JP2010239073A - 固体撮像素子、撮像装置 - Google Patents
固体撮像素子、撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010239073A JP2010239073A JP2009088093A JP2009088093A JP2010239073A JP 2010239073 A JP2010239073 A JP 2010239073A JP 2009088093 A JP2009088093 A JP 2009088093A JP 2009088093 A JP2009088093 A JP 2009088093A JP 2010239073 A JP2010239073 A JP 2010239073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- pixels
- light receiving
- center
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】フローティングディフュージョンFDを共用する複数個の画素により構成された基本セルと、基本セルを構成する複数個の画素で共用され、複数個の画素の外側に配置されたトランジスタTr1,Tr2,Tr3と、基本セルの各画素で共用されるフローティングディフュージョンFDに転送ゲート2を介して接続された受光部1と、ほぼ等しい間隔に配置されているオンチップレンズ5と、平面位置が、受光部1の中心1CからトランジスタTr1,Tr2,Tr3の側に寄るようにずれて形成された、第1の光導波路3及びその上層の第2の光導波路4とを含む固体撮像素子を構成する。そして、第1の光導波路3は、平面位置が受光部1の内部に含まれる。
【選択図】図1
Description
そして、撮像素子の中心から画素までの位置が離れるに従って、レンズ−光導波路−受光部の順で撮像素子の中心からの距離が遠くなるように、これらの水平位置をずらした構成としている。
このようにトランジスタやフローティングディフュージョンが画素毎にあるために、画素の微細化を図るときには制約となってしまう。そして、画素を微細化すると、受光部の面積が小さくなって、電荷量が少なくなるため、非常に暗い画素となりやすく、また、ランダムノイズが画像信号に乗りやすくなってしまう。
このように光導波路の埋め込み性が悪化することにより、画素によって埋め込み性にばらつきが大きく生じるため、製造歩留まりが低下してしまう。
これに対して、オンチップレンズは、ほぼ等しい間隔で配置することが望ましい。オンチップレンズの間隔が等しくないと、各画素のオンチップレンズを同じ直径及び同じ曲率に形成したときに、オンチップレンズの間隔が広い箇所において、オンチップレンズの間に入射光が集束しない領域、所謂無効領域が広くなってしまう。
従って、間隔が一定でない受光部と、ほぼ等しい間隔で配置されたオンチップレンズとは、平面位置がある程度ずれることになる。オンチップレンズに対して瞳補正を行った場合には、瞳補正の向きとは異なる向きにも平面位置がずれる。
また、光導波路の一部が、隣の画素の受光部にかかることがあり、この場合、混色を生じる。
一方、受光部の中心の上に光導波路を配置すると、オンチップレンズの中心から光導波路がずれているので、オンチップレンズで集めた光を光導波路に導きにくくなる。光導波路に導かれなかった光はロスになり、やはり、感度が下がり、光電変換の効率も悪くなる。
また、オンチップレンズが等しい間隔に形成されているので、所謂無効領域を少なくすることができ、無効領域によるロスの発生を抑制することができる。
さらに、第2の光導波路の平面位置が、受光部の中心からトランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ第1の光導波路の内部及びオンチップレンズの内部に含まれるように形成されている。これにより、オンチップレンズで集めた光を充分に第2の光導波路へ導くことができ、第2の光導波路を通った光が確実に第1の光導波路に入射する。
さらにまた、第1の光導波路の平面位置が、受光部の中心からトランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ受光部の内部に含まれるように形成されている。これにより、第1の光導波路を通った光が確実に受光部に入射する。また、第1の光導波路を通った光が隣の画素の受光部に入射して生じる混色を、防ぐことができる。
そして、無効領域によるロスの発生を抑制することができ、オンチップレンズで集めた光を充分に第2の光導波路へ導くことができ、第2の光導波路から第1の光導波路を通った光が確実に受光部に入射するので、感度や光電変換の効率を向上することができる。
従って、本発明により、画素を微細化しても感度や光電変換の効率が充分に得られる固体撮像素子、並びに、固体撮像素子を備えた撮像装置を実現することができる。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.固体撮像素子の第1の実施の形態
2.固体撮像素子の第2の実施の形態
3.変形例
4.撮像装置の実施の形態
本発明の固体撮像素子の第1の実施の形態の概略構成図(平面図)を、図1に示す。
図1に示すように、この固体撮像素子は、多数の画素が縦横にマトリクス状に配置されてなる。図1では、撮像素子の中心Cの周囲の縦6個×横6個=36個の画素を示している。
各画素は、フォトダイオードからなり、受光した光の光電変換が行われる受光部1と、入射光を受光部へ導く第1の光導波路3及び第2の光導波路4と、入射光を集束させるオンチップレンズ5とを備えている。第1の光導波路3及び第2の光導波路4は、いずれも断面形状が円形であり、第1の光導波路3が下層(受光部1側)にあり、第2の光導波路4が上層(オンチップレンズ5側)にある。そして、下層の第1の光導波路3よりも、上層の第2の光導波路4は、口径が小さくなっている。
また、縦2個×横2個の合計4個の画素において、光で変換して得られた電荷を蓄積することができるフローティングディフュージョンFDを共用している。そして、4個の画素のそれぞれにおいて、受光部1と、4個で共用しているフローティングディフュージョンFDとの間に、転送ゲート2が設けられている。
