JP2010181164A - 非接触膜厚測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】テラヘルツ波パルスLtを発生するテラヘルツ波発生手段1と、テラヘルツ波パルスLtを膜厚測定対象に入射させる入射光学系5と、膜厚測定対象から反射されてくるテラヘルツエコーパルスLteを受光する受光光学系6と、テラヘルツエコーパルスLteのパルス幅を短パルス化する短パルス化手段15と、テラヘルツエコーパルスLteの電場振幅時間分解波形を検出する検出手段7と、を有する膜厚測定ユニット17を備えることを特徴とする非接触膜厚測定装置。
【選択図】図1
Description
R=τc/n
となる。この式から、図5にテラヘルツエコーパルスを模式的に示すように、隣り合うエコーパルスが分離できる限界時間差Tr=τ/2であることがわかる。すなわち、膜厚測定分解能を上げるためには、テラヘルツエコーパルスのパルス幅を短くしなければならないことがわかる。テラヘルツエコーパルスは膜厚測定対象に照射されるテラヘルツ波のパルス幅にほぼ等しい。通常、テラヘルツ波は、非線形結晶を短パルスレーザ光でポンプして結晶のχ(2)効果で発生されるため、発生するテラヘルツ波のパルス幅は、ポンプ光のパルス幅に依存する。したがって、所望の膜厚分解能にするには、それに見合ったパルス幅のテラヘルツ波を照射する必要がある。
5・・・・・・・・・・・・入射光学系
6・・・・・・・・・・・・受光光学系
7・・・・・・・・・・・・検出手段
15・・・・・・・・・・・短パルス化手段(絞り)
17・・・・・・・・・・・膜厚測定ユニット
(11+21+22)・・・位置決め制御機構
Lt・・・・・・・・・・・ テラヘルツ波パルス
Lte・・・・・・・・・・・テラヘルツエコーパルス
Claims (4)
- テラヘルツ波パルスを発生するテラヘルツ波発生手段と、
前記テラヘルツ波発生手段から発生された前記テラヘルツ波パルスを膜厚測定対象に入射させる入射光学系と、
前記入射光学系で前記テラヘルツ波パルスが前記膜厚測定対象に入射され、前記膜厚測定対象から反射されてくるテラヘルツエコーパルスを受光する受光光学系と、
前記テラヘルツエコーパルスのパルス幅を短パルス化する短パルス化手段と、
前記短パルス化手段で短パルス化されたテラヘルツエコーパルスの電場振幅時間分解波形を検出する検出手段と、を有する膜厚測定ユニットを備えることを特徴とする非接触膜厚測定装置。 - 前記短パルス化手段は、前記膜厚測定対象と前記検出手段との間に配置される絞りである請求項1に記載の非接触膜厚測定装置。
- 前記絞りは、可変絞りである請求項2に記載の非接触膜厚測定装置。
- 前記膜厚測定ユニット及び前記膜厚測定対象の少なくとも一方を制御して互いの相対位置関係を所定の位置関係に位置決め制御する位置決め制御機構を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の非接触膜厚測定装置。
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