JP2010217484A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 クロストークを防止する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（７）上に第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子と、データ電位が供給される第１データ線（６ａ）及び第１電極間に設けられ、第１期間でオン状態、第２期間でオフ状態となる第１スイッチング素子と、データ電位が供給される第２データ線（６ｂ）及び第２電極間に設けられ、第１期間でオフ状態、第２期間でオン状態となる第２スイッチング素子と、を備える。そして、基板を平面視すると、第２電極は、その少なくとも一部が第１及び第２データ線と重なるように形成され、第１電極は、その両側辺がそれぞれ第１及び第２データ線それぞれの幅の内に収まるように、形成される。
【選択図】図４

Description

本発明は、液晶等を含む電気光学装置及び電子機器に関する。

従来、電気光学物質として液晶等を含む電気光学装置が提供されている。この電気光学装置では、液晶等に、画像データに応じた電位差を与えることで、その光透過率等の電気光学特性の変更が可能である。これを、当該液晶等を含む電気光学素子の複数の各々に個別的に適用すれば、画像の表示が可能となる。なお、前記電位差の液晶等への付与にあたっては、例えば、適当な形状、配置をもつ電極が利用される。

この電位差の液晶等への付与の仕方には様々な方法が提案されている。その中には、液晶等へ、一定の期間ごとに前とは逆極性の電位差を与える方法がある。これを実現するためには、例えば、２つの電極を用意するとともに、その双方の電極の各々に電気的に接続される２本のデータ線（それぞれ、前記画像データを供給する）を用意し、かつ、これら２組のデータ線及び電極間の導通・非導通を司る２つのスイッチング素子を設ける構成が知られている。これによると、ある期間において、一方のデータ線から一方の電極に対して画像データを供給するときは、他方の電極を接地電位等の基準電位に維持し、また、別の期間において、他方のデータ線から他方の電極に対して画像データを供給するときは、一方の電極を前記基準電位に維持する、等といった動作が行われる。これにより、液晶等へは交互に逆極性の電位差が与えられることになる。
このような電気光学装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。

特開２００８−０６５３０８号公報

ところで、上述したような電気光学装置においては、いわゆるクロストークの問題がある。
すなわち、上述の電気光学装置においては、液晶素子等の電気光学素子をマトリクス状に配列することが行われているが、その場合、前記画像データの供給は、その配列中のある特定の電気光学素子（例えば、ある特定の行に位置する電気光学素子）ごとに行われるのが一般的である。この場合、供給されてきた画像データに（いわば）反応すべきは、当該特定の電気光学素子だけであることが当然想定されている。
しかしながら、この際、当該特定の電気光学素子以外の電気光学素子が、当該画像データに反応してしまうことがある。これは、前記データ線が通常、マトリクス状配列の各行を貫くように延在していること、また、そのデータ線と当該電気光学素子との間に意図に沿わない寄生容量が形成されること、等を主要因とする。これが、クロストークである。

このような現象は、当然、画質に影響を与える。
特に、上述したような構成、即ち、それぞれ２つずつの、電極、データ線及びスイッチング素子を備える電気光学装置においては、各データ線が時宜に応じていわば交互に利用されるようなかたちとなること（ここで「利用」とは、現に画像データ供給用の配線として機能することを意味する）、また、各データ線と各電極との配置関係の設定如何、等々の要因が、前記主要因に重畳すること等によって、問題をより複雑にするおそれがある。

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる態様の電気光学装置、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、電気光学装置、あるいは電子機器を提供することをも課題とする。

本発明に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、基板と、前記基板上に形成される第１電極、及び、当該第１電極の上に且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、前記第１及び第２電極それぞれの一方の側辺に沿うように、且つ当該第１及び第２電極とは異なる層として形成され、第１期間において、表示すべき階調に応じたデータ電位が供給される第１データ線と、前記第１及び第２電極それぞれの他方の側辺に沿うように、且つ前記第１及び第２電極とは異なる層として形成され、第２期間において、前記データ電位が供給される第２データ線と、前記第１電極及び前記第１データ線間を電気的に接続する第１スイッチング素子と、前記第２電極及び前記第２データ線間を電気的に接続する第２スイッチング素子と、を備え、前記基板を平面視して、前記第２電極は、その少なくとも一部が、前記第１及び第２データ線と重なるように形成され、前記第１電極は、その両側辺がそれぞれ、前記第１及び第２データ線それぞれの幅の内に収まるように、形成される。

本発明によれば、第１及び第２電極並びに電気光学物質から、電気光学素子が構成される。電気光学物質が液晶ならば、この電気光学素子は液晶素子である。また、本発明においては、第１期間においては、第１電極がデータ電位、第２電極が例えば基準電位となり、第２期間においては、その逆に、第１電極が例えば基準電位、第２電極がデータ電位となることが可能である。これを連続させれば、液晶等の電気光学物質に、交互に逆極性の電位差が与えられる。このような構成によると、まず、スイッチング素子が２つ備えられていることから、その制御信号のＯＮ・ＯＦＦ間の遷移に応じたフィードスルー（電気光学素子に印加される電圧の変化）の影響が第１及び第２電極に関してちょうど相殺されるかのようになることによるフリッカ低減効果、あるいは、電気光学素子に印加すべき電位差は原理的には１種だけ準備すればよいことによる消費電力低減効果等々の各種効果が享受される。
そして、本発明では特に、第１及び第２電極と、第１及び第２データ線との配置関係が、上述のように規定されていることにより、以下の作用効果が奏される。すなわち、まず、第１電極は、その両側辺がそれぞれ、第１及び第２データ線の幅の内に収まるように形成されているので、少なくともその幅の全部を第１電極が覆ってしまっている場合に比べれば、当該第１電極と第１及び第２データ線との間に生じる寄生容量の容量値は小さくなる可能性がある。他方、これと同時に、第１及び第２データ線に第２電極の少なくとも一部が重なるように存在するから、これら第１及び第２データ線における第１電極によっては覆われない部分、つまり、前記幅のいわば余剰部分は第２電極と対向することになる。したがって、この第２電極と第１及び第２データ線との間に生じる寄生容量の容量値は大きくなる可能性がある。
このような両容量値の傾向に鑑みると、本発明に係る構成によれば、第１電極の側辺が前記幅の内に収まる程度を適当に調整することにより、当該両容量値の一致を図ることが可能になる。そして、これによれば、第１及び第２スイッチング素子がオフ状態にある場合において、第１又は第２データ線の電位の変動により、前記第１電極が受ける電位変動の影響、及び、前記第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を等しくすることが可能になる。
よって、本発明によれば、第１及び第２電極が意図しない挙動を示すことが未然に防止され、前述したようなクロストークに係る問題を有効に解決することができる。

なお、本発明にいう「電気光学素子」の具体的な構造や材料は基本的に自由に定められ得るが、例えば、既に言及した液晶素子のほか、場合によっては有機ＥＬ材料や無機ＥＬ材料からなる発光層を電極間に介在させた素子が本発明の「電気光学素子」として採用され得る。

この発明の電気光学装置では、前記基板を平面視して、前記第２電極は、その一方の側辺が、前記第１データ線の側辺と一致するように、かつ、その他方の側辺が、前記第２データ線の側辺と一致するように、形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、上述した本発明に係る作用効果をより確実に享受可能である。なお、この態様に関しては、後述する実施形態中、図１３及び図１４に関する説明の部分も参照されたい。

