JP2010239068A

JP2010239068A - 信号伝送装置の製造方法

Info

Publication number: JP2010239068A
Application number: JP2009087989A
Authority: JP
Inventors: Mariko Sugimoto; 麻梨子杉本
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2009-03-31
Filing date: 2009-03-31
Publication date: 2010-10-21

Abstract

【課題】半導体プロセスに対してコンタミの影響のない信号伝送装置の製造方法を提供
する。
【解決手段】支持基板２上に所定の空隙をもって配置された第１のコイル８と、第１の
コイル８と絶縁層１０を介して対向配置された第２のコイル１１とを形成した後、軟磁性
体を第１のコイル８、第２のコイル１１および絶縁層１０の周囲に形成する。その後、第
１のコイル８および第２のコイルを送信回路３および受信回路４と電気的に接続し、信号
伝送装置を製造する。
【選択図】図１

Description

本発明は、支持基板に設けられたコイル間の磁気結合により信号伝送を行うように公正
された信号伝送装置およびこの信号伝送装置の製造方法に関する。

電気的に絶縁しながらデジタル信号を伝送する手段として、コイル間の磁気結合を利用
するものがある。例えば、特許文献１には、送信回路と受信回路とともにコイルが配置さ
れ、磁気結合により絶縁しながらデジタル信号を伝送する構成が開示されている。このも
のによれば、高い周波数の信号伝達が可能になる。しかし、特許文献１に記載の構成では
、リンクコアにワイヤを巻く必要があり、またベアチップＩＣを別途用意した配線基板に
実装する必要があるため、小型化および集積化が困難である。

そこで、近年では、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）と呼ばれる半導体
製造プロセスを用いて信号入出力用のコイルを形成する技術が考案されている（例えば特
許文献２〜４参照）。この技術では、支持基板上に導体膜により送信用および受信用コイ
ルを形成するとともに、それらコイル間に絶縁膜を形成することにより、各コイル同士が
対向した信号伝送回路を形成している。また、コイルの外周に保護リングを設けることで
漏れ磁束による信号ノイズを低減したり、コイルを多層化することで各コイル間やコイル
と支持基板間などにおける浮遊容量を低減している。この技術を用いれば、電気的に絶縁
しながらデジタル信号を伝送する信号伝送装置を集積化することが可能となる。

上記従来技術の信号伝送装置において、信号伝送の品質（信号の伝送効率、絶縁性能な
ど）を高めるため、絶縁体を介する第１と第２のコイルを軟質磁性体で囲むという技術が
ある。この技術は、コイル外周に軟磁性体を用いることにより、第１と第２のコイル状の
導電体間の磁束結合率を高くでき、そのため絶縁体を介する第１と第２のコイル状の導電
体間の距離を大きくでき、そのため絶縁耐圧を高くできるものである。また結合率向上に
より入力電流を小さくでき、そのため省電力化が可能であり、軟質磁性体に囲まれている
ため外乱に対する信頼性が高いものである。

特表２００１−５１３２７６号公報米国特許出願公開第２００５／０２３０８３７号明細書米国特許出願公開第２００６／００２８３１３号明細書米国特許第６８７３０６５号明細書

第１のコイルの下層に軟磁性体を形成するため、軟磁性体の形成を信号伝送装置作成の
初期段階に行う。しかし、軟磁性体は半導体プロセスに対してコンタミの影響があり、軟
磁性体を成膜したサンプルを量産工場で扱えないという問題があった。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体プロセスに対して
コンタミの影響のない信号伝送装置の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の信号伝送装置の製造方法は、支持基板の主面に引
出配線を形成する工程と、前記支持基板上に中空構造を形成するための犠牲層を形成する
工程と、前記犠牲層に対して、前記引出配線の一部分の上方へ第１の接続穴を形成する工
程と、前記絶縁層上に第１のコイルを形成し、かつ前記第１の接続穴を介して前記引出配
線と前記第１のコイルとを電気的に接続する工程と、前記第１のコイル上に絶縁層を形成
する工程と、前記絶縁層上に第２のコイルを形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程
と、前記犠牲層を除去した部分に軟磁性体を形成する工程と、前記引出配線および前記第
２のコイルのうちいずれか一方を送信回路に接続し、前記送信回路に接続していない方を
受信回路に接続する工程とを有することを特徴とする。

