JP2010227920A - ガス吸着素子形成体、ガス吸着素子の実装方法および真空用パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】デバイスやパッケージへの悪影響を抑止するため、加熱せずに活性化されたゲッター表面を得る。
【解決手段】真空用パッケージ４において、内部を真空に排気して使用する容器本体４ａと、容器本体４ａ内に配置され、ゲッター材料を含む金属体の破断面が露出して成るガス吸着素子３ａと、を備えている。このガス吸着素子３ａの破断面はゲッター材料を含む金属体を破断させて得られる。
【選択図】図２

Description

本発明は、加速度センサ、赤外線センサ、ジャイロセンサおよび水晶振動子のようなデバイスを真空封止するためのガス吸着用素子、この素子を形成するのに用いられるガス吸着素子形成体、実装方法およびガス吸着素子を実装した真空用パッケージに関するものである。

加速度センサ、赤外線センサ、ジャイロセンサおよび水晶振動子のようなデバイスが内部に封止されたパッケージにおいては、デバイスの特性を高めるため、パッケージ内部の内圧を小さくすることが求められている。この方法として、特許文献１に開示されているように、パッケージ内にゲッターを配設することが知られている。

ゲッターは、例えば、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｆｅなどの金属やこれらの合金から構成されており、真空中で活性化と呼ばれる加熱処理を施すことにより、不活性ガスを除く多くのガスを吸着する作用を呈する。

大気中ではゲッターの表面は気体の吸着分子で覆われているため、それ以上の吸着反応は起こらない。しかし、ゲッターを真空中で加熱（例えば、４００℃以上）することにより、吸着された気体がゲッター内部に拡散し、表面が活性化され、例えば、常温近傍でも吸着作用を呈するようになる。

このゲッターをパッケージ内に配設することにより、真空ポンプで完全には除去し切れなかった気体分子をゲッター材に吸着させ、パッケージ内の内圧をより小さくすることができる。

特開２００３−４５２４号公報

活性化を行なうための加熱は、ニクロム線などのヒータによる通電加熱、パッケージ封止時の熱、電磁加熱などが用いられる。しかしながら、通電加熱のためのヒータを内蔵したゲッターはコストが高く、通電のための電極やヒータを配置するためのスペースが必要となり、小型化が難しいという問題があった。

また、例えば、赤外線センサチップ、窓材の反射コーティングなどは熱に弱いといった問題がある。活性化のために高温での加熱を行なうことは、このような熱に対して敏感なデバイスやパッケージにダメージを与えてしまい、特性不良を引き起こす恐れもあった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、加熱を行なうことなく、活性化されたゲッター表面を得ることができるガス吸着用素子を形成するための形成体を提供することを目的とする。また、その他の目的としては、このガス吸着素子形成体を用いたガス吸着素子の実装方法、およびガス吸着素子を実装した真空用パッケージを提供することにある。

本発明のガス吸着素子形成体は、ゲッター材料を含むゲッター金属体と、前記ゲッター金属体を破断させて、新しい面を露出させる破断手段と、を備えている。

本発明のガス吸着素子の実装方法は、本発明に係るガス吸着素子形成体を容器本体内に配置する工程と、前記容器本体内を真空引きする工程と、前記破断手段を用いて、前記ゲッター金属体を破断する工程と、前記容器本体を気密封止する工程と、を含んでいる。

本発明のパッケージは、内部を真空に排気して使用する容器本体と、前記容器本体内に配置され、ゲッター材料を含む金属体の破断面が露出して成るガス吸着素子と、を備えている。

本発明のガス吸着素子形成体は、ゲッター材料を含むゲッター金属体において、破断手段を用いて、この金属体を破断させて、新しい面を露出させるようにしているので、加熱を行なうことなく、清浄な金属表面を得ることができる。言い換えれば、加熱せずに活性化されたゲッター表面を得ることができる。加熱が必要ないので、加熱に必要なヒータや電極などの構成が必要なく、ガス吸着素子やこれが搭載されるパッケージのローコスト化、小型化に寄与するものとなる。また、加熱に伴う、デバイスやパッケージへの悪影響を抑止できる。