また、本発明の電気光学装置では、前記第１及び第２電極並びに前記第１及び第２スイッチング素子の一組は、前記基板の面上でマトリクス状配列に従って配列され、かつ、前記マトリクス状配列の各行方向に沿って延びるように形成され、当該各行に対応する前記第１及び第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を当該第１及び第２スイッチング素子に供給する複数の走査線と、一端が、前記組の全部のうちのある１つの組に含まれる前記第１又は第２電極に電気的に接続され、他端が、前記マトリクス状配列中、当該ある１つの組が属する行の隣の行に対応する前記走査線に電気的に接続される配線と、前記配線上に設けられる保持容量とを更に備え、前記第１電極は、その両側辺がそれぞれ、前記幅の内に収まるように形成されるのに代えて又は加えて、前記配線と前記第１又は第２データ線間に生じる寄生容量の容量値の値に応じて、その形成態様が定められる、ように構成してもよい。

この態様によれば、まず、保持容量が備えられているので、電気光学素子への電圧印加がより安定的に行われ得る。しかも、本態様では、この保持容量を設けるために特別に固定電位線等を設けるのではなく、前記「隣の行に対応する」走査線を、その固定電位線の代用として用いるようになっているので、回路要素の削減、回路規模の縮小化等が実現される。
そして、本態様では特に、第１電極の形成態様が、配線及び第１又は第２データ線間の容量値に応じて定められるようになっている。この場合、前記配線が第１又は第２電極に電気的に接続されることに注意すると、例えば、第１データ線の電位変動によって、第１電極は、当該第１データ線との間にいわば直接的に生じる寄生容量を介してのみならず、当該第１データ線と配線との間に生じる寄生容量及び当該配線を介しても、電位変動をこうむるおそれにさらされる。
このような背景があることを前提に、第１電極の形成態様が、配線と第１又は第２データ線との間の寄生容量の容量値に応じて定められるならば、当該形成態様は結局、前述と同様、第１又は第２データ線の電位の変動により、第１電極、及び、第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を等しくするように定められ得ることになる。
したがって、本態様によっても、前述した本発明に係る作用効果（クロストーク問題の解決）は変わらずに享受可能である。

また、本発明の電気光学装置では、前記第１及び第２電極並びに前記第１及び第２スイッチング素子の一組は、前記基板の面上でマトリクス状配列に従って配列され、かつ、前記マトリクス状配列の各行方向に沿って延びるように形成され、当該各行に対応する前記第１及び第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を当該第１及び第２スイッチング素子に供給する複数の走査線と、一端が、前記組の全部のうちのある１つの組に含まれる前記第１電極に電気的に接続され、他端が、前記マトリクス状配列中、当該ある１つの組が属する行の隣の行に対応する前記走査線に電気的に接続される第１の配線と、一端が前記ある１つの組に含まれる前記第２電極に電気的に接続され、他端が、前記ある１つの組が属する行の隣の行に対応する前記走査線に電気的に接続される第２の配線と、前記第１及び第２の配線上に設けられる第１及び第２保持容量とを更に備え、前記基板を平面視して、前記第１電極は、当該第１電極と前記第１データ線との間の距離が、当該第１電極と前記第２データ線との間の距離に比べて大きくなるように、形成される、ように構成してもよい。

この態様によれば、まず、保持容量が備えられている点に関して、直前に述べた態様と同様の作用効果が奏される（本態様では、「保持容量」に、第１保持容量・第２保持容量の区別はあるが、当該作用効果に関して本質的な相違はもたらされない。）。
そして、本態様では特に、第１電極と、第１及び第２データ線との配置関係が、上述のように規定されていることにより、以下の作用効果が奏される。すなわち、まず、本態様においては、仮に第１データ線に着目するならば、（ｉ）第１データ線及び第１電極間、（ｉｉ）第１データ線及び配線間、（ｉｉｉ）第１データ線及び第２電極間、という３パターンについてそれぞれ寄生容量が形成されることになる。このうち（ｉｉ）第１データ線及び配線間、の場合は、当該配線が、第１又は第２電極に電気的に接続される第１又は第２の配線を含んでいるので、その（ｉｉ）に係る寄生容量を通じた電位変動の影響は、（ｉｉ）’第１電極、（ｉｉ）’’第２電極、のいずれかに出ることになる。ただ、第１データ線及び配線間の物理的距離等については、これらについての具体的な設計仕様がいったん定まれば不変であると考えられるから、（ｉｉ）に係る寄生容量の容量値は通常不変であり、したがってまた、（ｉｉ）’第１電極、（ｉｉ）’’第２電極に生じる電位変動の影響は通常ほぼ同じになる。同じことは、（ｉｉｉ）の場合についてもいえる。
このような前提の下、前述のように、第１データ線の電位の変動により、第１電極及び第２電極が受ける電位変動の影響の双方を等しくすることを考えるなら、第１電極に接続される第１の配線の場合には、（ｉ）及び（ｉｉ）全体に係る寄生容量の容量値と、（ｉｉｉ）に係る寄生容量の容量値とを一致させることが好ましい（以下、簡単のため、（ｉ）＋（ｉｉ）＝（ｉｉｉ）と表現することがある。）。同様に、第２電極に接続される第２の配線の場合には、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）全体に係る寄生容量の容量値と、（ｉ）に係る寄生容量の容量値とを一致させることが好ましい（以下、簡単のため、（ｉｉ）＋（ｉｉｉ）＝（ｉ）と表現することがある。）。
これら２つの場合を同時に実現するためには、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）に係る寄生容量の容量値が不変であるという前述の事情を前提とすれば、（ｉ）に係る寄生容量の容量値を、双方の場合に関して適宜に変更する以外にない。
ここで、本態様にいう、（第１電極及び第１データ線間の距離）＞（第１電極及び第２データ線間の距離）を併せ考えると、一般に、この式の左項に係る寄生容量（即ち、第１電極及び第１データ線間の寄生容量）の容量値はより小さく、右項に係る寄生容量（即ち、第１電極及び第２データ線間の寄生容量）の容量値はより大きいということになる。したがって、前者を、前記の（ｉ）＋（ｉｉ）＝（ｉｉｉ）を実現するために、後者を、前記の（ｉｉ）＋（ｉｉｉ）＝（ｉ）を実現するために、それぞれ適用すれば、これら２つの場合を同時に満足することが可能になる。
このようにして結局、本態様によっても、前述した本発明に係る作用効果（クロストーク問題の解決）は変わらずに享受可能である。

前述の「配線」を含む態様では、前記配線は、前記第１及び第２データ線の延在方向に沿うように延在する部分をもち、かつ、前記第１及び第２データ線と重ならないように形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１及び第２の配線を含む配線が、第１及び第２データ線と重ならないように形成されるので、これら両者間に生じる寄生容量の容量値を小さく抑制することが可能となる。クロストーク問題の解消に当たって、寄生容量の容量値（そのいわば絶対値）は小さければ小さいほど好ましいことはいうまでもないから、本態様によれば、前述した本発明に係る効果をより実効的に享受可能である。

一方、本発明の他の観点に係る電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板と、前記基板上に形成される第１電極と、当該第１電極の上に且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、第１データ線と、第２データ線と、前記第１電極と前記第１データ線との間を電気的に接続する第１スイッチング素子と、前記第２電極と前記第２データ線との間を電気的に接続する第２スイッチング素子と、を備え、前記第２電極は、積層方向において前記第１データ線と前記第２電極の間に前記第１電極が介在する部位と、積層方向において前記第１電極を介在せず前記第１データ線と対向する部位と、積層方向において前記第２データ線と前記第２電極の間に前記第１電極が介在する部位と、積層方向において前記第１電極を介在せず前記第２データ線と対向する部位と、を有する。