さらに、フローティングディフュージョンFDを共用する4個の画素の上下に、トランジスタTr1,Tr2,Tr3が配置されている。各トランジスタTr1,Tr2,Tr3の構成は、特に限定されないが、例えば、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ等を含む。
本実施の形態の固体撮像素子では、フローティングディフュージョンFDを共用する4個の画素を基本セルとしており、この図2は、図1の右下の基本セルと撮像素子の中心Cとを示している。
具体的には、図中上側の2個の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが受光部1の中心1Cよりも上側にずれている。図中下側の2個の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが受光部1の中心1Cよりも下側にずれている。
また、撮像素子の中心Cから各画素の受光部1の中心1Cに線を結んで考えると、上側の2個の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近くなっている。下側の2個の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が遠くなっている。即ち、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素と、距離が遠い画素とが、混在している。
図1の全体の平面図に戻って考えてみると、全体としても、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素と、距離が遠い画素とが、混在していることがわかる。第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素は、上から2行目の各画素と、下から2行目の各画素である。その他の4行の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が遠くなっている。
前記特許文献1等に記載されている従来例では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が同じか近い画素ばかりである。そして、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cの方が遠い画素は存在しない。この点で、本実施の形態の構成は、従来例とは全く異なっている。
基本セルの4つの画素は、共用するフローティングディフュージョンFDの周りに集まっている。
一方、トランジスタTr1,Tr2,Tr3を挟む上下2つの画素は、間隔が離れている。そして、1行置きに、画素の間隔が変わっている。即ち、同じ基本セル内の画素との画素間隔1aよりも、トランジスタを挟んだ基本セルの画素との画素間隔1cが大きくなっている。
また、隣の基本セルの画素は同じ基本セルの画素よりも間隔が離れている。そして、1列置きに、画素の間隔が変わっている。即ち、同じ基本セル内の画素との画素間隔1bよりも、隣の基本セルの画素との画素間隔1dが大きくなっている。
以下、第1の光導波路3は、その上下方向の間隔を導波路間隔3a及び導波路間隔3cとし、その左右方向の間隔を導波路間隔3b及び導波路間隔3dとする。また、第2の光導波路4は、その上下方向の間隔を導波路間隔4a及び導波路間隔4cとし、その左右方向の間隔を導波路間隔4b及び導波路間隔4dとする。
第1の光導波路3は、上下方向の間隔が1行置きに異なっている。即ち、同じ基本セル内の画素との導波路間隔3aと、トランジスタを挟んだ基本セルの画素との導波路間隔3cとが異なっている。また、左右方向の間隔は1列置きにわずかに変わっており、同じ基本セル内の画素との導波路間隔3bと、トランジスタを挟んだ基本セルの画素との導波路間隔3dとがわずかに異なっている。
これに対して、第2の光導波路4は、上下方向に、ほぼ等しい間隔に配置されている。即ち、同じ基本セル内の画素との導波路間隔4aと、トランジスタを挟んだ基本セルの画素との導波路間隔4cとがほぼ等しくなっている。また、左右方向の間隔は1列置きにわずかに変わっており、同じ基本セル内の画素との導波路間隔4bと、トランジスタを挟んだ基本セルの画素との導波路間隔4dとがわずかに異なっている。
さらに、いずれの画素においても、第1の光導波路3及び第2の光導波路4は、その平面配置が、受光部1の内部に含まれるようになっている。
また、上層の第2の光導波路4は、その平面位置が下層の第1の光導波路3の内部に含まれるようになっている。
なお、オンチップレンズの間隔が等しくないと、各画素のオンチップレンズを同じ直径及び同じ曲率に形成したときに、オンチップレンズの間隔が広い箇所において、オンチップレンズの間に入射光が集束しない領域、所謂無効領域が広くなってしまう。
撮像素子の中心Cから見て、上側の2行の画素では、第1の光導波路3がオンチップレンズ5の上部に寄っていて、第2の光導波路4がオンチップレンズ5の上半分にある。撮像素子の中心Cの両側の2行の画素では、第1の光導波路3及び第2の光導波路4がオンチップレンズ5の上下方向の中央付近にある。撮像素子の中心Cから見て、下側の2行の画素では、第1の光導波路3がオンチップレンズ5の下部に寄っていて、第2の光導波路4がオンチップレンズ5の下半分にある。
撮像素子の中心Cから見て、右側の2列の画素では、第1の光導波路3がオンチップレンズ5の右に寄っていて、第2の光導波路4がオンチップレンズ5の右半分にある。撮像素子の中心Cの両側の2列の画素では、第1の光導波路3及び第2の光導波路4がオンチップレンズ5の左右方向の中央付近にある。撮像素子の中心Cから見て、左側の2列の画素では、第1の光導波路3がオンチップレンズ5の左に寄っていて、第2の光導波路4がオンチップレンズ5の左半分にある。
さらに、いずれの画素においても、第2の光導波路4は、その平面配置が、オンチップレンズ5に含まれるようになっている。
これに対して、第1の光導波路3は、平面配置がオンチップレンズ5から少しはみ出している画素もある。
即ち、オンチップレンズ5は、瞳補正がなされている。これに対して、第1の光導波路3及び第2の光導波路4は、瞳補正がなされていない。
