JP2010239073A - 固体撮像素子、撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】画素を微細化しても、感度や光電変換の効率が充分に得られる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フローティングディフュージョンFDを共用する複数個の画素により構成された基本セルと、基本セルを構成する複数個の画素で共用され、複数個の画素の外側に配置されたトランジスタTr1,Tr2,Tr3と、基本セルの各画素で共用されるフローティングディフュージョンFDに転送ゲート2を介して接続された受光部1と、ほぼ等しい間隔に配置されているオンチップレンズ5と、平面位置が、受光部1の中心1CからトランジスタTr1,Tr2,Tr3の側に寄るようにずれて形成された、第1の光導波路3及びその上層の第2の光導波路4とを含む固体撮像素子を構成する。そして、第1の光導波路3は、平面位置が受光部1の内部に含まれる。
【選択図】図1

Description

本発明は、受光部上に光導波路を設けた構造の固体撮像素子、並びに固体撮像素子を備えた撮像装置に係わる。
固体撮像素子において、撮像素子の中心から画素までの距離が離れるほど、その画素に入射する光は斜めに傾いていく。そのため、最上部のレンズが光電変換部(受光部)の真上にあると、光電変換部(受光部)に入射する光の量が少なくなってしまう。
そこで、撮像素子の中心から画素までの距離に対応して、レンズと光電変換部(受光部)の各水平方向の位置をずらして、レンズを撮像素子の中心に近くした構成が提案されている(例えば、特許文献1〜特許文献3参照。)。この構成とすることにより、レンズを通過した斜めの入射光が、光電変換部(受光部)に多く入射するようになり、充分な感度が得られる。このように、レンズ等の部品と受光部との各水平方向の位置をずらすことは、瞳補正と呼ばれている。
前記特許文献2では、さらに、レンズと受光部との間に光導波路を設けている。
そして、撮像素子の中心から画素までの位置が離れるに従って、レンズ−光導波路−受光部の順で撮像素子の中心からの距離が遠くなるように、これらの水平位置をずらした構成としている。
ところで、CMOS型の固体撮像素子において、従来は、1画素毎にそれぞれ、トランジスタやフローティングディフュージョンが設けられていた。
このようにトランジスタやフローティングディフュージョンが画素毎にあるために、画素の微細化を図るときには制約となってしまう。そして、画素を微細化すると、受光部の面積が小さくなって、電荷量が少なくなるため、非常に暗い画素となりやすく、また、ランダムノイズが画像信号に乗りやすくなってしまう。
そこで、トランジスタやフローティングディフュージョンを、複数個の画素で共用することにより、これらの占める面積の割合を低減して、受光部の面積の割合を増やすことが提案されている(例えば、特許文献4参照)。
特開2006−261247号公報 特開2006−261249号公報 特開2006−324439号公報 特開2006−303468号公報
光導波路は、その内部に材料を埋め込む工程が必要であるが、画素を微細化すると光導波路の口径が小さくなって、製造時に空泡が発生しやすくなる等、光導波路の埋め込み性が悪化するため、光導波路を有する画素の微細化には限界がある。
このように光導波路の埋め込み性が悪化することにより、画素によって埋め込み性にばらつきが大きく生じるため、製造歩留まりが低下してしまう。
そこで、光導波路を有する固体撮像素子に対して、前記特許文献4に記載されているような、トランジスタやフローティングディフュージョンを複数個の画素で共用することが考えられる。トランジスタやフローティングディフュージョンを複数個の画素で共用することにより、共用しない場合と比較して、受光部の面積の割合を増やし、受光部の面積を広げることが可能になる。そして、画素を微細化したときの受光部の面積の縮小の度合いを緩和することができるので、光導波路の口径の縮小の度合いも緩和することができる。
従来のトランジスタやフローティングディフュージョンを共用しない場合には、オンチップレンズに対して瞳補正をするか瞳補正をしないかにかかわらず、受光部の間隔はほぼ一定となっている。
しかしながら、トランジスタやフローティングディフュージョンを複数個の画素で共用すると、受光部の間隔が一定でなくなる。これは、受光部が共用するフローティングディフュージョンの側に寄るように配置されると共に、フローティングディフュージョンとは反対側(外側)にトランジスタが配置されるためである。
これに対して、オンチップレンズは、ほぼ等しい間隔で配置することが望ましい。オンチップレンズの間隔が等しくないと、各画素のオンチップレンズを同じ直径及び同じ曲率に形成したときに、オンチップレンズの間隔が広い箇所において、オンチップレンズの間に入射光が集束しない領域、所謂無効領域が広くなってしまう。
従って、間隔が一定でない受光部と、ほぼ等しい間隔で配置されたオンチップレンズとは、平面位置がある程度ずれることになる。オンチップレンズに対して瞳補正を行った場合には、瞳補正の向きとは異なる向きにも平面位置がずれる。
上述のように受光部とオンチップレンズの平面位置がずれた状態で、これらの間に光導波路を設けるときに、オンチップレンズの中心の下に光導波路を配置すると、光導波路の一部が受光部からはみ出ることがある。光導波路の一部が受光部からはみ出ると、はみ出た部分を通った光は光電変換されず、ロスになる。そのため、感度が下がり、光電変換の効率も悪くなる。
また、光導波路の一部が、隣の画素の受光部にかかることがあり、この場合、混色を生じる。
一方、受光部の中心の上に光導波路を配置すると、オンチップレンズの中心から光導波路がずれているので、オンチップレンズで集めた光を光導波路に導きにくくなる。光導波路に導かれなかった光はロスになり、やはり、感度が下がり、光電変換の効率も悪くなる。
前記特許文献1に記載の構成では、光導波路を2層形成しており、瞳補正を行うために、上層の光導波路上段の方が、下層の光導波路よりも固体撮像素子の中心方向に偏心している。このため、上層の光導波路の開口口径を、下層の光導波路の開口口径よりも大きく作製する必要がある。この場合、上層の光導波路を通過した光のうち、下層の光導波路に入らない光を生じることがある。
上述した問題の解決のために、本発明においては、画素を微細化しても、感度や光電変換の効率が充分に得られる固体撮像素子を提供するものである。また、この固体撮像素子を備えた撮像装置を提供するものである。
本発明の固体撮像素子は、画素毎にそれぞれ形成された、光電変換が行われる受光部と、受光部の上方の絶縁層内に埋め込まれて形成され、光を受光部に導く光導波路と、光導波路の上方に形成されたオンチップレンズとを含む固体撮像素子である。そして、フローティングディフュージョンを共用する複数個の画素により構成された基本セルと、この基本セルを構成する複数個の画素で共用され、複数個の画素の外側に配置されたトランジスタとを含む。また、基本セルの各画素で共用されるフローティングディフュージョンに転送ゲートを介して接続された受光部と、ほぼ等しい間隔に配置されているオンチップレンズとを含む。さらに、平面位置が、受光部の中心からトランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ、受光部の内部に含まれるように形成された、第1の光導波路を含む。さらに、第1の光導波路より上層に形成され、平面位置が、受光部の中心からトランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ、第1の光導波路の内部及びオンチップレンズの内部に含まれるように形成された、第2の光導波路を含む。
本発明の撮像装置は、入射光を集光する集光光学部と、この集光光学部で集光した入射光を受光して光電変換する固体撮像素子と、この固体撮像素子で光電変換されて得られた信号を処理する信号処理部とを含む。そして、本発明の撮像装置は、固体撮像素子が前記本発明の固体撮像素子の構成であるものである。
