JP2010179406A - Cmp装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】研磨パッドが上部に膨出することを防止することができ、研磨特性を維持することができるCMP装置を提供する。
【解決手段】円周方向に回転自在な所定の厚みを有するプラテン2と、前記プラテン2に貼着された研磨パッド3と、被研磨物を前記研磨パッド3に押し付け自在なキャリアと、前記プラテン2及び前記研磨パッド3に、その厚み方向に貫通して形成されたセンサエリア8と、前記センサエリア8内に設けられたセンサ9と、前記プラテン2の前記センサエリア8周辺に設けられた排水部と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】円周方向に回転自在な所定の厚みを有するプラテン2と、前記プラテン2に貼着された研磨パッド3と、被研磨物を前記研磨パッド3に押し付け自在なキャリアと、前記プラテン2及び前記研磨パッド3に、その厚み方向に貫通して形成されたセンサエリア8と、前記センサエリア8内に設けられたセンサ9と、前記プラテン2の前記センサエリア8周辺に設けられた排水部と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、CMP装置に関する。
周知のように、半導体ウェハの表面などのように平坦であることが強く求められる被研磨物を、平坦に加工する際には、CMP装置(Chemical Mechanical Polishing Machine)が使用されている。
従来、この種のCMP装置として、以下に説明するものが知られている。
従来、この種のCMP装置として、以下に説明するものが知られている。
図5ないし図9は、従来のCMP装置の一例を示すものである。図5は、CMP装置の断面図を、図6は、CMP装置の平面図を示したものである。図7及び図9は、センサエリアの断面図を、図8は、センサエリア近傍のプラテンの平面図を示したものである。
図5及び図6に示すように、従来のCMP装置1は、円周方向に自転自在な所定の厚みを有する円形のプラテン2と、プラテン2に貼着された研磨パッド3と、被研磨物4を研磨パッド3に押し付け自在なキャリア5と、研磨パッド3上にスラリを滴下自在なスラリ供給装置6と、研磨パッド3を平坦にするドレッサ7と、プラテン2及び研磨パッド3に、その厚み方向に貫通して形成されたセンサエリア8と、センサエリア8内に設けられたセンサ9(図7参照)とから概略構成されている。
図5及び図6に示すように、従来のCMP装置1は、円周方向に自転自在な所定の厚みを有する円形のプラテン2と、プラテン2に貼着された研磨パッド3と、被研磨物4を研磨パッド3に押し付け自在なキャリア5と、研磨パッド3上にスラリを滴下自在なスラリ供給装置6と、研磨パッド3を平坦にするドレッサ7と、プラテン2及び研磨パッド3に、その厚み方向に貫通して形成されたセンサエリア8と、センサエリア8内に設けられたセンサ9(図7参照)とから概略構成されている。
プラテン2は、所定の厚みを有した平面視円状の円板で、図示略の装置によって、円周方向に自転可能なように形成されている。そして、プラテン2には、研磨パッド3が貼着されている。
なお、研磨パッド3は消耗品であることから、一定期間使用した後に新品と交換する必要があるため、交換時のメンテナンス性を考慮して、プラテン2と研磨パッド3との接合には、接合力が弱い図示略の粘着剤が用いられている。
なお、研磨パッド3は消耗品であることから、一定期間使用した後に新品と交換する必要があるため、交換時のメンテナンス性を考慮して、プラテン2と研磨パッド3との接合には、接合力が弱い図示略の粘着剤が用いられている。
研磨パッド3は、被研磨物4と擦れ合うことで被研磨物4を研磨するものであり、被研磨物4を研磨可能であるならば、どのような材質で構成されていてもよく、例えば、発泡性の樹脂や、無発泡の樹脂や、不織布などで形成されていて構わない。
キャリア5は、研磨ヘッド11及びリテーナリング12とから概略構成されている。