同じ基本セル内の上下の2画素について、画素間隔1aよりも、導波路間隔3aが広くなっている。同じ基本セル内の左右の2画素について、導波路間隔3bは、画素間隔1bより若干広くなっている。
同じ基本セル内の上下の2画素の画素間隔1aと、トランジスタを挟む2つの基本セルの画素の画素間隔1cとは異なっている。
また、導波路間隔3aと導波路間隔3cとは、ほぼ同じになっている。なお、導波路間隔3aと導波路間隔3cとは同じであることが望ましいが、同じでなくてもよい。
縦方向の導波路間隔を等間隔にすると、横方向の入射角度依存性が向上して、横縞やシェーディング等の光学特性を向上させることができる。
導波路間隔3bと導波路間隔3dとは、わずかに異なっていて、導波路間隔3dの方がやや広い。なお、導波路間隔3bと導波路間隔3dとは同じであることが望ましいが、同じでなくてもよい。
同じ基本セル内の左右の2画素の画素間隔1bと比較して、左右に隣接する2つの基本セルの画素の画素間隔1dが、やや広くなっている。なお、画素間隔1bと画素間隔1dとは同じであることが望ましいが、同じでなくてもよい。
導波路間隔3bと導波路間隔3dとの差が、画素間隔1bと画素間隔1dとの差とほぼ等しいので、第1の光導波路3の中心が受光部1の中心1C付近にある。
同じ基本セル内の上下の2画素について、画素間隔1aよりも、導波路間隔4aが広くなっている。なお、導波路間隔4aは、画素間隔1aと同等又は同等以上であればよい。
導波路間隔4cは、導波路間隔4aよりも大きくなっている。
導波路間隔4bと導波路間隔4dとは、わずかに異なっていて、導波路間隔4dの方がやや広い。
画素間隔1aと画素間隔1cの和は、導波路間隔3aと導波路間隔3cの和と同じであり、導波路間隔4aと導波路間隔4cの和と同じである。これらの和は、基本セルの上下方向のピッチに相当する。
画素間隔1bと画素間隔1dの和は、導波路間隔3bと導波路間隔3dの和と同じであり、導波路間隔4bと導波路間隔4dの和と同じである。これらの和は、基本セルの左右方向のピッチに相当する。
図6に示すように、半導体基板10の例えばpウェル領域に、n型の電荷蓄積層11とその表層のp+の正電荷蓄積領域12とが形成されて、受光部1が構成されている。さらに、受光部1の右に隣接して、半導体基板10上に、ゲート絶縁膜13及びゲート電極14が形成されている。ゲート電極14は、図1の転送ゲート2である。ゲート電極14の右に隣接して、半導体基板10内にフローティングディフュージョンFDが形成されている。半導体基板10には、図示しない断面において、トランジスタTr1,Tr2,Tr3のソース・ドレイン領域が形成されている。ゲート電極14への電圧の印加によって、信号電荷が受光部1からフローティングディフュージョンFDに転送される。
第8絶縁膜31の上には、酸化シリコンからなる第9絶縁膜33が形成されている。
また、受光部1の上方において、上述のように積層形成された、第4絶縁膜21〜第9絶縁膜33、第2拡散防止膜25及び第3拡散防止膜30に対して、これらの膜を貫通する凹部が形成され、第1拡散防止膜20が凹部の底面を構成している。
凹部の内側の壁面は、基板の主面に垂直な面となっており、さらに、凹部の縁部として第9絶縁膜33の部分において上方ほど広がる順テーパー状の開口形状部となっている。
凹部の内壁を被覆して、パッシベーション膜36が形成されている。また、例えば、パッシベーション膜36の上層において凹部に埋め込まれて、絶縁膜の酸化シリコン(屈折率1.45)よりも高い屈折率を有する埋め込み層37が形成されている。埋め込み層37は凹部の内部を完全に埋めている。
パッシベーション膜36には、絶縁膜の酸化シリコンに屈折率が同じか近い材料、或いは、酸化シリコンよりも屈折率が高い材料を、使用することができる。後者の例としては、窒化シリコンや酸窒化シリコン(SiON)が挙げられる。
パッシベーション膜36を絶縁膜の酸化シリコンに屈折率が同じか近い材料により形成した場合には、凹部の内部の埋め込み層37が上層の第2の光導波路4となる。
パッシベーション膜36を絶縁膜の酸化シリコンよりも屈折率が高い材料により形成した場合には、凹部の内部のパッシベーション膜36及び埋め込み層37によって、上層の第2の光導波路4が構成される。
図6からわかるように、第1の光導波路3は、受光部1よりもやや狭い幅に形成されており、かつ、平面位置が、受光部1の平面位置の内部に含まれるように形成されている。また、第2の光導波路4は、受光部1や第1の光導波路3やオンチップレンズ5よりも狭い幅に形成されており、かつ、平面位置が、受光部1や第1の光導波路3やオンチップレンズ5の平面位置の内部に含まれるように形成されている。
この図6に示す画素構造を基本として、画素の撮像素子の中心Cからの位置によって、受光部1と第1の光導波路3と第2の光導波路4とオンチップレンズ5の平面位置をずらして、画素を形成する。
半導体基板10の例えばpウェル領域に、n型の電荷蓄積層11とその表層のp+の正電荷蓄積領域12とを順次形成して受光部1を形成すると共に、受光部1に隣接してゲート絶縁膜13及びゲート電極14を形成する。また、半導体基板10内にフローティングディフュージョンFDやトランジスタTr1,Tr2,Tr3のソース・ドレイン領域を形成する。
次に、例えば、第1絶縁膜15の上に酸化シリコンを堆積させて第2絶縁膜16を形成し、さらに酸化シリコンを堆積させて第3絶縁膜17を形成する。
次に、例えば、エッチング加工により第3絶縁膜17に配線用溝を形成し、さらにスパッタリングにより配線用溝の内壁を被覆して、例えばタンタル/酸化タンタルを成膜して、バリアメタル層18を形成する。
続いて、銅のシード層を形成して、電解メッキ処理により全面に銅を成膜し、CMP(化学的機械的研磨)法等により配線用溝の外に形成された銅を除去して、導電層19を形成する。
さらに、導電層19の表面にバリアメタル層18を形成し、配線用溝の外に形成されたバリアメタル層18を除去する。なお、図6では導電層19の表面にもバリアメタル層18を形成しているが、導電層19の表面にバリアメタル層18を形成しない場合には、この工程は省略される。
このようにして、配線用溝に埋め込まれたバリアメタル層18と導電層19からなる第1配線層を形成する。
