JP2010144233A - 真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010144233A
JP2010144233A JP2008324934A JP2008324934A JP2010144233A JP 2010144233 A JP2010144233 A JP 2010144233A JP 2008324934 A JP2008324934 A JP 2008324934A JP 2008324934 A JP2008324934 A JP 2008324934A JP 2010144233 A JP2010144233 A JP 2010144233A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
vacuum
vacuum chamber
degassing
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008324934A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuharu Kawamura
一晴 川村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008324934A priority Critical patent/JP2010144233A/ja
Publication of JP2010144233A publication Critical patent/JP2010144233A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】真空処理装置に機能に影響を及ぼすことなく、脱ガス機能を簡単に附加することができる真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置を提供することである。
【解決手段】ワークWを処理する真空チャンバ2に接続され、真空チャンバ2の内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置1の脱ガス処理装置6であって、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのキャリアガス源36に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバ2に供給する加熱ガス供給装置21と、吸着ガスと反応した後のキャリアガスを、真空チャンバ2から吸引し処理するガス処理装置22と、加熱ガス供給装置21と真空チャンバ2とを接続するガス供給配管23と、真空チャンバ2とガス処理装置22とを接続するガス排気配管24と、を備えたものである。
【選択図】図1

Description

本発明は、ワークを処理する真空チャンバに接続され、真空チャンバの内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置に関するものである。
従来、このような真空装置(真空処理装置)として、加熱した不活性ガスにより、吸着ガスを除去するものが知られている(特許文献1参照)。
この真空装置は、ワークを処理する真空容器と、プロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、不活性ガスを加熱するガス加熱手段と、真空処理後のプロセスガス、不活性ガスおよび吸着ガスを排気するガス排気手段と、を有している。
この場合、プロセスガスを導入して真空処理を行い、プロセスガスを排気した後、不活性ガスを供給し、ガス加熱手段により不活性ガスを加熱することで、脱ガス処理を行い、ガス排気手段により脱ガス処理後の不活性ガスおよび吸着ガスを排気する。
特開昭60−87840号公報
しかしながら、このような真空装置では、真空容器の真空化と、真空処理後のプロセスガスの排気と、脱ガス後の不活性ガスおよび吸着ガスの排気と、を同一のガス排気手段で行っているため、真空容器内のゴミや、真空処理時あるいは脱ガス処理時の生成物が、ガス排気手段に付着してしまうという問題があった。よって、ガス排気手段を頻繁にメンテナンスすることが必要になり、各処理を適正に行うことができないという問題があった。また、真空容器内にガス加熱手段を設ける必要があり、既存の装置に脱ガス機能を簡単に組み込むことができなかった。
本発明は、真空処理装置の機能に影響を及ぼすことなく、脱ガス機能を簡単に附加することができる真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置を提供することをその課題としている。
