JP2010199664A - 発振器 - Google Patents

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Abstract

【課題】専用端子を設けることなくLPF用の外付けコンデンサーを接続する。
【解決手段】データ端子10と、データDAを書き込み可能な記憶回路20と、チップセレクト端子30と、データ端子10に接続されたコンデンサーC1と、圧電振動子40と、温度補償電圧VCによって圧電振動子40が発振する発振周波数を制御する発振回路50と、温度補償電圧VCを発生する温度補償制御回路60と、スイッチ回路100と、を含み、スイッチ回路100は、データ端子から入力されたデータDAの所定のビット値が第1の値に設定された場合、温度補償制御回路60と発振回路50とを接続かつデータ端子DAと記憶回路20とを接続し、データ端子から入力されたデータDAの所定のビット値が第2の値に設定された場合、温度補償制御回路60と発振回路50とを抵抗素子R1を介して接続かつデータ端子DAと発振回路50とを接続する切換動作を行う発振器1。
【選択図】図1

Description

本発明は、電圧制御型の発振器に関する。
温度補償発振器などの電圧制御型の発振器は、携帯電話等の動的環境下での使用が頻繁な電子機器に周波数及び時間の基準源として、広く知られている。近年では、小型化・低価格化は勿論として、位相雑音等の電気的特性の向上が求められている。
この問題を解決するために、例えば特許文献1には、抵抗と容量からなるローパスフィルターを用いることで温度補償電圧の雑音成分を除去し、位相雑音特性を改善する方法が記載されている。
特開2000−196356号公報(図1)
しかしながら、従来の方法では、フィルターのカットオフ周波数を低くして低位相雑音化を図る場合、ローパスフィルターの容量を大きく必要があり、ICチップ内への集積化は難しく、容量を外付けのコンデンサーにて構成する場合は接続用の端子を要するという課題がある。またコンデンサーを接続するための専用端子をICチップに設けると、ICチップの小型化を阻害する要因となる場合があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
データを入力するデータ端子と、前記データ端子から入力された前記データを記憶することが可能な記憶回路と、前記記憶回路に前記データを記憶するか否かを設定するチップセレクト信号を入力するチップセレクト端子と、前記データ端子に接続されたコンデンサーと、圧電振動子と、制御電圧によって前記圧電振動子が発振する発振周波数を制御する発振回路と、前記制御電圧を発生する電圧発生回路と、スイッチ回路と、を含み、前記スイッチ回路は、抵抗素子を含み、前記データ端子から入力された前記データの所定のビット値が第1の値に設定された場合、前記電圧発生回路と前記発振回路とを接続かつ前記データ端子と前記記憶回路とを接続し、前記データ端子から入力された前記データの所定のビット値が第2の値に設定された場合、前記電圧発生回路と前記発振回路とを前記抵抗素子を介して接続かつ前記データ端子と前記発振回路とを接続する切換動作を行う、ことを特徴とする発振器。
この構成によれば、電圧発生回路と発振回路との間に抵抗素子とコンデンサーにより構成されるローパスフィルターを接続することができるので、電圧発生回路の雑音成分を除去することができ、さらに、データ端子にコンデンサーを外付けできるので大容量のコンデンサーを接続しても発振器のチップサイズを小型化することができる。
[適用例2]
上記に記載の発振器において、前記電圧発生回路は温度補償制御回路であり、前記制御電圧は温度補償電圧であることを特徴とする発振器。
この構成によれば、温度補償制御回路と発振回路との間に抵抗素子とコンデンサーにより構成されるローパスフィルターを接続することができるので、温度補償制御回路の雑音成分を除去することができ、さらに、データ端子にコンデンサーを外付けできるので大容量のコンデンサーを接続しても発振器のチップサイズを小型化することができる。
[適用例3]
上記に記載の発振器において、前記電圧発生回路は安定化電源回路であり、前記制御電圧は駆動電圧であることを特徴とする発振器。
この構成によれば、安定化電源回路と発振回路との間に抵抗素子とコンデンサーにより構成されるローパスフィルターを接続することができるので、安定化電源回路の雑音成分を除去することができ、さらに、データ端子にコンデンサーを外付けできるので大容量のコンデンサーを接続しても発振器のチップサイズを小型化することができる。
[適用例4]
上記に記載の発振器において、前記スイッチ回路は、前記データの所定のビット値を参照し、前記ビット値が第1の値の場合、前記切換動作を行わずに前記電圧発生回路と前記発振回路とを接続かつ前記データ端子と前記記憶回路とを接続し、前記ビット値が第2の値の場合、前記切換動作を行う、ことを特徴とする発振器。
この構成によれば、外部にコンデンサーを接続しない場合は、ビット値を第1の値に設定することにより、通常の発振器として動作させることができる。
第1実施形態に係る発振器の構成を示す回路図。 発振器の切換動作を示す回路図。 発振器の切換動作を示す回路図。 変形例1に係る発振器の構成を示す回路図。
以下、発振器の実施形態について図面に従って説明する。
(第1実施形態)
<発振器の構成>
先ず、第1実施形態に係る発振器の構成について、図1を参照して説明する。図1は、第1実施形態に係る発振器の構成を示す回路図である。
図1に示すように、発振器1は、データDAを入力するデータ端子10と、記憶回路20と、チップセレクト信号CSを入力するチップセレクト端子30と、データ端子10と接地電位との間に接続されたコンデンサーC1と、圧電振動子40と、発振回路50と、電圧発生回路である温度補償制御回路60と、スイッチ回路100と、から構成されている。
発振回路50は、接続された圧電振動子40の発振周波数を制御電圧端子51から印加される電圧に基づいて、圧電振動子40が有する周波数の温度特性をキャンセルするように発振周波数の温度補償制御を行い、発振信号OUTを出力する。
記憶回路20は、データDAとしてnビット(nは任意の自然数)のビット値Q1〜Qnを記憶する。ビット値Q1〜Qn-1は、発振回路50または温度補償制御回路60に入力され、発振回路50のバイアス電流を圧電振動子40の周波数範囲に応じて最適な値を調整する調整データと、温度補償制御回路60の制御電圧である温度補償電圧VCの補正データとして使われる。所定のビット値であるビット値Qnは、スイッチ回路100に入力される。ビット値Qnは、第1の値である0または第2の値である1に設定される。記憶回路20は、チップセレクト信号CS=1に設定された場合にデータDAを記憶し、チップセレクト信号CS=0に設定された場合にデータDAを記憶しない。