次に、第2の絶縁膜16及び第3の絶縁膜17に対してエッチングを行って、第2の絶縁膜16及び第3の絶縁膜17を貫通する穴を形成する。
次に、例えば成膜温度が400℃程度のスピンコート法により、酸化チタン等の金属酸化物微粒子を含有するシロキサン系樹脂を成膜し、この穴の内部を埋めて、酸化シリコンよりも屈折率が高い埋め込み層32を形成する。塗布後に、必要に応じて例えば300℃程度のポストベーク処理を行う。また、ポリイミド樹脂の場合には、例えば350℃程度の温度で成膜できる。
続いて、第2絶縁膜16、第3絶縁膜17及びその配線用溝、バリアメタル層18と導電層19からなる第1配線層、第1拡散防止膜20を形成したプロセスと同様のプロセスを繰り返す。これにより、第4絶縁膜21、第5絶縁膜22及びその配線用溝、バリアメタル層23と導電層24からなる第2配線層、第2拡散防止膜25、第6絶縁膜26、第7絶縁膜27及びその配線用溝、バリアメタル層28と導電層29からなる第3配線層を形成する。さらに、例えばCVD法により窒化シリコンを堆積して第3拡散防止膜30を形成する。次に、第3拡散防止膜30の上に、第8絶縁膜31を形成する。
続いて、全面に、例えば酸化シリコンを堆積させて、第9絶縁膜33を形成する。
次に、レジスト膜を除去して、例えばレジスト膜と同一のパターンの第2のレジスト膜をパターン形成する。そして、反応性イオンエッチング等の異方性エッチングを施して、第4絶縁膜21〜第9絶縁膜33、第2拡散防止膜25、第3拡散防止膜30に対して、凹部を形成する。このとき、例えば、酸化シリコンと窒化シリコンや炭化シリコン等の材料に応じて条件を変更しながらエッチングを進行させ、開口底部が第1拡散防止膜20に到達した時点で速やかにエッチングが停止するようにする。これにより、第1拡散防止膜20が凹部の底面となるので、凹部の深さを一定として、受光部1と第2の光導波路4との距離が一定になる。
このようにして、凹部の縁部として第9絶縁膜33の部分で順テーパー状の開口形状部となっている凹部を開口することができる。
次に、例えば成膜温度が400℃程度のスピンコート法により、酸化チタン等の金属酸化物微粒子を含有するシロキサン系樹脂を成膜し、パッシベーション膜36の上層において凹部に埋め込んで、酸化シリコンよりも屈折率が高い埋め込み層37を形成する。塗布後に、必要に応じて例えば300℃程度のポストベーク処理を行う。また、ポリイミド樹脂の場合には、例えば350℃程度の温度で成膜できる。
上述した製造方法において、第3配線層の形成工程より後で、埋め込み層の形成工程の前において、半導体中のダングリングボンドを終端化するための水素処理(シンタリング)を行うことができる。
このようにして、図6に示した断面構造を有する固体撮像素子を製造することができる。
断面円形の第1の光導波路3が形成されており、その内側に断面円形の第2の光導波路4が形成されている。
また、図6における第1〜第3配線層等の配線層が、絶縁膜中において、光導波路3の周囲を囲むようにメッシュ状に形成されている。メッシュ状とは、例えば配線層と絶縁膜が上下に交互に積層した状態を示す。例えば、図中上下方向に延びる配線層W1,W2と、左右方向に延びる配線層W3,W4により囲まれた領域内において、第1の光導波路3及び第2の光導波路4が設けられている。配線層W1,W2,W3,W4のそれぞれが、例えばメッシュ状の構造を有している。
なお、図7には受光部1を示していないが、第1の光導波路3よりも外側に受光部1が形成されており、例えば図6の断面構造の場合、配線層W1,W2,W3,W4の位置付近に、受光部1の外縁がある。
図8に示す配置では、各基本セルの4個の画素に、赤色R及び青色Bが1つずつ、緑色G(Gb,Gr)が2つずつ、割り当てられている。そして、緑色G同士と、赤色R及び青色Bとが、それぞれフローティングディフュージョンFDを挟んで対向する画素に割り当てられている。
図9に示すように、4つの画素のフォトダイオードから成る受光部1が、転送ゲート2を介して共通のフローティングディフュージョンFDに接続されている。また、フローティングディフュージョンFDは、リセットトランジスタRSTの一方のソース・ドレイン領域と、増幅トランジスタAmpのゲートとに接続されている。増幅トランジスタAmpの一方のソース・ドレイン領域には、選択トランジスタSELの一方のソース・ドレイン領域が接続されている。リセットトランジスタRSTの他方のソース・ドレイン領域と、増幅トランジスタAmpの他方のソース・ドレイン領域とには、電源電位Vddが接続されている。選択トランジスタSELの他方のソース・ドレイン領域には、信号線100が接続されている。即ち、フローティングディフュージョンFDから、3つのトランジスタRST,Amp,SELの側は、通常の4トランジスタ(転送ゲートの転送トランジスタを含む)を有する画素と同様の構成となっている。
図10は、説明する2つの例における、基本セルの4個の画素が使用するトランジスタの位置関係を示す図である。基本セルの4個の画素の上側と下側に、それぞれ帯状のトランジスタTrが配置されている。
第1の例では、図10に鎖線で示すように、上側のトランジスタの右半分と、下側のトランジスタの右半分を使用する。各トランジスタの左半分は、上や下の基本セルの4個の画素で使用する。
第2の例では、図10に破線で示すように、下側のトランジスタ全体を使用する。上側のトランジスタは、上の基本セルの4個の画素で使用する。
従って、画素を微細化して、固体撮像素子の集積度を高めることや、固体撮像素子を備えた撮像装置の多画素化や小型化を図ることができる。
さらに、第2の光導波路4の平面位置が、受光部1の中心1CからトランジスタTr1,Tr2,Tr3の側に寄るようにずれて形成され、かつ、第1の光導波路3の内部及びオンチップレンズ5の内部に含まれるように形成されている。これにより、オンチップレンズ5で集めた光を充分に第2の光導波路4へ導くことができ、第2の光導波路4を通った光が確実に第1の光導波路3に入射する。このように、第2の光導波路4の平面位置が第1の光導波路3の内部に含まれているので、前記特許文献1に記載の構成で生じるような下層の光導波路に入らない光をなくすことができる。
