JP2010165825A - Substrate treating device and substrate treating method - Google Patents

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Tsutomu Kikuchi
勉 菊池
Yoshihiro Ando
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating device and a substrate treating method instantaneously heating a gas-saturated liquid in treatment of a substrate to induce desorption and destruction of minute air bubbles, thereby attaining sure treatment of the substrate by effectively utilizing the minute air bubbles even by a simple structure. <P>SOLUTION: The substrate treating device 1 for treating the substrate W by supplying a liquid L containing the minute air bubbles to the substrate W includes a minute air bubble generating part 10 for generating the liquid containing the minute air bubbles from a gas and a liquid, a nozzle 15 for discharging the liquid L containing the minute air bubbles to the substrate and a heating means 50 for heating the liquid L containing the minute air bubbles which is discharged from the nozzle 15. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関し、特に例えば液晶パネル基板や半導体基板等の洗浄や表面活性化処理の際に液体中のナノバブルのような微小気泡を有効に用いることができる基板処理装置および基板処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and in particular, a substrate processing capable of effectively using microbubbles such as nanobubbles in a liquid during cleaning or surface activation processing of, for example, a liquid crystal panel substrate or a semiconductor substrate. The present invention relates to an apparatus and a substrate processing method.

一例として、基板処理装置は、液晶パネルや半導体基板の製造工程において液晶パネルや半導体基板に対して純水や薬液等の液体を供給して処理を行う。この種の基板処理装置では、基板に付着したパーティクルを除去する必要がある。   As an example, the substrate processing apparatus performs processing by supplying liquid such as pure water or a chemical solution to the liquid crystal panel or the semiconductor substrate in the manufacturing process of the liquid crystal panel or the semiconductor substrate. In this type of substrate processing apparatus, it is necessary to remove particles adhering to the substrate.

基板処理装置の基板のパーティクルを除去するために、特許文献1では、基板処理装置に対してマイクロバブル発生部を接続して、マイクロバブル発生部からマイクロバブルを含む純水を処理槽内の基板に供給することが提案されている。   In order to remove particles on the substrate of the substrate processing apparatus, in Patent Document 1, a microbubble generating unit is connected to the substrate processing apparatus, and pure water containing microbubbles is supplied from the microbubble generating unit to the substrate in the processing tank. Has been proposed to supply.

このマイクロバブル発生部の構造は、特許文献1の図9に記載されており、マイクロバブル発生部は、ケーシングの中に送水管と、この送水管を取り囲む送気路とを形成した構造になっている。送気路は窒素ガス供給部と真空ポンプに接続されており、送気路を流れる窒素ガスの圧力は、真空ポンプの作動により調整してケーシング内を加減圧できる。これにより、ケーシング内を減圧した場合には、送水管を流れる純水から余分な気体が過飽和となって析出し、その気体は中空子分離膜を通って送気路へ流出する。   The structure of this micro bubble generating part is described in FIG. 9 of Patent Document 1, and the micro bubble generating part has a structure in which a water supply pipe and an air supply path surrounding the water supply pipe are formed in the casing. ing. The air supply path is connected to a nitrogen gas supply unit and a vacuum pump, and the pressure of nitrogen gas flowing through the air supply path can be adjusted by operating the vacuum pump to increase or decrease the pressure in the casing. Thereby, when the inside of a casing is pressure-reduced, excess gas precipitates from the pure water which flows through a water pipe, becomes supersaturated, and the gas flows out to an air supply path through a hollow piece separation membrane.

特開2006―179765号公報JP 2006-179765 A

ところで、特許文献1に記載されているマイクロバブル発生部の構造では、送気路内は真空ポンプに接続する必要があり、送気路内を流れる窒素ガスの圧力を調整しなければならない。しかも、窒素ガス供給側と窒素ガスを排出する側のそれぞれに圧力調整用のレギュレータが必要である。このため、マイクロバブル発生部の構造が複雑である。真空ポンプによる圧力の調整を正確に行わないと、マイクロバブルを含む純水を確実に供給できない恐れもある。   By the way, in the structure of the microbubble generating part described in Patent Document 1, the inside of the air supply path needs to be connected to a vacuum pump, and the pressure of nitrogen gas flowing through the air supply path must be adjusted. In addition, a pressure regulator is required on each of the nitrogen gas supply side and the nitrogen gas discharge side. For this reason, the structure of the microbubble generator is complicated. If the pressure is not accurately adjusted by the vacuum pump, pure water containing microbubbles may not be reliably supplied.