スイッチ回路100は、抵抗素子R1と、スイッチ素子S1,S2,S3,S4と、インバーター101とAND102とNAND103とインバーター104と、抵抗素子R2とシュミットバッファー106と、抵抗素子R3とシュミットバッファー105と、から構成されている。インバーター101は、入力端子がチップセレクト端子30と接続され、出力端子がAND102の一方の入力端子及びNAND103の一方の入力端子と接続されている。AND102は、他方の入力端子にビット値Qnが入力され、出力端子がスイッチ素子S4の制御端子に接続されている。NAND103は、他方の入力端子にビット値Qnが入力され、出力端子がインバーター104の入力端子及びスイッチ素子S1,S2の制御端子に接続されている。
スイッチ素子S1〜S4は、制御端子に入力される値が0の場合に導通状態、制御端子に入力される値が1の場合に非導通状態となる、いわゆるローアクティブなスイッチ素子である。抵抗素子R1は、温度補償制御回路60の出力端子61とスイッチ素子S1の入力端子との間に接続されている。スイッチ素子S1は、出力端子がスイッチ素子S2の入力端子とデータ端子10とに接続されている。スイッチ素子S2は、出力端子が発振回路50の制御電圧端子51に接続されている。スイッチ素子S3は、入力端子が温度補償制御回路60の出力端子61に接続され、出力端子が発振回路50の制御電圧端子51に接続されている。スイッチ素子S4は、入力端子がデータ端子10に接続され、出力端子がシュミットバッファー106の入力端子に接続されている。
シュミットバッファー106は、出力端子が記憶回路20のデータ入力端子21に接続されている。抵抗素子R2は、シュミットバッファー106の入力端子と接地電位との間に接続されている。シュミットバッファー105は、入力端子がチップセレクト端子30に接続され、出力端子が記憶回路20のチップセレクト入力端子22に接続されている。抵抗素子R3は、シュミットバッファー105の入力端子と接地電位との間に接続されている。
ここで、図1に示すスイッチ回路100は、ビット値Qn=0(第1の値)の状態を示す。ビット値Qn=0なので、チップセレクト端子30から入力されるチップセレクト信号CSの値(0/1)に係らずNAND103の出力値Sa=1、AND102の出力値Sb=0となり、スイッチ素子S3,S4が導通状態、スイッチ素子S1,S2が非導通状態となる(切換動作が行われない)。従って、温度補償制御回路60の出力端子61と発振回路50の制御電圧端子51とがスイッチ素子S3を介して導通状態となり、データ端子10と記憶回路20のデータ入力端子21とがスイッチ素子S4及びシュミットバッファー106を介して導通状態となる。この時、抵抗素子R1及びコンデンサーC1は、発振回路50の制御電圧端子51と切り離された状態となる。
<発振器の切換動作>
次に、発振器の切換動作について図2,3を参照して説明する。図2,3は、発振器の切換動作を示す回路図である。
図2に示すように、ビット値Qn=1(第2の値)、チップセレクト信号CS=0なので、NAND103の出力値Sa=0、AND102の出力値Sb=1となり、スイッチ素子S3,S4が非導通状態、スイッチ素子S1,S2が導通状態となる(切換動作が行われた)。従って、温度補償制御回路60の出力端子61と発振回路50の制御電圧端子51とが抵抗素子R1及びスイッチ素子S1,S2を介して導通状態となり、データ端子10と発振回路50の制御電圧端子51とがスイッチ素子S2を介して導通状態となる。この時、抵抗素子R1及びコンデンサーC1は、ローパスフィルターを構成し、温度補償制御回路60の出力端子61から出力される温度補償電圧VCの雑音成分を除去することができる。
一方、図3に示すように、ビット値Qn=1、チップセレクト信号CS=1なので、NAND103の出力値Sa=1、AND102の出力値Sb=0となり、スイッチ素子S3,S4が導通状態、スイッチ素子S1,S2が非導通状態となる。従って、温度補償制御回路60の出力端子61と発振回路50の制御電圧端子51とがスイッチ素子S3を介して導通状態となり、データ端子10と記憶回路20のデータ入力端子21とがスイッチ素子S4及びシュミットバッファー106を介して導通状態となる。この時、抵抗素子R1及びコンデンサーC1は、発振回路50の制御電圧端子51と切り離された状態となる。
以上に述べた本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
本実施形態では、記憶回路20に温度補償電圧VCの補正データなどのデータを入力するためのデータ端子を利用して温度補償制御回路60と発振回路50との間に抵抗素子R1とコンデンサーC1により構成されるローパスフィルターを接続することができるので、温度補償制御回路60が出力される温度補償電圧VCの雑音成分を除去することができ、さらに、データ端子10にコンデンサーC1を外付けできるので大容量のコンデンサーC1を接続しても発振器1を小型化することができる。またコンデンサーを接続するための専用端子を設ける必要もないので、ICチップをさらに小型化・低価格化することが可能となる。また、外部にコンデンサーC1を接続しない場合は、ビット値Qn=0に設定することにより、通常の発振器1として動作させることができる。
以上、発振器の実施形態を説明したが、こうした実施の形態に何ら限定されるものではなく、趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることができる。以下、変形例を挙げて説明する。
(変形例1)発振器の変形例1について説明する。図4は、変形例1に係る発振器の構成を示す回路図である。図4に示すように、発振器4は、電圧発生回路として安定化電源回路160で構成されている。安定化電源回路160の出力端子161は、スイッチ素子S3の入力端子及び抵抗素子R1の一方の端子に接続されている。温度補償制御回路60の出力端子61は、発振回路50の制御電圧端子51に接続されている。発振回路50の電圧端子52は、スイッチ素子S3の出力端子及びスイッチ素子S2の出力端子に接続されている。
図4に示すように、ビット値Qn=1、チップセレクト信号CS=0なので、NAND103の出力値Sa=0、AND102の出力値Sb=1となり、スイッチ素子S3,S4が非導通状態、スイッチ素子S1,S2が導通状態となる。従って、安定化電源回路160の出力端子161と発振回路50の電圧端子52とが抵抗素子R1及びスイッチ素子S1,S2を介して導通状態となり、データ端子10と発振回路50の電圧端子52とがスイッチ素子S2を介して導通状態となる。この時、抵抗素子R1及びコンデンサーC1は、ローパスフィルターを構成し、安定化電源回路160の出力端子161から出力される駆動電圧Vregの雑音成分を除去することができる。
1…発振器、4…発振器、10…データ端子、20…記憶回路、21…データ入力端子、22…チップセレクト入力端子、30…チップセレクト端子、40…圧電振動子、50…発振回路、51…制御電圧端子、52…電圧端子、60…温度補償制御回路、61…出力端子、100…スイッチ回路、101…インバーター、102…AND、103…NAND、104…インバーター、105…シュミットバッファー、106…シュミットバッファー、160…安定化電源回路、161…出力端子。

Claims (4)

  1. データを入力するデータ端子と、
    前記データ端子から入力された前記データを記憶することが可能な記憶回路と、
    前記記憶回路に前記データを記憶するか否かを設定するチップセレクト信号を入力するチップセレクト端子と、
    前記データ端子に接続されたコンデンサーと、
    圧電振動子と、
    制御電圧によって前記圧電振動子が発振する発振周波数を制御する発振回路と、
    前記制御電圧を発生する電圧発生回路と、
    スイッチ回路と、
    を含み、
    前記スイッチ回路は、
    抵抗素子を含み、
    前記データ端子から入力された前記データの所定のビット値が第1の値に設定された場合、前記電圧発生回路と前記発振回路とを接続かつ前記データ端子と前記記憶回路とを接続し、
    前記データ端子から入力された前記データの所定のビット値が第2の値に設定された場合、前記電圧発生回路と前記発振回路とを前記抵抗素子を介して接続かつ前記データ端子と前記発振回路とを接続する切換動作を行う、
    ことを特徴とする発振器。
  2. 請求項1に記載の発振器において、前記電圧発生回路は温度補償制御回路であり、前記制御電圧は温度補償電圧であることを特徴とする発振器。
  3. 請求項1に記載の発振器において、前記電圧発生回路は安定化電源回路であり、前記制御電圧は駆動電圧であることを特徴とする発振器。
  4. 請求項1から3のいずれか一項に記載の発振器において、
    前記スイッチ回路は、前記データの所定のビット値を参照し、
    前記ビット値が第1の値の場合、前記切換動作を行わずに前記電圧発生回路と前記発振回路とを接続かつ前記データ端子と前記記憶回路とを接続し、
    前記ビット値が第2の値の場合、前記切換動作を行う、
    ことを特徴とする発振器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2020123783A (ja) * 2019-01-29 2020-08-13 セイコーエプソン株式会社 発振回路、発振器、電子機器及び移動体

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