JP2010147343A - Wafer support device and wafer support method - Google Patents

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JP2010147343A JP2008324662A JP2008324662A JP2010147343A JP 2010147343 A JP2010147343 A JP 2010147343A JP 2008324662 A JP2008324662 A JP 2008324662A JP 2008324662 A JP2008324662 A JP 2008324662A JP 2010147343 A JP2010147343 A JP 2010147343A
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Tatsuharu Arisa
樹治 有佐
Masaki Kanazawa
雅喜 金澤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To lessen an exposed portion of a film when supporting a wafer. <P>SOLUTION: A wafer support device (30) which supports a wafer 20 in which a film (3) is adhered on the whole surface includes: a first tube member arranged at the circumference of a wafer (31); and a second tube member (32) arranged at the circumference of the first tube member. The film is bent to the first tube material side at the circumference of the first cylinder member, and is held between the first tube member and the second tube member, thereby to support the wafer. The second tube member may include a support member (33a) which extends into a radial direction interior and supports the end of the first tube member. Moreover, engagement parts (37, 38) which engage together may be provided to the outer circumference surface of the first tube member and the inner circumference surface of the second tube member. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウェーハを支持するウェーハ支持方法およびそのような方法を実施するウェーハ支持具に関する。   The present invention relates to a wafer support method for supporting a wafer and a wafer support for carrying out such a method.

半導体製造分野においてはウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるためにウェーハの薄膜化が進んでいる。ウェーハを薄膜化するために、半導体ウェーハの裏面を研削するいわゆる裏面研削(バックグラインド)が行われる。   In the semiconductor manufacturing field, wafers tend to increase in size year by year, and the wafers are becoming thinner to increase the mounting density. In order to reduce the thickness of the wafer, so-called back grinding is performed to grind the back surface of the semiconductor wafer.

図9は、裏面研削前におけるウェーハの平面図である。図9に示されるように、ウェーハ20は環状のマウントフレーム36内において同心に位置決めされる。そして、表面保護フィルム3がウェーハ20の表面21に貼付けられ、それにより、ウェーハ20とマウントフレーム36とが一体化される(図9においては、ウェーハ20の裏面22が示されていることに留意されたい)。これにより、裏面研削後にウェーハの厚さが低下した場合であっても、ウェーハ20を容易にハンドリングできる。   FIG. 9 is a plan view of the wafer before back surface grinding. As shown in FIG. 9, the wafer 20 is positioned concentrically within the annular mount frame 36. And the surface protection film 3 is affixed on the surface 21 of the wafer 20, and, thereby, the wafer 20 and the mount frame 36 are integrated (note that the back surface 22 of the wafer 20 is shown in FIG. 9). I want to be) Thereby, even if it is a case where the thickness of a wafer falls after back surface grinding, the wafer 20 can be handled easily.

ところで、裏面研削時に裏面22が上方を向くようにウェーハ20を配置すると、ウェーハ20およびマウントフレーム36が表面保護フィルム3よりも上方に位置することになる。通常は裏面研削後のウェーハ20の厚さはマウントフレーム36の厚さよりも小さいので、裏面研削が進行するにつれて研削砥石がマウントフレーム36に干渉する可能性がある。   By the way, when the wafer 20 is arranged so that the back surface 22 faces upward during back surface grinding, the wafer 20 and the mount frame 36 are positioned above the surface protection film 3. Since the thickness of the wafer 20 after the back surface grinding is usually smaller than the thickness of the mount frame 36, the grinding wheel may interfere with the mount frame 36 as the back surface grinding proceeds.

このため、特許文献1においては、マウントフレーム36の位置がウェーハ20の裏面よりも低くなるようにウェーハを配置している。この場合には、裏面研削時に研削砥石がマウントフレーム36に干渉せず、良好な裏面研削が可能である。   For this reason, in Patent Document 1, the wafer is arranged such that the position of the mount frame 36 is lower than the back surface of the wafer 20. In this case, the grinding wheel does not interfere with the mount frame 36 during back surface grinding, and satisfactory back surface grinding is possible.

また、特許文献2は、両面粘着フィルム(両方の面が粘着性を有する)の一方の面にウェーハ20を貼付けると共に、他方の面にマウントフレーム36を貼付けることを開示している。この場合には、裏面研削時に両面粘着フィルムがウェーハ20よりも下方に位置し、さらにその下方にマウントフレーム36が位置することになるので、研削砥石がマウントフレーム36に干渉することはない。
特許第3325650号 特開2002−270560号公報
Patent Document 2 discloses that the wafer 20 is attached to one surface of a double-sided adhesive film (both surfaces have adhesiveness) and the mount frame 36 is attached to the other surface. In this case, since the double-sided adhesive film is positioned below the wafer 20 and the mount frame 36 is positioned below the wafer 20 during back surface grinding, the grinding wheel does not interfere with the mount frame 36.
Japanese Patent No. 3325650 JP 2002-270560 A

特許文献1および特許文献2においては、図9に示されるように、一般的なマウントフレーム36が使用される。図9から分かるように、マウントフレーム36の内径はウェーハ20の外径よりもかなり大きく寸法決めされている。言い換えれば、ウェーハ20とマウントフレーム36との間に位置する表面保護フィルム3の露出部分の面積もかなり大きい。その結果、後工程であるエキスパンド作用を容易にしている。   In Patent Document 1 and Patent Document 2, a general mount frame 36 is used as shown in FIG. As can be seen from FIG. 9, the inner diameter of the mount frame 36 is sized much larger than the outer diameter of the wafer 20. In other words, the area of the exposed portion of the surface protection film 3 located between the wafer 20 and the mount frame 36 is also quite large. As a result, the expanding action, which is a subsequent process, is facilitated.

このような場合には、ウェーハ20とマウントフレーム36とを一体化するために大量の表面保護フィルム3が必要とされる。表面保護フィルム3は最終的には廃棄されるので、経済的観点から表面保護フィルム3の使用量を抑えることが望まれている。   In such a case, a large amount of the surface protection film 3 is required to integrate the wafer 20 and the mount frame 36. Since the surface protective film 3 is finally discarded, it is desired to reduce the amount of the surface protective film 3 used from an economical viewpoint.

また、表面保護フィルム3の露出部分の面積が大きい場合には、裏面研削時に生じたスラッジが表面保護フィルム3の露出部分に付着する可能性もある。さらに、近年では裏面研削工程の後でウェーハ20をドライエッチングする場合もあり、そのような場合には表面保護フィルム3から多量のアウトガスが発生することになる。   Moreover, when the area of the exposed part of the surface protective film 3 is large, there is a possibility that sludge generated during back surface grinding adheres to the exposed part of the surface protective film 3. Further, in recent years, the wafer 20 may be dry-etched after the back surface grinding step, and in such a case, a large amount of outgas is generated from the surface protective film 3.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、フィルムの露出部分を少なくできるウェーハ支持方法およびそのような方法を実施するウェーハ支持具を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer support method capable of reducing the exposed portion of a film and a wafer support for carrying out such a method.

前述した目的を達成するために1番目の発明によれば、一面にフィルムが貼付けられているウェーハを支持するウェーハ支持具において、前記ウェーハ周りに配置される第一筒部材と、前記第一筒部材周りに配置される第二筒部材とを具備し、前記フィルムが前記第一筒部材周りにおいて前記第一部材側に折曲げられて、前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持され、それにより、ウェーハを支持するウェーハ支持具が提供される。
2番目の発明によれば、1番目の発明において、前記第一筒部材の内径は前記ウェーハの外径よりも大きいようにした。
In order to achieve the above-described object, according to the first invention, in a wafer support for supporting a wafer having a film attached to one surface, a first cylinder member disposed around the wafer, and the first cylinder A second cylinder member disposed around the member, wherein the film is bent toward the first member around the first cylinder member, and between the first cylinder member and the second cylinder member. To provide a wafer support that supports the wafer.
According to the second invention, in the first invention, the inner diameter of the first cylindrical member is made larger than the outer diameter of the wafer.