一方、本発明者は、微小気泡の一例であるナノバブルについて研究を進めているなかで、ナノバブル生成過程においてガスが液体中に飽和濃度まで溶解することが判明している。本発明者は、バブル生成過程の時間経過に伴いナノバブルは液体中から脱離を起こすと考えている。   On the other hand, the present inventor has been conducting research on nanobubbles, which are examples of microbubbles, and it has been found that gas dissolves in a liquid to a saturated concentration in the process of nanobubble generation. The inventor believes that nanobubbles are desorbed from the liquid as time elapses in the bubble generation process.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、ガスが飽和した状態の液体を基板の処理時に瞬時に加熱して微小気泡の脱離と破壊を行うことで、簡単な構成でありながら微小気泡を有効に利用して基板の処理を確実に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a simple structure by instantaneously heating a liquid in a gas-saturated state when processing a substrate to desorb and destroy microbubbles. However, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reliably processing a substrate by effectively using microbubbles.

本発明の基板処理装置は、基板に対して微小気泡を含む液体を供給して基板を処理する基板処理装置であって、気体と液体から前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成部と、前記微小気泡を含む液体を前記基板に吐出すノズルと、前記ノズルから吐出された前記微小気泡を含む液体の温度を上げる加熱手段と、を備えることを特徴とする。   A substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a liquid containing microbubbles to the substrate, and a microbubble generating unit that generates a liquid containing the microbubbles from a gas and a liquid; And a nozzle for discharging the liquid containing the microbubbles onto the substrate, and a heating means for raising the temperature of the liquid containing the microbubbles discharged from the nozzle.

本発明の基板処理方法は、基板に対して微小気泡を含む液体を供給して基板を処理する基板処理方法であって、微小気泡生成部は、気体と液体から前記微小気泡を含む液体を生成し、ノズルから前記微小気泡を含む液体を前記基板に吐出す際に、加熱手段が前記微小気泡を含む液体の温度を上げることを特徴とする。   The substrate processing method of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate by supplying a liquid containing microbubbles to the substrate, wherein the microbubble generating unit generates the liquid containing the microbubbles from the gas and the liquid. When the liquid containing the microbubbles is discharged from the nozzle onto the substrate, the heating unit raises the temperature of the liquid containing the microbubbles.

本発明によれば、ガスが飽和した状態の液体を基板の処理時に瞬時に加熱して微小気泡の脱離と破壊を行うことで、簡単な構成でありながら微小気泡を有効に利用して基板の処理を確実に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することができる。   According to the present invention, the liquid in which the gas is saturated is instantaneously heated during the processing of the substrate to desorb and destroy the microbubbles, thereby effectively utilizing the microbubbles with a simple configuration. It is possible to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reliably performing the above process.

本発明の基板処理装置の好ましい実施の形態を示す図である。It is a figure which shows preferable embodiment of the substrate processing apparatus of this invention. 図1に示す基板処理装置の処理ユニットの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the process unit of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図2に示す加熱手段を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the heating means shown in FIG. 本発明の別の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows another embodiment of this invention. 本発明の別の実施の形態を示す図である。It is a figure which shows another embodiment of this invention. 気体の溶解度が温度により変化する例を示す図である。It is a figure which shows the example from which the solubility of gas changes with temperature.

本発明の実施形態について図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の基板処理装置の好ましい実施の形態を示している。   FIG. 1 shows a preferred embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.

図1に示す基板処理装置1は、カセットステーション2と、ロボット3と、複数の処理ユニット4,4を備えている。   A substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a cassette station 2, a robot 3, and a plurality of processing units 4 and 4.

基板処理装置1は、枚葉式の基板処理を行う装置であり、カセットステーション2は、複数のカセット5,5を有しており、各カセット5は複数枚の基板Wを収容している。基板としては、例えば半導体ウェーハ基板である。   The substrate processing apparatus 1 is an apparatus that performs single-wafer processing, and the cassette station 2 has a plurality of cassettes 5 and 5, and each cassette 5 accommodates a plurality of substrates W. An example of the substrate is a semiconductor wafer substrate.

ロボット3は、カセットステーション2と複数の処理ユニット4,4の間に配置されている。ロボット3は、各カセット5に収容されている基板Wを処理ユニット4側に搬送する。また、ロボット3は、処理ユニット4側の処理後の基板Wを、別のカセット5に搬送して戻す。各処理ユニット4は、基板Wを保持して回転させて、微小気泡を含む液体を供給することにより、例えば基板Wの表面を洗浄処理する。   The robot 3 is disposed between the cassette station 2 and the plurality of processing units 4 and 4. The robot 3 transports the substrate W accommodated in each cassette 5 to the processing unit 4 side. Further, the robot 3 transports the processed substrate W on the processing unit 4 side to another cassette 5 and returns it. Each processing unit 4 holds and rotates the substrate W and supplies a liquid containing microbubbles, for example, to clean the surface of the substrate W.

