JP2010170981A - 配線構造およびｍｅｍｓリレー - Google Patents

Abstract

【課題】高周波信号の伝送ロスを低減でき、しかも容易に作製できる配線構造およびＭＥＭＳリレーを提供する。
【解決手段】配線構造は、基板よりなるベース２０と、ベース２０の一表面側に形成された伝送線路１０と、伝送線路１０の周囲に配置され且つ伝送線路１０から電気的に絶縁された接地線路１１と、伝送線路１０を挟み込むように伝送線路１０の幅方向の一端側および他端側にそれぞれ設けられ且つベース２０を厚み方向に貫通した第１孔部２４および第２孔部２５とを備える。接地線路１１は、第１孔部２４の内側に形成された第１導電部１１０と、第２孔部２５の内側に形成された第２導電部１１１と、ベース２０の他表面側に形成され第１導電部１１０および第２導電部１１１に接続された第３導電部１１２とを有する。各孔部２４，２５は、伝送線路１０の幅方向に沿った長さが、他表面側の方が一表面側よりも大きくなるように形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線構造、特にＭＥＭＳデバイスに利用される配線構造に関し、さらに当該配線構造を有するＭＥＭＳリレーに関する。

従来から、ＭＥＭＳリレーなどのＭＥＭＳデバイス（微小電気機械装置）に利用される配線構造が提案されている。このような配線構造としては、基板上に形成される伝送線路（信号線）と、伝送線路の長さ方向に交差する面内において当該伝送線路を囲う接地線路（接地線）とを有する同軸構造が提案されている。例えば、特許文献１には、一表面側に溝が形成された半導体基板において、当該一表面側に形成される第１接地線と、溝内において第１接地線上に形成される第１誘電層と、第１誘電層上に形成される信号線と、第１誘電層との間で信号線を囲う第２誘電層と、第１接地線との間で第１および第２の誘電層と信号線とを囲う第２接地層とからなる配線構造が開示されている。

特表２００２−５３３９５４号公報

しかしながら、上記特許文献１に示す構造を得るためには、まず半導体基板に溝を形成した後に、第１接地線の基礎となる導電層と、第１誘電層の基礎となる絶縁層と、信号線の基礎となる導電層と、第２誘電層の基礎となる絶縁層と、第２接地線の基礎となる導電層とを、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用してパターニングをする工程を挟みながら積層する必要がある。そのため、作製に手間がかかるという問題があった。

本発明は上述の点に鑑みて為されたもので、その目的は、高周波信号の伝送ロスを低減することができ、しかも容易に作製することができる配線構造およびＭＥＭＳリレーを提供することにある。

請求項１の発明では、ＭＥＭＳデバイスに設けられる配線構造であって、ＭＥＭＳデバイスに設けられる配線構造であって、基板よりなるベースと、上記ベースの一表面側に形成された伝送線路と、上記伝送線路の周囲に配置され且つ上記伝送線路から電気的に絶縁された接地線路と、上記伝送線路を挟み込むように上記伝送線路の幅方向の一端側および他端側にそれぞれ設けられ且つ上記ベースを厚み方向に貫通した第１孔部および第２孔部とを備え、上記接地線路は、上記第１孔部の内側に形成された第１導電部と、上記第２孔部の内側に形成された第２導電部と、上記ベースの他表面側に形成され上記第１導電部および上記第２導電部に電気的に接続された第３導電部とを有し、上記第１孔部および上記第２孔部は、上記伝送線路の幅方向に沿った長さが、上記他表面側の方が上記一表面側よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする。

この発明によれば、擬似的な同軸構造が得られるから、高周波信号の伝送ロスを低減できる。また、立体的な構造を得るために半導体層や、絶縁層、導電層などの積層体を作製する必要がないから、容易に作製できる。しかも、伝送線路の幅方向に沿った方向における第１孔部および第２孔部の長さが均一である場合に比べれば、伝送線路の長さ方向に交差する面内における接地線路の形状を円環状に近付けることができ、高周波特性を向上できる。

請求項２の発明では、請求項１の発明において、上記第１孔部および上記第２孔部は、上記伝送線路に並行するように形成されたスリットであることを特徴とする。

この発明によれば、伝送線路に出力される信号の波長によらずに、高周波信号の伝送ロスを低減できる。

請求項３の発明では、請求項１の発明において、上記第１孔部および上記第２孔部は、上記伝送線路の長さ方向に沿って所定の間隔で複数形成され、上記所定の間隔は、上記伝送線路に出力される高周波信号のうち最も周波数の高い信号の波長の１／４未満であることを特徴とする。

この発明によれば、伝送線路に出力される高周波信号の伝送ロスを低減できる。

請求項４の発明では、請求項１〜３のうちいずれか１項の発明において、上記接地線路は、上記一表面内における上記伝送線路の幅方向の一端側に設けられ上記第１導電部に電気的に接続された第４導電部と、上記一表面内における上記伝送線路の幅方向の他端側に設けられ上記第２導電部に電気的に接続された第５導電部とを備えることを特徴とする。

この発明によれば、高周波信号の伝送ロスを低減できる。

請求項５の発明では、請求項４の発明において、上記ＭＥＭＳデバイスは、半導体微細加工技術を利用して加工された半導体基板よりなり且つ接合用の金属層を用いて上記ベースの一表面側に接合された機能部をさらに備えて構成され、上記第４導電部および上記第５導電部は、上記金属層を用いて形成されていることを特徴とする。

この発明によれば、製造コストを削減できる。

請求項６の発明では、請求項１〜５のうちいずれか１項の発明において、上記ベースは、上記他表面に形成された外部接続電極と、上記ベースを厚み方向に貫通した貫通孔と、上記貫通孔の内側に形成され上記外部接続電極と上記伝送線路とを電気的に接続した貫通孔配線とを有することを特徴とする。

この発明によれば、配線構造を小型化することができる。

請求項７の発明では、請求項６の発明において、上記貫通孔の直径は、一定であることを特徴とする。

この発明によれば、ベースの一表面側から他表面側に向かうにつれて貫通孔の直径が大きくなっている場合に比べれば、高周波特性を向上できる。

請求項８の発明では、請求項１〜７のうちいずれか１項の発明において、上記ベースは、上記一表面に穴部が形成され、上記伝送線路は、上記穴部の底面に配置されていることを特徴とする。

この発明によれば、穴部がない場合に比べれば、貫通孔の長さを短くできて、高周波特性を向上できる。

請求項９の発明では、請求項１〜８のうちいずれか１項の発明において、上記第１孔部および上記第２孔部は、上記ベースの上記一表面側から上記他表面側に向かうにつれて上記幅方向に沿った方向の長さが段階的に大きくなることを特徴とする。

この発明によれば、伝送線路の長さ方向に交差する面内における接地線路の形状を円環状に近付けることができ、高周波特性を向上できる。

請求項１０の発明では、請求項６〜９のうちいずれか１項の発明において、上記ベースは、ガラス基板により形成され、上記貫通孔は、上記ベースを上記一表面側から所定深さまでブラスト加工して形成された第１貫通孔部と、上記ベースを上記他表面側から所定深さまでブラスト加工して形成された第２貫通孔部とで構成されていることを特徴とする。

この発明によれば、貫通孔を一方向からのブラスト加工によって作製する場合に比べれば、貫通孔の直径の変化幅を小さくできて、高周波特性を向上できる。

請求項１１の発明では、請求項１〜９のうちいずれか１項の発明において、上記ベースは、低温同時焼成セラミックス基板により形成されていることを特徴とする。

この発明によれば、ベースがガラス基板よりなる場合に比べてベースを容易に加工できる。

請求項１２の発明では、請求項１〜１１のうちいずれか１項の発明において、上記ＭＥＭＳデバイスは、上記ベースの上記一表面側に載置された機能部と、上記機能部における上記ベースとは反対側に載置されたカバーとを備え、上記機能部は、半導体微細加工技術を利用して加工された半導体基板よりなると共に上記伝送線路に対向する位置に上記カバーを上記ベースに臨ませる開口を有し、上記接地線路は、上記開口における上記伝送線路の幅方向の一端側に形成され上記第１導電部に電気的に接続された第６導電部と、上記開口における上記伝送線路の幅方向の他端側に形成され上記第２導電部に電気的に接続された第７導電部と、上記カバーのうち上記開口に対面する部位に形成され上記第６導電部および上記第７導電部に電気的に接続された第８導電部とを備えることを特徴とする。

この発明によれば、接地線路が、伝送線路の長さ方向に交差する面内において伝送線路を囲っているから、擬似的な同軸構造が得られる。そのため、高周波信号の伝送ロスを低減できる。また、接地線路を作製するにあたっては、ＭＥＭＳデバイスのベースだけではなく、機能部とカバーも利用している。そのため、ベースのみを利用して接地線路を作製しようとする場合に比べて、立体的な構造を得るために半導体層や、絶縁層、導電層などの積層体を作製する必要がなくなる。これによって、容易に作製できるようになる。

請求項１３の発明では、請求項１２の発明において、上記機能部の上記開口周辺には、上記機能部を厚み方向に貫通した接続孔が、上記伝送線路の長さ方向に沿って複数形成され、上記第６導電部および上記第７導電部は、上記接続孔の内側に形成されていることを特徴とする。

この発明によれば、機能部の開口の内側面に第６導電部および第７導電部を形成する場合に比べれば、第６導電部および第７導電部を容易に形成できる。

請求項１４の発明では、請求項１２の発明において、上記機能部の上記開口周辺には、上記機能部を厚み方向に貫通した接続スリットが、上記伝送線路の長さ方向に沿って形成され、上記第６導電部および上記第７導電部は、上記接続スリットの内側に形成されていることを特徴とする。