さらにまた、第1の光導波路3の平面位置が、受光部1の中心1CからトランジスタTr1,Tr2,Tr3の側に寄るようにずれて形成され、かつ、受光部の1の内部に含まれるように形成されている。これにより、第1の光導波路3を通った光を確実に受光部1に入射させることができる。また、第1の光導波路3を通った光が隣の画素の受光部1に入射して生じる混色を防ぐことができる。
従って、感度や光電変換の効率を向上することができるので、画素を微細化しても感度や光電変換の効率が充分に得られる固体撮像素子、並びに、固体撮像素子を備えた撮像装置を実現することができる。
例えば、4画素の基本セルを75万個集積することによって、300万個の画素を集積することができる。
本発明は、カラー固体撮像素子だけでなく、カラーフィルターを使用しない白黒の固体撮像素子や赤外光検出用の固体撮像素子、並びに一部の画素にカラーフィルターを設けないで赤外光受光用画素とした固体撮像素にも適用することができる。
本発明の固体撮像素子の第2の実施の形態の概略構成図(平面図)を図12に示す。
図12に示すように、この固体撮像素子は、多数の画素が縦横にマトリクス状に配置されてなる。図12では、撮像素子の中心Cの周囲の縦6個×横6個=36個の画素を示している。
各画素は、フォトダイオードからなり、受光した光の光電変換が行われる受光部1と、入射光を受光部へ導く第1の光導波路3及び第2の光導波路4と、入射光を集束させるオンチップレンズ5とを備えている。第1の光導波路3及び第2の光導波路4は、第1の光導波路3が下層(受光部1側)にあり、第2の光導波路4が上層(オンチップレンズ5側)にある。そして、下層の第1の光導波路3よりも、上層の第2の光導波路4は、口径が小さくなっている。
また、左上の画素及び右下の画素の斜めに並ぶ2個の画素において、フローティングディフュージョンFDを共用している。そして、2個の画素のそれぞれにおいて、受光部1と、2個で共用しているフローティングディフュージョンFDとの間に、転送ゲート2が設けられている。
さらに、縦2個・横2個の4個の画素の上下に、トランジスタTr1,Tr2,Tr3が配置されている。各トランジスタTr1,Tr2,Tr3の構成は、特に限定されないが、例えば、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ等を含む。
本実施の形態の固体撮像素子では、フローティングディフュージョンFDを共用する2個の画素を基本セルとしており、この図13は、図12の右下の基本セルと撮像素子の中心Cとを示している。
具体的には、図中左上の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが受光部1の中心1Cよりも上側にずれている。図中右下の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが受光部1の中心1Cよりも下側にずれている。
また、撮像素子の中心Cから各画素の受光部1の中心1Cに線を結んで考えると、左上の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近くなっている。右下の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が遠くなっている。即ち、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素と、距離が遠い画素とが、混在している。
図12の全体の平面図に戻って考えてみると、全体としても、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素と、距離が遠い画素とが、混在していることがわかる。第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が近い画素は、上から2行目の各画素と、下から2行目の各画素である。その他の4行の画素では、第1の光導波路3の中心及び第2の光導波路4の中心4Cが、受光部1の中心1Cよりも撮像素子の中心Cからの距離が遠くなっている。この点は、図1の第1の実施の形態と同様である。
図14に示すように、第2の光導波路4とオンチップレンズ5とは、それぞれの相対位置が画素の位置によらず、ほぼ同じになっている。この点は、第1の実施の形態とは異なっている。なお、第1の光導波路3とオンチップレンズ5の相対位置は、画素の位置によって若干変わっている。
そして、各画素において、オンチップレンズ5の中心付近に第2の光導波路4がある。
図14に示すように、第2の光導波路4とオンチップレンズ5は、それぞれ、上下方向、左右方向とも、等しい間隔に配置されている。
さらに、いずれの画素においても、第2の光導波路4は、その平面配置が、オンチップレンズ5に含まれるようになっている。第1の光導波路3は、その平面配置が、ほぼオンチップレンズ5に含まれるようになっている。
即ち、オンチップレンズ5は、瞳補正がなされていない。第1の光導波路3及び第2の光導波路4も、瞳補正がなされていない。
例えば、図6に示した断面構造や、図7に示した平面レイアウトを、使用することができる。
図15に示すように、2つの画素のフォトダイオードから成る受光部1が、転送ゲート2を介して共通のフローティングディフュージョンFDに接続されている。また、フローティングディフュージョンFDは、リセットトランジスタRSTの一方のソース・ドレイン領域と、増幅トランジスタAmpのゲートとに接続されている。増幅トランジスタAmpの一方のソース・ドレイン領域には、選択トランジスタSELの一方のソース・ドレイン領域が接続されている。リセットトランジスタRSTの他方のソース・ドレイン領域と、増幅トランジスタAmpの他方のソース・ドレイン領域とには、電源電位Vddが接続されている。選択トランジスタSELの他方のソース・ドレイン領域には、信号線100が接続されている。即ち、フローティングディフュージョンFDから、3つのトランジスタRST,Amp,SELの側は、通常の4トランジスタ(転送ゲートの転送トランジスタを含む)と同様の構成となっている。
従って、画素を微細化して、固体撮像素子の集積度を高めることや、固体撮像素子を備えた撮像装置の多画素化や小型化を図ることができる。
