JP2010232301A - ダイシングテープ及び半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェーハを精度よくダイシングでき、従って所望の形状の半導体チップを得ることができ、ピックアップの効率を高めることができるダイシングテープを提供する。
【解決手段】中間層４と、中間層４の一方の面４ａ側に配置された離型層２と、中間層４の他方の面４ｂに積層されたダイシング層５とを備え、中間層４が、中間層４の少なくとも一部の領域に粘着性を有する粘着部４Ｂを有し、離型層２と中間層４の粘着部４Ｂとが貼り付けられており、ダイシング層５の６０℃での加熱収縮率が３．４％以下であり、かつダイシング層５の２３℃での剛性率が１７．５Ｎ／２５ｍｍ以上であるダイシングテープ１。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得るのに用いられるダイシングテープ、及び該ダイシングテープを用いた半導体チップの製造方法に関する。

従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出して、半導体チップを得るために、ダイシングテープが用いられている。また、半導体チップを基板等にダイボンディングするために、ダイボンディング層としての粘接着剤層を有するダイシングテープが用いられている。この粘接着剤層を有するダイシングテープは、ダイシング−ダイボンディングテープと呼ばれることもある。

下記の特許文献１には、上記ダイシング−ダイボンディングテープの一例が開示されている。図１６に示すように、特許文献１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ１０１は、基材シート１０２と、ダイアタッチフィルム１０３と、軽剥離フィルム１０４と、ダイシングフィルム１０５とがこの順で積層されて構成されている。ダイシングフィルム１０５は、基材層１０５ａと粘着剤層１０５ｂとを有する。

基材シート１０２及びダイシングフィルム１０５は、ダイアタッチフィルム１０３及び軽剥離フィルム１０４の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。ダイアタッチフィルム１０３及び軽剥離フィルム１０４の外周側面よりも側方に張り出している領域において、ダイシングフィルム１０５が粘着剤層１０５ｂ側から、基材シート１０２上に貼り付けられている。

特開２００７−１４９７４８号公報

従来のダイシング−ダイボンディングテープ１０１を用いて半導体ウェーハをダイシングする際には、基材シート１０２を剥離して、ダイシングフィルム１０５の上記張り出している領域の粘着剤層１０５ｂと、ダイアタッチフィルム１０３とを露出させる。露出したダイアタッチフィルム１０３に半導体ウェーハを貼り付けて、かつ露出したダイシングフィルム１０５の粘着剤層１０５ｂにダイシングリングを貼り付ける。この貼り付けの際に、ダイシングフィルム１０５などに皺が生じないように、中心部から端部にかけてダイシングフィルム１０５に引張応力がかけられる。このため、貼り付けの後には、ダイシングフィルム１０５には、収縮力が作用している。従って、半導体ウェーハのダイシングの際にも、ダイシングフィルム１０５には、収縮力が作用している。

図１７に半導体ウェーハを平面図で示すように、ダイシングフィルム１０５に収縮力が作用していることによって、直線状に半導体ウェーハ１１１をダイシングしようとしても、ダイシングの後にダイシングライン１１２が湾曲することがあった。従って、半導体ウェーハを精度良く切断することができず、所望の形状の半導体チップが得られないことがあった。

本発明の目的は、半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得るのに用いられるダイシングテープであって、半導体ウェーハを精度よくダイシングでき、従って所望の形状の半導体チップを得ることができ、ピックアップの効率を高めることができるダイシングテープ、並びに該ダイシングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することである。

本発明の広い局面によれば、半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得るのに用いられるダイシングテープであって、中間層と、前記中間層の一方の面側に配置された離型層と、前記中間層の他方の面に積層されたダイシング層とを備え、前記中間層が、前記中間層の少なくとも一部の領域に、粘着性を有する粘着部を有し、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、前記ダイシング層の６０℃での加熱収縮率が３．４％以下であり、かつ前記ダイシング層の２３℃での剛性率が１７．５Ｎ／２５ｍｍ以上である、ダイシングテープが提供される。

本発明に係るダイシングテープのある特定の局面では、前記中間層は、前記中間層の中央の領域に、非粘着性を有する非粘着部と、前記非粘着部を取り囲む前記中間層の外側部分の領域に、粘着性を有する前記粘着部とを有する。

本発明に係るダイシングテープの他の特定の局面では、前記中間層は、粘着性を有する粘着剤層である。

本発明に係るダイシングテープのさらに他の特定の局面では、前記離型層と前記中間層との間に配置された粘接着剤層をさらに備え、前記離型層、前記中間層及び前記ダイシング層が、前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、前記中間層が、前記張り出している領域に前記粘着部を有し、前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域において、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、前記離型層と前記中間層とにより前記粘接着剤層が覆われている。

上記粘接着剤層は、ダイボンディング層として用いられる部分である。すなわち、粘接着剤層は、半導体チップのピックアップの際に、半導体チップとともに取り出される部分である。

本発明に係るダイシングテープの別の特定の局面では、前記離型層と前記中間層との間に配置された基材層と粘接着剤層とをさらに備え、前記基材層が非粘着性を有し、前記基材層が前記中間層側に、かつ前記粘接着剤層が前記離型層側に配置されており、前記離型層、前記中間層及び前記ダイシング層が、前記基材層及び前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、前記中間層が、前記張り出している領域に前記粘着部を有し、前記基材層及び前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域において、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、前記離型層と前記中間層とにより前記基材層及び前記粘接着剤層が覆われている。

本発明に係るダイシングテープのさらに別の特定の局面では、前記離型層と前記中間層との間に配置されており、かつ非粘着性を有する基材層をさらに備え、前記離型層、前記中間層及び前記ダイシング層が、前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、前記中間層が、前記張り出している領域に前記粘着部を有し、前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域において、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、前記離型層と前記中間層とにより前記基材層が覆われている。

本発明に係る半導体チップの製造方法は、本発明に従って構成されたダイシングテープの前記離型層を剥離して、前記中間層を露出させる工程と、前記離型層を剥離しながら、又は前記離型層を剥離した後に、露出した前記中間層に半導体ウェーハを積層し、かつ前記中間層の前記粘着部にダイシングリングを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシングの後に、前記半導体チップを剥離して、取り出す工程とを備える。