この発明によれば、機能部の開口の内側面に第６導電部および第７導電部を形成する場合に比べれば、第６導電部および第７導電部を容易に形成できる。また、機能部の開口周辺に孔部を形成して、当該孔部に第６導電部および第７導電部を形成する場合に比べれば、高周波特性を向上できる。

請求項１５の発明では、請求項１〜１１のうちいずれか１項の発明において、上記ＭＥＭＳデバイスは、上記ベースの上記一表面側に載置された機能部をさらに備え、上記機能部は、半導体微細加工技術を利用して加工された半導体基板よりなると共に上記伝送線路の幅方向に沿った方向における長さが上記伝送線路よりも大きい凹部を上記伝送線路との対向面に有し、上記接地線路は、上記凹部における上記伝送線路の幅方向の一端側の内側面に形成され且つ上記第１導電部に電気的に接続された第６導電部と、上記凹部における上記伝送線路の幅方向の他端側の内側面に形成され且つ上記第２導電部に電気的に接続された第７導電部と、上記凹部の底面に形成され上記第６導電部および上記第７導電部に電気的に接続された第８導電部とを備えることを特徴とする。

この発明によれば、伝送線路の長さ方向に交差する面内において接地線路が伝送線路を囲っているから、擬似的な同軸構造が得られる。そのため、高周波信号の伝送ロスを低減できる。また、接地線路を作製するにあたっては、ＭＥＭＳデバイスのベースだけではなく、機能部も利用している。そのため、ベースのみを利用して接地線路を作製しようとする場合に比べて、立体的な構造を得るために半導体層や、絶縁層、導電層などの積層体を作製する必要がなくなる。これによって、容易に作製できるようになる。また、凹部の深さによって第８導電部と伝送線路との距離を決定できるため、第８導電部と伝送線路との距離を高周波特性の向上に好適な距離に設定できる。

請求項１６の発明では、請求項１５の発明において、上記凹部の底面は、上記伝送線路に対面する部分が凹む形に形成されていることを特徴とする。

この発明によれば、凹部の底面が平面状である場合に比べれば、伝送線路の長さ方向に交差する面内における接地線路の形状を円環状に近付けることができ、高周波特性を向上できる。

請求項１７の発明では、請求項１〜１６のうちいずれか１項の発明において、上記ベースは、上記伝送線路の幅方向に沿った方向の長さが上記伝送線路よりも大きい穴部を上記一表面に有すると共に、上記穴部を覆う板状の支持部を有し、上記伝送線路は、上記支持部における上記穴部側とは反対側に形成され、上記第１孔部および上記第２孔部は、上記穴部の底面に形成され、上記接地線路は、上記穴部における上記伝送線路の幅方向の一端側の内側面に形成され且つ上記第１導電部および上記第６導電部に電気的に接続された第９導電部と、上記穴部における上記伝送線路の幅方向の他端側の内側面に形成され且つ上記第２導電部および上記第７導電部に電気的に接続された第１０導電部とを備えることを特徴とする。

この発明によれば、伝送線路がベースの上記一表面に直に形成されている場合に比べて、高周波特性を向上できる。

請求項１８の発明では、請求項１７の発明において、上記支持部は、上記伝送線路の周辺に、当該支持部を厚み方向に貫通した孔部を有することを特徴とする。

この発明によれば、さらに高周波特性を向上できる。

請求項１９の発明では、請求項１８の発明において、上記孔部は、上記伝送線路に並行する形に形成されていることを特徴とする。

この発明によれば、さらに高周波特性を向上できる。

請求項２０の発明では、高抵抗基板よりなり一表面側に伝送線路が形成されたベースと、半導体微細加工技術を利用して加工された半導体基板よりなり上記ベースの一表面側に載置された機能部と、上記機能部における上記ベースとは反対側に載置された絶縁性材料製のカバーと、駆動装置とを備えてなり、上記ベースは、上記伝送線路に電気的に接続された複数の固定接点を上記一表面側に有し、上記機能部は、開口を有し且つその開口を囲うように上記ベースに固定されたフレームと、上記フレームの上記開口内に揺動自在に支持され上記複数の固定接点それぞれに接触した際に当該複数の固定接点間を短絡する可動部と、上記可動部に固定された磁性材料製のアーマチュアとを備え、上記カバーは、上記フレームの上記開口を閉塞する形に形成され、上記駆動装置は、上記アーマチュアを磁場により吸引して揺動させる電磁石装置を有して構成されるＭＥＭＳリレーであって、請求項１〜１９のうちいずれか１項記載の配線構造を備えることを特徴とする。

この発明によれば、高周波信号の伝送ロスを低減でき、しかも容易に作製できる。

請求項２１の発明では、請求項２０の発明において、上記駆動装置は、上記カバーに設けられていることを特徴とする。

この発明によれば、駆動装置をベースに設ける場合に比べれば、ベースの厚みを薄くできる。そのため、伝送線路をベースの他表面側に引き出すための貫通孔を短くできて、高周波特性を向上できる。また、駆動装置と伝送線路との距離を離すことができるから、駆動装置の電磁石装置が発生する磁場によって伝送線路に悪影響が生じる可能性を低くできる。

本発明は、高周波信号の伝送ロスを低減でき、しかも容易に作製できるという効果を奏する。

実施形態１の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図、（ｄ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。 同上の配線構造の変形例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図、（ｄ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。 実施形態２の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図、（ｄ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。 実施形態３の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図、（ｄ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。 実施形態４の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図、（ｄ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。 実施形態５の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図、（ｄ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。 同上の配線構造の変形例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。 実施形態６の配線構造の要部を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。 （ａ）は同上の配線構造の要部の変形例を示す平面図、（ｂ）は同上の配線構造の要部のさらに別の変形例を示す平面図である。 実施形態７の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図、（ｄ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。 実施形態８の配線構造を示し、（ａ）は伝送線路の幅方向に直交する面内における断面図、（ｂ）は伝送線路の長さ方向に直交する面内における断面図である。 同上の配線構造の変形例を示し、（ａ）は伝送線路の幅方向に直交する面内における断面図、（ｂ）は伝送線路の長さ方向に直交する面内における断面図である。 実施形態９の配線構造の断面図である。 実施形態１０のＭＥＭＳリレーの斜視図である。 同上のＭＥＭＳリレーの分解斜視図である。

（実施形態１）
本実施形態の配線構造は、例えば、図１（ａ）〜（ｄ）に示すように、ベース２０と、機能部３０と、カバー４０とを備えるＭＥＭＳデバイスに適用される。なお、図１では、本実施形態の配線構造の要点を簡単に説明するために、ＭＥＭＳデバイスの構造を簡略化して図示している。

ベース２０は、基板（本実施形態では、ガラス基板）よりなる。ベース２０の一表面側（図１（ｂ）における上面側）には、伝送線路１０が形成される。なお、ベース２０は、ガラス基板などの絶縁性基板ではなく、シリコン基板より形成されていてもよい。この場合、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術といった半導体微細加工技術を利用できるから、ガラス基板を用いる場合に比べて、ベース２０の加工を容易に行える。特に、後述するように機能部３０はシリコンを用いて形成されるから、機能部３０とベース２０との線膨張係数をおおよそ等しくできる。そのため、線膨張係数の差に起因する応力を低減できる。また、シリコン基板としては、高抵抗のシリコンを用いた高抵抗シリコン基板を用いることが好ましい。この場合には、高周波特性（特にスローウェーブモードでの高周波特性）を向上できる。

伝送線路１０は、図１（ａ）に示すように、直線状に形成される。

ベース２０の他表面側（図１（ｂ）における下面側）には、一対の外部接続電極２１が形成される。また、ベース２０には、ベース２０を厚み方向に貫通する一対の貫通孔２２が形成される。なお、ベース２０は、ガラス基板であるから、貫通孔２２は、ベース２０の上記他表面側からブラスト加工（例えば、サンドブラスト加工）することにより形成される。貫通孔２２の内側には、伝送線路１０の長手方向の各端部を外部接続電極２１に電気的に接続する貫通孔配線２３が形成される。よって、一対の外部接続電極２１は、伝送線路１０によって相互に電気的に接続される。

また、ベース２０は、第１孔部２４と第２孔部２５とを備える。各孔部２４，２５は、ベース２０を厚み方向に貫通する。第１孔部２４は、伝送線路１０の幅方向の一端側（図１（ｂ）における左端側）に位置する。第２孔部２５は、伝送線路１０の幅方向の他端側（図１（ｂ）における右端側）に位置する。このように、第１孔部２４および第２孔部２５は、伝送線路１０の幅方向の一端および他端のそれぞれに隣接するように設けられる（伝送線路１０は、ベース２０における第１孔部２４と第２孔部２５との間の部位に位置する）。ここで、各孔部２４，２５と伝送線路１０との距離は、伝送線路１０を通る高周波信号の伝送ロスを後述する接地線路１１によって十分に低減できるような距離に設定される。

本実施形態において、各孔部２４，２５は、伝送線路１０に並行するように形成されるスリットである。各孔部２４，２５の幅は、ベース２０の上記一表面側から上記他表面側に向かうにつれて広くなっている（すなわち、各孔部２４、２５は、ベース２０の上記他表面側における上記幅方向に沿った方向の長さがベース２０の上記一表面側における上記幅方向に沿った方向の長さよりも大きくなる形に形成される）。例えば、各孔部２４，２５の内側面の傾斜角度（ベース２０の上記一表面との間の角度）は７５度、好適には４５度である。各孔部２４，２５は、ベース２０の上記他表面側からベース２０をブラスト加工（例えば、サンドブラスト加工）することで形成できる。なお、各孔部２４，２５は、ブラスト加工以外の周知の技術を利用して形成してもよい。