研磨ヘッド11は、研磨パッド3側の面が円状に構成されており、円周方向に自転可能に構成されている。また、後述するリテーナリング12によって保持された被研磨物4を、研磨パッド3に押し付けることが可能なように移動自在に構成されている。
研磨ヘッド11は、研磨パッド3側の面が円状に構成されており、円周方向に自転可能に構成されている。また、後述するリテーナリング12によって保持された被研磨物4を、研磨パッド3に押し付けることが可能なように移動自在に構成されている。
研磨ヘッド11の研磨パッド3側には、リテーナリング12が配置されており、リテーナリング12が被研磨物4を保持するように構成されている。
具体的には、リテーナリング12は、所定の厚みを有したリング板であり、中央部に空間13が設けられた構成となっている。そして、空間13内には、メンブレン14で区切られた加圧室15が形成されている。
また、リテーナリング12は、被研磨物4を空間13内の加圧室15の下側で保持できるように構成されている。
具体的には、リテーナリング12は、所定の厚みを有したリング板であり、中央部に空間13が設けられた構成となっている。そして、空間13内には、メンブレン14で区切られた加圧室15が形成されている。
また、リテーナリング12は、被研磨物4を空間13内の加圧室15の下側で保持できるように構成されている。
また、加圧室15内を加圧することで、メンブレン14が下側に膨張するように構成されている。
なお、メンブレン14は、例えばネオプレンゴム等で形成されている。
加圧部16は、加圧室15内とは別の気体経路が接続されており、メンブレン14の周辺部における膨張度合いを調整するために用いられている。
なお、メンブレン14は、例えばネオプレンゴム等で形成されている。
加圧部16は、加圧室15内とは別の気体経路が接続されており、メンブレン14の周辺部における膨張度合いを調整するために用いられている。
スラリ供給装置6は、研磨パッド3上に被研磨物4を研磨するための砥粒を含む研磨剤である図示略のスラリを滴下可能なように構成されている。
スラリは、被研磨物4に応じて適宜のものを使用することが可能であるが、例えば、砥粒としてSiO2、Al2O3,CeO2などの粒子が含まれたものを用いることができる。
スラリは、被研磨物4に応じて適宜のものを使用することが可能であるが、例えば、砥粒としてSiO2、Al2O3,CeO2などの粒子が含まれたものを用いることができる。
ドレッサ7は、研磨パッド3の平坦度や研磨効率を維持することを目的として設けられており、研磨パッド3の外周から中央まで平坦にすることが可能であるのならば、いずれの構成であっても構わない。
以上の構成をしたCMP装置1で、被研磨物4を研磨する方法について説明する。
まず、研磨ヘッド11の下側に配置されたリテーナリング12によって、被研磨物4を研磨したい面を下側にして保持する。
その後、被研磨物4を保持したまま、研磨ヘッド11を研磨パッド3上に移動させる。
そして、研磨パッド3と研磨ヘッド11とを共に自転させ、加圧室15内に気体を注入させて加圧室15内を加圧させることで、メンブレン14を膨張させ、被研磨物4を研磨パッド3側に押し付ける。
また、スラリ供給装置6からスラリを研磨パッド3上に供給する。
以上のような方法によって、研磨パッド3と被研磨物4とを擦り合わせることで、被研磨物4を研磨する。
まず、研磨ヘッド11の下側に配置されたリテーナリング12によって、被研磨物4を研磨したい面を下側にして保持する。
その後、被研磨物4を保持したまま、研磨ヘッド11を研磨パッド3上に移動させる。
そして、研磨パッド3と研磨ヘッド11とを共に自転させ、加圧室15内に気体を注入させて加圧室15内を加圧させることで、メンブレン14を膨張させ、被研磨物4を研磨パッド3側に押し付ける。
また、スラリ供給装置6からスラリを研磨パッド3上に供給する。
以上のような方法によって、研磨パッド3と被研磨物4とを擦り合わせることで、被研磨物4を研磨する。
ところで、従来、被研磨物4の研磨が終了したか否かは、図7及び図8に示すように、プラテン2及び研磨パッド3に、その厚み方向に貫通して形成されたセンサエリア8内に設けられたセンサ9によって検知することとなる。
