JP2010187277A - マイクロフォンパッケージ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の上面に搭載したマイクロフォンセンサチップに蓋体を被せて空洞部を形成し、基板に音響孔を形成したマイクロフォンパッケージを、樹脂モールドの技術により安価かつ容易に製造できるようにする。
【解決手段】上面41aにマイクロフォンチップ5を固定するモールド基板11の板状壁部41が、接地用のシールド板部25をモールド樹脂17により封止して構成され、シールド板部25は板状壁部41の厚さ方向にマイクロフォンチップ5と重なるように配される。シールド板部25には、モールド樹脂17から板状壁部41の上面41a側に露出する内部端子面25A、前記厚さ方向に貫通する貫通孔34、及び、これを囲むように板状壁部41の下面41bに露出する環状の接合面38が形成される。貫通孔34内にその内周面全体を覆う筒状部17Aをモールド樹脂17により形成し、筒状部17Aにより前記厚さ方向に貫通する音響孔46を画成する。
【選択図】図3
【解決手段】上面41aにマイクロフォンチップ5を固定するモールド基板11の板状壁部41が、接地用のシールド板部25をモールド樹脂17により封止して構成され、シールド板部25は板状壁部41の厚さ方向にマイクロフォンチップ5と重なるように配される。シールド板部25には、モールド樹脂17から板状壁部41の上面41a側に露出する内部端子面25A、前記厚さ方向に貫通する貫通孔34、及び、これを囲むように板状壁部41の下面41bに露出する環状の接合面38が形成される。貫通孔34内にその内周面全体を覆う筒状部17Aをモールド樹脂17により形成し、筒状部17Aにより前記厚さ方向に貫通する音響孔46を画成する。
【選択図】図3
Description
この発明は、マイクロフォンパッケージ及びその製造方法に関する。
従来、マイクロフォンパッケージは、例えば特許文献1のように、中空の空洞部及びこれを外方に連通させる音響孔を有するハウジング内に音響を検出するマイクロフォンチップを設けて構成されている。ここで、ハウジングは、マイクロフォンチップを搭載する搭載面をなすプリント基板、セラミック基板等の多層配線基板、及び、マイクロフォンチップ及び搭載面の上方を覆う蓋体によって構成されている。
また、多層配線基板の外面には、マイクロフォンチップに電気接続された外部端子面が形成されており、このマイクロフォンパッケージを実装基板に実装する場合には、多層配線基板の外面を実装基板の実装面に対向させて、半田等により多層配線基板の外部端子面と実装基板のランド部とを接合している。
また、多層配線基板の外面には、マイクロフォンチップに電気接続された外部端子面が形成されており、このマイクロフォンパッケージを実装基板に実装する場合には、多層配線基板の外面を実装基板の実装面に対向させて、半田等により多層配線基板の外部端子面と実装基板のランド部とを接合している。
さらに、特許文献1に記載のマイクロフォンパッケージには、多層配線基板の搭載面から外面まで貫通する貫通孔によって音響孔を構成したものもある。この構成のマイクロフォンパッケージを実装基板に実装する場合は、実装基板にその厚さ方向に貫通する連通孔を形成しておき、音響孔が連通孔に対向するようにマイクロフォンパッケージを実装基板上に配する。したがって、マイクロフォンパッケージを実装基板に実装した状態では、音響が連通孔及び音響孔を介して空洞部内に導入されることになる。
ところで、マイクロフォンパッケージと実装基板との間には隙間があるため、音響が連通孔から音響孔に向かう間に上記隙間から漏れ出てしまうことがある。従来では、この音響の漏れ出しを防止するために、例えば特許文献1のように、多層配線基板の外面に音響孔の開口部分を囲む環状のメッキ面を別途形成した上で、上記隙間に連通孔及び音響孔の開口部分を囲む環状の半田を形成している。
しかしながら、ハウジングに使用する多層配線基板はそれ自体が高価である上、上述した音響孔や環状のメッキを形成する場合にはマイクロフォンパッケージの製造工程数がさらに多くなるため、マイクロフォンパッケージの製造は面倒となり、その製造コストもさらに高くなるという問題がある。
しかしながら、ハウジングに使用する多層配線基板はそれ自体が高価である上、上述した音響孔や環状のメッキを形成する場合にはマイクロフォンパッケージの製造工程数がさらに多くなるため、マイクロフォンパッケージの製造は面倒となり、その製造コストもさらに高くなるという問題がある。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、樹脂モールドの技術を用いて、安価かつ容易に製造可能なマイクロフォンパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明のマイクロフォンパッケージは、支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けてなるマイクロフォンチップと、前記内孔と共に中空の第1空間部を形成するように前記マイクロフォンチップを固定したモールド基板と、該モールド基板と共に前記マイクロフォンチップを含む中空の第2空間部を形成するように前記マイクロフォンチップに被せられた蓋体とを備え、前記モールド基板は、導電性板材からなるリードフレームをモールド樹脂により封止して構成されると共に、上面に前記マイクロフォンチップを固定する板状壁部を備え、前記リードフレームは、前記板状壁部の厚さ方向に前記マイクロフォンチップと重なるように配される接地用のシールド板部を備え、当該シールド板部には、前記モールド樹脂から前記板状壁部の上面側に露出して前記マイクロフォンチップに電気接続される内部端子面、前記厚さ方向に貫通する貫通孔、及び、当該貫通孔を囲むように前記板状壁部の下面に露出する環状の接合面が形成され、前記モールド樹脂が前記貫通孔内においてその内周面全体を覆う筒状部に形成されることで、当該筒状部により前記板状壁部の厚さ方向に貫通して前記第1空間部及び前記第2空間部のいずれか一方を外方に連通させる音響孔が画成されることを特徴とする。
なお、上記マイクロフォンパッケージを実装する実装基板には、その厚さ方向に貫通して前記音響孔に対向配置される連通孔、及び、前記接合面に対向するように連通孔の周囲に位置して実装基板のグランドパターンをなす環状の接合用ランド部が形成されていればよい。
本発明のマイクロフォンパッケージは、支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けてなるマイクロフォンチップと、前記内孔と共に中空の第1空間部を形成するように前記マイクロフォンチップを固定したモールド基板と、該モールド基板と共に前記マイクロフォンチップを含む中空の第2空間部を形成するように前記マイクロフォンチップに被せられた蓋体とを備え、前記モールド基板は、導電性板材からなるリードフレームをモールド樹脂により封止して構成されると共に、上面に前記マイクロフォンチップを固定する板状壁部を備え、前記リードフレームは、前記板状壁部の厚さ方向に前記マイクロフォンチップと重なるように配される接地用のシールド板部を備え、当該シールド板部には、前記モールド樹脂から前記板状壁部の上面側に露出して前記マイクロフォンチップに電気接続される内部端子面、前記厚さ方向に貫通する貫通孔、及び、当該貫通孔を囲むように前記板状壁部の下面に露出する環状の接合面が形成され、前記モールド樹脂が前記貫通孔内においてその内周面全体を覆う筒状部に形成されることで、当該筒状部により前記板状壁部の厚さ方向に貫通して前記第1空間部及び前記第2空間部のいずれか一方を外方に連通させる音響孔が画成されることを特徴とする。
なお、上記マイクロフォンパッケージを実装する実装基板には、その厚さ方向に貫通して前記音響孔に対向配置される連通孔、及び、前記接合面に対向するように連通孔の周囲に位置して実装基板のグランドパターンをなす環状の接合用ランド部が形成されていればよい。