機能部３０は、半導体微細加工技術を利用して加工された半導体基板（例えばシリコン基板）よりなる。機能部３０は、接合用の金属層８０を用いてベース２０の一表面側に設けられる（取り付けられる）。また、機能部３０には、伝送線路１０全体をカバー４０側に臨ませる矩形状の開口３１が形成される。このように、機能部３０は、ベース２０の一表面側に設けられると共に、伝送線路１０に対向する位置に開口３１を有する。

カバー４０は、絶縁性材料（例えばガラス）よりなる。カバー４０は、機能部３０におけるベース２０側とは反対側（図１（ｂ）における上側）に設けられる。つまり、カバー４０は、ベース２０とで機能部３０を挟むようにベース２０に載置される。カバー４０は、機能部３０の開口３１を閉塞できる大きさの板状に形成される。このように、カバー４０は、機能部３０におけるベース２０側とは反対側に設けられると共に、開口３１を介して伝送線路１０に対面する。

本実施形態の配線構造は、ベース２０と、ベース２０の一表面側に形成された伝送線路１０と、伝送線路１０を挟み込むように伝送線路１０の幅方向の一端側および他端側に設けられベース２０を厚み方向に貫通した第１孔部２４および第２孔部２５と、伝送線路１０から電気的に絶縁された接地線路１１とを備える。

接地線路１１は、伝送線路１０の周囲に形成される。本実施形態における接地線路１１は、伝送線路１０の長手方向である長さ方向（図１（ａ）における上下方向）に交差（直交）する面内において伝送線路１０を囲う形に形成される。

接地線路１１は、ベース２０に形成される５つの導電部１１０〜１１４と、機能部３０に形成される２つの導電部１１５，１１６と、カバー４０に形成される１つの導電部１１７とを備える。

導電部（第１導電部）１１０は、ベース２０の第１孔部２４の内側に形成される。

導電部（第２導電部）１１１は、ベース２０の第２孔部２５の内側に形成される。

導電部（第３導電部）１１２は、ベース２０の上記他表面側に形成される。第３導電部１１２は、ベース２０の上記他表面側におけるスリット２４，２５間、かつ一対の外部接続電極２１間の部位に形成される。第３導電部１１２は、伝送線路１０の幅方向の一端側（図１（ｂ）における左端側）において第１導電部１１０に直接的に接続される。また、第３導電部１１２は、伝送線路１０の幅方向の他端側（図１（ｂ）における右端側）において第２導電部１１１と直接的に接続される。第１導電部１１０と第２導電部１１１とは、第３導電部１１２によって相互に電気的に接続される。

導電部（第４導電部）１１３は、ベース２０における伝送線路１０の幅方向の一端側に形成される。第４導電部１１３は、第１孔部２４よりベース２０の上記一表面側に露出する第１導電部１１０全体を覆う形に形成される。これによって、第４導電部１１３は、第１導電部１１０に直接的に接続される。

導電部（第５導電部）１１４は、ベース２０における伝送線路１０の幅方向の他端側に形成される。第５導電部１１４は、第２孔部２５よりベース２０の上記一表面側に露出する第２導電部１１１全体を覆う形に形成される。これによって、第５導電部１１４は、第２導電部１１１に直接的に接続される。

ここで、金属層８０は、ベース２０の上記一表面に平行する面内において伝送線路１０を囲う形に形成される。本実施形態では、金属層８０における伝送線路１０の幅方向の一端側の部位を第４導電部１１３として用い、金属層８０における伝送線路１０の幅方向の他端側の部位を第５導電部１１４として用いる。つまり、第４導電部１１３と第５導電部１４とは、金属層８０を用いて形成される。

導電部（第６導電部）１１５と導電部（第７導電部）１１６は、機能部３０の開口３１の内側面に形成される。

第６導電部１１５は、機能部３０の開口３１における伝送線路１０の幅方向の一端側（図１（ｂ）における左端側）の内側面に形成される。第６導電部１１５は、第４導電部１１３を介して第１導電部１１０に電気的に接続される。

第７導電部１１６は、機能部３０の開口３１における伝送線路１０の幅方向の他端側（図１（ｂ）における右端側）の内側面に形成される。第７導電部１１６は、第５導電部１１４を介して第２導電部１１１に電気的に接続される。

導電部（第８導電部）１１７は、カバー４０における開口３１に臨む部位に形成される（カバー４０のうち開口３１に対面する部位に形成される）。第８導電部１１７は、第６導電部１１５および第７導電部１１６それぞれと直接的に接続される。言い換えれば、第６導電部１１５は、第１導電部１１０と第８導電部１１７とを相互に電気的に接続する。第７導電部１１６は、第２導電部１１１と第８導電部１１７とを相互に電気的に接続する。

なお、伝送線路１０の長さ方向における開口３１の寸法は、伝送線路１０よりも大きい。また、伝送線路１０の幅方向における開口３１の寸法は、金属層８０がない場合に各孔部２４，２５の一部がカバー４０側に臨むような大きさである。

接地線路１１では、第１導電部１１０と第２導電部１１とが第３導電部１１２によって相互に電気的に接続される。第４導電部１１３が第１導電部１１０に電気的に接続されるとともに、第６導電部１１５が第４導電部１１３を介して第１導電部１１０に電気的に接続される。第５導電部１１４が第２導電部１１１に電気的に接続されるとともに、第７導電部１１６が第５導電部１１４を介して第２導電部１１１に電気的に接続される。第６導電部１１５と第７導電部１１６とは第８導電部１１７によって相互に電気的に接続される。

このように接地線路１１では、各導電部１１０〜１１７は相互に電気的に接続される。また、導電部１１０〜１１７のうちの少なくとも１つは、グラウンド（基準電位点）に接続される。なお、各導電部１１０〜１１７は、電気めっき法や、スパッタ法など、従来周知の方法により形成できる。

以上述べたように本実施形態の配線構造は、基板よりなるベース２０と、ベース２０の一表面側に形成された伝送線路１０と、伝送線路１０の周囲に配置され且つ伝送線路１０から電気的に絶縁された接地線路１１と、伝送線路１０の幅方向の一端および他端のそれぞれに隣接して設けられベース２０を厚み方向に貫通した第１孔部２４および第２孔部２５とを備える。そして、接地線路１１は、第１孔部２４の内側に形成された第１導電部１１０と、第２孔部１１１の内側に形成された第２導電部２５と、ベース２０の他表面側に形成され第１導電部１１０および第２導電部１１１に電気的に接続された第３導電部１１２とを有する。また、第１孔部２４および第２孔部２５は、伝送線路１０の幅方向に沿った長さが、他表面側の方が一表面側よりも大きくなるように形成されている。

本実施形態の配線構造によれば、擬似的な同軸構造が得られるから、高周波信号の伝送ロスを低減できる。また、接地線路１１を作製するにあたっては、ＭＥＭＳデバイスのベース２０だけではなく、機能部３０とカバー４０も利用している。そのため、ベース２０のみを利用して接地線路１１を作製しようとする場合に比べて、立体的な構造を得るために半導体層や、絶縁層、導電層などの積層体を作製する必要がなくなる。これによって、接地線路１１を容易に作製できる。しかも、伝送線路１０の幅方向に沿った方向における第１孔部２４および第２孔部２５の長さが均一である場合に比べれば、伝送線路１０の長さ方向に交差する面内における接地線路１１の形状を円環状に近付けることができ、高周波特性を向上できる。

また、各孔部２４，２５は、伝送線路１０に並行するように形成されたスリットであるから、伝送線路１０に出力される高周波信号の波長によらずに、リプルの発生を抑制でき、高周波特性を向上できる。

さらに、接地線路１１は、第１導電部１１０に電気的に接続される第４導電部１１３と、第２導電部１１１に電気的に接続される第５導電部１１４とをベース２０の上記一表面に備える。そのため、高周波信号の伝送ロスをさらに低減できる。第４導電部１１３と第５導電部１１４とは、機能部３０をベース２０に接合するための金属層８０を用いて形成される。そのため、製造コストを削減できる。

さらに、接地線路１１は、開口３１における伝送線路１０の幅方向の一端側に形成され、且つ第１導電部１１０に電気的に接続された第６導電部１１５と、開口３１における伝送線路１０の幅方向の他端側に形成され、且つ第２導電部１１１に電気的に接続された第７導電部１１６と、カバー４０のうち開口３１に対面する部位に形成され、且つ第６導電部１１５および第７導電部１１６に電気的に接続された第８導電部１１７とを備える。これによって、伝送線路１０の長さ方向に交差する面内における接地線路１１の形状を円環状に近付けることができ、高周波特性を向上できる。

図２（ａ）〜（ｄ）は、図１の配線構造の変形例を示す。

図２の配線構造では、機能部３０とベース２０との接合に金属層８０を用いておらず、接地線路１１Ａは、第４導電部１１３と第５導電部１１４とを備えていない。すなわち、接地線路１１Ａは、第１〜第３，第６〜第８導電部１１０〜１１２，１１５〜１１７を備える。接地線路１１Ａにおいて、第６導電部１１５は直接的に第１導電部１１０に接続され、第７導電部１１６は直接的に第２導電部１１１に接続される。

