JP2010186951A - 太陽電池及び太陽電池の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【効果】本発明によれば、効率のよい太陽電池を安価に作製し得る。
【選択図】なし
Description
材料として最適なのは、キャリアの再結合・効率等の問題点から単結晶であるが、多結晶と異なり、結晶の引き上げに時間がかかるために、太陽電池全体に占めるマテリアルコストが非常に高いものとなる。しかし、マテリアルコストを引き下げるために単結晶シリコンの厚さを薄くすると、照射される太陽光の一部がシリコンを透過してしまい、結果的に効率が悪くなるという問題点があった。
請求項1:
厚さ3〜150μmの単結晶シリコンより作製された太陽電池セルの裏面に不透明の石英もしくはガラスで作製された反射板を配置することを特徴とする太陽電池。
請求項2:
前記反射板として、200〜1200nmの波長域で80%以上の反射率を有する不透明の石英もしくはガラスで構成される反射板を用いることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
請求項3:
単結晶シリコンに対して反射板をシリコーン樹脂によって貼り合せることにより配置したことを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池。
請求項4:
厚さ3〜150μmの単結晶シリコンより作製された太陽電池セルの裏面に不透明の石英もしくはガラスで作製された反射板を配置することを特徴とする太陽電池の作製方法。
請求項5:
前記反射板として、200〜1200nmの波長域で80%以上の反射率を有する不透明の石英もしくはガラスで構成される反射板を用いることを特徴とする請求項4記載の太陽電池の作製方法。
請求項6:
不透明の石英もしくはガラス反射板がモールド成型法又はスラリーコーティング法で形成されることを特徴とする請求項4又は5記載の太陽電池の作製方法。
請求項7:
単結晶シリコンに対して反射板をシリコーン樹脂によって貼り合せることにより配置したことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項記載の太陽電池の作製方法。
3μm,10μm,30μm,50μm,100μm,150μm,200μm厚の単結晶シリコンウェーハを用意し、常法に従ってPN接合を形成し、表面に電極を形成することにより、太陽電池セルを作り込んだ。これらのセルの発電効率と、裏面に信越石英(株)製の不透明石英板OM−100反射板を貼り付けた場合の効率の比較を行った。この場合、反射板の貼り付けにはシリコーン樹脂として信越化学工業(株)製のフォトデバイス用透明封止樹脂KER−2500(A/B)を用いた。3μm未満の厚さのウェーハはハンドリング中に破損し、取り扱いが困難と判断し、評価を断念した。結果を図2に示す。結果として、厚さ200μm以外のサンプルでは発電効率の向上が確認された。200μmのサンプルでは効果は殆ど観察されなかった。これは200μmでは太陽光の殆どが効率よく吸収されているためと考えられる。
3μm,10μm,30μm,50μm,100μm,150μm,200μm厚の単結晶シリコンウェーハを用意し、常法に従ってPN接合を形成し、表面に電極を形成することにより、太陽電池セルを作り込んだ。これらのセルの発電効率と、裏面にHeraeus社製の不透明石英板HRC反射板を貼り付けた場合の効率の比較を行った。この場合、反射板の貼り付けには上記と同じKER−2500(A/B)を用いた。3μm未満の厚さのウェーハはハンドリング中に破損し、取り扱いが困難と判断し、評価を断念した。結果を図3に示す。結果として、実施例1同様、厚さ200μm以外のサンプルでは発電効率の向上が確認された。200μmのサンプルでは効果は殆ど観察されなかった。これは200μmでは太陽光の殆どが効率よく吸収されているためと考えられる。
3μm,10μm,30μm,50μm,100μm,150μm,200μm厚の単結晶シリコンウェーハを用意し、常法に従ってPN接合を形成し、表面に電極を形成することにより、太陽電池セルを作り込んだ。これらのセルの発電効率と、裏面にアルミニウムでできた反射板を貼り付けた場合の効率の比較を行った。なお、反射板の貼り付けには上記と同じKER−2500(A/B)を用いた。3μm未満の厚さのウェーハはハンドリング中に破損し、取り扱いが困難と判断し、評価を断念した。結果を図4に示す。結果として、実施例1同様、厚さ200μm以外のサンプルでは発電効率の向上が確認されたが、実施例1,2と比較し、大きな効果は確認されなかった。反射光は乱反射されることが必須と考えられる。
2 金属反射板
3 不透明の石英反射板
Claims (7)
- 厚さ3〜150μmの単結晶シリコンより作製された太陽電池セルの裏面に不透明の石英もしくはガラスで作製された反射板を配置することを特徴とする太陽電池。
- 前記反射板として、200〜1200nmの波長域で80%以上の反射率を有する不透明の石英もしくはガラスで構成される反射板を用いることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
- 単結晶シリコンに対して反射板をシリコーン樹脂によって貼り合せることにより配置したことを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池。
- 厚さ3〜150μmの単結晶シリコンより作製された太陽電池セルの裏面に不透明の石英もしくはガラスで作製された反射板を配置することを特徴とする太陽電池の作製方法。
- 前記反射板として、200〜1200nmの波長域で80%以上の反射率を有する不透明の石英もしくはガラスで構成される反射板を用いることを特徴とする請求項4記載の太陽電池の作製方法。
- 不透明の石英もしくはガラス反射板がモールド成型法又はスラリーコーティング法で形成されることを特徴とする請求項4又は5記載の太陽電池の作製方法。
- 単結晶シリコンに対して反射板をシリコーン樹脂によって貼り合せることにより配置したことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項記載の太陽電池の作製方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122764A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 太陽電池基板の製造方法 |
JP2000124341A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002111017A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Kyocera Corp | 薄膜結晶質シリコン系太陽電池 |
JP2008509559A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 積層型有機感光性デバイス |
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2009
- 2009-02-13 JP JP2009031508A patent/JP5168500B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122764A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 太陽電池基板の製造方法 |
JP2000124341A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002111017A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Kyocera Corp | 薄膜結晶質シリコン系太陽電池 |
JP2008509559A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 積層型有機感光性デバイス |
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