この際、センサエリア8内は、センサエリア8内に設けられた給水口21及び排水口22によって、DIW(De Ionized Water)が給排水されている。なお、センサエリア8内は、常にDIWで満たす必要があるため、給水口21からの給水量が、排水口22の排水量よりも多く設定されている。すなわち、センサエリア8内は、常にDIWが過剰供給状態となっている。
その結果、被研磨物4によってセンサエリア8の上部が塞がれると、センサエリア8内は閉鎖空間となり内圧がかかることとなる。
その結果、被研磨物4によってセンサエリア8の上部が塞がれると、センサエリア8内は閉鎖空間となり内圧がかかることとなる。
したがって、研磨パッド3とプラテン2とが、接合力の弱い粘着剤によって接合されているため、図9に示すように、内圧がかかると研磨パッド3とプラテン2との接合面にDIW23が浸透し、その結果、研磨パッド3が上部に膨出するようになる。
そして、研磨パッド3が上部に膨出することで、CMP装置1による研磨の特性としての均一性が悪化するという問題があった。
また、上部に膨出した研磨パッド3を平坦に戻す手段がないことから、新品の研磨パッド3へ交換する必要があったことからコストがかかるという問題もあった。
そして、研磨パッド3が上部に膨出することで、CMP装置1による研磨の特性としての均一性が悪化するという問題があった。
また、上部に膨出した研磨パッド3を平坦に戻す手段がないことから、新品の研磨パッド3へ交換する必要があったことからコストがかかるという問題もあった。
そこで、本発明は以下の構成を採用した。
本発明のCMP装置は、円周方向に回転自在な所定の厚みを有するプラテンと、前記プラテンに貼着された研磨パッドと、被研磨物を前記研磨パッドに押し付け自在なキャリアと、前記プラテン及び前記研磨パッドに、その厚み方向に貫通して形成されたセンサエリアと、前記センサエリア内に設けられたセンサと、前記プラテンの前記センサエリア周辺に設けられた排水部と、を備えることを特徴とする。
本発明のCMP装置は、円周方向に回転自在な所定の厚みを有するプラテンと、前記プラテンに貼着された研磨パッドと、被研磨物を前記研磨パッドに押し付け自在なキャリアと、前記プラテン及び前記研磨パッドに、その厚み方向に貫通して形成されたセンサエリアと、前記センサエリア内に設けられたセンサと、前記プラテンの前記センサエリア周辺に設けられた排水部と、を備えることを特徴とする。
本発明では、上記構成を採用した結果、プラテンと研磨パッドとの間にDIWが浸入しても、排水部を通って排出されることとなる。
したがって、研磨パッドが上部に一定以上膨出することを防止することができ、一度膨出したとしても平坦に戻すことができるので、CMP装置の研磨特性を維持できる。
したがって、研磨パッドが上部に一定以上膨出することを防止することができ、一度膨出したとしても平坦に戻すことができるので、CMP装置の研磨特性を維持できる。
以下、本発明の実施形態であるCMP装置について、図面を参照して説明する。
[第1の実施形態]
図1及び図2は、本発明の第1の実施形態であるCMP装置の一部を示すもので、図1は、センサエリアの断面図を、図2は、センサエリア近傍のプラテンの平面図を示すものである。
図1及び図2は、本発明の第1の実施形態であるCMP装置の一部を示すもので、図1は、センサエリアの断面図を、図2は、センサエリア近傍のプラテンの平面図を示すものである。
本実施形態のCMP装置は、円周方向に回転自在な所定の厚みを有する円形のプラテン2と、プラテン2に貼着された研磨パッド3と、被研磨物4を研磨パッド3に押し付け自在なキャリア5と、研磨パッド3上にスラリを滴下自在なスラリ供給装置6と、研磨パッド3を平坦にするドレッサ7と、プラテン2及び研磨パッド3に、その厚み方向に貫通して形成されたセンサエリア8と、センサエリア8内に設けられたセンサ9とから概略構成されている。
なお、本実施形態において、従来技術と同様部分については説明を省略する。
なお、本実施形態において、従来技術と同様部分については説明を省略する。
図1及び図2に示すように、本実施形態のプラテン2は、研磨パッド3との接合面で、センサエリア8近傍に排水部を構成する複数の排水溝24及び排水孔25が設けられている。