図２の配線構造においても、図１の配線構造と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減でき、しかも容易に作製できる。なお、図２の配線構造においても、第６〜第８導電部１１５〜１１７を省略してもよい。

なお、本実施形態の配線構造を適用するＭＥＭＳデバイスとしては、例えばマイクロリレー（ＭＥＭＳリレー）や、種々のフィルタ、センサ、アクチュエータなどが挙げられる。

（実施形態２）
本実施形態の配線構造では、図３（ａ）〜（ｄ）に示すように、接地線路１１Ｂとベース２０Ｂとが実施形態１の配線構造と異なる。なお、本実施形態の配線構造と実施形態１の配線構造とで共通する構成については同一の符号を付して説明を省略する。

ベース２０Ｂは、各孔部２４Ｂ，２５Ｂが実施形態１と異なる。各孔部２４Ｂ，２５Ｂは、伝送線路１０の長さ方向に沿って所定の間隔で複数形成される貫通孔である。図示例では、簡略化のために各孔部２４Ｂ，２５Ｂを５つだけ図示している。

各孔部２４Ｂ，２５Ｂの幅は、実施形態１と同様に、ベース２０Ｂの上記一表面側から上記他表面側に向かうにつれて広くなっている。例えば、各孔部２４Ｂ，２５Ｂの内側面の傾斜角度は７５度、好適には４５度である。各孔部２４Ｂ，２５Ｂは、ベース２０Ｂの上記他表面側からベース２０Ｂをブラスト加工（例えば、サンドブラスト加工）することで形成できる。

接地線路１１Ｂは、複数の第１導電部１１０Ｂと複数の第２導電部１１１Ｂと第３導電部と第６導電部１１５と第７導電部１１６と第８導電部１１７とを備える。なお、接地線路１１Ｂは、さらに第４導電部１１３と第５導電部１１４とを備えていても良い。また、接地線路１１Ｂは、第１導電部１１０Ｂと第２導電部１１１Ｂと第３導電部１１２Ｂとだけを備えていても良い。

各第１導電部１１０Ｂは、各第１孔部２４Ｂ内に形成される貫通孔配線である。各第２導電部１１１Ｂは、各第２孔部２５Ｂ内に形成される貫通孔配線である。これら導電部１１０Ｂ，１１１Ｂは、電気めっき法や、スパッタ法など、従来周知の方法により形成できる。

第３導電部１１２Ｂは、ベース２０Ｂの上記他表面側に形成される。第３導電部１１２Ｂは、伝送線路１０の幅方向の一端側（図３（ｂ）における左端側）において複数の第１導電部１１０Ｂそれぞれに直接的に接続される。また、第３導電部１１２Ｂは、伝送線路１０の幅方向の他端側（図３（ｂ）における右端側）において複数の第２導電部１１１Ｂそれぞれと直接的に接続される。全ての第１導電部１１０Ｂと全ての第２導電部１１１Ｂとは、第３導電部１１２によって相互に電気的に接続される。

このような接地線路１１Ｂは、上述の所定の間隔の４倍以上の波長を有する高周波信号に対して、リプルの発生を抑制できる。

したがって、上述の所定の間隔、すなわち、隣接する孔（各孔部２４Ｂ，２５Ｂ）の中心間の距離は、伝送線路１０に出力される高周波信号（つまり、使用が想定される高周波信号）のうち周波数が最も高い高周波信号の波長の１／４未満の値に設定される。例えば、伝送線路１０に通したい高周波信号の周波数の最大値（上限周波数）が４０ＧＨｚである場合には、４０ＧＨｚでのリプルの発生を効率的に抑制するために、少し高めの周波数５０ＧＨｚの波長をもとにして上記所定の間隔を設計する。すなわち、上記所定の間隔は、周波数５０ＧＨｚの波長の１／４未満になるように設計すればよい。

以上述べた本実施形態の配線構造によれば、実施形態１と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減できる。

特に、各孔部２４Ｂ，２５Ｂは、伝送線路１０の長さ方向に沿って所定の間隔で複数形成され、所定の間隔は、伝送線路１０に出力される高周波信号の波長の１／４未満である。そのため、伝送線路１０に出力される高周波信号に対する高周波特性を向上できる。

また、実施形態１と同様に、各孔部２４Ｂ，２５Ｂは、ベース２０の上記一表面側から上記他表面側に向かうにつれて幅が広くなる形に形成される。そのため、高周波特性を向上できる。

（実施形態３）
本実施形態の配線構造では、図４（ａ）〜（ｄ）に示すように、接地線路１１Ｃと機能部３０Ｃとが実施形態１の配線構造と異なる。なお、本実施形態の配線構造と実施形態１とで共通する構成については、同じ符号を付して説明を省略する。

機能部３０Ｃは、機能部３０Ｃを厚み方向に貫通する第１接続孔３７（以下、必要に応じて符号３７１で表す）と第２接続孔３７（以下、必要に応じて符号３７２で表す）とを有する。第１接続部３７１は、伝送線路１０の幅方向の一端側（図４（ｂ）における左端側）における開口３１の周縁部に複数（図示例では７つずつ）形成される。複数の第１接続孔３７１は、伝送線路１０の長さ方向に沿って等間隔で並ぶ。第２接続孔３７２は、伝送線路１０の幅方向の他端側（図４（ｂ）における右端側）における開口３１の周縁部に複数（図示例では７つずつ）形成される。複数の第２接続孔３７２は、伝送線路１０の長さ方向に沿って等間隔で並ぶ。つまり、機能部３０Ｃの開口３１周辺には、各接続孔３７１，３７２が伝送線路１０の長さ方向に沿って複数形成される。

接地線路１１Ｃは、第１導電部１１０と、第２導電部１１１と、第３導電部１１２と、第６導電部１１５Ｃと、第７導電部１１６Ｃと、第８導電部１１７とを備える。なお、接地線路１１Ｃは、さらに第４導電部１１３と第５導電部１１４とを備えていても良い。

第６導電部１１５Ｃは各第１接続孔３７１の内側に形成され、第７導電部１１６は各第２接続孔３７２の内側に形成される。なお、第８導電部１１７は、伝送線路１０の幅方向に沿った方向における両端部それぞれが第１導電部１１０および第２導電部１１１それぞれと厚み方向で重なるように形成される。

各第１接続孔３７１は、カバー４０側の開口から第８導電部１１７が臨み、ベース２０側の開口から第１導電部１１０が臨む位置に設けられる。また、各第２接続孔３７２は、カバー４０側の開口から第８導電部１１７が臨み、ベース２０側の開口から第２導電部１１１が臨む位置に設けられる。よって、第１導電部１１０と第８導電部１１７とが第６導電部１１５によって電気的に接続され、第２導電部１１１と第８導電部１１７とが第７導電部１１６によって電気的に接続される。

以上述べた本実施形態の配線構造によれば、実施形態１の配線構造と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減でき、容易に作製できる。

さらに、本実施形態の配線構造では、機能部３０Ｃを厚み方向に貫通する接続孔３７が機能部３０Ｃの開口３１周辺に伝送線路１０の長さ方向に沿って複数形成される。そして、接地線路１１Ｃの第６導電部１１５Ｃおよび第７導電部１１６Ｃは、接続孔３７の内側に形成される。そのため、機能部３０Ｃの開口３１の内側面に第６導電部１１５および第７導電部１１６を形成する場合に比べれば、第６導電部１１５Ｃおよび第７導電部１１６Ｃを容易に形成できる。なお、各接続孔３７の断面は正円形状となっているが、これはあくまでも一例である。また、各接続孔３７１，３７２は７つずつ形成されているが、これも一例に過ぎない。

なお、本実施形態の配線構造の特徴部分は、実施形態２にも適用できる。

（実施形態４）
本実施形態の配線構造では、図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、接地線路１１Ｄと機能部３０Ｄとが実施形態１の配線構造と異なる。なお、本実施形態の配線構造と実施形態１の配線構造とで共通する構成については、同じ符号を付して説明を省略する。

機能部３０Ｄは、機能部３０Ｄを厚み方向に貫通する接続スリット３８を２つ有する。第１接続スリット３８（以下、必要に応じて符号３８１で表す）は、伝送線路１０の幅方向の一端側（図５（ｂ）における左端側）における開口３１の周縁部に形成される。第２接続スリット３８（以下、必要に応じて符号３８２で表す）は、伝送線路１０の幅方向の他端側（図５（ｂ）における右端側）における開口３１の周縁部に形成される。また、各接続スリット３８は、伝送線路１０の長さ方向に沿って形成される。つまり、機能部３０Ｄの開口３１周辺には、接続スリット３８が伝送線路１０の長さ方向に沿って形成される。

接地線路１１Ｄは、第１導電部１１０と、第２導電部１１１と、第３導電部１１２と、第６導電部１１５Ｄと、第７導電部１１６Ｄと、第８導電部１１７とを備える。なお、接地線路１１Ｄは、さらに第４導電部１１３と第５導電部１１４とを備えていても良い。

第６導電部１１５Ｄは、第１接続スリット３８１の内側に形成され、第７導電部１１６Ｄは、第２接続スリット３８２の側に形成される。なお、第８導電部１１７は、伝送線路１０の幅方向に沿った方向における両端部それぞれが、第１導電部１１０および第２導電部１１１それぞれと厚み方向で重なる形に形成される。

第１接続スリット３８１は、カバー４０側の開口から第８導電部１１７が臨み、ベース２０側の開口から第１導電部１１０が臨む位置に設けられる。第２接続スリット３８２は、カバー４０側の開口から第８導電部１１７が臨み、ベース２０側の開口から第２導電部１１１が臨む位置に設けられる。よって、第１導電部１１０と第８導電部１１７とが第６導電部１１５によって電気的に接続され、第２導電部１１１と第８導電部１１７とが第７導電部１１６によって電気的に接続される。