そして、上記マイクロフォンパッケージを実装基板に実装する際には、モールド基板の音響孔が実装基板の連通孔に対向するようにモールド基板の下面を実装基板の実装面に対向させた状態で、半田によりシールド板部の接合面を実装基板の接合用ランド部に接合すればよい。
この接合状態においては、音響等の圧力変動が連通孔及び音響孔を介して空洞部内に導入されるが、接合面と接合用ランド部とを接合する半田によって、圧力変動が実装基板とモールド基板との隙間から漏れ出ることを防止できる。
また、この接合状態においては、外部において生じた電磁気的なノイズがシールド板部を介してマイクロフォンチップに到達することを抑制できる。すなわち、マイクロフォンチップに対する電磁気的なシールド効果を得ることができる。
この接合状態においては、音響等の圧力変動が連通孔及び音響孔を介して空洞部内に導入されるが、接合面と接合用ランド部とを接合する半田によって、圧力変動が実装基板とモールド基板との隙間から漏れ出ることを防止できる。
また、この接合状態においては、外部において生じた電磁気的なノイズがシールド板部を介してマイクロフォンチップに到達することを抑制できる。すなわち、マイクロフォンチップに対する電磁気的なシールド効果を得ることができる。
さらに、貫通孔自体が音響孔を構成する場合、すなわち、貫通孔の内周面が露出して接合面に連なる場合には、接合面と接合用ランド部とを接合する半田が貫通孔の内周面に濡れ広がる虞がある。これに対して本発明のマイクロフォンパッケージでは、この貫通孔の内周面全体がモールド樹脂からなる筒状部によって覆われているため、前記半田が接合面から筒状部に濡れ広がることはない。したがって、前記半田が音響孔に入り込むことを防止して、音響孔内への半田の侵入に基づく音響孔の縮小を防いで、共振周波数等の音響特性の低下を防止できる。
そして、前記マイクロフォンパッケージにおいては、前記上面をなす前記筒状部の端面には、前記音響孔を囲む筒状突起部が突出して形成されていることが好ましい。
このマイクロフォンパッケージによれば、ダイボンドを介してマイクロフォンチップを板状壁部の上面に固着する際に、ダイボンドが筒状突起部によって堰き止められ、音響孔に流れ込むことを防止できる。したがって、ダイボンド材の音響孔内への侵入に基づく半導体パッケージの音響特性の低下を防止できる。
このマイクロフォンパッケージによれば、ダイボンドを介してマイクロフォンチップを板状壁部の上面に固着する際に、ダイボンドが筒状突起部によって堰き止められ、音響孔に流れ込むことを防止できる。したがって、ダイボンド材の音響孔内への侵入に基づく半導体パッケージの音響特性の低下を防止できる。
さらに、前記マイクロフォンパッケージにおいては、前記板状壁部の上面における前記音響孔の開口中心と、前記板状壁部の下面における前記音響孔の開口中心とが、互いに前記板状壁部の面方向にずれて位置していてもよい。
このマイクロフォンパッケージによれば、太陽光のように直進性の高い電磁波が音響孔内に入り込んでも、その大部分を板状壁部の下面から外方に露出する音響孔の内面において遮断できるため、直進性の高い電磁波が音響孔に連通する第1空間部や第2空間部に侵入することを抑制できる。したがって、マイクロフォンチップに対する電磁波の影響を大きく低減することが可能となる。
このマイクロフォンパッケージによれば、太陽光のように直進性の高い電磁波が音響孔内に入り込んでも、その大部分を板状壁部の下面から外方に露出する音響孔の内面において遮断できるため、直進性の高い電磁波が音響孔に連通する第1空間部や第2空間部に侵入することを抑制できる。したがって、マイクロフォンチップに対する電磁波の影響を大きく低減することが可能となる。
そして、前記マイクロフォンパッケージを製造する本発明の製造方法は、前記貫通孔が形成された前記シールド板部を備える前記リードフレームを導電性板材に形成すると共に、前記板状壁部の下面側に向く前記シールド板部の裏面のうち前記貫通孔を囲む部分を前記裏面の他の部分よりも前記厚さ方向に高い前記接合面として形成するフレーム準備工程と、一対の金型により前記シールド板部をその厚さ方向から狭持することで前記貫通孔の内側に筒状のキャビティを形成し、当該キャビティ内に前記モールド樹脂を射出することで前記筒状部を形成して前記板状壁部を構成するモールド工程とを経て前記モールド基板を構成し、前記モールド工程において、前記キャビティが前記シールド板部の表面上まで延びて形成されると共に、前記モールド樹脂を前記シールド板部の表面上に位置する前記キャビティに流し込むことを特徴とする。
この製造方法によれば、前記マイクロフォンパッケージを容易に製造することができる。なお、このように製造されるマイクロフォンパッケージでは、モールド樹脂が筒状部に連なるように、板状壁部の上面側に向くシールド板部の表面を覆うように形成されることになる。
また、この製造方法によれば、筒状部形成用のキャビティがシールド板部の表面上まで延びて形成されていることにより、モールド樹脂をシールド板部の表面上から貫通孔の内側に容易に流し込むことができる。したがって、シールド板部の裏面に環状の接合面が形成されていても、モールド樹脂により貫通孔の内周面を容易に覆うことができ、また、音響孔を容易に画成することができる。
また、この製造方法によれば、筒状部形成用のキャビティがシールド板部の表面上まで延びて形成されていることにより、モールド樹脂をシールド板部の表面上から貫通孔の内側に容易に流し込むことができる。したがって、シールド板部の裏面に環状の接合面が形成されていても、モールド樹脂により貫通孔の内周面を容易に覆うことができ、また、音響孔を容易に画成することができる。
本発明によれば、音響孔の周囲に形成されて音響の漏れ出しを防止する環状の接合面をシールド板部に一体に形成することで、音漏れを防止できるマイクロフォンパッケージを、樹脂モールドの技術により安価かつ容易に製造することが可能となる。
また、半田が音響孔に入り込むことを防止できるため、半田の音響孔内への侵入に基づく半導体パッケージの共振周波数等の音響特性の低下も防止できる。
また、半田が音響孔に入り込むことを防止できるため、半田の音響孔内への侵入に基づく半導体パッケージの共振周波数等の音響特性の低下も防止できる。
以下、図1〜7を参照して本発明の一実施形態に係るマイクロフォンパッケージについて説明する。図1〜3に示すように、この実施形態に係るマイクロフォンパッケージ1は、中空の空洞部(第2空間部)S2を有するパッケージ本体3内に、マイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7を設けて構成されている。
マイクロフォンチップ5は、厚さ方向に貫通する内孔51aを形成してなる支持部51と、支持部51の内孔51aを覆うように設けられて音響等の圧力変動を振動により検出する音響検出部53とを備えている。また、音響検出部53は、支持部51の内孔51aを覆うように設けられた略板状の固定電極53Aと、固定電極53Aと支持部51の厚さ方向に所定の間隔をもって対向配置されて圧力変動に応じて振動するダイヤフラム53Bとを備えている。
制御回路チップ7は、例えばマイクロフォンチップ5からの電気信号を増幅するための増幅回路や、前記電気信号をデジタル信号として処理するためのA/D変換器、DSP(デジタルシグナルプロセッサ)等を含んで構成されている。
制御回路チップ7は、例えばマイクロフォンチップ5からの電気信号を増幅するための増幅回路や、前記電気信号をデジタル信号として処理するためのA/D変換器、DSP(デジタルシグナルプロセッサ)等を含んで構成されている。
パッケージ本体3は、これらマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7を固定するモールド基板11と、モールド基板11と共に空洞部S2を形成するようにマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7に被せられる蓋体13とを備えている。そして、モールド基板11は、導電性板材からなるリードフレーム15(図4,5参照)をモールド樹脂17により封止して構成され、上面41aにマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7を並べて搭載する平面視矩形板状の底壁板部(板状壁部)41と、底壁板部41の上面41aの周縁部に立設された平面視矩形環状の周壁部42とを備えた箱型に形成されている。
