JP2010147343A - Wafer support device and wafer support method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェーハを支持するウェーハ支持方法およびそのような方法を実施するウェーハ支持具に関する。 The present invention relates to a wafer support method for supporting a wafer and a wafer support for carrying out such a method.
半導体製造分野においてはウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるためにウェーハの薄膜化が進んでいる。ウェーハを薄膜化するために、半導体ウェーハの裏面を研削するいわゆる裏面研削(バックグラインド)が行われる。 In the semiconductor manufacturing field, wafers tend to increase in size year by year, and the wafers are becoming thinner to increase the mounting density. In order to reduce the thickness of the wafer, so-called back grinding is performed to grind the back surface of the semiconductor wafer.
図9は、裏面研削前におけるウェーハの平面図である。図9に示されるように、ウェーハ20は環状のマウントフレーム36内において同心に位置決めされる。そして、表面保護フィルム3がウェーハ20の表面21に貼付けられ、それにより、ウェーハ20とマウントフレーム36とが一体化される(図9においては、ウェーハ20の裏面22が示されていることに留意されたい)。これにより、裏面研削後にウェーハの厚さが低下した場合であっても、ウェーハ20を容易にハンドリングできる。
FIG. 9 is a plan view of the wafer before back surface grinding. As shown in FIG. 9, the
ところで、裏面研削時に裏面22が上方を向くようにウェーハ20を配置すると、ウェーハ20およびマウントフレーム36が表面保護フィルム3よりも上方に位置することになる。通常は裏面研削後のウェーハ20の厚さはマウントフレーム36の厚さよりも小さいので、裏面研削が進行するにつれて研削砥石がマウントフレーム36に干渉する可能性がある。
By the way, when the
このため、特許文献1においては、マウントフレーム36の位置がウェーハ20の裏面よりも低くなるようにウェーハを配置している。この場合には、裏面研削時に研削砥石がマウントフレーム36に干渉せず、良好な裏面研削が可能である。
For this reason, in
また、特許文献2は、両面粘着フィルム(両方の面が粘着性を有する)の一方の面にウェーハ20を貼付けると共に、他方の面にマウントフレーム36を貼付けることを開示している。この場合には、裏面研削時に両面粘着フィルムがウェーハ20よりも下方に位置し、さらにその下方にマウントフレーム36が位置することになるので、研削砥石がマウントフレーム36に干渉することはない。
特許文献1および特許文献2においては、図9に示されるように、一般的なマウントフレーム36が使用される。図9から分かるように、マウントフレーム36の内径はウェーハ20の外径よりもかなり大きく寸法決めされている。言い換えれば、ウェーハ20とマウントフレーム36との間に位置する表面保護フィルム3の露出部分の面積もかなり大きい。その結果、後工程であるエキスパンド作用を容易にしている。
In
このような場合には、ウェーハ20とマウントフレーム36とを一体化するために大量の表面保護フィルム3が必要とされる。表面保護フィルム3は最終的には廃棄されるので、経済的観点から表面保護フィルム3の使用量を抑えることが望まれている。
In such a case, a large amount of the
また、表面保護フィルム3の露出部分の面積が大きい場合には、裏面研削時に生じたスラッジが表面保護フィルム3の露出部分に付着する可能性もある。さらに、近年では裏面研削工程の後でウェーハ20をドライエッチングする場合もあり、そのような場合には表面保護フィルム3から多量のアウトガスが発生することになる。
Moreover, when the area of the exposed part of the surface
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、フィルムの露出部分を少なくできるウェーハ支持方法およびそのような方法を実施するウェーハ支持具を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer support method capable of reducing the exposed portion of a film and a wafer support for carrying out such a method.
前述した目的を達成するために1番目の発明によれば、一面にフィルムが貼付けられているウェーハを支持するウェーハ支持具において、前記ウェーハ周りに配置される第一筒部材と、前記第一筒部材周りに配置される第二筒部材とを具備し、前記フィルムが前記第一筒部材周りにおいて前記第一部材側に折曲げられて、前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持され、それにより、ウェーハを支持するウェーハ支持具が提供される。
2番目の発明によれば、1番目の発明において、前記第一筒部材の内径は前記ウェーハの外径よりも大きいようにした。
In order to achieve the above-described object, according to the first invention, in a wafer support for supporting a wafer having a film attached to one surface, a first cylinder member disposed around the wafer, and the first cylinder A second cylinder member disposed around the member, wherein the film is bent toward the first member around the first cylinder member, and between the first cylinder member and the second cylinder member. To provide a wafer support that supports the wafer.
According to the second invention, in the first invention, the inner diameter of the first cylindrical member is made larger than the outer diameter of the wafer.