本発明によれば、前記第２電極と、それ以外の各要素との位置関係が好適に規定されていることから、上述した本発明に係る作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏される。

また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の電気光学装置を備えてなるので、クロストークの影響を回避した、高品質な画像を表示することが可能である。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。 図１の電気光学装置を構成する画素回路の詳細を示す回路図である。 図１の電気光学装置の一例としてのＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置の一部の構造を拡大して示す概略的な平面図である。 図３のＸ−Ｘ’断面図である。 図４に示す距離Ｄｓの変化に応じた、図４に示す寄生容量（Ｃ１１，Ｃ２１）の容量値（γ１，γ３）の変化の様子を表すグラフである。 図４に示す距離Ｄｓの変化に応じた、液晶の透過率の変化の様子を表すグラフである。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置を構成する画素回路の詳細を示す回路図である。 図４と同趣旨の図であって、図７に示す第１及び第２配線（３ａ，３ｂ）の実際上の配置の様子を示す概略的な断面図である。 図８に示す第１配線（３ａ）の位置（ＰｏｓｉｔｉｏｎＦ，Ｇ，Ｈ，Ｉ）の変化に応じた、図８に示す寄生容量（Ｃ３１）の容量値（γ５）の変化の様子を表すグラフである。 図８に示す第１配線（３ａ）の位置（ＰｏｓｉｔｉｏｎＦ，Ｇ，Ｈ，Ｉ）に応じた、液晶の透過率の変化の様子を表すグラフである。 図８に示す距離Ｄｓの変化に応じた、図８に示す寄生容量（Ｃ１１，Ｃ２１）の容量値（γ１，γ３）の変化の様子を表すグラフである。 図８に示す距離Ｄｓの変化に応じた、液晶の透過率の変化の様子を表すグラフである。 図１４に示す第２電極（１３２）の側端位置（ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＪ，Ｋ，Ｌ，Ｍ）の変化に応じた、図１４に示す寄生容量（Ｃ１１，Ｃ２１）の容量値（γ１，γ３）の変化の様子を表すグラフである。 図４と同趣旨の図であって、図１３に示す「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＪ」乃至「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＭ」を説明するための概略的な断面図である。 本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器を示す斜視図である。 本発明に係る電気光学装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。 本発明に係る電気光学装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。

＜第１実施形態＞
以下では、本発明に係る第１の実施の形態について図１乃至図４を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１乃至図４に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置は、電気光学材料として液晶を用いる。電気光学装置１は、主要部として液晶パネルＡＡ（電気光学パネルの一例）を備える。液晶パネルＡＡは、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor;「ＴＦＴ」）を形成した素子基板と対向基板とを互いに対向させ、かつ一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶を挟持している。

図１は第１実施形態に係る電気光学装置１の全体構成を示すブロック図である。この電気光学装置１は、液晶パネルＡＡ、制御回路３００、及び画像処理回路４００を備える。この液晶パネルＡＡは透過型であるが、半透過型であってもよいしあるいは反射型であってもよい。
液晶パネルＡＡは、その素子基板上に画像表示領域Ａ、走査線駆動回路１００、及びデータ線駆動回路２００を備える。制御回路３００は、Ｘ転送開始パルスＤＸ及びＸクロック信号ＸＣＫを生成してデータ線駆動回路２００に供給するとともに、Ｙ転送開始パルスＤＹ及びＹクロック信号ＹＣＫを生成して走査線駆動回路１００に供給する。
画像表示領域Ａには、複数の画素回路Ｐ１がマトリクス状に形成されており、画素回路Ｐ１ごとに透過率を制御することができる。バックライト（図示略）からの光は、画素回路Ｐ１を介して射出される。これによって、光変調による階調表示が可能となる。また、画像処理回路４００は入力画像データＤｉｎに画像処理を施して出力画像データＤｏｕｔを生成し、これをデータ線駆動回路２００に出力する。

次に、画像表示領域Ａについて説明する。画像表示領域Ａには、ｍ（ｍは２以上の自然数）本の走査線３が、Ｘ方向に沿って平行に配列して形成される一方、ｎ（ｎは２以上の自然数）組の第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂが、Ｙ方向に沿って平行に配列して形成されている。くわえて、基準電位ＧＮＤを供給する電位線（図１において不図示。ただし、図２の符号３０参照）がＸ方向に沿って平行に配列して形成される。そして、走査線３と第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂとの交差に対応して、ｍ（行）×ｎ（列）個の画素回路Ｐ１が配置される。

ｎ本の第１データ線６ａには第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａが各々供給され、ｎ本の第２データ線６ｂには第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂが各々供給される。また、各走査線３には、走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍが、パルス的に線順次で印加される。ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍの自然数）行、ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎの自然数）列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、ｉ行の走査線３の走査信号Ｙｉがアクティブになると、第１データ線６ａを介して供給される第１電位Ｘｊａ及び第２データ線６ｂを介して供給される第２電位Ｘｊｂを取り込む。

図２にｉ行ｊ列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）の回路図を示す。なお、他の画素回路Ｐ１も同様に構成されている。この図に示すように画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、導電型がｎチャネルの第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２、第１保持容量Ｃｓｔｇ１、第２保持容量Ｃｓｔｇ２、第３保持容量Ｃｓｔｇ３、並びに電気光学素子１３等を備える。

電気光学素子１３は、第１電極１３１と第２電極１３２の間に電気光学物質を挟持して構成される。電気光学物質は、印加電圧に応じて光学特性が変化するものであればいかなるものであってもよいが、この例では、液晶ＬＣを用いる。尚、液晶は印加電圧に応じて液晶分子の配向が変化し、これに応じて光学特性が変化する。特に、偏光板等の光学部材と液晶とを組み合わせて、光学特性として光の透過率を変化させてもよい。
電気光学素子１３の第１電極１３１は第１ノードＺａに接続される一方、その第２電極１３２が第２ノードＺｂに接続される。また、第１ノードＺａと電位線３０との間には第１保持容量Ｃｓｔｇ１が設けられ、第２ノードＺｂと電位線３０との間には第２保持容量Ｃｓｔｇ２が設けられる。
さらに、電気光学素子１３と並列に第３保持容量Ｃｓｔｇ３が設けられる。
ここで、第１乃至第３保持容量Ｃｓｔｇ１、Ｃｓｔｇ２、及びＣｓｔｇ３の一部又は全部は、容量素子として形成してもよいし、あるいは、第１電極１３１と第２電極１３２との間に付随する寄生容量や第１ノードＺａ又は第２ノードＺｂと電位線３０との間に発生する寄生容量であってもよい。

第１トランジスターＳＷ１０１は、第１ノードＺａと第１データ線６ａとの間に設けられており、第２トランジスターＳＷ１０２は、第２ノードＺｂと第２データ線６ｂとの間に設けられている。
これら第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２のゲートは走査線３と接続される。走査信号Ｙｉがハイレベル（アクティブ）になると、第１トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２は共にオン状態となる。すると、第１電位Ｘｊａが電気光学素子１３の第１電極１３１に印加されるとともに第１保持容量Ｃｓｔｇ１によって保持される。また、第２電位Ｘｊｂが電気光学素子１３の第２電極１３２に印加されるとともに第２保持容量Ｃｓｔｇ２によって保持される。これによって、電気光学物質たる液晶ＬＣに電圧が印加され、透過率が制御される。