図4,5に示すように、リードフレーム15は、帯状の導電性板材に、図4に示す単位を1個のものとして1列あるいは複数列に並ぶようにプレス加工によって複数連ねて形成されるものである。以下、本明細書中では1個単位のものをリードフレームと称する。
なお、図4において、符号21は導電性板材に対するリードフレーム15の形成加工によってリードフレーム15の周囲に形成される外枠部を示しており、符号23はリードフレーム15を外枠部21に接続するための接続フレーム部を示している。
なお、図4において、符号21は導電性板材に対するリードフレーム15の形成加工によってリードフレーム15の周囲に形成される外枠部を示しており、符号23はリードフレーム15を外枠部21に接続するための接続フレーム部を示している。
リードフレーム15は、比較的広い面積を有する接地用のシールド板部(一の接続端子板部)25と、該シールド板部25の周囲にその面方向に隙間を介して配される3つの接続端子板部(他の接続端子板部)26〜28とを備えて構成されている。
シールド板部25は、平面視矩形状に形成されたリードフレーム15の1つの隅部を中心としてリードフレーム15の二辺の一部をなすように形成された平面視略矩形状の本体部31と、この本体部31からその面方向に一体に延出する2つの延長部32,33とを備えている。本体部31には、その厚さ方向に貫通する貫通孔34が形成されている。また、2つの延長部32,33は、それぞれリードフレーム15の他の二辺の中途部をなすように配されている。そして、シールド板部25の第1延長部32の表面の一部は、マイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7に電気接続される内部端子面25Aをなしている。
シールド板部25は、平面視矩形状に形成されたリードフレーム15の1つの隅部を中心としてリードフレーム15の二辺の一部をなすように形成された平面視略矩形状の本体部31と、この本体部31からその面方向に一体に延出する2つの延長部32,33とを備えている。本体部31には、その厚さ方向に貫通する貫通孔34が形成されている。また、2つの延長部32,33は、それぞれリードフレーム15の他の二辺の中途部をなすように配されている。そして、シールド板部25の第1延長部32の表面の一部は、マイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7に電気接続される内部端子面25Aをなしている。
3つの接続端子板部26〜28は、シールド板部25及び外枠部21によって囲まれた残り3つの隅部にそれぞれ配置されている。なお、図示例における3つの接続端子板部26〜28は、それぞれ電源用端子板部26、出力用端子板部27、ゲイン用端子板部28として機能している。これら3つの接続端子板部26〜28の表面の一部は、それぞれマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7に電気接続される内部端子面26A〜28Aをなしている。
そして、シールド板部25の2つの延長部32,33は、電源用端子板部26と出力用端子板部27との間、及び、出力用端子板部27とゲイン用端子板部28との間にそれぞれ配置されている。
そして、シールド板部25の2つの延長部32,33は、電源用端子板部26と出力用端子板部27との間、及び、出力用端子板部27とゲイン用端子板部28との間にそれぞれ配置されている。
リードフレーム15の裏面は、図5に示すように、その四隅の矩形状部分を除く大部分がハーフエッチングされ、これら4つの矩形状部分はそれぞれシールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28の外部端子面25B〜28Bをなしている。そして、四隅の矩形状部分はほぼ同じ大きさに形成されているため、シールド板部25の大部分が、リードフレーム15の裏面側からハーフエッチングされている。また、ゲイン用端子板部28のうち外部端子面28Bを除く部分も、同様にリードフレーム15の裏面側からハーフエッチングされている。
ただし、シールド板部25の裏面側のうち、貫通孔34を囲む周縁部分は、外部端子面25B〜28Bの形成部分と同様にハーフエッチングされておらず、外部端子面25B〜28Bと同じ高さの平面に形成された環状の接合面38とされている。また、シールド板部25の第1延長部35の裏面側にも、シールド板部25の接合面38と同様に、外部端子面25B〜28Bと同じ高さの支持面40が形成されている。
すなわち、上述した外部端子面25B〜28B、接合面38及び支持面40は、ハーフエッチングされたシールド板部25の裏面の他の部分よりもシールド板部25の厚さ方向に高く位置している。
なお、上述したリードフレーム15の裏面側のハーフエッチング領域は、図5においてハッチング領域によって示されている。
すなわち、上述した外部端子面25B〜28B、接合面38及び支持面40は、ハーフエッチングされたシールド板部25の裏面の他の部分よりもシールド板部25の厚さ方向に高く位置している。
なお、上述したリードフレーム15の裏面側のハーフエッチング領域は、図5においてハッチング領域によって示されている。
底壁板部41は、図1〜3に示すように、上記構成のシールド板部25及び接続端子板部26〜28をモールド樹脂17により封止して構成されている。
この底壁板部41において、モールド樹脂17は、相互に隣り合うシールド板部25及び接続端子板部26〜28の隙間に充填されている。また、モールド樹脂17は、貫通孔34の周縁部分を含むシールド板部25及び接続端子板部26〜28の表面の大部分を覆って底壁板部41の上面41aをなすように平坦に形成されているが、制御回路チップ7の配置面をなすシールド板部25の表面25c、並びに、シールド板部25及び接続端子板部26〜28の内部端子面25A〜28Aを覆ってはいない。すなわち、マイクロフォンチップ5および制御回路チップ7を固定する底壁板部41の上面41aは、シールド板部25の表面25cとモールド樹脂17の表面との間に複数の段差を有して形成されている。
この底壁板部41において、モールド樹脂17は、相互に隣り合うシールド板部25及び接続端子板部26〜28の隙間に充填されている。また、モールド樹脂17は、貫通孔34の周縁部分を含むシールド板部25及び接続端子板部26〜28の表面の大部分を覆って底壁板部41の上面41aをなすように平坦に形成されているが、制御回路チップ7の配置面をなすシールド板部25の表面25c、並びに、シールド板部25及び接続端子板部26〜28の内部端子面25A〜28Aを覆ってはいない。すなわち、マイクロフォンチップ5および制御回路チップ7を固定する底壁板部41の上面41aは、シールド板部25の表面25cとモールド樹脂17の表面との間に複数の段差を有して形成されている。
さらに、モールド樹脂17は、シールド板部25及び接続端子板部26〜28の裏面側のハーフエッチング領域を覆うことで、外部端子面25B〜28B、接合面38及び支持面40と共に底壁板部41の平坦な下面41bを形成している。すなわち、外部端子面25B〜28B、接合面38及び支持面40は、いずれも底壁板部41の下面41bに露出している。
また、モールド樹脂17は貫通孔34の内周面全体を覆っており、貫通孔34内に配されたモールド樹脂17は筒状部17Aとして形成されている。そして、この筒状部17Aにより底壁板部41の厚さ方向に貫通する音響孔46が画成されている。すなわち、モールド樹脂17に形成された音響孔46の内径は、貫通孔34の内径よりも小さく形成されている。また、筒状部17Aは、シールド板部25の表面25cから上方に突出するように形成され、シールド板部25の表面25cを覆うモールド樹脂17と一体に連なっている。
