KR101151544B1 - 웨이퍼 연마장치 - Google Patents

웨이퍼 연마장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101151544B1
KR101151544B1 KR1020100108122A KR20100108122A KR101151544B1 KR 101151544 B1 KR101151544 B1 KR 101151544B1 KR 1020100108122 A KR1020100108122 A KR 1020100108122A KR 20100108122 A KR20100108122 A KR 20100108122A KR 101151544 B1 KR101151544 B1 KR 101151544B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
back plate
membrane
edge portion
head body
compressed air
Prior art date
Application number
KR1020100108122A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120046458A (ko
Inventor
한기윤
김봉균
용문석
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020100108122A priority Critical patent/KR101151544B1/ko
Publication of KR20120046458A publication Critical patent/KR20120046458A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101151544B1 publication Critical patent/KR101151544B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
    • B24B37/16—Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

웨이퍼 연마장치가 개시된다. 웨이퍼 연마장치는 압축 공기가 유입되기 위한 유입구를 포함하는 헤드 몸체; 상기 헤드 몸체에 설치되는 백플레이트; 상기 백플레이트 아래에 배치되는 멤브레인; 및 상기 멤브레인 아래에 배치되는 템플레이트 어셈블리를 포함하고, 상기 백플레이트는 중앙부; 및 상기 중앙부의 주위를 둘러싸는 에지부를 포함하고, 상기 중앙부에는 상기 헤드 몸체 및 상기 백플레이트 사이의 압축 공기를 상기 백플레이트 및 상기 멤브레인 사이로 통과시키는 제 1 유로가 형성되고, 상기 에지부에는 상기 헤드 몸체 및 상기 백플레이트 사이의 압축 공기를 상기 백플레이트 및 상기 멤브레인 사이로 통과시키는 다수 개의 제 2 유로들이 형성된다.

