JP2010226090A5 - - Google Patents
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Description
本発明の１つの側面は、光電変換装置に係り、該光電変換装置は、受光面を有する光電変換部と、前記光電変換部へ光を集める集光構造と、を備え、前記集光構造は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第２の絶縁膜とを含み、前記第２の絶縁膜は、前記受光面に平行な第１の平面に沿って配され、前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面を含む第２の平面と前記第２の絶縁膜の下面を含む第３の平面との間に配され、前記第２の絶縁膜の密度が、前記第１の平面における中心領域において前記第１の平面における周辺領域よりも大きく、前記第１の平面における前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とのレイアウトパターンは、可視光領域の最大波長以下の寸法を有する部分を含む。
Claims (14)
- 受光面を有する光電変換部と、
前記光電変換部へ光を集める集光構造と、を備え、
前記集光構造は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第２の絶縁膜とを含み、前記第２の絶縁膜は、前記受光面に平行な第１の平面に沿って配され、前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面を含む第２の平面と前記第２の絶縁膜の下面を含む第３の平面との間に配され、前記第２の絶縁膜の密度が、前記第１の平面における中心領域において前記第１の平面における周辺領域よりも大きく、
前記第１の平面における前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とのレイアウトパターンは、可視光領域の最大波長以下の寸法を有する部分を含む、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第２の絶縁膜は、開口を有するとともに前記平面に沿って延びており、
前記第１の絶縁膜は、前記開口を満たしている
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。 - 前記集光構造では、さらに、前記第１の絶縁膜が前記第２の絶縁膜の前記上面を覆うように配され、前記第２の絶縁膜の屈折率より低い屈折率を有する第３の絶縁膜が前記第２の絶縁膜の前記下面を覆うように配されている
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。 - 前記レイアウトパターンでは、複数の円又は複数の多角形が、前記中心領域の中心に対してセンタリングされるように前記第１の平面に沿って配されている
ことを特徴とした請求項１に記載の光電変換装置。 - 前記レイアウトパターンでは、複数のホール又はドットが前記中心領域の中心に関して対称に分布するように前記第１の平面に沿って配されている
ことを特徴とした請求項１に記載の光電変換装置。 - 前記集光構造の上方に配され、前記光電変換部に対応する開口領域を規定している第１の配線層と、
前記集光構造の下に配され、前記光電変換部に対応する前記開口領域を規定している第２の配線層と、
をさらに備える
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光電変換装置。 - 前記中心領域および前記周辺領域は、前記開口領域の中に配されている
ことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。 - 前記第２の配線層は、銅を主成分とする材料で形成されており、
前記第２の絶縁膜は、前記銅を主成分とする材料の拡散を抑制するように、前記第２の配線層を覆っている
ことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。 - 前記第２の配線層は、アルミニウムを主成分とする材料で形成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。 - 前記第２の絶縁膜は、前記第２の配線層の上方で研磨を停止するように、前記第２の配線層の上方に配されている
ことを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。 - 前記第１の絶縁膜は、シリコン酸化物で形成されており、
前記第２の絶縁膜は、炭素、酸素、窒素のいずれかを含むシリコン系化合物で形成されている
ことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。 - 前記開口領域の中心は、前記受光面の中心を通る法線からオフセットしていて、
前記中心領域の中心は、前記受光面の中心と前記開口領域の中心とを通る直線が通る領域である
ことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。 - 受光面を有する光電変換部と、
前記光電変換部へ光を集める集光構造と、を備え、
前記集光構造は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第２の絶縁膜とを含み、前記第２の絶縁膜は、前記受光面に平行な第１の平面に沿って配され、前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面を含む第２の平面と前記第２の絶縁膜の下面を含む第３の平面との間に配され、前記第２の絶縁膜の密度が、前記第１の平面における中心領域において前記第１の平面における周辺領域よりも大きく、
前記第１の平面における前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とのレイアウトパターンは、７５０ｎｍ以下の寸法を有する部分を含む、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１から１３のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、
を備えたことを特徴とする撮像システム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010012582A JP5637693B2 (ja) | 2009-02-24 | 2010-01-22 | 光電変換装置、及び撮像システム |
| KR1020100014571A KR101194653B1 (ko) | 2009-02-24 | 2010-02-18 | 광전변환장치 및 촬상 시스템 |
| US12/709,840 US8330828B2 (en) | 2009-02-24 | 2010-02-22 | Device and imaging system |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009041298 | 2009-02-24 | ||
| JP2009041298 | 2009-02-24 | ||
| JP2010012582A JP5637693B2 (ja) | 2009-02-24 | 2010-01-22 | 光電変換装置、及び撮像システム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010226090A JP2010226090A (ja) | 2010-10-07 |
| JP2010226090A5 true JP2010226090A5 (ja) | 2013-03-07 |
| JP5637693B2 JP5637693B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=42630641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010012582A Active JP5637693B2 (ja) | 2009-02-24 | 2010-01-22 | 光電変換装置、及び撮像システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8330828B2 (ja) |
| JP (1) | JP5637693B2 (ja) |
| KR (1) | KR101194653B1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5314914B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2013-10-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、設計方法、及び光電変換装置の製造方法 |
| JP5663925B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-02-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
| JP2012015424A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
| WO2013008395A1 (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
| KR20150089650A (ko) * | 2014-01-28 | 2015-08-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| TWI667767B (zh) | 2014-03-31 | 2019-08-01 | 菱生精密工業股份有限公司 | Package structure of integrated optical module |
| KR102159166B1 (ko) * | 2014-05-09 | 2020-09-23 | 삼성전자주식회사 | 색분리 소자 및 상기 색분리 소자를 포함하는 이미지 센서 |
| FR3044466A1 (fr) * | 2015-12-01 | 2017-06-02 | Commissariat Energie Atomique | Capteur d'images muni d'un dispositif de tri spectral |
| CN106842391A (zh) * | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 扬升照明股份有限公司 | 光学扩散板以及光源模组 |
| US10983318B2 (en) | 2018-08-02 | 2021-04-20 | Visera Technologies Company Limited | Optical elements |
| GB2576212B (en) | 2018-08-10 | 2021-12-29 | X Fab Semiconductor Foundries Gmbh | Improvements in lens layers for semiconductor devices |
| FR3125920B1 (fr) * | 2021-07-27 | 2023-11-24 | St Microelectronics Grenoble 2 | Capteur optique |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005210013A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JP2005311015A (ja) | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP4130815B2 (ja) | 2004-07-16 | 2008-08-06 | 松下電器産業株式会社 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| KR20070057934A (ko) * | 2004-09-17 | 2007-06-07 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 색차를 해결한 이미지 입력장치 |
| JP4711657B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| US7420610B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging element, solid-state imaging device, and method for fabricating the same |
| JP4456040B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2010-04-28 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子 |
| EP2016620A2 (en) * | 2006-04-17 | 2009-01-21 | Omnivision Cdm Optics, Inc. | Arrayed imaging systems and associated methods |
| JP2008010773A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP5087888B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2012-12-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| TW200913238A (en) * | 2007-06-04 | 2009-03-16 | Sony Corp | Optical member, solid state imaging apparatus, and manufacturing method |
-
2010
- 2010-01-22 JP JP2010012582A patent/JP5637693B2/ja active Active
- 2010-02-18 KR KR1020100014571A patent/KR101194653B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-22 US US12/709,840 patent/US8330828B2/en active Active
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