JP2010225973A - Manufacturing method of multilayer circuit board - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily manufacture a wiring pattern of each layer of a multilayer circuit board with sufficient positional accuracy. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the multilayer circuit board includes (A) a process to form at least one alignment mark for forming a via hole for connecting electrically a laminated body and an inner layer substrate simultaneously with the formation of a conductor wiring circuit of an inner layer material, (B) a process to laminate a laminated body so as to expose the alignment mark when laminating the laminated body on the conductor wiring circuit, (C) a process to form the via hole in the laminated body using at least one of the alignment mark formed at the inner layer material as alignment, (D) a process to form the conductor wiring circuit using at least one via hole formed at the laminated body as the alignment, and furthermore, simultaneously with the formation of the conductor circuit to form at least one alignment mark for the formation off the via hole on the inner layer substrate in order to electrically be connect with the laminated body further laminated on the conductor wiring circuit, and (E) a process to repeat the process (B)-(D) until reaching the required number of wiring layers. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、ポリイミド等の樹脂からなる絶縁層及び導体層を含む積層体を貼り合わせることにより、多層化する多層回路基板の製造方法、多層回路基板を用いた半導体パッケージの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer circuit board in which a multilayer body including an insulating layer made of a resin such as polyimide and a conductor layer is bonded, and a method for manufacturing a semiconductor package using the multilayer circuit board.

近年、電子機器の小型化、軽薄化、高機能化の要求に伴い、半導体の高密度集積化や動作クロックの高速化が進んでいる。一方、半導体を搭載する半導体パッケージやプリント配線板においても、高密度化、小型化、高速化等が望まれており、配線回路パターンの微細化、コア基材の軽薄化や絶縁層の低誘電率化等の開発が進んでいる。例えば、配線回路では、サブトラクティブ法からセミアディティブ法へ移行することで20μm以下の配線幅が可能となっている。このように、半導体の進捗とともに回路基板においても、高密度化、多層化、高伝送化を目指した開発が行われている状況にある。   In recent years, along with demands for downsizing, lightening, and high functionality of electronic devices, high density integration of semiconductors and high speed operation clocks are progressing. On the other hand, in semiconductor packages and printed wiring boards that mount semiconductors, high density, miniaturization, high speed, etc. are desired. Miniaturization of wiring circuit patterns, lightening of core substrates, and low dielectric constant of insulating layers Development such as rate improvement is progressing. For example, in a wiring circuit, a wiring width of 20 μm or less is possible by shifting from a subtractive method to a semi-additive method. Thus, with the progress of semiconductors, circuit boards are being developed for higher density, multilayers, and higher transmission.

また、このような回路基板の多層化技術として、いわゆるビルドアップ法が一般的に知られており、内層コア基板に外層として絶縁樹脂層及び導体層を交互に1層ずつ積層し、ブラインドビアにより内層の回路パターンと外層の回路パターンを電気的に接続させる技術である。この場合、ビアホールの形成方法は非感光性絶縁樹脂にレーザを用いてビアホールを形成する方法と感光性絶縁樹脂を用いるフォトビアの2つに大別できる。   In addition, as a multilayer technology for such a circuit board, a so-called build-up method is generally known, in which an insulating resin layer and a conductor layer are alternately laminated as outer layers on the inner layer core substrate one by one, and blind vias are used. This is a technique for electrically connecting an inner layer circuit pattern and an outer layer circuit pattern. In this case, the method for forming the via hole can be broadly divided into two methods: a method of forming a via hole using a laser in a non-photosensitive insulating resin and a photo via using a photosensitive insulating resin.

また、このようなビルドアップ法において、内層の回路パターンのランド部に対する外層のビアホール形成は位置合わせを精度良く行う必要がある。特に、高密度化が進むにつれて、位置合わせ精度はますます厳しくなることは明白である。したがって、上記の位置合わせをより精度良く行うために、いくつかの発明や考案が開示されている。   In such a build-up method, it is necessary to accurately align the via hole in the outer layer with respect to the land portion of the circuit pattern in the inner layer. In particular, it is clear that the alignment accuracy becomes increasingly severe as the density increases. Therefore, several inventions and devices have been disclosed in order to perform the above alignment with higher accuracy.

例えば一例として、内層回路基板に形成されたアライメントマークが被覆しないように、絶縁層、導体層の順で外層を積層し、内層回路基板に形成されたアライメントマークを基準としてビアホール及び外層回路パターンを形成することが容易なビルドアップ多層回路基板の製造方法が開示されている(例えば特許文献1「多層回路配線板の製造方法」参照)。
これによれば、内層回路基板の端部に金型により打ち抜かれた貫通孔を形成し、内層基板上に作製するビアホール及び導体回路パターン、さらに、内層回路基板の表裏に逐次積み上げられる積層体上に作製するビアホール及び導体回路パターンの形成に、貫通孔をアライメントマークとして使用することを特徴としている。上記の方法により、回路の密度を高めることができ、位置誤差の蓄積が発生せず、内層回路配線と外層回路配線の位置合わせ精度が高められ、良好な層間接続が可能である(特許文献1)。
For example, as an example, the outer layer is laminated in the order of the insulating layer and the conductor layer so that the alignment mark formed on the inner layer circuit board is not covered, and the via hole and the outer layer circuit pattern are formed based on the alignment mark formed on the inner layer circuit board. A manufacturing method of a build-up multilayer circuit board that is easy to form is disclosed (see, for example, Patent Document 1, “Manufacturing method of multilayer circuit wiring board”).
According to this, a through-hole punched out by a mold is formed at the end of the inner layer circuit board, via holes and conductor circuit patterns to be produced on the inner layer board, and further on the laminated body sequentially stacked on the front and back of the inner layer circuit board A through hole is used as an alignment mark for forming a via hole and a conductor circuit pattern to be manufactured. According to the above method, the circuit density can be increased, accumulation of position errors does not occur, the alignment accuracy between the inner layer circuit wiring and the outer layer circuit wiring is increased, and good interlayer connection is possible (Patent Document 1). ).

さらに、他の方法として、「回路基板製造用基板、回路基板及び多層配線板並びに回路基板製造用基板のビアホールの形成方法」という名称で、外層のブラインドビアホールと内層のボトムランドとの位置あわせを高精度に行うことが可能なビルドアップ法による回路基板製造用のビアホールの形成方法が提案されている。
これによれば、内層回路基板にアライメントマークと補助アライメントマークを形成し、補助アライメントマークが露出するように絶縁層と導体層を積層する。その後、補助アライメントマークを使用し、アライメントマーク上部の絶縁層と導体層をレーザ光により除去する。アライメントマークは導体回路形成領域に形成するため、位置合わせの基準がビアホールに近くなるため、より位置制度に優れたビアホールを形成することが可能となる(特許文献2)。
Further, as another method, the alignment of the outer via blind via hole and the inner bottom land is named as “method of forming via hole in circuit board manufacturing substrate, circuit board and multilayer wiring board and circuit board manufacturing substrate”. A via hole forming method for manufacturing a circuit board by a build-up method that can be performed with high accuracy has been proposed.
According to this, the alignment mark and the auxiliary alignment mark are formed on the inner layer circuit board, and the insulating layer and the conductor layer are laminated so that the auxiliary alignment mark is exposed. Thereafter, the auxiliary alignment mark is used, and the insulating layer and the conductor layer above the alignment mark are removed by laser light. Since the alignment mark is formed in the conductor circuit formation region, the alignment reference is close to that of the via hole, so that it is possible to form a via hole with a better position system (Patent Document 2).

また、他の方法として、「多層配線基板の製造方法及び半導体パッケージ並びに長尺配線基板」という名称で、内層回路基板に対し、積層する回路パターンの位置を精度良く形成できることが可能なビルドアップ法による多層配線基板の製造方法が提案されている。
これによれば、第1の積層体に回路パターンと共に第1のアライメントマークを形成し、第1の積層体に第1のアライメントが露出するように第2の積層体を積層した後、第1のアライメントを使用して第2の積層体上に第2のビアアライメント及びビアホールを形成し、第2のアライメントを使用して第2の積層体に回路パターンを形成することを特徴としている。上記の方法により、下層で形成されたアライメントマークを使用して、上層のビアホールを形成し、そのビアホールをアライメントマークとして上層の回路パターンを形成するので、既に形成された回路パターンに対し、次の層の回路パターンの位置を精度良く形成することが可能である(特許文献3)。
As another method, a build-up method capable of accurately forming the position of the circuit pattern to be laminated with respect to the inner layer circuit board under the name of “method for manufacturing multilayer wiring board and semiconductor package and long wiring board”. A method for manufacturing a multilayer wiring board according to the above has been proposed.
According to this, after forming a 1st alignment mark with a circuit pattern in the 1st laminated body, and laminating | stacking a 2nd laminated body so that 1st alignment may be exposed to a 1st laminated body, 1st The second via alignment and via hole are formed on the second stacked body using the above alignment, and the circuit pattern is formed on the second stacked body using the second alignment. By using the alignment mark formed in the lower layer by the above method, an upper layer via hole is formed, and the upper layer circuit pattern is formed using the via hole as an alignment mark. The position of the circuit pattern of the layer can be formed with high accuracy (Patent Document 3).