Description

웨이퍼 연마장치{APPARATUS FOR POLISHING WAFER}
실시예는 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼 제조공정에서는 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위하여 경면 연마공정을 수행하고 있는데, 이러한 평탄화 기술 중 가장 중요한 기술은 화학적/기계적 연마(CMP : Chemical Mechanical Polishing)이다. 화학적/기계적 연마는 화학적 연마제인 슬러리(slurry)를 연마 패드 등의 연마면 상에 공급하면서 반도체 웨이퍼를 연마면에 접촉시켜 연마를 행하는 것이다.
이러한 폴리싱장치는, 연마 패드로 이루어지는 연마면을 가지는 연마테이블과, 반도체 웨이퍼를 가압하기 위한 가압 헤드를 구비하고 있다. 이와 같은 폴리싱 장치를 사용하여 반도체 웨이퍼를 연마하는 경우에는 가압 헤드에 의하여 반도체 웨이퍼를 가압하면서 반도체 웨이퍼를 연마테이블의 연마 패드와 접촉되도록 소정의 압력으로 가압한다. 이때, 연마테이블과 가압 헤드를 상대 운동시킴으로써 반도체 웨이퍼가 연마면에 접촉하여 반도체 웨이퍼의 표면이 평탄화되어 경면으로 연마된다.
실시예는 웨이퍼를 균일하게 연마하는 웨이퍼 연마장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 압축 공기가 유입되기 위한 유입구를 포함하는 헤드 몸체; 상기 헤드 몸체에 설치되는 백플레이트; 상기 백플레이트 아래에 배치되는 멤브레인; 및 상기 멤브레인 아래에 배치되는 템플레이트 어셈블리를 포함하고, 상기 백플레이트는 중앙부; 및 상기 중앙부의 주위를 둘러싸는 에지부를 포함하고, 상기 중앙부에는 상기 헤드 몸체 및 상기 백플레이트 사이의 압축 공기를 상기 백플레이트 및 상기 멤브레인 사이로 통과시키는 제 1 유로가 형성되고, 상기 에지부에는 상기 헤드 몸체 및 상기 백플레이트 사이의 압축 공기를 상기 백플레이트 및 상기 멤브레인 사이로 통과시키는 다수 개의 제 2 유로들이 형성된다.
또한, 일 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치에서는 상기 에지부에 단차가 형성될 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치에서는 상기 에지부의 하면이 상기 멤브레인과 이격될 수 있다.
실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 제 1 유로 및 제 2 유로들로 멤브레인 및 백플레이트의 사이의 공간에 압축 공기를 공급한다.
이에 따라서, 멤브레인 및 백플레이트 사이에 균일하게 압축 공기가 공급되고, 압축된 공기에 의해서, 멤브레인을 통하여, 템플레이트 어셈블리에 압력을 인가한다.
이에 따라서, 템플레이트 어셈블리에는 균일하게 압력이 전달되고, 템플레이트 어셈블리를 통하여, 웨이퍼에 압력이 균일하게 전달된다. 따라서, 웨이퍼는 균일한 압력으로 연마될 수 있다.
특히, 에지부에 단차가 형성되거나, 에지부 및 멤브레인이 서로 이격되는 경우, 멤브레인의 외곽 부분을 통하여서도, 템플레이트 어셈블리에 균일하게 압력이 인가된다.
도 1은 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드의 백플레이트를 도시한 사시도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 6 내지 도 9는 백플레이트의 에지부의 형상의 예들을 도시한 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 패드, 플레이트, 웨이퍼 또는 영역 등이 각 패드, 플레이트, 웨이퍼 또는 영역 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing;CMP) 장치의 가압 헤드의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 2는 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드의 백플레이트를 도시한 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드(10)는 헤드 몸체(100), 백플레이트(200), 러버척(300) 및 템플레이트 어셈블리(400)를 포함한다.
상기 헤드 몸체(100)는 상기 압축 공기가 유입될 수 있는 유입구(110)가 형성된다. 즉, 상기 유입구(110)를 통하여, 상기 헤드 몸체(100) 내로 압축 공기가 유입될 수 있다. 상기 유입구(110)는 상기 헤드 몸체(100) 내의 공기를 흡입하는 흡입구일 수 있다.
즉, 상기 유입구(110)를 통하여, 상기 헤드 몸체(100) 내의 압력, 더 자세하게, 상기 헤드 몸체(100) 및 상기 백플레이트(200) 사이의 압력이 증가되거나, 감소될 수 있다.
상기 헤드 몸체(100)는 세라믹 또는 스테인레스 스틸 등으로 이루어질 수 있다. 상기 헤드 몸체(100)는 실시예에 따는 CMP 장차에 회전 및 승강이 가능하도록 설치될 수 있다.
상기 백플레이트(200)는 상기 헤드 몸체(100)에 설치된다. 더 자세하게, 상기 백플레이트(200)는 상기 헤드 몸체(100)의 중앙 하단에 설치될 수 있다. 상기 백플레이트(200)는 상기 헤드 몸체(100)에 볼트 등에 의해서 고정될 수 있다.