すなわち1番目および2番目の発明においては、第一筒部材とウェーハとの間の距離に応じてフィルムの露出部分の面積が定まるので、フィルムの露出部分を少なくすることができる。このため、フィルムの使用量が少なくて済み、裏面研削時に生じるスラッジがフィルムの露出部分に付着することもなく、さらに、エッチング時にフィルムから多量のアウトガスが生じるのを防ぐこともできる。また、フィルムは第一筒部材および第二筒部材の間に保持されるので、両面粘着フィルムを使用する必要もなく、従って、製造コストが増大するのを抑えられる。   That is, in the first and second inventions, since the area of the exposed portion of the film is determined according to the distance between the first cylindrical member and the wafer, the exposed portion of the film can be reduced. For this reason, the amount of film used is small, sludge generated during backside grinding does not adhere to the exposed portion of the film, and a large amount of outgas can be prevented from being generated from the film during etching. Moreover, since a film is hold | maintained between a 1st cylinder member and a 2nd cylinder member, it is not necessary to use a double-sided adhesive film, Therefore, it can suppress that a manufacturing cost increases.

3番目の発明によれば、1番目または2番目の発明において、さらに、前記第一筒部材と前記第二筒部材とを固定する固定部を具備する。
すなわち3番目の発明においては、フィルムをより堅固に保持することができる。固定部は、例えば第一筒部材および第二筒部材に形成された貫通孔に挿入されるピン、もしくは第一筒部材の外周面および第二筒部材の内周面にそれぞれ形成された突起部と溝との組合せでありうる。
According to a third aspect, in the first or second aspect, the apparatus further includes a fixing portion that fixes the first cylindrical member and the second cylindrical member.
That is, in the third invention, the film can be held more firmly. The fixing portion is, for example, a pin inserted into a through hole formed in the first cylinder member and the second cylinder member, or a protrusion formed on the outer peripheral surface of the first cylinder member and the inner peripheral surface of the second cylinder member, respectively. And a groove.

4番目の発明によれば、1番目から3番目のいずれかの発明において、前記第一筒部材の軸線方向断面の少なくとも一部分が第一湾曲部を含んでおり、前記第二筒部材の軸線方向断面は前記第一筒部材の前記第一湾曲部に対応する第二湾曲部を含む。
すなわち4番目の発明においては、フィルムをより堅固に保持することができる。湾曲部の軸線方向断面はS字形状、C字形状などでありうる。
According to a fourth invention, in any one of the first to third inventions, at least a part of an axial section of the first cylindrical member includes a first curved portion, and the axial direction of the second cylindrical member The cross section includes a second bending portion corresponding to the first bending portion of the first cylindrical member.
That is, in the fourth invention, the film can be held more firmly. The cross section in the axial direction of the bending portion may be S-shaped, C-shaped, or the like.

5番目の発明によれば、1番目から4番目のいずれかの発明において、前記第二筒部材は、半径方向内側に延びて前記第一筒部材の端部を支持する支持部材を含む。
すなわち5番目の発明においては、第一筒部材が抜落ちるのを防止することができる。
According to a fifth aspect, in any one of the first to fourth aspects, the second cylindrical member includes a support member that extends inward in the radial direction and supports the end of the first cylindrical member.
That is, in the fifth aspect, it is possible to prevent the first cylinder member from dropping out.

6番目の発明によれば、1番目から5番目のいずれかの発明において、前記第一筒部材の外周面および前記第二筒部材の内周面には互いに係合する係合部が備えられている。
すなわち6番目の発明においては、フィルムをより堅固に保持することができる。係合部は、例えば第一筒部材の外周面および第二筒部材の内周面にわたって形成された複数の凹凸部でありうる。あるいは、係合部は、第一筒部材の外周面に設けられた突起と、第二筒部材の内周面に形成された溝との組合せであってもよい。
According to a sixth invention, in any one of the first to fifth inventions, the outer peripheral surface of the first cylindrical member and the inner peripheral surface of the second cylindrical member are provided with engaging portions that engage with each other. ing.
That is, in the sixth aspect, the film can be held more firmly. The engaging portion can be, for example, a plurality of concave and convex portions formed over the outer peripheral surface of the first cylindrical member and the inner peripheral surface of the second cylindrical member. Or the combination of the protrusion provided in the outer peripheral surface of the 1st cylinder member, and the groove | channel formed in the internal peripheral surface of the 2nd cylinder member may be sufficient as an engaging part.

7番目の発明によれば、ウェーハを支持するウェーハ支持方法において、前記ウェーハの一面にフィルムの粘着面を貼付け、第一筒部材を前記粘着面とは反対側の非粘着面において前記ウェーハ周りに配置し、第二筒部材を前記フィルムの前記粘着面において前記第一筒部材周りに配置し、前記フィルムを前記第一筒部材周りにおいて前記第一筒部材側に折曲げつつ前記第二筒部材を前記第一筒部材に向かって移動させ、前記フィルムを前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持し、それにより、ウェーハを支持するウェーハ支持方法が提供される。   According to the seventh invention, in the wafer support method for supporting a wafer, the adhesive surface of the film is attached to one surface of the wafer, and the first cylindrical member is disposed around the wafer on the non-adhesive surface opposite to the adhesive surface. Arranging the second cylinder member around the first cylinder member on the adhesive surface of the film, and bending the second cylinder member around the first cylinder member toward the first cylinder member. Is moved toward the first cylinder member, and the film is held between the first cylinder member and the second cylinder member, thereby providing a wafer support method for supporting a wafer.

8番目の発明によれば、ウェーハを支持するウェーハ支持方法において、前記ウェーハの外径よりも大きい内径を有する第一筒部材の一端にフィルムの非粘着面を貼付け、前記フィルムの前記非粘着面とは反対側の粘着面において第二筒部材を前記第一筒部材周りに配置し、前記フィルムを前記第一筒部材周りにおいて前記第一筒部材側に折曲げつつ前記第二筒部材を前記第一筒部材に向かって移動させ、前記フィルムを前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持し、前記ウェーハを前記第一筒部材内において前記フィルムの前記粘着面に貼付け、それにより、前記ウェーハを支持する、ウェーハ支持方法が提供される。   According to an eighth aspect of the invention, in the wafer support method for supporting a wafer, the non-adhesive surface of the film is affixed to one end of a first cylindrical member having an inner diameter larger than the outer diameter of the wafer, and the non-adhesive surface of the film The second cylinder member is arranged around the first cylinder member on the adhesive surface opposite to the first cylinder member, and the second cylinder member is folded while bending the film around the first cylinder member toward the first cylinder member. Moving toward the first cylinder member, holding the film between the first cylinder member and the second cylinder member, and bonding the wafer to the adhesive surface of the film in the first cylinder member; Thereby, a wafer support method for supporting the wafer is provided.