すなわち1番目および2番目の発明においては、第一筒部材とウェーハとの間の距離に応じてフィルムの露出部分の面積が定まるので、フィルムの露出部分を少なくすることができる。このため、フィルムの使用量が少なくて済み、裏面研削時に生じるスラッジがフィルムの露出部分に付着することもなく、さらに、エッチング時にフィルムから多量のアウトガスが生じるのを防ぐこともできる。また、フィルムは第一筒部材および第二筒部材の間に保持されるので、両面粘着フィルムを使用する必要もなく、従って、製造コストが増大するのを抑えられる。 That is, in the first and second inventions, since the area of the exposed portion of the film is determined according to the distance between the first cylindrical member and the wafer, the exposed portion of the film can be reduced. For this reason, the amount of film used is small, sludge generated during backside grinding does not adhere to the exposed portion of the film, and a large amount of outgas can be prevented from being generated from the film during etching. Moreover, since a film is hold | maintained between a 1st cylinder member and a 2nd cylinder member, it is not necessary to use a double-sided adhesive film, Therefore, it can suppress that a manufacturing cost increases.
3番目の発明によれば、1番目または2番目の発明において、さらに、前記第一筒部材と前記第二筒部材とを固定する固定部を具備する。
すなわち3番目の発明においては、フィルムをより堅固に保持することができる。固定部は、例えば第一筒部材および第二筒部材に形成された貫通孔に挿入されるピン、もしくは第一筒部材の外周面および第二筒部材の内周面にそれぞれ形成された突起部と溝との組合せでありうる。
According to a third aspect, in the first or second aspect, the apparatus further includes a fixing portion that fixes the first cylindrical member and the second cylindrical member.
That is, in the third invention, the film can be held more firmly. The fixing portion is, for example, a pin inserted into a through hole formed in the first cylinder member and the second cylinder member, or a protrusion formed on the outer peripheral surface of the first cylinder member and the inner peripheral surface of the second cylinder member, respectively. And a groove.
4番目の発明によれば、1番目から3番目のいずれかの発明において、前記第一筒部材の軸線方向断面の少なくとも一部分が第一湾曲部を含んでおり、前記第二筒部材の軸線方向断面は前記第一筒部材の前記第一湾曲部に対応する第二湾曲部を含む。
すなわち4番目の発明においては、フィルムをより堅固に保持することができる。湾曲部の軸線方向断面はS字形状、C字形状などでありうる。
According to a fourth invention, in any one of the first to third inventions, at least a part of an axial section of the first cylindrical member includes a first curved portion, and the axial direction of the second cylindrical member The cross section includes a second bending portion corresponding to the first bending portion of the first cylindrical member.
That is, in the fourth invention, the film can be held more firmly. The cross section in the axial direction of the bending portion may be S-shaped, C-shaped, or the like.
5番目の発明によれば、1番目から4番目のいずれかの発明において、前記第二筒部材は、半径方向内側に延びて前記第一筒部材の端部を支持する支持部材を含む。
すなわち5番目の発明においては、第一筒部材が抜落ちるのを防止することができる。
According to a fifth aspect, in any one of the first to fourth aspects, the second cylindrical member includes a support member that extends inward in the radial direction and supports the end of the first cylindrical member.
That is, in the fifth aspect, it is possible to prevent the first cylinder member from dropping out.
6番目の発明によれば、1番目から5番目のいずれかの発明において、前記第一筒部材の外周面および前記第二筒部材の内周面には互いに係合する係合部が備えられている。
すなわち6番目の発明においては、フィルムをより堅固に保持することができる。係合部は、例えば第一筒部材の外周面および第二筒部材の内周面にわたって形成された複数の凹凸部でありうる。あるいは、係合部は、第一筒部材の外周面に設けられた突起と、第二筒部材の内周面に形成された溝との組合せであってもよい。
According to a sixth invention, in any one of the first to fifth inventions, the outer peripheral surface of the first cylindrical member and the inner peripheral surface of the second cylindrical member are provided with engaging portions that engage with each other. ing.
That is, in the sixth aspect, the film can be held more firmly. The engaging portion can be, for example, a plurality of concave and convex portions formed over the outer peripheral surface of the first cylindrical member and the inner peripheral surface of the second cylindrical member. Or the combination of the protrusion provided in the outer peripheral surface of the 1st cylinder member, and the groove | channel formed in the internal peripheral surface of the 2nd cylinder member may be sufficient as an engaging part.