또한, 상기 백플레이트(200) 및 상기 헤드 몸체(100) 사이에 압축 공기가 유입될 수 있는 제 1 공간(101)이 형성된다. 상기 유입구(110)를 통하여, 상기 제 1 공간(101)으로 압축 공기가 유입되거나, 상기 제 1 공간(101)으로부터 상기 유입구(110)를 통하여 공기가 빠져나갈 수 있다.
상기 백플레이트(200)는 중앙부(210) 및 에지부(220)를 포함한다.
상기 중앙부(210)는 상기 백플레이트(200)의 중앙 부분에 정의된다. 상기 중앙부(210)는 상기 에지부(220)보다 더 두꺼울 수 있다. 상기 중앙부(210)는 원형 플레이트 형상을 가질 수 있다.
상기 에지부(220)는 상기 중앙부(210)와 일체로 형성될 수 있다. 상기 에지부(220)는 상기 중앙부(210)를 둘러싼다. 상기 에지부(220)는 평면에서 보았을 때, 폐루프 형상을 가질 수 있다. 상기 에지부(220)는 상기 중앙부(210)보다 더 얇을 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 백플레이트(200)는 제 1 유로(211) 및 다수 개의 제 2 유로들(221)을 포함한다.
상기 제 1 유로(211)는 상기 중앙부(210)에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제 1 유로(211)는 상기 중앙부(210)를 관통하는 관통홀이다. 상기 제 1 유로(211)는 상기 제 1 공간(101) 및 상기 백플레이트(200) 및 상기 러버척(300) 사이의 제 2 공간(301)을 연결시킨다. 상기 제 1 유로(211)는 상기 중앙부(210)의 한가운데 형성될 수 있다.
상기 제 2 유로들(221)은 상기 에지부(220)에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제 2 유로들(221)은 상기 에지부(220)의 상면 및 측면을 따라서 형성되는 홈들이다. 즉, 상기 제 2 유로들(221)은 상기 제 1 공간(101) 및 상기 제 2 공간(301)을 연결시킨다.
상기 제 2 유로들(221)은 서로 대응되는 간격으로 이격될 수 있다. 즉, 상기 제 2 유로들(221)은 상기 백플레이트(200)의 외주면을 동일한 간격으로 나눌 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 유로들(221)이 4개인 경우, 상기 제 2 유로들(221)은 상기 백플레이트(200)의 외주면을 4등분 할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 제 2 유로들(221)이 4개인 경우를 도시하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 제 2 유로들(221)은 이보다 더 많거나, 이보다 더 적을 수 있다.
상기 제 2 유로들(221)의 폭은 약 0.5㎜ 내지 약 5㎜일 수 있다. 또한, 상기 제 2 유로들(221)의 깊이는 약 0.5㎜ 내지 약 2㎜일 수 있다.
상기 러버척(300)은 상기 백플레이트(200) 아래에 배치된다. 또한, 상기 러버척(300)은 상기 백플레이트(200)의 외주면을 둘러싼다. 상기 러버척(300)은 멤브레인(310) 및 러버 가이드링(320)을 포함한다.
상기 멤브레인(310)은 상기 백플레이트(200) 아래에 배치된다. 상기 멤브레인(310)은 상기 제 1 유로(211) 및 상기 제 2 유로들(221)을 통하여 유입되는 압축 공기에 의한 압력을 상기 템플레이트 어셈블리(400)에 전달한다.
상기 멤브레인(310)은 탄성을 가지고, 상기 백플레이트(200)에 비하여 매우 얇은 두께를 가질 수 있다. 상기 멤브레인(310)은 상기 제 1 유로(211) 및 상기 제 2 유로들(221)을 통하여 유입되는 압축 공기에 의해서 하방으로 팽창된다. 이에 따라서, 상기 템플레이트 어셈블리(400)는 웨이퍼(W)에 압력을 가할 수 있다.
또한, 상기 제 1 공간(101)의 압력이 낮아짐에 따라서, 상기 멤브레인(310)은 상방으로 팽창될 수 있다. 이에 따라서, 상기 템플레이트 어셈블리(400)는 상기 웨이퍼(W)를 흡착할 수 있다.
상기 러버 가이드링(320)은 상기 헤드 몸체(100)에 체결된다. 또한, 상기 러버 가이드링(320)은 상기 멤브레인(310)을 지지할 수 있다. 상기 러버 가이드링(320)은 상기 멤브레인(310)을 지지하는 틀이다. 상기 러버 가이드링(320)은 스테인레스 스틸로 이루어질 수 있다.
상기 템플레이트 어셈블리(400)는 상기 멤브레인(310) 아래에 배치된다. 상기 템플레이트 어셈블리(400)는 상기 웨이퍼(W)를 수용한다. 상기 템플레이트 어셈블리(400)는 상기 웨이퍼(W)를 흡착하고, 상기 웨이퍼(W)를 가압한다.
상기 템플레이트 어셈블리(400)는 상기 멤브레인(310)에 접착될 수 있다. 상기 템플레이트 어셈블리(400)는 템플레이트(410) 및 가이드 부재(420)를 포함한다.
상기 템플레이트(410)는 상기 멤브레인(310) 아래에 배치된다. 상기 템플레이트(410)는 상기 멤브레인(310)과 직접 접촉될 수 있다. 상기 템플레이트(410)는 상기 웨이퍼(W)의 상면에 접촉하여, 상기 웨이퍼(W)의 상면에 직접 압력을 가할 수 있다.
상기 템플레이트(410)는 상기 웨이퍼(W)를 흡착할 수 있는 넌-슬립 패드의 일종으로, 폴리우레탄으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 템플레이트(410)는 자체에 형성된 기공을 통하여, 상기 웨이퍼(W)를 흡착할 수 있다.