すなわち7番目および8番目の発明においては、第一筒部材とウェーハとの間の距離に応じてフィルムの露出部分の面積が定まるので、フィルムの露出部分を少なくすることができる。このため、フィルムの使用量が少なくて済み、裏面研削時に生じるスラッジがフィルムの露出部分に付着することもなく、さらに、エッチング時にフィルムから多量のアウトガスが生じるのを防ぐこともできる。また、フィルムは第一筒部材および第二筒部材の間に保持されるので、両面粘着フィルムを使用する必要もなく、従って、製造コストが増大するのを抑えられる。   That is, in the seventh and eighth inventions, since the area of the exposed portion of the film is determined according to the distance between the first cylindrical member and the wafer, the exposed portion of the film can be reduced. For this reason, the amount of film used is small, sludge generated during backside grinding does not adhere to the exposed portion of the film, and a large amount of outgas can be prevented from being generated from the film during etching. Moreover, since a film is hold | maintained between a 1st cylinder member and a 2nd cylinder member, it is not necessary to use a double-sided adhesive film, Therefore, it can suppress that a manufacturing cost increases.

9番目の発明によれば、7番目または8番目の発明において、前記第一筒部材の内径は前記ウェーハの外径よりも大きいようにした。
すなわち9番目の発明においては、フィルムをより堅固に保持することができる。例えば第一筒部材および第二筒部材の貫通孔に挿入されるピン、もしくは溝と突起部との組合せでありうる。
According to the ninth invention, in the seventh or eighth invention, the inner diameter of the first cylindrical member is made larger than the outer diameter of the wafer.
That is, in the ninth aspect, the film can be held more firmly. For example, it can be a pin inserted into the through hole of the first cylinder member and the second cylinder member, or a combination of a groove and a protrusion.

10番目の発明によれば、7番目または8番目の発明において、さらに、前記第一筒部材と前記第二筒部材とを固定することを含む。
すなわち10番目の発明においては、フィルムをより堅固に保持することができる。固定部は、例えば第一筒部材および第二筒部材に形成された貫通孔に挿入されるピン、もしくは第一筒部材の外周面および第二筒部材の内周面にそれぞれ形成された突起部と溝との組合せでありうる。
According to a tenth aspect, in the seventh or eighth aspect, the method further includes fixing the first cylindrical member and the second cylindrical member.
That is, in the tenth invention, the film can be held more firmly. The fixing portion is, for example, a pin inserted into a through hole formed in the first cylinder member and the second cylinder member, or a protrusion formed on the outer peripheral surface of the first cylinder member and the inner peripheral surface of the second cylinder member, respectively. And a groove.

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図1は、ウェーハ処理装置における処理の流れを示す図である。図1に示されるように、ウェーハ処理装置100は、ウェーハ支持具30によってウェーハ20を支持するウェーハ支持ユニット110と、ウェーハ支持具30により支持されたウェーハ20の裏面22を研削する裏面研削ユニット120と、裏面研削後のウェーハをエッチングするエッチングユニット130とを含んでいる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. In order to facilitate understanding, the scales of these drawings are appropriately changed.
FIG. 1 is a diagram showing a flow of processing in a wafer processing apparatus. As shown in FIG. 1, a wafer processing apparatus 100 includes a wafer support unit 110 that supports a wafer 20 with a wafer support 30 and a back grinding unit 120 that grinds a back surface 22 of the wafer 20 supported by the wafer support 30. And an etching unit 130 for etching the wafer after the back surface grinding.

ウェーハ支持ユニット110にて処理されるウェーハ20は、その表面21に回路パターン(図示しない)が既に形成されているものとする。そのようなウェーハ20はウェーハ支持ユニット110においてウェーハ支持具30と一体化され、次いで裏面研削ユニット120においてウェーハ20の裏面22が研削される。その後、ウェーハ20はエッチングユニット130にて公知の手法によりエッチングされるものとする。   It is assumed that a circuit pattern (not shown) is already formed on the surface 21 of the wafer 20 processed by the wafer support unit 110. Such a wafer 20 is integrated with the wafer support 30 in the wafer support unit 110, and then the back surface 22 of the wafer 20 is ground in the back surface grinding unit 120. Thereafter, the wafer 20 is etched by the etching unit 130 by a known method.

以下、図2(a)から図2(e)を参照して、ウェーハ支持ユニット110におけるウェーハ20の支持工程を説明する。図2(a)に示されるように、ウェーハ支持ユニット110はテーブル10を含んでいる。図2(a)から分かるように、テーブル10の中心部には、ウェーハ20の外形に対応した円形の突出部12が備えられており、突出部12の頂面11にウェーハ20が載置される。また、突出部12周りには環状溝部15が突出部12と同心に形成されている。図示されるように、この環状溝部15には、ウェーハ支持具30の第二筒部材32(後述する)が挿入されている。   Hereinafter, the supporting process of the wafer 20 in the wafer supporting unit 110 will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (e). As shown in FIG. 2A, the wafer support unit 110 includes a table 10. As can be seen from FIG. 2 (a), a circular protrusion 12 corresponding to the outer shape of the wafer 20 is provided at the center of the table 10, and the wafer 20 is placed on the top surface 11 of the protrusion 12. The An annular groove 15 is formed around the protrusion 12 concentrically with the protrusion 12. As shown in the drawing, a second cylindrical member 32 (described later) of the wafer support 30 is inserted into the annular groove 15.

はじめに、ウェーハ20の表面21が上方を向くようにウェーハ20をテーブル10の頂面11上に載置する。このときには、ウェーハ20の裏面22が頂面11に接触している。そして、例えば真空吸着作用により、ウェーハ20をテーブル10の頂面11に固定する。   First, the wafer 20 is placed on the top surface 11 of the table 10 so that the surface 21 of the wafer 20 faces upward. At this time, the back surface 22 of the wafer 20 is in contact with the top surface 11. Then, the wafer 20 is fixed to the top surface 11 of the table 10 by, for example, vacuum suction.

次いで、図2(a)に示されるように、貼付ロール5を用いて表面保護フィルム3をウェーハ20の表面21に貼付ける。表面保護フィルム3は片面粘着フィルムであり、粘着面3aと非粘着面3bとを備えている。このため、厳密にいえば、ウェーハ20の表面21が表面保護フィルム3の粘着面3aに貼付くことになる。表面保護フィルム3を貼付けると、ウェーハ20の表面21に形成された回路パターン(図示しない)が表面保護フィルム3により保護されるようになる。   Next, as shown in FIG. 2A, the surface protection film 3 is stuck to the surface 21 of the wafer 20 using the sticking roll 5. The surface protective film 3 is a single-sided adhesive film and includes an adhesive surface 3a and a non-adhesive surface 3b. For this reason, strictly speaking, the surface 21 of the wafer 20 is attached to the adhesive surface 3 a of the surface protective film 3. When the surface protective film 3 is attached, a circuit pattern (not shown) formed on the surface 21 of the wafer 20 is protected by the surface protective film 3.

次いで、図2(b)に示されるように、ウェーハ支持具30の第一筒部材31をテーブル10の上方からウェーハ20に向かって下降する。第一筒部材31は金属、例えばステンレスからなる筒体であり、その高さは第一筒部材31の直径よりも小さい。さらに、第一筒部材31の内径はウェーハ20の外径よりもわずかながら大きい。或る実施形態においては、第一筒部材31の内径はウェーハ20の外径よりも10%だけ長い。以降においては、第一筒部材31および第二筒部材32をまとめてウェーハ支持具30と適宜呼ぶ場合があるものとする。   Next, as shown in FIG. 2B, the first cylindrical member 31 of the wafer support 30 is lowered from above the table 10 toward the wafer 20. The first cylinder member 31 is a cylinder made of metal, for example, stainless steel, and the height thereof is smaller than the diameter of the first cylinder member 31. Further, the inner diameter of the first cylindrical member 31 is slightly larger than the outer diameter of the wafer 20. In some embodiments, the inner diameter of the first cylindrical member 31 is 10% longer than the outer diameter of the wafer 20. Hereinafter, the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32 may be collectively referred to as a wafer support 30 as appropriate.