特開2004−71749号公報JP 2004-71749 A 特開2003−243781号公報JP 2003-243781 A 特開2007−299842号公報JP 2007-299842 A

しかしながら、上述した特許文献1に開示された発明において、あらかじめ内層基材に作製されたスルーホールは積層するたびに回路パターン及びビアホールを形成するためのアライメントマークとして使用されるので、回路パターン形成時のエッチングに晒される回数が多くなる。そのため、スルーホールのエッジ部の銅箔が過剰にエッチングされてしまい、形状が崩れることにより加工装置におけるアライメント認識時に誤認識が発生してしまい、位置精度が低下してしまうという課題があった。
特許文献2に開示された発明において、アライメントマークを絶縁層と導体層で一度覆うため、レーザ光によりその上部を除去しアライメントマークを露出するという工程が加わることで、製造プロセスが複雑化するという課題があった。
However, in the invention disclosed in Patent Document 1 described above, since the through holes prepared in advance in the inner layer base material are used as alignment marks for forming circuit patterns and via holes every time they are stacked, The number of times exposed to etching increases. For this reason, the copper foil at the edge portion of the through hole is excessively etched, and the shape collapses, so that erroneous recognition occurs at the time of alignment recognition in the processing apparatus, and there is a problem that the positional accuracy is lowered.
In the invention disclosed in Patent Document 2, since the alignment mark is once covered with the insulating layer and the conductor layer, the manufacturing process is complicated by adding a step of removing the upper portion by laser light and exposing the alignment mark. There was a problem.

また、特許文献3に開示された発明において、下層に作製されたアライメントマークを露出するように積層を行っていくために、積層数が多くなるほどに積層体の幅(搬送方向に対して垂直方向の長さ)を徐々に狭めることが必要となる。そのため、多層回路基板として使用できる有効面積が多層化するほど狭くなり、積層数に制限がある、かつ、生産性低下という課題があった。   In addition, in the invention disclosed in Patent Document 3, in order to perform the stacking so as to expose the alignment mark formed in the lower layer, the width of the stack (in the direction perpendicular to the transport direction) increases as the number of stacks increases. It is necessary to gradually reduce the length). For this reason, the effective area that can be used as a multilayer circuit board becomes narrower as the number of layers increases, and there are problems in that the number of layers is limited and productivity is reduced.

本発明は上記の点に対処してなされたものであり、高多層化が進んだ多層回路基板において、内層回路基板上に作製されたアライメントマークを使用して、内層回路基板に積層される積層体(上層)のビアホールと内層(下層)の回路パターンのランド部との位置合わせ精度を高精度に行うことができ、かつ、同じ幅を持つ積層体を貼り合わせても、上層のビアホールと下層のボトムランドとの位置合わせ精度を高精度に保つことが可能な高多層回路基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and in a multilayer circuit board that has been increased in the number of layers, it is a laminate that is stacked on an inner circuit board using alignment marks that are produced on the inner circuit board. The upper via hole and the lower layer can be aligned with a laminated body having the same width even when the body (upper layer) via hole and the inner layer (lower layer) circuit pattern land portion can be aligned with high accuracy. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a high-layer circuit board capable of maintaining a high alignment accuracy with the bottom land.

上記課題を解決するため、本発明の多層回路基板の製造方法は、絶縁層の両面に導体を有する内層材においてフィルドビアにより導体間を電気的に接続し、前記導体から導体配線回路を形成した内層基板上に、絶縁層及び導体層を含む積層体を内層基板の片面、もしくは両面に積層した後、前記積層体にビアホール及び導体配線回路を形成してなる多層回路基板の製造方法であって、次の工程を含むことを特徴とする。
A.前記内層材の導体配線回路形成と同時に前記積層体と前記内層材を電気的に接続するためのビアホール形成用のアライメントマークを少なくとも1つ形成する工程。
B.前記導体配線回路上に前記積層体を積層する際、前記アライメントマークが露出するよう積層体を積層する工程。
C.内層材に形成された前記アライメントマークの少なくとも1つをアライメントとして使用し、前記積層体にビアホールを形成する工程。
D.前記積層体に形成されたビアホールの少なくとも1つをアライメントとして使用し、導体配線回路を形成し、さらに導体配線回路形成と同時に、その導体配線回路上にさらに積層される積層体と電気的に接続するためのビアホール形成用のアライメントマークを内層基板上に少なくとも1つ形成する工程。
E.前記B〜Dの工程を必要な配線の層数となるまで繰り返す工程。
このような多層回路基板の製造方法によれば、内層基材上に配線回路パターンが形成されると同時に第1の積層体上のビアホール加工に使用する第1のアライメントマークが内層基材上に作製されるため、内層基板上に形成された回路パターンと第1の積層体上のビアホールは良好な位置精度で作製されることが可能となる。さらに、第N(N=自然数とする)の積層体に配線回路パターンが形成されると同時に第N+1の積層体上のビアホール加工に使用する第N+1のアライメントマークが内層基板上に作製されるため、第Nの積層体に形成された回路パターンと第N+1の積層体上のビアホールは良好な位置精度で作製されることが可能となる。
また、このような多層回路基板の製造方法では、導体配線回路上に積層体を積層したときに内層基板上のアライメントパターンマークを露出させることで、積層体にビアホールを精度良く形成することを可能としている。また、積層体上に形成した導体配線回路上にさらに積層体を積層する場合、それ以前の積層体と同等もしくはそれ以上の幅を有する積層体が使用できることを可能となる。
また、このような多層回路基板の製造方法では、積層体に形成されたビアホールの少なくとも1つをアライメントマークとして使用し導体配線回路を形成するため、ビアホールの位置に合わせた導体配線回路を形成することが出来る。
In order to solve the above-mentioned problems, a method for manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention is an inner layer in which conductors are electrically connected by filled vias in an inner layer material having conductors on both sides of an insulating layer, and a conductor wiring circuit is formed from the conductors. A method for producing a multilayer circuit board comprising: laminating a laminate including an insulating layer and a conductor layer on one or both sides of an inner layer substrate on a substrate; and forming via holes and conductor wiring circuits on the laminate, It includes the following steps.
A. Forming at least one alignment mark for forming a via hole for electrically connecting the laminate and the inner layer material simultaneously with the formation of the conductor wiring circuit of the inner layer material;
B. A step of laminating the laminate so that the alignment mark is exposed when the laminate is laminated on the conductor wiring circuit;
C. Using at least one of the alignment marks formed on the inner layer material as an alignment, and forming a via hole in the laminate.
D. At least one of the via holes formed in the laminate is used as an alignment to form a conductor wiring circuit, and at the same time as the conductor wiring circuit is formed, it is electrically connected to the laminate further laminated on the conductor wiring circuit. Forming at least one alignment mark for forming a via hole on the inner layer substrate.
E. A step of repeating the steps B to D until the required number of wiring layers is obtained.
According to such a method of manufacturing a multilayer circuit board, the first alignment mark used for via-hole processing on the first laminate is formed on the inner layer base material simultaneously with the formation of the wiring circuit pattern on the inner layer base material. Therefore, the circuit pattern formed on the inner layer substrate and the via hole on the first stacked body can be manufactured with good positional accuracy. Further, since the wiring circuit pattern is formed in the Nth (N = natural number) stacked body, the N + 1th alignment mark used for via-hole processing on the N + 1th stacked body is formed on the inner layer substrate. The circuit pattern formed in the Nth stacked body and the via hole on the (N + 1) th stacked body can be manufactured with good positional accuracy.
Also, in such a method for manufacturing a multilayer circuit board, it is possible to accurately form a via hole in the multilayer body by exposing the alignment pattern mark on the inner layer board when the multilayer body is laminated on the conductor wiring circuit. It is said. Further, when a laminate is further laminated on the conductor wiring circuit formed on the laminate, a laminate having a width equal to or greater than that of the previous laminate can be used.
Further, in such a method for manufacturing a multilayer circuit board, since a conductor wiring circuit is formed using at least one via hole formed in the laminated body as an alignment mark, a conductor wiring circuit is formed in accordance with the position of the via hole. I can do it.

