RU192006U1 - Микроэлектромеханическое устройство - Google Patents

Микроэлектромеханическое устройство Download PDF

Info

Publication number
RU192006U1
RU192006U1 RU2019116077U RU2019116077U RU192006U1 RU 192006 U1 RU192006 U1 RU 192006U1 RU 2019116077 U RU2019116077 U RU 2019116077U RU 2019116077 U RU2019116077 U RU 2019116077U RU 192006 U1 RU192006 U1 RU 192006U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
getter
gas
glass
gas absorption
magnetron sputtering
Prior art date
Application number
RU2019116077U
Other languages
English (en)
Inventor
Леонид Романович Боев
Original Assignee
Леонид Романович Боев
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Леонид Романович Боев filed Critical Леонид Романович Боев
Priority to RU2019116077U priority Critical patent/RU192006U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU192006U1 publication Critical patent/RU192006U1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J17/00Gas-filled discharge tubes with solid cathode
    • H01J17/02Details
    • H01J17/22Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the tube
    • H01J17/24Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к вакуумной технике и представляет собой микроэлектромеханическое устройство. Газопоглощающая структура, сформированная на внутренней стороне крышки устройства, представляет собой слой активного сплава TiVс развитой поверхностью, нанесенный магнетронным распылением. Структура обладает высоким значением эффективной поверхности и сорбционной емкости за счет применения сплава TiVи реализации процесса магнетронного распыления, обеспечивающего создание гранулированной структуры с развитой поверхностью. МЭМС устройства прикрепляются к основанию корпуса с помощью стеклянного припоя.