また、本発明に係る他の半導体チップの製造方法は、本発明に従って構成されたダイシングテープの前記離型層を剥離して、前記中間層の前記張り出している領域と、前記粘接着剤層とを露出させる工程と、前記離型層を剥離しながら、又は前記離型層を剥離した後に、露出した前記粘接着剤層に半導体ウェーハを積層し、かつ前記中間層の前記粘着部にダイシングリングを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハを前記粘接着剤層ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を剥離して、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。

さらに、本発明に係る別の半導体チップの製造方法は、本発明に従って構成されたダイシングテープの前記離型層を剥離して、前記中間層の前記張り出している領域と、前記基材層とを露出させる工程と、前記離型層を剥離しながら、又は前記離型層を剥離した後に、露出した前記基材層に半導体ウェーハを積層し、かつ前記中間層の前記粘着部にダイシングリングを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシングの後に、分割された前記半導体チップを剥離して、取り出す工程とを備える。

本発明に係るダイシングテープは、離型層と中間層とダイシング層とを備え、離型層と中間層の粘着部とが貼り付けられており、ダイシング層の６０℃での加熱収縮率が３．４％以下であり、かつダイシング層の２３℃での剛性率が１７．５Ｎ／２５ｍｍ以上であるので、半導体ウェーハを精度よくダイシングすることができ、従って所望の形状の半導体チップを得ることができ、ピックアップの効率を高めることができる。また、例えば、半導体ウェーハを直線状にダイシングすることができ、ダイシングラインが湾曲するのを抑制できる。

本発明に係る半導体チップの製造方法では、半導体ウェーハを精度よくダイシングできるので、所望の形状の半導体チップを得ることができ、ピックアップの効率を高めることができる。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るダイシングテープを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。 図２は、半導体チップの製造に用いられる半導体ウェーハを示す平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係るダイシングテープを用いて半導体チップを製造する方法の一例を説明するための図であり、半導体ウェーハがステージ上に置かれた状態を示す正面断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係るダイシングテープの離型層を中間層の粘着部から剥離するときの状態を示す正面断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係るダイシングテープの離型層が中間層及び粘接着剤層から剥離された後の状態を示す正面断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係るダイシングテープを用いて、粘接着剤層に半導体ウェーハを貼り付けた状態を示す正面断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係るダイシングテープを用いて、粘接着剤層に貼り付けられた半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した状態を示す正面断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係るダイシングテープを示す部分切欠正面断面図である。 図９は、本発明の第３の実施形態に係るダイシングテープを示す部分切欠正面断面図である。 図１０は、本発明の第４の実施形態に係るダイシングテープを示す部分切欠正面断面図である。 図１１は、本発明の第４の実施形態に係るダイシングテープを用いて、半導体ウェーハを半導体チップに分割した状態を示す正面断面図である。 図１２は、本発明の第５の実施形態に係るダイシングテープを示す部分切欠正面断面図である。 図１３は、本発明の第５の実施形態に係るダイシングテープを用いて、半導体ウェーハを半導体チップに分割した状態を示す正面断面図である。 図１４は、本発明の第６の実施形態に係るダイシングテープを示す部分切欠正面断面図である。 図１５は、本発明の第６の実施形態に係るダイシングテープを用いて、半導体ウェーハを半導体チップに分割した状態を示す正面断面図である。 図１６は、従来のダイシング−ダイボンディングテープの離型層を剥離するときの状態を示す部分切欠正面断面図である。 図１７は、従来のダイシング−ダイボンディングテープを用いて、ダイシングが行われた半導体ウェーハを示す平面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。

（第１の実施形態）
図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の第１の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。

図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシングテープ１は、離型層２と、粘接着剤層３と、中間層４と、ダイシング層５とを備える。中間層４の一方の面４ａに、粘接着剤層３が積層されており、中間層４の一方の面４ａとは反対側の他方の面４ｂに、ダイシング層５が積層されている。離型層２は、中間層４の一方の面４ａ側に配置されている。

粘接着剤層３の中間層４が貼り付けられた面とは反対側の表面３ａに、離型層２が積層され、貼り付けられている。粘接着剤層３は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。粘接着剤層３の離型層２が貼り付けられた表面３ａは、半導体ウェーハが貼り付けられる面である。ダイシングテープ１は、粘接着剤層３を備えるので、ダイシング−ダイボンディングテープである。本明細書では、粘接着剤層を備えていないダイシングテープだけでなく、粘接着剤層を備えているダイシング−ダイボンディングテープも、ダイシングテープと呼ぶ。

粘接着剤層３、中間層４及びダイシング層５の平面形状は、円形である。中間層４の外周側面は、粘接着剤層３により覆われていない。平面視において、粘接着剤層３は、離型層２、中間層４及びダイシング層５よりも小さい。平面視において、ダイシング層５の大きさは、中間層４の大きさとほぼ等しい。

離型層２の形状は長尺状である。平面視において、離型層２は、中間層４及びダイシング層５よりも大きい。離型層２は、中間層４及びダイシング層５の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。

粘接着剤層３は離型層２及び中間層４よりも小さいので、粘接着剤層３は、離型層２と中間層４との間の一部の領域に配置されている。従って、離型層２は、中間層４に間接に積層された部分を有する。中間層４は、中間層４の中央の領域に非粘着性を有する非粘着部４Ａを有する。中間層４の非粘着部４Ａに、粘接着剤層３が積層されている。中間層４の非粘着部４Ａは、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる位置に対応する部分である。

「非粘着性」には、表面が粘着性を有しない場合だけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれる。具体的には、「非粘着」とは、中間層４の非粘着部４Ａをステンレス板に貼り付けて、２３℃及び３００ｍｍ／分の剥離速度で、非粘着部４Ａをステンレス板から剥離したときに、粘着力が５ｇ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。