そして、周壁部42は、モールド樹脂17によって底壁板部41のモールド樹脂17部分と一体に形成されており、上方に向かうにしたがって幅が小さくなる断面台形状を呈している。
また、モールド樹脂17は貫通孔34の内周面全体を覆っており、貫通孔34内に配されたモールド樹脂17は筒状部17Aとして形成されている。そして、この筒状部17Aにより底壁板部41の厚さ方向に貫通する音響孔46が画成されている。すなわち、モールド樹脂17に形成された音響孔46の内径は、貫通孔34の内径よりも小さく形成されている。また、筒状部17Aは、シールド板部25の表面25cから上方に突出するように形成され、シールド板部25の表面25cを覆うモールド樹脂17と一体に連なっている。
そして、周壁部42は、モールド樹脂17によって底壁板部41のモールド樹脂17部分と一体に形成されており、上方に向かうにしたがって幅が小さくなる断面台形状を呈している。
前述したマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7は、それぞれダイボンド71,72を介して周壁部42よりも内側に位置する底壁板部41の上面41aにそれぞれ固定される。より具体的に説明すれば、マイクロフォンチップ5はモールド樹脂17からなる上面41aに固定され、制御回路チップ7はシールド板部25の表面25cからなる上面41aに固定されている。
この固定状態において、マイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7は、シールド板部25とその厚さ方向に重なる位置に配されている。また、上記固定状態においては、マイクロフォンチップ5の内孔51a及びダイヤフラム53B、並びに、底壁板部41の上面41aによって、中空の空間部(第1空間部)S1が形成され、音響孔46を介して外方に連通されている。
この固定状態において、マイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7は、シールド板部25とその厚さ方向に重なる位置に配されている。また、上記固定状態においては、マイクロフォンチップ5の内孔51a及びダイヤフラム53B、並びに、底壁板部41の上面41aによって、中空の空間部(第1空間部)S1が形成され、音響孔46を介して外方に連通されている。
そして、これらマイクロフォンチップ5と制御回路チップ7とは、これらの間で上方に湾曲したループ形状をなす複数のボンディングワイヤ55によって電気接続されている。さらに、制御回路チップ7とシールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28の内部端子面25A〜28Aとの各間にボンディングワイヤ56が配されることで、マイクロフォンチップ5がシールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28に電気接続される。
蓋体13は、例えば銅材等からなる導電性材料を平板状に形成したものであり、接着剤等により周壁部42の上端面42aの周方向にわたって固定されることで、モールド基板11の上側の開口を塞ぎ、これによって空間部S1に対して隔離された空洞部S2が形成される。この空洞部S2はマイクロフォンチップ5の背部気室として機能する。
また、蓋体13をモールド基板11に固定した状態では、蓋体13がシールド板部25に電気接続されると共に、マイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7がシールド板部25及び蓋体13の間に配されることになる。
また、蓋体13をモールド基板11に固定した状態では、蓋体13がシールド板部25に電気接続されると共に、マイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7がシールド板部25及び蓋体13の間に配されることになる。
以上のように構成されるマイクロフォンパッケージ1の製造方法について説明する。
マイクロフォンパッケージ1を製造する際には、はじめにモールド基板11を製造する。この際には、はじめに、図4,5に示すリードフレーム15を用意する(リードフレーム準備工程)。この工程では、帯状の導電性板材の必要な箇所にマスキングをしてエッチング処理することで、図5に示すハッチング領域を導電性板材の半分程度までエッチングする。そして、プレス加工によって外形を打抜くことで、接続フレーム部23によって外枠部21に接続状態とされたリードフレーム15が形成される。なお、音響孔46用の貫通孔34もこのプレス加工によって形成される。
マイクロフォンパッケージ1を製造する際には、はじめにモールド基板11を製造する。この際には、はじめに、図4,5に示すリードフレーム15を用意する(リードフレーム準備工程)。この工程では、帯状の導電性板材の必要な箇所にマスキングをしてエッチング処理することで、図5に示すハッチング領域を導電性板材の半分程度までエッチングする。そして、プレス加工によって外形を打抜くことで、接続フレーム部23によって外枠部21に接続状態とされたリードフレーム15が形成される。なお、音響孔46用の貫通孔34もこのプレス加工によって形成される。
その後、図6に示すように、リードフレーム15を射出成形金型(一対の金型)内に配置することで形成されるキャビティ83内に、モールド樹脂17を射出してリードフレーム15を封止する(モールド工程)。
なお、このモールド工程において使用する射出成形金型の下型81には、底壁板部41の下面41bに対応する平坦面81Aが形成されている。
一方、射出成形金型の上型82には、段差を有して形成される底壁板部41の上面41aに対応する段差面82A、及び、周壁部42の形状に対応する凹部82Cが連ねて形成されている。また、上型82には、貫通孔34よりも小径の上側ピン84Aが段差面82Aの低い方の面から突出するように設けられている。この上側ピン84Aは、音響孔46に対応するものであり、音響孔46と同等の径寸法を有する円柱状に形成されている。また、上側ピン84Aは、スプリング85によって上型82から下型81の平坦面81Aに向けて付勢されるように構成されている。
なお、このモールド工程において使用する射出成形金型の下型81には、底壁板部41の下面41bに対応する平坦面81Aが形成されている。
一方、射出成形金型の上型82には、段差を有して形成される底壁板部41の上面41aに対応する段差面82A、及び、周壁部42の形状に対応する凹部82Cが連ねて形成されている。また、上型82には、貫通孔34よりも小径の上側ピン84Aが段差面82Aの低い方の面から突出するように設けられている。この上側ピン84Aは、音響孔46に対応するものであり、音響孔46と同等の径寸法を有する円柱状に形成されている。また、上側ピン84Aは、スプリング85によって上型82から下型81の平坦面81Aに向けて付勢されるように構成されている。
そして、モールド工程においては、下型81の平坦面81Aに、シールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28に形成された外部端子面25B〜28B、並びに、シールド板部25の接合面38及び支持面40が当接する。また、下型81の平坦面81Aには、貫通孔34内に挿入された上側ピン84Aの先端面が当接する。
一方、上型82の内面には、シールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28に形成された内部端子面25A〜28A、並びに、シールド板部25の表面25cのうち制御回路チップ7が配される領域が当接する。具体的には、上型82の段差面82Aの高い方の面が、制御回路チップ7の配置領域及び内部端子面25Aをなすシールド板部25の表面25cや、内部端子面26A〜28Aをなす3つの接続端子板部26〜28の表面に当接する。
以上により、シールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28が、それぞれ上型82及び下型81によって狭持されることになる。また、リードフレーム15の外側においては、接続フレーム部23が上型82及び下型81によって狭持される。