上述の本発明の固体撮像素子の構成によれば、基本セルの複数個の画素でフローティングディフュージョンとトランジスタを共用し、フローティングディフュージョンに転送ゲートを介して受光部を接続している。これにより、共用しない場合と比較して、受光部の面積の割合を増やし、受光部の面積を広げることが可能になる。そして、画素を微細化したときの受光部の面積の縮小の度合いを緩和することができる。このため、光導波路の寸法を埋め込み性の限界にならないようにして、かつ限界近くまで画素を微細化することが可能になる。
また、オンチップレンズが等しい間隔に形成されているので、所謂無効領域を少なくすることができ、無効領域によるロスの発生を抑制することができる。
さらに、第2の光導波路の平面位置が、受光部の中心からトランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ第1の光導波路の内部及びオンチップレンズの内部に含まれるように形成されている。これにより、オンチップレンズで集めた光を充分に第2の光導波路へ導くことができ、第2の光導波路を通った光が確実に第1の光導波路に入射する。
さらにまた、第1の光導波路の平面位置が、受光部の中心からトランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ受光部の内部に含まれるように形成されている。これにより、第1の光導波路を通った光が確実に受光部に入射する。また、第1の光導波路を通った光が隣の画素の受光部に入射して生じる混色を、防ぐことができる。
上述の本発明の撮像装置の構成によれば、固体撮像素子が前記本発明の撮像装置の構成であるので、固体撮像素子の画素を微細化することができ、無効領域によるロスの発生を抑制することができる。また、オンチップレンズと光導波路を通った光を、確実に受光部に入射させることが可能になる。
上述の本発明によれば、画素を微細化したときの受光部の面積の縮小の度合いを緩和することができるので、画素を微細化して、固体撮像素子の集積度を高めることや、固体撮像素子を備えた撮像装置の多画素化や小型化を図ることができる。
そして、無効領域によるロスの発生を抑制することができ、オンチップレンズで集めた光を充分に第2の光導波路へ導くことができ、第2の光導波路から第1の光導波路を通った光が確実に受光部に入射するので、感度や光電変換の効率を向上することができる。
従って、本発明により、画素を微細化しても感度や光電変換の効率が充分に得られる固体撮像素子、並びに、固体撮像素子を備えた撮像装置を実現することができる。
本発明の固体撮像素子の第1の実施の形態の概略構成図(平面図)である。 図1の固体撮像素子の4つの基本セルの平面図である。 図1のうち、第1の光導波路及び第2の光導波路と受光部とトランジスタ等を示す図である。 図1のうち、オンチップレンズのみを示す図である。 図1のうち、オンチップレンズと第1の光導波路及び第2の光導波路を示す図である。 図1の固体撮像素子の1画素の断面図である。 画素の模式的な平面レイアウト図である。 図1の36個の画素に対すカラーフィルターの色の配置の一形態を示す図である。 図1の固体撮像素子の基本セルの4個の画素の等価回路図の一形態を示す図である。 基本セルの4個の画素が使用するトランジスタの位置関係を示す図である。 A 第1の例の配線の一形態を示す図である。B 第2の例の配線の一形態を示す図である。 本発明の固体撮像素子の第2の実施の形態の概略構成図(平面図)である。 図12の固体撮像素子の2個の基本セルの平面図である。 図12のうち、オンチップレンズと第1の光導波路及び第2の光導波路を示す図である。 図12の固体撮像素子の基本セルの2個の画素の等価回路図の一形態を示す図である。 A〜D 第1の光導波路及び第2の光導波路の断面形状の各形態を示す図である。 第1の変形例のトランジスタ、受光部、第1の光導波路及び第2の光導波路の配置を示す図である。 第2の変形例のトランジスタ、受光部、第1の光導波路及び第2の光導波路の配置を示す図である。 第3の変形例のトランジスタ、受光部、第1の光導波路及び第2の光導波路の配置を示す図である。 撮像素子の中心の位置が異なる変形例の図1に対応する図である。 撮像素子の中心の位置が異なる変形例の図4に対応する図である。 本発明の撮像装置の一実施の形態の概略構成図(ブロック図)である。
以下、発明を実施するための最良の形態(以下、実施の形態とする)について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.固体撮像素子の第1の実施の形態
2.固体撮像素子の第2の実施の形態
3.変形例
4.撮像装置の実施の形態
<1.固体撮像素子の第1の実施の形態>
本発明の固体撮像素子の第1の実施の形態の概略構成図(平面図)を、図1に示す。
図1に示すように、この固体撮像素子は、多数の画素が縦横にマトリクス状に配置されてなる。図1では、撮像素子の中心Cの周囲の縦6個×横6個=36個の画素を示している。
各画素は、フォトダイオードからなり、受光した光の光電変換が行われる受光部1と、入射光を受光部へ導く第1の光導波路3及び第2の光導波路4と、入射光を集束させるオンチップレンズ5とを備えている。第1の光導波路3及び第2の光導波路4は、いずれも断面形状が円形であり、第1の光導波路3が下層(受光部1側)にあり、第2の光導波路4が上層(オンチップレンズ5側)にある。そして、下層の第1の光導波路3よりも、上層の第2の光導波路4は、口径が小さくなっている。
また、縦2個×横2個の合計4個の画素において、光で変換して得られた電荷を蓄積することができるフローティングディフュージョンFDを共用している。そして、4個の画素のそれぞれにおいて、受光部1と、4個で共用しているフローティングディフュージョンFDとの間に、転送ゲート2が設けられている。
さらに、フローティングディフュージョンFDを共用する4個の画素の上下に、トランジスタTr1,Tr2,Tr3が配置されている。各トランジスタTr1,Tr2,Tr3の構成は、特に限定されないが、例えば、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ等を含む。
ここで、図1の右下の4個の画素を抽出して、図2に示す。
本実施の形態の固体撮像素子では、フローティングディフュージョンFDを共用する4個の画素を基本セルとしており、この図2は、図1の右下の基本セルと撮像素子の中心Cとを示している。
図2に示すように、4個の画素のそれぞれにおいて、第1の光導波路3の中心(図示せず)及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cからずれている。
具体的には、図中上側の2個の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが受光部1の中心1Cよりも上側にずれている。図中下側の2個の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが受光部1の中心1Cよりも下側にずれている。
また、撮像素子の中心Cから各画素の受光部1の中心1Cに線を結んで考えると、上側の2個の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近くなっている。下側の2個の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が遠くなっている。即ち、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素と、距離が遠い画素とが、混在している。
