JP2010153002A - 磁気記憶媒体製造方法、磁気記憶媒体、および情報記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サンプルへのイオン注入による飽和磁化消失度を計測する消失度計測過程(ステップS103)と、計測された消失度で、保護領域を除いた他の領域について局所的に飽和磁化が消失したときに保護領域での磁化反転磁界が所定の磁化反転磁界と等しくなるという前提で、飽和磁化消失前の磁性膜の異方性磁界を算出する異方性磁界算出過程(ステップS104)と、その算出された異方性磁界を有する磁性膜を形成し、その磁性膜への局所的なイオン注入を行なってビットパターンド型の磁気ディスクを完成させる磁気ディスク製造処理(ステップS108)とを実行する。
【選択図】 図5
Description
磁性膜を形成する第1の磁性膜形成過程と、
前記磁性膜にイオン注入を行なう第1のイオン注入過程と、
前記磁性膜における、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入による飽和磁化の消失度を計測する消失度計測過程と、
前記消失度計測過程で計測された消失度で前記磁性膜の飽和磁化が、所定の場所に設定された保護領域を除いた他の領域について局所的に消失したときに該保護領域での磁化反転磁界が所定の磁化反転磁界と等しくなるという前提で、飽和磁化消失前の前記磁性膜の異方性磁界を算出する異方性磁界算出過程と、
基板上に、前記異方性磁界算出過程で算出された異方性磁界と同等な異方性磁界を有する磁性膜を、前記第1の磁性膜形成過程での磁性膜の形成条件と同等な形成条件で形成する第2の磁性膜形成過程と、
前記第2の磁性膜形成過程で形成された磁性膜に対して前記他の領域に相当する領域について局所的に、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入条件と同等なイオン注入条件でイオン注入を行なう第2のイオン注入過程とを有することを特徴とする磁気記憶媒体製造方法。
前記第1の磁性膜形成過程および前記第2の磁性膜形成過程の双方が、Coの原子層とPdの原子層とが交互に積層された人工格子構造の磁性膜を形成する過程であり、
前記異方性磁界算出過程で算出された異方性磁界を、前記人工格子構造の磁性膜で実現するのに要する、Pdの原子層に対するCoの原子層の層厚比を算出する層厚比算出過程を有し、
前記第2の磁性膜形成過程が、Coの原子層とPdの原子層とを、前記層厚比算出過程で算出された層厚比で交互に積層して前記人工格子構造の磁性膜を形成する過程であることを特徴とする付記1記載の磁気記憶媒体製造方法。
前記第1の磁性膜形成過程で形成された磁性膜における、飽和磁化と原子層数との積に対し、前記第2の磁性膜形成過程で形成される磁性膜における、飽和磁化と原子層数との積が所定の近似度を満足するように、該第2の磁性膜形成過程で形成される磁性膜における原子層数を算出する積層数算出過程を備え、
前記第2の磁性膜形成過程が、前記積層数算出過程で算出された原子層数の原子層を積層して前記人工格子構造の磁性膜を形成する過程であることを特徴とする付記2記載の磁気記憶媒体製造方法。
前記第1の磁性膜形成過程および前記第2の磁性膜形成過程の双方が、Co−Cr−Pt基合金からなる磁性膜を形成する過程であり、
前記異方性磁界算出過程で算出された異方性磁界を、Co−Cr−Pt基合金からなる磁性膜で実現するのに要するPtの組成比を算出する組成比算出過程を有し、
前記第2の磁性膜形成過程が、前記磁性膜として、前記組成比算出過程で算出された組成比でPtを含有したCo−Cr−Pt基合金で磁性膜を形成する過程であることを特徴とする付記1記載の磁気記憶媒体製造方法。
前記第1の磁性膜形成過程で形成された磁性膜における、飽和磁化と膜厚との積に対し、前記第2の磁性膜形成過程で形成される磁性膜における、飽和磁化と膜厚との積が所定の近似度を満足するように、該第2の磁性膜形成過程で形成される磁性膜における膜厚を算出する膜厚算出過程を備え、
前記第2の磁性膜形成過程が、前記積層数算出過程で算出された膜厚で、Co−Cr−Pt基合金からなる磁性膜を形成する過程であることを特徴とする付記4記載の磁気記憶媒体製造方法。
前記第2のイオン注入過程が、前記保護領域として、前記磁性膜が広がる方向に規則的に配列した複数箇所を用いて、該複数箇所の相互間に対して局所的にイオンを注入する過程であることを特徴とする付記1から5のうちいずれか1項記載の磁気記憶媒体製造方法。
前記第2のイオン注入過程が、前記イオンとして、酸素イオン及び窒素イオンのうちいずれか一方のイオンを用いる過程であることを特徴とする付記1から6のうちいずれか1項記載の磁気記憶媒体製造方法。
前記磁性膜上に、前記保護領域へのイオンの注入を阻害するマスクを形成するマスク形成過程を有し、
前記第2のイオン注入過程が、前記マスクが形成された磁性膜の上からイオンを当てることで、該マスクで保護された保護領域を除いた他の領域に対して局所的に該イオンを注入する過程であることを特徴とする付記1から7のうちいずれか1項記載の磁気記憶媒体製造方法。
前記マスク形成過程が、前記マスクをレジストで形成する過程であることを特徴とする付記8記載の磁気記憶媒体製造方法。
前記マスク形成過程が、前記マスクをレジストで、ナノインプリントプロセスによって形成する過程であることを特徴とする付記8又は9記載の磁気記憶媒体製造方法。
基板と、