離型層２、中間層４及びダイシング層５は、粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している領域を有する。該張り出している領域は、中間層４の中央領域を取り囲む中間層４の外側部分の領域である。中間層４の外側部分の領域に、中間層４は、粘着性を有する粘着部４Ｂを有する。粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している領域において、離型層２と中間層４の粘着部４Ｂとが貼り付けられている。従って、離型層２は、中間層４に直接に積層された部分を有する。離型層２と中間層４とにより粘接着剤層３が覆われている。

粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している中間層４の領域の全ての領域が、粘着性を有する粘着部４Ｂである必要は必ずしもない。中間層は、中間層の少なくとも一部の領域に粘着性を有する粘着部を有していればよい。例えば、ダイシングリングを貼り付けることができるように、粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している中間層の外側部分の領域の少なくとも一部の領域に、中間層は、粘着性を有する粘着部を有していればよい。

このように、粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している中間層４の領域の少なくとも一部の領域に、中間層４が粘着性を有する粘着部４Ｂを有することにより、ダイシングの際に、中間層４の粘着部４Ｂに、ダイシングリングを容易に貼り付けることができる。

ダイシング層５の６０℃での加熱収縮率は、３．４％以下である。さらに、ダイシング層の２３℃での剛性率は、１７．５Ｎ／２５ｍｍ以上である。

ダイシングテープ１を用いて半導体ウェーハをダイシングする際には、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付けて、かつ中間層４の粘着部４ｂに、ダイシングリングを貼り付ける。この貼り付けの際に、ダイシング層５などに皺が生じないように、中心部から端部にかけてダイシング層５に引張応力がかけられる。従って、ダイシング層５は適度な引張応力を有する必要がある。また、ダイシング層５に引張応力がかけられることにより、貼り付けの後には、ダイシング層５には、収縮力が作用しやすい。すなわち、半導体ウェーハのダイシングの際には、ダイシング層５に収縮力が作用しやすい。

本願発明者らは、半導体ウェーハのダイシング性には、ダイシング層５の上記加熱収縮率及び上記剛性率が大きく関係しており、かつ半導体ウェーハを精度良くダイシングするためには、上記加熱収縮率及び上記剛性率がそれぞれ、上記範囲を満たすことが極めて重要であることを見出した。すなわち、本実施形態の主な特徴は、ダイシング層５の上記加熱収縮率及び上記剛性率がそれぞれ、上記範囲を満たすことにある。ダイシング層５の上記加熱収縮率及び上記剛性率がそれぞれ、上記範囲を満たす場合には、貼り付けの際に、ダイシング層５を適度に引き延ばすことができ、かつ半導体ウェーハのダイシングの際に、端部から中央部にかけての収縮力がダイシング層５に作用し難いため、半導体ウェーハを精度良くダイシングすることができる。従って、所望の形状の半導体チップを得ることができる。例えば、半導体ウェーハを直線状にダイシングすることができ、ダイシングの際に、ダイシングラインが湾曲するのを抑制できる。

ダイシング層５の６０℃での加熱収縮率の好ましい上限は３．０％である。ダイシング層５の２３℃での剛性率の好ましい下限は２０．０Ｎ／２５ｍｍである。上記加熱収縮率及び上記剛性率の上限又は下限が上記値である場合には、半導体ウェーハをより一層精度良くダイシングすることができる。

ダイシング層５の６０℃での加熱収縮率は、以下のようにして測定できる。

１辺がダイシング層の縦方向（ＭＤ）に平行になるように、２１０ｍｍ×２９７ｍｍのサイズのダイシング層を採取する。さらに、ダイシング層を縦１５０ｍｍ及び横１５０ｍｍの大きさに切り取る。その後、ダイシング層５に縦方向（ＭＤ）と横方向（ＴＤ）にそれぞれ１５０ｍｍの長さの標線を引く。次に、６０℃の乾燥機に２４時間静置した後、標線の長さを測定し、下記に示す式により加熱収縮率を求める。また、ダイシング層５の縦方向（ＭＤ）と横方向（ＴＤ）との加熱収縮率を測定し、収縮率の大きい方向の加熱収縮率をダイシング層の加熱収縮率とする。

加熱収縮率（％）＝｛（１５０−加熱後の標線長さ）／１５０｝×１００
ダイシング層５の２３℃での剛性率は、以下のようにして測定できる。

ダイシング層を長さ（縦方向（ＭＤ））１５０ｍｍ及び幅２５ｍｍの大きさに切り出し、オリエンテック社製ＲＴＣ−１３１０Ａを用いて、引張速度３００ｍｍ／分の条件で、ダイシング層５の破断点での荷重を剛性率として測定する。

中間層４の非粘着部４Ａと粘着部４Ｂとは一体的に形成されている。中間層４は、例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の粘着性を有する組成物を用いて形成できる。活性エネルギー線硬化型の組成物の場合には、組成物に対する活性エネルギー線の照射量を部分的に調整することにより、中間層４の粘着性を部分的に異ならせることができる。なお、組成物は後述する。

中間層４の中央の領域すなわち非粘着部４Ａは、粘着性を有する粘着部であってもよい。この場合に、中間層の中央の領域の粘着力は、粘着部４Ｂの粘着力と同一であってもよく、異なっていてもよい。ただし、粘接着剤層３付き半導体チップを中間層４からより一層容易に剥離できるので、中間層４は、中間層４の中央の領域に、非粘着部４Ａを有することが好ましい。

図１（ｂ）に示すように、長尺状の離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３、中間層４及びダイシング層５を有する複数の積層体が等間隔に配置されている。また、離型層２の上面２ａに保護シート６，７が設けられている。なお、保護シート６，７は設けられていなくてもよい。また、離型層２、粘接着剤層３、中間層４及びダイシング層５の厚み及び形状は特に限定されない。

（第１の実施形態に係るダイシングテープを用いた半導体チップの製造方法）
次に、図２〜図７を用いて、上述した本発明の第１の実施形態に係るダイシングテープ１を用いた場合の半導体チップの製造方法の一例を、以下説明する。

先ず、ダイシングテープ１と、半導体ウェーハ２１とを用意する。

図２に示すように、半導体ウェーハ２１の平面形状は円形である。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。