（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るガス吸着素子形成体を示す模式的な断面図であり、（ｂ）は、かかるガス吸着素子形成体を実装した状態を示す模式的な断面図である。 本発明の第１実施形態に係るガス吸着素子を搭載したパッケージを示す模式的な断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１実施形態に係るガス吸着素子形成体およびガス吸着素子を金属粒子の焼結体から形成するプロセスを示す模式的な構造図である。 （ａ）は、本発明の第２実施形態に係るガス吸着素子形成体を示す模式的な断面図であり、（ｂ）は、かかるガス吸着素子形成体を実装した状態を示す模式的な断面図である。 （ａ）は、本発明の第２実施形態の変形例に係るガス吸着素子形成体を示す模式的な断面図であり、（ｂ）はかかるガス吸着素子形成体からガス吸着素子を形成する模式図、（ｃ）は、かかるガス吸着素子を実装したパッケージを示す模式的な断面図である。

以下、本発明の実施形態の例について図面を用いて詳細に説明する。

ただし、以下で参照する各図は、説明の便宜上、本発明の一実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、本発明に係るガス吸着素子、ガス吸着素子形成体および真空用パッケージは、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備えていてもよい。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率などを忠実に表したものではない。

＜第１実施形態＞
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るガス吸着素子形成体を示す模式的な断面図であり、（ｂ）は、かかるガス吸着素子形成体を実装した状態を示す模式的な断面図である。また、図２は、本発明の第１実施形態に係るガス吸着素子を搭載したパッケージを示す模式的な断面図である。

本実施形態において、１は金属薄板からなる第１の部材，２は金属薄板からなる第２の部材、３はゲッター材料を含むゲッター金属体、３ａはガス吸着素子、４はパッケージ、４ａは容器本体として機能するパッケージ基体部、４ｂは蓋体、５は固定部、６は接続材、７はデバイス、８は封止材である。

図１（ａ）に本実施形態に係るガス吸着素子形成体を示す。第１の部材である金属薄板１と第２の部材である金属薄板２の間にゲッター金属体３が固着して挟まれた構造となっている。本実施形態では、第１および第２の部材の金属薄板１，２がゲッター金属体を破断させて新しい面を露出させるための破断手段として機能する。

具体的には、ゲッター金属体３のガス吸着効果は、金属薄板１および金属薄板２の少なくとも一方をゲッター金属体３から引き剥がすことにより、ゲッター金属体３を破断させて新しい破断面を露出させることにより発現する。これにより、ゲッター金属体３の汚染されていない（気体が吸着していない）新しい破断面が露出するので、ガス吸着素子形成体は、加熱をしなくてもガス吸着素子として機能するようになる。

なお、本明細書において、「ガス吸着素子形成体」とは、破断させる前の状態ではガス吸着素子としては機能しないが、上述したようにゲッター金属体を破断させることにより、ガス吸着する機能を発現させることが可能であるものを指す。

図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した本実施形態に係るガス吸着素子形成体をパッケージ基体部４ａに実装した状態を示す。パッケージ基体部４ａにはメタライズ層などからなる固定部５が設けられ、この固定部５に対して、金属薄板１がロウ材などの接続材６を介して固定されている。ここで図中の矢印で示すように、金属薄板２を引き剥がして、ゲッター金属体３を破断させることにより、ガス吸着素子形成体をガス吸着素子として機能させることが可能となる。

図２に本実施形態に係るガス吸着素子３ａを搭載したパッケージ４により、真空用パッケージを構成した例を示す。パッケージ４には、赤外線センサなどのデバイス７とともに、ゲッター金属体３を破断して形成したガス吸着素子３ａが搭載されている。なお、ゲッター金属体３の破断は、真空中で行なわれ、この後、パッケージ基体部４ａの内部が真空に保たれた状態で、蓋体４ｂが封止材８により気密封止される。このようにして本発明に係る真空用パッケージを得ることができる。

以上のように、本実施形態に係るガス吸着素子３ａは、加熱を行なうことなく、清浄な金属表面、すなわち活性化されたゲッター表面を得ることができる。したがって、加熱に必要なヒータや電極などの構成が必要なく、ガス吸着素子３ａ自体、これが搭載されるパッケージ４のローコスト化、小型化に寄与するものとなる。また、加熱に伴う、デバイス７やパッケージ４への悪影響を抑止できる。