図2(c)に示されるように、第一筒部材31の下端は表面保護フィルム3の非粘着面3b上にウェーハ20と同心に載置される。そして、環状溝部15内の第二筒部材32を上昇させる。図示される実施形態においては、第二筒部材32は第一筒部材31と同様の材料から形成されており、第二筒部材32の高さおよび厚さは第一筒部材31と同様である。ただし、高さおよび異なる厚さの第二筒部材32を用いても良い。   As shown in FIG. 2C, the lower end of the first cylindrical member 31 is placed concentrically with the wafer 20 on the non-adhesive surface 3 b of the surface protective film 3. And the 2nd cylinder member 32 in the annular groove part 15 is raised. In the illustrated embodiment, the second cylinder member 32 is formed of the same material as the first cylinder member 31, and the height and thickness of the second cylinder member 32 are the same as those of the first cylinder member 31. . However, you may use the 2nd cylinder member 32 of height and different thickness.

図2(c)などから分かるように、第二筒部材32の内径は第一筒部材31の外径よりもわずかながら大きい。第二筒部材32の内径と第一筒部材31の外径との間の差は、表面保護フィルム3を把持するのに適した長さであり、表面保護フィルム3の厚さよりも小さいのが好ましい。   As can be seen from FIG. 2C and the like, the inner diameter of the second cylinder member 32 is slightly larger than the outer diameter of the first cylinder member 31. The difference between the inner diameter of the second cylinder member 32 and the outer diameter of the first cylinder member 31 is a length suitable for gripping the surface protection film 3 and is smaller than the thickness of the surface protection film 3. preferable.

第二筒部材32を上昇させると、第二筒部材32が第一筒部材31周りに位置しつつ、第二筒部材32の上端が表面保護フィルム3の粘着面3aに付着する。図2(d)から分かるように、第二筒部材32をさらに上昇させると、表面保護フィルム3は第一筒部材31に向かって第一筒部材31周りに折曲げられるようになる。そして、第二筒部材32の下端が第一筒部材31の下端と同一平面になるまで第二筒部材32を上昇させる。これにより、第一筒部材31と第二筒部材32とが互いに嵌合し、表面保護フィルム3は第一筒部材31と第二筒部材32との間で把持されるようになる(図2(e)を参照されたい)。   When the second cylinder member 32 is raised, the upper end of the second cylinder member 32 adheres to the adhesive surface 3 a of the surface protective film 3 while the second cylinder member 32 is positioned around the first cylinder member 31. As can be seen from FIG. 2 (d), when the second cylinder member 32 is further raised, the surface protection film 3 is bent around the first cylinder member 31 toward the first cylinder member 31. Then, the second cylinder member 32 is raised until the lower end of the second cylinder member 32 is flush with the lower end of the first cylinder member 31. Thereby, the 1st cylinder member 31 and the 2nd cylinder member 32 mutually fit, and the surface protection film 3 comes to be hold | gripped between the 1st cylinder member 31 and the 2nd cylinder member 32 (FIG. 2). (See (e)).

その後、図2(e)に示されるように、第一筒部材31および第二筒部材32の上端から延びる表面保護フィルム3をカッタ19により切断する。最終的に、ウェーハ20の固定作用を解除して、ウェーハ20を第一筒部材31および第二筒部材32と一緒にテーブル10から取外す。   Thereafter, as shown in FIG. 2 (e), the surface protection film 3 extending from the upper ends of the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32 is cut by the cutter 19. Finally, the fixing action of the wafer 20 is released, and the wafer 20 is removed from the table 10 together with the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32.

取外された状態においては、表面保護フィルム3が第一筒部材31と第二筒部材32との間で把持されつつ、ウェーハ20は第一筒部材31および第二筒部材32の一端側において表面保護フィルム3に貼付けられている。つまり、ウェーハ20は表面保護フィルム3を介してウェーハ支持具30と一体化されることにより支持されている。従って、本発明においては、後の工程、例えば裏面研削工程においてウェーハ20のハンドリングを容易にすることができる。   In the removed state, the surface protection film 3 is held between the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32, while the wafer 20 is on one end side of the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32. Attached to the surface protective film 3. That is, the wafer 20 is supported by being integrated with the wafer support 30 via the surface protection film 3. Therefore, in the present invention, handling of the wafer 20 can be facilitated in a subsequent process, for example, a back grinding process.

また、本発明においては第一筒部材31とウェーハ20との間の距離に応じて表面保護フィルム3の露出部分の面積が定まる。従って、表面保護フィルム3の露出部分を少なくでき、その結果、表面保護フィルム3の使用量を低減できる。また、表面保護フィルム3は或る程度の伸縮性を有しているので、表面保護フィルム3を折曲げたとしても表面保護フィルム3の露出部分に皺などが生じることもない。   In the present invention, the area of the exposed portion of the surface protection film 3 is determined according to the distance between the first cylindrical member 31 and the wafer 20. Therefore, the exposed part of the surface protection film 3 can be reduced, and as a result, the amount of the surface protection film 3 used can be reduced. Further, since the surface protective film 3 has a certain degree of elasticity, even if the surface protective film 3 is bent, wrinkles or the like do not occur in the exposed portion of the surface protective film 3.

また、表面保護フィルム3は第一筒部材31および第二筒部材32の間に把持されるので、表面保護フィルム3は片面粘着フィルムであれば十分である。つまり、本発明においては、両面粘着性の表面保護フィルム3を用いる必要はなく、従って、製造コストを抑えることも可能である。なお、表面保護フィルム3の粘着面3aの粘着力が強い場合には、内側に位置する第一筒部材31を排除してもよい。そのような場合であっても、ウェーハ20は表面保護フィルム3を介して第二筒部材32と一体化され、従って、前述したのと同様な効果を得ることができる。   Moreover, since the surface protection film 3 is hold | gripped between the 1st cylinder member 31 and the 2nd cylinder member 32, if the surface protection film 3 is a single-sided adhesive film, it is enough. That is, in the present invention, it is not necessary to use the double-sided adhesive surface protective film 3, and therefore the manufacturing cost can be suppressed. In addition, when the adhesive force of the adhesive surface 3a of the surface protective film 3 is strong, you may exclude the 1st cylinder member 31 located inside. Even in such a case, the wafer 20 is integrated with the second cylindrical member 32 via the surface protective film 3, and therefore the same effect as described above can be obtained.

また、図3(a)から図3(e)はウェーハ支持ユニットにおけるウェーハの支持工程を説明するための他の図である。これら図面に示されるように、ウェーハ20をウェーハ支持具30により支持してもよい。   FIGS. 3A to 3E are other views for explaining the wafer support process in the wafer support unit. As shown in these drawings, the wafer 20 may be supported by a wafer support 30.