図1の全体の平面図に戻って考えてみると、全体としても、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素と、距離が遠い画素とが、混在していることがわかる。第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素は、上から2行目の各画素と、下から2行目の各画素である。その他の4行の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が遠くなっている。
前記特許文献1等に記載されている従来例では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が同じか近い画素ばかりである。そして、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cの方が遠い画素は存在しない。この点で、本実施の形態の構成は、従来例とは全く異なっている。
図1の固体撮像素子の一部の部品を抽出した平面図を、図3〜図5に示す。図3は、第1の光導波路3及び第2の光導波路4と受光部1とトランジスタTr1,Tr2,Tr3等を示している。図4は、オンチップレンズ5のみを示している。図5は、オンチップレンズ5と第1の光導波路3と第2の光導波路4を示している。なお、図3〜図5において、部品と共に、撮像素子の中心Cを示している。
図3に示すように、各画素の受光部1は、4つの画素を基本セルとして、規則的に配置されている。
基本セルの4つの画素は、共用するフローティングディフュージョンFDの周りに集まっている。
一方、トランジスタTr1,Tr2,Tr3を挟む上下2つの画素は、間隔が離れている。そして、1行置きに、画素の間隔が変わっている。即ち、同じ基本セル内の画素との画素間隔1aよりも、トランジスタを挟んだ基本セルの画素との画素間隔1cが大きくなっている。
また、隣の基本セルの画素は同じ基本セルの画素よりも間隔が離れている。そして、1列置きに、画素の間隔が変わっている。即ち、同じ基本セル内の画素との画素間隔1bよりも、隣の基本セルの画素との画素間隔1dが大きくなっている。
以下、第1の光導波路3は、その上下方向の間隔を導波路間隔3a及び導波路間隔3cとし、その左右方向の間隔を導波路間隔3b及び導波路間隔3dとする。また、第2の光導波路4は、その上下方向の間隔を導波路間隔4a及び導波路間隔4cとし、その左右方向の間隔を導波路間隔4b及び導波路間隔4dとする。
第1の光導波路3は、上下方向の間隔が1行置きに異なっている。即ち、同じ基本セル内の画素との導波路間隔3aと、トランジスタを挟んだ基本セルの画素との導波路間隔3cとが異なっている。また、左右方向の間隔は1列置きにわずかに変わっており、同じ基本セル内の画素との導波路間隔3bと、トランジスタを挟んだ基本セルの画素との導波路間隔3dとがわずかに異なっている。
これに対して、第2の光導波路4は、上下方向に、ほぼ等しい間隔に配置されている。即ち、同じ基本セル内の画素との導波路間隔4aと、トランジスタを挟んだ基本セルの画素との導波路間隔4cとがほぼ等しくなっている。また、左右方向の間隔は1列置きにわずかに変わっており、同じ基本セル内の画素との導波路間隔4bと、トランジスタを挟んだ基本セルの画素との導波路間隔4dとがわずかに異なっている。
さらに、いずれの画素においても、第1の光導波路3及び第2の光導波路4は、その平面配置が、受光部1の内部に含まれるようになっている。
また、上層の第2の光導波路4は、その平面位置が下層の第1の光導波路3の内部に含まれるようになっている。
図4に示すように、オンチップレンズ5は、上下方向、左右方向とも、ほぼ等しい間隔に配置されている。即ち、同じ基本セル内の画素とのレンズ間隔と、トランジスタを挟んだ基本セルの画素とのレンズ間隔とがほぼ等しい間隔5aとなっている。また、同じ基本セル内の画素とのレンズ間隔と、隣の基本セルの画素とのレンズ間隔とがほぼ等しい間隔5bとなっている。
なお、オンチップレンズの間隔が等しくないと、各画素のオンチップレンズを同じ直径及び同じ曲率に形成したときに、オンチップレンズの間隔が広い箇所において、オンチップレンズの間に入射光が集束しない領域、所謂無効領域が広くなってしまう。
図5に示すように、第1の光導波路3及び第2の光導波路4と、オンチップレンズ5とは、それぞれの相対位置が画素の位置によって変わっている。
撮像素子の中心Cから見て、上側の2行の画素では、第1の光導波路3がオンチップレンズ5の上部に寄っていて、第2の光導波路4がオンチップレンズ5の上半分にある。撮像素子の中心Cの両側の2行の画素では、第1の光導波路3及び第2の光導波路4がオンチップレンズ5の上下方向の中央付近にある。撮像素子の中心Cから見て、下側の2行の画素では、第1の光導波路3がオンチップレンズ5の下部に寄っていて、第2の光導波路4がオンチップレンズ5の下半分にある。
撮像素子の中心Cから見て、右側の2列の画素では、第1の光導波路3がオンチップレンズ5の右に寄っていて、第2の光導波路4がオンチップレンズ5の右半分にある。撮像素子の中心Cの両側の2列の画素では、第1の光導波路3及び第2の光導波路4がオンチップレンズ5の左右方向の中央付近にある。撮像素子の中心Cから見て、左側の2列の画素では、第1の光導波路3がオンチップレンズ5の左に寄っていて、第2の光導波路4がオンチップレンズ5の左半分にある。
さらに、いずれの画素においても、第2の光導波路4は、その平面配置が、オンチップレンズ5に含まれるようになっている。
これに対して、第1の光導波路3は、平面配置がオンチップレンズ5から少しはみ出している画素もある。
この第1の実施の形態では、オンチップレンズ5と受光部1との相対位置が、撮像素子の中心Cから見た画素の位置によって変わっている。そして、撮像素子の中心Cから画素までの距離に対応して、オンチップレンズ5が受光部1の中心1Cから撮像素子の中心Cの側にずれている。
即ち、オンチップレンズ5は、瞳補正がなされている。これに対して、第1の光導波路3及び第2の光導波路4は、瞳補正がなされていない。
また、各部品の間隔を見ると、以下のようになっている。
同じ基本セル内の上下の2画素について、画素間隔1aよりも、導波路間隔3aが広くなっている。同じ基本セル内の左右の2画素について、導波路間隔3bは、画素間隔1bより若干広くなっている。
同じ基本セル内の上下の2画素の画素間隔1aと、トランジスタを挟む2つの基本セルの画素の画素間隔1cとは異なっている。
また、導波路間隔3aと導波路間隔3cとは、ほぼ同じになっている。なお、導波路間隔3aと導波路間隔3cとは同じであることが望ましいが、同じでなくてもよい。
縦方向の導波路間隔を等間隔にすると、横方向の入射角度依存性が向上して、横縞やシェーディング等の光学特性を向上させることができる。
導波路間隔3bと導波路間隔3dとは、わずかに異なっていて、導波路間隔3dの方がやや広い。なお、導波路間隔3bと導波路間隔3dとは同じであることが望ましいが、同じでなくてもよい。
同じ基本セル内の左右の2画素の画素間隔1bと比較して、左右に隣接する2つの基本セルの画素の画素間隔1dが、やや広くなっている。なお、画素間隔1bと画素間隔1dとは同じであることが望ましいが、同じでなくてもよい。
導波路間隔3bと導波路間隔3dとの差が、画素間隔1bと画素間隔1dとの差とほぼ等しいので、第1の光導波路3の中心が受光部1の中心1C付近にある。
同じ基本セル内の上下の2画素について、画素間隔1aよりも、導波路間隔4aが広くなっている。なお、導波路間隔4aは、画素間隔1aと同等又は同等以上であればよい。
導波路間隔4cは、導波路間隔4aよりも大きくなっている。
導波路間隔4bと導波路間隔4dとは、わずかに異なっていて、導波路間隔4dの方がやや広い。
画素間隔1aと画素間隔1cの和は、導波路間隔3aと導波路間隔3cの和と同じであり、導波路間隔4aと導波路間隔4cの和と同じである。これらの和は、基本セルの上下方向のピッチに相当する。
画素間隔1bと画素間隔1dの和は、導波路間隔3bと導波路間隔3dの和と同じであり、導波路間隔4bと導波路間隔4dの和と同じである。これらの和は、基本セルの左右方向のピッチに相当する。