以下、本実施形態にかかる構成要素を添付図面に基づき、詳細に説明する。

（ゲッター金属体）
ゲッター金属体３は、パッケージ内のガス吸着材として機能する。ゲッター金属体３は、Ｂａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＮｂおよびＭｎのうち、少なくとも１種類の元素から選ばれた遷移金属を含む。金属単体に限らず、合金であってもよい。例えば、これらの金属間の合金または、これらの金属と、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｙ、Ｌａおよび希土類の中から選ばれる１種以上の元素との間での合金、例えば２元合金Ｔｉ−Ｖ、Ｚｒ−Ｖ、Ｚｒ−ＦｅおよびＺｒ−Ｎｉ、３元合金Ｚｒ−Ｍｎ−ＦｅもしくはＺｒ−Ｖ−Ｆｅまたはさらなる成分との合金であっても構わない。

これらの金属は化学的に活性であり、新しい破断面を露出させてやることにより、気体の吸着作用を呈するようになる。この作用を利用して真空排気を行うことが可能である。

なお本実施形態において、ゲッター金属体３は、破断手段を構成する第１および第２の部材である金属薄板１，２に挟まれて固着した状態で設けられる。

金属薄板１，２に挟まれて設けられるゲッター金属体３としては、スパッタなどの薄膜形成法を用いて形成することもできるが、容易に厚みを変えたものを形成することができ、焼結温度などによって破断しやすさや破断面の状態を制御できることから、これらの金属や合金を含むゲッター材料の金属粒子を焼結させた焼結体により形成することが望ましい。なお、ゲッター金属体３を焼結体で構成した場合、容易に破断させるためには、気孔率を５０％以下とすることが望ましい。また同じ理由から、厚みを１００μｍ以下とすることが望ましい。さらに、破断させたときに、十分な表面積を有する破断面を得るためには、気孔率を１０％以上とすることが望ましい。また同じ理由から、厚みを１０μｍ以上とすることが望ましい。

図３（ａ）〜（ｃ）に、本実施形態に係るガス吸着素子形成体およびガス吸着素子を金属粒子の焼結体から形成するプロセスの概念を示す。図３（ａ）では、金属薄板１，２にゲッター材料を含む金属粒子９を含むペーストが配置されている。そして、図３（ｂ）では、金属粒子９が加熱されて、互いに金属結合を形成した焼結体となり、本発明のガス吸着素子形成体に係るゲッター金属体３が形成される。焼結体であるゲッター金属体３は、金属薄板１，２に固着した状態となっているが、適度な気孔率を有しており、所定の外力を加えることによって破壊可能な状態となっているので、図３（ｃ）に示すように、金属薄板１，２を互いに引き剥がすことにより、ゲッター金属体３が、分断されて新たな破断面が形成され、本発明のガス吸着素子が形成される。

また、焼結体によりゲッター金属体３を形成する場合、ゲッター材料を含む金属粒子９が、２００℃以下で焼結可能な超微粒子材料を用いることが望ましい。その理由としては、低温焼結が可能であり、破断手段を構成する第１および第２の部材（本実施形態では金属薄板１，２）に対して、ダメージを与えることを抑止できるからである。

なお、このような超微粒子材料の例としては、直径１ｎｍ〜１μｍ程度のＴｉの超微粒子が知られている。これらの超微粒子の金属粉末は、表面が極めて活性であり単体では大気中では容易に酸化してしまうため、通常は有機溶剤やバインダなどを含むペースト中に混練し、表面を有機溶剤などによりコーティングした状態で取り扱われる。

このような超微粒子の金属粉末を含有するペーストを適当な厚みで金属薄板１，２の間に塗布した後、十分に乾燥させる。これにより、金属の超微粒子表面の有機溶剤が飛散するとともに、１５０〜２００℃の低温で金属の超微粒子同士が焼結し、相互に金属結合が形成される。

（破断手段）
本実施形態では、破断手段として、ゲッター金属体３に対して接合された、第１および第２の部材をそれぞれ、金属薄板１，２として構成した例を示している。これらの金属薄板１，２は、例えば、銅、ステンレス、ニクロムなどの周知の金属を用いることができる。また、これらの金属薄板１，２の厚みは、剥離のストレスに耐えるため、１０μｍ以上とすることが望ましい。また、剥離作業を行なうためには適度の柔軟性が必要であるため、１００μｍ以下とすることが望ましい。