以上述べた本実施形態の配線構造によれば、実施形態１の配線構造と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減でき、容易に作製できる。

さらに、本実施形態の配線構造では、機能部３０Ｄを厚み方向に貫通する接続スリット３８が機能部３０Ｄの開口３１周辺に伝送線路１０の長さ方向に沿って形成される。そして、接地線路１１Ｄの第６導電部１１５Ｄおよび第７導電部１１６Ｄは、接続スリット３８の内側に形成される。そのため、本実施形態の配線構造によれば、機能部３０の開口３１の内側面に第６導電部１１５および第７導電部１１６を形成する場合に比べれば、第６導電部１１５および第７導電部１１６を容易に形成できる。また、実施形態２の配線構造ように機能部３０Ｃの開口３１周辺に接続孔３７を形成して、当該接続孔３７に第６導電部１１５Ｃおよび第７導電部１１６Ｃを形成する場合に比べれば、高周波特性を向上できる。

なお、本実施形態の配線構造の特徴部分は、実施形態２にも適用できる。

（実施形態５）
本実施形態の配線構造では、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、接地線路１１Ｅと機能部３０Ｅとが実施形態１の配線構造と異なる。なお、本実施形態の配線構造と実施形態１の配線構造とで共通する構成については、同じ符号を付して説明を省略する。

機能部３０Ｅは、開口３１の代わりに矩形状の凹部３９を備える。凹部３９は、機能部３０Ｅにおける伝送線路１０との対向面（図６（ｂ）における下面）に形成される。凹部３９は、伝送線路１０の幅方向に沿った方向における長さが伝送線路１０よりも大きくなるように形成される。凹部３９は、伝送線路１０の長さ寸法に沿った方向における長さが伝送線路１０よりも大きくなるように形成される。特に、伝送線路１０の幅方向における凹部３９の長さは、第１孔部２４と第２孔部２５の一部が凹部３９内に臨むような大きさである。

接地線路１１Ｅは、ベース２０に形成される第１〜第５導電部１１０〜１１４と、機能部３０Ｅに形成される第６〜第８導電部１１５Ｅ〜１１７Ｅとを備える。

第６導電部１１５Ｅと第７導電部１１６Ｅとは、機能部３０Ｅの凹部３９の内側面に形成される。

第６導電部１１５Ｅは、凹部３９における伝送線路１０の幅方向の一端側（図６（ｂ）における左端側）の内側面に形成される。第６導電部１１５Ｅは、第４導電部１１３を介して第１導電部１１０に電気的に接続される。

第７導電部１１６Ｅは、凹部３９における伝送線路１０の幅方向の他端側（図６（ｂ）における右端側）の内側面に形成される。第７導電部１１６Ｅは、第５導電部１１４を介して第２導電部１１１に電気的に接続される。

第８導電部１１７は、機能部３０Ｅの凹部３９の底面に形成される。第８導電部１１７は、第６導電部１１５Ｅおよび第７導電部１１６Ｅそれぞれと直接的に電気的に接続される。言い換えれば、第６導電部１１５Ｅは、第１導電部１１０と第８導電部１１７Ｅとを相互に電気的に接続する。第７導電部１１６Ｅは、第２導電部１１１と第８導電部１１７Ｅとを相互に電気的に接続する。

接地線路１１Ｅでは、各導電部１１０〜１１４，１１５Ｅ〜１１７Ｅは相互に電気的に接続される。また、導電部１１０〜１１４，１１５Ｅ〜１１７Ｅのうちの少なくとも１つは、グラウンド（基準電位点）に接続される。なお、各導電部１１０〜１１４，１１５Ｅ〜１１７Ｅは、電気めっき法や、スパッタ法など、従来周知の方法により形成できる。

以上述べた本実施形態の配線構造によれば、実施形態１の配線構造と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減でき、容易に作製できる。

さらに、本実施形態の配線構造では、凹部３９の深さによって第８導電部１１７Ｅと伝送線路１０との距離を決定できる。そのため、第８導電部１１７Ｅと伝送線路１０との距離を高周波特性の向上に好適な距離に設定できる。

なお、接地線路１１Ｅは、必ずしも第４導電部１１３と第５導電部１１４とを備えている必要はない。

図７（ａ），（ｂ）は、本実施形態の配線構造の変形例を示す。

図７の配線構造では、機能部３０Ｆは、凹部３９Ｆの底面に第２凹部３９０Ｆを備える。第２凹部３９０は、凹部３９の底面の中央部（伝送線路１０の幅方向に沿った方向における中央部）に形成される。すなわち、凹部３９Ｆの底面は、伝送線路１０に対面する部分（伝送線路１０の幅方向の中央部）が凹む形に形成される。

図７の配線構造において、接地線路１１Ｆは、第１導電部１１０と、第２導電部１１１と、第３導電部１１２と、第６導電部１１５Ｅと、第７導電部１１６Ｅと、第８導電部１１７Ｆとを備える。なお、接地線路１１Ｆは、さらに第４導電部１１３と第５導電部１１４とを備えていても良い。

第８導電部１１７Ｆは、凹部３９の底面の全面に形成される。すなわち、第８導電部１１７Ｆは、第２凹部３９０の内面にも形成される。

図７の配線構造によれば、図６の配線構造と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減でき、容易に作製できる。

その上、図６の配線構造のように凹部３９の底面が平面である場合に比べれば、伝送線路１０の長さ方向に交差する面内における接地線路１１Ｆの形状を円環状に近付けることができる。よって、高周波特性を向上できる。

なお、本実施形態の配線構造の特徴部分は、実施形態２にも適用できる。

（実施形態６）
本実施形態の配線構造では、図８（ａ），（ｂ）に示すように、ベース２０Ｇが実施形態５の配線構造と異なる。なお、本実施形態の配線構造と実施形態５の配線構造とで共通する構成については同一の符号を付して説明を省略する。なお、図８（ａ），（ｂ）では、機能部３０Ｅと第６〜第８導電部１１５Ｅ〜１１７Ｅとの図示を省略している。

ベース２０Ｇは、上記一表面側に穴部２８１を備える。穴部２８１の開口サイズは、機能部３０Ｅの凹部３９の開口サイズと略等しい。また、穴部２８１は、伝送線路１０の幅方向に沿った方向における穴部２８１の寸法がベース２０Ｇの上記一表面側から上記他表面側にいくにつれて小さくなる形に形成される。穴部２８１は、ベース２０Ｇの上記一表面側をブラスト加工することにより形成できる。また、穴部２８１は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して形成できる。

ベース２０Ｇの上記一表面側には、支持部２９が取り付けられる。支持部２９は、ベース２０Ｇに比べて厚みが薄いシリコン板やガラス板などの薄板である。例えば、ベース２０Ｇの厚みが５００μｍ程度である場合、支持部２９の厚みは５〜５０μｍ程度（好ましくは２０μｍ程度）に設定される。支持部２９の外形サイズは、穴部２８１の開口サイズより大きい。支持部２９は、穴部２８１を覆う（塞ぐ）ようにしてベース２０Ｇの上記一表面側に接合される。

伝送線路１０は、支持部２９における穴部２８１側とは反対側（図８（ｂ）における上面側）に形成される。伝送線路１０は、穴部２８１を跨ぐように形成される。そのため、ベース２０Ｇにおける伝送線路１０の幅方向の両端側の部位は、伝送線路１０よりも上記他表面側に位置する。なお、伝送線路１０の長さ方向の両端部それぞれは、貫通孔配線２３を通じて外部接続電極２１に電気的に接続される。

接地線路１１Ｇは、第１導電部１１０と、第２導電部１１１と、第３導電部１１２と、第６導電部１１５Ｅと、第７導電部１１６Ｅと、第８導電部１１７Ｆとを備える。

接地線路１１Ｇでは、第１導電部１１０と第６導電部１１５Ｅとは、支持部２９に形成される貫通孔配線（図示せず）や表面配線（図示せず）などを利用して相互に電気的に接続される。同様に、第２導電部１１１と第７導電部１１６Ｅとは、支持部２９に形成される貫通孔配線（図示せず）や表面配線（図示せず）などを利用して相互に電気的に接続される。なお、接地線路１１Ｇは、さらに第４導電部１１３と第５導電部１１４とを備えていても良い。

以上述べた本実施形態の配線構造によれば、実施形態５の配線構造と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減でき、容易に作製できる。

特に、本実施形態の配線構造によれば、伝送線路１０とベース２０Ｇとの間に穴部２８が存在する。そのため、伝送線路１０がベース２０の上記一表面に直接的に形成される場合に比べて、高周波特性を向上できる。

図９（ａ），（ｂ）は、本実施形態の配線構造の変形例を示す。

図９（ａ）の配線構造では、支持部２９は、矩形枠状のフレーム部２９０と、架設部２９１とを備える。支持部２９は、フレーム部２９０の開口が穴部２８１と連通するようにベース２０の上記一表面側に接合される。架設部２９１は、フレーム部２９０の長手方向両端側それぞれの内縁部同士をその中央部で一体に連結する。すなわち、支持部２９は、平面視が「日」字状に形成される。

伝送線路１０は、架設部２９１を通ってフレーム部２９０の開口を跨ぐように形成される。

支持部２９では、架設部２９１とフレーム部２９０とで囲まれる空間部が、支持部２９を厚み方向に貫通する孔部２９２を構成する。孔部２９２は、伝送線路１０に並行する形に形成される。