半導体ウェーハ２１の厚みは、３０μｍ以上であることが好ましい。半導体ウェーハ２１の厚みが薄いと、研削時又はハンドリング時に、クラック等が発生し、半導体チップが破損することがある。

図３に示すように、半導体ウェーハ２１を裏返して、裏返された半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載せる。すなわち、半導体ウェーハ２１を表面２１ａ側からステージ２２上に載せる。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２３が設けられている。

また、図４に示すように、ダイシングテープ１の離型層２を剥離する。離型層２の剥離の際には、一般的には、中間層４の外周縁４ｃ部分から、離型層２を剥離する。例えば、中間層４の外周縁４ｃ部分の離型層２を折り曲げたり、離型層２の中間層４が積層された面とは反対側の面側から、ピンにより中間層４の外周縁４ｃを突き上げることにより、離型層２を剥離できる。図５に示すように、離型層２を剥離すると、粘接着剤層３の表面３ａと、中間層４の張り出している外側部分の領域すなわち粘着部４Ｂとが露出される。

次に、図６に示すように、ダイシングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の表面３ａを、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに貼り付ける。粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している領域に、中間層４は粘着性を有する粘着部４Ｂを有する。ダイシングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した中間層４の粘着部４Ｂを、ダイシングリング２３に貼り付ける。

平面視において、半導体ウェーハ２１は、粘接着剤層３よりも小さいことが好ましい。半導体ウェーハ２１と粘接着剤層３との大きさが上記好ましい関係を満たすと、半導体ウェーハ２１の貼り合わせが容易となり、作業性をより一層高めることができる。

平面視において、粘接着剤層３は非粘着部４Ａよりも小さいことが好ましい。粘接着剤層３と非粘着部４Ａとの大きさが上記好ましい関係を満たすと、ダイシングに使用される切断刃が粘着部４Ｂに触れることがない。このため、粘着部４Ｂがダイシングブレードに付着し、ダイシングブレードが汚染されることがない。従って、ダイシングとピックアップとの作業効率をより一層高めることができる。

次に、粘接着剤層３が貼り付けられた半導体ウェーハ２１をステージ２２から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２３が中間層４の粘着部４Ｂに貼り付けられた状態で取り出される。

図７に示すように、取り出した半導体ウェーハ２１を表面２１ａが上方になるように裏返して、別のステージ２４上に載せる。次に、図７に矢印Ｘを付して示すように、半導体ウェーハ２１を粘接着剤層３ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する。半導体ウェーハ２１及び粘接着剤層３をそれぞれ、両面を貫通するように切断する。切断の後に、粘接着剤層３及び中間層４に切断面３１が形成される。

本実施形態では、ダイシング層５の上記加熱収縮率及び上記剛性率が上記範囲内にあるため、半導体ウェーハを精度良くダイシングすることができる。例えば、半導体ウェーハ２１を直線状にダイシングすることができる。具体的には、図２に示すように、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域ごとに、半導体ウェーハ２１を精度よく分割できる。

ダイシングは、半導体ウェーハ２１及び粘接着剤層３を貫通するように行われれば特に限定されない。例えば、粘接着剤層３と中間層４との界面よりも深い位置に至るようにダイシングブレードを挿入し、中間層４に切り込みを形成してもよい。

半導体ウェーハ２１をダイシングする方法としては、ダイシングブレードを用いる方法、又はレーザーダイシングする方法等が挙げられる。

中間層４の非粘着部４Ａが、例えば硬化されている場合には、非粘着部４Ａがレーザー光の照射により反応し難い。このため、中間層４が粘接着剤層３に融着し難い。従って、レーザー光を用いたダイシングを行った場合でも、半導体チップのピックアップを無理なく行うことができる。

半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、ダイシング層５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップ間の間隔を拡張する。その後、半導体チップが貼り付けられた粘接着剤層３を中間層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。

中間層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。組成物は、粘着性を有することが好ましい。組成物は、粘着剤組成物であることが好ましい。組成物としては、熱硬化型又は活性エネルギー線硬化型の組成物が挙げられる。中間層４の粘着力をより一層容易に制御できるので、組成物は、活性エネルギー線硬化型の組成物であることが好ましい。

（中間層４の詳細）
中間層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合には、ダイシングの際の切削性をより一層高くすることができる。

上記組成物中の樹脂分の合計１００重量％中、上記アクリル系ポリマーの含有量は５０重量％以上であることが好ましい。アクリル系ポリマーを含む組成物により形成された中間層は、ポリオレフィン系樹脂により形成された層等と比べて、柔らかい。このため、ダイシングの際の切削性をより一層高くすることができる。

上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、中間層４の極性を充分に低くすることができ、中間層４の表面エネルギーを低くすることができ、かつ粘接着剤層３の中間層４からの剥離性を高くすることができる。上記アルキル基の炭素数が１８を超えると、中間層４の製造が困難になることがある。上記アルキル基の炭素数は、６以上であることが好ましい。この場合には、中間層４の極性をより一層低くすることができる。上記「（メタ）アクリル酸」とは、メタクリル酸又はアクリル酸を意味する。

上記アクリル系ポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとして用いて得られたポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーは、上記主モノマーと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることがより好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーのアルキル基の炭素数は２以上であることが好ましく、６以上であることが特に好ましい。上記アクリル系ポリマーの重量平均分子量は２０万〜２００万程度である。

上記他の改質用モノマーは特に限定されない。上記他の改質用モノマーは、カルボキシル基を有するモノマーではないことが好ましい。カルボキシル基を有するモノマーが用いられた場合、中間層４の極性が高くなる。この結果、ピックアップ性が低下することがある。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは特に限定されない。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーであることが好ましい。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル又は（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記官能基含有モノマーとしては、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル又は（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有モノマー等が挙げられる。

上記アクリル系ポリマーは、反応性二重結合を有する硬化型アクリル系ポリマーであることが好ましい。この場合には、該硬化型アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体の架橋密度を高くすることができる。上記硬化型アクリル系ポリマーとして、反応性二重結合を側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有する硬化型アクリル系ポリマー等が挙げられる。