磁性膜を形成する第1の磁性膜形成過程と、前記磁性膜にイオン注入を行なう第1のイオン注入過程と、前記磁性膜における、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入による飽和磁化の消失度を計測する消失度計測過程と、前記消失度計測過程で計測された消失度で前記磁性膜の飽和磁化が、所定の場所に設定された保護領域を除いた他の領域について局所的に消失したときに該保護領域での磁化反転磁界が所定の磁化反転磁界と等しくなるという前提で、飽和磁化消失前の前記磁性膜の異方性磁界を算出する異方性磁界算出過程と、前記基板上に、前記異方性磁界算出過程で算出された異方性磁界と同等な異方性磁界を有する磁性膜を、前記第1の磁性膜形成過程での磁性膜の形成条件と同等な形成条件で形成する第2の磁性膜形成過程とを経て形成された磁性膜を有し、情報が磁気的に記録される磁性部と、
前記磁性部の磁性膜と連続した磁性膜への、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入条件と同等なイオン注入条件でイオン注入を行なう局所的なイオン注入過程を経て形成された被注入膜を有し、該磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えたことを特徴とする磁気記憶媒体。
前記磁性部が、前記基板上に規則的に複数配列された、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットであり、
前記低磁性部が、前記磁性ドットの相互間に設けられた、該磁性ドット相互の磁気的結合を阻害するドット間分断帯であることを特徴とする付記11記載の磁気記憶媒体。
基板と、磁性膜を形成する第1の磁性膜形成過程と、前記磁性膜にイオン注入を行なう第1のイオン注入過程と、前記磁性膜における、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入による飽和磁化の消失度を計測する消失度計測過程と、前記消失度計測過程で計測された消失度で前記磁性膜の飽和磁化が、所定の場所に設定された保護領域を除いた他の領域について局所的に消失したときに該保護領域での磁化反転磁界が所定の磁化反転磁界と等しくなるという前提で、飽和磁化消失前の前記磁性膜の異方性磁界を算出する異方性磁界算出過程と、前記基板上に、前記異方性磁界算出過程で算出された異方性磁界と同等な異方性磁界を有する磁性膜を、前記第1の磁性膜形成過程での磁性膜の形成条件と同等な形成条件で形成する第2の磁性膜形成過程とを経て形成された磁性膜を有し、情報が磁気的に記録される磁性部と、前記磁性部の磁性膜と連続した磁性膜への、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入条件と同等なイオン注入条件でイオン注入を行なう局所的なイオン注入過程を経て形成された被注入膜を有し、該磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えた磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体に近接あるいは接触して磁性部に磁気的に情報の記録及び/又は再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記憶媒体表面に対して相対的に移動させて、該磁気ヘッドによる情報の記録及び/又は再生となる磁性部上に該磁気ヘッドを位置決めするヘッド位置制御機構とを備えたことを特徴とする情報記憶装置。
前記磁性部が、前記基板上に規則的に複数配列された、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットであり、
前記低磁性部が、前記磁性ドットの相互間に設けられた、該磁性ドット相互の磁気的結合を阻害するドット間分断帯であることを特徴とする付記13記載の情報記憶装置。
10 磁気ディスク
10a 磁性ドット
10b ドット間分断帯
10c トラック
60 基板
61 下地層
62 磁性膜
62a Coの原子層
62b Pdの原子層
Claims (7)
- 磁性膜を形成する第1の磁性膜形成過程と、
前記磁性膜にイオン注入を行なう第1のイオン注入過程と、
前記磁性膜における、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入による飽和磁化の消失度を計測する消失度計測過程と、
前記消失度計測過程で計測された消失度で前記磁性膜の飽和磁化が、所定の場所に設定された保護領域を除いた他の領域について局所的に消失したときに該保護領域での磁化反転磁界が所定の磁化反転磁界と等しくなるという前提で、飽和磁化消失前の前記磁性膜の異方性磁界を算出する異方性磁界算出過程と、
基板上に、前記異方性磁界算出過程で算出された異方性磁界と同等な異方性磁界を有する磁性膜を、前記第1の磁性膜形成過程での磁性膜の形成条件と同等な形成条件で形成する第2の磁性膜形成過程と、
前記第2の磁性膜形成過程で形成された磁性膜に対して前記他の領域に相当する領域について局所的に、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入条件と同等なイオン注入条件でイオン注入を行なう第2のイオン注入過程とを有することを特徴とする磁気記憶媒体製造方法。 - 前記第1の磁性膜形成過程および前記第2の磁性膜形成過程の双方が、Coの原子層とPdの原子層とが交互に積層された人工格子構造の磁性膜を形成する過程であり、