本発明の真空処理装置の脱ガス処理装置は、ワークを処理する真空チャンバに接続され、真空チャンバの内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置の脱ガス処理装置であって、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのガス源に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバに供給する加熱ガス供給手段と、吸着ガスと反応した後のキャリアガスを、真空チャンバから吸引し処理するガス処理手段と、加熱ガス供給手段と真空チャンバとを接続するガス供給配管と、真空チャンバとガス処理手段とを接続するガス排気配管と、を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、加熱ガス供給手段により加熱したキャリアガスを、ガス供給配管を介して真空チャンバに供給して脱ガスを行い、脱ガス後のキャリアガスおよび吸着ガス(排気ガス)を、ガス処理手段によりガス排気配管を介して吸引処理する。これにより、脱ガス処理装置を脱ガス処理専用として用いることができると共に、脱ガス処理のみを行う装置をユニット化することができる。したがって、真空処理装置の機能に影響を及ぼすことなく、脱ガス機能を簡単に附加することができる。
この場合、ガス処理手段は、ガス排気配管に接続され、キャリアガスを冷却するガス冷却手段と、ガス冷却手段の下流側に接続され、キャリアガスを吸引処理する真空吸引処理手段と、を有していることが、好ましい。
この構成によれば、加熱された高温の排気ガスが、ガス冷却手段により冷却された後に、真空吸引処理手段に吸引されるため、熱的な影響により真空吸引処理手段の機能が損なわれることがない。
この場合、真空吸引処理手段は、低真空用のロータリーポンプと、高真空用のクライオポンプとから成ることが、好ましい。
この構成によれば、ロータリーポンプにより大気圧から低真空に真空引きし、続いてクライオポンプにより低真空から高真空に真空引きすることで、キャリアガスを適切に処理することができる。
この場合、真空チャンバに対し、ガス供給配管およびガス排気配管は、それぞれワンタッチジョイントを介して離接自在に接続されていることが、好ましい。
この構成によれば、脱ガス処理装置を真空チャンバに簡単にセットすることができると共に、脱ガス処理装置を使用しない場合には、これを取り外しておくことができる。よって、真空処理装置をコンパクトに構成することができる。
この場合、キャリアガスが、不活性ガスであることが、好ましい。
この構成によれば、高温のキャリアガスにより真空チャンバが高温に達しても、生成物が生じることがないため、適正に脱ガス処理を行うことができる。
本発明の真空処理装置は、上記した真空処理装置の脱ガス処理装置、を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、機能に影響を及ぼすことなく、脱ガス機能を簡単に附加することができる真空処理装置を提供することができる。
以下に、添付した図面を参照して、脱ガス処理装置を搭載した真空処理装置について説明する。この真空処理装置は、ワークを収容した真空チャンバ内に供給したプロセスガス(処理ガス)をイオン化・ラジカル化して、ワーク表面に成膜処理等を行うものであると共に、真空チャンバの真空度に影響を及ぼす吸着ガスを脱ガスする機能を有するものである。
図1に示すように、真空処理装置1は、金属の素材で気密に構成され、ワークWを処理する真空チャンバ2と、真空チャンバ2内を真空引きする吸引装置3と、真空チャンバ2に成膜処理用のプロセスガスを供給する供給装置4と、真空チャンバ2内にプラズマを発生させ、プロセスガスをイオン化・ラジカル化するプラズマ発生装置5と、脱ガス用のキャリアガスを供給すると共に、キャリアガス(不活性ガス)に反応させて吸着ガス(排気ガス)を除去する脱ガス処理装置6と、から構成されている。
吸引装置3は、第1ロータリーポンプ12および第1クライオポンプ13からなる真空ポンプ11を備え、第1ロータリーポンプ12は、吸引管14を介して真空チャンバ2に接続され、第1クライオポンプ13は直接、真空チャンバ2に接続されている。また、第1ロータリーポンプ12の排気側は、排気管を介して排気処理設備19に接続されている。この吸引装置3では、真空チャンバ2を所定の高真空にするために、第1ロータリーポンプ12による真空吸引により先ず低真空を実現し、続いて第1クライオポンプ13による真空吸引により高真空を実現する。そして、この第1ロータリーポンプ12と第1クライオポンプ13との切り替えを行うべく、吸引管14には、第1低真空バルブ15が介設され、第1クライオポンプ13には、真空チャンバ2に添設するように第1高真空バルブ16が組み込まれている。
真空チャンバ2を所定の高真空とする場合には、まず、第1低真空バルブ15を「開」とすると共に第1高真空バルブ16を「閉」とし、第1ロータリーポンプ12を駆動して真空吸引を行い、真空チャンバ2内を大気圧から低真空にする。続いて、第1低真空バルブ15を「閉」とすると共に第1高真空バルブ16を「開」とし、第1クライオポンプ13を駆動して更に真空吸引を続行し、低真空の真空チャンバ2内を所定の真空度(高真空)にする。この場合、第1ロータリーポンプ12および第1クライオポンプ13の駆動および停止のタイミングは、真空計17の検出結果に基づいて、決定される。