上記アクリル系ポリマーに反応性二重結合を導入する方法は、特に制限されない。分子設計が容易であるため、上記反応性二重結合は、側鎖に導入されていることが好ましい。例えば、アクリル系ポリマーに官能基含有モノマーが共重合された官能基含有アクリル系ポリマーを用意した後に、この官能基（以下、官能基Ａともいう）と反応し得る官能基（以下、官能基Ｂともいう）、及び反応性二重結合の両方を有する化合物（以下、化合物Ｃともいう）を、反応性二重結合が残存するように、上記官能基含有アクリル系ポリマーに縮合反応又は付加反応によって導入する方法が挙げられる。

上記官能基Ａと官能基Ｂとの組合せの例としては、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、又は水酸基とイソシアネート基等の組合せが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも、反応を容易に制御できるため、水酸基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせでは、どの官能基を上記官能基含有アクリル系ポリマーが含有していてもよく、またどの官能基を上記化合物Ｃが含有していてもよい。水酸基を有する官能基含有アクリル系ポリマーと、イソシアネート基を有する上記化合物の組合せが好ましい。

上記イソシアネート基及び反応性二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、１，１−ビス（アクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート、又はｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。

上記組成物は、アクリル基と反応可能な二重結合を有し、かつ重量平均分子量が５００〜５０，０００の範囲内にあるオリゴマーをさらに含んでいてもよい。

上記組成物は、紫外線吸収材を含んでいてもよい。また、組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。

上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。

上記光反応開始剤は特に限定されない。上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。また、上記熱反応開始剤は特に限定されない。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。

上記光ラジカル発生剤は特に限定されない。上記光ラジカル発生剤の市販品としては、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア８１９、イルガキュア６５１、イルガキュア３６９及びイルガキュア３７９（以上、いずれもチバ・スペシャリティーケミカルズ社製）、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、並びにルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ Ｊａｐａｎ社製）等が挙げられる。

上記光カチオン発生剤として、オニウム塩類又は有機金属錯体類を使用できる。上記オニウム塩類としては、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ハロニウム塩又は芳香族スルホニウム塩等が挙げられる。上記有機金属錯体類としては、鉄−アレン錯体、チタノセン錯体又はアリールシラノール−アルミニウム錯体等が挙げられる。

上記熱ラジカル発生剤としては、有機過酸化物又はアゾ化合物等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート又はｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）又はジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）等が挙げられる。

上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。イソシアネート系架橋剤は特に限定されない。イソシアネート系架橋剤としては、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネート、水添ジフェニルメタンジイソシアネート、パラフェニレンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、リジンイソシアネート、イソプロピリデンビスシクロヘキシルジイソシアネート又はトリジンジイソシアネート等のイソシアネートモノマー等が挙げられる。これらイソシアネートモノマーの二量体、三量体及び付加体を用いてもよい。上記付加体の市販品としては、コロネートＬ、コロネートＨＬ、コロネート２０３０及びミリオネートＭＲ（以上、いずれも日本ポリウレタン工業社製）等が挙げられる。

中間層４の厚みは特に限定されない。中間層４の厚みは、１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。中間層４の厚みのより好ましい下限は５μｍであり、より好ましい上限は６０μｍである。中間層４の厚みが薄すぎると、エクスパンド性が不足することがある。中間層４の厚みが厚すぎると、厚みが不均一になり、ダイシングを適切に行えないことがある。

中間層４は、例えば上記組成物を用いて、以下のようにして得られる。

中間層４を形成するための粘着性を有する組成物層を、例えば離型層上に形成する。次に、部分的に、活性エネルギー線の照射及び熱の付与の内の少なくとも一つの処理を行う。または、部分的に、活性エネルギー線の照射量又は熱量を異ならせる。活性エネルギー線硬化もしくは熱硬化により、又は活性エネルギー線硬化及び熱硬化により、組成物層を硬化（架橋）させる。

活性エネルギー線の照射又は熱の付与により、粘接着剤層３に貼り付けられている中間層４の中央の領域に、非粘着性を有する非粘着部４Ａと、粘接着剤層３の外周側面３ａよりも側方に張り出している中間層４の領域に、粘着性を有する粘着部４Ａとを有する中間層４を得ることができる。

活性エネルギー線硬化を用いることが好ましく、光硬化を用いることが特に好ましい。活性エネルギー線硬化の場合には、非粘着部４Ａを所望の位置により一層容易に形成できる。

非粘着部４Ａの架橋密度は、粘着部４Ｂの架橋密度よりも高いことが好ましい。中間層４の形成の際に、例えば、活性エネルギー線硬化型の組成物に対する活性エネルギー線の照射量を大きくすることにより、架橋密度を高くすることができる。

（ダイシング層５の詳細）
ダイシング層５は特に限定されない。ダイシング層５を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。

ダイシング層５の厚みは特に限定されない。ダイシング層５の厚みは、１０〜２００μｍの範囲内にあることが好ましい。ダイシング層５の厚みのより好ましい下限は６０μｍであり、より好ましい上限は１５０μｍである。ダイシング層５の厚みが上記範囲内にあると、離型層２の剥離性及びダイシング層５のエクスパンド性をより一層高くすることができる。

（離型層２の詳細）
離型層２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。

離型層２の厚みは特に限定されない。離型層２の厚みは、１０〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。離型層２の厚みのより好ましい下限は２５μｍであり、より好ましい上限は５０μｍである。離型層２の厚みが上記範囲内にあると、離型層２の取扱い性又は剥離性をより一層高くすることができる。

（粘接着剤層３の詳細）
粘接着剤層３は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。粘接着剤層３は、ダイシングの際に、半導体ウェーハごと切断される。

粘接着剤層３は、例えば適宜の硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。粘接着剤層３付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層３付き半導体チップを粘接着剤層３側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、粘接着剤層３を硬化させることにより、粘接着剤層３を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。上記硬化性樹脂にかえて、熱可塑性樹脂を用いてもよい。

上記硬化性樹脂は特に限定されない。上記硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等が挙げられる。