また、本発明において、前記内層基板の導体配線回路の形成時において、内層基板に積層される積層体を第1の積層体としたとき、第1の積層体上に積層される第2の積層体から最外層の積層体のビアホール形成用のアライメントマークが配置される領域の導体層を予め除去し、絶縁層を露出し、さらに第N(N=自然数とする)の積層体の導体配線回路の形成時において、第N+2の積層体から最外層の積層体のビアホール形成用のアライメントマークが配置される領域の導体層を予め除去し、絶縁層を露出することを特徴とする。
これは、第2から最外層のアライメントマークが配置される内層基板の領域はフィルドビア形成時にメッキ工程に晒される回数が多く、導体厚が不安定となることを防ぐためである。
このような多層回路基板の製造方法では、内層基板に形成される第2から最外層のアライメントマークが形成されることが可能とし、かつ、マーク形状が変形することを防ぎ、第2以上の積層体上にビアホール加工を実施する際、アライメントマークの認識が高精度で行われることを可能となる。
Further, in the present invention, when forming the conductor wiring circuit of the inner layer substrate, when the laminated body laminated on the inner layer substrate is the first laminated body, the second laminated layer laminated on the first laminated body. The conductor layer in the region where the alignment mark for via hole formation of the outermost layer stack is disposed from the body, the insulating layer is exposed, and the conductor wiring circuit of the Nth (N = natural number) layer stack Is formed, the conductor layer in the region where the alignment mark for via hole formation of the outermost layer stack is disposed is removed in advance from the (N + 2) th layer stack, and the insulating layer is exposed.
This is because the region of the inner layer substrate where the second to outermost alignment marks are arranged is frequently exposed to the plating process when the filled via is formed, thereby preventing the conductor thickness from becoming unstable.
In such a method of manufacturing a multilayer circuit board, the second to outermost alignment marks formed on the inner layer board can be formed, the mark shape is prevented from being deformed, and the second or more stacked layers are formed. When the via hole processing is performed on the body, the alignment mark can be recognized with high accuracy.

また、本発明において、前記内層基板、及び前記積層体がテープ状の長尺基板により供給され、リール・ツー・リール方式によって、内層基板上に逐次積層体を積層することを特徴する多層回路基板の製造方法としたものである。   Further, in the present invention, the inner layer substrate and the laminate are supplied by a tape-like long substrate, and the laminate is sequentially laminated on the inner substrate by a reel-to-reel method. This is a manufacturing method.

本発明によれば、多層回路基板を製造する過程で、逐次内層基板に積層される積層体上におけるビアホールの加工の位置決めに、内層基板に形成されたアライメントマークを用いるため、同じ幅を有する積層基材を逐次積層して高多層回路基板を作製することが可能となる。また、各層ごとにアライメントマークが作製されるため、各層に作製されるビアホールと導体配線回路パターンの位置及び下層の配線回路パターンに対する上層のビアホールの位置が精度よく形成することができる。   According to the present invention, in the process of manufacturing a multilayer circuit board, the alignment marks formed on the inner layer substrate are used for positioning of via holes on the stacked body sequentially stacked on the inner layer substrate. It becomes possible to produce a multi-layer circuit board by sequentially laminating the base materials. Further, since the alignment mark is produced for each layer, the positions of via holes and conductor wiring circuit patterns produced in each layer and the positions of upper via holes with respect to the lower wiring circuit patterns can be formed with high accuracy.

本発明の実施の形態に係る長尺回路基板を示す平面図である。It is a top view which shows the elongate circuit board based on embodiment of this invention. 図1に示す長尺回路基板の構成を示す図1のY−Y断面図である。FIG. 2 is a YY sectional view of FIG. 1 showing a configuration of the long circuit board shown in FIG. 1. (a)から(d)は多層回路基板の製造方法を示す図であり、内層基板にアライメントマークを形成する工程を説明する平面図である。(A)-(d) is a figure which shows the manufacturing method of a multilayer circuit board, and is a top view explaining the process of forming an alignment mark in an inner layer board | substrate. 長尺配線基板の平面図であり、本発明を活用した際に考えられる製造方法の一例を示す平面図である。It is a top view of an elongate wiring board, and is a top view which shows an example of the manufacturing method considered when utilizing this invention. (a)から(e)は多層回路基板の製造方法を説明する断面図である。(A) to (e) are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a multilayer circuit board. (f)から(h)は多層回路基板の製造方法を説明する断面図である。(F) to (h) are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a multilayer circuit board. (i)から(j)は多層回路基板の製造方法を説明する断面図である。(I)-(j) is sectional drawing explaining the manufacturing method of a multilayer circuit board.

以下、本発明を実施するための最良の形態について図1及び図2を参照しながら詳細に説明する。
図1は長尺回路基板にて、シート状の内層基材にシート状の第2の積層体を積層した状態を示す平面図である。なお、図中の矢線で示す直交するX方向とY方向とは、それぞれ長尺回路基板の長さ方向(図中横方向)と、長尺配線基板の幅方向(図中上下方向)とする。また、図2は図1の長尺回路基板を幅方向に切断したときの断面図(図1のYY線断面図)である。
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
FIG. 1 is a plan view showing a state in which a sheet-like second laminate is laminated on a sheet-like inner layer base material in a long circuit board. In addition, the X direction and the Y direction orthogonal to each other indicated by arrows in the figure are the length direction of the long circuit board (lateral direction in the figure) and the width direction of the long wiring board (up and down direction in the figure), respectively. To do. 2 is a cross-sectional view (cross-sectional view taken along line YY in FIG. 1) when the long circuit board of FIG. 1 is cut in the width direction.

まず、内層基材Aは、図2に示すように、可撓性を有する絶縁層3の両面にそれぞれ導体層2a、2bを形成して構成されており、導体配線回路パターン2a、2bが形成されている。この回路パターン2a、2bはビアホール4により電気的な接続が成される。内層基材AのY方向における両端部には、表面から裏面に貫通する孔1a及び1bが形成されており、少なくとも多層回路基板22のX方向の中心を通りY方向に延在する線上に貫通孔1aが形成されている。
例えば、図1では多層回路基板22のX方向中心を通りY方向に延在する線上に貫通孔1aが形成され、多層回路基板22の中心を基準にして点対称な位置に貫通孔1bが形成されている。
アライメントマーク6aは、内層基材Aの回路パターン形成時に多層回路基板22の中心を基準にして点対称な位置に形成される。さらに、アライメントマーク11aは第1の積層体上Baの回路パターン形成時に多層回路基板22の中心を基準にして点対称な位置に形成される。なお、下層面側のアライメント6b及び11bは上述した上層面側と同様に形成される。
First, as shown in FIG. 2, the inner layer base material A is formed by forming conductor layers 2a and 2b on both surfaces of a flexible insulating layer 3, and conductor wiring circuit patterns 2a and 2b are formed. Has been. The circuit patterns 2 a and 2 b are electrically connected by the via hole 4. Holes 1a and 1b penetrating from the front surface to the back surface are formed at both ends in the Y direction of the inner layer base material A, and penetrate at least on the line extending in the Y direction through the center of the multilayer circuit board 22 in the X direction. A hole 1a is formed.
For example, in FIG. 1, the through hole 1 a is formed on a line extending in the Y direction through the center of the multilayer circuit board 22 in the Y direction, and the through hole 1 b is formed at a point-symmetrical position with respect to the center of the multilayer circuit board 22. Has been.
The alignment mark 6a is formed at a point-symmetrical position with respect to the center of the multilayer circuit board 22 when the circuit pattern of the inner layer base material A is formed. Further, the alignment mark 11a is formed at a point-symmetrical position with respect to the center of the multilayer circuit board 22 when the circuit pattern on the first stacked body Ba is formed. The lower surface side alignments 6b and 11b are formed in the same manner as the upper surface side described above.