供給装置4は、プロセスガスを貯留しているプロセスガス源25と、プロセスガス源25を真空チャンバ2に接続する供給管26と、供給管26に介設した供給バルブ27と、を有している。吸引装置3によって所定の真空度になった状態で、第1高真空バルブ16を「閉」とする(第1低真空バルブ15は既に「閉」とされている。)と共に、供給バルブ27を「開」とすることで、真空チャンバ2内が所定のプロセスガス濃度になるようにプロセスガスを供給する。
プラズマ発生装置5は、上部電極28と、下部電極29と、高周波電圧を印加する高周波電源30と、を有している。上部電極28は真空チャンバ2の上部に固定的に配設され、下部電極29は真空チャンバ2の下部に固定的に配設されている。下部電極29は、成膜処理の対象物であるワークWの載置板を兼ねており、固定治具35によってワークWを固定するようになっている。真空チャンバ2にプロセスガスが導入された状態で、プラズマ発生装置5を駆動することで、真空チャンバ2内にプラズマが発生し、プラズマによりイオン化・ラジカル化したプロセスガスがワークWに作用することで成膜処理を行う。そして、成膜処理終了後、プロセスガスを排気する。
大気開放バルブ18は、いわゆる開閉バルブで構成されており、プロセスガスの排気後、大気を開放することで、真空チャンバ2内の圧力を大気圧に戻す。この状態で、ワークWの搬入搬出が行われると共に、必要に応じて後述する脱ガス処理が行われる。また、脱ガス処理後の真空チャンバ2内の圧力を大気圧に戻す際にも使用される。
脱ガス処理装置6は、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのキャリアガス源(ガス源)36に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバ2に供給する加熱ガス供給装置(加熱ガス供給手段)21と、吸着ガスと反応した後のキャリアガスを、真空チャンバ2から吸引し処理するガス処理装置(ガス処理手段)22と、加熱ガス供給装置21と真空チャンバ2とを接続するガス供給配管23と、真空チャンバ2とガス処理装置22とを接続するガス排気配管24と、加熱ガス供給装置21およびガス処理装置22を収容するキャビネット(図示省略)と、を備えている。なお、キャリアガス源36に貯留されているキャリアガスは、窒素やアルゴンなどの不活性ガスであることが好ましい。これにより、高温のキャリアガスにより真空チャンバ2が高温に達しても、生成物が生じることがないため、適正に脱ガス処理を行うことができる。
加熱ガス供給装置21は、キャリアガスのキャリアガス源36に連通しており、キャリアガス源36から供給されたキャリアガスを加熱した後、ガス供給配管23を介して真空チャンバ2に供給する。また、ガス供給配管23には、真空チャンバ2側に供給配管バルブ31が介設されると共に、加熱ガス供給装置21側に供給ワンタッチジョイント32が介設されている。加熱ガス供給装置21は、キャリアガスが流れる内部流路に、例えばヒーターや赤外線ランプ等の加熱装置を臨ませて構成されている。キャリアガス源36から流入したキャリアガスは、加熱ガス供給装置21により所定の温度に加熱されて真空チャンバ2に供給される。
供給ワンタッチジョイント32は、詳細は図示しないが、ソケット部33およびプラグ部34から成っており、ガス供給配管23を真空チャンバ2に対して着脱自在に構成している。そして、供給配管バルブ31および供給ワンタッチジョイント32は、真空チャンバ2の近傍に配設されている。
ガス処理装置22は、脱ガス後のキャリアガスおよび吸着ガス(排気ガス)を冷却するガス冷却装置41と、冷却後の排気ガスを吸引する真空吸引処理装置42と、を有している。ガス冷却装置41は、ガス排気配管24に介設されており、ガス排気配管24より細径に形成された複数本の冷却コイル44と、複数本の冷却コイル44を介して排気ガスを冷却する冷却水(冷媒)タンク45と、からなっている。そして、冷却水は、図外のチラーユニット等から冷却水タンク45に循環するようにして、供給される。真空チャンバ2の排気ガスは、ガス冷却装置41により冷却された後、真空吸引処理装置42に吸引される。また、ガス排気配管24の真空チャンバ2近傍には、ガス供給配管23と同様の排気配管バルブ46および排気ワンタッチジョイント47が介設されている。すなわち、脱ガス処理装置6は、真空チャンバ2に対し、それぞれ供給ワンタッチジョイント32および排気ワンタッチジョイント47を介して離接自在に接続されている。