このように図９（ａ）に示す配線構造では、支持部２９に孔部２９２が形成されているから、伝送線路１０とベース２０との間の絶縁性がさらに向上する。よって、高周波特性をさらに向上できる。特に、孔部２９２が伝送線路１０に並行しているので、配線構造がより同軸構造に近くなる。そのため、高周波特性をさらに向上できる。

ところで、図９（ａ）の支持部２９では、架設部２９１が長くなると、架設部２９１の機械的強度が低くなる。そのため、架設部２９１が破損するおそれがある。

そこで、図９（ｂ）に示す変形例では、支持部２９は、一対の補強部２９３を備える。図９（ｂ）の支持部２９では、一対の補強部２９３は、架設部２９１の中央部とフレーム部２９０の短手方向両端側それぞれの内縁部とを一体に連結する。すなわち、支持部２９は、平面視が「田」字状に形成される。このような支持部２９においては、補強部２９３によって、架設部２９１の破損を防止できる。また、補強部２９３は複数対設けられていても良い。

なお、本実施形態の配線構造の特徴部分は、実施形態５の配線構造だけではなく、実施形態１〜４の配線構造にも適用できる。

（実施形態７）
本実施形態の配線構造では、図１０（ａ）〜（ｄ）に示すように、接地線路１１Ｈとベース２０Ｈとが実施形態１の配線構造と異なる。なお、本実施形態の配線構造と実施形態１の配線構造とで共通する構成については同一の符号を付して説明を省略する。

ベース２０Ｈは、ガラス基板ではなく、低温同時焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）により形成される。ここで、ベース２０Ｈに低温同時焼成セラミックス基板を用いれば、ガラス基板を用いる場合とは異なり、直径が一様な孔を容易に形成できる。

このような低温同時焼成セラミックス基板の特性を利用して、貫通孔２２Ｈは、図１０（ａ），（ｃ）に示すように、ベース２０Ｈの厚み方向において直径が一定となる形に形成される。そのため、貫通孔配線２３Ｈは、貫通孔２２Ｈと同様に、ベース２０Ｈの厚み方向において直径が一定となる形に形成される。

各孔部２４，２５は、図１０（ｂ），（ｄ）に示すように、ベース２０Ｈの上記一表面側から上記他表面側に向かうにつれて幅が段階的に広くなる形に形成される。なお、図示例では、各孔部２４，２５は、３種類の幅を有する。各孔部２４，２５の幅が広くなる割合は、一定ではなく、ベース２０Ｈの上記他表面側に向かうにつれて大きくなるようにしてもよい。このようにすれば、伝送線路１０の長さ方向に交差する面内における接地線路１１Ｈの形状を円環状により近付けることができる。

本実施形態の配線構造においても、第１孔部２４の内側に第１導電部１１０Ｈが形成され、第２孔部２５の内側に第２導電部１１１Ｈが形成される。

接地線路１１Ｈは、第１導電部１１０Ｈと、第２導電部１１１Ｈと、第３導電部１１２と、第６導電部１１５と、第７導電部１１６と、第８導電部１１７とを備える。なお、接地線路１１Ｈは、さらに第４導電部１１３と第５導電部１１４とを備えていても良い。

以上述べた本実施形態の配線構造によれば、実施形態１の配線構造と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減でき、容易に作製できる。

さらに、本実施形態の配線構造では、各孔部２４，２５は、ベース２０Ｈの上記一表面側から上記他表面側に向かうにつれて幅が段階的に広くなる形に形成される。そのため、各孔部２４，２５の幅が均一である場合に比べれば、伝送線路１０の長さ方向に交差する面内における接地線路１１Ｈの形状を円環状に近付けることができる。よって、高周波特性を向上できる。

また、本実施形態の配線構造では、貫通孔２２Ｈは、ベース２０Ｈの厚み方向において直径が一定となる形に形成される。そのため、ベース２０Ｈの上記一表面側から上記他表面側に向かうにつれて貫通孔２２Ｈの直径が大きくなる場合に比べれば、高周波特性を向上できる。

なお、本実施形態の配線構造の特徴部分は、実施形態１だけではなく、実施形態２〜５の配線構造にも適用できる。

（実施形態８）
本実施形態の配線構造では、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、接地線路１１Ｉとベース２０Ｉとが実施形態１の配線構造と異なる。なお、本実施形態の配線構造と実施形態１の配線構造とで共通する構成については同一の符号を付して説明を省略する。

ベース２０Ｉは、上記一表面側に穴部２８２を備える。穴部２８２の開口サイズと機能部３０の開口３１の開口サイズとは略等しい。穴部２８２は、伝送線路１０の幅方向に沿った方向における寸法がベース２０Ｉの上記一表面側から上記他表面側にいくにつれて小さくなるように形成される。穴部２８２は、ベース２０Ｉの上記一表面側からブラスト加工等をすることにより形成できる。

穴部２８２の底面には伝送線路１０が形成される。そのため、ベース２０Ｉには、穴部２８２の底面とベース２０Ｉの上記他表面との間を厚み方向に貫通する貫通孔２２が形成される。伝送線路１０は、貫通孔２２内に形成される貫通孔配線２３を介して外部接続電極２１に電気的に接続される。

また、各孔部２４，２５は、穴部２８２の底面とベース２０Ｉの上記他表面との間を厚み方向に貫通する形に形成される。

接地線路１１Ｉは、各導電部１１０〜１１２，１１５〜１１７に加えて、２つの導電部１１８Ｉ，１１９Ｉを備える。なお、接地線路１１Ｉは、さらに第４導電部１１３と第５導電部１１４とを備えていても良い。

２つの導電部１１８Ｉ，１１９Ｉは、穴部２８２の内側面に形成される。

導電部（第９導電部）１１８Ｉは、穴部２８２における伝送線路１０の幅方向の一端側（左端側）の内側面に形成され、第１導電部１１０と第６導電部１１５とを相互に電気的に接続する。

導電部（第１０導電部）１１９Ｉは、穴部２８２における伝送線路１０の幅方向の他端側（右端側）の内側面に形成され、第２導電部１１１と第７導電部１１６とを相互に電気的に接続する。

以上述べた本実施形態の配線構造によれば、実施形態１と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減でき、容易に作製できる。

さらに、本実施形態の配線構造によれば、ベース２０Ｉの上記一表面側に形成される穴部２８２の底面に伝送線路１０が形成されている。そのため、穴部２８２がない場合に比べれば、貫通孔２２の長さを短くできるから、高周波特性を向上できる。また、伝送線路１０の幅方向に沿った方向における穴部２８２の寸法はベース２０Ｉの上記一表面側から上記他表面側にいくにつれて小さくなる。そのため、伝送線路１０の長さ方向に交差する面内における接地線路１１Ｉの形状を円環状に近付けることができ、高周波特性を向上できる。

図１２（ａ），（ｂ）は、本実施形態の配線構造の別の変形例を示す。図１２の配線構造では、接地線路１１Ｊとベース２０Ｊとが実施形態１の配線構造と異なる。なお、図１２の配線構造と実施形態１の配線構造とで共通する構成については同一の符号を付して説明を省略する。

ベース２０Ｊは、低温同時焼成セラミックス基板よりなる。ベース２０Ｊは、上記一表面側に穴部２８２を備える。図１２に示す例において、穴部２８２の開口サイズは、ベース２０Ｊの厚み方向に対して均一である。ベース２０Ｊには、実施形態６と同様の各孔部２４Ｈ，２５Ｈが形成される。

接地線路１１Ｊは、第１導電部１１０Ｈと第２導電部１１１Ｈと第３導電部１１２と第６導電部１１５と第７導電部１１６と第８導電部１１７とに加えて、第９導電部１１８Ｊと第１０導電部１１９とを備える。なお、接地線路１１Ｊは、さらに第４導電部１１３と第５導電部１１４とを備えていても良い。

以上述べた図１２の配線構造によれば、図１１の配線構造と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減でき、容易に作製できる。また、図１２の配線構造によれば、ベース２０Ｊが低温同時焼成セラミックス基板よりなるので、ベース２０Ｊがガラス基板よりなる場合に比べて穴部２８２を容易に形成でき、加工性を向上できる。

このように、穴部２８２は、ベース２０が低温同時焼成セラミックス基板よりなる場合にも同様に設けることができる。

なお、図１１，１２に示す配線構造の特徴部分は、実施形態１だけではなく、実施形態２〜５の配線構造にも適用できる。

（実施形態９）
本実施形態の配線構造では、図１３に示すように、ベース２０Ｋが実施形態１の配線構造と異なる。なお、本実施形態の配線構造と実施形態１の配線構造とで共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

ベース２０Ｋは、実施形態１と同様にガラス基板により形成されるが、貫通孔２２Ｋと貫通孔配線２３Ｋとが実施形態１のベース２０と異なる。

貫通孔２２Ｋは、ベース２０Ｋの厚み方向における中間部の直径（孔径）が開口側よりも狭くなった鼓型に形成される。貫通孔２２Ｋは、互いに連通する第１貫通孔部２２０と第２貫通孔部２２１とを備える。第１貫通孔部２２０は、ベース２０Ｋを上記一表面側から所定深さまでブラスト加工（例えばサンドブラスト加工）して形成される。第２貫通孔部２２１は、ベース２０Ｋを上記他表面側から所定深さまでブラスト加工して形成される。