各画素の断面構造は、受光部1と第1の光導波路3と第2の光導波路4とオンチップレンズ5とを備えていれば、その他の構成は特に限定されない。
図1の固体撮像素子の画素の断面構造の一形態の断面図を、図6に示す。
図6に示すように、半導体基板10の例えばpウェル領域に、n型の電荷蓄積層11とその表層のpの正電荷蓄積領域12とが形成されて、受光部1が構成されている。さらに、受光部1の右に隣接して、半導体基板10上に、ゲート絶縁膜13及びゲート電極14が形成されている。ゲート電極14は、図1の転送ゲート2である。ゲート電極14の右に隣接して、半導体基板10内にフローティングディフュージョンFDが形成されている。半導体基板10には、図示しない断面において、トランジスタTr1,Tr2,Tr3のソース・ドレイン領域が形成されている。ゲート電極14への電圧の印加によって、信号電荷が受光部1からフローティングディフュージョンFDに転送される。
受光部1を被覆して、半導体基板10上に、それぞれ例えば酸化シリコンからなる、第1絶縁膜15、第2絶縁膜16、第3絶縁膜17、第4絶縁膜21、第5絶縁膜22、第6絶縁膜26、第7絶縁膜27、並びに、第8絶縁膜31が積層されている。また、これらの絶縁膜の層間に、例えば炭化シリコンからなる第1拡散防止膜20及び第2拡散防止膜25、並びに、例えば窒化シリコンからなる第3拡散防止膜30が積層されている。これらの絶縁膜及び拡散防止膜が積層されて、全体として絶縁層が構成されている。
第3絶縁膜17には、配線用溝が形成されて、この配線用溝にバリアメタル層18と導電層19とから構成される第1配線層が埋め込まれている。第5絶縁膜22においても同様に、配線用溝にバリアメタル層23と導電層24とから構成される第2配線層が埋め込まれている。第7絶縁膜27においても同様に、配線用溝にバリアメタル層28と導電層29とから構成される第2配線層が埋め込まれている。バリアメタル層18,23,28には、例えばタンタル/窒化タンタルの積層膜を使用することができる。導電層19,24,29には、銅等の各種配線用金属材料を使用することができる。前述した第1〜第3拡散防止膜は、導電層19,24,29を構成する銅等の金属の拡散を防止するための膜である。
第8絶縁膜31の上には、酸化シリコンからなる第9絶縁膜33が形成されている。
そして、受光部1の上方において、上述のように積層形成された、第2絶縁膜16及び第3絶縁膜17に対して、これらの膜を貫通するように絶縁膜の酸化シリコン(屈折率1.45)よりも高い屈折率を有する埋め込み層32が埋め込まれている。そして、この埋め込み層32によって下層の第1の光導波路3が構成されている。
また、受光部1の上方において、上述のように積層形成された、第4絶縁膜21〜第9絶縁膜33、第2拡散防止膜25及び第3拡散防止膜30に対して、これらの膜を貫通する凹部が形成され、第1拡散防止膜20が凹部の底面を構成している。
凹部の内側の壁面は、基板の主面に垂直な面となっており、さらに、凹部の縁部として第9絶縁膜33の部分において上方ほど広がる順テーパー状の開口形状部となっている。
凹部の内壁を被覆して、パッシベーション膜36が形成されている。また、例えば、パッシベーション膜36の上層において凹部に埋め込まれて、絶縁膜の酸化シリコン(屈折率1.45)よりも高い屈折率を有する埋め込み層37が形成されている。埋め込み層37は凹部の内部を完全に埋めている。
埋め込み層32や埋め込み層37には、シロキサン系樹脂(屈折率1.7)やポリイミド等の高屈折率樹脂等を使用することができる。また、これらの樹脂中に、例えば酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化ハフニウム等の金属酸化物微粒子を含有させて屈折率を高めることも可能である。また、凹部の内部を埋め込むことが可能であれば、高い屈折率を有する無機材料を使用することも可能である。なお、埋め込み層32と埋め込み層37とに、それぞれ異なる材料を使用しても構わない。
パッシベーション膜36には、絶縁膜の酸化シリコンに屈折率が同じか近い材料、或いは、酸化シリコンよりも屈折率が高い材料を、使用することができる。後者の例としては、窒化シリコンや酸窒化シリコン(SiON)が挙げられる。
パッシベーション膜36を絶縁膜の酸化シリコンに屈折率が同じか近い材料により形成した場合には、凹部の内部の埋め込み層37が上層の第2の光導波路4となる。
パッシベーション膜36を絶縁膜の酸化シリコンよりも屈折率が高い材料により形成した場合には、凹部の内部のパッシベーション膜36及び埋め込み層37によって、上層の第2の光導波路4が構成される。
埋め込み層37の上層に、例えば接着層としても機能する平坦化樹脂層38が形成され、その上層に、例えば、青色B、緑色G、赤色Rの各色のカラーフィルター39が画素毎に形成されている。カラーフィルター39の上層に、オンチップレンズ5が形成されている。
図6からわかるように、第1の光導波路3は、受光部1よりもやや狭い幅に形成されており、かつ、平面位置が、受光部1の平面位置の内部に含まれるように形成されている。また、第2の光導波路4は、受光部1や第1の光導波路3やオンチップレンズ5よりも狭い幅に形成されており、かつ、平面位置が、受光部1や第1の光導波路3やオンチップレンズ5の平面位置の内部に含まれるように形成されている。
この図6に示す画素構造を基本として、画素の撮像素子の中心Cからの位置によって、受光部1と第1の光導波路3と第2の光導波路4とオンチップレンズ5の平面位置をずらして、画素を形成する。
図6に示した画素の断面構造を有する固体撮像素子は、例えば以下のようにして、製造することができる。
半導体基板10の例えばpウェル領域に、n型の電荷蓄積層11とその表層のpの正電荷蓄積領域12とを順次形成して受光部1を形成すると共に、受光部1に隣接してゲート絶縁膜13及びゲート電極14を形成する。また、半導体基板10内にフローティングディフュージョンFDやトランジスタTr1,Tr2,Tr3のソース・ドレイン領域を形成する。
次に、例えば、CVD(化学的気相成長)法等により、受光部1を被覆して、全面的に酸化シリコンを堆積させて、第1絶縁膜15を形成する。
次に、例えば、第1絶縁膜15の上に酸化シリコンを堆積させて第2絶縁膜16を形成し、さらに酸化シリコンを堆積させて第3絶縁膜17を形成する。
次に、例えば、エッチング加工により第3絶縁膜17に配線用溝を形成し、さらにスパッタリングにより配線用溝の内壁を被覆して、例えばタンタル/酸化タンタルを成膜して、バリアメタル層18を形成する。
続いて、銅のシード層を形成して、電解メッキ処理により全面に銅を成膜し、CMP(化学的機械的研磨)法等により配線用溝の外に形成された銅を除去して、導電層19を形成する。
さらに、導電層19の表面にバリアメタル層18を形成し、配線用溝の外に形成されたバリアメタル層18を除去する。なお、図6では導電層19の表面にもバリアメタル層18を形成しているが、導電層19の表面にバリアメタル層18を形成しない場合には、この工程は省略される。
このようにして、配線用溝に埋め込まれたバリアメタル層18と導電層19からなる第1配線層を形成する。
次に、第2の絶縁膜16及び第3の絶縁膜17に対してエッチングを行って、第2の絶縁膜16及び第3の絶縁膜17を貫通する穴を形成する。
次に、例えば成膜温度が400℃程度のスピンコート法により、酸化チタン等の金属酸化物微粒子を含有するシロキサン系樹脂を成膜し、この穴の内部を埋めて、酸化シリコンよりも屈折率が高い埋め込み層32を形成する。塗布後に、必要に応じて例えば300℃程度のポストベーク処理を行う。また、ポリイミド樹脂の場合には、例えば350℃程度の温度で成膜できる。
次に、第1配線層の上に、例えばCVD法により炭化シリコンを堆積させ、第1拡散防止膜20を形成する。