さらに、第2の光導波路4の平面位置が、受光部1の中心1CからトランジスタTr1,Tr2,Tr3の側に寄るようにずれて形成され、かつ、第1の光導波路3の内部及びオンチップレンズ5の内部に含まれるように形成されている。これにより、オンチップレンズ5で集めた光を充分に第2の光導波路4へ導くことができ、第2の光導波路4を通った光が確実に第1の光導波路3に入射する。このように、第2の光導波路4の平面位置が第1の光導波路3の内部に含まれているので、前記特許文献1に記載の構成で生じるような下層の光導波路に入らない光をなくすことができる。
さらにまた、第1の光導波路3の平面位置が、受光部1の中心1CからトランジスタTr1,Tr2,Tr3の側に寄るようにずれて形成され、かつ、受光部の1の内部に含まれるように形成されている。これにより、第1の光導波路3を通った光を確実に受光部1に入射させることができる。また、第1の光導波路3を通った光が隣の画素の受光部1に入射して生じる混色を防ぐことができる。
従って、感度や光電変換の効率を向上することができるので、画素を微細化しても感度や光電変換の効率が充分に得られる固体撮像素子、並びに、固体撮像素子を備えた撮像装置を実現することができる。
例えば、2画素の基本セルを400万個集積することによって、800万個の画素を集積することができる。
本発明では、フローティングディフュージョン等を共用する基本セルの画素数は、複数であれば、特に限定されるものではない。
なお、配線や画素の配置が縦方向と横方向である場合には、基本セルの画素数が偶数であると、画素のレイアウトを考えやすい。
本発明では、上述の各実施の形態の構成に対して、さらに第1の光導波路3及び/又は第2の光導波路4を、受光部1の中心1Cから左又は右にずらした構成としても構わない。例えば、瞳補正を考慮して、第1の光導波路3及び第2の光導波路4を右半分の画素では左にずらし、左半分の画素では右にずらし、ずらす量は撮像素子の中心Cからの距離に対応して変えるようにしても良い。
このように、本発明は、オンチップレンズに対して瞳補正を行うだけでなく光導波路に対しても瞳補正を行った構成についても、適用することが可能である。
固体撮像素子の実施の形態の変形例を、以下にいくつか示す。
図16Aは、図7に示したと同様に円形の光導波路である。図16Bは、楕円形の光導波路である。図16Cは、長方形(矩形)の光導波路である。図16Dは、八角形の光導波路である。
これらの断面形状で、それぞれ実際に光導波路を有する固体撮像素子を作製したところ、いずれの断面形状でも、固体撮像素子として問題なく動作させることができた。
第1の光導波路3及び第2の光導波路4の断面形状を、これら以外の形状とすることも可能である。
なお、第1の光導波路及び第2の光導波路の断面形状は、外側に凸な形状とすることが望ましい。これにより、第1の光導波路及び第2の光導波路用の凹部や埋め込み層を安定して形成することができる。
基本セルの左側の2つの画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が左にずれている。
基本セルの右側の2つの画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が右にずれている。
基本セルの左上の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が左上にずれている。
基本セルの右上の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が右上にずれている。
基本セルの左下の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が左下にずれている。
基本セルの右下の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が右下にずれている。
基本セルの上の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が上側にずれている。
基本セルの下の画素では、受光部1の中心から第1の光導波路3及び第2の光導波路4が下側にずれている。
ここで、撮像素子の中心Cが、受光部の内部にある場合の変形例について、図1及び図4に対応する平面図を、それぞれ、図20及び図21に示す。図20及び図21に示すように、撮像素子の中心Cが、受光部1の内部でオンチップレンズ5の中心付近にある。
次に、本発明の撮像装置の実施の形態を説明する。
本発明の撮像装置の一実施の形態の概略構成図(ブロック図)を、図22に示す。
この撮像装置としては、例えば、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯電話のカメラ等が挙げられる。
このような撮像装置500において、固体撮像素子として、前述した実施の形態の固体撮像素子等の、本発明の固体撮像素子を用いることができる。
例えば、固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
本発明の撮像装置は、例えば、カメラや撮像機能を有する携帯機器等、各種の撮像装置に適用することができる。また、「撮像」の広義の意味として、指紋検出装置等も含む。
Claims (5)
- 画素毎にそれぞれ形成された、光電変換が行われる受光部と、前記受光部の上方の絶縁層内に埋め込まれて形成され、光を前記受光部に導く光導波路と、前記光導波路の上方に形成されたオンチップレンズとを含む固体撮像素子であって、
フローティングディフュージョンを共用する複数個の前記画素により構成された基本セルと、
前記基本セルを構成する複数個の前記画素で共用され、前記複数個の画素の外側に配置されたトランジスタと、
前記基本セルの各前記画素で共用される前記フローティングディフュージョンに転送ゲートを介して接続された前記受光部と、
ほぼ等しい間隔に配置されている、前記オンチップレンズと、
平面位置が、前記受光部の中心から前記トランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ、前記受光部の内部に含まれるように形成された、第1の光導波路と、
前記第1の光導波路より上層に形成され、平面位置が、前記受光部の中心から前記トランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ、前記第1の光導波路の内部及び前記オンチップレンズの内部に含まれるように形成された、第2の光導波路とを含む