このような透過率制御を基本として、第１実施形態に係る画素回路Ｐ１は特に、以下のように動作する（図２の下方参照）。
〔ｉ〕最初の期間では、走査線駆動回路１００は、走査線３にハイレベルの走査信号Ｙｉを供給することによって、第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２をともにオン状態とする。この際、データ線駆動回路２００は、第１データ線６ａに前記第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａとしてデータ電位Ｖｄａｔａを供給するとともに、第２データ線６ｂに前記第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂとして基準電位ＧＮＤを供給する。これによって、電気光学素子１３においては、その第１電極１３１がデータ電位Ｖｄａｔａ、第２電極１３２が基準電位ＧＮＤとなり、液晶ＬＣに所定の電位差が与えられる。
〔ｉｉ〕次の期間でも、走査線駆動回路１００に起因する第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２のオン状態への遷移は同様に行われる。ただ、この場合、前記の〔ｉ〕とは逆に、データ線駆動回路２００は、第１データ線６ａに前記第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａとして基準電位ＧＮＤを供給するとともに、第２データ線６ｂに前記第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂとしてデータ電位Ｖｄａｔａを供給する。これによって、電気光学素子１３においては、その第１電極１３１が基準電位ＧＮＤ、第２電極１３２がデータ電位Ｖｄａｔａとなり、液晶ＬＣに所定の電位差が与えられる。このように、仮に、データ電位Ｖｄａｔａと基準電位ＧＮＤとの差が前記〔ｉ〕の場合と同じであったとしても、少なくともその極性は反転することになる（もちろん当該差が同じでなくても、その極性は同様に反転する。）。
〔ｉｉｉ〕以後は、以上の〔ｉ〕〔ｉｉ〕の動作が繰り返し行われる（図２の下方参照）。
なお、以上の場合において、データ電位Ｖｄａｔａは、各画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）別に応じて、それぞれ固有の具体的な値を持ちうることは言うまでもない。その具体的な値は、主に入力画像データＤｉｎの値如何による。

ブロック図（図１）ないし回路図（図２）としては以上のような構成をもつものとして説明される電気光学装置１は、実際上は、例えば図３及び図４に示すような構造をもつ。ここに図３は、電気光学装置の一例としてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置の一部の構造を拡大して示す概略的な平面図である。図４は、図３に示す液晶装置の一部を拡大して示す概略的な断面図である。

これら図３及び図４においては、平面視して略長方形状をもつ第１電極１３１及び第２電極１３２が、前述した図２に示す電気光学素子１３を構成する第１電極１３１及び第２電極１３２に該当する（以下、同様にして、対応する要素については、その名称及び符号を共用する。）。このうち第１電極１３１は、図３に示すように、その長方形状の図中左下角部を一部切り欠いたような形状をもつ。他方、第２電極１３２は、逆に、図中右下角部分を一部切り欠いたような形状をもつ。この切り欠かれた部分に該当する領域は、第１電極１３１と第１データ線６ａ、又は第２電極１３２と第２データ線６ｂとの電気的接続を実現するためのコンタクトホールを形成するための領域などに利用される。図３においては、第１トランジスターＳＷ１０１を構成する半導体層（ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を含む層）１１１と第１電極１３１とがコンタクトホールＣＨ２を介して電気的に接続されるとともに、当該半導体層１１１と第１データ線６ａとがコンタクトホールＣＨ１を介して電気的に接続されている。また、同様にして、第２トランジスターＳＷ１０２を構成する半導体層１２１と第２データ線６ｂとはコンタクトホールＣＨ４を介し、半導体層１２１と第２電極１３２とはコンタクトホールＣＨ３を介して、それぞれ電気的に接続される。

第２電極１３２はまた、図３及び図４に示すように、複数のスリット１３２ｓをもつ。第１実施形態において、スリット１３２ｓは、図３中上下方向に長い略長方形状をもち、その１本１本が互いに平行となるようにして並べられる。

これら第１電極１３１及び第２電極１３２は、図３及び図４に示すように、前者が下層、後者が上層の関係にあり、両者は平面視してその外縁部分を一致させるように重なり合う。両者間には、図４に示すように、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ等の適当な材料からなる層間絶縁膜３０３が形成され、当該両者間の電気的短絡が防止される。なお、これら第１電極１３１及び第２電極１３２と、その間に介在する層間絶縁膜３０３とによって、第３保持容量Ｃｓｔｇ３は構成される（図４及び図２参照）。
このような、第１電極１３１及び第２電極１３２の一組の重なり合いからなる構成が、前述した画素回路Ｐ１の基本を形作る。なお、第１実施形態においては特に、第１電極１３１の形成位置、あるいは第１データ線６ａ又は第２データ線６ｂとの配置関係等について特徴があるが、この点については後に改めて触れる。

この液晶装置ではまた、図４中、第１電極１３１中の更に下層に位置付けられるようにして第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂが形成される。
なお、第１データ線６ａの図３中の左側辺は、第２電極１３２の同図中左側辺に一致するように、これら両者間の配置関係は設定される。同様に、第２データ線６ｂの図３中の右側辺は、第２電極１３２の同図中右側辺に一致するように、これら両者間の配置関係は設定される。
また、第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂと、第１電極１３１との間には、図４に示すように、層間絶縁膜３０２が形成される。

以上の第１電極１３１、第１データ線６ａ等々の各要素は、図４に示すように、ガラス等からなる素子基板７を素地として形成される。
また、図４においては、この素子基板７と前記層間絶縁膜３０２との間に層間絶縁膜３０１が形成されることが描かれているが、これは、前述した走査線３、電位線３０（これらについては図３参照）、さらには第１保持容量Ｃｓｔｇ１（これについては図３及び図４において不図示）、等々の各種回路要素を形成するため、あるいは、そのような回路要素間の電気的短絡の防止、さらには当該回路要素間の好適な立体的配置関係の設定のため等に利用される（ただし、図３及び図４では、それらの回路要素及びその接続態様等の全部又は一部についての図示は省略している。）。

なお、図３及び図４では、以上のほか、第２電極１３２上の配向膜、液晶ＬＣ、あるいは各画素回路Ｐ１間の光の混色を防止するためのブラックマトリクス等々の各種要素が備えられ得るが、その図示は省略した。また、図３及び図４は単なる一例であるから、上述した層間絶縁膜３０１〜３０３以外のその他の層間絶縁膜等を設けることによって、前述した各種回路要素の配置態様とは異なる配置態様が採用されてよい。本発明は、基本的に、どのような配置態様でも、その範囲内に含む。

このような構成において、第１電極１３１と第２電極１３２との間に駆動電圧を印加すると、これらの電極の形状に応じた電界が生じる。より詳しくは、第２電極１３２の上面から出て第２電極１３２のスリット１３２ｓを通り第１電極１３１の上面に至る電気力線を有する電界が発生する。このとき、第２電極１３２の上方（即ち、液晶ＬＣが配置されている領域）における電界は、素子基板７に平行な成分を有する横電界となる。液晶分子は、この横電界によって駆動され、素子基板７に平行な面内で配向方向を変える。ＦＦＳモードの液晶装置によれば、上記のように液晶分子が常に素子基板７に対して平行な状態で駆動されることに起因して、広い視野角が得られる。