続いて、第2絶縁膜16、第3絶縁膜17及びその配線用溝、バリアメタル層18と導電層19からなる第1配線層、第1拡散防止膜20を形成したプロセスと同様のプロセスを繰り返す。これにより、第4絶縁膜21、第5絶縁膜22及びその配線用溝、バリアメタル層23と導電層24からなる第2配線層、第2拡散防止膜25、第6絶縁膜26、第7絶縁膜27及びその配線用溝、バリアメタル層28と導電層29からなる第3配線層を形成する。さらに、例えばCVD法により窒化シリコンを堆積して第3拡散防止膜30を形成する。次に、第3拡散防止膜30の上に、第8絶縁膜31を形成する。
続いて、全面に、例えば酸化シリコンを堆積させて、第9絶縁膜33を形成する。
次に、例えば、フォトリソグラフィ工程により、凹部を開口するパターンのレジスト膜をパターン形成して、等方性エッチング或いは異方性エッチング等のエッチングを施し、第9絶縁膜33に上方ほど広がる順テーパー状の開口形状部を形成する。
次に、レジスト膜を除去して、例えばレジスト膜と同一のパターンの第2のレジスト膜をパターン形成する。そして、反応性イオンエッチング等の異方性エッチングを施して、第4絶縁膜21〜第9絶縁膜33、第2拡散防止膜25、第3拡散防止膜30に対して、凹部を形成する。このとき、例えば、酸化シリコンと窒化シリコンや炭化シリコン等の材料に応じて条件を変更しながらエッチングを進行させ、開口底部が第1拡散防止膜20に到達した時点で速やかにエッチングが停止するようにする。これにより、第1拡散防止膜20が凹部の底面となるので、凹部の深さを一定として、受光部1と第2の光導波路4との距離が一定になる。
このようにして、凹部の縁部として第9絶縁膜33の部分で順テーパー状の開口形状部となっている凹部を開口することができる。
次に、例えば成膜温度が380℃程度のプラズマCVD法により、凹部の内壁を被覆して、酸化シリコンよりも高い屈折率を有する窒化シリコン又は酸窒化シリコン(SiON)を堆積させて、パッシベーション膜36を形成する。開口部の縁部が順テーパー形状となっているが、堆積時の異方性により開口部の縁部で厚く堆積し、凹部の底部近くで薄くなるようなプロファイルとなる。
次に、例えば成膜温度が400℃程度のスピンコート法により、酸化チタン等の金属酸化物微粒子を含有するシロキサン系樹脂を成膜し、パッシベーション膜36の上層において凹部に埋め込んで、酸化シリコンよりも屈折率が高い埋め込み層37を形成する。塗布後に、必要に応じて例えば300℃程度のポストベーク処理を行う。また、ポリイミド樹脂の場合には、例えば350℃程度の温度で成膜できる。
次に、埋め込み層37の上層に例えば接着層としても機能する平坦化樹脂層38を形成する。その上層に、例えば、青色B、緑色G、赤色Rの各色のカラーフィルター39を画素毎に形成する。さらに、その上層にオンチップレンズ5を形成する。
上述した製造方法において、第3配線層の形成工程より後で、埋め込み層の形成工程の前において、半導体中のダングリングボンドを終端化するための水素処理(シンタリング)を行うことができる。
このようにして、図6に示した断面構造を有する固体撮像素子を製造することができる。
続いて、画素の模式的な平面レイアウト図を、図7に示す。
断面円形の第1の光導波路3が形成されており、その内側に断面円形の第2の光導波路4が形成されている。
また、図6における第1〜第3配線層等の配線層が、絶縁膜中において、光導波路3の周囲を囲むようにメッシュ状に形成されている。メッシュ状とは、例えば配線層と絶縁膜が上下に交互に積層した状態を示す。例えば、図中上下方向に延びる配線層W1,W2と、左右方向に延びる配線層W3,W4により囲まれた領域内において、第1の光導波路3及び第2の光導波路4が設けられている。配線層W1,W2,W3,W4のそれぞれが、例えばメッシュ状の構造を有している。
なお、図7には受光部1を示していないが、第1の光導波路3よりも外側に受光部1が形成されており、例えば図6の断面構造の場合、配線層W1,W2,W3,W4の位置付近に、受光部1の外縁がある。
次に、図1に示した36個の画素に対する、カラーフィルターの色の配置の一形態を、図8に示す。
図8に示す配置では、各基本セルの4個の画素に、赤色R及び青色Bが1つずつ、緑色G(Gb,Gr)が2つずつ、割り当てられている。そして、緑色G同士と、赤色R及び青色Bとが、それぞれフローティングディフュージョンFDを挟んで対向する画素に割り当てられている。
さらに、この第1の実施の形態の固体撮像素子の、基本セルの4個の画素の等価回路図の一形態を、図9に示す。
図9に示すように、4つの画素のフォトダイオードから成る受光部1が、転送ゲート2を介して共通のフローティングディフュージョンFDに接続されている。また、フローティングディフュージョンFDは、リセットトランジスタRSTの一方のソース・ドレイン領域と、増幅トランジスタAmpのゲートとに接続されている。増幅トランジスタAmpの一方のソース・ドレイン領域には、選択トランジスタSELの一方のソース・ドレイン領域が接続されている。リセットトランジスタRSTの他方のソース・ドレイン領域と、増幅トランジスタAmpの他方のソース・ドレイン領域とには、電源電位Vddが接続されている。選択トランジスタSELの他方のソース・ドレイン領域には、信号線100が接続されている。即ち、フローティングディフュージョンFDから、3つのトランジスタRST,Amp,SELの側は、通常の4トランジスタ(転送ゲートの転送トランジスタを含む)を有する画素と同様の構成となっている。
次に、図9に示した回路構成を、実際に形成した場合を説明する。
図10は、説明する2つの例における、基本セルの4個の画素が使用するトランジスタの位置関係を示す図である。基本セルの4個の画素の上側と下側に、それぞれ帯状のトランジスタTrが配置されている。
第1の例では、図10に鎖線で示すように、上側のトランジスタの右半分と、下側のトランジスタの右半分を使用する。各トランジスタの左半分は、上や下の基本セルの4個の画素で使用する。
第2の例では、図10に破線で示すように、下側のトランジスタ全体を使用する。上側のトランジスタは、上の基本セルの4個の画素で使用する。
第1の例の配線の一形態を、図11Aに示す。上側のトランジスタの右半分にリセットトランジスタRSTが形成され、下側のトランジスタの右半分に増幅トランジスタAmp及び選択トランジスタSELが形成されている。フローティングディフュージョンFDと、リセットトランジスタRSTの一方のソース・ドレイン領域及び増幅トランジスタAmpのゲートとを結んで、上下に配線110が形成されている。
第2の例の配線の一形態を、図11Bに示す。下側のトランジスタの右半分にリセットトランジスタRSTが形成され、中央に増幅トランジスタAmpが形成され、左半分に選択トランジスタSELが形成されている。フローティングディフュージョンFDと増幅トランジスタAmpのゲートとを結んで下側に上下に配線110が形成されており、その途中から配線110が右に分岐して、リセットトランジスタRSTの一方のソース・ドレイン領域に接続されている。
上述の本実施の形態によれば、基本セルの4個の画素でフローティングディフュージョンFDやトランジスタTr1,Tr2,Tr3を共用している。これにより、フローティングディフュージョンFDやトランジスタTr1,Tr2,Tr3を共用しない場合と比較して、受光部1の面積の割合を増やし、受光部1の面積を広げることが可能になる。そして、画素を微細化したときの受光部1の面積の縮小の度合いを緩和することができる。このため、第1の光導波路3や第2の光導波路4の寸法を埋め込み性の限界にならないようにして、かつ、限界近くまで画素を微細化することが可能になる。
従って、画素を微細化して、固体撮像素子の集積度を高めることや、固体撮像素子を備えた撮像装置の多画素化や小型化を図ることができる。
また、本実施の形態によれば、オンチップレンズ5が等間隔に形成されているので、所謂無効領域を少なくすることができ、無効領域によるロスの発生を抑制することができる。