また、金属薄板とゲッター金属体３との間で良好な固着力を得るためには、酸処理などにより金属薄板の表面の酸化膜をあらかじめ除去しておくことや、表面の粗さをＲｍａｘ０．１μｍ以上としておくことが効果的である。

破断手段を機能させるためには、ゲッター金属体３から、第１および第２の部材である、金属薄板１および金属薄板２のいずれかを引き剥がすようにすればよい。ゲッター金属体３の破断は真空中で行なわれる必要があるので、実際には、パッケージ４を真空装置内に保持し、外部から治具や専用機器などを用いて、金属薄板１，２のいずれかをゲッター金属体３から引き剥がすようにすればよい。

なお、第１および第２の部材は、金属薄板などの金属材料に限られるものではなく、セラミックなどの材料を用いてもよい。さらに、このガス吸着素子を加熱可能なデバイスの用途に用いる場合、これらの第１および第２の部材のうちのいずれかを通電加熱可能なヒータ材料を用いてもよい。例えば、金属薄板自体をニクロムなどの発熱抵抗体の材料を用いて構成してもよいし、第１および第２の部材に対して薄膜ヒータや厚膜ヒータなどの発熱抵抗体を形成したものを用いてもよい。このようなヒータ材料を用いることにより、ゲッター金属体３のガス吸着機能が低下したときに、活性化のための加熱処理を行ない、ガス吸着の機能を回復することが可能となる。

（パッケージ）
パッケージ４は、容器本体であるパッケージ基体部４ａに対して、蓋体４ｂが気密に接合されて設けられる。パッケージ基体部４ａは、内側が凹部となっており、この凹部内に、後述するデバイス７を配設するとともに、蓋体４ｂを用いて凹部を封止することにより、パッケージ４として用いることができる。

パッケージ基体部４ａは、たとえば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）質焼結体、ムライト（３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）質焼結体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）質焼結体およびガラスセラミックスなどのセラミック材料、またはポリイミドなどの高耐熱の樹脂材料、またはＳＵＳ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金などのＦｅ系合金および無酸素銅、Ａｌ、Ａｌ合金などの金属材料のいずれかによって形成することができる。

また、パッケージ基体部４ａは、パッケージ４の小型化、低背化を可能とするために、厚さを薄くするのが好ましいが、強度を維持すべく、械的強度である曲げ強度は２００ＭＰａ以上とするのが好ましい。曲げ強度を２００ＭＰａ以上とすることで、パッケージ基体部４ａの機械的強度を好適に維持することができる。

また、パッケージ基体部４ａの凹部内には、加速度センサ、赤外線センサ、ジャイロセンサおよび水晶振動子のような、真空中で特性を好適に発揮するデバイス７が配設される。

さらに、パッケージ基体部４ａの凹部内には、上述したゲッター金属体３を破断した面が露出して構成されるガス吸着素子３ａが設けられる。なお、ガス吸着素子３ａによって、吸着されるパッケージ４内に存在する気体分子としては、パッケージ４の製造時および使用時において、パッケージ基体部４ａ、蓋体４ｂ、封止材８などのパッケージ４を構成する部材から発生するガス、ならびに製造時に混入する、または表面吸着するＮ_２、Ｏ_２、ＣＯ_２、Ｈ_２Ｏなどの気体が挙げられる。

パッケージ４を封止するにあたり、パッケージ基体部４ａと蓋体４ｂとの接合は、従来周知の接合方法を用いることができる。すなわち、はんだや金属ロウ材などで接合する方法や、シームウェルド、エレクトロンビームやレーザーなどの方法である。封止材８としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓｎおよびこれらの合金を主成分とするものを用いることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。主に第１実施形態と異なる点について説明を行ない、第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

図４（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るガス吸着素子形成体を示す模式的な断面図であり、（ｂ）は、かかるガス吸着素子形成体を実装した状態を示す模式的な断面図である。

第２実施形態において、上述した第１実施形態と異なる点としては、破断手段を構成する第１の部材にシリコン基板１１を用い、第２の部材に金属薄板１２を用いた点にある。ゲッター金属体１３は、上述したようにゲッター材料を含む金属粒子が焼結されてなるものを用いることが望ましい。具体的には、シリコン基板１１の所定位置にこの金属粒子を含むペーストを適当な厚みで塗布した後、金属薄板１２を付着させた状態で焼結させ、ゲッター金属体１３の焼結体を形成する。これにより、第２実施形態に係るガス吸着素子形成体を形成することができる。

その後は、シリコン基板１１をパッケージ基体部１４ａの凹部内に配置し、図中に示したように、金属薄板１２をゲッター金属体１３から引き剥がすことにより、ゲッター金属体１３を破断させれば、本実施形態に係るガス吸着素子を形成することができる。

本実施形態によれば、シリコン基板１１の任意の位置にガス吸着素子を設けることができるので、パッケージ内におけるレイアウトの自由度が高まり、小型化にも寄与するものとなる。また、効果的な位置にガス吸着素子を配置することが可能となる。例えば、シリコン基板１１にあらかじめ、例えばＭＥＭＳのデバイス（不図示）を作り込んでおき、そのすぐ近傍にガス吸着素子を設けることにより、デバイスの近傍の高真空度を保つことができる。これにより、高真空で用いられるデバイスの特性をより確実に発揮させることができる。

さらに、シリコン基板上にあらかじめデバイスを作り込んでおいた後にゲッター金属体１３を作製する場合、第１実施形態で説明した、２００℃以下で焼結可能な超微粒子材料を用いてゲッター金属体１３を構成することが望ましい。ゲッター金属体１３を作製するための温度が低いため、デバイスに対して与えるダメージを抑止できるという理由による。

＜第２実施形態の変形例＞
次に、図５を用いて、第２実施形態の変形例について説明する。上述の第２実施形態の説明では、第１の部材であるシリコン基板をパッケージ内に配置していたが、ここで説明する変形例では、第１の部材（例えば、シリコン基板）をパッケージの蓋体として利用する点が異なっている。

図５（ａ）は、本発明の第２実施形態の変形例に係るガス吸着素子形成体を示す模式的な断面図であり、図５（ｂ）はかかるガス吸着素子形成体からガス吸着素子を形成する模式図、図５（ｃ）は、かかるガス吸着素子を実装したパッケージを示す模式的な断面図である。

本変形例が第２実施形態と異なる点は、図５（ｃ）に示すように、この第１の部材であるシリコン基板２１がパッケージの蓋体２４ｂとなるように、ゲッター金属体２３を破断して得られたガス吸着素子２３ａの側が蓋体２４ｂの内側として、封止材２８を介してパッケージ基体部２４ａに対して搭載した点にある。パッケージ基体部２４ａには所定のデバイス２７を搭載可能である。この構成によれば、破断手段を構成する第１の部材が蓋体２４ｂと兼用されることにより、ガス吸着素子２３ａも蓋体２４ｂの側に設けられるので、パッケージの小型化に寄与する。

また、シリコンは、赤外線を透過しやすい材質であるから、これを蓋体２４ｂとして用いた場合、気密封止用の蓋体として機能するだけではなく、赤外線用の窓材としても機能するものとなる。したがって、パッケージ２４の内部に配置するデバイス２７として、赤外線センサチップをパッケージ内に封止して、好適に用いることができる。

本実施形態の例では、破断手段を構成する第１の部材の例として、赤外線に対する透過性が優れた材質である、シリコンを用いた例で説明したが、その他、ゲルマニウム、硫化亜鉛、フッ化マグネシウムなども赤外線の透過性が良好な材料であり、破断手段を構成する第１の部材として用いることができる。ただし、真空用パッケージの気密封止用の蓋体２４ｂとしては、高い真空度を保つためシリコンを用いることが望ましい。

なお、シリコン材料を赤外線用の窓材として用いる場合、窓材の表面に赤外線反射防止コーティング膜や、透過する赤外線の波長に選択性をもたせるための帯域フィルタ膜が形成されて用いられる。これらの膜や赤外線センサチップは熱に対して影響を受けやすいため、従来型のゲッターを用いる場合、表面を活性化するための加熱によって、ダメージを与えてしまう恐れがあった。本実施形態のガス吸着素子では、加熱を行なうことなく、活性化されたゲッター表面を得ることができるから、加熱に伴う悪影響を抑止できる。

以上説明した構成、方法により本発明を実現することができる。なお、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良が可能である。

例えば、上述の第１実施形態における説明では、ガス吸着素子形成体であるゲッター金属体３をパッケージ基体部４ａの凹部内に配置した後に、真空引きする例で説明したが、これに限るものではなく、真空引きした後に、ゲッター金属体３をパッケージ基体部４ａの凹部内に配置し、その後、ゲッター金属体３を破断するようにしてもよい。破断後、パッケージ基体部４ａを気密封止するまでの間に、ガス吸着素子３ａの露出した破断面が気体に触れないようにすればよい。

さらに、上述の第２実施形態における説明では、第１の部材としてシリコン基板を用いた例によって説明したが、これに限るものではなく、別の材料によって構成された基板を用いても構わない。さらに、第１の部材として基板や金属薄板などを用いず、パッケージ基体部４ａに直接、ゲッター金属体１３を設けるようにしてもよい。この場合、パッケージ基体部４ａが破断手段である第１の部材として機能することとなる。

また、上述の第２実施形態における説明では、パッケージ基体部４ａとして、凹部を有するものを用い、この凹部内にデバイスや本発明に係るガス吸着素子を配置する例について説明したが、これに限るものではなく、デバイスをパッケージの蓋体の側に設けても構わない。

１・・・・・金属薄板（第１実施形態における第１の部材）
２・・・・・金属薄板（第１実施形態における第２の部材）
３・・・・・ゲッター金属体
３ａ・・・・・ガス吸着素子
４・・・・・パッケージ
４ａ・・・・・パッケージ基体部（容器本体）
４ｂ・・・・・蓋体
５・・・・・固定部
６・・・・・接続材
７・・・・・デバイス
８・・・・・封止材
９・・・・・金属粒子
１１・・・・・シリコン基板（第２実施形態における第１の部材）
１２・・・・・金属薄板（第２実施形態における第２の部材）
１３・・・・・ゲッター金属体
２１・・・・・シリコン基板（第２実施形態の変形例における第１の部材）
２２・・・・・金属薄板（第２実施形態の変形例における第２の部材）
２３・・・・・ゲッター金属体
２３ａ・・・・・ガス吸着素子
２４・・・・・パッケージ
２４ａ・・・・・パッケージ基体部（容器本体）
２４ｂ・・・・・蓋体
２７・・・・・デバイス（赤外線センサ）
２８・・・・・封止材

Claims (11)

1. ゲッター材料を含むゲッター金属体と、
   前記ゲッター金属体を破断させて、新しい面を露出させる破断手段と、を備えた、ガス吸着素子形成体。
2. 前記ゲッター金属体が、ゲッター材料を含む金属粒子を焼結させた焼結体である、請求項１に記載のガス吸着素子形成体。
3. 前記ゲッター材料を含む金属粒子が、２００℃以下で焼結可能な超微粒子材料である、請求項２に記載のガス吸着素子形成体。
4. 前記ゲッター材料が、Ｂａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＮｂおよびＭｎのうち、少なくとも１種類の元素から選ばれた遷移金属を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のガス吸着素子形成体。
5. 前記破断手段は、前記ゲッター金属体と接合された第１の部材と第２の部材とを含み、前記第１の部材および前記第２の部材のうち、少なくとも一方を前記ゲッター金属体から引き剥がすことによって、前記ゲッター金属体を破断させるようにした、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のガス吸着素子形成体。
6. 前記第１の部材および前記第２の部材のうち、少なくとも一方が金属薄板である、請求項５に記載のガス吸着素子形成体。
7. 前記第１の部材が、真空用パッケージの蓋体として用いられる材質で構成されており、
   前記第２の部材が、前記ゲッター金属体から引き剥がされる、請求項５または６に記載のガス吸着素子形成体。
8. 前記第１の部材が、赤外線を透過する材質で構成されている、請求項７に記載のガス吸着素子形成体。
9. 前記第１の部材および前記第２の部材のいずれか一方が、通電加熱可能なヒータ材料である、請求項５または６に記載のガス吸着素子形成体。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載のガス吸着素子形成体を容器本体内に配置する工程と、
    前記容器本体内を真空引きする工程と、
    前記破断手段を用いて、前記ゲッター金属体を破断する工程と、
    前記容器本体を気密封止する工程と、を含む、ガス吸着素子の実装方法。
11. 内部を真空に排気して使用する容器本体と、前記容器本体を気密封止する蓋体と、を備えたパッケージと、
    前記容器本体内に配置されたデバイスと、
    前記容器本体内に配置され、ゲッター材料を含む金属体の破断面が露出して成るガス吸着素子と、を備えた、真空用パッケージ。

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