Description

Полезная модель может быть применена при производстве устройств, для функционирования которых требуется создание и поддержание вакуума или контролируемой газовой среды внутри рабочего объема, и использована в полупроводниковых приборах и микроэлектромеханических системах с подвижными элементами.
Газопоглощающая структура обладает высокоразвитой поверхностью, что обеспечивает ей, во-первых, высокую сорбционную способность и, во-вторых, эффективность применения в миниатюрных устройствах с ограниченным рабочим объемом, например, микроэлектромеханических системах.
Известна газопоглощающая структура, в которой пористость структуры обеспечивается применением в качестве основы пористого материала, на его поверхность наносится слой газопоглощающего металла или сплава металлов, например, Ti, Zr, V, Fe, Cr /1/. Применение пористой основы обеспечивает развитую поверхность газопоглотителя, в качестве пористой основы предлагается использовать цеолиты, древесный уголь, прессованные порошки металлов или оксидов металлов. Применение двух материалов для создания газопоглощающей структуры обеспечивает, кроме высокой пористости, также взаимодействие газопоглощающей структуры с разными типами газов.
Недостатками газопоглощающей структуры являются: сложность ее применения в миниатюрных устройствах, например, микроэлектромеханических системах; затруднительно нанесение газопоглощающих металлов на поверхность пор газопоглощающей основы; цеолиты или древесный уголь, как газопоглотители, обеспечивают, в основном, обратимое поглощение газов, что не гарантирует поддержание вакуума и стабильности работы приборов.
Известно устройство, загерметизированные с помощью газопоглощающей пленки на основе Ti и Zr, изготавливаемая прессованием порошков газопоглощающих металлов с органическими компонентами или без них, органические компоненты удаляются при последующей термической обработке, электрофорезе или трафаретной печати. Устройство монтируется на корпус с помощью припоя /2/.
Также известно устройство газопоглощающая структура основана на Ti Sr. Сам датчик МЭМС присоединяется к основанию корпуса посредством адгезивного слоя из серебра или золота /3/.
Недостатками газопоглощающей структуры являются: высокие температуры технологического процесса спекания порошков; сложность монтажа в миниатюрные изделия, например, микроэлектромеханические системы; эффективная поверхность структуры ограничена из-за относительно больших размеров частиц - 20-100 мкм, а использование порошков с меньшим диаметром частиц проблематично.
Задача полезной модели - создание устройства с высоким значением вакуума внутри корпуса.
Микромеханическое устройство представлено на фиг. 1, где: 1 - основание устройства; 2 - крышка корпуса, 3 - газопоглощающая структура, 4 - МЭМС датчик, 5 - стеклянный припой.
Результаты исследований газопоглощающей структуры методом сканирующей электронной микроскопии представлены на фиг. 2 (вид сбоку), фиг. 3 (вид сверху).
Полезная модель позволяет проводить герметизацию микромеханических датчиков с более высоким значением вакуума по сравнению с прототипом. Высокое значение вакуума достигается за счет использования технологических режимов при реализации процесса магнетронного распыления, позволяющих добиваться создания гранулированной структуры с высоким значением эффективной поверхности и сорбционной емкости, а также за счет использования стеклянного припоя ввиду его минимальной десорбции.
Полезная модель имеет также ряд других преимуществ по сравнению с прототипом. Во-первых, при изготовлении газопоглощающих структур спеканием используются порошки с диаметром частиц 20-100 мкм, в результате чего прессованная газопоглощающая структура обладает меньшей пористостью, чем предлагаемая нами газопоглощающая структура. Наноструктурирование обеспечивает получение гранулированной структуры с размером гранул 10-50 нм, что, в свою очередь, обеспечивает высокое значение эффективной поверхности. Во-вторых, при изготовлении газопоглощающих структур спеканием используются высокие температуры, от 800 до 1200°С. Максимальная же температура, используемая при изготовлении предлагаемой нами нанокомпозитной газопоглощающей структуры, составляет 300°С. В-третьих, затруднительно использование газопоглощающих структур, изготавливаемых методами порошковой металлургии, в миниатюрных изделиях, например, микроэлектромеханических системах: проблематичен монтаж таких структур внутрь миниатюрного объема из-за относительно больших размеров; сложность обработки подобных структур технологиями микросистемной техники; осыпание микрочастиц прессованных газопоглощающих структур приводит к нарушениям функционирования микроэлектромеханических систем. Для решения проблемы осыпания частиц в прототипе используется напыление металлической пленки, которая предотвращает осыпание. Однако подобное техническое решение не снимает полностью проблему осыпания, так как защитный слой может нарушаться при механообработке структуры, например, перед ее монтажом в корпус. Предлагаемая нами полезная модель полностью свободна от описанных недостатков: технология получения газопоглощающей структуры исключает образование и осыпание микрочастиц; газопоглощающая структура может быть легко встраиваема внутрь миниатюрных объемов, так как могут применяться отработанные в микросистемной технике технологии сборки; получение требуемых конфигураций газопоглощающей структуры может осуществляться стандартными технологиями микрообработки.
Формирование предложенной газопоглощающей структуры производится магнетронным распылением, позволяющим наносить многокомпонентные, а также гранулированные пленки, обеспечивая возможность получения пленок с развитой поверхностью. Газопоглощающие пленки состава Ti1-xVx получаются распылением составной мишени планарного типа на основе титана и ванадия. Требуемый состав газопоглощающих пленок в процессе напыления достигается заданным отношением площадей зон распыления титана и ванадия на составной мишени, что предварительно определяется с помощью моделирования процесса распыления.
Развитая поверхность газопоглощающей структуры обеспечивает повышенную диффузию газов вглубь материала, состав пленок обеспечивает их химическую активность, в результате газопоглощающая структура обладает высокой сорбционной емкостью.
Для практической реализации полезной модели используются следующие технологические процессы. Распыление мишени проводится при давлении аргона 10-3 мм рт.ст. Плотность ионного тока варьируется в интервале 10-30 мА/см2, при напряжении магнетрона 350-500 В. Контроль температуры магнетрона осуществляется хромель-алюмелевыми термопарами. Пленки осаждаются на внутреннюю поверхность крышки корпуса. Предварительный разогрев подложек перед процессом распыления проводится с применением галогенных ламп до температуры 150°С. В процессе осаждения геттерных пленок подложки нагреваются до температуры не выше 200°С. Пайка стеклом сводится к нанесению суспензии (пасты) стеклянного порошка в деионизованной воде на очищенную поверхность, сжатию соединенных деталей в приспособлении-кассете, сушке и последующему оплавлению в печи в контролируемой атмосфере.
Использование относительно тугоплавких стекол практически исключает возможность припайки кристаллов стеклом на подложках гибридных пленочных микросхем и микросборок. Пайку стеклом в основном применяют для крепления керамических, поликоровых и ситалловых подложек. Наилучшая адгезия стекла и, следовательно, прочность соединения обеспечиваются с материалами, представляющими собой смеси окислов (ситалл, поликор, керамика 22ХС), или с металлами, имеющими на поверхности прочный слой окисла.
Технология пайки стеклом сводится к нанесению суспензии (пасты) стеклянного порошка в деионизованной воде на очищенную поверхность, сжатию соединенных деталей в приспособлении-кассете, сушке и последующему оплавлению в печи в контролируемой атмосфере.
Таким образом, реализация полезной модели обеспечивает более высокое значение вакуума по сравнению с прототипом.
Источники информации:
1. Патент США №2007205720;
2. Патент Кореи №20070024590;
3. Патент Кореи №101529543 - Прототип.