7番目の発明によれば、ウェーハを支持するウェーハ支持方法において、前記ウェーハの一面にフィルムの粘着面を貼付け、第一筒部材を前記粘着面とは反対側の非粘着面において前記ウェーハ周りに配置し、第二筒部材を前記フィルムの前記粘着面において前記第一筒部材周りに配置し、前記フィルムを前記第一筒部材周りにおいて前記第一筒部材側に折曲げつつ前記第二筒部材を前記第一筒部材に向かって移動させ、前記フィルムを前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持し、それにより、ウェーハを支持するウェーハ支持方法が提供される。 According to the seventh invention, in the wafer support method for supporting a wafer, the adhesive surface of the film is attached to one surface of the wafer, and the first cylindrical member is disposed around the wafer on the non-adhesive surface opposite to the adhesive surface. Arranging the second cylinder member around the first cylinder member on the adhesive surface of the film, and bending the second cylinder member around the first cylinder member toward the first cylinder member. Is moved toward the first cylinder member, and the film is held between the first cylinder member and the second cylinder member, thereby providing a wafer support method for supporting a wafer.
8番目の発明によれば、ウェーハを支持するウェーハ支持方法において、前記ウェーハの外径よりも大きい内径を有する第一筒部材の一端にフィルムの非粘着面を貼付け、前記フィルムの前記非粘着面とは反対側の粘着面において第二筒部材を前記第一筒部材周りに配置し、前記フィルムを前記第一筒部材周りにおいて前記第一筒部材側に折曲げつつ前記第二筒部材を前記第一筒部材に向かって移動させ、前記フィルムを前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持し、前記ウェーハを前記第一筒部材内において前記フィルムの前記粘着面に貼付け、それにより、前記ウェーハを支持する、ウェーハ支持方法が提供される。 According to an eighth aspect of the invention, in the wafer support method for supporting a wafer, the non-adhesive surface of the film is affixed to one end of a first cylindrical member having an inner diameter larger than the outer diameter of the wafer, and the non-adhesive surface of the film The second cylinder member is arranged around the first cylinder member on the adhesive surface opposite to the first cylinder member, and the second cylinder member is folded while bending the film around the first cylinder member toward the first cylinder member. Moving toward the first cylinder member, holding the film between the first cylinder member and the second cylinder member, and bonding the wafer to the adhesive surface of the film in the first cylinder member; Thereby, a wafer support method for supporting the wafer is provided.
すなわち7番目および8番目の発明においては、第一筒部材とウェーハとの間の距離に応じてフィルムの露出部分の面積が定まるので、フィルムの露出部分を少なくすることができる。このため、フィルムの使用量が少なくて済み、裏面研削時に生じるスラッジがフィルムの露出部分に付着することもなく、さらに、エッチング時にフィルムから多量のアウトガスが生じるのを防ぐこともできる。また、フィルムは第一筒部材および第二筒部材の間に保持されるので、両面粘着フィルムを使用する必要もなく、従って、製造コストが増大するのを抑えられる。 That is, in the seventh and eighth inventions, since the area of the exposed portion of the film is determined according to the distance between the first cylindrical member and the wafer, the exposed portion of the film can be reduced. For this reason, the amount of film used is small, sludge generated during backside grinding does not adhere to the exposed portion of the film, and a large amount of outgas can be prevented from being generated from the film during etching. Moreover, since a film is hold | maintained between a 1st cylinder member and a 2nd cylinder member, it is not necessary to use a double-sided adhesive film, Therefore, it can suppress that a manufacturing cost increases.
9番目の発明によれば、7番目または8番目の発明において、前記第一筒部材の内径は前記ウェーハの外径よりも大きいようにした。
すなわち9番目の発明においては、フィルムをより堅固に保持することができる。例えば第一筒部材および第二筒部材の貫通孔に挿入されるピン、もしくは溝と突起部との組合せでありうる。
According to the ninth invention, in the seventh or eighth invention, the inner diameter of the first cylindrical member is made larger than the outer diameter of the wafer.
That is, in the ninth aspect, the film can be held more firmly. For example, it can be a pin inserted into the through hole of the first cylinder member and the second cylinder member, or a combination of a groove and a protrusion.
10番目の発明によれば、7番目または8番目の発明において、さらに、前記第一筒部材と前記第二筒部材とを固定することを含む。
すなわち10番目の発明においては、フィルムをより堅固に保持することができる。固定部は、例えば第一筒部材および第二筒部材に形成された貫通孔に挿入されるピン、もしくは第一筒部材の外周面および第二筒部材の内周面にそれぞれ形成された突起部と溝との組合せでありうる。
According to a tenth aspect, in the seventh or eighth aspect, the method further includes fixing the first cylindrical member and the second cylindrical member.