図2は、図1に示す基板処理装置1の処理ユニット4の構成例を示している。   FIG. 2 shows a configuration example of the processing unit 4 of the substrate processing apparatus 1 shown in FIG.

図2に示す枚葉式の処理ユニット4は、微小気泡生成部10と、基板保持部11と、ノズル操作部12と、ダウンフロー用のフィルタ付きファン13と、カップ14と、ノズル15と、処理室16と、制御部20を有する。   A single-wafer processing unit 4 shown in FIG. 2 includes a micro-bubble generating unit 10, a substrate holding unit 11, a nozzle operation unit 12, a fan 13 with a filter for downflow, a cup 14, a nozzle 15, A processing chamber 16 and a control unit 20 are included.

図2に示す基板保持部11は、円板のベース部材17と、回転軸18と、モータ19を有しており、ベース部材17の上には基板Wが着脱可能に固定される。処理室16内には、カップ14とノズル15とベース部材17とモータ19の回転軸18が収容されている。回転軸18の先端部にはベース部材17が固定されている。モータ19が制御部20の指令により動作することで、ベース部材17はR方向に連続回転することができる。   The substrate holding unit 11 shown in FIG. 2 includes a disk base member 17, a rotating shaft 18, and a motor 19, and the substrate W is detachably fixed on the base member 17. A cup 14, a nozzle 15, a base member 17, and a rotating shaft 18 of a motor 19 are accommodated in the processing chamber 16. A base member 17 is fixed to the tip of the rotating shaft 18. The base member 17 can be continuously rotated in the R direction by the motor 19 operating according to a command from the control unit 20.

図2に示すノズル15は基板Wの上部に配置されており、制御部20の指令により操作部12が動作すると、ノズル15はZ方向(上下方向)とX方向(基板Wの半径方向)に移動して、微小気泡を含む液体Lを基板Wに吐出すことができる。   The nozzle 15 shown in FIG. 2 is arranged on the upper part of the substrate W, and when the operation unit 12 is operated according to a command from the control unit 20, the nozzle 15 is moved in the Z direction (vertical direction) and the X direction (radial direction of the substrate W). It moves and can discharge the liquid L containing microbubbles to the substrate W.

図2に示す微小気泡生成部10は、微小気泡生成ユニット30と、気体供給部32と、液体供給部34を有している。微小気泡生成ユニット30は、配管31Bとバルブ31を介して気体供給部32に接続されている。微小気泡生成ユニット30は、配管33Bとバルブ33を介して液体供給部34に接続されている。さらに、微小気泡生成ユニット30は、配管41とバルブ43を介してノズル15に対して接続されている。気体供給部32は、気体の一例である窒素ガスを供給する。液体供給部34は、液体の一例である純水を供給する。バルブ31,33,43は、制御部20の指令により開閉量が制御される。   The microbubble generating unit 10 shown in FIG. 2 has a microbubble generating unit 30, a gas supply unit 32, and a liquid supply unit 34. The microbubble generation unit 30 is connected to the gas supply unit 32 via a pipe 31 </ b> B and a valve 31. The microbubble generation unit 30 is connected to the liquid supply unit 34 via a pipe 33 </ b> B and a valve 33. Further, the microbubble generating unit 30 is connected to the nozzle 15 via a pipe 41 and a valve 43. The gas supply part 32 supplies nitrogen gas which is an example of gas. The liquid supply unit 34 supplies pure water which is an example of a liquid. The opening / closing amounts of the valves 31, 33, and 43 are controlled by commands from the control unit 20.

図2に示す微小気泡生成ユニット30は、気体供給部32から供給された窒素ガスを例えば多孔質フィルタに通すことで多数の微小気泡を生成して、液体供給部34から供給された純水に通すことで、生成された多数の微小気泡を純水中に含ませる。多数の微小気泡は、好ましくはナノバブルNBであり、微小気泡を含む液体LはナノバブルNBを含む液体であって、ナノバブル水ともいう。この微小気泡を含む液体Lは、ナノバブルNBを含ませる際に、飽和状態までガス溶解させてある液体である。   The micro-bubble generating unit 30 shown in FIG. 2 generates a large number of micro-bubbles by passing the nitrogen gas supplied from the gas supply unit 32 through, for example, a porous filter, and supplies the pure water supplied from the liquid supply unit 34 to the pure water. By passing through, a large number of generated microbubbles are included in pure water. The large number of microbubbles are preferably nanobubbles NB, and the liquid L containing microbubbles is a liquid containing nanobubbles NB and is also referred to as nanobubble water. The liquid L containing microbubbles is a liquid in which gas is dissolved to a saturated state when the nanobubbles NB are included.