はじめに、図3(a)において、貼付ロール5を用いて表面保護フィルム3の粘着面3aを第二筒部材32の一端に貼付ける。次いで、図3(b)に示されるように、第二筒部材32と同心になるように、第一筒部材31を表面保護フィルム3の非粘着面3bに載置する。その後、図3(c)において、第一筒部材31および第二筒部材32の上端から延びる表面保護フィルム3をカッタ19により切断する。これにより、第二筒部材32の前記一端側において、表面保護フィルム3の粘着面3a全体が露出することになる。   First, in FIG. 3A, the adhesive surface 3 a of the surface protective film 3 is pasted to one end of the second cylindrical member 32 using the pasting roll 5. Next, as shown in FIG. 3B, the first cylinder member 31 is placed on the non-adhesive surface 3 b of the surface protective film 3 so as to be concentric with the second cylinder member 32. Thereafter, in FIG. 3C, the surface protection film 3 extending from the upper ends of the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32 is cut by the cutter 19. As a result, the entire adhesive surface 3 a of the surface protective film 3 is exposed at the one end side of the second cylindrical member 32.

次いで、表面保護フィルム3の粘着面3aにウェーハ20を貼付ける。図3(d)に示されるように、気体供給手段40を用いて表面保護フィルム3の非粘着面3b側から気体を供給して表面保護フィルム3を膨らませる。そして、表面保護フィルム3をウェーハ20の表面21に接触させつつウェーハ20を第一筒部材31に向かって移動させ、それにより、ウェーハ20を表面保護フィルム3に貼付ける。これにより、図3(e)に示されるように表面保護フィルム3をウェーハ20全体に貼付けられるようになる。図3(a)〜図3(e)に示される場合であっても、前述したのと同様な効果が得られるのが分かるであろう。   Next, the wafer 20 is attached to the adhesive surface 3 a of the surface protective film 3. As shown in FIG. 3 (d), the gas is supplied from the non-adhesive surface 3 b side of the surface protective film 3 using the gas supply means 40 to expand the surface protective film 3. Then, the wafer 20 is moved toward the first cylindrical member 31 while the surface protection film 3 is in contact with the surface 21 of the wafer 20, thereby attaching the wafer 20 to the surface protection film 3. Thereby, as shown in FIG. 3E, the surface protective film 3 can be attached to the entire wafer 20. Even in the case shown in FIGS. 3A to 3E, it will be understood that the same effect as described above can be obtained.

なお、図2(a)から図2(e)および図3(a)から図3(e)において、第一筒部材31の降下作用、第二筒部材32の上昇作用および表面保護フィルム3の切断作用の順番は適宜変更してもよい。そのような場合でも、本発明の範囲に含まれるものとする。   2A to FIG. 2E and FIG. 3A to FIG. 3E, the lowering action of the first cylinder member 31, the raising action of the second cylinder member 32, and the surface protective film 3 The order of the cutting action may be changed as appropriate. Such a case is also included in the scope of the present invention.

図4(a)〜図4(c)は他の実施形態に基づくウェーハ支持具の部分断面図である。図2を参照して説明した実施形態においてはウェーハ支持具30の第一筒部材31および第二筒部材32の高さは互いに等しいが、図4(a)に示されるように、第一筒部材31の高さが第二筒部材32の高さよりも小さくてもよい。あるいは、第一筒部材31の高さが第二筒部材32の高さよりも大きくてもよい。   4 (a) to 4 (c) are partial cross-sectional views of a wafer support according to another embodiment. In the embodiment described with reference to FIG. 2, the heights of the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32 of the wafer support 30 are equal to each other. However, as shown in FIG. The height of the member 31 may be smaller than the height of the second cylindrical member 32. Alternatively, the height of the first cylinder member 31 may be larger than the height of the second cylinder member 32.

さらに、図4(b)においては、第一筒部材31と第二筒部材32との周面に貫通孔31a、32aがそれぞれ形成される。そして、ピン39をこれら貫通孔31a、32aに通して表面保護フィルム3を穿孔する。これにより、表面保護フィルム3をこれら第一筒部材31と第二筒部材32との間でより堅固に保持できるのが分かるであろう。また、第一筒部材31と第二筒部材32との周面に形成された複数の貫通孔31a、32aのそれぞれにピン39を挿入し、表面保護フィルム3をさらに堅固に保持してもよい。   Further, in FIG. 4B, through holes 31 a and 32 a are formed on the peripheral surfaces of the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32, respectively. Then, the surface protection film 3 is perforated by passing the pin 39 through the through holes 31a and 32a. Thereby, it will be understood that the surface protective film 3 can be held more firmly between the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32. Moreover, the pin 39 may be inserted in each of the plurality of through holes 31a and 32a formed on the peripheral surfaces of the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32, and the surface protection film 3 may be held more firmly. .

さらに、図4(c)に示される実施形態においては、第二筒部材32は、第二筒部材32の下端から半径方向内側に延びるフランジ33aと、フランジ33aの内方端部から上方に向かって延びる延長部33bとを含んでいる。この場合には、図4(c)から分かるように、第一筒部材31の一端が第二筒部材32と延長部33bとの間に挿入される。図4(c)に示される実施形態においては、フランジ33aが存在するために、第一筒部材31が抜落ちることはない。従って、ウェーハ支持具30の安定性を高められる。   Furthermore, in the embodiment shown in FIG. 4C, the second cylindrical member 32 has a flange 33 a extending radially inward from the lower end of the second cylindrical member 32, and upward from the inner end of the flange 33 a. And an extending portion 33b. In this case, as can be seen from FIG. 4C, one end of the first cylinder member 31 is inserted between the second cylinder member 32 and the extension portion 33b. In the embodiment shown in FIG. 4C, since the flange 33a exists, the first cylinder member 31 does not fall out. Therefore, the stability of the wafer support 30 can be improved.

また、図4(c)から分かるように、延長部33bが半径方向外側に湾曲すると共に、第一筒部材31の下端が延長部33bに対応して半径方向内側に湾曲してもよい。この場合には、第二筒部材32を第一筒部材31に向かって移動させるときに、第二筒部材32の延長部33bと第一筒部材31の一端とがスナップ係合する。従って、表面保護フィルム3を第一筒部材31と第二筒部材32との間でより堅固に保持できる。   Further, as can be seen from FIG. 4C, the extension portion 33b may be curved outward in the radial direction, and the lower end of the first cylindrical member 31 may be curved inward in the radial direction corresponding to the extension portion 33b. In this case, when the second cylinder member 32 is moved toward the first cylinder member 31, the extension portion 33 b of the second cylinder member 32 and one end of the first cylinder member 31 are snap-engaged. Therefore, the surface protection film 3 can be held more firmly between the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32.

図5(a)〜図5(c)は、さらに他の実施形態に基づくウェーハ支持具の部分断面図である。図5(a)においては、第一筒部材31および第二筒部材32のそれぞれの軸線方向断面が半径方向外側に向かってC字形状をなすように湾曲している。さらに、図5(b)に示される実施形態においては、第一筒部材31の軸線方向断面はS字形状であり、第二筒部材32の軸線方向断面は内側に向かってC字形状をなすように湾曲している。   FIG. 5A to FIG. 5C are partial cross-sectional views of a wafer support according to still another embodiment. In Fig.5 (a), each axial direction cross section of the 1st cylinder member 31 and the 2nd cylinder member 32 is curving so that a C-shape may be made toward a radial direction outer side. Furthermore, in the embodiment shown in FIG. 5B, the axial section of the first cylindrical member 31 is S-shaped, and the axial section of the second cylindrical member 32 is C-shaped toward the inside. Is so curved.