That is, in the tenth invention, the film can be held more firmly. The fixing portion is, for example, a pin inserted into a through hole formed in the first cylinder member and the second cylinder member, or a protrusion formed on the outer peripheral surface of the first cylinder member and the inner peripheral surface of the second cylinder member, respectively. And a groove.
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図1は、ウェーハ処理装置における処理の流れを示す図である。図1に示されるように、ウェーハ処理装置100は、ウェーハ支持具30によってウェーハ20を支持するウェーハ支持ユニット110と、ウェーハ支持具30により支持されたウェーハ20の裏面22を研削する裏面研削ユニット120と、裏面研削後のウェーハをエッチングするエッチングユニット130とを含んでいる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. In order to facilitate understanding, the scales of these drawings are appropriately changed.
FIG. 1 is a diagram showing a flow of processing in a wafer processing apparatus. As shown in FIG. 1, a
ウェーハ支持ユニット110にて処理されるウェーハ20は、その表面21に回路パターン(図示しない)が既に形成されているものとする。そのようなウェーハ20はウェーハ支持ユニット110においてウェーハ支持具30と一体化され、次いで裏面研削ユニット120においてウェーハ20の裏面22が研削される。その後、ウェーハ20はエッチングユニット130にて公知の手法によりエッチングされるものとする。
It is assumed that a circuit pattern (not shown) is already formed on the
以下、図2(a)から図2(e)を参照して、ウェーハ支持ユニット110におけるウェーハ20の支持工程を説明する。図2(a)に示されるように、ウェーハ支持ユニット110はテーブル10を含んでいる。図2(a)から分かるように、テーブル10の中心部には、ウェーハ20の外形に対応した円形の突出部12が備えられており、突出部12の頂面11にウェーハ20が載置される。また、突出部12周りには環状溝部15が突出部12と同心に形成されている。図示されるように、この環状溝部15には、ウェーハ支持具30の第二筒部材32(後述する)が挿入されている。
Hereinafter, the supporting process of the
はじめに、ウェーハ20の表面21が上方を向くようにウェーハ20をテーブル10の頂面11上に載置する。このときには、ウェーハ20の裏面22が頂面11に接触している。そして、例えば真空吸着作用により、ウェーハ20をテーブル10の頂面11に固定する。
First, the
次いで、図2(a)に示されるように、貼付ロール5を用いて表面保護フィルム3をウェーハ20の表面21に貼付ける。表面保護フィルム3は片面粘着フィルムであり、粘着面3aと非粘着面3bとを備えている。このため、厳密にいえば、ウェーハ20の表面21が表面保護フィルム3の粘着面3aに貼付くことになる。表面保護フィルム3を貼付けると、ウェーハ20の表面21に形成された回路パターン(図示しない)が表面保護フィルム3により保護されるようになる。
Next, as shown in FIG. 2A, the
次いで、図2(b)に示されるように、ウェーハ支持具30の第一筒部材31をテーブル10の上方からウェーハ20に向かって下降する。第一筒部材31は金属、例えばステンレスからなる筒体であり、その高さは第一筒部材31の直径よりも小さい。さらに、第一筒部材31の内径はウェーハ20の外径よりもわずかながら大きい。或る実施形態においては、第一筒部材31の内径はウェーハ20の外径よりも10%だけ長い。以降においては、第一筒部材31および第二筒部材32をまとめてウェーハ支持具30と適宜呼ぶ場合があるものとする。
Next, as shown in FIG. 2B, the first
図2(c)に示されるように、第一筒部材31の下端は表面保護フィルム3の非粘着面3b上にウェーハ20と同心に載置される。そして、環状溝部15内の第二筒部材32を上昇させる。図示される実施形態においては、第二筒部材32は第一筒部材31と同様の材料から形成されており、第二筒部材32の高さおよび厚さは第一筒部材31と同様である。ただし、高さおよび異なる厚さの第二筒部材32を用いても良い。
As shown in FIG. 2C, the lower end of the first
図2(c)などから分かるように、第二筒部材32の内径は第一筒部材31の外径よりもわずかながら大きい。第二筒部材32の内径と第一筒部材31の外径との間の差は、表面保護フィルム3を把持するのに適した長さであり、表面保護フィルム3の厚さよりも小さいのが好ましい。
As can be seen from FIG. 2C and the like, the inner diameter of the