これにより、微小気泡生成ユニット30は、多数の微小気泡を含む液体Lを生成して配管41を介してノズル15側に供給して、ノズル15は微小気泡を含む液体Lを基板Wの表面に対して吐出すことができる。   Thereby, the microbubble generation unit 30 generates a liquid L containing a large number of microbubbles and supplies the liquid L to the nozzle 15 side via the pipe 41, and the nozzle 15 supplies the liquid L containing microbubbles to the surface of the substrate W. Can be discharged.

図2に示すように、処理ユニット4は、さらに加熱手段50を有している。この加熱手段50は、加熱媒体吐出ノズル51と、加熱媒体貯蔵部52と、配管53と、バルブ54を有する、バルブ54は、制御部20の指令により開閉量が制御される。   As shown in FIG. 2, the processing unit 4 further includes a heating unit 50. The heating unit 50 includes a heating medium discharge nozzle 51, a heating medium storage unit 52, a pipe 53, and a valve 54. The valve 54 is controlled to be opened and closed by a command from the control unit 20.

図3は、加熱手段50を拡大して示している。   FIG. 3 shows the heating means 50 in an enlarged manner.

図2と図3に示す加熱手段50では、加熱媒体吐出ノズル51と加熱媒体貯蔵部52が配管53とバルブ54を介して接続されており、加熱媒体貯蔵部52内には、加熱媒体として例えば過熱水蒸気もしくは温水55が貯蔵されている。図3に示すように加熱媒体吐出ノズル51は、基板Wの表面に対して角度θで斜めに向けて配置されている。ノズル15は、基板Wに対して垂直に配置されている。   In the heating means 50 shown in FIGS. 2 and 3, the heating medium discharge nozzle 51 and the heating medium storage unit 52 are connected via a pipe 53 and a valve 54. In the heating medium storage unit 52, as a heating medium, for example, Superheated steam or warm water 55 is stored. As shown in FIG. 3, the heating medium discharge nozzle 51 is disposed obliquely at an angle θ with respect to the surface of the substrate W. The nozzle 15 is arranged perpendicular to the substrate W.

これにより、バルブ54を開けることで、過熱水蒸気もしくは温水55は、加熱媒体吐出ノズル51を介して、ノズル15から吐出した微小気泡を含む液体Lの下部に向けて噴射される。このため、ノズル15からの微小気泡を含む液体Lが基板Wに到達する際に、加熱媒体吐出ノズル51は過熱水蒸気もしくは温水55をノズル15からの微小気泡を含む純水Lに対して混合させて、ナノバブルNBである微小気泡を含む液体Lの温度を上げることができる。従って、過熱水蒸気もしくは温水55がナノバブルNBである微小気泡を含む液体Lを積極的に加温することで、ナノバブルNBである微小気泡を含む液体L中の飽和溶存ガスから気泡を脱離させて破壊させることができるようになっている。   Thereby, by opening the valve 54, the superheated steam or hot water 55 is jetted toward the lower part of the liquid L containing microbubbles discharged from the nozzle 15 through the heating medium discharge nozzle 51. For this reason, when the liquid L containing microbubbles from the nozzle 15 reaches the substrate W, the heating medium discharge nozzle 51 mixes superheated steam or hot water 55 with the pure water L containing microbubbles from the nozzle 15. Thus, the temperature of the liquid L containing microbubbles that are nanobubbles NB can be raised. Accordingly, the superheated steam or warm water 55 positively warms the liquid L containing microbubbles that are nanobubbles NB, thereby desorbing the bubbles from the saturated dissolved gas in the liquid L containing microbubbles that are nanobubbles NB. It can be destroyed.

次に、図2と図3を参照して、基板Wを洗浄処理する基板処理方法の例を説明する。   Next, an example of a substrate processing method for cleaning the substrate W will be described with reference to FIGS.

図2に示す制御部20がバルブ31,33を開くことにより、窒素ガスのような気体が気体供給部32から微小気泡生成ユニット30内に供給されるとともに、純水のような液体が液体供給部34から微小気泡生成ユニット30内に供給される。微小気泡生成ユニット30内では、予め定めた微小気泡密度を有する微小気泡を含む液体Lが生成される。   When the control unit 20 shown in FIG. 2 opens the valves 31 and 33, a gas such as nitrogen gas is supplied from the gas supply unit 32 into the microbubble generating unit 30, and a liquid such as pure water is supplied to the liquid. From the unit 34 into the microbubble generating unit 30. In the microbubble generating unit 30, a liquid L containing microbubbles having a predetermined microbubble density is generated.