具体的には、排水溝24は、センサエリア8を中心として、センサエリア8の近傍から複数放射状に設けられている。
排水溝24は、プラテン3と研磨パッド4とのセンサエリア8近傍の接合面で、DIW23が溜まるのを防止することが可能であるのならば、どのような形状であっても構わない。
本実施形態では、例えば、排水溝24の幅Wは2mm、深さdは2mm、長さLは20mm程度に構成されている。
排水溝24は、プラテン3と研磨パッド4とのセンサエリア8近傍の接合面で、DIW23が溜まるのを防止することが可能であるのならば、どのような形状であっても構わない。
本実施形態では、例えば、排水溝24の幅Wは2mm、深さdは2mm、長さLは20mm程度に構成されている。
なお、排水溝24のセンサエリア8側端部は、センサエリア8とは直結しないように構成されている。センサエリア8と直結してしまうと、センサエリア8内のDIWが直接排水溝24を通して排出されることとなり、センサエリア8内を閉鎖空間とすることができず、DIWで充填することができなくなるからである。
本実施形態では、例えば、排水溝24とセンサエリア8との距離A1が5mm以上になるように構成されている。
本実施形態では、例えば、排水溝24とセンサエリア8との距離A1が5mm以上になるように構成されている。
排水孔25は、排水溝24のセンサエリア8側とは反対側の端部において、直接接続するように設けられており、プラテン2を厚み方向に貫通して形成されている。
排水孔25は、排水溝24を通ってきたDIW23をプラテン2上から排水できるのであれば、どのような形状であっても構わない。
本実施形態では、例えば、排水孔25は直径2mmの形状をしており、深さはプラテンの厚さと同じに構成されている。
排水孔25が、完全にプラテン2を貫通して形成されていることから、排水溝24を通ってきたDIW23をプラテン2上から完全にプラテン2の外部に排出することができる。
排水孔25は、排水溝24を通ってきたDIW23をプラテン2上から排水できるのであれば、どのような形状であっても構わない。
本実施形態では、例えば、排水孔25は直径2mmの形状をしており、深さはプラテンの厚さと同じに構成されている。
排水孔25が、完全にプラテン2を貫通して形成されていることから、排水溝24を通ってきたDIW23をプラテン2上から完全にプラテン2の外部に排出することができる。
以上の構成をしたCMP装置で、被研磨物4を研磨する方法について図5を参照しつつ説明する。
まず、研磨ヘッド11の下側に配置されたリテーナリング12によって、被研磨物4を研磨したい面を下側にして保持する。
その後、被研磨物4を保持したまま、研磨ヘッド11を研磨パッド3上に移動させる。
そして、研磨パッド3と研磨ヘッド11とを共に自転させ、加圧室15内に気体を注入させて加圧室15内を加圧させることで、メンブレン14を膨張させ、被研磨物4を研磨パッド3側に押し付ける。
また、スラリ供給装置6からスラリを研磨パッド3上に供給する。
このようにして、被研磨物4と研磨パッド3とを擦り合わせることで、被研磨物4の表面を研磨する。
まず、研磨ヘッド11の下側に配置されたリテーナリング12によって、被研磨物4を研磨したい面を下側にして保持する。
その後、被研磨物4を保持したまま、研磨ヘッド11を研磨パッド3上に移動させる。
そして、研磨パッド3と研磨ヘッド11とを共に自転させ、加圧室15内に気体を注入させて加圧室15内を加圧させることで、メンブレン14を膨張させ、被研磨物4を研磨パッド3側に押し付ける。
また、スラリ供給装置6からスラリを研磨パッド3上に供給する。
このようにして、被研磨物4と研磨パッド3とを擦り合わせることで、被研磨物4の表面を研磨する。
また、図1及び図2に示すように、プラテン2及び研磨パッド3に、その厚み方向に貫通して形成されたセンサエリア8内は、給水口21及び排水口22を通してDIWが満たされるように給排水されている。
この際、センサエリア8内が常にDIWで満たされるようにするため、DIWの給水量は排水量よりも多く、過剰に供給されている状態になっている。
したがって、センサエリア8の上部が被研磨物4によって塞がれた場合には、DIWが過剰供給されていることから、センサエリア8内には内圧がかかることとなる。