内層基材Aの両面に積層される積層体Ba、Bbは、可撓性を有する絶縁層7a、7b及び導体層8a、8bより構成されており、導体層8a、8bは回路パターンが形成されている。また、積層体Ba、Bbにはそれぞれビアホール9a、9bが作製され、ホール内部に金属が充填されており、回路パターン8a、8bと内層基材Aの回路パターン2a、2bはそれぞれ電気的な接続が成されている。表裏の積層体Ba、Bbのアライメントマーク10a、10bは、ビアホール9a、9bを形成すると同時に、積層体Ba、Bbを貫通させたものであり、多層回路基板22のX方向の中心を通Y方向に延在する線上に形成されている。また、アライメントマーク11a、11bは、積層体Ba、Bbの回路パターン形成時に多層回路基板22の中心を基準にして点対称な位置に、あらかじめ内層基材Aの導体層2a、2bをエッチング等により除去し、絶縁層3を露出させた領域5a、5b上に形成される。   The laminates Ba and Bb laminated on both surfaces of the inner layer base material A are composed of flexible insulating layers 7a and 7b and conductor layers 8a and 8b, and the conductor layers 8a and 8b are formed with circuit patterns. ing. In addition, via holes 9a and 9b are formed in the stacked bodies Ba and Bb, respectively, and the holes are filled with metal. The circuit patterns 8a and 8b and the circuit patterns 2a and 2b of the inner layer base material A are electrically connected to each other. Is made. The alignment marks 10a and 10b on the front and back laminates Ba and Bb are formed by penetrating the laminates Ba and Bb at the same time as forming the via holes 9a and 9b, and passing through the center in the X direction of the multilayer circuit board 22 in the Y direction. It is formed on a line extending to In addition, the alignment marks 11a and 11b are formed by etching the conductor layers 2a and 2b of the inner layer base material A in advance at a point-symmetrical position with respect to the center of the multilayer circuit board 22 when the circuit patterns of the stacked bodies Ba and Bb are formed. It is formed on the regions 5a and 5b from which the insulating layer 3 has been removed.

積層体Ba、Bbにそれぞれ積層される積層体Ca、Cbは、可撓性を有する絶縁層12a、12b及び導体層13a、13bより構成されており、導体層13a、13bは回路パターンが形成されている。また、積層体Ca、Cbはビアホール14a、14bが作製され、ホール内部に金属が充填されており、回路パターン13a、13bと積層体Ba、Bbの回路パターン8a、8bは電気的な接続が成されている。
表裏の積層体Ca、Cbのアライメントマーク15a、15bは、ビアホール14a、14bを形成すると同時に、積層体Ca、Cbを貫通させたものであり、多層回路基板22のX方向の中心を通りY方向に延在する線上に形成されている。また、アライメントマーク16a、16bは、積層体Ca、Cbの回路パターン形成時に多層回路基板22の中心を基準にして点対称な位置に、あらかじめ内層基材Aの導体層2a、2bをエッチング等により除去し、絶縁層3を露出させた領域5a、5b上に形成される。
Laminated bodies Ca and Cb respectively laminated on the laminated bodies Ba and Bb are composed of flexible insulating layers 12a and 12b and conductor layers 13a and 13b, and circuit patterns are formed on the conductor layers 13a and 13b. ing. In addition, via holes 14a and 14b are formed in the stacked bodies Ca and Cb, and the metal is filled in the holes. The circuit patterns 13a and 13b and the circuit patterns 8a and 8b of the stacked bodies Ba and Bb are electrically connected. Has been.
The alignment marks 15a and 15b of the laminated bodies Ca and Cb on the front and back sides are formed by penetrating the laminated bodies Ca and Cb at the same time as forming the via holes 14a and 14b, and passing through the center in the X direction of the multilayer circuit board 22 in the Y direction. It is formed on a line extending to In addition, the alignment marks 16a and 16b are preliminarily etched on the conductor layers 2a and 2b of the inner layer base material A in a point-symmetrical position with respect to the center of the multilayer circuit board 22 when the circuit patterns of the laminated bodies Ca and Cb are formed. It is formed on the regions 5a and 5b where the insulating layer 3 is removed and exposed.

積層体Ca、Cbにそれぞれ積層される積層体Da、Dbは、可撓性を有する絶縁層17a、17b及び導体層18a、18bより構成されており、導体層18a、18bは回路パターンが形成されている。また、積層体Da、Dbはビアホール19a、19bが作製され、ホール内部に金属が充填されており、回路パターン19a、19bと積層体Ca、Cbの回路パターン13a、13bは電気的な接続が成されている。
両面の積層体Da、Dbのアライメントマーク20a、20bは、ビアホール19a、19bを形成すると同時に、積層体Da、Dbを貫通させたものであり、多層回路基板22のX方向の中心を通りY方向に延在する線上に形成されている。
なお、図2において、内層基板の回路パターン2a、2b、積層体Ba、Bbの回路パターン9a、9b、積層体Ca、Cbの回路パターン13a、13b、積層体Da、Dbの回路パターン18a、18bは異なるパターンで形成されてもよい。
The stacked bodies Da and Db stacked on the stacked bodies Ca and Cb respectively include flexible insulating layers 17a and 17b and conductor layers 18a and 18b. The conductor layers 18a and 18b have circuit patterns formed thereon. ing. The stacked bodies Da and Db are formed with via holes 19a and 19b, and the holes are filled with metal. The circuit patterns 19a and 19b and the circuit patterns 13a and 13b of the stacked bodies Ca and Cb are electrically connected. Has been.
The alignment marks 20a and 20b of the laminated bodies Da and Db on both sides are formed by penetrating the laminated bodies Da and Db at the same time as forming the via holes 19a and 19b, and passing through the center in the X direction of the multilayer circuit board 22 in the Y direction. It is formed on a line extending to
In FIG. 2, circuit patterns 2a and 2b of the inner layer substrate, circuit patterns 9a and 9b of the stacked bodies Ba and Bb, circuit patterns 13a and 13b of the stacked bodies Ca and Cb, and circuit patterns 18a and 18b of the stacked bodies Da and Db. May be formed in different patterns.

多層回路基板22は、Y方向で最も内側に形成されたアライメントマーク20a、20bよりも内側の矩形の領域であり、長尺回路基板から個片化して使用される。   The multilayer circuit board 22 is a rectangular area inside the alignment marks 20a and 20b formed on the innermost side in the Y direction, and is used by being separated from a long circuit board.

次に、多層回路基板22の製造方法について説明する。
初めに、内層基板Aの加工を行う。図3に示すように、内層基板Aの両面に回路パターン2a、2b形成するためのアライメントマークの作製を行う。金型を用いた打ち抜き加工により、内層基板Aを貫通する貫通孔1a形成し、これをアライメントマークとして使用する。また、同時に貫通孔1bを形成し、内層基板Aの両面の配線回路パターンの導通をとるビアホール4を形成するためのアライメントマークとして使用する。
Next, a method for manufacturing the multilayer circuit board 22 will be described.
First, the inner layer substrate A is processed. As shown in FIG. 3, alignment marks for forming circuit patterns 2a and 2b on both surfaces of the inner substrate A are prepared. A through hole 1a penetrating the inner substrate A is formed by punching using a mold, and this is used as an alignment mark. At the same time, the through-hole 1b is formed and used as an alignment mark for forming the via hole 4 that conducts the wiring circuit pattern on both surfaces of the inner layer substrate A.

貫通孔1bを用いて、内層基板Aにビアホール4を形成し、メッキによりビアホール4内に金属を充填させ両面の導通をとった後、貫通孔1aを用いて回路パターン2a、2bを形成する。同時に、内層基板Aの両面に積層体Ca、Cbの加工時に使用するアライメントマーク11a、11b、積層体Da、Dbの加工時に使用するアライメントマーク16a、16bが形成される領域5a、5bには絶縁層3が露出するように、導体層2a、2bを除去する。これは、後に形成されるアライメントマーク11a、11b、16a、16bの形状が崩れることを防止するために行う。   Via holes 4 are formed in the inner layer substrate A using the through holes 1b, metal is filled in the via holes 4 by plating, and both surfaces are electrically connected, and then circuit patterns 2a and 2b are formed using the through holes 1a. At the same time, the regions 5a and 5b where the alignment marks 11a and 11b used when processing the stacked bodies Ca and Cb and the alignment marks 16a and 16b used when processing the stacked bodies Da and Db are formed on both surfaces of the inner substrate A are insulated. The conductor layers 2a and 2b are removed so that the layer 3 is exposed. This is performed in order to prevent the shape of the alignment marks 11a, 11b, 16a, and 16b to be formed later from collapsing.

内層基板Aのビアホール加工及びパターン回路形成が完成した後、絶縁層7及び導体層8から成る積層体Ba、Bbを、内層基材Aに形成されたアライメントマーク6a、6bが露出するようにそれぞれ表裏に積層する。アライメントマーク6a、6bにより、積層体Ba、Bbにビアホール9a、9bを形成すると同時に、積層体Ba、Bbの回路パターン形成用アライメントマーク10a、10bを形成する。ビアホールを加工した後、メッキによりビアホール9a、9bに金属を充填させ積層体Bと内層基材Aとの導通をとる。その際、絶縁層3が露出していた領域5a、5bにおいてもメッキが施されており、積層体Ba、Bbと同じ導体厚となる。   After the via hole processing and the pattern circuit formation of the inner layer substrate A are completed, the laminated bodies Ba and Bb composed of the insulating layer 7 and the conductor layer 8 are respectively exposed so that the alignment marks 6a and 6b formed on the inner layer base material A are exposed. Laminate on the front and back. Via holes 9a and 9b are formed in the stacked bodies Ba and Bb by the alignment marks 6a and 6b, and at the same time, alignment marks 10a and 10b for forming circuit patterns of the stacked bodies Ba and Bb are formed. After processing the via holes, the via holes 9a and 9b are filled with metal by plating to establish electrical connection between the laminate B and the inner layer base material A. At this time, the regions 5a and 5b where the insulating layer 3 is exposed are also plated, so that the conductor thickness is the same as that of the stacked bodies Ba and Bb.