本発明によれば、半導体プロセスに対してコンタミの影響のない信号伝送装置の製造方
法を提供することができる。

本発明の第１の実施例を示す信号伝送装置の概略断面図（ａ１）〜（ｃ１）は第１の実施例の各製造段階における上面図、（ａ２）〜（ｃ２）は（ａ１）〜（ｃ１）のＡ−Ｂ断面図（その１〜その３）（ｄ１）〜（ｆ１）は第１の実施例の各製造段階における上面図、（ｄ２）〜（ｆ２）は（ｄ１）〜（ｆ１）のＡ−Ｂ断面図（その４〜その６）（ｇ１）〜（ｉ１）は第１の実施例の各製造段階における上面図、（ｇ２）〜（ｉ２）は（ｇ１）〜（ｉ１）のＡ−Ｂ断面図（その７〜その９）本発明の第２の実施例を示す信号伝送装置の概略断面図第２の実施例の各製造段階における断面図（その１〜その４）第２の実施例の各製造段階における断面図（その５〜その８）本発明の第３の実施例を示す信号伝送装置の概略断面図

（第１の実施例）
以下、本発明の第１の実施例について図１ないし図４を参照しながら説明する。

図１は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成されたコイル間の磁気結合により信号伝送を行う信
号伝送装置１の構成を概略断面図で示している。図１に示すように、信号伝送装置１は、
支持基板２と、支持基板２上に配置された送信回路３および受信回路４と、支持基板２上
に配置された送信回路３および受信回路４と電気的に接続された信号伝送部５を備えてい
る。

支持基板２は、厚さ１００μｍ程度のシリコン基板２である。なお、以降、シリコン基
板２を適用した実施形態を示すが、ガラスやセラミックのような無機基板、エポキシ等を
基材とする有機基板などの支持基板２を必要に応じて適用できる。

信号伝送部５は、シリコン基板２上に形成された絶縁膜６と、絶縁膜６上に形成された
引出配線７と、シリコン基板２と所定の空隙をもって配置され、引出配線７と電気的に接
続された第１のコイル８と、第１のコイル８上に形成され、シリコン基板２に対して支持
部９を介して支持されている絶縁層１０と、絶縁層１０上に形成された第２のコイル１１
と、第１のコイル８、絶縁層１０および第２のコイル１１を覆うように形成された軟磁性
体１００とから構成されている。

絶縁膜６は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）によってシリコン基板２を覆うように
構成されている。

引出配線７は、例えば銅、アルミ、金などの導電性材料によって形成され、信号伝送装
置５から引き出され、送信回路３と電気的に接続されている。

第１のコイル８は、例えば銅、アルミ、金などの導電性材料によって、平面渦巻状に数
ターンないし数１０ターン形成されている。図１では、１．５ターンのコイルを示してい
る。この第１のコイル８は、引出配線７から上方へ突出した導電性の貫通電極１２によっ
て引出配線７と接続されている。また、第１のコイル８とシリコン基板２との間は、数μ
ｍ〜数１０μｍ程度あり、貫通電極１２と後述する支持部９によって形成されている。

絶縁層１０は、例えばポリイミドなどの材料によって第１のコイル８の上面を覆うよう
に形成されている。

第２のコイル１１は、例えば銅、アルミまたは金などの導電性材料によって絶縁層１０
の上面上に位置して平面渦巻状に数ターンないし数１０ターン形成されており、第１のコ
イル８とは所定距離のギャップとなる絶縁層１０を挟んで上下方向に対向配置されている
。第２のコイル１１は、第１のコイル８と同一形状に形成されている。この第２のコイル
１１は、受信回路４と構造的および電気的に接続されている。

軟磁性体１００は、例えばフェライト、鉄・シリコン合金、鉄・シリコン・アルミニウ
ム合金、ニッケル・鉄合金または鉄基やコバルト基のアモルファス合金などの軟磁性体に
よって、第１のコイル８、絶縁層１０および第２のコイル１１を覆うように形成されてい
る。具体的には、第１のコイル８の下面、第２のコイル１１の上面および絶縁層１０の側
面を覆うように形成されている。軟磁性体１００の膜厚は、磁束が通過する際に磁気飽和
を生じない程度の厚さに設定するのが望ましく、本実施例では、例えば数μｍ〜数１００
μｍとしている。

シリコン基板２の表層には、送信回路３および受信回路４が配置されている。送信回路
３および受信回路４は、シリコン基板２の表面方向に、信号伝送部５を挟んで互いに離間
して構成されている。これらの送信回路３および受信回路４は、本実施例の特徴に特に関
係しないため、図１のシリコン基板２上および当該基板内の電気的構造を省略している。