第二筒部材32を上昇させると、第二筒部材32が第一筒部材31周りに位置しつつ、第二筒部材32の上端が表面保護フィルム3の粘着面3aに付着する。図2(d)から分かるように、第二筒部材32をさらに上昇させると、表面保護フィルム3は第一筒部材31に向かって第一筒部材31周りに折曲げられるようになる。そして、第二筒部材32の下端が第一筒部材31の下端と同一平面になるまで第二筒部材32を上昇させる。これにより、第一筒部材31と第二筒部材32とが互いに嵌合し、表面保護フィルム3は第一筒部材31と第二筒部材32との間で把持されるようになる(図2(e)を参照されたい)。
When the
その後、図2(e)に示されるように、第一筒部材31および第二筒部材32の上端から延びる表面保護フィルム3をカッタ19により切断する。最終的に、ウェーハ20の固定作用を解除して、ウェーハ20を第一筒部材31および第二筒部材32と一緒にテーブル10から取外す。
Thereafter, as shown in FIG. 2 (e), the
取外された状態においては、表面保護フィルム3が第一筒部材31と第二筒部材32との間で把持されつつ、ウェーハ20は第一筒部材31および第二筒部材32の一端側において表面保護フィルム3に貼付けられている。つまり、ウェーハ20は表面保護フィルム3を介してウェーハ支持具30と一体化されることにより支持されている。従って、本発明においては、後の工程、例えば裏面研削工程においてウェーハ20のハンドリングを容易にすることができる。
In the removed state, the
また、本発明においては第一筒部材31とウェーハ20との間の距離に応じて表面保護フィルム3の露出部分の面積が定まる。従って、表面保護フィルム3の露出部分を少なくでき、その結果、表面保護フィルム3の使用量を低減できる。また、表面保護フィルム3は或る程度の伸縮性を有しているので、表面保護フィルム3を折曲げたとしても表面保護フィルム3の露出部分に皺などが生じることもない。
In the present invention, the area of the exposed portion of the
また、表面保護フィルム3は第一筒部材31および第二筒部材32の間に把持されるので、表面保護フィルム3は片面粘着フィルムであれば十分である。つまり、本発明においては、両面粘着性の表面保護フィルム3を用いる必要はなく、従って、製造コストを抑えることも可能である。なお、表面保護フィルム3の粘着面3aの粘着力が強い場合には、内側に位置する第一筒部材31を排除してもよい。そのような場合であっても、ウェーハ20は表面保護フィルム3を介して第二筒部材32と一体化され、従って、前述したのと同様な効果を得ることができる。
Moreover, since the
また、図3(a)から図3(e)はウェーハ支持ユニットにおけるウェーハの支持工程を説明するための他の図である。これら図面に示されるように、ウェーハ20をウェーハ支持具30により支持してもよい。
FIGS. 3A to 3E are other views for explaining the wafer support process in the wafer support unit. As shown in these drawings, the
はじめに、図3(a)において、貼付ロール5を用いて表面保護フィルム3の粘着面3aを第二筒部材32の一端に貼付ける。次いで、図3(b)に示されるように、第二筒部材32と同心になるように、第一筒部材31を表面保護フィルム3の非粘着面3bに載置する。その後、図3(c)において、第一筒部材31および第二筒部材32の上端から延びる表面保護フィルム3をカッタ19により切断する。これにより、第二筒部材32の前記一端側において、表面保護フィルム3の粘着面3a全体が露出することになる。
First, in FIG. 3A, the
次いで、表面保護フィルム3の粘着面3aにウェーハ20を貼付ける。図3(d)に示されるように、気体供給手段40を用いて表面保護フィルム3の非粘着面3b側から気体を供給して表面保護フィルム3を膨らませる。そして、表面保護フィルム3をウェーハ20の表面21に接触させつつウェーハ20を第一筒部材31に向かって移動させ、それにより、ウェーハ20を表面保護フィルム3に貼付ける。これにより、図3(e)に示されるように表面保護フィルム3をウェーハ20全体に貼付けられるようになる。図3(a)〜図3(e)に示される場合であっても、前述したのと同様な効果が得られるのが分かるであろう。
Next, the
なお、図2(a)から図2(e)および図3(a)から図3(e)において、第一筒部材31の降下作用、第二筒部材32の上昇作用および表面保護フィルム3の切断作用の順番は適宜変更してもよい。そのような場合でも、本発明の範囲に含まれるものとする。
2A to FIG. 2E and FIG. 3A to FIG. 3E, the lowering action of the
図4(a)〜図4(c)は他の実施形態に基づくウェーハ支持具の部分断面図である。図2を参照して説明した実施形態においてはウェーハ支持具30の第一筒部材31および第二筒部材32の高さは互いに等しいが、図4(a)に示されるように、第一筒部材31の高さが第二筒部材32の高さよりも小さくてもよい。あるいは、第一筒部材31の高さが第二筒部材32の高さよりも大きくてもよい。
4 (a) to 4 (c) are partial cross-sectional views of a wafer support according to another embodiment. In the embodiment described with reference to FIG. 2, the heights of the
さらに、図4(b)においては、第一筒部材31と第二筒部材32との周面に貫通孔31a、32aがそれぞれ形成される。そして、ピン39をこれら貫通孔31a、32aに通して表面保護フィルム3を穿孔する。これにより、表面保護フィルム3をこれら第一筒部材31と第二筒部材32との間でより堅固に保持できるのが分かるであろう。また、第一筒部材31と第二筒部材32との周面に形成された複数の貫通孔31a、32aのそれぞれにピン39を挿入し、表面保護フィルム3をさらに堅固に保持してもよい。
Further, in FIG. 4B, through