積層体上Ba、Bbの回路パターンの形成は、アライメントマーク10a、10bを使用して行う。アライメントマーク10a、10bは積層体Ba、Bbのビアホール加工によりそれぞれ形成されているため、回路パターン8a、8bとビアホール9a、9bの位置精度は良い。さらに、ビアホール9a、9bの加工はアライメントマーク6a、6bを使用しており、アライメントマーク6a、6bは内層基材Aの回路パターン形成と同時に形成されている。ゆえに、積層体Ba、Bbにそれぞれ形成されたビアホール9a、9bと内層基材Aの回路パターン2の位置精度も良好である。
一方、回路パターン8a、8bを形成すると同時に、後の積層体にビアホール加工での位置合わせとして使用するアライメントを形成する領域5a、5bの銅箔をエッチングし、絶縁層3を露出させる。そして、領域5a、5b内にアライメントマーク6a、6bと重ならないようにアライメントマーク11a、11bの形成を行う。アライメントマーク11a、11bはそれぞれ領域5a、5b内であればどこに形成してもよいが、X方向に対してアライメントマーク6a、6bの隣に形成することが好ましい。
The circuit patterns on the stacked body Ba and Bb are formed using the alignment marks 10a and 10b. Since the alignment marks 10a and 10b are formed by via hole processing of the stacked bodies Ba and Bb, respectively, the positional accuracy of the circuit patterns 8a and 8b and the via holes 9a and 9b is good. Further, the processing of the via holes 9a and 9b uses the alignment marks 6a and 6b, and the alignment marks 6a and 6b are formed simultaneously with the circuit pattern formation of the inner layer base material A. Therefore, the positional accuracy of the via holes 9a and 9b formed in the stacked bodies Ba and Bb and the circuit pattern 2 of the inner layer base material A is also good.
On the other hand, simultaneously with the formation of the circuit patterns 8a and 8b, the copper foils in the regions 5a and 5b forming the alignment used for alignment in via-hole processing are etched on the subsequent laminated body to expose the insulating layer 3. Then, alignment marks 11a and 11b are formed in the regions 5a and 5b so as not to overlap with the alignment marks 6a and 6b. The alignment marks 11a and 11b may be formed anywhere within the regions 5a and 5b, respectively, but are preferably formed next to the alignment marks 6a and 6b with respect to the X direction.

積層体Ba、Bbのビアホールの加工及び配線回路パターンの形成が完成した後、絶縁層12a、12b及び導体層13a、13bから成る積層体Ca、Cbを、内層基材Aに形成されたアライメントマーク11a、11bが露出するようにそれぞれ表裏に積層する。アライメントマーク11a、11bより、積層体Ca、Cbにビアホール14a、14bを形成する。ビアホールを加工した後、両面にメッキを施し、ビアホール14a、14bに金属を充填させ積層体Ca、Cbと積層体Ba、Bbとの導通をとる。ここで、アライメントマーク11a、11bはアライメントマーク6a、6bの隣に形成されていることから、積層体Ba、Bbと同じ幅のものを使用することができる。   After the processing of the via holes and the formation of the wiring circuit pattern of the stacked bodies Ba and Bb are completed, the stacked bodies Ca and Cb composed of the insulating layers 12a and 12b and the conductor layers 13a and 13b are formed on the inner layer base material A. Laminate on the front and back surfaces so that 11a and 11b are exposed. Via holes 14a and 14b are formed in the stacked bodies Ca and Cb from the alignment marks 11a and 11b. After processing the via hole, plating is performed on both sides, and the via holes 14a and 14b are filled with metal to establish electrical connection between the stacked bodies Ca and Cb and the stacked bodies Ba and Bb. Here, since the alignment marks 11a and 11b are formed next to the alignment marks 6a and 6b, those having the same width as the stacked bodies Ba and Bb can be used.

積層体上Ca、Cbの回路パターンの形成は、アライメントマーク15a、15bを使用して行う。アライメントマーク15a、15bは積層体Ca、Cbのビアホール加工によりそれぞれ形成されているため、回路パターン13a、13bとビアホール14a、14bの位置精度は良い。   The circuit patterns of Ca and Cb on the laminate are formed using alignment marks 15a and 15b. Since the alignment marks 15a and 15b are respectively formed by via hole processing of the stacked bodies Ca and Cb, the positional accuracy of the circuit patterns 13a and 13b and the via holes 14a and 14b is good.

さらに、ビアホール14a、14bの加工はアライメントマーク11a、11bを使用しており、アライメントマーク11a、11bは積層体Ba、Bbの回路パターン形成と同時に形成されている。ゆえに、積層体Ca、Cbにそれぞれ形成されたビアホール14a、14bと積層体Ba、Bbの回路パターン8a、8bの位置精度も良好である。
一方、回路パターン13a、13bを形成すると同時に、領域5a、5b内にアライメントマーク6a、6bと重ならないようにアライメントマーク16a、16bの形成を行う。アライメントマーク16a、16bはそれぞれ領域5a、5b内であればどこに形成してもよいが、X方向に対してアライメントマーク6a、6b、11a、11bの隣に形成することが好ましい。
Furthermore, the processing of the via holes 14a and 14b uses the alignment marks 11a and 11b, and the alignment marks 11a and 11b are formed simultaneously with the formation of the circuit patterns of the stacked bodies Ba and Bb. Therefore, the positional accuracy of the via holes 14a and 14b formed in the stacked bodies Ca and Cb and the circuit patterns 8a and 8b of the stacked bodies Ba and Bb is also good.
On the other hand, at the same time as forming the circuit patterns 13a and 13b, the alignment marks 16a and 16b are formed in the regions 5a and 5b so as not to overlap the alignment marks 6a and 6b. The alignment marks 16a and 16b may be formed anywhere within the regions 5a and 5b, respectively, but are preferably formed next to the alignment marks 6a, 6b, 11a, and 11b with respect to the X direction.

積層体Ca、Cbのビアホールの加工及び配線回路パターンの形成が完成した後、絶縁層17a、17b及び導体層18a、18bから成る積層体Da、Dbを、内層基材Aに形成されたアライメントマーク16a、16bが露出するようにそれぞれ表裏に積層する。アライメントマーク16a、16bより、積層体Da、Dbにビアホール19a、19bを形成する。ビアホールを加工した後、両面にメッキを施し、ビアホール19a、19bに金属を充填させ積層体Da、Dbと積層体Ca、Cbとの導通をとる。ここで、アライメントマーク16a、16bはアライメントマーク6a、6bの隣に形成されていることから、積層体Ba、Bb、Ca、Cbと同じ幅のものを使用することができる。   After the completion of the processing of the via holes and the formation of the wiring circuit pattern of the stacked bodies Ca and Cb, the stacked bodies Da and Db including the insulating layers 17a and 17b and the conductor layers 18a and 18b are formed on the inner layer base material A. Laminate on the front and back so that 16a and 16b are exposed. Via holes 19a and 19b are formed in the stacked bodies Da and Db from the alignment marks 16a and 16b. After processing the via hole, plating is performed on both sides, and the via holes 19a and 19b are filled with metal to establish electrical connection between the stacked bodies Da and Db and the stacked bodies Ca and Cb. Here, since the alignment marks 16a and 16b are formed next to the alignment marks 6a and 6b, those having the same width as the stacked bodies Ba, Bb, Ca, and Cb can be used.

積層体Da、Dbの回路パターンの形成は、それぞれアライメントマーク20a、20bを使用して行う。アライメントマーク20a、20bは積層体Ca、Cbのビアホール加工により形成されているため、回路パターン18a、18bとビアホール19a、19bのそれぞれの位置精度は良い。さらに、ビアホール19a、19bの加工はアライメントマーク18a、18bを使用しており、アライメントマーク16a、16bは積層体Ca、Cbの回路パターン形成と同時に形成されている。ゆえに、積層体Da、Dbに形成されたビアホール19a、19bと積層体Ca、Cbの回路パターン13a、13bの位置精度もそれぞれ良好である。   The circuit patterns of the stacked bodies Da and Db are formed using the alignment marks 20a and 20b, respectively. Since the alignment marks 20a and 20b are formed by via hole processing of the stacked bodies Ca and Cb, the positional accuracy of the circuit patterns 18a and 18b and the via holes 19a and 19b is good. Furthermore, the processing of the via holes 19a and 19b uses alignment marks 18a and 18b, and the alignment marks 16a and 16b are formed simultaneously with the formation of the circuit patterns of the stacked bodies Ca and Cb. Therefore, the positional accuracy of the via holes 19a and 19b formed in the stacked bodies Da and Db and the circuit patterns 13a and 13b of the stacked bodies Ca and Cb is also good.