次に、第１実施形態における特徴部分、特に第１電極１３１と第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの関係について、既に参照した図１乃至図４に加えて、図５及び図６の各図面を参照しながら説明する。
第１実施形態において、第１電極１３１と第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの間、及び、第２電極１３２と第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの間には、図４に示すように、第１〜第４寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２が形成される。ここで、第１寄生容量Ｃ１１は、第１電極１３１と第１データ線６ａとの間に構成される容量要素であり、第２寄生容量Ｃ１２は、第１電極１３１と第２データ線６ｂとの間に構成される容量要素である。また、第３寄生容量Ｃ２１は、第２電極１３２と第１データ線６ａとの間に構成される容量要素であり、第４寄生容量Ｃ２２は、第２電極１３２と第２データ線６ｂとの間に構成される容量要素である（なお、図２においては、これら第１〜第４寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２が、回路図上ではどのように表現されるかを併せて示しておいた。）。

これら第１〜第４寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２は、クロストークの原因となる。すなわち、第１実施形態の電気光学装置１を構成する全画素回路Ｐ１（図１参照）は、上述のように、走査線３が線順次に選択されていく過程を通じて駆動されるが、この場合、本来であれば、選択の対象となっている画素回路Ｐ１以外の画素回路Ｐ１は、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂを介して供給されてくるデータ信号Ｖｄａｔａに反応してはならない。しかしながら、図４に示したような、第１〜第４寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２は、図２に示す第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２がオフ状態にあったとしても、第１又は第２データ線６ａ又は６ｂの電位変動を、第１又は第２電極１３１又は１３２の電位変動にいわば中継してしまうおそれがある。

そこで、第１実施形態においては、第１電極１３１及び第１データ線６ａとの間に、以下に説明するような適当な関係を設定する。
まず、図４に示すような第１電極１３１及び第１データ線６ａ間の距離Ｄｓに着目し、この距離Ｄｓの大小が、前記容量値にどのような影響を及ぼすか考える。図４からもわかるように、この距離Ｄｓが大きくなれば（即ち、第１電極１３１が図中右方向に向かっていわば後退すれば（図４中破線矢印参照））、第１電極１３１及び第１データ線６ａ間の距離は大きくなるので、第１寄生容量Ｃ１１の容量値γ１は小さくなっていくことが推測される。他方、この距離Ｄｓの増大は一方で、第２電極１３２及び第１データ線６ａ間の対向面積を増大させるという側面をもつので、第３寄生容量Ｃ２１の容量値γ３は大きくなっていくことが推測される。

図５は、前記距離Ｄｓの変化に応じて前記容量値γ１及びγ３がどのようになるかを確認したシミュレーション結果を表すグラフである（なお、本明細書に記載する全実施形態におけるシミュレーション結果は、液晶シミュレータ２ＤＩＭＯＳを用いて得た。）。この図によれば、前述の推測を裏付けるように、距離Ｄｓが増大するに連れて、容量値γ１は次第に減少していく一方、容量値γ３は、次第に増大していくことがわかる。ただ、距離Ｄｓが同図における中間的値となる（同図の「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＣ」）以降は、距離Ｄｓが増大しても、容量値γ１及びγ３ともに大きくは変化せず、ほぼ一定の値をとることがわかる。

なお、図５において、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＡ」とは、図４に示すように、第１電極１３１の図４中左側端と第１データ線６ａのそれとが揃っている場合（即ちＤｓ＝０の場合）を表し、「ＳｔｒｕｃｕｔｒｅＢ」とは、第１電極１３１の図４中左側端と第１データ線６ａの図４中右側端とが揃っている場合を表す。また、「ＳｔｒｕｃｕｔｒｅＣ」とは、第１電極１３１の図４中左側端が、第２電極１３２の最初のスリット１３２ｓに至る直前の地点まで後退した場合を表し、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＤ」とは、当該スリット１３２ｓの中間地点まで更に後退した場合を表し、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＥ」とは、当該スリット１３２ｓを越える直前の地点まで更に後退した場合を表している（いずれも図４参照）。

一方、図６は、距離Ｄｓの変化に応じて液晶ＬＣの透過率がどのようになるかを確認したシミュレーション結果を表すグラフであるが、この図によれば、前記の「ＳｔｒｕｃｕｔｒｅＣ」までは、距離Ｄｓが増大しても透過率はほぼ一定に推移し、それを超えると透過率は減少するが、以後はその減少状態を維持して透過率はほぼ一定の値をとることがわかる。これは、第１電極１３１と、第２電極１３２、特にそのスリット１３２ｓとの配置関係に応じた現象であると考えられる。すなわち、ＳｔｒｕｃｕｔｕｒｅＤ及びＥでは、第１電極１３１の左側端が、スリット１３２ｓの形成位置に至るまで後退してしまっているので、第２電極１３２の最側部（図４中符号１３２ＭＳ参照）の電気力線の行き場が失われることとなる結果、透過率が減少するものと考えられる。

以上のような事情を踏まえると、第１寄生容量Ｃ１１と第３容量素子Ｃ２１が、第１電極１３１及び第２電極１３２に与える影響を等しくするという観点からは、図５中の星印を付したポイント、即ちγ１＝γ３が成立するポイントを選択すると好適であることがわかる。これにより、第１データ線６ａの電位変動が第１及び第２電極１３１及び１３２に影響を及ぼすとしても、γ１＝γ３が成立することから、両者間に当該影響の差異は生じないことになるからである。また、この場合、透過率は高位を維持するので（図６参照）、このような配置調整が、画像の品質に影響を与えるおそれは少ない。

以上の配慮の結果、第１実施形態においては、第１電極１３１と第１データ線６ａとの配置関係は、図５に示す「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＺ１」として、言い換えると、第１電極１３１の図４中左側端（図３でいえば、左側辺）が、第１データ線６ａの幅の中程に止まるように、当該配置関係は設定される（なお、この点については、図面の輻輳化を避けるため、図３では図示していない。）。
なお、このことは、第１電極１３１の図４中右側端についても同様にいえる。つまり、第１電極１３１と第２データ線６ｂとの関係についても、上記と同様の結果が得られることが確認されているので、第１電極１３１の右側端が第２データ線６ｂの幅の中程に止まるように、両者の配置関係は設定される。これにより、第２寄生容量Ｃ１２の容量値γ２と、第４寄生容量Ｃ２２の容量値γ４との間には、γ２＝γ４が成立する。また、画素回路Ｐ１の構造が左右対称であれば結局、γ１＝γ２＝γ３＝γ４が成立する。ちなみに、図４左方では、図４右方に示す第１電極１３１に隣接する第１電極１３１の右側端が描かれているが、当該右側端は、図４右方に示される第１電極１３１の右側端の状態を描いたものとみなすことが可能である。
また、以上のことと同時に、第２電極１３２と第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂとの配置関係も自ずと設定されることになる。すなわち、第１電極１３１の図４中左側端が前述のように第１及び第２データ線６ａ及び６ｂの幅の中程に止まるように設定されることから、第２電極１３２は、その第１電極１３１の後退分だけ、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂと対向することになる。

以上に述べたような、第１実施形態に係る電気光学装置１によれば、クロストークの発生、あるいはそれによってもたらされる悪影響が実効的に抑制される。このような効果が得られるのは、既に述べたように、γ１＝γ３が成立するように、第１電極１３１と、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの配置関係が好適に設定されることによる。なお、第１実施形態では、このような効果が画質の劣化等を招くことなく得られることも特筆される（図６及びそれに関する上記説明参照）。

＜第２実施形態＞
以下では、本発明に係る第２実施形態について図７乃至図１０を参照しながら説明する。なお、この第２実施形態は、図２に示した第１及び第２保持容量Ｃｓｔｇ１及びＣｓｔｇ２に係る構成に変更を加え、かつ、その変更に応じた第１電極１３１と第１データ線６ａ等との配置関係の調整を行う点について特徴があり、それ以外の点については、上記第１実施形態の構成及び動作ないし作用等と同様である。したがって、以下では、前記相違点について主に説明を行うこととし、それ以外の点についての説明は適宜簡略化し、あるいは省略する。