この微小気泡を含む液体Lは、配管41を介してノズル15に供給される。これにより、微小気泡を含む液体Lは、ノズル15を通じて基板Wに吐出すことができる。ナノバブルNBである微小気泡を含む液体Lを基板Wの表面に吐出すことで、ナノバブルNBの持つマイナス電位が、プラスにチャージされたパーティクルのような汚染物を包み込んで、この汚染物を微小気泡と共に基板Wの表面から除去できる。   The liquid L containing microbubbles is supplied to the nozzle 15 via the pipe 41. Thereby, the liquid L containing microbubbles can be discharged to the substrate W through the nozzle 15. By discharging the liquid L containing microbubbles, which are nanobubbles NB, onto the surface of the substrate W, the negative potential of the nanobubbles NB encloses contaminants such as positively charged particles. At the same time, it can be removed from the surface of the substrate W.

ところで、ノズル15からの微小気泡を含む液体Lが基板Wに到達する際に、加熱媒体吐出ノズル51からは、過熱水蒸気もしくは温水55をノズル15からの微小気泡を含む純水Lに対して混合させて、ナノバブルNBである微小気泡を含む液体Lの液温を上げ、基板Wを加熱することができる。   By the way, when the liquid L containing microbubbles from the nozzle 15 reaches the substrate W, the heating medium discharge nozzle 51 mixes superheated steam or hot water 55 with the pure water L containing microbubbles from the nozzle 15. Thus, the temperature of the liquid L containing the microbubbles that are the nanobubbles NB can be raised and the substrate W can be heated.

従って、過熱水蒸気もしくは温水55がナノバブルNBである微小気泡を含む液体Lを積極的に加温することで、ナノバブルNBである微小気泡を含む液体L中の飽和溶存ガスから気泡が脱離して破壊させることができる。   Therefore, when the superheated steam or warm water 55 positively warms the liquid L containing microbubbles that are nanobubbles NB, the bubbles are desorbed and destroyed from the saturated dissolved gas in the liquid L containing microbubbles that are nanobubbles NB. Can be made.

このように、微小気泡を含む液体L中の気体の溶解度が液体温度によって変化することを利用して、飽和溶解状態にある微小気泡を含む液体Lをノズル15から吐出時に加温することで、すでに液体Lに存在しているナノバブルNBだけを使用するだけではなく、さらに溶解ガスをナノバブルの気泡として放出してバブル化させる。このようにして加熱することで新たにバブル化したナノバブルと、すでに液体Lに存在しているナノバブルNBを圧壊することで、圧壊によって生じる衝撃力で洗浄効果が出る。このため、すでに液体Lに存在しているナノバブルNBを利用するだけでなく、加熱することで新たにバブル化したナノバブルを有効利用できる。   In this way, by using the fact that the solubility of the gas in the liquid L containing microbubbles varies depending on the liquid temperature, the liquid L containing microbubbles in a saturated dissolution state is heated from the nozzle 15 at the time of discharge, Not only the nanobubbles NB already present in the liquid L are used, but also the dissolved gas is released as bubbles of nanobubbles to be bubbled. When the nanobubbles newly bubbled by heating in this way and the nanobubbles NB already present in the liquid L are crushed, a cleaning effect is produced by the impact force generated by the crushed. For this reason, not only can the nanobubbles NB already present in the liquid L be utilized, but nanobubbles newly bubbled by heating can be effectively utilized.

次に、本発明の別の実施の形態を図4と図5を参照して説明する。   Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図4に示す本発明の別の実施の形態では、図2と図3に示す実施の形態とは異なり、加熱手段50Bの加熱媒体吐出ノズル51は、ノズル15から基板Wに対して供給されようとしている微小気泡を含む液体Lに向けて、基板Wと例えば平行方向に向けて配置されている。これにより、バルブ54を開けることで、加熱媒体吐出ノズル51は、過熱水蒸気もしくは温水55を、ノズル15から吐出した直後の微小気泡を含む液体Lに向けて噴射する。このため、ノズル15からの微小気泡を含む液体Lが基板Wに到達する前に、過熱水蒸気もしくは温水55をノズル15からの微小気泡を含む液体Lに対して混合させて、ナノバブルNBである微小気泡を含む液体Lの温度を上げることができる。   In another embodiment of the present invention shown in FIG. 4, unlike the embodiment shown in FIGS. 2 and 3, the heating medium discharge nozzle 51 of the heating means 50B will be supplied from the nozzle 15 to the substrate W. For example, the substrate W is arranged in a direction parallel to the liquid L containing the microbubbles. Accordingly, by opening the valve 54, the heating medium discharge nozzle 51 injects superheated steam or hot water 55 toward the liquid L containing microbubbles immediately after being discharged from the nozzle 15. For this reason, before the liquid L containing microbubbles from the nozzle 15 reaches the substrate W, superheated steam or hot water 55 is mixed with the liquid L containing microbubbles from the nozzle 15 to form the microbubbles NB. The temperature of the liquid L containing bubbles can be raised.