次に、上記構成の信号伝送装置１の製造方法について、図１ないし図４を参照しながら
説明する。図２（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）、図３（ｄ１）、（ｅ１）、（ｆ１）、図
４（ｇ１）、（ｈ１）、（ｉ１）は、信号伝送装置１の平面図であり、それぞれのＡ−Ｂ
断面図が、図２（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）、図３（ｄ２）、（ｅ２）、（ｆ２）、図
４（ｇ２）、（ｈ２）、（ｉ２）である。なお、送信回路３、受信回路４の構成について
は本実施例の形態の特徴とは関係しないため、その詳細な説明を省略する。

厚さ数１００μｍ程度に構成された単結晶のシリコン基板２に所望の半導体プロセスに
より送信回路３および受信回路４の電気的構成を形成した（図２、図３には図示せず）の
ち、図２（ａ１）、（ａ２）に示すように、シリコン基板２上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ
２）などの絶縁膜６を形成する。この絶縁膜６の厚さは信号伝送部５とシリコン基板２と
の間の電気的な絶縁性が確保できる程度の膜厚であれば良く、例えば５００ｎｍ〜数μｍ
程度が好ましい。なお、シリコン基板２に変えてガラスやセラミックなどの無機基板やエ
ポキシ等を基材とする有機基板など支持基板２として必要に応じて適用しても良い。無機
基板や有機基板を使用する場合、絶縁膜６を形成する必要はない。なお、シリコン基板２
を適用した場合には、送信回路３、受信回路４の少なくとも一部または全部の電気的構成
要素を所望の半導体プロセスによって内部に実装できるため小型化できる。

次に、図２（ａ１）、（ａ２）に示すように、例えば、銅、アルミ、あるいは金などの
導電性材料を用いてスパッタ、蒸着、あるいはメッキ法により引出配線７をシリコン基板
２の絶縁膜６上面上に沿って形成する。

次に図２（ｂ１）、（ｂ２）に示すように、引出配線７および絶縁膜６上に、例えばス
ピンコート法や蒸着法などの方法を用いて、ポリイミドなどの有機膜からなる犠牲層１３
を形成する。この犠牲層１３の厚さは、数μｍ〜数１０μｍ程度形成する。この犠牲層１
３の厚さによって浮遊容量が決定する。ガラス基板と同程度の浮遊容量にするためには、
作成するコイルの面積にもよるが、例えば４０μｍの厚さが必要である。

犠牲層１３には、引出配線７と後述する第１のコイル８とを電気的に接続するための第
１のホール１４を形成する。この第１のホール１４は、第１のコイル８の巻き始め部分と
巻き終わり部分に対応する位置に形成される。また、同時に、以降積層する膜を支えるた
めの支持部９を形成するための第２のホール１５を形成する。第２のホール１５は、その
断面形状を四角形とし、１０μｍ角程度の大きさで、以降積層する膜の四方に位置する。

次に、図２（ｃ１）、（ｃ２)に示すように、犠牲層１３の上面上に銅、アルミまたは
金などの導電性材料を用いてスパッタ法、蒸着法、またはメッキ法により渦巻き状の第１
のコイル８を形成する。この第１のコイル８を形成すると同時に、第１のホール１４内に
前記導電性材料を埋め込み、貫通電極１２を形成する。

第１のコイル８は、例えば厚さ数１０ｎｍ〜数μｍ程度、数ターン〜数１０ターン程度
の巻き数で巻回されて形成されている。図では、１．５ターン巻回した図を示している。
なお、第１のコイル８は、後述する対向する第２のコイル１１との間を磁束が通過でき、
受信側のコイルに所定電圧（例えば数Ｖ程度）の誘起電圧を発生できれば良いため、渦巻
き状でも矩形状でもさらにその組み合わせで形成されても良い。また、犠牲層１３と第１
のコイル８、第１のコイル８と後述する絶縁層１０との密着性を高めるため、第１のコイ
ル８の下層と上層にチタン（Ｔｉ）などを数１００ｎｍ程度形成しても良い。