図5(a)および図5(b)においては、第二筒部材32の軸線方向断面は第一筒部材31の軸線方向断面の少なくとも一部に対応するように湾曲している。このような場合においても、第二筒部材32を第一筒部材31に向かって移動させるときに、第二筒部材32は第一筒部材31にスナップ係合し、前述したのと同様な効果が得られる。   5A and 5B, the axial section of the second cylindrical member 32 is curved so as to correspond to at least a part of the axial section of the first cylindrical member 31. Even in such a case, when the second cylinder member 32 is moved toward the first cylinder member 31, the second cylinder member 32 snap-engages with the first cylinder member 31, and the same effect as described above. Is obtained.

さらに、図5(c)に示される実施形態においては、第一筒部材31の軸線方向断面が半径方向内側に向かってC字形状をなすように湾曲している。さらに、ゴム製バンド32’によって、表面保護フィルム3をゴム製バンド32’と第一筒部材31の湾曲部との間に挟んでいる。このような場合には、第二筒部材32を排除でき、従って、比較的簡易な構成で、表面保護フィルム3を堅固に保持できることが分かるであろう。   Furthermore, in the embodiment shown in FIG. 5C, the axial section of the first cylindrical member 31 is curved so as to form a C shape toward the inside in the radial direction. Further, the surface protection film 3 is sandwiched between the rubber band 32 ′ and the curved portion of the first cylindrical member 31 by the rubber band 32 ′. In such a case, it will be understood that the second cylindrical member 32 can be eliminated, and thus the surface protective film 3 can be firmly held with a relatively simple configuration.

図6(a)は、さらに他の実施形態に基づく第二筒部材の斜視図であり、図6(b)は図6(a)に示される実施形態に基づくウェーハ支持具の頂面図である。図6(a)においては、第二筒部材32の内周面に略L字形状の溝34が形成されている。溝34は、第二筒部材32の端面から軸線方向に部分的に延びる軸線方向溝34aと、軸線方向溝34aに接続していて周方向に部分的に延びる周方向溝34bとを含んでいる。第二筒部材32の内周面に形成されるこのような溝34は、周方向において等間隔に少なくとも二つ形成されるのが好ましい(図6(b)においては、二つの溝34が形成されている)。   6A is a perspective view of a second cylindrical member according to still another embodiment, and FIG. 6B is a top view of the wafer support according to the embodiment shown in FIG. 6A. is there. In FIG. 6A, a substantially L-shaped groove 34 is formed on the inner peripheral surface of the second cylindrical member 32. The groove 34 includes an axial groove 34a partially extending in the axial direction from the end surface of the second cylindrical member 32, and a circumferential groove 34b connected to the axial groove 34a and partially extending in the circumferential direction. . It is preferable that at least two such grooves 34 formed on the inner peripheral surface of the second cylindrical member 32 are formed at equal intervals in the circumferential direction (in FIG. 6B, two grooves 34 are formed. Have been).

これに対し、図6(b)に示されるように、第一筒部材31の外周面には、溝34に係合可能な突起部35が形成されている。図6(a)および図6(b)に示される実施形態において、第二筒部材32を第一筒部材31に向かって移動させるときに、第一筒部材31の突起部35が溝34の軸線方向溝34aに進入する。そして、突起部35が軸線方向溝34aの端部に到達すると、第二筒部材32を図6(b)の矢印方向に回転し、第一筒部材31の突起部35が周方向溝34bに摺動するようになる。   On the other hand, as shown in FIG. 6B, a protrusion 35 that can be engaged with the groove 34 is formed on the outer peripheral surface of the first cylindrical member 31. In the embodiment shown in FIG. 6A and FIG. 6B, when the second cylinder member 32 is moved toward the first cylinder member 31, the protruding portion 35 of the first cylinder member 31 has the groove 34. Enter the axial groove 34a. And when the projection part 35 reaches | attains the edge part of the axial direction groove | channel 34a, the 2nd cylinder member 32 will rotate in the arrow direction of FIG.6 (b), and the projection part 35 of the 1st cylinder member 31 will become the circumferential direction groove | channel 34b. It comes to slide.

これにより、表面保護フィルム3を第一筒部材31と第二筒部材32との間でより堅固に保持できることが分かるであろう。すなわち、第一筒部材31の突起部35および第二筒部材32の溝34は係合部としての役目を果たす。当然のことながら、第一筒部材31に溝34が形成されていて、第二筒部材32に突起部35が設けられていても良い。   Thereby, it will be understood that the surface protection film 3 can be held more firmly between the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32. In other words, the protrusion 35 of the first cylinder member 31 and the groove 34 of the second cylinder member 32 serve as engaging portions. As a matter of course, the groove 34 may be formed in the first cylinder member 31, and the protrusion 35 may be provided in the second cylinder member 32.

図7(a)はさらに別の実施形態に基づくウェーハ支持具の部分頂面図である。図7(a)においては、第一筒部材31の外周面には複数の凸部37が周方向に形成されている。さらに、第二筒部材32の内周面には、凸部37に対応する複数の凹部38が周方向に形成されている。これら凸部37および凹部38は、それぞれ第一筒部材31および第二筒部材32の一部分である。   FIG. 7A is a partial top view of a wafer support according to yet another embodiment. In FIG. 7A, a plurality of convex portions 37 are formed on the outer peripheral surface of the first cylindrical member 31 in the circumferential direction. Furthermore, a plurality of concave portions 38 corresponding to the convex portions 37 are formed on the inner peripheral surface of the second cylindrical member 32 in the circumferential direction. The convex portion 37 and the concave portion 38 are part of the first cylindrical member 31 and the second cylindrical member 32, respectively.

この場合には、第二筒部材32を第一筒部材31に向かって移動させるときに、凹部38のそれぞれが、表面保護フィルム3を介して凸部37のそれぞれに係合する。このため、図7(a)に示される実施形態においても、表面保護フィルム3をより堅固に保持できることが分かるであろう。   In this case, when the second cylindrical member 32 is moved toward the first cylindrical member 31, each of the concave portions 38 is engaged with each of the convex portions 37 via the surface protective film 3. For this reason, it will be understood that the surface protective film 3 can be more firmly held in the embodiment shown in FIG.

また、図7(a)と同様な図である図7(b)に示されるように、第一筒部材31の外周面および第二筒部材32の内周面にそれぞれ保護膜37a、38aを取付けてもよい。第二筒部材32を第一筒部材31に向かって移動させるときに、凸部37と凹部38とは直接的に接触せず、従って、凸部37および凹部38が摩耗するのを防止できる。その結果、図7(b)に示される実施形態においては、摩耗片が表面保護フィルム3に付着することも防止できる。   Further, as shown in FIG. 7B, which is a view similar to FIG. 7A, protective films 37a and 38a are respectively provided on the outer peripheral surface of the first cylindrical member 31 and the inner peripheral surface of the second cylindrical member 32. It may be attached. When the second cylindrical member 32 is moved toward the first cylindrical member 31, the convex portion 37 and the concave portion 38 are not in direct contact with each other, and therefore, the convex portion 37 and the concave portion 38 can be prevented from being worn. As a result, in the embodiment shown in FIG. 7B, it is possible to prevent the wear pieces from adhering to the surface protective film 3.

ところで、ウェーハ支持ユニット110においてウェーハ支持具30と一体化されたウェーハ20は裏面研削ユニット120に移送される(図1を参照されたい)。図8(a)は、裏面研削ユニットにおけるチャックテーブルの断面図である。図8(a)に示されるように、チャックテーブル50は、凹部を備えた枠体53と、枠体53の凹部に嵌込まれて支持される吸着パッド51とを主に含んでいる。吸着パッド51は多孔質材料、例えば多孔性のアルミナから形成されている。枠体53は中実材料、例えば緻密なアルミナから形成されている。   By the way, the wafer 20 integrated with the wafer support 30 in the wafer support unit 110 is transferred to the back grinding unit 120 (see FIG. 1). FIG. 8A is a cross-sectional view of the chuck table in the back grinding unit. As shown in FIG. 8A, the chuck table 50 mainly includes a frame 53 having a recess and a suction pad 51 that is fitted and supported in the recess of the frame 53. The suction pad 51 is made of a porous material such as porous alumina. The frame 53 is made of a solid material such as dense alumina.