一方、上型82の内面には、シールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28に形成された内部端子面25A〜28A、並びに、シールド板部25の表面25cのうち制御回路チップ7が配される領域が当接する。具体的には、上型82の段差面82Aの高い方の面が、制御回路チップ7の配置領域及び内部端子面25Aをなすシールド板部25の表面25cや、内部端子面26A〜28Aをなす3つの接続端子板部26〜28の表面に当接する。
以上により、シールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28が、それぞれ上型82及び下型81によって狭持されることになる。また、リードフレーム15の外側においては、接続フレーム部23が上型82及び下型81によって狭持される。
そして、この狭持状態においては、貫通孔34の内側に上側ピン84Aからなる筒状の第1キャビティ部83Aが形成され、シールド板部25の表面25c上に段差面82Aからなる第2キャビティ部83B及び凹部82Cからなる第3キャビティ部83Cが形成される。また、シールド板部25の裏面側のハーフエッチング領域上に第4キャビティ部83Dが形成される。これら複数のキャビティ部83A〜83Dは、シールド板部25及び接続端子板部26〜28の隙間等によって連結されることで一体のキャビティ83として形成される。
そして、このキャビティ83内にモールド樹脂17を射出する際には、モールド樹脂17をシールド板部25の表面25c上に位置する第2キャビティ部83Bや第3キャビティ部83Cに流し込むことで、モールド樹脂17が第2キャビティ部83Bから貫通孔34の内側の第1キャビティ部83Aに流れ込むことになる。なお、上側ピン84Aの先端面はスプリング85の付勢力によって下型81の平坦面81Aに押し付けられているため、上側ピン84Aの先端面と下型81の平坦面81Aとの間に隙間が形成されてモールド樹脂17が入り込むことは防止される。したがって、モールド工程においては、音響孔46の内側に突出する樹脂バリが生じることを防いで、音響孔46の孔径が小さくなることを防止できる。
以上のようにモールド工程を実施した後には、モールド樹脂17の外部に露出するシールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28の内部端子面25A〜28A、外部端子面25B〜28B及びシールド板部25の接合面38にメッキ処理を施す(メッキ処理工程)ことでモールド基板11の製造が終了する。
以上のようにモールド工程を実施した後には、モールド樹脂17の外部に露出するシールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28の内部端子面25A〜28A、外部端子面25B〜28B及びシールド板部25の接合面38にメッキ処理を施す(メッキ処理工程)ことでモールド基板11の製造が終了する。
モールド基板11の製造後には、図1,3に示すように、底壁板部41の上面41aにマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7をダイボンド71,72により固着し(ダイボンド工程)、マイクロフォンチップ5と制御回路チップ7との間、及び、制御回路チップ7とシールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28の各内部端子面25A〜28Aとの間にそれぞれボンディングワイヤ55,56を配する(配線工程)。
そして、別途製作しておいた蓋体13をマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7に被せるように周壁部42の上端面42aに接着する(蓋体取付工程)。なお、この工程においては、蓋体13がリードフレーム15と同様の接続フレーム部(不図示)によってモールド基板11と同じピッチで複数連ねて形成されていれば、複数の蓋体13を一括して複数のモールド基板11に接着することができる。
最後に、モールド樹脂17から突出しているリードフレーム15の接続フレーム部23や蓋体13の接続フレーム部を切断することで、マイクロフォンパッケージ1の製造が完了する。
そして、別途製作しておいた蓋体13をマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7に被せるように周壁部42の上端面42aに接着する(蓋体取付工程)。なお、この工程においては、蓋体13がリードフレーム15と同様の接続フレーム部(不図示)によってモールド基板11と同じピッチで複数連ねて形成されていれば、複数の蓋体13を一括して複数のモールド基板11に接着することができる。
最後に、モールド樹脂17から突出しているリードフレーム15の接続フレーム部23や蓋体13の接続フレーム部を切断することで、マイクロフォンパッケージ1の製造が完了する。
以上のように製造されたマイクロフォンパッケージ1は、図7に示すように、厚さ方向に貫通して音響孔46に対向配置される連通孔93、及び、シールド板部25の接合面38に対向して連通孔93の周囲に位置する環状の接合用ランド95を形成した実装基板91に実装することができる。また、実装基板91には、シールド板部25及び3つの接続端子板部26〜28の各外部端子面25B〜28Bにそれぞれ対向配置される複数のランド(不図示)も形成されている。なお、接合用ランド95は実装基板91のグランドパターンをなしている。
すなわち、マイクロフォンパッケージ1を実装基板91に実装する際には、底壁板部41の下面41bに露出する複数の外部端子面25B〜28Bを実装基板91の各ランドにそれぞれ半田付けすると共に、シールド板部25の接合面38を実装基板91の接合用ランド95に半田付けすればよい。
すなわち、マイクロフォンパッケージ1を実装基板91に実装する際には、底壁板部41の下面41bに露出する複数の外部端子面25B〜28Bを実装基板91の各ランドにそれぞれ半田付けすると共に、シールド板部25の接合面38を実装基板91の接合用ランド95に半田付けすればよい。
この接合状態においては、外部の圧力変動が連通孔93及び音響孔46を介して空間部S1に導入されるが、シールド板部25の接合面38と実装基板91の接合用ランド95とを接合した半田99により、圧力変動がマイクロフォンパッケージ1と実装基板91との隙間から外部に漏れ出すことを防止できる。
また、この状態においては、シールド板部25及びこれに電気接続された蓋体13が実装基板91を介して接地状態となるため、マイクロフォンパッケージ1の外部において生じた電磁気的なノイズがシールド板部25や蓋体13を介してマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7に到達することを抑制できる。すなわち、マイクロフォンチップ5に対する電磁気的なシールド効果を得ることができる。
また、この状態においては、シールド板部25及びこれに電気接続された蓋体13が実装基板91を介して接地状態となるため、マイクロフォンパッケージ1の外部において生じた電磁気的なノイズがシールド板部25や蓋体13を介してマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7に到達することを抑制できる。すなわち、マイクロフォンチップ5に対する電磁気的なシールド効果を得ることができる。
そして、上記マイクロフォンパッケージ1によれば、音響孔46の周囲に形成されて音響の漏れ出しを防止する環状の接合面38をシールド板部25に一体に形成することで、音漏れを防止できるマイクロフォンパッケージ1を、樹脂モールドの技術により安価かつ容易に製造することができる。
さらに、上記マイクロフォンパッケージ1によれば、貫通孔34の内周面全体がモールド樹脂17からなる筒状部17Aによって覆われているため、接合面38と接合用ランド95とを接合する半田99が接合面38から筒状部17Aに濡れ広がることはない。したがって、半田99が音響孔46に入り込むことを防止できる。すなわち、音響孔46内への半田99の侵入に基づく共振周波数等の音響特性の低下を防止できる。