また、図5に示す本発明の別の実施の形態では、図2に示す加熱手段50に代えて、別の加熱手段50Cが配置されている。この加熱手段50Cは、制御部20に対して電気的に接続されたヒータであり、制御部20が加熱手段50Cに通電することで、基板Wを加熱でき、この基板Wの加熱によりノズル15から基板W上に吐出した微小気泡を含む液体Lに熱を伝えて、微小気泡を含む液体Lの温度を上げることができる。ヒータは、基板を加熱することで、基板の熱が微小気泡を含む液体の温度を上げることができ、ヒータを設ければ良いので、加熱手段の構造が簡単になる。   Further, in another embodiment of the present invention shown in FIG. 5, another heating means 50C is arranged instead of the heating means 50 shown in FIG. The heating unit 50C is a heater that is electrically connected to the control unit 20, and the control unit 20 can heat the substrate W by energizing the heating unit 50C. Heat can be transmitted to the liquid L containing microbubbles discharged onto the substrate W to increase the temperature of the liquid L containing microbubbles. The heater heats the substrate, so that the temperature of the substrate can increase the temperature of the liquid containing microbubbles, and it is only necessary to provide a heater, so that the structure of the heating means is simplified.

図6は、気体の溶解度が温度により変化する参考例を示している。   FIG. 6 shows a reference example in which the gas solubility varies with temperature.

図6に示すように、窒素、酸素、二酸化炭素、塩化水素、アンモニアの溶解度は、1atmの気体が媒体と接していとき、溶媒1ml中に溶け込む気体の体積(ml)を、標準状態での体積に変換して表すことが多い。気体の溶解度は、一般に高温になるほど小さくなるが、これは温度が高いと溶媒分子や溶けた気体分子の熱運動が激しいために、気体分子が溶液中から空間に飛び出しやすいからである。   As shown in FIG. 6, the solubility of nitrogen, oxygen, carbon dioxide, hydrogen chloride, and ammonia is the volume of the gas (ml) dissolved in 1 ml of solvent when the gas of 1 atm is in contact with the medium. Often converted to The solubility of a gas generally decreases as the temperature increases. This is because when the temperature is high, the thermal movement of solvent molecules and dissolved gas molecules is intense, and therefore gas molecules are likely to jump out of the solution into the space.

本発明の基板処理装置の実施の形態では、本発明者がナノバブルについて鋭意研究を進めてきている中で、ナノバブル生成過程においてガスは液体中に飽和濃度まで溶解することが判明している。また、バブル生成後の時間経過に伴いナノサイズのバブルは、液体中から脱離を起こすと考えられる。ナノバブルは、溶存ガスとしても溶解して存在し液体の物性を変化させ、基板等の処理対象物の表面改質等の効果を発揮するが、洗浄効果としては、ナノバブルが破裂することで生じる衝撃力によって汚れを落とすことができることである。   In the embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention, while the present inventor has been diligently researching nanobubbles, it has been found that in the nanobubble generation process, the gas dissolves to a saturated concentration in the liquid. Further, it is considered that nano-sized bubbles are desorbed from the liquid as time passes after the bubbles are generated. Nanobubbles dissolve and exist as dissolved gas, change the physical properties of the liquid, and exhibit effects such as surface modification of the object to be processed such as a substrate, but the cleaning effect is the impact generated by the bursting of nanobubbles The dirt can be removed by force.

そこで、基板Wの表面を洗浄処理する場合には、ガスが飽和した状態の微小気泡を含む液体Lを基板Wの洗浄利用時に加熱して、微小気泡を含む液体Lからさらに気泡(ナノバブル)を脱離して破壊させる。各実施形態では、温度によって微小気泡を含む液体L中のガス溶解度が異なることを利用している。   Therefore, when cleaning the surface of the substrate W, the liquid L containing microbubbles in a gas-saturated state is heated when cleaning the substrate W, and bubbles (nanobubbles) are further generated from the liquid L containing microbubbles. Detach and destroy. Each embodiment utilizes the fact that the gas solubility in the liquid L containing microbubbles varies depending on the temperature.