貫通孔配線２３Ｋは、互いに直接的に電気的に接続される第１配線部２３０と第２配線部２３１とを備える。第１配線部２３０は第１貫通孔部２２０の内側に形成され、第２配線部２３１は第２貫通孔部２２１の内側に形成される。各配線部２３０，２３１は、電気めっき法やスパッタ法などの従来周知の方法により形成される。

貫通孔２２Ｋと貫通孔配線２３Ｋは例えば次のようにして作製する。まず、ベース２０Ｋを上記一表面側から所定深さまでブラスト加工して第１貫通孔部２２０を形成する。その後、第１貫通孔部２２０の内側に第１配線部２３０を形成する。次にベース２０Ｋを上記他表面側から所定深さ、第１配線部２３０が露出するまでブラスト加工して第２貫通孔部２２１を形成する。その後、第２貫通孔部２２１の内側に第２配線部２３１を形成する。これによって、図１３に示す貫通孔２２Ｋと貫通孔配線２３Ｋとを得ることができる。

以上述べた本実施形態の配線構造によれば、実施形態１と同様に高周波信号の伝送ロスを低減でき、容易に作製できる。

さらに、本実施形態の配線構造によれば、実施形態１のようにベース２０の貫通孔２２を一方向からのブラスト加工によって作製する場合に比べれば、貫通孔２２の直径の変化幅を小さくできる。そのため、高周波特性を向上できる。

なお、本実施形態の配線構造の特徴部分は、実施形態１だけではなく、実施形態２〜５の配線構造にも適用できる。

（実施形態１０）
本実施形態のマイクロリレーは、実施形態１の配線構造を備える。

マイクロリレーは、図１４および図１５に示すように、ベース２０と、機能部３０と、カバー４０と、電磁石装置５１を有する駆動装置５０とを備える。

ベース２０は、例えば直方体状の高抵抗基板により形成される。ベース２０の上記表面側における長手方向両端側それぞれには、一対の伝送線路１０が形成される。各伝送線路１０の長さ方向は、ベース２０の短手方向と一致する。また、ベース２０の上記一表面側には、伝送線路１０に電気的に接続される複数の固定接点２６が形成される。各固定接点２６は、各伝送線路１０においてベース２０の内側となる端部に接続される。よって、ベース２０の長手方向の両端側それぞれには、固定接点２６が一対ずつ形成される。なお、各伝送線路１０においてベース２０の外側となる端部は、貫通孔配線２３を介して外部接続電極２１に電気的に接続される。ただし、図１５では、貫通孔配線２３および外部接続電極２１を図示していない。なお、ベース２０には、上述したように、高抵抗基板の他にガラス基板等も用いることができる。

機能部３０は、可動部３２とフレーム３３とを有する。

フレーム３３は、矩形枠状に形成される。フレーム３３の中央部には、可動部３２用の開口（以下、本実施形態において「第２開口」と称する）３４が形成される。また、フレーム３３の長手方向の両端側それぞれには、伝送線路１０をカバー４０側に臨ませる開口（以下、本実施形態において「第１開口」と称する）３１が形成される。第１開口３１それぞれと第２開口３４とは、フレーム３３の短手方向の中央部において互いに連通する。なお、フレーム３３における第１開口３１それぞれと第２開口３４との間の部位が、フレーム３３の長手方向に沿った方向への可動部３２の移動を規制する一対の規制突起を構成する。また、フレーム３３の外形サイズとベース２０の外形サイズとは等しい。

可動部３２は、フレーム３３の第２開口３４内に配置される本体部３２０を有する。本体部３２０は、フレーム３３の長手方向に沿った方向を長手方向とする矩形板状に形成される。本体部３２０の長手方向の両端部それぞれの中央部には、接点用突片３２１が突設される。接点用突片３２１の先端部は、開口３１内に配置され、ベース２０との対向面（図１５における下面）には可動接点３２２が設けられる。可動接点３２２は、複数の固定接点２６それぞれに接触した際に当該複数の固定接点２６間を短絡するように構成される。一方、本体部３２０の短手方向の両端部それぞれの中央部には、支点用突片３２３が突設される。支点用突片３２３におけるカバー４０との対向面（図１５における上面）には支点突起３２４が設けられる。支点突起３２４は、可動部３２の揺動動作（シーソ動作）の支点となる。

可動部３２は、複数（図示例では４つ）の支持片３５によりフレーム３３と一体に連結される。支持片３５は、フレーム３３の開口３４の長手方向における内側面と、本体部３２０の短手方向の外側面とを一体に連結するように構成される。４つの支持片３５は、本体部３２０の中心に対して点対称となるように配置される。

支持片３５は、厚み方向に直交する面内で本体部３２０の長手方向に沿った方向に進むように蛇行した形状に形成される。これによって、可動部３２がフレーム３３に揺動自在に支持される。支持片３５を蛇行した形状に形成することで、支持片３５の長さを長くできる。そのため、可動部３２が揺動動作する際に支持片３５がねじられることで生じるばね力のばね定数を適切に小さくでき、支持片３５に加えられる応力も分散できる。

可動部３２とフレーム３３と支持片３５とは、例えば、５０μｍ〜３００μｍ程度、好ましくは２００μｍ程度の厚みの半導体基板（例えば、シリコン基板や、ＳＯＩ基板）をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などの半導体微細加工技術を利用してパターニングすることにより形成される。

本体部３２０におけるカバー４０との対向面（図１５における上面）には、アーマチュア６０が設けられる。アーマチュア６０は、駆動装置５０の電磁石装置５１が発生する磁場により可動部３２を揺動させるために用いられる。アーマチュア６０は、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性材料を機械加工して矩形板状に形成される。アーマチュア６０は、接着、溶接、熱着、ロウ付けなどの方法で、本体部３２０に接合される。また、可動部３２におけるベース２０との対向面側には、レシジュアル（レシジャル）７０が設けられる。レシジュアル７０は、可動部３２とベース２０との距離を好適な距離に設定するために使用される。

機能部３０は、可動接点３２２と一対の固定接点２６とがそれぞれ対向するようにフレーム３３をベース２０に接合することによって、ベース２０の上記一表面側に取り付けられる。フレーム３３をベース２０に接合するにあたっては、上述の接合用の金属層８０を用いる。金属層８０は、グラウンドとして用いられる。

カバー４０は、例えば、直方体状のガラス基板により形成される。カバー４０の外形サイズとベース２０の外形サイズとは等しい。カバー４０の中央部には、カバー４０を厚み方向に貫通する開孔部４１が形成される。カバー４０における機能部３０側の面（図１５における下面）には、開孔部４１全体を閉塞する閉塞板４２が密着接合される。開孔部４１の内周面と閉塞板４２とで囲まれる空間部が駆動装置５０の収納室を構成する。閉塞板４２は、例えば、厚みが５〜５０μｍ程度（好ましくは２０μｍ程度）に形成されたシリコン板やガラス板などの薄板である。カバー４０は、フレーム３３におけるベース２０側とは反対側の面に接合される。なお、カバー４０をフレーム３３に接合するにあたっては、接合用の金属層（図示せず）を用いることができる。当該金属層は、高周波用のシールド層として利用できる。ただし、駆動装置５０の磁場を遮断することがないように、当該金属層の材料には、非磁性体を用いる。

駆動装置５０は、アーマチュア６０を吸引する磁場を発生させる電磁石装置５１と、可動部３２をラッチするための永久磁石５２とを備える。電磁石装置５１は、ヨーク５３と一対のコイル５４とを備える。ヨーク５３は、長尺矩形板状の主片５３０と、主片５３０の表面側（図１５における下面側）の長手方向両端部それぞれに突設された矩形板状の脚片５３１とを一体に備える。ヨーク５３は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鍛造加工することにより形成される。永久磁石５２は、直方体状に形成される。永久磁石５２は、厚み方向の一面側と他面側とが互いに異極となるように着磁される。永久磁石５２は、上記他面をヨーク５３の主片５３０の上記表面における長手方向中央部に当接させるようにして、ヨーク５３に取り付けられる。各コイル５４は、主片５３０における各脚片５３１と永久磁石５２との間の部位それぞれに巻回される。また、駆動装置５０には、一対のコイル端子５５が設けられる。一対のコイル端子５５間に電圧を印加することで、各コイル５４に電流が流れる。駆動装置５０は、カバー４０の上記収納室に収納される。

本実施形態のマイクロリレーでは、コイル５４に通電するための駆動電極（図示せず）がベース２０の上記他表面側に形成される。また、カバー４０における機能部３０側とは反対側の面には、コイル端子５５が接続される配線パターン４３が形成される。上記駆動電極と配線パターン４３とは、ベース２０を厚み方向に貫通する貫通孔配線２７と、フレーム３３を厚み方向に貫通する貫通孔配線３６と、カバー４０を厚み方向に貫通する貫通孔配線４４とによって、電気的に接続される。

本実施形態のマイクロリレーに、実施形態１の配線構造を設けるにあたっては、ベース２０における伝送線路１０の幅方向の一端側および他端側に、上述の各孔部２４，２５を形成する（図１４および図１５では各孔部２４，２５の図示を省略している）。

そして、接地線路１１を構成する各導電部１１０〜１１７を次のようにして形成する。すなわち、第１孔部２４の内側に第１導電部１１０を形成し、第２孔部２５の内側に第２導電部１１１を形成し、ベース２０の上記他表面側に第３導電部１１２を形成する。また、金属層８０を利用して第４導電部１１３と第５導電部１１４とを形成する。また、機能部３０の開口３１における伝送線路１０の幅方向の一端側の内側面に第６導電部１１５を形成し、開口３１における伝送線路１０の幅方向の他端側の内側面に第７導電部１１６を形成する。また、カバー４０に第８導電部１１７を形成する。