상기 가이드 부재(420)는 상기 템플레이트(410)에 접착된다. 또한, 상기 가이드 부재(420)는 상기 웨이퍼(W)를 둘러싼다. 즉, 상기 가이드 부재(420)는 상기 웨이퍼(W)의 외곽을 가이드한다. 상기 가이드 부재(420)는 상기 웨이퍼(W)보다 더 큰 두께를 가질 수 있다. 상기 가이드 부재(420)는 에폭시 글라스 등으로 형성될 수 있다.
상기 유입구(110)를 통하여 유입되는 압축 공기는 상기 제 1 유로(211) 및 상기 제 2 유로들(221)을 통하여, 상기 제 2 공간(301)에 유입된다. 이에 따라서, 상기 압축 공기는 상기 제 2 공간(301)에 전체에 걸쳐서 고르게 공급된다.
특히, 상기 에지부(220) 및 상기 멤브레인(310) 사이의 공간에도 압축 공기가 균일하게 공급된다.
이에 따라서, 상기 멤브레인(310)은 전체적으로 균일한 압력으로 하방으로 팽창한다. 결국, 상기 멤브레인(310)을 통하여, 상기 템플레이트(410)에 균일하게 압력이 인가된다. 결과적으로, 상기 템플레이트(410)를 통하여, 상기 웨이퍼(W)는 균일하게 가압된다.
특히, 상기 웨이퍼(W)의 에지 부분에도 균일하게 압력이 가해진다. 따라서, 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드(10)는 상기 웨이퍼(W)에 균일하게 압력을 가한다. 또한, 상기 가압 헤드(10) 아래에는 연마 패드가 배치되고, 상기 웨이퍼(W)는 균일한 압력으로 상기 연마 패드에 접촉하게 된다.
이에 따라서, 실시예에 따른 CMP장치는 상기 웨이퍼(W)를 균일하게 연마시킬 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예를 참조하고, 백플레이트에 대해서 더 자세하게 설명한다. 앞선 실시예에 대한 설명은 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 3을 참조하면, 백플레이트(200) 및 멤브레인(310)이 서로 이격된다. 더 자세하게, 상기 백플레이트(200)의 에지부(220)의 하면 및 상기 멤브레인(310)의 상면이 서로 이격된다. 더 자세하게, 상기 백플레이트(200)는 상기 멤브레인(310)과 전체적으로 이격되어, 상기 백플레이트(200)는 상기 멤브레인(310)에 접촉되지 않을 수 있다.
이에 따라서, 헤드 몸체(100)로부터 공급되는 압축 공기는 제 2 공간(301)에 고르게 공급될 수 있다. 특히, 상기 에지부(220) 및 상기 멤브레인(310)이 서로 이격되기 때문에, 상기 에지부(220) 및 상기 멤브레인(310) 사이의 공간에도 유입되는 압축 공기가 고르게 공급될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드(10)는 웨이퍼(W)를 균일하게 가압하여, 균일하게 연마할 수 있다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예들을 참조하고, 백플레이트에 대해서 더 자세하게 설명한다. 앞선 실시예들에 대한 설명은 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 4를 참조하면, 백플레이트(200)는 제 1 유로(211) 및 다수 개의 제 2 유로들(221)을 포함한다. 또한, 상기 백플레이트(200) 및 멤브레인(310)은 서로 이격된다.
이에 따라서, 상기 제 2 유로들(221)을 통하여, 상기 백플레이트(200)의 에지부(220) 및 상기 멤브레인(310) 사이의 공간에 압축 공기가 더 효율적으로 공급될 수 있다.
따라서, 헤드 몸체(100)로부터 공급되는 압축 공기는 제 2 공간(301)에 더욱 고르게 공급될 수 있다. 특히, 상기 에지부(220) 및 상기 멤브레인(310) 사이의 공간에도 유입되는 압축 공기가 고르게 공급될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드(10)는 웨이퍼(W)를 균일하게 가압하여, 균일하게 연마할 수 있다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 CMP 장치의 가압 헤드의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 6 내지 도 9는 백플레이트의 에지부의 형상의 예들을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예들을 참조하고, 백플레이트에 대해서 더 자세하게 설명한다. 앞선 실시예들에 대한 설명은 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 5를 참조하면, 백플레이트(200)의 에지부(220)의 하면에는 단차가 형성된다. 예를 들어, 상기 에지부(220)는 서로 두께가 다른 제 1 단차부(222), 제 2 단차부(223) 및 제 3 단차부(224)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 단차부(222)는 가장 큰 두께를 가지고, 상기 백플레이트(200)의 최외곽에 배치된다. 상기 제 1 단차부(222)는 상기 백플레이트(200)의 최외곽을 따라서 폐루프 형상을 가질 수 있다.
상기 제 2 단차부(223)는 상기 제 1 단차부(222)보다 안쪽에 배치되고, 상기 제 1 단차부(222)보다 더 작은 두께를 가진다. 마찬가지로, 상기 제 2 단차부(223)는 폐루프 형상을 가질 수 있다.
상기 제 3 단차부(224)는 상기 제 2 단차부(223)보다 더 안쪽에 배치되고, 상기 제 2 단차부(223)보다 더 작은 두께를 가진다. 마찬가지로, 상기 제 3 단차부(224)는 폐루프 형상을 가질 수 있다.