次に、図３（ｄ１）、（ｄ２）に示すように、第１のコイル８の上に例えばスパッタ法
またはＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの絶
縁材料を絶縁層１０として第１のコイル８を覆うように成膜する。この膜厚は、信号伝送
装置１に必要な絶縁耐圧と絶縁材料によるが、例えば、絶縁耐圧１ｋＶを所望する場合、
絶縁材料ＳｉＯを５μｍ程度形成する。絶縁層１０の膜厚を増加すると絶縁耐性が向上す
るため、数μｍ〜数１０μｍ程度の膜厚で形成するのが良い。また、絶縁材料には、犠牲
層１３材料とのドライエッチング選択比が高い材料が相応しく、犠牲層１３と同じ材料、
例えばポリイミドで形成すると良い。また、後述する犠牲層１３除去工程で用いる、犠牲
層１３を除去するための穴１６を１個または複数個開けておく。この犠牲層１３を除去す
るための穴の大きさは、例えば数１０μｍ程度とする。この絶縁層１０を形成するのと同
時に、第２のホール１５に上記絶縁材料を埋め込む。この第２のホール１５に埋め込まれ
た絶縁材料が、上部に積層される膜を支える支持部９となる。

次に、図３（ｅ１）、（ｅ２）に示すように、絶縁層１０の上面上に、例えば銅、アル
ミまたは金などの導電性材料を用いて、例えばスパッタ法、蒸着法またはメッキ法により
渦巻き状の第２のコイル１１を形成する。この第２のコイル１１は、その膜厚が第１のコ
イル８と同じ程度の膜厚でかつ同様の形状で第１のコイル８と対向するように形成する。
また、絶縁層１０と第２のコイル１１との密着性を高めるため、コイルの下層にチタン（
Ｔｉ）等を数１００ｎｍ程度形成しても良い。

なお、第２のコイル１１の上面に絶縁膜を形成してもよい。その場合、この絶縁膜は、
例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの無機膜からなる絶
縁材料を例えばスパッタ法やＣＶＤ法により成膜する。この絶縁膜の材料としては、上述
の無機膜に代えて、ポリイミドなどの有機膜を、例えばスピンコート法や蒸着法によって
形成してもよい。このような絶縁膜を設けることで、第２のコイル１１の機械的な保護が
期待できる。また、第２のコイル１１の表面に絶縁膜を形成する場合、後述する犠牲層１
３除去工程で用いる、犠牲層１３を除去するための穴を１個または複数個開けておく。こ
の犠牲層１３を除去するための穴の大きさは、例えば数１０μｍ程度とする。

次に、図３（ｆ１）、（ｆ２）に示すように、犠牲層１３をドライエッチングして除去
する。犠牲層１３を除去することにより、支持基板２と第１のコイル８との間に所定の空
隙が形成される。本実施例では数μｍ〜数１０μｍ程度の空隙が形成されることとなる。

次に、図４（ｇ１）、（ｇ２）に示すように、第２のコイル１１の巻き始めと巻き終わ
りに対応する位置にマスキング１０１を配置する。マスキング１０１の材料は、ポリイミ
ド系、シリコーン系、非シリコーン系、アクリル系、ポリエステル系などのシールや樹脂
を用いる。

次に、図４（ｈ１）、（ｈ２）に示すように、第１のコイル８の下面および第２のコイ
ル１１の上面および絶縁層１０の側面に、フェライト、鉄・シリコン合金、鉄・シリコン
・アルミニウム合金、ニッケル・鉄合金、鉄基やコバルト基のアモルファス合金などの軟
磁性体１００をメッキ法等により形成する。この軟磁性体１００の膜厚は、磁束が通過す
る際に磁気飽和を生じない程度の厚さに設定するのが望ましい。本実施例では、例えば数
μｍ〜数１００μｍとしている。

次に、図４（ｉ１）、（ｉ２）に示すように、マスキング１０１を取り除く。これによ
り軟磁性体１００の、第２のコイルの巻き始めと巻き終わりに対応する位置に開口部１０
２が形成される。

次に、図１に示すように、引出配線７と送信回路３との間を電気的に接続する。接続方
法として、例えば銅、アルミまたは金などを用いて、例えばワイヤボンディング法によっ
て接続する方法がある。同様に、第２のコイル１１の巻き始め及び巻き終わりに相当する
部分と、受信回路４との間を開口部１０１を介して電気的に接続する。接続方法として、
例えば銅、アルミまたは金などを用いて、例えばワイヤボンディング法によって接続する
方法がある。このとき、第２のコイル１１に対してボンディングを行う箇所の下に、前述
した支持部９があると、安定したボンディングを行うことができる。