なお、共振周波数とは、音響孔46の周辺において生じるヘルムホルツの共鳴に基づく空間部S1の共振周波数を示している。また、音響孔46内に半田99が侵入して音響孔46の実質的な大きさが設定値よりも小さくなると、この共振周波数が可聴領域内の周波数まで下がり、マイクロフォンチップ5において検出される音響の質が低下する。
なお、共振周波数とは、音響孔46の周辺において生じるヘルムホルツの共鳴に基づく空間部S1の共振周波数を示している。また、音響孔46内に半田99が侵入して音響孔46の実質的な大きさが設定値よりも小さくなると、この共振周波数が可聴領域内の周波数まで下がり、マイクロフォンチップ5において検出される音響の質が低下する。
また、上記マイクロフォンパッケージ1の製造方法によれば、マイクロフォンパッケージ1を容易に製造できる。特に、筒状部17A形成用の第1キャビティ部83Aがシールド板部25の表面25c上の第2キャビティ部83Bに連ねて形成されているため、モールド樹脂17をシールド板部25の表面25c上から貫通孔34の内側に容易に流し込むことができる。したがって、シールド板部25の裏面側に貫通孔34の周縁をなす環状の接合面38が形成されていても、モールド樹脂17により貫通孔34の内周面を容易に覆うことができ、また、音響孔46を容易に画成することができる。
なお、上記実施形態では、モールド工程でリードフレーム15を射出成型金型内に配置した状態において、全てのキャビティ部38A〜38Dが一体に連結されるとしたが、少なくとも第1キャビティ部83Aと第2キャビティ部83Bとが一体に連なっていればよい。すなわち、筒状部17A形成用のキャビティは少なくともシールド板部25の表面25c上まで延びて形成されていればよい。この場合でも、上記実施形態と同様に、モールド樹脂17をシールド板部25の表面25c上から貫通孔34の内側に容易に流し込むことができる。
また、モールド工程において使用する射出成型金型では、上記実施形態のように上型82に筒状部17A形成用の上側ピン84Aを設ける代わりに、例えば下型81に筒状部17A形成用の下側ピンを設けてもよい。この下側ピンは、貫通孔34に挿入されて上型82の段差面82Aの低い方の面に当接するように構成されていればよく、また、上記実施形態の上側ピン84Aと同様に、スプリングによって下型81から上型82の段差面82Aの低い方の面に向けて押し付けることができるように構成されていることが好ましい。
また、上記実施形態のマイクロフォンパッケージ1の構成に加えて、例えば図8に示すように、底壁板部41の上面41aをなす筒状部17Aの端面に、音響孔46の周囲を囲む筒状突起部49が突出して形成されていてもよい。この場合には、ダイボンド71を介してマイクロフォンチップ5を底壁板部41の上面41aに固着する際に、ダイボンド71が筒状突起部49によって堰き止められ、音響孔46内に流れ込むことを防止することができる。したがって、ダイボンド71の音響孔46内への侵入に基づくマイクロフォンパッケージ2の音響特性の低下を防止できる。
なお、図示例においては、筒状突起部49がマイクロフォンチップ5の内孔51aの内側に配されているが、例えば筒状突起部49の内径をマイクロフォンチップ5の内孔51aの内径よりも大きく形成し、支持部51の下面を筒状突起部49の先端に当接させてもよい。この場合には、底壁板部41の上面41aと支持部51の下面との隙間にダイボンド71が充填されるように、筒状突起部49の高さ寸法を調整すればよい。
なお、図示例においては、筒状突起部49がマイクロフォンチップ5の内孔51aの内側に配されているが、例えば筒状突起部49の内径をマイクロフォンチップ5の内孔51aの内径よりも大きく形成し、支持部51の下面を筒状突起部49の先端に当接させてもよい。この場合には、底壁板部41の上面41aと支持部51の下面との隙間にダイボンド71が充填されるように、筒状突起部49の高さ寸法を調整すればよい。
そして、上記構成の筒状突起部49を形成するためには、モールド工程において使用する射出成型金型に、上記実施形態の上側ピン84Aを形成する代わりに、例えば図9に示すように、下側突起86A及び上側大径ピン84Bを形成すればよい。
すなわち、射出成型金型の下型81には、貫通孔34よりも小径に形成された筒状部17A形成用の下側突起86Aが平坦面81Aから突出するように設けられている。この下側突起86Aの先端面は平坦に形成され、下側突起86Aの突出高さは底壁板部41の下面41bからモールド樹脂17によって形成される上面41aまでの厚さ寸法よりも高く設定されている。
一方、射出成型金型の上型82には、下側突起86Aよりも大径の上側大径ピン84Bが段差面82Aの低い方の面から突出するように設けられている。この上側大径ピン84Bは、その先端面が平坦に形成され、また、スプリング85によって上型82から下型81に向けて付勢されている。なお、図示例において、上側大径ピン84Bの外径は貫通孔34の内径よりも小さく設定されているが、例えば大きく設定されていてもよいし、同等に設定されていてもよい。
すなわち、射出成型金型の下型81には、貫通孔34よりも小径に形成された筒状部17A形成用の下側突起86Aが平坦面81Aから突出するように設けられている。この下側突起86Aの先端面は平坦に形成され、下側突起86Aの突出高さは底壁板部41の下面41bからモールド樹脂17によって形成される上面41aまでの厚さ寸法よりも高く設定されている。
一方、射出成型金型の上型82には、下側突起86Aよりも大径の上側大径ピン84Bが段差面82Aの低い方の面から突出するように設けられている。この上側大径ピン84Bは、その先端面が平坦に形成され、また、スプリング85によって上型82から下型81に向けて付勢されている。なお、図示例において、上側大径ピン84Bの外径は貫通孔34の内径よりも小さく設定されているが、例えば大きく設定されていてもよいし、同等に設定されていてもよい。
そして、上記実施形態と同様に、下型81上型82によってリードフレーム15をその厚さ方向から狭持した状態では、下側突起86A及び上側大径ピン84Bの先端面同士が当接する。さらに、上側大径ピン84Bが下側突起86Aに押し付けられてスプリング85の付勢力に抗って上方に移動し、上側大径ピン84Bの先端面が段差面82Aの低い方の面よりも窪んだ位置に配される。すなわち、これら上側大径ピン84Bの先端面と段差面82Aの低い方の面との段差によって環状のキャビティ部83Eを形成することができ、このキャビティ部83Eにモールド樹脂17を流し込むことで筒状突起部49を形成することができる。したがって、下側突起86A及び上側大径ピン84Bの中心軸は、互いに一致していることが好ましいが、下側突起86Aの先端面全体が上側大径ピン84Bの先端面の周縁よりも内側において当接すれば、互いにずれていても構わない。
そして、図9に示す射出成形金型によれば、上側大径ピン84Bの先端面が下側突起86Aの先端面よりも大きく形成されていることから、モールド工程後に上型82をモールド基板12(図8参照)から離間させる上型82の離型時には、スプリング85の応力によって上側大径ピン84Bが筒状突起部49を下方に押さえつけることで、筒状突起部49やその周辺のモールド樹脂17の部分を上型82から滑らかに離間させることができる。したがって、上側大径ピン84Bの先端面やその周辺に位置する上型82の内面に当接するモールド樹脂17部分、特に筒状突起部49をなすモールド樹脂17部分が欠けることを防止できる。
なお、図9に示す射出成形金型は、図8に示すモールド基板12だけではなく図3に示すモールド基板11も形成することが可能である。すなわち、下側突起86Aの突出高さを底壁板部41の下面41bからモールド樹脂17によって形成される上面41aまでの厚さ寸法と同等に設定すれば、下型81及び上型82でリードフレーム15を挟み込んだ状態で、上側大径ピン84Bの先端面が上型82の段差面82Aの低い方の面と同一平面をなすように位置するため、図3に示すモールド基板11を形成することができる。