さらに、図4(c)に示される実施形態においては、第二筒部材32は、第二筒部材32の下端から半径方向内側に延びるフランジ33aと、フランジ33aの内方端部から上方に向かって延びる延長部33bとを含んでいる。この場合には、図4(c)から分かるように、第一筒部材31の一端が第二筒部材32と延長部33bとの間に挿入される。図4(c)に示される実施形態においては、フランジ33aが存在するために、第一筒部材31が抜落ちることはない。従って、ウェーハ支持具30の安定性を高められる。
Furthermore, in the embodiment shown in FIG. 4C, the second
また、図4(c)から分かるように、延長部33bが半径方向外側に湾曲すると共に、第一筒部材31の下端が延長部33bに対応して半径方向内側に湾曲してもよい。この場合には、第二筒部材32を第一筒部材31に向かって移動させるときに、第二筒部材32の延長部33bと第一筒部材31の一端とがスナップ係合する。従って、表面保護フィルム3を第一筒部材31と第二筒部材32との間でより堅固に保持できる。
Further, as can be seen from FIG. 4C, the
図5(a)〜図5(c)は、さらに他の実施形態に基づくウェーハ支持具の部分断面図である。図5(a)においては、第一筒部材31および第二筒部材32のそれぞれの軸線方向断面が半径方向外側に向かってC字形状をなすように湾曲している。さらに、図5(b)に示される実施形態においては、第一筒部材31の軸線方向断面はS字形状であり、第二筒部材32の軸線方向断面は内側に向かってC字形状をなすように湾曲している。
FIG. 5A to FIG. 5C are partial cross-sectional views of a wafer support according to still another embodiment. In Fig.5 (a), each axial direction cross section of the
図5(a)および図5(b)においては、第二筒部材32の軸線方向断面は第一筒部材31の軸線方向断面の少なくとも一部に対応するように湾曲している。このような場合においても、第二筒部材32を第一筒部材31に向かって移動させるときに、第二筒部材32は第一筒部材31にスナップ係合し、前述したのと同様な効果が得られる。
5A and 5B, the axial section of the second
さらに、図5(c)に示される実施形態においては、第一筒部材31の軸線方向断面が半径方向内側に向かってC字形状をなすように湾曲している。さらに、ゴム製バンド32’によって、表面保護フィルム3をゴム製バンド32’と第一筒部材31の湾曲部との間に挟んでいる。このような場合には、第二筒部材32を排除でき、従って、比較的簡易な構成で、表面保護フィルム3を堅固に保持できることが分かるであろう。
Furthermore, in the embodiment shown in FIG. 5C, the axial section of the first
図6(a)は、さらに他の実施形態に基づく第二筒部材の斜視図であり、図6(b)は図6(a)に示される実施形態に基づくウェーハ支持具の頂面図である。図6(a)においては、第二筒部材32の内周面に略L字形状の溝34が形成されている。溝34は、第二筒部材32の端面から軸線方向に部分的に延びる軸線方向溝34aと、軸線方向溝34aに接続していて周方向に部分的に延びる周方向溝34bとを含んでいる。第二筒部材32の内周面に形成されるこのような溝34は、周方向において等間隔に少なくとも二つ形成されるのが好ましい(図6(b)においては、二つの溝34が形成されている)。
6A is a perspective view of a second cylindrical member according to still another embodiment, and FIG. 6B is a top view of the wafer support according to the embodiment shown in FIG. 6A. is there. In FIG. 6A, a substantially L-shaped
これに対し、図6(b)に示されるように、第一筒部材31の外周面には、溝34に係合可能な突起部35が形成されている。図6(a)および図6(b)に示される実施形態において、第二筒部材32を第一筒部材31に向かって移動させるときに、第一筒部材31の突起部35が溝34の軸線方向溝34aに進入する。そして、突起部35が軸線方向溝34aの端部に到達すると、第二筒部材32を図6(b)の矢印方向に回転し、第一筒部材31の突起部35が周方向溝34bに摺動するようになる。
On the other hand, as shown in FIG. 6B, a
これにより、表面保護フィルム3を第一筒部材31と第二筒部材32との間でより堅固に保持できることが分かるであろう。すなわち、第一筒部材31の突起部35および第二筒部材32の溝34は係合部としての役目を果たす。当然のことながら、第一筒部材31に溝34が形成されていて、第二筒部材32に突起部35が設けられていても良い。
Thereby, it will be understood that the
図7(a)はさらに別の実施形態に基づくウェーハ支持具の部分頂面図である。図7(a)においては、第一筒部材31の外周面には複数の凸部37が周方向に形成されている。さらに、第二筒部材32の内周面には、凸部37に対応する複数の凹部38が周方向に形成されている。これら凸部37および凹部38は、それぞれ第一筒部材31および第二筒部材32の一部分である。
FIG. 7A is a partial top view of a wafer support according to yet another embodiment. In FIG. 7A, a plurality of