また、図8(a)に示されるように、吸着パッド51の下面と枠体53との間には隙間55が形成されている。さらに、中心通路56が枠体53の中心から隙間55まで延びている。中心通路56は真空手段60に接続されており、真空手段60が起動すると、吸着パッド51の上面に真空が適用されるようになる。   Further, as shown in FIG. 8A, a gap 55 is formed between the lower surface of the suction pad 51 and the frame body 53. Further, the central passage 56 extends from the center of the frame body 53 to the gap 55. The central passage 56 is connected to the vacuum means 60. When the vacuum means 60 is activated, a vacuum is applied to the upper surface of the suction pad 51.

さらに、図8(a)から分かるように、枠体53の上面においては環状溝部59が吸着パッド51周りに形成されている。この環状溝部59の幅は、表面保護フィルム3を把持した第一筒部材31および第二筒部材32の合計厚さよりも大きい。また、環状溝部59の深さは第一筒部材31および第二筒部材32の高さに概ね等しい。さらに、環状溝部59の内径は第一筒部材31の内径よりもわずかながら小さいものとする。   Further, as can be seen from FIG. 8A, an annular groove 59 is formed around the suction pad 51 on the upper surface of the frame 53. The width of the annular groove 59 is larger than the total thickness of the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32 that hold the surface protective film 3. Further, the depth of the annular groove 59 is substantially equal to the height of the first cylinder member 31 and the second cylinder member 32. Further, the inner diameter of the annular groove 59 is slightly smaller than the inner diameter of the first cylindrical member 31.

このような構成であるので、図8(b)から分かるように、ウェーハ支持具30を環状溝部59に挿入すると、ウェーハ20は表面保護フィルム3を介して吸着パッド51に載置されるようになる。そして、真空手段60を起動すると、真空作用が中心通路56および吸着パッド51を通じて表面保護フィルム3に作用し、ウェーハ20を吸着保持できる。   8B, when the wafer support 30 is inserted into the annular groove 59, the wafer 20 is placed on the suction pad 51 with the surface protective film 3 interposed therebetween. Become. When the vacuum means 60 is activated, a vacuum action acts on the surface protection film 3 through the central passage 56 and the suction pad 51, and the wafer 20 can be sucked and held.

次いで、研削砥石41およびチャックテーブル50を互いに反対方向に回転させつつ研削砥石41をウェーハ20に接触させて、ウェーハ20の裏面22を研削する。図8(b)から分かるように、本発明においては、ウェーハ支持具30が環状溝部59内に挿入されるので、ウェーハ支持具30自体は常にウェーハ20の下方に位置することになる。このため、裏面研削によりウェーハ20の厚さが小さくなった場合であっても、研削砥石41がウェーハ支持具30に干渉することはなく、円滑な裏面研削を行うことができる。さらに、本発明においては表面保護フィルム3の露出部分が比較的少なくて済むので、裏面研削時にスラッジが生じたとしても、スラッジがフィルムの露出部分にはほとんど付着しない。   Next, the grinding wheel 41 is brought into contact with the wafer 20 while the grinding wheel 41 and the chuck table 50 are rotated in opposite directions, and the back surface 22 of the wafer 20 is ground. As can be seen from FIG. 8B, in the present invention, since the wafer support 30 is inserted into the annular groove 59, the wafer support 30 itself is always located below the wafer 20. For this reason, even when the thickness of the wafer 20 is reduced by the back surface grinding, the grinding wheel 41 does not interfere with the wafer support 30 and smooth back surface grinding can be performed. Furthermore, in the present invention, since the exposed portion of the surface protective film 3 may be relatively small, even if sludge is generated during back grinding, the sludge hardly adheres to the exposed portion of the film.

裏面研削工程が終了すると、ウェーハ20は裏面研削ユニット120からエッチングユニット130に移送される。そして、エッチングユニット130においてはウェーハ20はウェーハ支持具30と共にドライプラズマエッチング処理を受ける。ドライプラズマエッチング処理は真空下で行われるので、表面保護フィルム3の露出部分からアウトガスが発生する。   When the back grinding process is completed, the wafer 20 is transferred from the back grinding unit 120 to the etching unit 130. In the etching unit 130, the wafer 20 is subjected to a dry plasma etching process together with the wafer support 30. Since the dry plasma etching process is performed under vacuum, outgas is generated from the exposed portion of the surface protective film 3.

しかしながら、本発明においては、表面保護フィルム3の露出部分が少ないので、アウトガスの発生量を抑えることが可能である。最終的に、エッチングユニット130における処理が終了すると、ウェーハ20はウェーハ処理装置100からダイシングユニット(図示しない)に移送され、公知の手法でダイシングされ、各チップが表面保護フィルム3からピックアップされるようになる。   However, in the present invention, since the exposed portion of the surface protective film 3 is small, it is possible to suppress the amount of outgas generation. Finally, when the processing in the etching unit 130 is completed, the wafer 20 is transferred from the wafer processing apparatus 100 to a dicing unit (not shown), diced by a known method, and each chip is picked up from the surface protection film 3. become.

このように本発明のウェーハ支持具30によれば、表面保護フィルム3の露出部分を少なくすることができ、その結果、フィルムの使用量が少なくて済み、裏面研削時に生じるスラッジがフィルムの露出部分に付着することもなく、さらに、エッチング時にフィルムから多量のアウトガスが生じるのを防ぐことも可能である。   As described above, according to the wafer support 30 of the present invention, the exposed portion of the surface protection film 3 can be reduced. As a result, the amount of film used can be reduced, and sludge generated during backside grinding is exposed to the exposed portion of the film. In addition, it is possible to prevent a large amount of outgas from being generated from the film during etching.

ウェーハ処理装置における処理の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of a process in a wafer processing apparatus. (a)〜(e)ウェーハ支持ユニットにおけるウェーハの支持工程を説明するための図である。(A)-(e) It is a figure for demonstrating the support process of the wafer in a wafer support unit. (a)〜(e)ウェーハ支持ユニットにおけるウェーハの支持工程を説明するための他の図である。(A)-(e) It is another figure for demonstrating the support process of the wafer in a wafer support unit. (a)〜(c)他の実施形態に基づくウェーハ支持具の部分断面図である。(A)-(c) It is a fragmentary sectional view of the wafer support based on other embodiment. (a)〜(c)さらに他の実施形態に基づくウェーハ支持具の部分断面図である。(A)-(c) It is a fragmentary sectional view of the wafer support based on other embodiment. (a)さらに他の実施形態に基づく第二筒部材の斜視図である。(b)図6(a)に示される実施形態に基づくウェーハ支持具の頂面図である。(A) It is a perspective view of the 2nd cylinder member based on other embodiment. (B) It is a top view of the wafer support based on embodiment shown by Fig.6 (a). (a)さらに別の実施形態に基づくウェーハ支持具の部分頂面図である。(b)図7(a)に示される実施形態に基づくウェーハ支持具の他の部分頂面図である。(A) It is a partial top view of the wafer support based on another embodiment. (B) It is another partial top view of the wafer support based on embodiment shown by Fig.7 (a). (a)裏面研削ユニットにおけるチャックテーブルの断面図である。(b)裏面研削時におけるチャックテーブルの断面図である。(A) It is sectional drawing of the chuck table in a back surface grinding unit. (B) It is sectional drawing of the chuck table at the time of back surface grinding. 裏面研削前におけるウェーハの平面図である。It is a top view of the wafer before back surface grinding.