なお、図9に示す射出成形金型は、図8に示すモールド基板12だけではなく図3に示すモールド基板11も形成することが可能である。すなわち、下側突起86Aの突出高さを底壁板部41の下面41bからモールド樹脂17によって形成される上面41aまでの厚さ寸法と同等に設定すれば、下型81及び上型82でリードフレーム15を挟み込んだ状態で、上側大径ピン84Bの先端面が上型82の段差面82Aの低い方の面と同一平面をなすように位置するため、図3に示すモールド基板11を形成することができる。
また、上記実施形態において、シールド板部25の貫通孔34は、その内径が貫通方向にわたって一定となるように形成されているが、少なくとも貫通孔34の内周面が筒状部17Aによって覆われていればよい。すなわち、貫通孔34は、例えば図10に示すように、シールド板部25の表面25c側における内径が、接合面38の内縁をなすシールド板部25の裏面側における内径よりも小さくなるように、貫通方向に段差を有して形成されてもよい。言い換えれば、シールド板部25には、筒状部17Aに覆われて音響孔46の内周面に表出しない範囲で、貫通孔34の内周面から径方向内方に突出する環状突起部25Dが形成されてもよい。この構成では、筒状部17Aの外周面も、貫通孔34の内周面の段差形状に対応する段差を有して形成されることになる。そして、図10に示す段差状の貫通孔34は、その小さな内径部分をプレス加工で形成すると共に、大きな内径部分をシールド板部25の裏面側からのハーフエッチングで形成すればよいため、モールド基板の製造工程数を増やすことなく、容易に形成することができる。
上記構成の場合には、接合面38の平面視形状や大きさを変更することなく、シールド板部25によりマイクロフォンチップ5をカバーする領域を拡大できるため、マイクロフォンチップ5に対する電磁気的なシールド効果をさらに高めることができる。
上記構成の場合には、接合面38の平面視形状や大きさを変更することなく、シールド板部25によりマイクロフォンチップ5をカバーする領域を拡大できるため、マイクロフォンチップ5に対する電磁気的なシールド効果をさらに高めることができる。
また、上記実施形態の音響孔は、底壁板部の面方向に対して垂直に貫通しているが、少なくとも底壁板部41の厚さ方向に貫通していればよい。したがって、例えば図11に示すように、底壁板部41の上面41aにおける音響孔46の開口中心L1と、下面41bにおける音響孔46の開口中心L2とが底壁板部41の面方向にずれて位置していてもよい。
この場合、音響孔46は、図示例のように、上面41a及び下面41bからそれぞれ底壁板部41の厚さ方向に窪む2つの有底穴47,48を連結して構成されてもよい。なお、底壁板部41の厚さ方向に重ならない2つの有底穴47,48の底面は、図示例のように底壁板部41の厚さ方向の直交することに限らず、例えば互いの有底穴48,47の内周面に対して緩やかに連なる傾斜面に形成されていてもよい。また、音響孔46は、例えば底壁板部41の厚さ方向に対して斜行するように形成されてもよい。
この場合、音響孔46は、図示例のように、上面41a及び下面41bからそれぞれ底壁板部41の厚さ方向に窪む2つの有底穴47,48を連結して構成されてもよい。なお、底壁板部41の厚さ方向に重ならない2つの有底穴47,48の底面は、図示例のように底壁板部41の厚さ方向の直交することに限らず、例えば互いの有底穴48,47の内周面に対して緩やかに連なる傾斜面に形成されていてもよい。また、音響孔46は、例えば底壁板部41の厚さ方向に対して斜行するように形成されてもよい。
これらの構成では、太陽光のように直進性の高い電磁波が音響孔46内に入り込んでも、その大部分を底壁板部41の下面41bから外方に露出する音響孔46の内面において遮断できるため、直進性の高い電磁波が音響孔46に連通する空間部S1に侵入することを抑制できる。したがって、マイクロフォンチップ5に対する電磁波の影響を大きく低減することが可能となる。
また、これらの構成の場合には、支持部51に対するダイヤフラム53Bの形成位置が異なる別のマイクロフォンチップ5に変わっても、これを備えるマイクロフォンパッケージを同一種の実装基板91に実装することが可能となる。
すなわち、空間部S1を外方に連通させるようにマイクロフォンチップ5を底壁板部41の上面41aに配置する場合には、マイクロフォンチップ5の種類にあわせて音響孔46の上面41a側の開口位置を設定する必要がある。ここで、図3に示す上記実施形態の構成のように、音響孔46が底壁板部41の面方向に対して垂直に貫通して形成される場合には、音響孔46の下面41b側の開口位置もマイクロフォンチップ5の種類に応じて変化し、これに伴って実装基板91の連通孔93の形成位置も変更する必要がある。言い換えれば、マイクロフォンチップ5の種類に応じて実装基板91も個別に製造する必要がある。
すなわち、空間部S1を外方に連通させるようにマイクロフォンチップ5を底壁板部41の上面41aに配置する場合には、マイクロフォンチップ5の種類にあわせて音響孔46の上面41a側の開口位置を設定する必要がある。ここで、図3に示す上記実施形態の構成のように、音響孔46が底壁板部41の面方向に対して垂直に貫通して形成される場合には、音響孔46の下面41b側の開口位置もマイクロフォンチップ5の種類に応じて変化し、これに伴って実装基板91の連通孔93の形成位置も変更する必要がある。言い換えれば、マイクロフォンチップ5の種類に応じて実装基板91も個別に製造する必要がある。
これに対して、前述したように、底壁板部41の上面41aにおける音響孔46の開口中心L1と下面41bにおける音響孔46の開口中心L2とを互いにずらす場合には、そのズレ量を適宜設定するだけでマイクロフォンチップ5の種類に対応する音響孔46の上面41a側の開口位置を設定できる一方、音響孔46の下面41b側の開口位置を変更する必要はなくなる。したがって、マイクロフォンチップ5の種類が変わっても、これを備えたマイクロフォンパッケージを連通孔93の形成位置が固定された同一種の実装基板91に実装することができる。言い換えれば、汎用性の高いマイクロフォンパッケージを提供することが可能となる。また、同一種の実装基板91を使用できることから、マイクロフォンパッケージを内蔵する電子機器の製造コスト上昇も抑えることが可能となる。
また、底壁板部41の厚さ方向に重ならない2つの有底穴47,48の底面が傾斜面に形成される場合や、音響孔46自体が斜行する場合には、音響孔46における圧力変動の反射や回折を小さくして、圧力変動を外方から空間部S1に向けて滑らかに伝播させることができる。
また、上記実施形態において、マイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7は、例えば両方共にモールド樹脂17からなる上面41a、若しくは、シールド板部25からなる上面41aに固定されてもよい。なお、マイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7をシールド板部25からなる上面41aに固定する場合、モールド樹脂17は、周壁部42の形成領域を除くシールド板部25の表面25cのうち内孔51aよりも内側に配される貫通孔34の周縁部分のみを覆ってもよいし、また、周壁部42の形成領域を除くシールド板部25の表面25c上に形成されなくてもよい。
さらに、モールド基板11は、底壁板部41及び周壁部42によって箱状に形成されるとしたが、例えば底壁板部41のみによって平板状に形成されてもよい。なお、モールド基板11が平板状に形成される場合には、蓋体13を有底筒状に形成することで、上記実施形態と同様に、モールド基板11及び蓋体13によりマイクロフォンチップ5及び制御回路チップ7を含む中空の空洞部S2を画成することができる。
また、シールド板部25の裏面側には、シールド板部25の外部端子面25Bが形成されているが、シールド板部25と実装基板のグランドパターンとの電気接続のみを考慮する場合には、例えば環状の接合面38のみが形成されていてもよい。すなわち、接合面38が外部端子面として機能してもよい。