この場合には、第二筒部材32を第一筒部材31に向かって移動させるときに、凹部38のそれぞれが、表面保護フィルム3を介して凸部37のそれぞれに係合する。このため、図7(a)に示される実施形態においても、表面保護フィルム3をより堅固に保持できることが分かるであろう。
In this case, when the second
また、図7(a)と同様な図である図7(b)に示されるように、第一筒部材31の外周面および第二筒部材32の内周面にそれぞれ保護膜37a、38aを取付けてもよい。第二筒部材32を第一筒部材31に向かって移動させるときに、凸部37と凹部38とは直接的に接触せず、従って、凸部37および凹部38が摩耗するのを防止できる。その結果、図7(b)に示される実施形態においては、摩耗片が表面保護フィルム3に付着することも防止できる。
Further, as shown in FIG. 7B, which is a view similar to FIG. 7A,
ところで、ウェーハ支持ユニット110においてウェーハ支持具30と一体化されたウェーハ20は裏面研削ユニット120に移送される(図1を参照されたい)。図8(a)は、裏面研削ユニットにおけるチャックテーブルの断面図である。図8(a)に示されるように、チャックテーブル50は、凹部を備えた枠体53と、枠体53の凹部に嵌込まれて支持される吸着パッド51とを主に含んでいる。吸着パッド51は多孔質材料、例えば多孔性のアルミナから形成されている。枠体53は中実材料、例えば緻密なアルミナから形成されている。
By the way, the
また、図8(a)に示されるように、吸着パッド51の下面と枠体53との間には隙間55が形成されている。さらに、中心通路56が枠体53の中心から隙間55まで延びている。中心通路56は真空手段60に接続されており、真空手段60が起動すると、吸着パッド51の上面に真空が適用されるようになる。
Further, as shown in FIG. 8A, a
さらに、図8(a)から分かるように、枠体53の上面においては環状溝部59が吸着パッド51周りに形成されている。この環状溝部59の幅は、表面保護フィルム3を把持した第一筒部材31および第二筒部材32の合計厚さよりも大きい。また、環状溝部59の深さは第一筒部材31および第二筒部材32の高さに概ね等しい。さらに、環状溝部59の内径は第一筒部材31の内径よりもわずかながら小さいものとする。
Further, as can be seen from FIG. 8A, an
このような構成であるので、図8(b)から分かるように、ウェーハ支持具30を環状溝部59に挿入すると、ウェーハ20は表面保護フィルム3を介して吸着パッド51に載置されるようになる。そして、真空手段60を起動すると、真空作用が中心通路56および吸着パッド51を通じて表面保護フィルム3に作用し、ウェーハ20を吸着保持できる。
8B, when the
次いで、研削砥石41およびチャックテーブル50を互いに反対方向に回転させつつ研削砥石41をウェーハ20に接触させて、ウェーハ20の裏面22を研削する。図8(b)から分かるように、本発明においては、ウェーハ支持具30が環状溝部59内に挿入されるので、ウェーハ支持具30自体は常にウェーハ20の下方に位置することになる。このため、裏面研削によりウェーハ20の厚さが小さくなった場合であっても、研削砥石41がウェーハ支持具30に干渉することはなく、円滑な裏面研削を行うことができる。さらに、本発明においては表面保護フィルム3の露出部分が比較的少なくて済むので、裏面研削時にスラッジが生じたとしても、スラッジがフィルムの露出部分にはほとんど付着しない。
Next, the grinding
裏面研削工程が終了すると、ウェーハ20は裏面研削ユニット120からエッチングユニット130に移送される。そして、エッチングユニット130においてはウェーハ20はウェーハ支持具30と共にドライプラズマエッチング処理を受ける。ドライプラズマエッチング処理は真空下で行われるので、表面保護フィルム3の露出部分からアウトガスが発生する。
When the back grinding process is completed, the
しかしながら、本発明においては、表面保護フィルム3の露出部分が少ないので、アウトガスの発生量を抑えることが可能である。最終的に、エッチングユニット130における処理が終了すると、ウェーハ20はウェーハ処理装置100からダイシングユニット(図示しない)に移送され、公知の手法でダイシングされ、各チップが表面保護フィルム3からピックアップされるようになる。
However, in the present invention, since the exposed portion of the surface
このように本発明のウェーハ支持具30によれば、表面保護フィルム3の露出部分を少なくすることができ、その結果、フィルムの使用量が少なくて済み、裏面研削時に生じるスラッジがフィルムの露出部分に付着することもなく、さらに、エッチング時にフィルムから多量のアウトガスが生じるのを防ぐことも可能である。
As described above, according to the
3 表面保護フィルム
3a 粘着面
3b 非粘着面
5 貼付ロール
10 テーブル
11 頂面
12 突出部
15 環状溝部
19 カッタ
20 ウェーハ
21 表面
22 裏面
30 ウェーハ支持具
31 第一筒部材
31a、32a 貫通孔
32 第二筒部材
32’ ゴム製バンド
33a フランジ(支持部材)
33b 延長部(支持部材)
34 溝(係合部)
34a 軸線方向溝
34b 周方向溝
35 突起部(係合部)
36 マウントフレーム
37 凸部(係合部)
37a、38a 保護膜
38 凹部(係合部)
39 ピン(固定部)
40 気体供給手段
41 研削砥石
50 チャックテーブル
51 吸着パッド
53 枠体
55 隙間
56 中心通路
59 環状溝部
60 真空手段
100 ウェーハ処理装置
110 ウェーハ支持ユニット
120 裏面研削ユニット
130 エッチングユニット
DESCRIPTION OF
33b Extension (support member)