Claims (1)

  1. Микроэлектромеханическое устройство, включающее крышку корпуса МЭМС датчика с газопоглощающей структурой на основе титана, отличающееся тем, что МЭМС датчик прикреплен к основанию устройства стеклянным припоем.
RU2019116077U 2019-05-24 2019-05-24 Микроэлектромеханическое устройство RU192006U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019116077U RU192006U1 (ru) 2019-05-24 2019-05-24 Микроэлектромеханическое устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019116077U RU192006U1 (ru) 2019-05-24 2019-05-24 Микроэлектромеханическое устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU192006U1 true RU192006U1 (ru) 2019-08-30

Family

ID=67852128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019116077U RU192006U1 (ru) 2019-05-24 2019-05-24 Микроэлектромеханическое устройство

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU192006U1 (ru)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070205720A1 (en) * 2005-11-23 2007-09-06 Integrated Sensing Systems, Inc. Getter device
KR101529543B1 (ko) * 2013-10-30 2015-06-17 한국과학기술원 멤즈 소자의 진공 패키징 방법
RU2633675C2 (ru) * 2012-05-09 2017-10-16 Зе Боинг Компани Корпусирование фотонно-кристаллических датчиков, предназначенных для экстремальных условий

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070205720A1 (en) * 2005-11-23 2007-09-06 Integrated Sensing Systems, Inc. Getter device
RU2633675C2 (ru) * 2012-05-09 2017-10-16 Зе Боинг Компани Корпусирование фотонно-кристаллических датчиков, предназначенных для экстремальных условий
KR101529543B1 (ko) * 2013-10-30 2015-06-17 한국과학기술원 멤즈 소자의 진공 패키징 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4065440B2 (ja) 非蒸発型ゲッター材料の多層堆積物
CN1318642C (zh) 降低颗粒物损失的多孔吸气剂器件及其制备方法
US7789949B2 (en) Getter device
US6923625B2 (en) Method of forming a reactive material and article formed thereby
JP2005510041A5 (ru)
ITMI961533A1 (it) Metodo per la produzione di strati sottili supportati di materiale getter non-evaporabile e dispositivi getter cosi' prodotti
CN108249386B (zh) 激活温度可控的非蒸散型薄膜吸气剂及其应用
JP5701773B2 (ja) 微小表面構造の形成方法および微小電気機械部材の製造方法、微小表面構造、ならびに当該構造を有する微小電気機械部材
RU98107658A (ru) Способ изготовления тонких слоев неиспаряющихся газопоглощающих материалов на подложке и газопоглотительное устройство
Xu et al. ZrCoCe getter films for MEMS vacuum packaging
JP6122666B2 (ja) ホッパー及び溶射装置
RU192006U1 (ru) Микроэлектромеханическое устройство
JP3469001B2 (ja) 加圧焼結による支持体の上での電子的構成部材の固定法
JPS62177165A (ja) 熱電発電装置用の電極複合体及びその製造方法
KR20230006453A (ko) 마이크로 전자기계 시스템 및 그 제조 방법
JP5178604B2 (ja) ガス吸着素子形成体、ガス吸着素子の実装方法および真空用パッケージ
JPS63182283A (ja) ゲッター装置製造方法
A Chuntonov et al. Getter films for small vacuum chambers
RU128394U1 (ru) Газопоглощающая структура
US11524271B2 (en) Thin film getter and manufacturing method therefor
JP2004175588A (ja) 酸化チタンナノチューブ成形体の製造方法
CN101395095A (zh) 在玻璃元件上形成吸气材料层的方法
RU2439739C1 (ru) Нанокомпозитная газопоглощающая структура
JP6219574B2 (ja) 電子装置および電子装置の製造方法
KR102042894B1 (ko) 박막 게터, 및 그 제조 방법