誘電体積層部の厚さ方向に沿って延びるとともに前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ裏面の少なくとも一方にて開口する穴部が、前記コンデンサ内ビア導体を包囲するように設けられていることを特徴とするコンデンサ。

（５）技術的思想（４）において、前記ダミー電極層の厚さは、前記内部電極の厚さ以上であることを特徴とするコンデンサ。

１０，３４１，３４３…配線基板
１０１，３０１，３１１，３２１，３３１，３５１，３６１，３６３…コンデンサとしてのセラミックコンデンサ
１０２…コンデンサ主面
１０３…コンデンサ裏面
１０４…コンデンサ本体としてのセラミック焼結体
１０５…第１誘電体層としてのセラミック誘電体層
１０７…第１誘電体積層部としてのコンデンサ形成層部
１０８，１０９…第２誘電体積層部としてのカバー層部
１１０…辺
１３０…ビア穴
１３１…コンデンサ内ビア導体としての電源用コンデンサ内ビア導体
１３２…コンデンサ内ビア導体としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
１４１…内部電極としての電源用内部電極
１４２…内部電極としてのグランド用内部電極
１５３…第２誘電体層としてのセラミック誘電体層
１５４…ダミー電極層
１６１，１６３，１６５，１６７…穴部
１６２，１６４，１６６，１６８，３６２，３６４…ダミービア導体
３４２，３４４…基板主面

Claims (10)

1. コンデンサ主面及びコンデンサ裏面を有する板状のコンデンサ本体と、
   前記コンデンサ本体の厚さ方向に沿って延びる複数のビア穴内に形成された複数のコンデンサ内ビア導体と
   を備えるコンデンサであって、
   前記コンデンサ本体が、
   複数の第１誘電体層と前記複数のコンデンサ内ビア導体に電気的に接続された複数の内部電極とを交互に積層してなる第１誘電体積層部と、
   前記コンデンサ本体の前記コンデンサ主面または前記コンデンサ裏面にて露出するように配置された第２誘電体積層部と
   を含んで構成され、
   厚さ方向から見て前記第２誘電体積層部の少なくとも外周部となる領域に、前記第２誘電体積層部の厚さ方向に沿って延びるとともに前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ裏面の少なくとも一方にて開口する穴部が、前記コンデンサ内ビア導体を包囲するように設けられている
   ことを特徴とするコンデンサ。
2. 前記穴部内に、前記内部電極に電気的に接続されていないダミービア導体が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
3. 複数の前記穴部が、前記第２誘電体積層部の外周部に形成されるとともに、前記第２誘電体積層部の厚さ方向から見て環状にかつ複数列に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のコンデンサ。
4. 前記穴部は、前記第１誘電体積層部及び前記第２誘電体積層部を厚さ方向に貫通し、前記コンデンサ本体の前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ裏面の両方にて開口していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコンデンサ。
5. 前記コンデンサ本体は、厚さ方向から見て４つの辺を有する略矩形板状をなし、
   前記穴部は、前記第２誘電体積層部の外周部において、前記４つの辺のうちの少なくとも１辺と平行に延びるスリット状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のコンデンサ。
6. 前記第２誘電体積層部は、複数の第２誘電体層と、前記複数のコンデンサ内ビア導体に電気的に接続されていないダミー電極層とを交互に積層してなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のコンデンサ。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載のコンデンサを内蔵した配線基板。
8. 基板主面を有し、その基板主面上に請求項１乃至６のいずれか１項に記載のコンデンサをフリップチップ方式にて表面実装した配線基板。
9. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載のコンデンサを製造する方法であって、
   前記第１誘電体積層部となるセラミックの第１グリーンシートと、前記第２誘電体積層部となるセラミックの第２グリーンシートとを積層一体化して、グリーンシート積層体を作製する積層工程と、
   レーザー加工を行うことによって、前記グリーンシート積層体に前記ビア穴と前記穴部とを形成する穴開け工程と、
   前記ビア穴及び前記穴部のうち少なくとも前記ビア穴内に、ビア導体形成用材料を充填するビア充填工程と、
   セラミックが焼結しうる温度に前記グリーンシート積層体を加熱して、前記第１グリーンシート、前記第２グリーンシート及び前記ビア導体形成用材料を焼成する焼成工程と
   を含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
10. 前記積層工程では、前記第１グリーンシートの第１面側及び第２面側の両方にそれぞれ前記第２グリーンシートを積層し、
    前記穴開け工程は、前記グリーンシート積層体に前記ビア穴を形成するビア穴形成工程と、前記第１グリーンシートの第１面側に積層した第２グリーンシートに前記穴部を形成する第１穴部形成工程と、前記第１穴部形成工程後、前記グリーンシート積層体を裏返した状態で、前記第１グリーンシートの第２面側に積層した第２グリーンシートに前記穴部を形成する第２穴部形成工程とを含む
    ことを特徴とする請求項９に記載のコンデンサの製造方法。

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