次に、本実施例の作用および効果について説明する。

送信回路３の入力端子ＩＮにデジタル信号が与えられると、第１のコイル８に電流が流
れる。これにより、第１のコイル８の周囲に磁界が発生し、第１のコイル８と対向して位
置する第２のコイル１１に磁束が鎖交し、第２のコイル１１に誘起電圧が発生する。受信
回路４は、第２のコイル１１に発生した誘起電圧に応じたデジタル信号を出力端子ＯＵＴ
から出力する。このように送信回路３と受信回路４との間において、第１のコイル８およ
び第２のコイル１１の磁気結合を利用してデジタル信号の伝送が行われる。

上記したデジタル信号の伝送時間を早めるためには、支持基板２と第１のコイル８との
間の浮遊容量を小さくすることが必要となる。本実施例において、支持基板２と第１のコ
イル８との間に所定の空隙を設けた。支持基板２に対して第１のコイルが接触する面積が
減ることにより、浮遊容量が減り、以ってデジタル信号の伝送時間を早めることができる
。

また、支持基板２上に支持部９を設けて第１のコイル８または絶縁層１０を支持するこ
とで、支持基板２と第１のコイル８との間に所定の空隙を作成したので、１パッケージ内
で上記目的を達成する信号伝送装置１を作成することができ、以って信号伝送装置１の小
型化を可能とする。

また、受信回路４と、第２のコイル１１とを接続する第２のコイル１１上の接続部が支
持部９の軸方向にあるとすると、第２のコイル１１とをワイヤボンディングにより接続す
る際、安定したボンディングを行うことができる。

また、信号伝送装置１の製造プロセスのうち犠牲層１３除去までの半導体プロセスを経
た後に、犠牲層１３除去までを行う半導体製造装置から出して、別途軟磁性体１００を形
成することで、犠牲層１３除去まで行う半導体製造装置に対して軟磁性体のコンタミの影
響をなくすことができる。

（第２の実施例）
図５は、本発明の第２の実施例である信号伝送装置２０の概略断面図を示すもので、前
述の第１の実施例と異なるところは、第２のコイル１１と受信回路４との接続の仕方であ
る。なお、前述の第１の実施例と同一機能を有する部分には同一符号を付して説明を省略
し、以下、異なる部分を中心に説明する。

図５は、本発明の第２の実施例の概略断面図を示したものである。本実施例の信号伝送
装置１は、第２のコイル１１と受信回路４との電気的接続を第２の引出配線１６により形
成している。なお、第１の実施例で示した第１のコイル８と接続された引出配線７を、第
１の引出配線７とする。

図５に示すように、第１のコイル８、絶縁層１０および第２のコイルの周囲には軟磁性
体１００が形成されている。その軟磁性体１００のうち、第２のコイル１１の巻き始め部
分と巻き終わり部分に対応する部分に貫通孔が形成されており、その貫通孔を介して第２
の引出配線１６により、第２のコイル１１と受信回路４とが電気的に接続されている。

次に、上記構成の信号伝送装置１の製造方法について、図６および図７を参照しながら
説明する。図６は、本実施例の製造工程を断面図で示したものである。

第１の実施例で示した工程で、シリコン基板２上に絶縁膜６、第１の引出配線７、犠牲
層１３、第１のコイル８、絶縁層１０および第２のコイル１１を形成し、犠牲層１３を除
去する（図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ｅ）、（ｆ））。

次に、第２のコイル１１の巻き始めと巻き終わりに対応する位置にマスキング１０１を
配置した後、第１のコイル８の下面および第２のコイル１１の上面および絶縁層１０の側
面に、フェライト、鉄・シリコン合金、鉄・シリコン・アルミニウム合金、ニッケル・鉄
合金、鉄基やコバルト基のアモルファス合金などの軟磁性体１００をメッキ法等により形
成し、その後マスキング１０１を取り除く。これにより軟磁性体１００の、第２のコイル
の巻き始めと巻き終わりに対応する位置に開口部１０２が形成される（図７（ｇ））。

次に、アルミニウムまたは金などの導電性材料を用いて、スパッタ法、蒸着法またはメ
ッキ法により、第２のコイル１１を信号伝送部５より外部に電気的に接続する第２の引出
配線１６を開口部１０２を介して形成する（図７（ｈ））。

次に、第１の実施例と同様に、第１の引出配線７を送信回路３と電気的に接続し、第２
の引出配線１６を受信回路４と電気的に接続する。

上記構成の信号伝送装置１によれば、第１の実施例と同様、支持基板２と第１のコイル
８との間の浮遊容量を小さくすることができ、もってデジタル信号の伝送時間を早めるこ
とができる。