도 6 및 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 에지부(220)는 다양한 형상을 가질 수 있다.
특히, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 단차부(222) 및 상기 제 2 단차부(223) 사이에는 상기 제 1 단차부(222)의 하면에 대하여 경사지는 제 1 경사면(225)이 형성될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제 2 단차부(223) 및 상기 제 3 단차부(224) 사이에는 상기 제 2 단차부(223)의 하면에 대하여 경사지는 제 2 경사면(226)이 형성될 수 있다.
또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 에지부(220)는 제 1 단차부(222) 및 제 2 단차부(223)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 1 단차부(222) 및 상기 제 2 단차부(223) 사이에는 곡면(227)이 형성될 수 있다.
또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 에지부(220)는 제 1 단차부(222)만을 포함하고, 상기 에지부(220)의 두께는 상기 제 1 단차부(222)로부터 멀어질수록 점차적으로 작아질 수 있다.
이와 같이, 상기 제 1 단차부(222)에 의해서, 상기 에지부(220) 및 멤브레인(310) 사이의 공간이 충분히 확보된다. 즉, 상기 에지부(220) 중 상기 제 1 단차부(222)를 제외한 나머지 부분은 상기 멤브레인(310)과 충분한 간격으로 이격된다.
따라서, 본 실시예에 따른 CMP장치의 가압 헤드(10)는 웨이퍼(W)에 균일하게 압력을 가할 수 있고, 상기 웨이퍼(W)를 균일하게 연마할 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 압축 공기가 유입되기 위한 유입구를 포함하는 헤드 몸체;
    상기 헤드 몸체에 설치되는 백플레이트;
    상기 백플레이트 아래에 배치되는 멤브레인; 및
    상기 멤브레인 아래에 배치되는 템플레이트 어셈블리를 포함하고,
    상기 백플레이트는
    중앙부; 및
    상기 중앙부의 주위를 둘러싸는 에지부를 포함하고,
    상기 중앙부에는 상기 헤드 몸체 및 상기 백플레이트 사이의 압축 공기를 상기 백플레이트 및 상기 멤브레인 사이로 통과시키는 제 1 유로가 형성되고,
    상기 에지부에는 상기 헤드 몸체 및 상기 백플레이트 사이의 압축 공기를 상기 백플레이트 및 상기 멤브레인 사이로 통과시키는 제 2 유로가 형성되고,
    상기 제 2 유로는 상기 에지부의 상면 및 측면을 따라서 형성되는 홈을 포함하는 웨이퍼 연마장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 유로의 폭은 0.5㎜ 내지 5㎜인 웨이퍼 연마장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 에지부의 하면은 상기 멤브레인과 이격되는 웨이퍼 연마장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 백플레이트의 하면 전체는 상기 멤브레인으로부터 이격되는 웨이퍼 연마장치.
  7. 압축 공기가 유입되기 위한 유입구를 포함하는 헤드 몸체;
    상기 헤드 몸체에 설치되는 백플레이트;
    상기 백플레이트 아래에 배치되는 멤브레인; 및
    상기 멤브레인 아래에 배치되는 템플레이트 어셈블리를 포함하고,
    상기 백플레이트는
    중앙부; 및
    상기 중앙부의 주위를 둘러싸는 에지부를 포함하고,
    상기 에지부의 하면에는 단차가 형성되는 웨이퍼 연마장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 에지부는
    상기 백플레이트의 최외곽에 형성되는 제 1 단차부; 및
    상기 제 1 단차부보다 더 낮은 두께를 가지는 제 2 단차부를 포함하는 웨이퍼 연마장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 단차부 및 상기 제 2 단차부 사이에 형성되고, 상기 제 1 단차부의 하면에 대하여 경사지는 경사면을 포함하는 웨이퍼 연마장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 단차부 및 상기 제 2 단차부 사이에 형성되는 곡면을 포함하는 웨이퍼 연마장치.
KR1020100108122A 2010-11-02 2010-11-02 웨이퍼 연마장치 KR101151544B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100108122A KR101151544B1 (ko) 2010-11-02 2010-11-02 웨이퍼 연마장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100108122A KR101151544B1 (ko) 2010-11-02 2010-11-02 웨이퍼 연마장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120046458A KR20120046458A (ko) 2012-05-10
KR101151544B1 true KR101151544B1 (ko) 2012-05-30