第２実施形態では、画素回路Ｐ２に含まれる第１及び第２保持容量Ｃｓｔｇ１[ｉ]及びＣｓｔｇ２[ｉ]は、図２に示すように電位線３０に電気的に接続されるのではなく、図７に示すように、前行に位置する画素回路Ｐ２に対応する走査線３に電気的に接続されている。なお、図７においては、前行に位置する画素回路Ｐ２を表現するために記号[ｉ−１]が、その直後の行に位置する画素回路Ｐ２を表現するために記号[ｉ]が利用されている。
このような形態によれば、電位線３０を設ける必要がなくなるから、その分のコスト低減が可能となるし、あるいは、その設置スペース分の画素開口率の向上等を図ることも可能となる、など様々な利点が得られる。

ただし、この場合において、第１及び第２保持容量Ｃｓｔｇ１[ｉ]及びＣｓｔｇ２[ｉ]を意図的に形成する容量素子として備える場合には、画素回路Ｐ２[ｉ]に含まれる電気光学素子１３[ｉ]の第１及び第２電極１３１[ｉ]及び１３２[ｉ]から、前行に位置する画素回路Ｐ１[ｉ−１]に対応する走査線３に至るまで、何らかの配線を引く必要が生じる。例えば、図８に示すように、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂの延在方向に沿って延びる第１及び第２配線３ａ及び３ｂを設ける、などというようである。なお、図８は、図４及び図３を前提としているので、このような第１及び第２配線３ａ及び３ｂが設けられるならば、前行に位置する画素回路Ｐ２に含まれる走査線３への電気的接続が可能となることは、図８及び図３から読み取ることが可能である（もっとも、その、前行の走査線３は図３では不図示である。）。また、このような第１及び第２配線３ａ及び３ｂと、第１及び第２電極１３１及び１３２との電気的接続は、例えば当該第１及び第２電極１３１及び１３２における前述した「一部切り欠いた」部分を利用することにより実現可能である（この点も不図示）。
しかし、このような第１及び第２配線３ａ及び３ｂを設けるとなると、かかる第１及び第２配線３ａ及び３ｂと第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの間には新たに、図７又は図８に示すように、第５及び第６寄生容量Ｃ３１[ｉ]及びＣ３２[ｉ]が発生することになる。この第５及び第６寄生容量Ｃ３１[ｉ]及びＣ３２[ｉ]は、第１及び第２電極１３１[ｉ]及び１３２[ｉ]の電位変動をもたらす（即ち、クロストークをもたらす）新たな原因となり得る（なお、図８では、記号[ｉ]を省略している。以下の説明においても、記号[ｉ]は省略することにする。）。

そこで、第２実施形態では、そのような事態の回避を図るため、第１及び第２配線３ａ及び３ｂ、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂ、並びに第１及び第２電極１３１及び１３２の配置関係に関し、以下に説明するような適当な関係を設定する。
まず、第５及び第６寄生容量Ｃ３１及びＣ３２の容量値γ５及びγ６をなるべく小さな値とするような第１及び第２配線３ａ及び３ｂの配置調整を考える。
図９は、図８に示す第１配線３ａを、同図に示す位置Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉのそれぞれに位置付けた場合に、前記容量値γ３がどのようになるかを確認したシミュレーション結果を表すグラフである。なお、図９において、「ＰｏｓｉｔｏｎＦ」とは、図８に示すように、第１配線３ａが第１データ線６ａのいわば真下に位置付けられる場合を表し、「ＰｏｓｉｔｉｏｎＧ」とは、第１配線３ａの図８中左側端と第１データ線６ａの図４中右側端とが揃っている場合を表す。また、「ＰｏｓｉｔｉｏｎＨ」とは、第１配線３ａが、第２電極１３２の最初のスリット１３２ｓのいわば真下に位置付けられる場合を表し、「ＰｏｓｉｔｉｏｎＩ」とは、第１配線３ａが、当該スリット１３２ｓを形作る最初の遮蔽部１３２ＳＨのいわば真下に位置付けられる場合を表している（いずれも図８参照）。

この図９によれば、容量値γ５は、ＰｏｓｉｔｉｏｎＦからＰｏｓｉｔｉｏｎＩに向けて次第に減少していくことがわかる。これは、この方向に向けて、第１配線３ａ及び第１データ線６ａ間の物理的距離が増大していくためであると考えられる。
なお、図１０は、前記ＰｏｓｉｔｉｏｎＦ，Ｇ，Ｈ，Ｉの変化に応じて液晶ＬＣの透過率がどのようになるかを確認したシミュレーション結果を表すグラフであるが、この図によれば、第１配線３ａの形成位置に関わらず、透過率はほぼ一定の値をとることがわかる。

以上のような事情を踏まえると、まず、容量値γ３はできる限り小さい方が好ましいということからすれば、第１配線３ａの形成位置としては、ＰｏｓｉｔｉｏｎＧ以降を選択すると好適であることがわかる。
ただ、ＰｏｓｉｔｉｏｎＩについては、当該の位置が、前述のように、第２電極１３２の最初のスリット１３２ｓを越えた最初の遮蔽部１３２ＳＨの真下であることからすると、隣接する電気光学素子１３間に設けられ得るブラックマトリクスＢＭ（図８参照）の形成位置からみても、やや第１電極１３１等の形成領域内に入り込みすぎている。実際、このような場合、当該第１配線３ａにおける光反射等が生じれば、画質の劣化等を招くおそれが高い。
また、ＰｏｓｉｔｉｏｎＨについては、当該の位置が、前述のように、第２電極１３２の最初のスリット１３２ｓの真下であることからすると、ブラックマトリクスＢＭの形成位置により近づいているとはいいうものの、例えば前述したような光反射等の不具合がより顕著に生じる可能性もある。
以上から、第１配線３ａの最適な形成位置は、ＰｏｓｉｔｉｏｎＧであると定めることができる。なお、この場合、容量値γ５は概ね０．６×１０^−１０〔Ｆ／ｍ〕となることがわかる（図９参照）。

次に、以上を前提にして、上記第１実施形態と同様、第１電極１３１と第１データ線６ａとの配置関係の好適化を図る。
図１１及び図１２は、前掲の図５及び図６と同趣旨の図である。ただし、図１１においては、第１寄生容量Ｃ１１の容量値γ１と第３寄生容量Ｃ２１の容量値γ３との差分のグラフが併せ描かれている。図１１中、一点破線の曲線がγ３−γ１であり、二点破線の曲線がγ１−γ３である。また、図１１には、概ね０．６×１０^−１０〔Ｆ／ｍ〕あたりに水平線が描かれている。これは前述の容量値γ５を表現している。

以上から、まず、図中、前記一点破線と前記水平線との交わる点は、γ３−γ１＝γ５と表現可能であるから、これを変形すれば、
γ１＋γ５＝γ３ …… （１）
が成立することになる。これによると、第１寄生容量Ｃ１１及び第５寄生容量Ｃ３１それぞれの容量値γ１及びγ５の和が、第３寄生容量Ｃ２１の容量値γ３の値に等しくなり、したがって、第１データ線６ａの電位変動が生じた場合に、第１及び第５寄生容量Ｃ１１及びＣ３１と第３容量素子Ｃ２１とが、第１電極１３１及び第２電極１３２に与える影響は等しくなる（なお、第５寄生容量Ｃ３１は、第１電極１３１に電気的に接続されている点に注意。図７参照。）。そして、これを実現するのが、図１１中の右側の丸印を付したポイント、即ち前記（１）式が成立する点である。なお、この場合、上記第１実施形態と同様、透過率は高位を維持するので（図１２中右側の丸印参照）、このような配置調整が、画像の品質に影響を与えるおそれは少ない。

