JP2010175522A - 過熱検出回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MOS100の過熱状態を検出する過熱検出回路であって、電源とグランドとの間に直列に接続された定電流源13及びダイオード14と、基準電圧とダイオード14の順方向電圧とを比較するコンパレータ15と、電源とグランドとの間に直列に接続された定電流源23及びツェナーダイオード24と、基準電圧とツェナーダイオード24の逆方向電圧とを比較するコンパレータ25と、コンパレータ15及びコンパレータ25における比較において共に閾値に達した場合のみMOS100が過熱状態であることを示す信号を出力するAND回路30を備える。
【選択図】図1
Description
被検出体の過熱状態を検出する過熱検出回路であって、
被検出体の温度に応じた温度検出信号を出力する第1温度検出部と、
第1温度検出部が出力する温度検出信号と閾値とを比較する第1比較部と、
被検出体の温度に応じた温度検出信号を出力するものであり、第1温度検出部とは温度特性が異なる第2温度検出部と、
第2温度検出部が出力する温度検出信号と閾値とを比較する第2比較部と、
第1比較部及び第2比較部における比較において、第1温度検出部が出力する温度検出信号及び第2温度検出部が出力する温度検出信号が共に閾値に達した場合のみ被検出体が過熱状態であると判定する過熱判定部と、
を備えることを特徴とするものである。
また、上述の実施の形態においては、異なる温度検出素子(ダイオード14とツェナーダイオード24)を用いる例を採用して説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく同一の温度検出素子を用いてもよい。変形例1においては、同一の温度検出素子を用いた例を採用して説明する。図4は、変形例1における過熱検出回路の概略構成を示す回路図である。図5(a)、(b)は、変形例1における過熱検出回路の温度検出回路の温度特性を示すグラフである。なお、変形例1においては、上述の実施の形態と同等な箇所に関しての説明は省略し、異なる点を重点的に説明する。
次に、他の温度検出素子を採用した変形例2について説明する。図6は、変形例2における過熱検出回路の概略構成を示す回路図である。なお、変形例2においては、上述の実施の形態と同等な箇所に関しての説明は省略し、異なる点を重点的に説明する。
次に、他の温度検出素子を採用した変形例3について説明する。図7は、変形例3における過熱検出回路の概略構成を示す回路図である。なお、変形例3においては、上述の実施の形態と同等な箇所に関しての説明は省略し、異なる点を重点的に説明する。
上述のような過熱検出回路の場合、一方の温度検出回路(温度検出回路10もしくは温度検出回路20)に異常(例えば、供給される電源の電圧低下)が生じた場合、過熱と判定すべき状態でありながら過熱と判定しないという誤判定をしてしまう可能性がある。そこで、このような誤判定を抑制することを目的とした変形例4について説明する。図8は、変形例4における過熱検出回路の概略構成を示す回路図である。図9は、変形例4における低電圧検出回路の概略構成を示す回路図である。図10は、変形例4における低電圧検出回路の特性を示すグラフである。図11は、変形例4における温度検出回路20の特性を示すグラフである。
次に、過熱検出回路の変形例5について説明する。図12(a)〜(c)は、変形例5における過熱検出回路の温度検出素子の配置を示すイメージ図及び温度特性を示すグラフである。なお、図12(a)は、二つのMOS110、120を平面的に隣り合うように配置した場合の図面である。一方、図12(b)は、ソース、ドレインを共通にした二つのMOS110、120を平面的に隣り合うように配置した場合の図面である。
なお、変形例6に示すように、ツェナーダイオード24は、被検出体であるMOSの近くに配置しなくてもよい。図13(a)〜(c)は、変形例6における過熱検出回路の温度検出素子の配置を示すイメージ図及び温度特性を示すグラフである。
30・・・AND回路
11、12・・・抵抗
13・・・定電流源
14・・・ダイオード
15・・・コンパレータ
21、22・・・抵抗
23・・・定電流源
24・・・ツェナーダイオード
25・・・コンパレータ
100・・・MOS
Claims (5)
- 被検出体の過熱状態を検出する過熱検出回路であって、
前記被検出体の温度に応じた温度検出信号を出力する第1温度検出部と、
前記第1温度検出部が出力する温度検出信号と閾値とを比較する第1比較部と、
前記被検出体の温度に応じた温度検出信号を出力するものであり、前記第1温度検出部とは温度特性が異なる第2温度検出部と、
前記第2温度検出部が出力する温度検出信号と閾値とを比較する第2比較部と、
前記第1比較部及び前記第2比較部における比較において、前記第1温度検出部が出力する温度検出信号及び前記第2温度検出部が出力する温度検出信号が共に閾値に達した場合のみ前記被検出体が過熱状態であると判定する過熱判定部と、
を備えることを特徴とする過熱検出回路。 - 前記第1温度検出部と前記第1比較部、もしくは、前記第2温度検出部と前記第2比較部の一方の異常を検出する異常検出部を備え、
前記過熱判定部は、前記異常検出部にて異常が検出された場合は、他方の温度検出信号のみが閾値に達したことによって、前記被検出体が過熱状態であると判定することを特徴とする請求項1に記載の過熱検出回路。 - 前記第1温度検出部及び前記第2温度検出部には、同一の温度検出素子を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の過熱検出回路。
- 前記第1温度検出部及び前記第2温度検出部には、異なる温度検出素子を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の過熱検出回路。
- 二つの被検出体が隣り合って配置される場合、二つの前記被検出体それぞれに温度特性が異なる前記第1温度検出部及び前記第2温度検出部を設けるものであり、
各被検出体に設けられる前記第1温度検出部及び前記第2温度検出部において、同じ温度特性である一方に設けられる温度検出素子は、二つの前記被検出体の間に配置されることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の過熱検出回路。
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CN112362180B (zh) * | 2020-10-15 | 2022-08-12 | 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 | 用于过温保护的温差检测电路 |
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