さらに、第2の光導波路4の平面位置が、受光部1の中心1CからトランジスタTr1,Tr2,Tr3の側に寄るようにずれて形成され、かつ、第1の光導波路3の内部及びオンチップレンズ5の内部に含まれるように形成されている。これにより、オンチップレンズ5で集めた光を充分に第2の光導波路4へ導くことができ、第2の光導波路4を通った光が確実に第1の光導波路3に入射する。このように、第2の光導波路4の平面位置が第1の光導波路3の内部に含まれているので、前記特許文献1に記載の構成で生じるような下層の光導波路に入らない光をなくすことができる。
さらにまた、第1の光導波路3の平面位置が、受光部1の中心1CからトランジスタTr1,Tr2,Tr3の側に寄るようにずれて形成され、かつ、受光部の1の内部に含まれるように形成されている。これにより、第1の光導波路3を通った光を確実に受光部1に入射させることができる。また、第1の光導波路3を通った光が隣の画素の受光部1に入射して生じる混色を防ぐことができる。
従って、感度や光電変換の効率を向上することができるので、画素を微細化しても感度や光電変換の効率が充分に得られる固体撮像素子、並びに、固体撮像素子を備えた撮像装置を実現することができる。
また、本実施の形態によれば、第1の光導波路3と第2の光導波路4の2層の光導波路を設けている。これにより、上層の1層の光導波路だけの場合と比較して、混色の発生やロスを抑制できる。また、受光部1の中心1Cからのずらし量を2層に分担させることができるため、光導波路の設計の自由度を広げることや、オンチップレンズ5の受光部1からのずれの量が比較的大きい場合にも対応することが、可能になる。
また、本実施の形態によれば、第2の光導波路4がほぼ等しい間隔に配置されているので、横縞、色むら、シェーディング等の特性を向上することができる。
この第1の実施の形態では、撮像素子の中心Cから外側に向かうに従い、オンチップレンズ5の中心から第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心を離した配置となっている。このような配置を有する構成は、光学レンズが短焦点であるカメラ(例えば、携帯電話用のカメラ)に使用することが望ましい。
なお、第1の実施の形態の説明において、図1に示した36個の画素を有する場合を例示して説明したが、実際には同様の法則を適用して、数万以上の多数の画素を配置して固体撮像素子を構成することができる。
例えば、4画素の基本セルを75万個集積することによって、300万個の画素を集積することができる。
上述した第1の実施の形態では、図6や図8に示したように、カラーフィルターを使用したカラー固体撮像素子に適用していた。
本発明は、カラー固体撮像素子だけでなく、カラーフィルターを使用しない白黒の固体撮像素子や赤外光検出用の固体撮像素子、並びに一部の画素にカラーフィルターを設けないで赤外光受光用画素とした固体撮像素にも適用することができる。
<2.固体撮像素子の第2の実施の形態>
本発明の固体撮像素子の第2の実施の形態の概略構成図(平面図)を図12に示す。
図12に示すように、この固体撮像素子は、多数の画素が縦横にマトリクス状に配置されてなる。図12では、撮像素子の中心Cの周囲の縦6個×横6個=36個の画素を示している。
各画素は、フォトダイオードからなり、受光した光の光電変換が行われる受光部1と、入射光を受光部へ導く第1の光導波路3及び第2の光導波路4と、入射光を集束させるオンチップレンズ5とを備えている。第1の光導波路3及び第2の光導波路4は、第1の光導波路3が下層(受光部1側)にあり、第2の光導波路4が上層(オンチップレンズ5側)にある。そして、下層の第1の光導波路3よりも、上層の第2の光導波路4は、口径が小さくなっている。
また、左上の画素及び右下の画素の斜めに並ぶ2個の画素において、フローティングディフュージョンFDを共用している。そして、2個の画素のそれぞれにおいて、受光部1と、2個で共用しているフローティングディフュージョンFDとの間に、転送ゲート2が設けられている。
さらに、縦2個・横2個の4個の画素の上下に、トランジスタTr1,Tr2,Tr3が配置されている。各トランジスタTr1,Tr2,Tr3の構成は、特に限定されないが、例えば、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ等を含む。
ここで、図12の右下の4個の画素のうち、フローティングディフュージョンFDを共用する2個の画素を抽出して、図13に示す。
本実施の形態の固体撮像素子では、フローティングディフュージョンFDを共用する2個の画素を基本セルとしており、この図13は、図12の右下の基本セルと撮像素子の中心Cとを示している。
図13に示すように、2個の画素のそれぞれにおいて、第1の光導波路3の中心(図示せず)及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cからずれている。
具体的には、図中左上の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが受光部1の中心1Cよりも上側にずれている。図中右下の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが受光部1の中心1Cよりも下側にずれている。
また、撮像素子の中心Cから各画素の受光部1の中心1Cに線を結んで考えると、左上の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近くなっている。右下の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が遠くなっている。即ち、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素と、距離が遠い画素とが、混在している。
図12の全体の平面図に戻って考えてみると、全体としても、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素と、距離が遠い画素とが、混在していることがわかる。第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素は、上から2行目の各画素と、下から2行目の各画素である。その他の4行の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が遠くなっている。この点は、図1の第1の実施の形態と同様である。
図12の固体撮像素子のオンチップレンズ5と第1の光導波路3と第2の光導波路4を抽出して、図14に示す。図14において、部品と共に、撮像素子の中心Cを示している。
図14に示すように、第2の光導波路4とオンチップレンズ5とは、それぞれの相対位置が画素の位置によらず、ほぼ同じになっている。この点は、第1の実施の形態とは異なっている。なお、第1の光導波路3とオンチップレンズ5の相対位置は、画素の位置によって若干変わっている。
そして、各画素において、オンチップレンズ5の中心付近に第2の光導波路4がある。
図14に示すように、第2の光導波路4とオンチップレンズ5は、それぞれ、上下方向、左右方向とも、等しい間隔に配置されている。
さらに、いずれの画素においても、第2の光導波路4は、その平面配置が、オンチップレンズ5に含まれるようになっている。第1の光導波路3は、その平面配置が、ほぼオンチップレンズ5に含まれるようになっている。
この第2の実施の形態では、オンチップレンズ5と受光部1との相対位置が、若干ずれているが、そのずれの量は撮像素子の中心Cからの距離には対応していない。
即ち、オンチップレンズ5は、瞳補正がなされていない。第1の光導波路3及び第2の光導波路4も、瞳補正がなされていない。
この第2の実施の形態においても、各画素の断面構造は、受光部1と第1の光導波路3と第2の光導波路4とオンチップレンズ5とを備えていれば、その他の構成は特に限定されない。
例えば、図6に示した断面構造や、図7に示した平面レイアウトを、使用することができる。