各積層体のビアホールの加工を行うめのアライメントマークを形成する内層基板の領域5a、5bは、あらかじめ絶縁層3を露出させた領域を作製しておくことにより、積層体Ba、Bbの導体厚以下の導体層を得ることが出来る。よって、積層体Ba、Bbの回路パターンを形成すると同時にアライメントマーク11a、11bを、積層体Ca、Cbの回路パターンを形成すると同時にアライメントマーク16a、16bを形成することが可能となる。一方で、本発明における絶縁層3を露出した領域5a、5bが形成しない場合、領域5a、5bは積層体Ba、Bb、Ca、Cbの導体厚よりも厚い導体層が形成されるため、積層体Ba、Bb、Ca、Cbの回路パターンを形成すると同時のアライメントマーク11a、11b、16a、16bの形成は困難になる。
よって、本発明では、アライメントマーク形状崩れを起こさずに、内層基材にアライメントマークを形成することが出来る。さらに、積層体の幅を狭めることなく積層することが可能となり、製品部として使用できる有効領域を維持することができるために、積層数を増やした場合でも図4に示すように多層回路基板22を効率良く生産することが可能となる。また、常に下層の回路パターン時に形成されたアライメントマークを使用して、上層のビアホールの加工を行うため、上下層の回路パターンを正確に接続することが出来る。
The regions 5a and 5b of the inner layer substrate for forming the alignment marks for processing the via holes of each stacked body are prepared by previously preparing regions where the insulating layer 3 is exposed, whereby the conductor thicknesses of the stacked bodies Ba and Bb are formed. The following conductor layers can be obtained. Therefore, the alignment marks 11a and 11b can be formed simultaneously with the formation of the circuit patterns of the stacked bodies Ba and Bb, and the alignment marks 16a and 16b can be formed simultaneously with the formation of the circuit patterns of the stacked bodies Ca and Cb. On the other hand, when the regions 5a and 5b in which the insulating layer 3 is exposed in the present invention are not formed, the regions 5a and 5b are formed with a conductor layer thicker than the conductor thickness of the stacked bodies Ba, Bb, Ca, and Cb. When the circuit patterns of the bodies Ba, Bb, Ca, and Cb are formed, it becomes difficult to form the alignment marks 11a, 11b, 16a, and 16b at the same time.
Therefore, in the present invention, the alignment mark can be formed on the inner layer base material without causing the alignment mark shape to collapse. Furthermore, since it becomes possible to laminate | stack without reducing the width | variety of a laminated body and the effective area | region which can be used as a product part can be maintained, even when the number of lamination | stacking is increased, as shown in FIG. Can be produced efficiently. In addition, the upper and lower layer circuit patterns can be accurately connected because the upper layer via holes are always processed using the alignment marks formed in the lower layer circuit pattern.

なお、内層基板A上に積層する絶縁層フィルム7a、7b及び導体層フィルム8a、8bからなる積層体の上下方向幅は特に限定されるものでなく、内層基材Aの上下方向幅の両端部に形成されるアライメントマークが被覆しないように積層すればよい。
回路パターンを形成するときや、ビアホールを加工するときに使用するアライメントマークは、任意の形状のものを使用でき、例えば、円形、ドーナツ型、四角型、井形等、中心部又は特定位置部分が確認できる形状であれば良い。特に、円形、ドーナツ型が好ましい。
アライメントマークの形成方法は、フォトリソ法、孔あけ加工法等を使用できる。フォトリソ法としては、フォトレジストによるアライメントマークの形成や、アディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法によるアライメントマーク形成方法が挙げられる。この方式では、アライメントマークの形状を任意に設計することが可能である。また、工程によっては、回路パターンとアライメントマークを同時に形成することも可能であり、この場合には工程数を削減できる。孔あけ加工は、ドリル加工、レーザ加工又は金型による打ち抜き加工等が挙げられるが、アライメントマークとなる孔の形状は円形に限定される。
多層回路基板22の製造方法は、枚葉の内層基板に限定されるものでなく、テープ状のフレキシブル基板を用いたロール・ツー・ロールの連続生産方法にも適用できる。
多層回路基板22は、回路パターンが上下4層の場合であるが、上下5層、6層等のさらに高多層の回路基板にも広く適用することが可能である。
(実施例1)
The vertical width of the laminate composed of the insulating layer films 7a and 7b and the conductor layer films 8a and 8b laminated on the inner layer substrate A is not particularly limited, and both end portions of the inner layer base material A in the vertical width. The alignment marks formed on the substrate may be stacked so as not to be covered.
Arbitrary shapes of alignment marks can be used when forming circuit patterns or processing via holes. For example, circular, donut-shaped, square-shaped, well-shaped, etc., can be checked at the center or at a specific position. Any shape can be used. In particular, a circular shape and a donut shape are preferable.
As a method for forming the alignment mark, a photolithography method, a drilling method, or the like can be used. Examples of the photolithography method include formation of an alignment mark by a photoresist, and an alignment mark formation method by an additive method, a semi-additive method, and a subtractive method. In this method, the shape of the alignment mark can be arbitrarily designed. Further, depending on the process, the circuit pattern and the alignment mark can be formed at the same time, and in this case, the number of processes can be reduced. Examples of the drilling process include a drilling process, a laser process, or a punching process using a mold, but the shape of the hole serving as the alignment mark is limited to a circle.
The manufacturing method of the multilayer circuit board 22 is not limited to a single-wafer inner layer board, but can also be applied to a roll-to-roll continuous production method using a tape-like flexible board.
The multilayer circuit board 22 is a case where the circuit pattern has upper and lower four layers, but can be widely applied to higher multilayer circuit boards such as upper and lower five layers and six layers.
Example 1

次に、図5、図6及び図7を参照して、本発明による多層回路基板の製造方法の実施例について説明する。
図5(a)に示すように、テープ状の両面銅箔付ポリイミド基材(絶縁層3としてポリイミドに、導体層2a、2bの銅箔を両面に貼り付けた内層基材A)に、金型にて打ち抜き加工を施し、貫通孔であるスルーホール1を形成し、ビアホール加工及び回路パターン形成のアライメントとした。
Next, with reference to FIGS. 5, 6 and 7, an embodiment of the method for manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention will be described.
As shown in FIG. 5 (a), a tape-like polyimide base material with double-sided copper foil (inner layer base material A in which copper foils of conductor layers 2a and 2b are attached to both sides of polyimide as the insulating layer 3) By punching with a mold, a through hole 1 as a through hole was formed, and alignment of via hole processing and circuit pattern formation was performed.

スルーホールアライメント1を基準として位置合わせを行い、銅箔からポリイミドと下側の銅箔の境界までレーザ照射を施し、ビアホール4を形成した。その後、メッキを行い、ビアホール内をメッキで充填するフィルドビアとし、導体層2aと2bの電気的な接続を行った。内層基材Aの表面に回路パターン形成用のポジ型レジストを塗布し、スルーホールアライメント1とフォトマスクのアライメントの位置合わせを行った。その後、一括現像により感光性樹脂の露光された部分を除去し、エッチング液によりエッチングレジストが除去され、露出した銅箔に化学的なエッチングを施し、不要となるエッチングレジストを剥離し、図5(b)に示すように導体層2a、2bに回路パターンを形成した。これと同時に、積層体Ba及びBbのビアホール加工に使用するアライメントマーク6a、6bを作製し、さらに、後の積層体にビアホール加工での位置合わせとして使用するアライメントを形成する領域5a、5bは銅箔をエッチングし、絶縁層3を露出させた状態にした。   Alignment was performed using the through-hole alignment 1 as a reference, and laser irradiation was performed from the copper foil to the boundary between the polyimide and the lower copper foil to form a via hole 4. Thereafter, plating was performed to form a filled via that fills the via hole with plating, and the conductor layers 2a and 2b were electrically connected. A positive resist for forming a circuit pattern was applied to the surface of the inner layer base material A, and alignment of the through hole alignment 1 and the alignment of the photomask was performed. Thereafter, the exposed portion of the photosensitive resin is removed by batch development, the etching resist is removed by the etching solution, the exposed copper foil is chemically etched, and the unnecessary etching resist is peeled off. As shown in b), circuit patterns were formed on the conductor layers 2a and 2b. At the same time, the alignment marks 6a and 6b used for via hole processing of the stacked bodies Ba and Bb are manufactured, and the regions 5a and 5b for forming alignment used for alignment in via hole processing on the subsequent stacked body are copper. The foil was etched so that the insulating layer 3 was exposed.