上記熱硬化性樹脂は特に限定されない。上記熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂又はポリウレタン樹脂等が挙げられる。上記光硬化性樹脂は特に限定されない。上記光硬化性樹脂としては、例えば感光性オニウム塩等の光カチオン触媒により重合するエポキシ樹脂、又は感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等が挙げられる。また、上記硬化性樹脂として、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル酸メチル又はホットメルト型接着樹脂が好適に用いられる。上記ホットメルト型接着樹脂としては、アクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ樹脂は特に限定されない。上記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂であることが好ましい。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されない。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、又は３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。

上記硬化性樹脂とともに、上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを用いてもよい。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとしては、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂又はエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、又はカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。上記硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と、硬化促進剤とを併用してもよい。

粘接着剤層３の厚みは特に限定されない。粘接着剤層３の厚みは、１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。粘接着剤層３の厚みのより好ましい下限は３μｍであり、より好ましい上限は６０μｍである。粘接着剤層３の厚み上記範囲内にあると、粘接着剤層３を介して半導体チップを基板上により一層容易に貼り付けることができ、又は半導体装置の薄型化に対応できる。

（第２の実施形態）
図８に、本発明の第２の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図で示す。図８に示すダイシングテープ５１は、中間層が異なること以外は、ダイシングテープ１と同様に構成されている。ダイシングテープ５１は、ダイシング−ダイボンディングテープである。ダイシングテープ１と同様に構成されているところは同一の符号を付してその説明を省略する。

ダイシングテープ５１は、中間層５２を備える。粘接着剤層３に貼り付けられている中間層５２の中央の領域に、中間層５２は、非粘着性を有する非粘着部５２Ａを有する。中間層５２は、粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している領域を有する。張り出している領域の中間層５２の内側部分の領域に、中間層５２は、粘着性を有する粘着部５２Ｂを有する。張り出している領域の中間層５２の外側部分の領域に、中間層５２は、非粘着性を有する非粘着部５２Ｃを有する。すなわち、中間層５２の外周縁の領域に、中間層５２は非粘着部５２Ｃを有する。粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している領域において、離型層２と中間層５２の粘着部５２Ｂとが貼り付けられている。離型層２と中間層５２とにより粘接着剤層３が覆われている。平面視において中間層５２は、中心部から端部にかけて、非粘着部５２Ａと、粘着部５２Ｂと、非粘着部５２Ｃとを有する。

中間層５２は、中間層４を構成する材料により形成できる。例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の組成物を用いて、非粘着部５２Ａ，５２Ｃと粘着部５２Ｂとを形成するために、組成物に付与する活性エネルギー線の照射量又は熱量を部分的に異ならせればよい。

（第３の実施形態）
図９に、本発明の第３の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図で示す。図９に示すダイシングテープ６１は、中間層が異なること以外は、ダイシングテープ１と同様に構成されている。ダイシングテープ６１は、ダイシング−ダイボンディングテープである。

ダイシングテープ６１は、中間層６２を備える。中間層６２は、粘着性を有する粘着部である。すなわち、中間層６２は、粘着性を有する粘着剤層である。中間層６２は、粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している領域を有する。粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している領域において、離型層２と粘着性を有する中間層６２とが貼り付けられている。離型層２と中間層６２とにより粘接着剤層３が覆われている。

中間層６２は、中間層４を構成する材料により形成できる。例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の組成物を用いて、中間層６２を形成するために、組成物に活性エネルギー線又は熱を付与しなかったり、組成物に付与する活性エネルギー線の照射量又は熱量を少なくすればよい。

さらに、中間層６２を構成する材料の他の具体例として、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤又はゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤の使用により、ダイシングリングを中間層６２からより一層容易に剥離できる。さらに、中間層６２のコストを低減できる。

（第４の実施形態）
図１０に、本発明の第４の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図で示す。図１０に示すダイシングテープ７１は、基材層をさらに備えること以外は、ダイシングテープ６１と同様に構成されている。ダイシングテープ７１は、ダイシング−ダイボンディングテープである。

ダイシングテープ７１は、基材層７２を備える。基材層７２が中間層６２側に、粘接着剤層３が離型層２側に配置されている。平面視において、粘接着剤層３は、基材層７２よりも小さい。平面視において、基材層７２は、中間層６２、ダイシング層５及び離型層２よりも小さい。平面視において、粘接着剤層３は基材層７２よりも小さいことが好ましい。

基材層７２は、非粘着性を有する。粘接着剤層３及び基材層７２は離型層２及び中間層６２よりも小さいので、粘接着剤層３及び基材層７２は、離型層２と中間層６２との間の一部の領域に配置されている。

離型層２、中間層６２及びダイシング層５は、基材層７２及び粘接着剤層３の外周側面７２ａ，３ｂよりも側方に張り出している領域を有する。中間層６２は全体が粘着部であるため、中間層６２は上記張り出している領域に粘着部を有する。基材層７２及び粘接着剤層３の外周側面７２ａ，３ｂよりも側方に張り出している領域において、離型層２と粘着性を有する中間層６２とが貼り付けられている。離型層２と中間層６２とにより基材層７２及び粘接着剤層３が覆われている。

基材層７２は、上述した中間層４を構成する材料により形成できる。例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の組成物を用いて、活性エネルギー線の照射量又は熱量を多くし、組成物を充分に硬化（架橋）させることにより、基材層７２を形成できる。

基材層７２を備える場合の中間層６２の厚みの好ましい範囲は、中間層４の厚みと同様である。また、基材層７２の厚み特に限定されない。基材層７２の厚みは、１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。基材層７２の厚みのより好ましい下限は５μｍであり、より好ましい上限は６０μｍである。基材層７２の厚みが薄すぎると、エクスパンド性が不足することがある。基材層７２の厚みが厚すぎると、厚みが不均一になることがある。厚みが不均一であると、ダイシングを適切に行えないことがある。

ダイシングテープ７１を用いて半導体チップを製造する際には、先ずダイシングテープ７１の離型層２を剥離して、粘着部である中間層６２の張り出している領域と、粘接着剤層３とを露出させる。図１１に示すように、離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３に半導体ウェーハを積層し、かつ粘着部である中間層６２にダイシングリング２３を貼り付ける。次に、半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する。ダイシングの後に、分割された半導体チップを剥離して、取り出す。