真空吸引処理装置42は、第2ロータリーポンプ51および第2クライオポンプ52から構成されている。第2ロータリーポンプ51は、ガス排気配管24の下流側の分岐部53から分岐したロータリー側分岐配管54に接続されており、上記の第1ロータリーポンプ12と同様に排気管を介して排気処理設備19に連通している。一方、第2クライオポンプ52は、分岐部53から分岐したクライオ側分岐配管56の下流端に接続されている。また、両ポンプ51,52は、ロータリー側分岐配管54に介設した第2低真空バルブ57、およびクライオ側分岐配管56に介設した第2高真空バルブ58により、切替え可能に構成されている。
排気ガスを吸引処理する場合には、先ず排気配管バルブ46を「開」とし、且つガス冷却装置41を駆動しておいて、第2低真空バルブ57を「開」、第2高真空バルブ58を「閉」として、第2ロータリーポンプ51により冷却された排気ガスを吸引処理する。次に、ガス冷却装置41を駆動させた状態で、第2低真空バルブ57を「閉」、第2高真空バルブ58を「開」として、第2クライオポンプ52で高真空に真空引きして、冷却された排気ガスを吸引処理する。この場合も、真空計17の検出結果に基づいて、第2ロータリーポンプ51および第2クライオポンプ52が制御される。
次に、真空処理装置1を用いた一連の処理動作について説明する。この処理操作は、上記したように、ワークW表面に成膜処理を施し、真空チャンバ2に、吸着ガスを除去するためのキャリアガスを加熱して供給するガス加熱供給工程と、吸引管14を介してキャリアガスを吸引すると共に、真空吸引処理装置42の上流側近傍でキャリアガスを冷却するガス冷却吸引工程と、からなっている。
ガス加熱供給工程では、キャリアガス源36に貯留してあるキャリアガスを加熱ガス供給装置21により加熱して真空チャンバ2に供給する。これにより、加熱された高温のキャリアガスが真空チャンバ2全体に行き渡り、真空チャンバ2内に付着している吸着ガスと反応して、脱ガスが行われる。
ガス冷却吸引工程では、排気ガスをガス冷却装置41により冷却した後、第2ロータリーポンプ51により吸引する。そして、ガス冷却装置41を駆動したまま第2クライオポンプ52に切り替えて、さらに真空引きする。これにより、加熱された高温の排気ガスが、ガス冷却装置41により冷却された後に、第2ロータリーポンプ51および第2クライオポンプ52に吸引処理される。なお、第2クライオポンプ52およびガス冷却装置41の使用状態になるまでに時間がかかる場合には、キャリアガスの供給直後に、排気ガスの排気が行えるように、これら装置を予め駆動させておくことが好ましい。
以上の構成によれば、加熱ガス供給装置21により加熱したキャリアガスを、ガス供給配管23を介して真空チャンバ2に供給して脱ガスを行い、脱ガス後の排気ガスを、ガス処理装置22によりガス排気配管24を介して吸引処理することができる。したがって、熱的な影響により第2クライオポンプ52の機能が損なわれることがない。また、脱ガス処理装置6を脱ガス処理専用として用いることができると共に、脱ガス処理のみを行う装置をユニット化することができ、真空処理装置1の機能に影響を及ぼすことなく、脱ガス機能を簡単に附加することができる。特に、既存の真空処理装置1において、その真空チャンバ2に、給排気用の一対のポートを設ける(簡単な加工)ことで、加熱ガス供給装置21を簡単に附加することができる。
真空処理装置の模式図である。
符号の説明
1…真空処理装置 2…真空チャンバ 6…脱ガス処理装置 21…加熱ガス供給装置 22…ガス処理装置 23…ガス供給配管 24…ガス排気配管 32…供給ワンタッチジョイント 41…ガス冷却装置 42…真空吸引処理装置 44…冷却コイル 47…排気ワンタッチジョイント 51…第2ロータリーポンプ 52…第2クライオポンプ W…ワーク

Claims (6)

  1. ワークを処理する真空チャンバに接続され、前記真空チャンバの内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置の脱ガス処理装置であって、
    前記吸着ガスを除去するためのキャリアガスのガス源に連通し、前記キャリアガスを加熱して前記真空チャンバに供給する加熱ガス供給手段と、
    前記吸着ガスと反応した後のキャリアガスを、前記真空チャンバから吸引し処理するガス処理手段と、
    前記加熱ガス供給手段と前記真空チャンバとを接続するガス供給配管と、
    前記真空チャンバと前記ガス処理手段とを接続するガス排気配管と、を備えたことを特徴とする真空処理装置の脱ガス処理装置。
  2. 前記ガス処理手段は、
    前記ガス排気配管に接続され、前記キャリアガスを冷却するガス冷却手段と、
    前記ガス冷却手段の下流側に接続され、前記キャリアガスを吸引処理する真空吸引処理手段と、を有していることを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置の脱ガス処理装置。
  3. 前記真空吸引処理手段は、低真空用のロータリーポンプと、高真空用のクライオポンプとから成ることを特徴とする請求項2に記載の真空処理装置の脱ガス処理装置。
  4. 前記真空チャンバに対し、前記ガス供給配管および前記ガス排気配管は、それぞれワンタッチジョイントを介して離接自在に接続されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の真空処理装置の脱ガス処理装置。