本発明の基板処理装置は、基板に対して微小気泡を含む液体を供給して基板を処理する基板処理装置であって、気体と液体から微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成部と、微小気泡を含む液体を基板に吐出すノズルと、ノズルから吐出された微小気泡を含む液体の温度を上げる加熱手段と、を備える。これにより、例えばガスが飽和した状態の液体を基板の処理時に瞬時に加熱して微小気泡の脱離を行うことで、簡単な構成でありながら微小気泡を有効に利用して基板の処理を確実に行うことができる。   A substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a liquid containing microbubbles to the substrate, a microbubble generating unit that generates a liquid containing microbubbles from a gas and a liquid, A nozzle that discharges liquid containing microbubbles to the substrate; and heating means that raises the temperature of the liquid containing microbubbles discharged from the nozzle. As a result, for example, a liquid in which gas is saturated is instantaneously heated at the time of substrate processing to desorb microbubbles, so that the processing of the substrate can be ensured by effectively using the microbubbles with a simple configuration. Can be done.

本発明の基板処理装置では、加熱手段は、ノズルから吐出された微小気泡を含む液体に対して過熱水蒸気または温水を供給する。これにより、微小気泡を含む液体は、過熱水蒸気または温水を混合することで直接温度を上げることができる。   In the substrate processing apparatus of the present invention, the heating means supplies superheated steam or warm water to the liquid containing microbubbles discharged from the nozzle. Thereby, the temperature of the liquid containing microbubbles can be directly raised by mixing superheated steam or warm water.

本発明の基板処理装置では、加熱手段は、基板を加熱することでノズルから基板に吐出された微小気泡を含む液体の温度を上げるヒータである。これにより、ヒータは、基板を加熱することで、基板の熱が微小気泡を含む液体の温度を上げることができ、ヒータを設ければ良いだけなので、加熱手段の構造が簡単になる。   In the substrate processing apparatus of the present invention, the heating means is a heater that raises the temperature of the liquid containing microbubbles discharged from the nozzle to the substrate by heating the substrate. Thus, the heater can heat the substrate, so that the temperature of the substrate can raise the temperature of the liquid containing microbubbles, and only the heater needs to be provided, so that the structure of the heating means is simplified.

本発明の基板処理装置では、微小気泡を含む液体は、ナノバブルを含み、飽和状態までガス溶解されている。これにより、すでに液体内に存在しているナノバブルに加えて加熱により飽和状態になっているガスからさらに多くのナノバブルを発生させて有効に利用できる。   In the substrate processing apparatus of the present invention, the liquid containing microbubbles contains nanobubbles and is dissolved in gas until saturation. Thereby, in addition to the nanobubbles already existing in the liquid, more nanobubbles can be generated from the gas that is saturated by heating and can be used effectively.

本発明の基板処理方法では、基板に対して微小気泡を含む液体を供給して基板を処理する基板処理方法であって、微小気泡生成部は、気体と液体から微小気泡を含む液体を生成し、ノズルから微小気泡を含む液体を基板に吐出す際に、加熱手段が微小気泡を含む液体の温度を上げることを特徴とする。これにより、ガスが飽和した状態の液体を基板の処理時に瞬時に加熱して微小気泡の脱離を行うことで、簡単な構成でありながら微小気泡を有効に利用して基板の処理を確実に行うことができる。   The substrate processing method of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate by supplying a liquid containing microbubbles to the substrate, wherein the microbubble generating unit generates a liquid containing microbubbles from the gas and the liquid. The heating means raises the temperature of the liquid containing microbubbles when discharging the liquid containing microbubbles from the nozzle to the substrate. As a result, the liquid in which the gas is saturated is instantaneously heated during the processing of the substrate, and the microbubbles are desorbed. It can be carried out.

ところで、本発明では、微小気泡とは、微細気泡あるいはマイクロ・ナノバブルともいい、マイクロバブル(MB)、マイクロナノバブル(MNB)、ナノバブル(NB)を含む概念である。マイクロバブル(MB)とは、その発生時に気泡の直径が1μm〜10μm程度の微小な気泡のことをいい、マイクロナノバブル(MNB)とは、その発生時に気泡の直径が10μm〜十数μm程度の微小な気泡のことをいう。さらに、ナノバブル(NB)とは、数百nm以下の微小な気泡のことをいう。   By the way, in the present invention, microbubbles are also called microbubbles or micro / nano bubbles, and are a concept including micro bubbles (MB), micro nano bubbles (MNB), and nano bubbles (NB). Microbubbles (MB) refer to microbubbles with a bubble diameter of about 1 μm to 10 μm at the time of generation, and micronanobubbles (MNB) are bubbles with a diameter of about 10 μm to about a dozen μm at the time of generation. It refers to minute bubbles. Furthermore, nanobubbles (NB) refer to minute bubbles of several hundred nm or less.