さらに、この第2の実施の形態の固体撮像素子の、基本セルの2つの画素の等価回路図の一形態を、図15に示す。
図15に示すように、2つの画素のフォトダイオードから成る受光部1が、転送ゲート2を介して共通のフローティングディフュージョンFDに接続されている。また、フローティングディフュージョンFDは、リセットトランジスタRSTの一方のソース・ドレイン領域と、増幅トランジスタAmpのゲートとに接続されている。増幅トランジスタAmpの一方のソース・ドレイン領域には、選択トランジスタSELの一方のソース・ドレイン領域が接続されている。リセットトランジスタRSTの他方のソース・ドレイン領域と、増幅トランジスタAmpの他方のソース・ドレイン領域とには、電源電位Vddが接続されている。選択トランジスタSELの他方のソース・ドレイン領域には、信号線100が接続されている。即ち、フローティングディフュージョンFDから、3つのトランジスタRST,Amp,SELの側は、通常の4トランジスタ(転送ゲートの転送トランジスタを含む)と同様の構成となっている。
なお、この第2の実施の形態において、先に説明した第1の実施の形態と同様の構成については、同一符号を付して、重複説明を省略する。
上述の本実施の形態によれば、基本セルの2個の画素でフローティングディフュージョンFDやトランジスタTr1,Tr2,Tr3を共用している。これにより、フローティングディフュージョンFDやトランジスタTr1,Tr2,Tr3を共用しない場合と比較して、受光部1の面積の割合を増やし、受光部1の面積を広げることが可能になる。そして、画素を微細化したときの受光部1の面積の縮小の度合いを緩和することができる。このため、第1の光導波路3や第2の光導波路4の寸法を埋め込み性の限界にならないようにして、かつ、限界近くまで画素を微細化することが可能になる。
従って、画素を微細化して、固体撮像素子の集積度を高めることや、固体撮像素子を備えた撮像装置の多画素化や小型化を図ることができる。
また、本実施の形態によれば、オンチップレンズ5が等間隔に形成されているので、所謂無効領域を少なくすることができ、無効領域によるロスの発生を抑制することができる。
さらに、第2の光導波路4の平面位置が、受光部1の中心1CからトランジスタTr1,Tr2,Tr3の側に寄るようにずれて形成され、かつ、第1の光導波路3の内部及びオンチップレンズ5の内部に含まれるように形成されている。これにより、オンチップレンズ5で集めた光を充分に第2の光導波路4へ導くことができ、第2の光導波路4を通った光が確実に第1の光導波路3に入射する。このように、第2の光導波路4の平面位置が第1の光導波路3の内部に含まれているので、前記特許文献1に記載の構成で生じるような下層の光導波路に入らない光をなくすことができる。
さらにまた、第1の光導波路3の平面位置が、受光部1の中心1CからトランジスタTr1,Tr2,Tr3の側に寄るようにずれて形成され、かつ、受光部の1の内部に含まれるように形成されている。これにより、第1の光導波路3を通った光を確実に受光部1に入射させることができる。また、第1の光導波路3を通った光が隣の画素の受光部1に入射して生じる混色を防ぐことができる。
従って、感度や光電変換の効率を向上することができるので、画素を微細化しても感度や光電変換の効率が充分に得られる固体撮像素子、並びに、固体撮像素子を備えた撮像装置を実現することができる。
また、本実施の形態によれば、第1の光導波路3と第2の光導波路4の2層の光導波路を設けている。これにより、上層の1層の光導波路だけの場合と比較して、混色の発生やロスを抑制できる。また、受光部1の中心1Cからのずらし量を2層に分担させることができるため、光導波路の設計の自由度を広げることや、オンチップレンズ5の受光部1からのずれの量が比較的大きい場合にも対応することが、可能になる。
また、本実施の形態によれば、第2の光導波路4がほぼ等しい間隔に配置されているので、横縞、色むら、シェーディング等の特性を向上することができる。
この第2の実施の形態では、第2の光導波路4の中心とオンチップレンズ5の中心とがほぼ一致した配置となっているため、光を効率よく集光することができ、効率良く電荷を得ることができる。このような配置を有する構成は、光学レンズがズームレンズのような複数の焦点を持つカメラに使用することが望ましい。
なお、第2の実施の形態の説明において、図12に示した36個の画素を有する場合を例示して説明したが、実際には同様の法則を適用して、数万以上の多数の画素を配置して固体撮像素子を構成することができる。
例えば、2画素の基本セルを400万個集積することによって、800万個の画素を集積することができる。
上述の各実施の形態では、2つの画素又は4つの画素の基本セルでフローティングディフュージョンFDやトランジスタを共用していた。
本発明では、フローティングディフュージョン等を共用する基本セルの画素数は、複数であれば、特に限定されるものではない。
なお、配線や画素の配置が縦方向と横方向である場合には、基本セルの画素数が偶数であると、画素のレイアウトを考えやすい。
上述の各実施の形態では、トランジスタTr1,Tr2,Tr3のある上又は下に、第1の光導波路3及び第2の光導波路4を受光部1の中心1Cからずらしている。これに対して、第1の光導波路3及び第2の光導波路4を受光部1の中心1Cから左右方向にはごくわずかにずらしているだけか、ずらしていない。即ち、第1の光導波路3及び第2の光導波路4については瞳補正を行っていない。
本発明では、上述の各実施の形態の構成に対して、さらに第1の光導波路3及び/又は第2の光導波路4を、受光部1の中心1Cから左又は右にずらした構成としても構わない。例えば、瞳補正を考慮して、第1の光導波路3及び第2の光導波路4を右半分の画素では左にずらし、左半分の画素では右にずらし、ずらす量は撮像素子の中心Cからの距離に対応して変えるようにしても良い。
このように、本発明は、オンチップレンズに対して瞳補正を行うだけでなく光導波路に対しても瞳補正を行った構成についても、適用することが可能である。
<3.変形例>
固体撮像素子の実施の形態の変形例を、以下にいくつか示す。
まず、第1の光導波路3及び第2の光導波路4の断面形状の各形態を、図16に示す。
図16Aは、図7に示したと同様に円形の光導波路である。図16Bは、楕円形の光導波路である。図16Cは、長方形(矩形)の光導波路である。図16Dは、八角形の光導波路である。
これらの断面形状で、それぞれ実際に光導波路を有する固体撮像素子を作製したところ、いずれの断面形状でも、固体撮像素子として問題なく動作させることができた。
第1の光導波路3及び第2の光導波路4の断面形状を、これら以外の形状とすることも可能である。
なお、第1の光導波路及び第2の光導波路の断面形状は、外側に凸な形状とすることが望ましい。これにより、第1の光導波路及び第2の光導波路用の凹部や埋め込み層を安定して形成することができる。
次に、トランジスタの配置と、受光部1に対する第1の光導波路3及び第2の光導波路4の配置の各形態を、図17〜図19に示す。なお、図17〜図19においては、フローティングディフュージョンの図示を省略して、簡略化している。
図17に示す第1の変形例では、フローティングディフュージョンを共用する4個の基本セルの左右に、トランジスタTrを配置している。
基本セルの左側の2つの画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が左にずれている。
基本セルの右側の2つの画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が右にずれている。
図18に示す第2の変形例では、フローティングディフュージョンを共用する4個の基本セルの右と下に、トランジスタTrを配置している。この場合、上から2段目以降の基本セルでは、基本セルの上下左右にトランジスタTrが配置されていることになる。
基本セルの左上の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が左上にずれている。