34 Groove (engagement part)
34a
36
37a,
39 pin (fixed part)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 40 Gas supply means 41
Claims (10)
前記ウェーハ周りに配置される第一筒部材と、
前記第一筒部材周りに配置される第二筒部材とを具備し、
前記フィルムが前記第一筒部材周りにおいて前記第一部材側に折曲げられて、前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持され、それにより、ウェーハを支持するウェーハ支持具。 In a wafer support that supports a wafer having a film attached to one side,
A first cylindrical member disposed around the wafer;
A second cylinder member disposed around the first cylinder member,
A wafer support that supports the wafer by bending the film around the first cylinder member toward the first member and holding the film between the first cylinder member and the second cylinder member.
前記ウェーハの一面にフィルムの粘着面を貼付け、
第一筒部材を前記粘着面とは反対側の非粘着面において前記ウェーハ周りに配置し、
第二筒部材を前記フィルムの前記粘着面において前記第一筒部材周りに配置し、
前記フィルムを前記第一筒部材周りにおいて前記第一筒部材側に折曲げつつ前記第二筒部材を前記第一筒部材に向かって移動させ、
前記フィルムを前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持し、それにより、ウェーハを支持するウェーハ支持方法。 In a wafer support method for supporting a wafer,
Paste the adhesive side of the film on one side of the wafer,
The first cylindrical member is arranged around the wafer on the non-adhesive surface opposite to the adhesive surface,
A second cylinder member is arranged around the first cylinder member on the adhesive surface of the film,
Moving the second cylinder member toward the first cylinder member while bending the film around the first cylinder member toward the first cylinder member;
A wafer support method for holding the film between the first cylinder member and the second cylinder member, thereby supporting the wafer.
前記ウェーハの外径よりも大きい内径を有する第一筒部材の一端にフィルムの非粘着面を貼付け、
前記フィルムの前記非粘着面とは反対側の粘着面において第二筒部材を前記第一筒部材周りに配置し、
前記フィルムを前記第一筒部材周りにおいて前記第一筒部材側に折曲げつつ前記第二筒部材を前記第一筒部材に向かって移動させ、
前記フィルムを前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持し、
前記ウェーハを前記第一筒部材内において前記フィルムの前記粘着面に貼付け、それにより、前記ウェーハを支持する、ウェーハ支持方法。 In a wafer support method for supporting a wafer,
Pasting the non-adhesive surface of the film to one end of the first cylinder member having an inner diameter larger than the outer diameter of the wafer,
The second cylinder member is arranged around the first cylinder member on the adhesive surface opposite to the non-adhesive surface of the film,
Moving the second cylinder member toward the first cylinder member while bending the film around the first cylinder member toward the first cylinder member;
Holding the film between the first cylinder member and the second cylinder member;
A wafer support method, wherein the wafer is attached to the adhesive surface of the film in the first cylindrical member, thereby supporting the wafer.
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