接地線路１１は、ベース２０に設けられた４つの伝送線路１０それぞれに対応して形成できる。

本実施形態のマイクロリレーによれば、実施形態１の配線構造を備えるので、高周波信号の伝送ロスを低減でき、しかも容易に作製できる。なお、本実施形態のマイクロリレーの動作については従来周知であるから説明を省略する。

本実施形態のマイクロリレーでは、駆動装置５０がカバー４０に設けられる。したがって、駆動装置５０をベース２０に設ける場合に比べれば、ベース２０の厚みを薄くできる。そのため、伝送線路１０をベース２０の上記他表面側に引き出すための貫通孔２２を短くできて、高周波特性を向上できる。また、駆動装置５０と伝送線路１０との距離を離すことができるから、駆動装置５０が発生する磁場によって伝送線路１０に悪影響が生じる可能性を低くできる。

なお、本実施形態のマイクロリレーでは、アーマチュア６０を駆動する駆動装置５０として、永久磁石５２を用いた有極型の電磁石装置５１を用いている。しかし、駆動装置５０には、永久磁石５２を用いない無極型の電磁石装置５１を用いてもよい。また、本実施形態のマイクロリレーは、常開接点と常閉接点とを備える所謂ラッチング型リレーであるが、これに限定する趣旨ではない。

本実施形態のマイクロリレーは、実施形態１の配線構造を備えるが、実施形態２〜９の配線構造を備えていても良い。

１０ 伝送線路
１１ 接地線路
１１０ 第１導電部
１１１ 第２導電部
１１２ 第３導電部
２０ ベース
２４ 第１孔部
２５ 第２孔部

Claims (21)

1. ＭＥＭＳデバイスに設けられる配線構造であって、
   基板よりなるベースと、
   上記ベースの一表面側に形成された伝送線路と、
   上記伝送線路の周囲に配置され且つ上記伝送線路から電気的に絶縁された接地線路と、
   上記伝送線路を挟み込むように上記伝送線路の幅方向の一端側および他端側にそれぞれ設けられ且つ上記ベースを厚み方向に貫通した第１孔部および第２孔部とを備え、
   上記接地線路は、上記第１孔部の内側に形成された第１導電部と、上記第２孔部の内側に形成された第２導電部と、上記ベースの他表面側に形成され上記第１導電部および上記第２導電部に電気的に接続された第３導電部とを有し、
   上記第１孔部および上記第２孔部は、上記伝送線路の幅方向に沿った長さが、上記他表面側の方が上記一表面側よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする配線構造。
2. 上記第１孔部および上記第２孔部は、上記伝送線路に並行するように形成されたスリットであることを特徴とする請求項１項記載の配線構造。
3. 上記第１孔部および上記第２孔部は、上記伝送線路の長さ方向に沿って所定の間隔で複数形成され、
   上記所定の間隔は、上記伝送線路に出力される高周波信号のうち最も周波数の高い信号の波長の１／４未満であることを特徴とする請求項１記載の配線構造。
4. 上記接地線路は、上記一表面内における上記伝送線路の幅方向の一端側に設けられ上記第１導電部に電気的に接続された第４導電部と、上記一表面内における上記伝送線路の幅方向の他端側に設けられ上記第２導電部に電気的に接続された第５導電部とを備えることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載の配線構造。
5. 上記ＭＥＭＳデバイスは、半導体微細加工技術を利用して加工された半導体基板よりなり且つ接合用の金属層を用いて上記ベースの一表面側に接合された機能部をさらに備えて構成され、
   上記第４導電部および上記第５導電部は、上記金属層を用いて形成されていることを特徴とする請求項４記載の配線構造。
6. 上記ベースは、上記他表面に形成された外部接続電極と、上記ベースを厚み方向に貫通した貫通孔と、上記貫通孔の内側に形成され上記外部接続電極と上記伝送線路とを電気的に接続した貫通孔配線とを有することを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項記載の配線構造。
7. 上記貫通孔の直径は、一定であることを特徴とする請求項６に記載の配線構造。
8. 上記ベースは、上記一表面に穴部が形成され、
   上記伝送線路は、上記穴部の底面に配置されていることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項記載の配線構造。
9. 上記第１孔部および上記第２孔部は、上記ベースの上記一表面側から上記他表面側に向かうにつれて上記幅方向に沿った方向の長さが段階的に大きくなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の配線構造。
10. 上記ベースは、ガラス基板により形成され、
    上記貫通孔は、上記ベースを上記一表面側から所定深さまでブラスト加工して形成された第１貫通孔部と、上記ベースを上記他表面側から所定深さまでブラスト加工して形成された第２貫通孔部とで構成されていることを特徴とする請求項６〜９のうちいずれか１項記載の配線構造。
11. 上記ベースは、低温同時焼成セラミックス基板により形成されていることを特徴とする請求項１〜９のうちいずれか１項記載の配線構造。
12. 上記ＭＥＭＳデバイスは、上記ベースの上記一表面側に載置された機能部と、上記機能部における上記ベースとは反対側に載置されたカバーとをさらに備え、
    上記機能部は、半導体微細加工技術を利用して加工された半導体基板よりなり且つ上記伝送線路に対向する位置に上記カバーを上記ベースに臨ませる開口を有し、
    上記接地線路は、上記開口における上記伝送線路の幅方向の一端側に形成され上記第１導電部に電気的に接続された第６導電部と、上記開口における上記伝送線路の幅方向の他端側に形成され上記第２導電部に電気的に接続された第７導電部と、上記カバーのうち上記開口に対面する部位に形成され上記第６導電部および上記第７導電部に電気的に接続された第８導電部とを備えることを特徴とする請求項１〜１１のうちいずれか１項記載の配線構造。
13. 上記機能部の上記開口周辺には、上記機能部を厚み方向に貫通した接続孔が、上記伝送線路の長さ方向に沿って複数形成され、
    上記第６導電部および上記第７導電部は、上記接続孔の内側に形成されていることを特徴とする請求項１２記載の配線構造。
14. 上記機能部の上記開口周辺には、上記機能部を厚み方向に貫通した接続スリットが、上記伝送線路の長さ方向に沿って形成され、
    上記第６導電部および上記第７導電部は、上記接続スリットの内側に形成されていることを特徴とする請求項１２記載の配線構造。
15. 上記ＭＥＭＳデバイスは、上記ベースの上記一表面側に載置された機能部をさらに備え、
    上記機能部は、半導体微細加工技術を利用して加工された半導体基板よりなると共に上記伝送線路の幅方向に沿った方向における長さが上記伝送線路よりも大きい凹部を上記伝送線路との対向面に有し、
    上記接地線路は、上記凹部における上記伝送線路の幅方向の一端側の内側面に形成され且つ上記第１導電部に電気的に接続された第６導電部と、上記凹部における上記伝送線路の幅方向の他端側の内側面に形成され且つ上記第２導電部に電気的に接続された第７導電部と、上記凹部の底面に形成され上記第６導電部および上記第７導電部に電気的に接続された第８導電部とを備えることを特徴とする請求項１〜１１のうちいずれか１項記載の配線構造。
16. 上記凹部の底面は、上記伝送線路に対面する部分が凹む形に形成されていることを特徴とする請求項１５記載の配線構造。
17. 上記ベースは、上記伝送線路の幅方向に沿った方向の長さが上記伝送線路よりも大きい穴部を上記一表面に有すると共に上記穴部を覆う板状の支持部を有し、
    上記伝送線路は、上記支持部における上記穴部側とは反対側に形成され、
    上記第１孔部および上記第２孔部は、上記穴部の底面に形成され、
    上記接地線路は、上記穴部における上記伝送線路の幅方向の一端側の内側面に形成され且つ上記第１導電部および上記第６導電部に電気的に接続された第９導電部と、上記穴部における上記伝送線路の幅方向の他端側の内側面に形成され且つ上記第２導電部および上記第７導電部に電気的に接続された第１０導電部とを備えることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項記載の配線構造。
18. 上記支持部は、上記伝送線路の周辺に、当該支持部を厚み方向に貫通した孔部を有することを特徴とする請求項１７記載の配線構造。
19. 上記孔部は、上記伝送線路に並行する形に形成されていることを特徴とする請求項１８記載の配線構造。
20. 高抵抗基板よりなり一表面側に伝送線路が形成されたベースと、
    半導体微細加工技術を利用して加工された半導体基板よりなり上記ベースの一表面側に載置された機能部と、
    上記機能部における上記ベースとは反対側に載置された絶縁性材料製のカバーと、
    駆動装置とを備えてなり、
    上記ベースは、上記伝送線路に電気的に接続された複数の固定接点を上記一表面側に有し、
    上記機能部は、開口を有し且つその開口を囲うように上記ベースに固定されたフレームと、上記フレームの上記開口内に揺動自在に支持され上記複数の固定接点それぞれに接触した際に当該複数の固定接点間を短絡する可動部と、上記可動部に固定された磁性材料製のアーマチュアとを備え、
    上記カバーは、上記フレームの上記開口を閉塞する形に形成され、
    上記駆動装置は、上記アーマチュアを磁場により吸引して揺動させる電磁石装置を有して構成されるＭＥＭＳリレーであって、
    請求項１〜１９のうちいずれか１項記載の配線構造を備えることを特徴とするＭＥＭＳリレー。
21. 上記駆動装置は、上記カバーに設けられていることを特徴とする請求項２０記載のＭＥＭＳリレー。

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