基本セルの右上の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が右上にずれている。
基本セルの左下の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が左下にずれている。
基本セルの右下の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が右下にずれている。
図19に示す第3の変形例では、上下2個の画素でフローティングディフュージョンを共用して基本セルを構成し、基本セルの上下にトランジスタTrが配置されている。
基本セルの上の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が上側にずれている。
基本セルの下の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が下側にずれている。
上述した第1及び第2の実施の形態では、撮像素子の中心Cが、基本セルの各画素の間のフローティングディフュージョンFDの位置にある場合を説明した。本発明において、撮像素子の中心の位置は、フローティングディフュージョンFDの位置に限定されるものではなく、その他の位置であっても構わない。例えば、受光部の内部等の画素の内部や、トランジスタ付近等の基本セルの間であっても構わない。
ここで、撮像素子の中心Cが、受光部の内部にある場合の変形例について、図1及び図4に対応する平面図を、それぞれ、図20及び図21に示す。図20及び図21に示すように、撮像素子の中心Cが、受光部1の内部でオンチップレンズ5の中心付近にある。
<4.撮像装置の実施の形態>
次に、本発明の撮像装置の実施の形態を説明する。
本発明の撮像装置の一実施の形態の概略構成図(ブロック図)を、図22に示す。
この撮像装置としては、例えば、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯電話のカメラ等が挙げられる。
図22に示すように、撮像装置500は、固体撮像素子(図示せず)を備えた撮像部501を有している。この撮像部501の前段には、入射光を集光して像を結像させる結像光学系502が備えられている。また、撮像部501の後段には、撮像部501を駆動する駆動回路、固体撮像素子で光電変換された信号を画像に処理する信号処理回路等を有する信号処理部503が接続されている。また、信号処理部503によって処理された画像信号は、画像記憶部(図示せず)によって記憶させることができる。
このような撮像装置500において、固体撮像素子として、前述した実施の形態の固体撮像素子等の、本発明の固体撮像素子を用いることができる。
本実施の形態の撮像装置500によれば、本発明の固体撮像素子、即ち、前述したように、第1の光導波路3及び第2の光導波路4の平面位置を受光部1からずらして形成して、画素を微細化しても充分な感度や変換効率が得られる固体撮像素子を用いている。これにより、固体撮像素子の画素を微細化して撮像装置500の多画素化や小型化を図ることができ、比較的暗いところでも撮像を行うことができる、という利点がある。
なお、本発明の撮像装置は、図22に示した構成に限定されることはなく、固体撮像素子を用いる撮像装置であれば、適用することが可能である。
例えば、固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
本発明の撮像装置は、例えば、カメラや撮像機能を有する携帯機器等、各種の撮像装置に適用することができる。また、「撮像」の広義の意味として、指紋検出装置等も含む。
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
1 受光部、2 転送ゲート、3 第1の光導波路、4 第2の光導波路、5 オンチップレンズ、10 半導体基板、11 電荷蓄積層、12 正電荷蓄積領域、13 ゲート絶縁膜、14 ゲート電極、18,23,28 バリアメタル層、19,24,29 導電層、20 第1拡散防止膜、32,37 埋め込み層、36 パッシベーション膜、38 平坦化樹脂層、39 カラーフィルター、100 信号線、110 配線、500 撮像装置、501 撮像部、502 光学系、503 信号処理部、FD フローティングディフュージョン、RST リセットトランジスタ、Amp 増幅トランジスタ、SEL 選択トランジスタ

Claims (5)

  1. 画素毎にそれぞれ形成された、光電変換が行われる受光部と、前記受光部の上方の絶縁層内に埋め込まれて形成され、光を前記受光部に導く光導波路と、前記光導波路の上方に形成されたオンチップレンズとを含む固体撮像素子であって、
    フローティングディフュージョンを共用する複数個の前記画素により構成された基本セルと、
    前記基本セルを構成する複数個の前記画素で共用され、前記複数個の画素の外側に配置されたトランジスタと、
    前記基本セルの各前記画素で共用される前記フローティングディフュージョンに転送ゲートを介して接続された前記受光部と、
    ほぼ等しい間隔に配置されている、前記オンチップレンズと、
    平面位置が、前記受光部の中心から前記トランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ、前記受光部の内部に含まれるように形成された、第1の光導波路と、
    前記第1の光導波路より上層に形成され、平面位置が、前記受光部の中心から前記トランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ、前記第1の光導波路の内部及び前記オンチップレンズの内部に含まれるように形成された、第2の光導波路とを含む
    固体撮像素子。
  2. 各画素の前記第2の光導波路がほぼ等しい間隔に配置されている、請求項1に記載の固体撮像素子。
  3. 前記第2の光導波路が、前記絶縁層側の壁面に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の内側の埋め込み層から構成されている、請求項1に記載の固体撮像素子。
  4. 前記パッシベーション膜が酸窒化シリコンからなる、請求項3に記載の固体撮像素子。
  5. 画素毎にそれぞれ形成された、光電変換が行われる受光部と、前記受光部の上方の絶縁層内に埋め込まれて形成され、光を前記受光部に導く光導波路と、前記光導波路の上方に形成されたオンチップレンズとを含む固体撮像素子を備えた撮像装置であって、
    入射光を集光する集光光学部と、
    フローティングディフュージョンを共用する複数個の前記画素により構成された基本セルと、前記基本セルを構成する複数個の前記画素で共用され、前記複数個の画素の外側に配置されたトランジスタと、前記基本セルの各前記画素で共用される前記フローティングディフュージョンに転送ゲートを介して接続された前記受光部と、ほぼ等しい間隔に配置されている、前記オンチップレンズと、平面位置が、前記受光部の中心から前記トランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ、前記受光部の内部に含まれるように形成された、第1の光導波路と、前記第1の光導波路より上層に形成され、平面位置が、前記受光部の中心から前記トランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ、前記第1の光導波路の内部及び前記オンチップレンズの内部に含まれるように形成された、第2の光導波路とを含む前記固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子で光電変換されて得られた信号を処理する信号処理部とを含む
    撮像装置。
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