内層基材Aの回路パターン形成後、それぞれ積層体であるテープ状の片面銅箔付ポリイミド基材Ba及びBbをラミネートにて積層を行った。その際、内層基材Aの両面に作製したアライメントマーク6a、6bが被覆しないようにした。次に、アライメントマーク6a、6bを基準として位置合わせを行い、積層体Ba、Bbの銅箔からポリイミドと内層基材の銅箔の境界までレーザ照射を施し、図5(c)に示すようにビアホール9a、9bを形成した。同時に、積層体Ba及びBbにレジスト回路パターンを形成するために使用するビアアライメント10a、10bを形成した。   After forming the circuit pattern of the inner layer base material A, tape-shaped polyimide base materials Ba and Bb with a single-sided copper foil, each of which was a laminate, were laminated by lamination. At that time, the alignment marks 6a and 6b prepared on both surfaces of the inner layer base material A were not covered. Next, alignment is performed with reference to the alignment marks 6a and 6b, and laser irradiation is performed from the copper foil of the laminated bodies Ba and Bb to the boundary between the polyimide and the copper foil of the inner layer base material, as shown in FIG. Via holes 9a and 9b were formed. At the same time, via alignments 10a and 10b used to form resist circuit patterns on the stacked bodies Ba and Bb were formed.

図5(d)に示すように、メッキを行い、ビアホール9a、9bはビアホール内をメッキで充填するフィルドビアとし、内層基材Aとの電気的な接続を行った。そして、積層体Ba、Bbの表面に回路パターン形成用のポジ型レジストを塗布し、ビアアライメント10a、10bとフォトマスクのアライメントの位置合わせを行った。その後、一括現像により感光性樹脂の露光された部分を除去し、エッチング液によりエッチングレジストが除去され、露出した銅箔に化学的なエッチングを施し、不要となるエッチングレジストを剥離し、図5(e)に示すように導体層8a、8bに回路パターンを形成した。これと同時に、積層体Ca、Cbのビアホール加工に使用するアライメントマーク11a、11bを作製し、さらに、後の積層体にビアホール加工での位置合わせとして使用するアライメントを形成する領域5a、5bは銅箔をエッチングし、絶縁層3を露出させた状態にした。   As shown in FIG. 5D, plating was performed, and the via holes 9a and 9b were filled vias that fill the via holes with plating, and were electrically connected to the inner layer base material A. And the positive resist for circuit pattern formation was apply | coated to the surface of laminated body Ba and Bb, and alignment of via alignment 10a, 10b and alignment of a photomask was performed. Thereafter, the exposed portion of the photosensitive resin is removed by batch development, the etching resist is removed with an etching solution, the exposed copper foil is chemically etched, and the unnecessary etching resist is peeled off. As shown in e), circuit patterns were formed on the conductor layers 8a and 8b. At the same time, the alignment marks 11a and 11b used for the via hole processing of the stacked bodies Ca and Cb are manufactured, and the regions 5a and 5b for forming the alignment used for alignment in the via hole processing on the subsequent stacked body are made of copper. The foil was etched so that the insulating layer 3 was exposed.

積層体Ba、Bbの回路パターン形成後、それぞれ積層体であるテープ状の片面銅箔付ポリイミド基材Ca及びCbをラミネートにて積層を行った。その際、内層基材Aの両面に作製したアライメントマーク11a、11bが被覆しないように、かつ、積層体Ba、Bbと同じ幅の片面銅箔付ポリイミド基材を使用した。次に、アライメントマーク11a、11bを基準として位置合わせを行い、積層体Ca、Cbの銅箔からポリイミドと積層体Ba、Bbの銅箔の境界までレーザ照射を施し、図6(f)に示すように、ビアホール14a、14bを形成した。同時に、積層体Ca、Cbにレジスト回路パターンを形成するために使用するビアアライメント15a、15bを形成した。
メッキを行い、ビアホール14a、14bはビアホール内をメッキで充填するフィルドビアとし、積層体Ba及びBbとの導通をとる。積層体Ca及びCbの表面に回路パターン形成用のポジ型レジストを塗布し、積層体Ca、Cbのそれぞれにおいて、ビアアライメント15a、15bとフォトマスクのアライメントの位置合わせを行った。その後、一括現像により感光性樹脂の露光された部分を除去し、エッチング液によりエッチングレジストが除去され、露出した銅箔に化学的なエッチングを施し、不要となるエッチングレジストを剥離し、図6(g)に示すように導体層13a、13bに回路パターンを形成した。これと同時に、積層体Da、Dbのビアホール加工に使用するアライメントマーク16a、16bを作製した。
After the circuit patterns of the laminated bodies Ba and Bb were formed, lamination was performed by laminating tape-like single-sided copper foil-attached base materials Ca and Cb, which are laminated bodies. At that time, a single-sided copper foil-attached polyimide base material having the same width as the laminated bodies Ba and Bb was used so that the alignment marks 11a and 11b produced on both surfaces of the inner layer base material A were not covered. Next, alignment is performed with reference to the alignment marks 11a and 11b, and laser irradiation is performed from the copper foil of the laminated bodies Ca and Cb to the boundary between the polyimide and the copper foil of the laminated bodies Ba and Bb, as shown in FIG. Thus, the via holes 14a and 14b were formed. At the same time, via alignments 15a and 15b used for forming a resist circuit pattern on the stacked bodies Ca and Cb were formed.
Plating is performed, and the via holes 14a and 14b are filled vias that fill the via holes with plating, and are electrically connected to the stacked bodies Ba and Bb. A positive resist for forming a circuit pattern was applied to the surfaces of the stacked bodies Ca and Cb, and alignment of the via alignments 15a and 15b and the photomask was aligned in each of the stacked bodies Ca and Cb. Thereafter, the exposed portion of the photosensitive resin is removed by batch development, the etching resist is removed with an etching solution, the exposed copper foil is chemically etched, and the unnecessary etching resist is peeled off. As shown in g), circuit patterns were formed on the conductor layers 13a and 13b. At the same time, alignment marks 16a and 16b used for via hole processing of the stacked bodies Da and Db were produced.

積層体Ca、Cbの回路パターン形成後、それぞれ積層体であるテープ状の片面銅箔付ポリイミド基材Da、Dbをラミネートにて、積層を行った。その際、内層基材Aの両面に作製したアライメントマーク16a、16bが被覆しないように、かつ、積層体Ca、Cbと同じ幅の片面銅箔付ポリイミド基材を使用した。次に、アライメントマーク16a、16bを基準として位置合わせを行い、積層体Da、Dbの銅箔からポリイミドと積層体Ca、Cbの銅箔の境界までレーザ照射を施し、図6(h)に示すように、ビアホール19a及び19bを形成した。同時に、積層体Da、Dbにレジスト回路パターンを形成するために使用するビアアライメント20a、20bを形成した。
メッキを行い、ビアホール19a、19bはビアホール内をメッキで充填するフィルドビアとし、積層体Ba、Bbとの導通をとる。積層体Da、Dbの表面に回路パターン形成用のポジ型レジストを塗布し、積層体Da、Dbのそれぞれにおいて、ビアアライメント20a、20bとフォトマスクのアライメントの位置合わせを行った。その後、一括現像により感光性樹脂の露光された部分を除去し、エッチング液によりエッチングレジストが除去され、露出した銅箔に化学的なエッチングを施し、不要となるエッチングレジストを剥離し、図7(i)に示すように導体層18a、18bに回路パターンを形成した。
After the circuit patterns of the laminated bodies Ca and Cb were formed, lamination was performed by laminating tape-shaped single-sided copper foils Da and Db with a copper foil, which are laminated bodies, respectively. At that time, a single-sided copper foil-attached polyimide base material having the same width as the laminates Ca and Cb was used so that the alignment marks 16a and 16b produced on both surfaces of the inner layer base material A were not covered. Next, alignment is performed with reference to the alignment marks 16a and 16b, and laser irradiation is performed from the copper foil of the laminated bodies Da and Db to the boundary between the polyimide and the copper foil of the laminated bodies Ca and Cb, as shown in FIG. 6 (h). Thus, the via holes 19a and 19b were formed. At the same time, via alignments 20a and 20b used for forming a resist circuit pattern on the stacked bodies Da and Db were formed.
Plating is performed, and the via holes 19a and 19b are filled vias that fill the via holes with plating, and are electrically connected to the stacked bodies Ba and Bb. A positive resist for forming a circuit pattern was applied to the surfaces of the stacked bodies Da and Db, and alignment of the via alignments 20a and 20b and the photomask was performed in each of the stacked bodies Da and Db. Thereafter, the exposed portion of the photosensitive resin is removed by batch development, the etching resist is removed with an etching solution, the exposed copper foil is chemically etched, and the unnecessary etching resist is peeled off. As shown in i), circuit patterns were formed on the conductor layers 18a and 18b.