本発明は上記実施の形態に限定されない。本発明の上記基板処理装置は、例えば基板Wの表面を洗浄処理するのに用いられているが、これに限らず基板の表面の活性化等の改質処理等にも用いることができる。ナノバブルは、溶存ガスとしても溶解して存在し液体の物性を変化させ、基板等の処理対象物の表面改質等の効果を発揮する。しかし、基板の洗浄効果を得るためには、ナノバブルが破裂することで生じる衝撃力によって汚れを落とすことができることが望ましい。   The present invention is not limited to the above embodiment. The substrate processing apparatus of the present invention is used, for example, for cleaning the surface of the substrate W, but is not limited to this, and can also be used for modification processing such as activation of the surface of the substrate. Nanobubbles are dissolved and exist as dissolved gas, change the physical properties of the liquid, and exhibit effects such as surface modification of a processing target such as a substrate. However, in order to obtain the substrate cleaning effect, it is desirable that the dirt can be removed by the impact force generated by the bursting of the nanobubbles.

気体としては、窒素ガスに代えてオゾンガスや空気を用いることもできる。液体としては、純水の他に酸性液やアルカリ液を用いることができる。   As gas, ozone gas or air can be used instead of nitrogen gas. As the liquid, in addition to pure water, an acidic liquid or an alkaline liquid can be used.

さらに、本発明の実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、本発明の実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Furthermore, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiments of the present invention. For example, you may delete some components from all the components shown by embodiment of this invention. Furthermore, you may combine the component covering different embodiment suitably.

1 基板処理装置
4 処理ユニット
10 微小気泡生成部
11 基板保持部
15 ノズル
32 気体供給部
34 液体供給部
50 加熱手段
51 加熱媒体吐出ノズル
52 加熱媒体貯蔵部
53 配管
54 バルブ
55 過熱水蒸気もしくは温水
L 微小気泡を含む液体
NB ナノバブル
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 4 Processing unit 10 Microbubble production | generation part 11 Substrate holding | maintenance part 15 Nozzle 32 Gas supply part 34 Liquid supply part 50 Heating means 51 Heating medium discharge nozzle 52 Heating medium storage part 53 Piping 54 Valve 55 Superheated steam or warm water L Minute Liquid containing bubbles NB Nanobubble W substrate

Claims (5)

基板に対して微小気泡を含む液体を供給して基板を処理する基板処理装置であって、
気体と液体から前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成部と、
前記微小気泡を含む液体を前記基板に吐出すノズルと、
前記ノズルから吐出された前記微小気泡を含む液体の温度を上げる加熱手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a liquid containing microbubbles to the substrate,
A microbubble generating unit that generates a liquid containing the microbubbles from a gas and a liquid;
A nozzle that discharges the liquid containing the microbubbles to the substrate;
Heating means for raising the temperature of the liquid containing the microbubbles discharged from the nozzle;
A substrate processing apparatus comprising:
前記加熱手段は、前記ノズルから吐出された前記微小気泡を含む液体に対して過熱水蒸気または温水を供給することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heating unit supplies superheated steam or warm water to the liquid containing the microbubbles discharged from the nozzle. 前記加熱手段は、前記基板を加熱することで前記ノズルから前記基板に吐出された前記微小気泡を含む液体の温度を上げるヒータであることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heating unit is a heater that raises the temperature of the liquid containing the microbubbles discharged from the nozzle to the substrate by heating the substrate. 前記微小気泡を含む液体は、ナノバブルを含み、飽和状態までガス溶解されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1つの項に記載の基板処理装置。   4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid containing microbubbles contains nanobubbles and is dissolved in a gas up to a saturated state. 5. 基板に対して微小気泡を含む液体を供給して基板を処理する基板処理方法であって、
微小気泡生成部は、気体と液体から前記微小気泡を含む液体を生成し、
ノズルから前記微小気泡を含む液体を前記基板に吐出す際に、加熱手段が前記微小気泡を含む液体の温度を上げることを特徴とする基板処理方法。
A substrate processing method for processing a substrate by supplying a liquid containing microbubbles to the substrate,
The microbubble generator generates a liquid containing the microbubbles from a gas and a liquid,
A substrate processing method, wherein when the liquid containing the microbubbles is discharged from the nozzle onto the substrate, the heating means increases the temperature of the liquid containing the microbubbles.
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