ダイシングの後に、半導体チップが貼り付けられた粘接着剤層３は、非粘着性を有する基材層７２に積層されている。このため、粘接着剤層３付き半導体チップを基材層７２から容易に剥離して、取り出すことができる。

（第５の実施形態）
図１２に、本発明の第５の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図で示す。図１２に示すダイシングテープ８１は、粘接着剤層を備えていないこと以外は、ダイシングテープ７１と同様に構成されている。

ダイシングテープ８１は、粘接着剤層３を備えていない。基材層７２は離型層２及び中間層６２よりも小さいので、基材層７２は、離型層２と中間層６２との間の一部の領域に配置されている。

離型層２、中間層６２及びダイシング層５は、基材層７２の外周側面７２ａよりも側方に張り出している領域を有する。中間層６２は全体が粘着部であるため、中間層６２は上記張り出している領域に粘着部を有する。基材層７２の外周側面７２ａよりも側方に張り出している領域において、離型層２と粘着性を有する中間層６２とが貼り付けられている。離型層２と中間層６２とにより基材層７２が覆われている。

ダイシングテープ８１を用いて半導体チップを製造する際には、先ずダイシングテープ８１の離型層２を剥離して、粘着部である中間層６２の張り出している領域と、基材層７２とを露出させる。図１３に示すように、離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した基材層７２に半導体ウェーハを積層し、かつ粘着部である中間層６２にダイシングリング２３を貼り付ける。次に、半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する。ダイシングの後に、分割された半導体チップを剥離して、取り出す。

（第６の実施形態）
図１４に、本発明の第６の実施形態に係るダイシングテープを部分切欠正面断面図で示す。図１４に示すダイシングテープ９１は、粘接着剤層を備えていないこと以外は、ダイシングテープ１と同様に構成されている。

ダイシングテープ９１は、粘接着剤層３を備えていない。離型層２と、粘着性を有する中間層４の粘着部４Ｂとが貼り付けられている。中間層４にかえて、中間層５２又は中間層６２を用いてもよい。

ダイシングテープ９１を用いて半導体チップを製造する際には、先ずダイシングテープ９１の離型層２を剥離して、中間層４を露出させる。図１５に示すように、離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した中間層４に半導体ウェーハを積層し、かつ中間層４の粘着部４Ｂにダイシングリング２３を貼り付ける。次に、半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する。ダイシングの後に、分割された半導体チップを剥離して、取り出す。

以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。

（実施例１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギー社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体を得た。アクリル共重合体は、重量平均分子量が７０万であり、酸価が０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。

得られたアクリル共重合体１００重量部、Ｕ−３２４Ａ（新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー）２重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギー社製）１重量部、及びコロネートＬ（日本ポリウレタン工業社製、イソシアネート系架橋剤）０．５重量部を配合し、酢酸エチルに溶解し、組成物を得た。この組成物を離型ＰＥＴフィルム上にアプリケーターを用いて塗工し、１１０℃で３分間加熱乾燥し、厚み２０μｍのフィルム状の組成物層を形成した。この組成物層にダイシング層を貼り合わせて、４０℃で２４時間保管し、積層体を得た。なお、上記ダイシング層は、ＬＤＰＥ（プライムポリマー社製、Ｍ１２）を原料として用いて、Ｔダイ法により、厚み６０μｍに製造した（ＤＣ１）。上記ダイシング層の上記中間層が貼り合わされた面にはコロナ処理を施した。

また、Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ基含有アクリル系高分子ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）８０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（大日本インキ社製、ナフタレン型エポキシ樹脂）５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部とを配合し、配合物を得た。この配合物をアプリケーターにて厚さ４０μｍになるようにリンテック社製ＰＥＴ３８ＣＳ上に塗布し、１１０℃で３分間加熱乾燥して、粘接着剤層を得た。

得られた積層体の離型ＰＥＴフィルムを剥がし、露出した組成物層を、ＰＥＴ３８ＣＳ上の粘接着剤層と貼り合わせ、積層体を得た。次に、組成物層の中央の領域に高圧水銀灯下で３６５ｎｍの紫外線を２０００ｍＪで照射し、中間層を形成した。紫外線照射部が粘接着剤層よりも大きくなるようにした。粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域において、粘着部としての紫外線未照射部をＰＥＴ３８ＣＳ上に貼り合わせ、かつ紫外線照射部をＰＥＴ３８ＣＳ上に積層した。このようにしてダイシングテープを得た。

（実施例２）
ダイシング層の厚みを５０μｍに変更したこと（ＤＣ２）以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープを得た。

（実施例３）
ダイシング層の原料をＨＤＬＥ（プライムポリマー社製３３００Ｆ）に変更したこと、並びにダイシング層の厚みを５０μｍに変更したこと（ＤＣ３）以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープを得た。

（比較例１）
ダイシング層の厚みを４０μｍに変更したこと（ＤＣ４）以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープを得た。

（比較例２）
ダイシング層を積水化学工業社製ＰＥテープ（６３１８Ｂ）に変更し、ダイシング層の厚みを６０μｍにしたこと（ＤＣ５）以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープを得た。

（加熱収縮率の評価）
１辺がダイシング層の縦方向（ＭＤ）に平行になるように、２１０ｍｍ×２９７ｍｍのサイズのダイシング層を採取した。さらに、ダイシング層を縦１５０ｍｍ及び横１５０ｍｍの大きさに切り取った。次に、ダイシング層に縦方向（ＭＤ）と横方向（ＴＤ）にそれぞれ１５０ｍｍの長さの標線を引いた。次に、６０℃の乾燥機に２４時間静置した後、標線の長さを測定し、下記に示す式により加熱収縮率を求めた。また、ダイシング層の縦方向（ＭＤ）と横方向（ＴＤ）との加熱収縮率を測定し、収縮率の大きい方向の加熱収縮をダイシング層の加熱収縮率とした。

加熱収縮率（％）＝｛（１５０−加熱後の標線長さ）／１５０｝×１００
（剛性率の評価）
ダイシング層を長さ（縦方向（ＭＤ））１５０ｍｍ及び幅２５ｍｍの大きさに切り出し、オリエンテック社製ＲＴＣ−１３１０Ａを用いて、引張速度３００ｍｍ／分の条件で、ダイシング層の破断点での荷重を剛性率として測定した。

（カーフラインのシフト評価）
ダイシング時の溝（ダイシングライン）が湾曲しているか否かを、ダイシングによって分割された半導体チップの移動量（カーフラインのシフト量）によって評価した。

得られたダイシングテープを用いて、タカトリ社製ダイシート貼り機ＤＡＭ−８１２ＭＳにて、離型ＰＥＴフィルムを剥離し、送り速度４５ｍｍ／秒で、露出した粘接着剤層を直径８インチ及び厚み８０μｍのシリコンウェーハの一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。また、この評価サンプルがダイシングできるように、中間層にダイシングリングに貼り合わせた。

ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、評価サンプル１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。ダイシングはダイシング層の縦方向に平行及び垂直に行った。

ダイシングの後のダイシングリング付きの評価サンプルのカーフラインのシフト量を全てのダイシングラインで測定し、最も移動量が大きいものを評価サンプルのカーフラインのシフト量とした。

なお、カーフラインのシフト量は０ｍｍであることが好ましい。カーフラインのシフト量が０．０８０ｍｍ以内であれば問題なくピックアップできる。また、カーフラインのシフト量が０．０８０ｍｍよりも大きいと、ピックアップ効率が下がる。

（ピックアップの評価）
ダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キヤノンマシナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、及びエキスパンド４ｍｍの各条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行った。１００個の半導体チップ中、ピックアップできなかった半導体チップの個数を数えた。

結果を下記の表１に示す。

１…ダイシングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…表面
３ｂ…外周側面
４…中間層
４ａ…一方の面
４ｂ…他方の面
４ｃ…外周縁
４Ａ…非粘着部
４Ｂ…粘着部
５…ダイシング層
６，７…保護シート
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ
３１…切断面
５１…ダイシングテープ
５２…中間層
５２Ａ…第１の非粘着部
５２Ｂ…粘着部
５２Ｃ…第２の非粘着部
６１…ダイシングテープ
６２…中間層
７１…ダイシングテープ
７２…基材層
７２ａ…外周側面
８１…ダイシングテープ
９１…ダイシングテープ

Claims (9)

1. 半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得るのに用いられるダイシングテープであって、
   中間層と、
   前記中間層の一方の面側に配置された離型層と、
   前記中間層の他方の面に積層されたダイシング層とを備え、
   前記中間層が、前記中間層の少なくとも一部の領域に粘着性を有する粘着部を有し、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、
   前記ダイシング層の６０℃での加熱収縮率が３．４％以下であり、かつ前記ダイシング層の２３℃での剛性率が１７．５Ｎ／２５ｍｍ以上である、ダイシングテープ。
2. 前記中間層が、前記中間層の中央の領域に、非粘着性を有する非粘着部と、前記非粘着部を取り囲む前記中間層の外側部分の領域に、粘着性を有する前記粘着部とを有する、請求項１に記載のダイシングテープ。
3. 前記中間層が粘着性を有する粘着剤層である、請求項１又は２に記載のダイシングテープ。
4. 前記離型層と前記中間層との間に配置された粘接着剤層をさらに備え、
   前記離型層、前記中間層及び前記ダイシング層が、前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、
   前記中間層が、前記張り出している領域に前記粘着部を有し、
   前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域において、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、前記離型層と前記中間層とにより前記粘接着剤層が覆われている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシングテープ。
5. 前記離型層と前記中間層との間に配置された基材層と粘接着剤層とをさらに備え、
   前記基材層が非粘着性を有し、
   前記基材層が前記中間層側に、かつ前記粘接着剤層が前記離型層側に配置されており、
   前記離型層、前記中間層及び前記ダイシング層が、前記基材層及び前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、
   前記中間層が、前記張り出している領域に前記粘着部を有し、
   前記基材層及び前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域において、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、前記離型層と前記中間層とにより前記基材層及び前記粘接着剤層が覆われている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシングテープ。
6. 前記離型層と前記中間層との間に配置されており、かつ非粘着性を有する基材層をさらに備え、
   前記離型層、前記中間層及び前記ダイシング層が、前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有し、
   前記中間層が、前記張り出している領域に前記粘着部を有し、
   前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域において、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、前記離型層と前記中間層とにより前記基材層が覆われている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシングテープ。
7. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシングテープの前記離型層を剥離して、前記中間層を露出させる工程と、
   前記離型層を剥離しながら、又は前記離型層を剥離した後に、露出した前記中間層に半導体ウェーハを積層し、かつ前記中間層の前記粘着部にダイシングリングを貼り付ける工程と、
   前記半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
   ダイシングの後に、前記半導体チップを剥離して、取り出す工程とを備える、半導体チップの製造方法。
8. 請求項４又は５に記載のダイシングテープの前記離型層を剥離して、前記中間層の前記張り出している領域と、前記粘接着剤層とを露出させる工程と、
   前記離型層を剥離しながら、又は前記離型層を剥離した後に、露出した前記粘接着剤層に半導体ウェーハを積層し、かつ前記中間層の前記粘着部にダイシングリングを貼り付ける工程と、
   前記半導体ウェーハを前記粘接着剤層ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
   ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を剥離して、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、半導体チップの製造方法。
9. 請求項６に記載のダイシングテープの前記離型層を剥離して、前記中間層の前記張り出している領域と、前記基材層とを露出させる工程と、
   前記離型層を剥離しながら、又は前記離型層を剥離した後に、露出した前記基材層に半導体ウェーハを積層し、かつ前記中間層の前記粘着部にダイシングリングを貼り付ける工程と、
   前記半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
   ダイシングの後に、分割された前記半導体チップを剥離して、取り出す工程とを備える、半導体チップの製造方法。

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