以上の配慮の結果、第２実施形態において、第１電極１３１と第１データ線６ａとの配置関係は、図１１に示す「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＺ２」として、言い換えると、第１電極１３１の図８中左側端が、第１データ線６ａの図８中右側端の位置を越えて更に若干後退した位置に止まるように、当該配置関係は設定される（図８参照）。

他方、図中、前記二点破線と前記水平線との交わる点は、γ１−γ３＝γ５と表現可能であり、かつ、ここでいう容量値γ１，γ３及びγ５はそれぞれ、第２寄生容量Ｃ１２の容量値γ２、第４寄生容量の容量値γ４、及び第６寄生容量Ｃ３２の容量値γ６と置換可能である（即ち、γ１→γ２、γ３→γ４、γ５→γ６。図８参照）から、γ２−γ４＝γ６これを変形すれば、
γ４＋γ６＝γ２ …… （２）
が成立することになる。これによると、第４寄生容量Ｃ２２及び第６寄生容量Ｃ３２それぞれの容量値γ４及びγ６の和が、第２寄生容量Ｃ１２の容量値γ２の値に等しくなり、したがって、第２データ線６ｂの電位変動が生じた場合に、第４及び第６寄生容量Ｃ２２及びＣ３２と第２容量素子Ｃ１２とが、第１電極１３１及び第２電極１３２に与える影響は等しくなる（なお、第６寄生容量Ｃ３２は、第２電極１３２に電気的に接続されている点に注意。図７参照。）。そして、これを実現するのが、図１１中の左側の丸印を付したポイント、即ち前記（２）式が成立する点である。なお、この場合も、透過率は高位を維持するので（図１２中左側の丸印参照）、このような配置調整が、画像の品質に影響を与えるおそれは少ない。

以上の配慮の結果、第２実施形態において、第１電極１３１と第２データ線６ｂとの配置関係は、図１１に示す「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＺ３」として、言い換えると、第１電極１３１の図８中右側端の位置が、第２データ線６ｂの図８中右側端の位置とほぼ揃うように、設定されることになる（図８参照）。

なお、以上によると、第２電極１３２と第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂとの配置関係が自ずと設定される点は、上記第１実施形態と同様である。

以上に述べたような、第２実施形態に係る電気光学装置ないし画素回路Ｐ２によれば、上述した電位線３０の非設置によるコスト低減効果等に加えて、第１及び第２配線３ａ及び３ｂの設置によって懸念される第５及び第６寄生容量Ｃ３１及びＣ３２によるクロストークの発生、あるいはそれによってもたらされる悪影響が実効的に抑制される。なお、第２実施形態でも、上記第１実施形態と同様、このような効果が画質の劣化等を招くことなく得られることも特筆される（図１２参照）。

以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る電気光学装置ないし画素回路は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上記第１実施形態においては、γ１＝γ３、γ２＝γ４がともに成立することについて言及し、上記第２実施形態においては、前述した（１）式及び（２）式がともに成立することについて言及しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、上記第１実施形態では、場合により、γ１＝γ３及びγ２＝γ４のいずれか一方のみが成立し、あるいは、上記第２実施形態では、前記（１）式及び（２）式のいずれか一方のみが成立する場合でも、本発明はその範囲内に収める。現実の回路配置状況等によっては、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂの一方に起因するクロストークの発生について特に懸念する必要がないという場合も絶対にあり得ないではないから、そのような場合、無理に、前述した双方の条件の成立を図る必要はない。
あるいは、これとは逆に、上記第１実施形態において、γ１＝γ２＝γ３＝γ４が成立し（この点について既に述べた。該当箇所参照）、上記第２実施形態において、（１）式＝（２）式、即ちγ１＋γ５＝γ３＝γ４＋γ６＝γ２が成立する場合も、本発明の範囲内に含まれる。これによれば、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂどちらのデータ線によっても、第１及び第２電極１３１及び１３２に与えられる影響は同じになる。したがって、前述したクロストーク低減効果が更に実効的に奏されることとなることは言うまでもない。

（２） 上記各実施形態においては、もっぱら第１電極１３１の側端位置に着目しながら、これと第１データ線６ａ等との好適な配置関係を設定するようになっているが、これに関連して、以下の事情を補足する。
すなわち、クロストークの発生あるいはそれに起因する悪影響を回避するためには、第１電極１３１の位置ではなく、第２電極１３２の配置位置を調整することも当然考えられる。図１３は、そのような調整を行った場合における第１及び第２電極１３１及び１３２の第１データ線６ａに対する容量値γ１及びγ３の変化を表す。なお、図１３においては、第１電極１３１の左側端は、図４又は図８でいうところの「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＣ」にあることが前提とされている（図１４も参照）。また、図１３において、「ＳｔｒｃｔｕｒｅＪ」とは、図１４に示すように、第２電極１３２の図１４中左側端と第１データ線６ａの左側端とが揃っている場合を表し、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＫ」とは、第２電極１３２の図１４中左側端と第１データ線６ａの図１４中右側端とが揃っている場合を表す。また、「ＳｔｒｃｔｕｒｅＭ」とは、第２電極１３２の最側部１３２ＭＳがいわば消滅するような場合を表し、「ＳｔｒｃｔｕｒｅＬ」とは、第２電極１３２の図１４中左側端が、この「ＳｔｒｃｔｕｒｅＭ」と前記「ＳｔｒｃｔｕｒｅＫ」との中間に位置付けられる場合を現している。

このような配置関係によると、図１３に示すように、第１電極１３１に関する容量値γ１は一貫して低位を維持するとともに、第２電極１３２に関する容量値γ３は、「ＳｔｒｃｔｕｒｅＪ」から「ＳｔｒｃｔｕｒｅＭ」へ向けて、単純に減少することになる。
このようなことからすると、第２電極１３２の配置位置調整によっても、上記第１及び第２実施形態によって奏された作用効果と異ならない作用効果が奏される余地はある（むしろ第１実施形態に係る図５と、図１３とを対比すれば、図１３のほうがより好適に、当該作用効果が奏される可能性すらある。）。
しかしながら、第２電極１３２の配置位置調整によると、例えば前記「ＳｔｒｃｔｕｒｅＭ」における前記最側部１３２ＭＳの消滅の場合に端的に現れるように、液晶ＬＣの配向状態の切り替わり位置が、第１電極１３１の形成領域のより内方に移動してしまうことになる。これは、画像の品質に与える影響が大きい。
以上を総合すると、本発明においては、第２電極１３２の配置位置を調整する態様を積極的に排除するとまではいわないが、可能であれば、第１電極１３１のみの配置位置の調整によって、クロストークの問題に対処する方が好ましいということがいえる。

（３） 上記各実施形態においては、第２電極１３２の各スリットは互いに平行であり、一定の間隔をおいて配置されるようになっているが、本発明はかかる形態に限定されない。
要は、第１電極１３１と第２電極１３２との間の斜め方向の電界により、液晶ＬＣ内の液晶分子が制御されるように、第２電極１３２のスリットは形成されていればよいから、例えば、第２電極１３２の各スリットは、走査線３の延在方向に沿って設けられていてもよく、あるいは、走査線３の延在方向に対し、所定の角度を持つように設けられていてもよい。さらには、走査線３の延在方向に対し、第１の角度を持つように設けられた第１スリットと、第２の角度を持つように設けられた第２スリットとがあってもよい。