固体撮像素子。 - 各画素の前記第2の光導波路がほぼ等しい間隔に配置されている、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記第2の光導波路が、前記絶縁層側の壁面に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の内側の埋め込み層から構成されている、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記パッシベーション膜が酸窒化シリコンからなる、請求項3に記載の固体撮像素子。
- 画素毎にそれぞれ形成された、光電変換が行われる受光部と、前記受光部の上方の絶縁層内に埋め込まれて形成され、光を前記受光部に導く光導波路と、前記光導波路の上方に形成されたオンチップレンズとを含む固体撮像素子を備えた撮像装置であって、
入射光を集光する集光光学部と、
フローティングディフュージョンを共用する複数個の前記画素により構成された基本セルと、前記基本セルを構成する複数個の前記画素で共用され、前記複数個の画素の外側に配置されたトランジスタと、前記基本セルの各前記画素で共用される前記フローティングディフュージョンに転送ゲートを介して接続された前記受光部と、ほぼ等しい間隔に配置されている、前記オンチップレンズと、平面位置が、前記受光部の中心から前記トランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ、前記受光部の内部に含まれるように形成された、第1の光導波路と、前記第1の光導波路より上層に形成され、平面位置が、前記受光部の中心から前記トランジスタの側に寄るようにずれて形成され、かつ、前記第1の光導波路の内部及び前記オンチップレンズの内部に含まれるように形成された、第2の光導波路とを含む前記固体撮像素子と、
前記固体撮像素子で光電変換されて得られた信号を処理する信号処理部とを含む
撮像装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009088093A JP5332822B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 固体撮像素子、撮像装置 |
TW099107441A TWI411102B (zh) | 2009-03-31 | 2010-03-15 | 固態成像元件及成像裝置 |
US12/728,549 US8390726B2 (en) | 2009-03-31 | 2010-03-22 | Solid-state imaging device with pixels having first and second optical waveguides with shifted positions, and imaging apparatus including the solid-state imaging device |
CN2010101407816A CN101951470B (zh) | 2009-03-31 | 2010-03-24 | 固态成像器件和成像装置 |
KR1020100026071A KR101640257B1 (ko) | 2009-03-31 | 2010-03-24 | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 |
US13/756,124 US8817164B2 (en) | 2009-03-31 | 2013-01-31 | Solid-State imaging device and imaging apparatus having offset optical waveguides |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009088093A JP5332822B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 固体撮像素子、撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010239073A true JP2010239073A (ja) | 2010-10-21 |
JP5332822B2 JP5332822B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=43093112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009088093A Expired - Fee Related JP5332822B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 固体撮像素子、撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5332822B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016171252A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2018041810A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
CN111354752A (zh) * | 2018-12-20 | 2020-06-30 | 三星电子株式会社 | 图像传感器 |
CN111479066A (zh) * | 2013-09-26 | 2020-07-31 | 株式会社尼康 | 摄像元件以及摄像装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004193500A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006324439A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Canon Inc | 撮像素子 |