図7(j)に示すように、最外層Daは半導体チップとの接続、最外層Dbはプリント配線板との接続されるため、最外層Da、Dbの回路パターン上に開口パッドが形成されるようにソルダーレジストパターン21a、21bを形成した。以上より、積層方向に上下に4層ずつ、合計8層の配線構造を有する長尺回路基板が完成した。この値に所定の位置で個片化すると、多層回路を有する半導体パッケージ22が得られた。   As shown in FIG. 7 (j), since the outermost layer Da is connected to the semiconductor chip and the outermost layer Db is connected to the printed wiring board, opening pads are formed on the circuit patterns of the outermost layers Da and Db. Thus, solder resist patterns 21a and 21b were formed. From the above, a long circuit board having a total of eight wiring structures, four layers vertically in the stacking direction, was completed. When this value was separated into pieces at a predetermined position, a semiconductor package 22 having a multilayer circuit was obtained.

以上説明したように、本発明の請求項1及び請求項6に記載された発明は、ビルドアップによる多層回路基板製造方法として、多層プリント配線板や半導体パッケージのような少なくとも絶縁層の表裏に配線パターンを有する2層以上の多層回路を有する長尺回路基板を製造する場合にも適用可能である。   As described above, the invention described in claims 1 and 6 of the present invention is a method of manufacturing a multilayer circuit board by buildup, and wiring is performed on at least the front and back of an insulating layer such as a multilayer printed wiring board or a semiconductor package. The present invention is also applicable when manufacturing a long circuit board having a multilayer circuit having two or more layers having a pattern.

1a、1b……貫通孔(スルーホールアライメント)、
2a、2b……導体層もしくは導体配線回路(内層基材上)、
3、7a、7b、12a、12b、17a、17b……絶縁層、
4、9a、9b、14a、14b、19a、19b……ビアホール、
5a、5b……絶縁層が露出される領域、
6a、6b……アライメントマーク(第1の積層体上のビアホール加工用アライメントマーク)、
8a、8b……導体層もしくは導体配線回路(第1の積層体上)、
10a、10b……ビアホール(第1の積層体上の回路パターン形成用アライメントマーク)、
11a、11b……アライメントマーク(第2の積層体上のビアホール加工用アライメントマーク)、
13a、13b……導体層もしくは導体配線回路(第2の積層体上)、
15a、15b……ビアホール(第2の積層体上の回路パターン形成用アライメントマーク)、
16a、16b……アライメントマーク(第3の積層体上のビアホール加工用アライメントマーク)、
18a、18b……導体層もしくは導体配線回路(第3の積層体上)、
20a、20b……ビアホール(第3の積層体上の回路パターン形成用アライメントマーク)、
21a、21b……ソルダーレジスト、
22……多層回路基板、
A……内層基板、
Ba、Bb……第1の積層体、
Ca、Cb……第2の積層体、
Da、Db……第3の積層体。
1a, 1b ... through hole (through hole alignment),
2a, 2b: Conductor layer or conductor wiring circuit (on inner layer substrate),
3, 7a, 7b, 12a, 12b, 17a, 17b ... insulating layer,
4, 9a, 9b, 14a, 14b, 19a, 19b ... via holes,
5a, 5b ... regions where the insulating layer is exposed,
6a, 6b ... alignment mark (alignment mark for via hole processing on the first laminate),
8a, 8b: Conductor layer or conductor wiring circuit (on the first laminate),
10a, 10b... Via holes (circuit pattern forming alignment marks on the first laminate),
11a, 11b ... alignment mark (alignment mark for via hole processing on the second laminate),
13a, 13b ... conductor layer or conductor wiring circuit (on the second laminate),
15a, 15b ...... via hole (alignment mark for forming a circuit pattern on the second laminate),
16a, 16b ... alignment mark (alignment mark for via hole processing on the third laminate),
18a, 18b ... conductor layer or conductor wiring circuit (on the third laminate),
20a, 20b: via holes (alignment marks for circuit pattern formation on the third laminate),
21a, 21b ... Solder resist,
22 …… Multilayer circuit board
A ... Inner layer substrate,
Ba, Bb ... the first laminate,
Ca, Cb ... the second laminate,
Da, Db: Third laminated body.

Claims (3)

絶縁層の両面に導体を有する内層材において、フィルドビアにより導体間を電気的に接続し、前記導体から導体配線回路を形成した内層基板上に、絶縁層及び導体層を含む積層体を内層基板の片面、もしくは両面に積層した後、前記積層体にビアホール及び導体配線回路を形成してなる多層回路基板の製造方法であって、次の工程を含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
A.前記内層材の導体配線回路形成と同時に前記積層体と前記内層基板を電気的に接続するためのビアホール形成用のアライメントマークを少なくとも1つ形成する工程。
B.前記導体配線回路上に前記積層体を積層する際、前記アライメントマークが露出するよう積層体を積層する工程。
C.前記内層材に形成された前記アライメントマークの少なくとも1つをアライメントとして使用し、前記積層体にビアホールを形成する工程。
D.前記積層体に形成されたビアホールの少なくとも1つをアライメントとして使用し、導体配線回路を形成し、さらに導体配線回路形成と同時に、その導体配線回路上にさらに積層される積層体と電気的に接続するためのビアホール形成用のアライメントマークを内層基板上に少なくとも1つ形成する工程。
E.前記B〜Dの工程を必要な配線の層数となるまで繰り返す工程。
In the inner layer material having conductors on both sides of the insulating layer, conductors are electrically connected by filled vias, and a laminate including the insulating layer and the conductor layer is formed on the inner layer substrate on which the conductor wiring circuit is formed from the conductor. A method for producing a multilayer circuit board, comprising: laminating on one side or both sides and then forming via holes and conductor wiring circuits in the laminate, comprising the following steps.
A. Forming at least one alignment mark for forming a via hole for electrically connecting the laminate and the inner layer substrate simultaneously with the formation of the conductor wiring circuit of the inner layer material;
B. A step of laminating the laminate so that the alignment mark is exposed when the laminate is laminated on the conductor wiring circuit;
C. Using at least one of the alignment marks formed in the inner layer material as alignment, and forming a via hole in the stacked body.
D. At least one of the via holes formed in the laminate is used as an alignment to form a conductor wiring circuit, and at the same time as the conductor wiring circuit is formed, it is electrically connected to the laminate further laminated on the conductor wiring circuit. Forming at least one alignment mark for forming a via hole on the inner layer substrate.
E. A step of repeating the steps B to D until the required number of wiring layers is obtained.
前記内層基板の導体配線回路の形成時において、内層基板に積層される積層体を第1の積層体としたとき、第1の積層体上に積層される第2の積層体から最外層の積層体のビアホール形成用のアライメントマークが配置される領域の導体層を予め除去し、絶縁層を露出し、さらに第N(N=自然数とする)の積層体の導体配線回路の形成時において、第N+2の積層体から最外層の積層体のビアホール形成用のアライメントマークが配置される領域の導体層を予め除去し、絶縁層を露出することを特徴とする請求項1記載の多層回路基板の製造方法。   When forming the conductor wiring circuit of the inner layer substrate, when the laminated body laminated on the inner layer substrate is the first laminated body, the outermost layer is laminated from the second laminated body laminated on the first laminated body. In the formation of the conductor wiring circuit of the Nth (N = natural number) laminate, the conductor layer in the region where the alignment mark for forming the via hole in the body is disposed is removed in advance, the insulating layer is exposed, 2. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein a conductor layer in a region where an alignment mark for via hole formation of the outermost layer stack is disposed is removed in advance from the N + 2 layered body to expose the insulating layer. Method. 前記内層基板、前記積層体がテープ状の長尺基板により供給されるリール・ツー・リール方式によって、内層基板上に逐次積層体を貼り合わせることを特徴する請求項1記載の多層回路基板の製造方法。   2. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the inner layer substrate and the laminated body are sequentially bonded to the inner layer substrate by a reel-to-reel method in which the laminated body is supplied by a tape-like long substrate. Method.
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