この際、センサエリア8内が常にDIWで満たされるようにするため、DIWの給水量は排水量よりも多く、過剰に供給されている状態になっている。
したがって、センサエリア8の上部が被研磨物4によって塞がれた場合には、DIWが過剰供給されていることから、センサエリア8内には内圧がかかることとなる。
その結果、プラテン2と研磨パッド3との接合面の隙間に、DIW23が浸透することとなる。
そして、DIW23が一定量以上浸透すると、プラテン2上でセンサエリア8近傍に設けられた排水溝24にDIW23が流れることとなる。
その後、排水溝24に流れ込んだDIW23は、排水孔25を通って下側に落下し、プラテン2の外部に排出されることとなる。
すなわち、一定量以上のDIW23が溜まると、排水溝24及び排水孔25を通って排出されるので、プラテン2と研磨パッド3との接合面の隙間にそれ以上のDIW23が溜まることはない。その結果、研磨パッド3が上部に一定以上に膨出することもなくなる。
また、DIW23が排出される手段があるので、一度上部に膨出したとしても研磨パッド3を平坦にすることができる。
そして、センサエリア8の上部が被研磨物4で覆われなくなった場合は、内圧がなくなり、プラテン2と研磨パッド3との接合面の隙間にDIW23が浸透することがなくなる。
そして、DIW23が一定量以上浸透すると、プラテン2上でセンサエリア8近傍に設けられた排水溝24にDIW23が流れることとなる。
その後、排水溝24に流れ込んだDIW23は、排水孔25を通って下側に落下し、プラテン2の外部に排出されることとなる。
すなわち、一定量以上のDIW23が溜まると、排水溝24及び排水孔25を通って排出されるので、プラテン2と研磨パッド3との接合面の隙間にそれ以上のDIW23が溜まることはない。その結果、研磨パッド3が上部に一定以上に膨出することもなくなる。
また、DIW23が排出される手段があるので、一度上部に膨出したとしても研磨パッド3を平坦にすることができる。
そして、センサエリア8の上部が被研磨物4で覆われなくなった場合は、内圧がなくなり、プラテン2と研磨パッド3との接合面の隙間にDIW23が浸透することがなくなる。
以上のように、本発明のCMP装置によれば、プラテン2と研磨パッド3との間にDIW23が浸入したとしても、排水溝24及び排水孔25を通って排出されることとなる。したがって、研磨パッド3が上部に膨出することを防止することができ、一度膨出したとしても平坦に戻すことができるので、CMP装置の研磨特性を維持できる。
[第2の実施形態]
図3及び図4は、本発明の第2の実施形態であるCMP装置の一部を示すもので、図3は、センサエリアの断面図を、図4は、センサエリア近傍のプラテンの平面図を示すものである。
なお、本実施形態は、第1の実施形態の変形例であり、同様の部分については説明を省略する。
図3及び図4は、本発明の第2の実施形態であるCMP装置の一部を示すもので、図3は、センサエリアの断面図を、図4は、センサエリア近傍のプラテンの平面図を示すものである。
なお、本実施形態は、第1の実施形態の変形例であり、同様の部分については説明を省略する。
図3及び図4に示すように、本実施形態のプラテン2は、研磨パッド3との接合面で、センサエリア8近傍に排水部を構成する複数の排水孔26が設けられている。
具体的には、第1の実施形態と同様な排水孔26を、センサエリア8の端からの距離A2が30mm以内の範囲に、間隔Iが10mm以下になるように満遍なく複数設ける。
具体的には、第1の実施形態と同様な排水孔26を、センサエリア8の端からの距離A2が30mm以内の範囲に、間隔Iが10mm以下になるように満遍なく複数設ける。
本実施形態でも、以上のように構成したことによって、第1の実施形態と同様に、プラテン2と研磨パッド3との接合面の隙間にDIW23が浸透したとしても、排水孔26を通してDIW23をプラテン2の外部に排出することができる。
したがって、研磨パッド3が上部に一定以上膨出することを防止することができる。また、一度膨出したとしても、その後平坦にすることができ、CMP装置の研磨特性を維持することができる。