また、シールド板部25の裏面側には、シールド板部25の外部端子面25Bが形成されているが、シールド板部25と実装基板のグランドパターンとの電気接続のみを考慮する場合には、例えば環状の接合面38のみが形成されていてもよい。すなわち、接合面38が外部端子面として機能してもよい。
さらに、マイクロフォンチップ5は、空間部S1を外方に連通させるように音響孔46上に配されるとしたが、例えば空洞部S2を外方に連通させるように音響孔46からずらした位置に配されてもよい。この場合には、空間部S1がマイクロフォンチップ5の背部気室として機能する。
また、上記実施形態において、リードフレーム15が同一の導電性板材に複数連ねて形成される場合には、例えば導電性板材に外枠部21を形成せずに、相互に隣り合うリードフレーム15が接続フレーム部23等によって直接連結されてもよい。
また、上記実施形態のマイクロフォンパッケージ1は、制御回路チップ7を備えているが、少なくともマイクロフォンチップ5、モールド基板11及び蓋体13を備えていればよい。
また、上記実施形態において、リードフレーム15が同一の導電性板材に複数連ねて形成される場合には、例えば導電性板材に外枠部21を形成せずに、相互に隣り合うリードフレーム15が接続フレーム部23等によって直接連結されてもよい。
また、上記実施形態のマイクロフォンパッケージ1は、制御回路チップ7を備えているが、少なくともマイクロフォンチップ5、モールド基板11及び蓋体13を備えていればよい。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
1,2…マイクロフォンパッケージ、5…マイクロフォンチップ、11,12…モールド基板、13…蓋体、15…リードフレーム、17…モールド樹脂、17A…筒状部、25…シールド板部、25A…内部端子面、25B…外部端子面、25c…表面、34…貫通孔、38…接合面、41…底壁板部(板状壁部)、41a…上面、41b…下面、46…音響孔、49…筒状突起部、51…支持部、51a…内孔、53B…ダイヤフラム、81…下型、82…上型、83…キャビティ、83A…第1キャビティ部、83B…第2キャビティ部、L1…開口中心、L2…開口中心、S1…空間部(第1空間部)、S2…空洞部(第2空間部)
Claims (4)
- 支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けてなるマイクロフォンチップと、前記内孔と共に中空の第1空間部を形成するように前記マイクロフォンチップを固定したモールド基板と、該モールド基板と共に前記マイクロフォンチップを含む中空の第2空間部を形成するように前記マイクロフォンチップに被せられた蓋体とを備え、
前記モールド基板は、導電性板材からなるリードフレームをモールド樹脂により封止して構成されると共に、上面に前記マイクロフォンチップを固定する板状壁部を備え、
前記リードフレームは、前記板状壁部の厚さ方向に前記マイクロフォンチップと重なるように配される接地用のシールド板部を備え、
当該シールド板部には、前記モールド樹脂から前記板状壁部の上面側に露出して前記マイクロフォンチップに電気接続される内部端子面、前記厚さ方向に貫通する貫通孔、及び、当該貫通孔を囲むように前記板状壁部の下面に露出する環状の接合面が形成され、
前記モールド樹脂が前記貫通孔内においてその内周面全体を覆う筒状部に形成されることで、当該筒状部により前記板状壁部の厚さ方向に貫通して前記第1空間部及び前記第2空間部のいずれか一方を外方に連通させる音響孔が画成されることを特徴とするマイクロフォンパッケージ。 - 前記上面をなす前記筒状部の端面には、前記音響孔を囲む筒状突起部が突出して形成されていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロフォンパッケージ。
- 前記板状壁部の上面における前記音響孔の開口中心と、前記板状壁部の下面における前記音響孔の開口中心とが、互いに前記板状壁部の面方向にずれて位置することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のマイクロフォンパッケージ。
- 請求項1から請求項3の何れか1項に記載のマイクロフォンパッケージを製造する方法であって、
前記貫通孔が形成された前記シールド板部を備える前記リードフレームを導電性板材に形成すると共に、前記板状壁部の下面側に向く前記シールド板部の裏面のうち前記貫通孔を囲む部分を前記裏面の他の部分よりも前記厚さ方向に高い前記接合面として形成するフレーム準備工程と、
一対の金型により前記シールド板部をその厚さ方向から狭持することで前記貫通孔の内側に筒状のキャビティを形成し、当該キャビティ内に前記モールド樹脂を射出することで前記筒状部を形成して前記板状壁部を構成するモールド工程とを経て前記モールド基板を構成し、
前記モールド工程において、前記キャビティが前記シールド板部の表面上まで延びて形成されると共に、前記モールド樹脂を前記シールド板部の表面上に位置する前記キャビティに流し込むことを特徴とするマイクロフォンパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009031069A JP2010187277A (ja) | 2009-02-13 | 2009-02-13 | マイクロフォンパッケージ及びその製造方法 |
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JP2010187277A true JP2010187277A (ja) | 2010-08-26 |
Family
ID=42767642
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JP2009031069A Pending JP2010187277A (ja) | 2009-02-13 | 2009-02-13 | マイクロフォンパッケージ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2010187277A (ja) |
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US8536663B1 (en) | 2011-04-28 | 2013-09-17 | Amkor Technology, Inc. | Metal mesh lid MEMS package and method |
US8618619B1 (en) | 2011-01-28 | 2013-12-31 | Amkor Technology, Inc. | Top port with interposer MEMS microphone package and method |
US9013011B1 (en) | 2011-03-11 | 2015-04-21 | Amkor Technology, Inc. | Stacked and staggered die MEMS package and method |
US9420378B1 (en) | 2010-07-12 | 2016-08-16 | Amkor Technology, Inc. | Top port MEMS microphone package and method |
CN111432325A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-07-17 | 深圳市当智科技有限公司 | 一种下进音麦克风的封装方法 |
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2009
- 2009-02-13 JP JP2009031069A patent/JP2010187277A/ja active Pending
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