さらに、第２の引出配線１６により、膜を支持することができるため、信号伝送装置１
の強度を高めることができる。また、第２の引出配線１６が支持基板２上の複数層の膜を
支持することができるので、支持部９を形成しなくてもよい。

（第３の実施例）
図８は、本発明の第３の実施例である信号伝送装置３０の概略断面図を示すもので、前
述の第２の実施例と異なるところは、第１のコイル８と送信回路３との接続および第２の
コイル１１と受信回路４との接続の仕方である。なお、前述の第１の実施例と同一機能を
有する部分には同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分を中心に説明する。

図８は、本発明の第２の実施例の概略断面図を示したものである。本実施例の信号伝送
装置１は、第１の引出配線７を形成せずに、支持基板２とその上の絶縁膜６に貫通電極１
９を通し、当該貫通電極１９を介して、第１のコイル８と送信回路３の電気的接続、第２
のコイル１１と受信回路４の電気的接続をしている。

上記構成の信号伝送装置３０によれば、第１の実施例と同様、支持基板２と第１のコイ
ル８との間の浮遊容量を小さくすることができ、以ってデジタル信号の伝送時間を早める
ことができる。

さらに、第１の引出配線７が形成されていないため、第１の引出配線７と支持基板２と
の間に生じる浮遊容量をより低減させることができ、よりデジタル信号の伝送時間を早め
ることができる。

（その他の実施例）
支持部を導電性材料で形成し、第１のコイル８と引出配線７との接続を当該支持部で行
ってもよい。これにより、絶縁部材による支持部を形成する必要が無いため、信号伝送装
置を簡単な構成とすることができる。

対向する第１のコイル８および第２のコイル１１は、各コイル間を磁束が通過でき、受
信側のコイルに数１０ｍＶ程度の誘起電圧が発生すれば、第１のコイル８および第２のコ
イル１１の平面形状を、矩形枠状、渦巻き状またはそれらの組み合わせ形状などにしても
よい。

また、第１のコイル８と第２のコイル１１は同一形状としたが、各コイル間を磁束が通
過でき、受信側のコイルに数１０ｍＶ程度の誘起電圧が発生すれば、同一の形状としなく
てもよい。

また、第１のホール１４および第２のホール１５の断面形状は、四角形状に限る必要は
なく、多角形状・円形状など任意の形状でよい。

また、第２のホール１５は、後工程で形成される支持部９により安定した空隙を形成す
ることができるのであれば、任意の位置に形成してもよい。

また、上記実施例では、第１のコイル８と送信回路３、第２のコイル１１と受信回路４
を電気的に接続しているが、第２のコイル１１と送信回路３、第１のコイル８と受信回路
４を電気的に接続してもよい。

また、実施例では、軟磁性体１００を第１のコイル８の下面および第２のコイル１１お
よび絶縁層１０の側面を覆うように形成するとしたが、これに限るものではなく、例えば
第１のコイル８の下面のみ、第２のコイル１１の上面のみ、または第１のコイル８の下面
および第２のコイル１１の上面のみに形成するものなど、実施形態に合わせて構造を変え
てもよい。

１、２０、３０信号伝送装置
２支持基板
５信号伝送部
７引出配線（第１の引出配線）
８第１のコイル
９支持部
１０絶縁層
１１第２のコイル
１３犠牲層
１４第１のホール
１５第２のホール
１６第２の引出配線
１００軟磁性体
１０１マスキング
１０２開口部

Claims

支持基板の主面に引出配線を形成する工程と、
前記支持基板上に中空構造を形成するための犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層に対して、前記引出配線の一部分の上方へ第１の接続穴を形成する工程と、
前記絶縁層上に第１のコイルを形成し、かつ前記第１の接続穴を介して前記引出配線と
前記第１のコイルとを電気的に接続する工程と、
前記第１のコイル上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に第２のコイルを形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、
前記犠牲層を除去した部分に軟磁性体を形成する工程と、
前記引出配線および前記第２のコイルのうちいずれか一方を送信回路に接続し、前記送
信回路に接続していない方を受信回路に接続する工程と、
を有することを特徴とする信号伝送装置の製造方法。
前記軟磁性体を形成する工程は、前記第１のコイルの下面、前記第２のコイルの上面お
よび前記絶縁層の側面を覆うことを特徴とする請求項１記載の信号伝送装置の製造方法。
前記軟磁性体は、フェライトであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
信号伝送装置の製造方法。