前記異方性磁界算出過程で算出された異方性磁界を、前記人工格子構造の磁性膜で実現するのに要する、Pdの原子層に対するCoの原子層の層厚比を算出する層厚比算出過程を有し、
前記第2の磁性膜形成過程が、Coの原子層とPdの原子層とを、前記層厚比算出過程で算出された層厚比で交互に積層して前記人工格子構造の磁性膜を形成する過程であることを特徴とする請求項1記載の磁気記憶媒体製造方法。 - 前記第1の磁性膜形成過程で形成された磁性膜における、飽和磁化と原子層数との積に対し、前記第2の磁性膜形成過程で形成される磁性膜における、飽和磁化と原子層数との積が所定の近似度を満足するように、該第2の磁性膜形成過程で形成される磁性膜における原子層数を算出する積層数算出過程を備え、
前記第2の磁性膜形成過程が、前記積層数算出過程で算出された原子層数の原子層を積層して前記人工格子構造の磁性膜を形成する過程であることを特徴とする請求項2記載の磁気記憶媒体製造方法。 - 前記第1の磁性膜形成過程および前記第2の磁性膜形成過程の双方が、Co−Cr−Pt基合金からなる磁性膜を形成する過程であり、
前記異方性磁界算出過程で算出された異方性磁界を、Co−Cr−Pt基合金からなる磁性膜で実現するのに要するPtの組成比を算出する組成比算出過程を有し、
前記第2の磁性膜形成過程が、前記磁性膜として、前記組成比算出過程で算出された組成比でPtを含有したCo−Cr−Pt基合金で磁性膜を形成する過程であることを特徴とする請求項1記載の磁気記憶媒体製造方法。 - 前記第1の磁性膜形成過程で形成された磁性膜における、飽和磁化と膜厚との積に対し、前記第2の磁性膜形成過程で形成される磁性膜における、飽和磁化と膜厚との積が所定の近似度を満足するように、該第2の磁性膜形成過程で形成される磁性膜における膜厚を算出する膜厚算出過程を備え、
前記第2の磁性膜形成過程が、前記積層数算出過程で算出された膜厚で、Co−Cr−Pt基合金からなる磁性膜を形成する過程であることを特徴とする請求項4記載の磁気記憶媒体製造方法。 - 基板と、
磁性膜を形成する第1の磁性膜形成過程と、前記磁性膜にイオン注入を行なう第1のイオン注入過程と、前記磁性膜における、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入による飽和磁化の消失度を計測する消失度計測過程と、前記消失度計測過程で計測された消失度で前記磁性膜の飽和磁化が、所定の場所に設定された保護領域を除いた他の領域について局所的に消失したときに該保護領域での磁化反転磁界が所定の磁化反転磁界と等しくなるという前提で、飽和磁化消失前の前記磁性膜の異方性磁界を算出する異方性磁界算出過程と、前記基板上に、前記異方性磁界算出過程で算出された異方性磁界と同等な異方性磁界を有する磁性膜を、前記第1の磁性膜形成過程での磁性膜の形成条件と同等な形成条件で形成する第2の磁性膜形成過程とを経て形成された磁性膜を有し、情報が磁気的に記録される磁性部と、
前記磁性部の磁性膜と連続した磁性膜への、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入条件と同等なイオン注入条件でイオン注入を行なう局所的なイオン注入過程を経て形成された被注入膜を有し、該磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えたことを特徴とする磁気記憶媒体。 - 基板と、磁性膜を形成する第1の磁性膜形成過程と、前記磁性膜にイオン注入を行なう第1のイオン注入過程と、前記磁性膜における、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入による飽和磁化の消失度を計測する消失度計測過程と、前記消失度計測過程で計測された消失度で前記磁性膜の飽和磁化が、所定の場所に設定された保護領域を除いた他の領域について局所的に消失したときに該保護領域での磁化反転磁界が所定の磁化反転磁界と等しくなるという前提で、飽和磁化消失前の前記磁性膜の異方性磁界を算出する異方性磁界算出過程と、前記基板上に、前記異方性磁界算出過程で算出された異方性磁界と同等な異方性磁界を有する磁性膜を、前記第1の磁性膜形成過程での磁性膜の形成条件と同等な形成条件で形成する第2の磁性膜形成過程とを経て形成された磁性膜を有し、情報が磁気的に記録される磁性部と、前記磁性部の磁性膜と連続した磁性膜への、前記第1のイオン注入過程でのイオン注入条件と同等なイオン注入条件でイオン注入を行なう局所的なイオン注入過程を経て形成された被注入膜を有し、該磁性部の飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する低磁性部とを備えた磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体に近接あるいは接触して磁性部に磁気的に情報の記録及び/又は再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記憶媒体表面に対して相対的に移動させて、該磁気ヘッドによる情報の記録及び/又は再生となる磁性部上に該磁気ヘッドを位置決めするヘッド位置制御機構とを備えたことを特徴とする情報記憶装置。
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