したがって、研磨パッド3が上部に一定以上膨出することを防止することができる。また、一度膨出したとしても、その後平坦にすることができ、CMP装置の研磨特性を維持することができる。
以上、本発明を実施形態に基づき説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、排水孔25、26からドライエアを供給することで、浸透してきたDIW23を乾燥させても構わない。
例えば、排水孔25、26からドライエアを供給することで、浸透してきたDIW23を乾燥させても構わない。
本発明は、半導体ウェハ等のような被研磨物をCMP装置で研磨することが必要な製造業において幅広く利用することができる。
1・・・CMP装置,2・・・プラテン,3・・・研磨パッド,5・・・キャリア,8・・・センサエリア,9・・・センサ,24・・・排水溝,25、26・・・排水孔
Claims (3)
- 円周方向に回転自在な所定の厚みを有するプラテンと、
前記プラテンに貼着された研磨パッドと、
被研磨物を前記研磨パッドに押し付け自在なキャリアと、
前記プラテン及び前記研磨パッドに、その厚み方向に貫通して形成されたセンサエリアと、
前記センサエリア内に設けられたセンサと、
前記プラテンの前記センサエリア周辺に設けられた排水部と、を備えることを特徴とするCMP装置。 - 前記排水部が、複数の排水溝と、複数の排水孔とから構成されており、
前記排水溝は、前記プラテンの前記研磨パッドとの貼着面で、前記センサエリア近傍部位から、放射状に設けられており、
前記排水孔は、前記排水溝の前記センサエリア側とは反対側において、前記プラテンをその厚み方向に貫通して設けられていることを特徴とする請求項1に記載のCMP装置。 - 前記排水部が、複数の排水孔から構成されており、
前記排水孔は、前記プラテンの前記センサエリア近傍部位に、前記プラテンをその厚み方向に貫通して形成されていることを特徴とする請求項1に記載のCMP装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009024875A JP2010179406A (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | Cmp装置 |
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---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016140769A1 (en) * | 2015-03-05 | 2016-09-09 | Applied Materials, Inc. | Acoustic emission monitoring and endpoint for chemical mechanical polishing |
US11701749B2 (en) | 2018-03-13 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Monitoring of vibrations during chemical mechanical polishing |
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2009
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CN107427987A (zh) * | 2015-03-05 | 2017-12-01 | 应用材料公司 | 用于化学机械研磨的声学发射监控和终点 |
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KR102535117B1 (ko) | 2015-03-05 | 2023-05-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학적 기계적 연마를 위한 음향 방출 모니터링 및 종료점 |
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