  5. 前記キャリアガスが、不活性ガスであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の真空処理装置の脱ガス処理装置。
  6. 請求項1ないし5のいずれかに記載の真空処理装置の脱ガス処理装置、を備えたことを特徴とする真空処理装置。
JP2008324934A 2008-12-22 2008-12-22 真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置 Pending JP2010144233A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008324934A JP2010144233A (ja) 2008-12-22 2008-12-22 真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008324934A JP2010144233A (ja) 2008-12-22 2008-12-22 真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010144233A true JP2010144233A (ja) 2010-07-01

Family

ID=42564949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008324934A Pending JP2010144233A (ja) 2008-12-22 2008-12-22 真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010144233A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102725535A (zh) * 2010-06-24 2012-10-10 埃地沃兹日本有限公司 真空泵
JP2021046795A (ja) * 2019-09-17 2021-03-25 株式会社アルバック オイルフリー真空ポンプ及び真空処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102725535A (zh) * 2010-06-24 2012-10-10 埃地沃兹日本有限公司 真空泵
JP2021046795A (ja) * 2019-09-17 2021-03-25 株式会社アルバック オイルフリー真空ポンプ及び真空処理装置
JP7312066B2 (ja) 2019-09-17 2023-07-20 株式会社アルバック 真空処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009534574A5 (ja)
TW200641981A (en) Plasma processing apparatus
ATE478689T1 (de) Vakuumsterilisationsverfahren und vorrichtung
JP4968028B2 (ja) レジスト除去装置
JP2009081395A (ja) 基板処理装置
JP6465442B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2006210948A5 (ja)
JP2004263209A5 (ja)
JP2010144233A (ja) 真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置
JP2004047695A5 (ja)
WO2017208311A1 (ja) プラズマ処理装置及び方法
US8197704B2 (en) Plasma processing apparatus and method for operating the same
JP2012089591A5 (ja) 真空処理方法
JP2010225847A (ja) 真空処理装置,減圧処理方法,基板処理方法
JPH04150903A (ja) トラップ装置
JP2005109453A5 (ja)
JP2007317908A (ja) クリーニング装置
JP6417103B2 (ja) 表面処理装置および表面処理方法
JP2003077897A5 (ja)
JP2010142765A (ja) 真空処理装置の脱ガス装置、真空処理装置の脱ガス方法および真空処理装置
JPH09186108A (ja) クラスタツール装置
CN104752258A (zh) 等离子体处理腔室的清洁方法
JP2000232098A (ja) 試料温度制御方法及び真空処理装置
JP6716234B2 (ja) 金属ナノ粒子の製造装置および製造方法
JP2009001898A (ja) 真空処理方法及び真空処理装置