符号の説明Explanation of symbols

3 表面保護フィルム
3a 粘着面
3b 非粘着面
5 貼付ロール
10 テーブル
11 頂面
12 突出部
15 環状溝部
19 カッタ
20 ウェーハ
21 表面
22 裏面
30 ウェーハ支持具
31 第一筒部材
31a、32a 貫通孔
32 第二筒部材
32’ ゴム製バンド
33a フランジ(支持部材)
33b 延長部(支持部材)
34 溝(係合部)
34a 軸線方向溝
34b 周方向溝
35 突起部(係合部)
36 マウントフレーム
37 凸部(係合部)
37a、38a 保護膜
38 凹部(係合部)
39 ピン(固定部)
40 気体供給手段
41 研削砥石
50 チャックテーブル
51 吸着パッド
53 枠体
55 隙間
56 中心通路
59 環状溝部
60 真空手段
100 ウェーハ処理装置
110 ウェーハ支持ユニット
120 裏面研削ユニット
130 エッチングユニット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 Surface protective film 3a Adhesive surface 3b Non-adhesive surface 5 Sticking roll 10 Table 11 Top surface 12 Protrusion part 15 Annular groove part 19 Cutter 20 Wafer 21 Front surface 22 Back surface 30 Wafer support 31 First cylinder member 31a, 32a Through-hole 32 Second Cylindrical member 32 'Rubber band 33a Flange (supporting member)
33b Extension (support member)
34 Groove (engagement part)
34a Axial direction groove 34b Circumferential direction groove 35 Projection (engagement part)
36 Mount frame 37 Convex part (engagement part)
37a, 38a Protective film 38 Recess (engagement part)
39 pin (fixed part)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 40 Gas supply means 41 Grinding wheel 50 Chuck table 51 Suction pad 53 Frame 55 Gap 56 Center passage 59 Annular groove 60 Vacuum means 100 Wafer processing apparatus 110 Wafer support unit 120 Back surface grinding unit 130 Etching unit

Claims (10)

一面にフィルムが貼付けられているウェーハを支持するウェーハ支持具において、
前記ウェーハ周りに配置される第一筒部材と、
前記第一筒部材周りに配置される第二筒部材とを具備し、
前記フィルムが前記第一筒部材周りにおいて前記第一部材側に折曲げられて、前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持され、それにより、ウェーハを支持するウェーハ支持具。
In a wafer support that supports a wafer having a film attached to one side,
A first cylindrical member disposed around the wafer;
A second cylinder member disposed around the first cylinder member,
A wafer support that supports the wafer by bending the film around the first cylinder member toward the first member and holding the film between the first cylinder member and the second cylinder member.
前記第一筒部材の内径は前記ウェーハの外径よりも大きいようにした請求項1に記載のウェーハ支持具。   The wafer support according to claim 1, wherein an inner diameter of the first cylindrical member is larger than an outer diameter of the wafer. さらに、前記第一筒部材と前記第二筒部材とを固定する固定部を具備する請求項1または2に記載のウェーハ支持具。   Furthermore, the wafer support tool of Claim 1 or 2 which comprises the fixing | fixed part which fixes said 1st cylinder member and said 2nd cylinder member. 前記第一筒部材の軸線方向断面の少なくとも一部分が第一湾曲部を含んでおり、前記第二筒部材の軸線方向断面は前記第一筒部材の前記第一湾曲部に対応する第二湾曲部を含む請求項1から3のいずれか一項に記載のウェーハ支持具。   At least a portion of the axial cross section of the first cylindrical member includes a first curved portion, and the axial cross section of the second cylindrical member is a second curved portion corresponding to the first curved portion of the first cylindrical member. The wafer support according to any one of claims 1 to 3, comprising: 前記第二筒部材は、半径方向内側に延びて前記第一筒部材の端部を支持する支持部材を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載のウェーハ支持具。   4. The wafer support according to claim 1, wherein the second cylinder member includes a support member that extends radially inward and supports an end portion of the first cylinder member. 5. 前記第一筒部材の外周面および前記第二筒部材の内周面には互いに係合する係合部が備えられている請求項1から3のいずれか一項に記載のウェーハ支持具。   4. The wafer support according to claim 1, wherein an engaging portion that engages with each other is provided on an outer peripheral surface of the first cylindrical member and an inner peripheral surface of the second cylindrical member. 5. ウェーハを支持するウェーハ支持方法において、
前記ウェーハの一面にフィルムの粘着面を貼付け、
第一筒部材を前記粘着面とは反対側の非粘着面において前記ウェーハ周りに配置し、
第二筒部材を前記フィルムの前記粘着面において前記第一筒部材周りに配置し、
前記フィルムを前記第一筒部材周りにおいて前記第一筒部材側に折曲げつつ前記第二筒部材を前記第一筒部材に向かって移動させ、
前記フィルムを前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持し、それにより、ウェーハを支持するウェーハ支持方法。
In a wafer support method for supporting a wafer,
Paste the adhesive side of the film on one side of the wafer,
The first cylindrical member is arranged around the wafer on the non-adhesive surface opposite to the adhesive surface,
A second cylinder member is arranged around the first cylinder member on the adhesive surface of the film,
Moving the second cylinder member toward the first cylinder member while bending the film around the first cylinder member toward the first cylinder member;
A wafer support method for holding the film between the first cylinder member and the second cylinder member, thereby supporting the wafer.
ウェーハを支持するウェーハ支持方法において、
前記ウェーハの外径よりも大きい内径を有する第一筒部材の一端にフィルムの非粘着面を貼付け、
前記フィルムの前記非粘着面とは反対側の粘着面において第二筒部材を前記第一筒部材周りに配置し、
前記フィルムを前記第一筒部材周りにおいて前記第一筒部材側に折曲げつつ前記第二筒部材を前記第一筒部材に向かって移動させ、
前記フィルムを前記第一筒部材と前記第二筒部材との間に保持し、
前記ウェーハを前記第一筒部材内において前記フィルムの前記粘着面に貼付け、それにより、前記ウェーハを支持する、ウェーハ支持方法。
In a wafer support method for supporting a wafer,
Pasting the non-adhesive surface of the film to one end of the first cylinder member having an inner diameter larger than the outer diameter of the wafer,
The second cylinder member is arranged around the first cylinder member on the adhesive surface opposite to the non-adhesive surface of the film,
Moving the second cylinder member toward the first cylinder member while bending the film around the first cylinder member toward the first cylinder member;
Holding the film between the first cylinder member and the second cylinder member;
A wafer support method, wherein the wafer is attached to the adhesive surface of the film in the first cylindrical member, thereby supporting the wafer.
前記第一筒部材の内径は前記ウェーハの外径よりも大きいようにした請求項7または8に記載のウェーハ支持方法。   The wafer support method according to claim 7 or 8, wherein an inner diameter of the first cylindrical member is larger than an outer diameter of the wafer. さらに、前記第一筒部材と前記第二筒部材とを固定することを含む、請求項7から9のいずれか一項に記載のウェーハ支持方法。   Furthermore, the wafer support method as described in any one of Claim 7 to 9 including fixing said 1st cylinder member and said 2nd cylinder member.
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