（４） 上記第１実施形態においては、画素回路Ｐ１の動作について、〔ｉ〕から〔ｉｉｉ〕までの段階に分けて説明を行った（この説明は、第２実施形態においても当然妥当する。）が、これに関連して、データ電位Ｖｄａｔａ及び基準電位ＧＮＤの切替えの態様ないしタイミングには、様々なものが想定される。
例えば、データ電位Ｖｄａｔａと基準電位ＧＮＤとの切替えはフレーム単位で行われてよい。この場合には、図１に示す全画素回路Ｐ１が一通り駆動されるまでは、当該全画素回路Ｐ１に関し、例えば第１データ線６ａには常にデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには常に基準電位ＧＮＤが供給されるなどということになる（Ｖ反転方式）。
あるいは、当該切替えはデータ線ごと（列ごと）に行われてもよい。この場合には、あるフレーム期間中において、ある画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）に対応する第１データ線６ａにはデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには基準電位ＧＮＤが供給されるが、その隣の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ＋１）に対応する第１データ線６ａには基準電位ＧＮＤ、第２データ線６ｂにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給されるなどということになる（Ｓ反転方式）。
あるいは更に、当該切替えは走査線ごと（行ごと）に行われてもよい。この場合には、あるフレーム期間中において、ある行に位置する画素回路Ｐ１（ｉ，１），…，Ｐ１（ｉ，ｎ）の複数を駆動する場合には第１データ線６ａにはデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには基準電位ＧＮＤが供給されるが、次の行に位置する画素回路Ｐ１（ｉ＋１，１），…，Ｐ１（ｉ＋１，ｎ）の複数を駆動する場合には第１データ線６ａには基準電位ＧＮＤ、第２データ線６ｂにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給されるなどということになる（Ｈ反転方式）。
あるいは加えて、前記のＳ反転方式及びＨ反転方式を併用したドット反転方式が行われてもよい。

いずれにしても、このようなデータ電位Ｖｄａｔａ及び基準電位ＧＮＤの切替えの態様の変更は、ある特定の１個の画素回路Ｐ１に着目するとき、それ自身に対応する第１及び第２データ線６ａ及び６ｂ以外のデータ線の電位変動が、当該画素回路Ｐ１に含まれる第１及び第２電極１３１及び１３２に与える影響に相違をもたらす可能性がある。前述した各寄生容量（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２，Ｃ３１，Ｃ３２）の容量値及びその関係を決定するにあたっては、場合により、このような事情への配慮が加えられると好適である。

＜応用＞
次に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。
図１５は、上記実施形態に係る電気光学装置１を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図１６に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
図１７に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。

本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１５から図１７に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

１……電気光学装置、１００……走査線駆動回路、２００……データ線駆動回路、Ｐ１，Ｐ２……画素回路、１３……電気光学素子、１３１……第１電極、１３２……第２電極、３……走査線、３０……電位線、３ａ……第１配線、３ｂ……第２配線、６ａ……第１データ線、６ｂ……第２データ線、Ｃｓｔｇ１，Ｃｓｔｇ２，Ｃｓｔｇ３……第１〜第３保持容量、ＳＷ１０１……第１トランジスター、ＳＷ１０２……第２トランジスター、Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２……第１〜第４寄生容量、Ｃ３１，Ｃ３２……第５・第６寄生容量

Claims (7)

1. 基板と、
   前記基板上に形成される第１電極、及び、当該第１電極の上に且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、
   前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、
   前記第１及び第２電極それぞれの一方の側辺に沿うように、且つ当該第１及び第２電極とは異なる層として形成され、第１期間において、表示すべき階調に応じたデータ電位が供給される第１データ線と、
   前記第１及び第２電極それぞれの他方の側辺に沿うように、且つ前記第１及び第２電極とは異なる層として形成され、第２期間において、前記データ電位が供給される第２データ線と、
   前記第１電極及び前記第１データ線間を電気的に接続する第１スイッチング素子と、
   前記第２電極及び前記第２データ線間を電気的に接続する第２スイッチング素子と、
   を備え、
   前記基板を平面視して、
   前記第２電極は、その少なくとも一部が、前記第１及び第２データ線と重なるように形成され、
   前記第１電極は、その両側辺がそれぞれ、前記第１及び第２データ線それぞれの幅の内に収まるように、形成される、
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記基板を平面視して、
   前記第２電極は、
   その一方の側辺が、前記第１データ線の側辺と一致するように、かつ、
   その他方の側辺が、前記第２データ線の側辺と一致するように、形成される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１及び第２電極並びに前記第１及び第２スイッチング素子の一組は、前記基板の面上、マトリクス状配列に従って配列され、かつ、
   前記マトリクス状配列の各行方向に沿って延びるように形成され、当該各行に対応する前記第１及び第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を当該第１及び第２スイッチング素子に供給する複数の走査線と、
   一端が、前記組の全部のうちのある１つの組に含まれる前記第１又は第２電極に電気的に接続され、他端が、前記マトリクス状配列中、当該ある１つの組が属する行の隣の行に対応する前記走査線に電気的に接続される配線と、
   前記配線上に設けられる保持容量と
   を更に備え、
   前記第１電極は、
   その両側辺がそれぞれ、前記幅の内に収まるように形成されるのに代えて又は加えて、
   前記配線と前記第１又は第２データ線間に生じる寄生容量の容量値の値に応じて、その形成態様が定められる、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１及び第２電極並びに前記第１及び第２スイッチング素子の一組は、前記基板の面上でマトリクス状配列に従って配列され、かつ、
   前記マトリクス状配列の各行方向に沿って延びるように形成され、当該各行に対応する前記第１及び第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を当該第１及び第２スイッチング素子に供給する複数の走査線と、
   一端が、前記組の全部のうちのある１つの組に含まれる前記第１電極に電気的に接続され、他端が、前記マトリクス状配列中、当該ある１つの組が属する行の隣の行に対応する前記走査線に電気的に接続される第１の配線と、
   一端が前記ある１つの組に含まれる前記第２電極に電気的に接続され、他端が、前記ある１つの組が属する行の隣の行に対応する前記走査線に電気的に接続される第２の配線と、
   前記第１及び第２の配線上に設けられる第１及び第２保持容量と
   を更に備え、
   前記基板を平面視して、
   前記第１電極は、当該第１電極と前記第１データ線との間の距離が、当該第１電極と前記第２データ線との間の距離に比べて大きくなるように、形成される、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
5. 前記配線は、
   前記第１及び第２データ線の延在方向に沿うように延在する部分をもち、かつ、
   前記第１及び第２データ線と重ならないように形成される、
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
6. 基板と、
   前記基板上に形成される第１電極と、
   当該第１電極の上に且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、
   前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、
   第１データ線と、
   第２データ線と、
   前記第１電極と前記第１データ線との間を電気的に接続する第１スイッチング素子と、
   前記第２電極と前記第２データ線との間を電気的に接続する第２スイッチング素子と、
   を備え、
   前記第２電極は、積層方向において前記第１データ線と前記第２電極の間に前記第１電極が介在する部位と、積層方向において前記第１電極を介在せず前記第１データ線と対向する部位と、積層方向において前記第２データ線と前記第２電極の間に前記第１電極が介在する部位と、積層方向において前記第１電極を介在せず前記第２データ線と対向する部位と、を有する、
   ことを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、
   ことを特徴とする電子機器。
   

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