JP2008153370A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2008166677A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-07-17 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ |
JP2008305873A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 |
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2009088093A patent/JP5332822B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004193500A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006324439A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Canon Inc | 撮像素子 |
JP2008166677A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-07-17 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ |
JP2008153370A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2008305873A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111479066A (zh) * | 2013-09-26 | 2020-07-31 | 株式会社尼康 | 摄像元件以及摄像装置 |
JP2016171252A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2018041810A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
CN111354752A (zh) * | 2018-12-20 | 2020-06-30 | 三星电子株式会社 | 图像传感器 |
CN111354752B (zh) * | 2018-12-20 | 2023-07-04 | 三星电子株式会社 | 图像传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5332822B2 (ja) | 2013-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101640257B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
JP5639748B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
US8981275B2 (en) | Solid-state image pickup device with an optical waveguide, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera | |
KR101587898B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 | |
JP4735643B2 (ja) | 固体撮像装置、カメラ及び電子機器 | |
JP2009021415A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2012169530A (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
JP2015076569A (ja) | 撮像装置およびその製造方法ならびに電子機器 | |
JP2010258157A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2009302483A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2013214616A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 | |
JP2011023481A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP5298617B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP5332822B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置 | |
JP4735762B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP5332823B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置 | |
JP7008054B2 (ja) | 光電変換装置および機器 | |
JP2006114592A (ja) | 固体撮像素子 | |
KR20070044626A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP2007173717A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 | |
KR20070063292A (ko) | 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130715 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5332822 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |