JP2010230737A - 光モジュール及び光の進行方向の変換方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造が容易であり、低コストで製造が可能な光モジュールの提供。
【解決手段】光伝送路と、前記光伝送路の光軸に対して垂直の方向に設置された光半導体素子と、前記光伝送路と前記光半導体素子とを光学的に接続する光結合路と、少なくとも前記光結合導波路の表面の一部に形成している金属コートとを有し、前記光結合導波路は、単一の透明樹脂のみからなり、前記透明樹脂の端面が前記光伝送路のコア端面全体および前記光半導体素子の受発光面全体を覆っており、前記透明樹脂の側面形状が樹脂の表面張力により形成されており、前記光伝送路端面と前記光半導体素子の受発光面の中心を通り、両面に対し垂直な断面において前記透明樹脂の外側の外周形状が略円弧形状であり、前記金属コートは略円弧状の前記光結合導波路の表面の少なくとも略円弧状の外側に形成されていることを特徴とする光モジュール。
【選択図】図2
【解決手段】光伝送路と、前記光伝送路の光軸に対して垂直の方向に設置された光半導体素子と、前記光伝送路と前記光半導体素子とを光学的に接続する光結合路と、少なくとも前記光結合導波路の表面の一部に形成している金属コートとを有し、前記光結合導波路は、単一の透明樹脂のみからなり、前記透明樹脂の端面が前記光伝送路のコア端面全体および前記光半導体素子の受発光面全体を覆っており、前記透明樹脂の側面形状が樹脂の表面張力により形成されており、前記光伝送路端面と前記光半導体素子の受発光面の中心を通り、両面に対し垂直な断面において前記透明樹脂の外側の外周形状が略円弧形状であり、前記金属コートは略円弧状の前記光結合導波路の表面の少なくとも略円弧状の外側に形成されていることを特徴とする光モジュール。
【選択図】図2
Description
本発明は、光通信や光伝送技術及び光情報記録技術に用いられる光モジュールに係わり、特に光半導体素子と光伝送路との光結合部に関するもので、光モジュールを低コスト化せしめるものである。
光モジュールでは、基板に搭載された光半導体素子と、光軸が基板と平行になるように設置された光伝送路とを、光路変換用ミラーと集光レンズを介して光結合させる構造が一般に用いられている。しかし、この構造の光結合部は部品点数が多く、高い実装精度を要求される場合が多いため、光モジュールのコストアップの大きな要因となっていた。
この問題を解決するために、新しい光結合部の開発が試みられており、例えば、特許文献1には、図1に示すような屈折率の異なる構造により、光結合部の部材数を減らすことで光モジュールの低コスト化を行う方法が開示されている。図1中、符号11は基板、12はアレイ状面型光素子、13はアレイ状光ファイバ、13Aは光ファイバのコア、13Bは光ファイバのクラッド、15は光導波路構造体、16は第1のクラッド、17はコア、18は第2のクラッド、そして19は第3のクラッドである。
この従来の光モジュールでは、一方の面から入射された複数の入射光を、進行方向を変えて他方の面から出射させる光路変換用光導波路15を用い、アレイ状面型光素子12とアレイ状光ファイバ13とを光結合させている。前記光路変換用光導波路15は、光の進行方向に沿って表裏両面に溝が設けられた第1のクラッド16と前記コア17の表出面を含む面を覆い、前記第1のクラッドと一体化された状態で前記第1のクラッドの表裏面上にそれぞれ設けられた第2のクラッド18および第3のクラッド19とを有している。
前述した従来の光モジュールでは、光路変換用光導波路15を通る光を正確にアレイ状面型光素子12の受発光面に集光するためには、光路変換用光導波路15をXYZ軸を中心とする回転方向(以下θφψ方向と呼ぶ)についても高い精度で実装する必要がある。そのためには、光路変換用光導波路の位置を決めるために、光路変換用光導波路15から光を常に出射させてアレイ状面型光素子12の受光信号をモニタし、光のパワーが最大となるように、光路変換用光導波路15をXYZおよびθφψ方向について調芯しなければならないため、組立作業に時間がかかり、光モジュールの製造コストが高くなるという問題点があった。
また、従来の光モジュールに用いる光路変換用光導波路15は、コア17を形成するためにクラッド16が必要なので、光路変換用光導波路15の部材コストが高くなるという問題があった。また、前記クラッド16の成型には金型が必要なため、光路変換用光導波路15の製造コストが高くなるという問題があった。
本発明は、前記事情に鑑みてなされ、製造が容易であり、低コストで製造が可能な光路変換用光導波路付きの光モジュールの提供を目的とする。
前記目的を達成するため、本発明は、光伝送路と、前記光伝送路の光軸に対して垂直の方向に設置された光半導体素子と、前記光伝送路と前記光半導体素子とを光学的に接続する光結合路と、少なくとも前記光結合導波路の表面の一部に形成している金属コートとを有する光モジュールであって、
前記光結合導波路は、単一の透明樹脂のみからなり、前記透明樹脂の端面が前記光伝送路のコア端面全体および前記光半導体素子の受発光面全体を覆っており、前記透明樹脂の側面形状が樹脂の表面張力により形成されており、前記光伝送路端面と前記光半導体素子の受発光面の中心を通り、両面に対し垂直な断面において前記透明樹脂の外側の外周形状が略円弧形状であり、前記金属コートは略円弧状の前記光結合導波路の表面の少なくとも略円弧状の外側に形成されていることを特徴とする光モジュールを提供する。
前記光結合導波路は、単一の透明樹脂のみからなり、前記透明樹脂の端面が前記光伝送路のコア端面全体および前記光半導体素子の受発光面全体を覆っており、前記透明樹脂の側面形状が樹脂の表面張力により形成されており、前記光伝送路端面と前記光半導体素子の受発光面の中心を通り、両面に対し垂直な断面において前記透明樹脂の外側の外周形状が略円弧形状であり、前記金属コートは略円弧状の前記光結合導波路の表面の少なくとも略円弧状の外側に形成されていることを特徴とする光モジュールを提供する。
本発明の光モジュールにおいて、前記金属コートが略円弧状の前記光結合導波路の表面全体に形成されていることが好ましい。
本発明の光モジュールにおいて、前記金属コートが、電気的に接続されている、前記光半導体素子の電極、基板上に形成された電極回路及びワイヤ配線に接することなく、なおかつ電気的に接続されている範囲全体を、前記基板と前記金属コートとで覆っていることが好ましい。
本発明の光モジュールにおいて、電気的に接続されている、前記光半導体素子の電極、基板上に形成された電極回路及びワイヤ配線と、これらの範囲全体を覆っている前記金属コートとの間に樹脂層があることが好ましい。
本発明の光モジュールにおいて、前記金属コートが前記基板上のアース配線と接続されていることが好ましい。
また本発明は、前述した本発明の光モジュールを用い、光結合導波路の表面に形成された金属コートにより、光の進行方向を前記光伝送路の出射方向から前記光半導体素子である受光素子への入射方向へ、または前記光半導体素子である発光素子への出射方向から前記光伝送路への入射方向へ変化させることを特徴とする光の進行方向の変換方法を提供する。
本発明によれば、従来の光モジュールに比べて、次のような格別な効果を得ることができる。
(1)受光信号をモニタすることなくパッシブで調芯することが可能であるため、組立時間を短くすることができ、光モジュールの製造コストを低減することができる。
(2)クラッド部材、或いは、封止樹脂9の内部に空間を設けるための部材などが不要であるため、光路変換用光導波路のコストを安くすることができる。
(3)光路変換用光導波路の作製に金型が必要ないので、光路変換用光導波路のコストを安くすることができる。
(4)金属コートは、周囲からの光を遮断する効果もあるため、迷光による信号の誤り率を低減することができる。
(5)金属コートの一部を基板上のアース配線に接続することにより、磁場のシールド効果をより高めることができる。
(1)受光信号をモニタすることなくパッシブで調芯することが可能であるため、組立時間を短くすることができ、光モジュールの製造コストを低減することができる。
(2)クラッド部材、或いは、封止樹脂9の内部に空間を設けるための部材などが不要であるため、光路変換用光導波路のコストを安くすることができる。
(3)光路変換用光導波路の作製に金型が必要ないので、光路変換用光導波路のコストを安くすることができる。
(4)金属コートは、周囲からの光を遮断する効果もあるため、迷光による信号の誤り率を低減することができる。
(5)金属コートの一部を基板上のアース配線に接続することにより、磁場のシールド効果をより高めることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
(第1実施形態)
図2は、本発明の光モジュールの第1実施形態を示す断面図であり、この図中、符号1は光半導体素子、1aはその受発光面、2は光伝送路、3は光半導体素子1と光伝導路2とを光学的につなぐ光結合路、4は光半導体素子に電力を供給するためのワイヤ配線、5は光半導体素子を形成するための基板、6は基板上に形成された電極回路である。8は光結合導波路と接する金属コートであり、9は全体を封止する樹脂である。
(第1実施形態)
図2は、本発明の光モジュールの第1実施形態を示す断面図であり、この図中、符号1は光半導体素子、1aはその受発光面、2は光伝送路、3は光半導体素子1と光伝導路2とを光学的につなぐ光結合路、4は光半導体素子に電力を供給するためのワイヤ配線、5は光半導体素子を形成するための基板、6は基板上に形成された電極回路である。8は光結合導波路と接する金属コートであり、9は全体を封止する樹脂である。
光半導体素子1は、基板5上に形成された電極回路と接合剤により電気的に接続され、光半導体素子1の表面電極は、ワイヤ配線4により基板5上に形成された電極回路6と電気的に接続されている。光結合導波路3は後述するように円弧状に形成され、円弧状の表面全体、或いは表面の少なくとも円弧状の外側、すなわち図2では上側、には光結合導波路3に接して金属コート3が形成されている。
光結合導波路3は、次のように作製する。まず、光半導体素子1の受発光面1a上に精密ディスペンサ10を用いて透明樹脂3aを塗布する。次に、光伝送路2を透明樹脂3a中に挿し込んだあと(図3)、透明樹脂表面7の形状が緩やかな弧を描くように、光伝送路2をゆっくりと斜め上方向に引き上げる(図4)。さらに、透明樹脂を硬化させて光結合導波路3を得る。
また、光結合導波路3を得る手段として、透明樹脂3aを塗布する工程と、光伝送路2を受発光面1a上に移動する工程の順序を変えて、次のように形成してもよい。まず、光伝送路2を光半導体素子の受発光面1a上の適当な位置に移動する。次に、精密ディスペンサ10を用いて、光半導体素子の受発光面1a上に光伝送路2にかかるように、透明樹脂3aを塗布する(図3)。次に、透明樹脂表面7の形状が緩やかな弧を描くように、光伝送路2をゆっくりと斜め上方向に引き上げる(図4)。さらに、透明樹脂を硬化させて光結合導波路3を得る。
光伝送路2の引き上げ量、引き上げる経路、或いは方向は、用いる光伝送路2や光半導体素子の材料や構造、実装環境により異なるが、光半導体素子1と光伝送路2の位置関係のトレランスが大きいため、あらかじめ最適条件を求めておくことにより、上記の作製工程を全て自動化することができる。この方法により、エアクラッドとなる光路変換用光導波路が得られる。
上記の方法で得られた光路変換用光導波路は非常に有用であるが、パッケージ化を考慮した場合、パッケージ内にエアクラッド部、すなわち、空間を設ける必要があるため、空間を作る部材を設けるなどの対策が必要である。そこで本発明では、光結合導波路3の表面に金属コート8を形成している。金属コート8を形成することにより、光結合導波路3の外側にエアクラッド部を設ける必要がなくなり、封止樹脂9の内部に空間を設ける必要がなくなる。さらに、金属コート8は周囲からの光を遮断する効果もあり、迷光による信号の誤り率を低減する効果もある。特に金属コート8の一部を基板上のアース配線に接続すれば、磁場のシールド効果をより高めることができる。
金属コート8は、如何なる方法で形成しても良いが、本実施例では、銀ペーストを光結合導波路3表面全体に塗布し、その後150℃で90分間保持することで、金属コート8を形成することで、封止樹脂9で全体を封止しても、金属コート8を形成せずにエアクラッド部を設けた場合と同じ伝送特性が得られることを確認した。
本発明において、光半導体素子1としては、VCSELやLEDなどの発光素子や、PDなどの受光素子を使用することができる。光伝送路2には、石英光伝送路、高分子光導波路などを使用することができる。光結合導波路3には、UV硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いることができる。ワイヤ配線4は、金ワイヤやアルミワイヤ、銅ワイヤのいずれを用いても良い。基板5は、ガラスエポキシ基板やセラミック基板など一般的な絶縁基板を使用することができる。金属コート8は、銀ペーストや塗料など、伝送する波長の光を反射しなおかつ光結合導波路3と密着するものであれば何でも良い。封止樹脂9として使用する樹脂は、電子部品の封止材料として使用されている樹脂がよいが、特に制約はない。
本実施形態では、発光素子側の例として、光半導体素子1にVCSELを、光伝送路には光ファイバを、透明樹脂3にはUV硬化樹脂を、ワイヤ配線4には金ワイヤを、基板5にはガラスエポキシ基板を用いた。金属8には銀ペースト、封止樹脂9には黒色エポキシ樹脂を使用した。また、受光素子側の例として、光半導体素子1にPDを、光伝送路には光ファイバを、透明樹脂3にはUV硬化樹脂を、ワイヤ配線4には金ワイヤを、基板5にはガラスエポキシ基板を用いた。金属コート8には銀ペースト、封止樹脂9には黒色エポキシ樹脂を使用した。
本発明によれば、光ファイバ2と、光半導体素子1(VCSEL或いはPD)とが同じ透明樹脂3により光学的に直接結合されており、光ファイバ2から出た光は光結合導波路3により光半導体素子まで導かれる。光半導体素子1と光伝送路2の位置関係のトレランスが大きいため、あらかじめ最適条件を求めておけば、受光信号をモニタすることなくパッシブで調芯することが可能である。従来の光路変換用光導波路では、光路変換用光導波路の位置を決めるために、光路変換用光導波路から光を常に出射させて受信信号をモニタして光のパワーが最大となるように、光路変換用光導波路をXYZおよびθφψ方向について調芯しなければならないため、組立作業に非常に時間がかかり、モジュールの製造コストが高くなるという問題があったので、本発明には大きな利点がある。
また、金属コート8を設けることにより、クラッド部材或いは封止樹脂9の内部に空間を設けるための部材なども不要となる。金属コート8は、周囲からの光を遮断する効果もあるため、迷光による信号の誤り率を低減する効果もある。さらに、金属コート8の一部を基板上のアース配線に接続すれば、磁場のシールド効果をより高めることができる。
また、前記光結合導波路を用いた光路変換用光導波路の作製には、金型が必要ないので、部材の製造コストを安くできるという、大きな効果がある。
また、前記光結合導波路を用いた光路変換用光導波路の作製には、金型が必要ないので、部材の製造コストを安くできるという、大きな効果がある。
(第2実施形態)
図5は、本発明の光モジュールの第2実施形態を示す断面図である。本実施形態の光モジュールは、図2に示す第1実施形態の光モジュールとほぼ同様の構成要素を備えて構成され、同じ構成要素には同一符号を付してある。本実施形態の光モジュールは、第1実施形態における金属コート8を、円弧状の光結合導波路3の表面のうち、円弧状の外側、即ち図5では上側のみに形成した構成になっている。金属コート8は、円弧状の光結合導波路3の表面のうち、外側、即ち図5では上側のみにしか形成していないため、光結合導波路3の円弧状の内側は屈折率が殆ど変わらないクラッドが存在することになるが、光結合導波路3を通る光の大部分が円弧状の外側を通るため、影響が小さい。実際に、図5のように、金属コート8を、円弧状の光結合導波路3の表面のうち、円弧状の外側のみに形成し、光結合導波路3の表面全体に形成した場合と同じ伝送特性が得られることを確認した。
図5は、本発明の光モジュールの第2実施形態を示す断面図である。本実施形態の光モジュールは、図2に示す第1実施形態の光モジュールとほぼ同様の構成要素を備えて構成され、同じ構成要素には同一符号を付してある。本実施形態の光モジュールは、第1実施形態における金属コート8を、円弧状の光結合導波路3の表面のうち、円弧状の外側、即ち図5では上側のみに形成した構成になっている。金属コート8は、円弧状の光結合導波路3の表面のうち、外側、即ち図5では上側のみにしか形成していないため、光結合導波路3の円弧状の内側は屈折率が殆ど変わらないクラッドが存在することになるが、光結合導波路3を通る光の大部分が円弧状の外側を通るため、影響が小さい。実際に、図5のように、金属コート8を、円弧状の光結合導波路3の表面のうち、円弧状の外側のみに形成し、光結合導波路3の表面全体に形成した場合と同じ伝送特性が得られることを確認した。
(第3実施形態)
図6は、本発明の光モジュールの第3実施形態を示す断面図である。本実施形態の光モジュールは、図3に示す第2実施形態の光モジュールとほぼ同様の構成要素を備えて構成され、同じ構成要素には同一符号を付してある。本実施形態の光モジュールは、第2実施形態の光モジュールと比べると、電気的に接続されている光半導体素子1から、基板5に形成された電極回路6及びワイヤ配線4にわたる範囲に樹脂10を設けている点と、金属コート8が覆っている範囲とが異なる。
図6は、本発明の光モジュールの第3実施形態を示す断面図である。本実施形態の光モジュールは、図3に示す第2実施形態の光モジュールとほぼ同様の構成要素を備えて構成され、同じ構成要素には同一符号を付してある。本実施形態の光モジュールは、第2実施形態の光モジュールと比べると、電気的に接続されている光半導体素子1から、基板5に形成された電極回路6及びワイヤ配線4にわたる範囲に樹脂10を設けている点と、金属コート8が覆っている範囲とが異なる。
電気的に接続されている範囲を樹脂10で覆った後に、その上に金属コート8を形成することで、外部の磁場からのシールド、或いは接続部から外への磁場をシールドする効果がある。樹脂10は金属コート8が電気回路及び配線をショートさせないために形成している。さらに、金属コート8の一部を基板5上のアース配線に接続することで、磁場のシールド効果をより高めることができる。
また、樹脂10は、ワイヤ配線4,光路変換用光導波路3,光半導体素子1,および光ファイバ2の外周を覆っているため、外力によりワイヤ配線が断線するのを防ぐことができると同時に光結合部全体の機械的強度を高くできるという利点もある。
(第4実施形態)
図7は、本発明の光モジュールの第4実施形態を示す断面図である。本実施形態の光モジュールは、第1実施形態〜第3実施形態の光モジュールとほぼ同様の構成要素を備えて構成され、本実施形態の光モジュールは、光半導体素子に発光素子と受光素子の2種を用いて光送受信モジュールを形成した点が異なる。1b,1cは光半導体素子、2は光伝送路、3は光半導体素子1と光伝送路2とを光学的に接続する光結合導波路、4は光半導体素子に電力を供給するためのワイヤ配線、5は光半導体素子を搭載するための基板、6は基板上に形成された電極回路である。
図7は、本発明の光モジュールの第4実施形態を示す断面図である。本実施形態の光モジュールは、第1実施形態〜第3実施形態の光モジュールとほぼ同様の構成要素を備えて構成され、本実施形態の光モジュールは、光半導体素子に発光素子と受光素子の2種を用いて光送受信モジュールを形成した点が異なる。1b,1cは光半導体素子、2は光伝送路、3は光半導体素子1と光伝送路2とを光学的に接続する光結合導波路、4は光半導体素子に電力を供給するためのワイヤ配線、5は光半導体素子を搭載するための基板、6は基板上に形成された電極回路である。
光半導体素子1b,1cは、基板5上に形成された電極回路6と接合材により電気的に接続されている。光半導体素子1b,1cの表面電極は、ワイヤ配線4により基板5上に形成された電極回路6と電気的に接続されている。
また、電気的に接続されている、光半導体素子1b,1cから、基板5上に形成された電極回線6及びワイヤ配線4にわたる範囲に樹脂10を設けている。電気的に接続されている範囲を樹脂10で覆った後に、金属コート8を形成することで、外部の磁場からのシールド、或いは接続部から外への磁場をシールドする効果がある。
樹脂10は金属コート8が電気回路及び配線をショートさせないために形成している。さらに、金属コート8の一部を基板5上のアース配線に接続することで、磁場のシールド効果をより高めることができる。
また、樹脂10は、ワイヤ配線4,光路変換用光導波路3,光半導体素子1b,1c,および光ファイバ2の外周を覆っているため、外力によりワイヤ配線が断線するのを防ぐことができると同時に光結合部全体の機械的強度を高くできるという利点もある。
本実施形態では、発光側の光半導体素子1bにVCSELを、受光側の光半導体素子1cにPDを、透明樹脂3とクラッド樹脂9にはUV硬化樹脂を、ワイヤ配線4には金ワイヤを、基板5にはガラスエポキシ基板を用いた。
VCSEL(1b)から光結合導波路3に入射した光は、光結合導波路3と金属コート8により、透明樹脂表面形状7に沿って緩やかに光路を90度変換し、光導波路2へと入射する。光導波路2から透明樹脂3に入射した光は、透明樹脂3と外周を覆うクラッド樹脂との屈折率差により透明樹脂3中に閉じ込められながら透明樹脂表面形状7に沿って緩やかに光路を90度変換し、PD(1c)へと入射する。ワイヤ配線4は、外周をクラッド樹脂に覆われ、保護されている。また、光導波路2は、クラッド樹脂9により基板5に直接固定されている。
本実施形態では、光導波路2と光半導体素子1b,1cとが光結合導波路3により光学的に直接結合されており、上述したように、光導波路2から出た光は光結合導波路3により自動的に光半導体素子1b,1cまで導かれるので、位置のトレランスが大きく、アクティブ調芯の必要がないという利点がある。また、光路変換用光導波路3の作製には金型が必要ないので、部材のコストを安くできるという効果がある。また、樹脂10は、ワイヤ配線4,光路変換用光導波路3,光半導体素子1b,1c,および光ファイバ2の外周を覆っているため、外力によりワイヤ配線が断線するのを防ぐことができると同時に、光結合部全体の機械的強度を高くできるという利点もある。
本発明は、光通信や光伝送技術及び光情報記録技術に用いられる光モジュールに係わり、特に光半導体素子と光伝送路との光結合部に関するもので、光モジュールを低コスト化せしめるものである。
1,1b,1c…光半導体素子、1a…受発光面、2…光伝送路、3…光結合路、4…ワイヤ配線、5…基板、6…電極回路、7…透明樹脂表面、8…金属コート、9,10…樹脂。
Claims (6)
- 光伝送路と、前記光伝送路の光軸に対して垂直の方向に設置された光半導体素子と、前記光伝送路と前記光半導体素子とを光学的に接続する光結合路と、少なくとも前記光結合導波路の表面の一部に形成している金属コートとを有する光モジュールであって、
前記光結合導波路は、単一の透明樹脂のみからなり、前記透明樹脂の端面が前記光伝送路のコア端面全体および前記光半導体素子の受発光面全体を覆っており、前記透明樹脂の側面形状が樹脂の表面張力により形成されており、前記光伝送路端面と前記光半導体素子の受発光面の中心を通り、両面に対し垂直な断面において前記透明樹脂の外側の外周形状が略円弧形状であり、前記金属コートは略円弧状の前記光結合導波路の表面の少なくとも略円弧状の外側に形成されていることを特徴とする光モジュール。 - 前記金属コートが略円弧状の前記光結合導波路の表面全体に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
- 前記金属コートが、電気的に接続されている、前記光半導体素子の電極、基板上に形成された電極回路及びワイヤ配線に接することなく、なおかつ電気的に接続されている範囲全体を前記基板と前記金属コートとで覆っていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
- 電気的に接続されている、前記光半導体素子の電極、基板上に形成された電極回路及びワイヤ配線と、これらの範囲全体を覆っている前記金属コートとの間に樹脂層があることを特徴とする請求項3に記載の光モジュール。
- 前記金属コートが前記基板上のアース配線と接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光モジュール。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の光モジュールを用い、光結合導波路の表面に形成された金属コートにより、光の進行方向を前記光伝送路の出射方向から前記光半導体素子である受光素子への入射方向へ、または前記光半導体素子である発光素子への出射方向から前記光伝送路への入射方向へ変化させることを特徴とする光の進行方向の変換方法。
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