Family

ID=46265544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100108122A KR101151544B1 (ko) 2010-11-02 2010-11-02 웨이퍼 연마장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101151544B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10315286B2 (en) 2016-06-14 2019-06-11 Axus Technologi, Llc Chemical mechanical planarization carrier system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030045269A (ko) * 2001-12-01 2003-06-11 삼성전자주식회사 폴리싱 헤드가 구비된 화학기계적 연마장치
KR20030059638A (ko) * 2002-01-03 2003-07-10 삼성전자주식회사 폴리싱 헤드가 구비된 화학기계적 연마장치
KR100840012B1 (ko) * 2006-12-28 2008-06-20 주식회사 실트론 연마헤드 및 이를 포함하는 연마장치
KR20090090788A (ko) * 2008-02-22 2009-08-26 주식회사 실트론 웨이퍼 연마장치용 헤드 어셈블리

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030045269A (ko) * 2001-12-01 2003-06-11 삼성전자주식회사 폴리싱 헤드가 구비된 화학기계적 연마장치
KR20030059638A (ko) * 2002-01-03 2003-07-10 삼성전자주식회사 폴리싱 헤드가 구비된 화학기계적 연마장치
KR100840012B1 (ko) * 2006-12-28 2008-06-20 주식회사 실트론 연마헤드 및 이를 포함하는 연마장치
KR20090090788A (ko) * 2008-02-22 2009-08-26 주식회사 실트론 웨이퍼 연마장치용 헤드 어셈블리

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120046458A (ko) 2012-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101607099B1 (ko) 연마 헤드 및 연마 장치
KR101402720B1 (ko) 연마헤드 및 연마장치
KR101410358B1 (ko) 화학적 기계적 연마장치용 멤브레인 및 화학적 기계적 연마장치용 연마헤드
JP4583207B2 (ja) 研磨装置
KR101196652B1 (ko) 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체 및 이를 구비한 캐리어 헤드
KR101293485B1 (ko) 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드용 리테이너 링
KR100621629B1 (ko) 화학적 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 헤드 및 연마방법
JP2013111679A (ja) 弾性膜及び基板保持装置
DE60229449D1 (de) Trägerkopf für chemisch-mechanische poliervorrichtung
EP1260315B1 (en) Semiconductor substrate holder for chemical-mechanical polishing comprising a movable plate
KR101151544B1 (ko) 웨이퍼 연마장치
US20190247974A1 (en) Method for polishing wafer
JP5455190B2 (ja) 研磨装置
KR101201571B1 (ko) 웨이퍼 연마장치
KR101244221B1 (ko) 캐리어 헤드의 멤브레인
KR101079414B1 (ko) 웨이퍼 연마 장치용 헤드 조립체
KR20100094466A (ko) 연마 헤드 및 연마 장치
TWI778338B (zh) 研磨頭、研磨裝置及半導體晶圓的製造方法
KR101146491B1 (ko) 연마 패드 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마장치
KR100954690B1 (ko) 웨이퍼 가압헤드
KR20020090370A (ko) 화학기계적 연마장치의 연마헤드
KR20100079165A (ko) 화학적 기계적 연마장치, 이에 이용되는 멤브레인 및 연마헤드
JP5257729B2 (ja) 研磨装置
KR100928450B1 (ko) 반도체용 실리콘웨이퍼의 씨엠피 가공장치용 템플레이트어셈블리
JP2007266299A (ja) ウェーハ研磨装置及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160401

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170328

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180319

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190325

Year of fee payment: 8