JP2010141169A - 電極基板、電極基板の検査方法、半導体素子の実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の電極が設けられた基板において、基板の熱膨張の程度によらず、電極に接続された配線の導電性及び絶縁性を検査可能である電極基板を提供する。
【解決手段】基材と、前記基材の端部に向かい放射状に広がるように配置した複数の第１電極と、前記複数の第１電極が放射状に広がる端部に対向した端部から前記複数の第１電極に向かって放射状に広がる複数の第２電極とを備え、前記複数の第１電極は、前記基材が熱変形した後の第１の位置における第１電極の間隔と同じ間隔である第２の位置を有し、前記複数の第２電極は、前記基材が熱変形した後の第３の位置における第２電極の間隔と同じ間隔である第４の位置を有することを特徴とする電極基板。
【選択図】図２

Description

本発明は、複数の配線に接続された複数の電極を表面に備える電極基板、その電極基板の複数の配線の電気特性を検査する検査方法、及びその電極基板へ半導体素子を実装する方法に関するものである。

表示パネルに使用されるフィルム基板上に設けられた複数の表示用配線の電気特性を一括して検査する検査方法が知られている。この検査の際、検査端子と電極との位置が合わないことにより、検査端子と電極とが接触できず、配線の検査ができない場合がある。これは以下の理由による。表示パネルの製造工程において、乾燥やベークなどの熱処理により、フィルム基板は膨張、収縮を繰り返す。電極パタンの検査工程は、熱処理を終えた後に行う。製造工程で加わる熱によりフィルム基板上の電極の間隔（ピッチ）は広がる。熱処理後の電極の位置は、同じ形状、材料の基板を使用しても異なる場合がある。

また、フィルム基板には、表示パネルを駆動するための半導体素子が実装される。表示パネルを小型化するため、近年、半導体素子の回路面がフィルム基板と対面するように実装される（例えば、特許文献２を参照）。この実装方式はフリップチップ方式と呼ばれる。

しかし、フリップチップ方式により半導体素子を実装する際、上記と同様、基板が熱膨張、収縮を繰り返すことにより、半導体素子側の接続端子とフィルム基板上の電極との位置が合わず、接続端子と電極とが接触できないおそれがある。接続端子と電極との接触不良は表示パネルの点灯不良を引き起こす。
特開平０９−１９６９９２号公報 特開２０００−１２４２５５号公報

複数の電極が設けられた基板において、基板の熱膨張の程度によらず、電極に接続された配線の導電性及び絶縁性を検査可能な電極基板を提供する。また、複数の電極が設けられた基板において、基板の熱膨張の程度によらず、電極に半導体素子の接続端子を接触可能な電極基板を提供する。

本発明の一側面によると、基材と、前記基材の端部に向かい放射状に広がるように配置した複数の第１電極と、前記複数の第１電極が放射状に広がる端部に対向した端部から前記複数の第１電極に向かって放射状に広がる複数の第２電極とを備え、前記複数の第１電極は、前記基材が熱変形した後の第１の位置における第１電極の間隔と同じ間隔である第２の位置を有し、前記複数の第２電極は、前記基材が熱変形した後の第３の位置における第２電極の間隔と同じ間隔である第４の位置を有することを特徴とする電極基板が提供される。

本発明の電極基板において、熱による基板の変形量がばらついても、検査端子と検査用電極とを接触させ、一度に配線の検査を行うことができる。また、本発明の電極基板に半導体素子を実装する際、熱による基板の変形量がばらついても、半導体素子の接続端子と、基板上の実装用電極との接触不良が生じにくく、表示パネルの点灯不良が起きにくい。

〜電極基板〜
図１及び図２を用いて、第１実施形態の電極基板について説明する。第１実施形態の電極基板は、配線や回路が形成され、その配線や回路の端部に電極が形成された基板である。電極基板の一例として、液晶表示パネルの液晶を封止し、液晶に対して電界を印加可能な透明電極パタンを表面に備えるフィルム基板が挙げられる。

図１は、第１実施形態を示す電極基板の上面図である。本実施形態の電極基板１は、基材１１、基材１１上に設けられた配線部１２、配線部１２の両端に設けられた第１電極部１３及び第２電極部１４を有する。電極基板１上に、更にアライメントマーク（基準点）１５及び１６が設けられている。

基材１１に使用される材料は特に限定されないが、表示パネルに用いられる電極基板１において、基材１１の材料は、例えばポリエチレンテレフタラート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）、ポリカーボネート(Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）などの樹脂である。これらの樹脂からなるフィルム基材は、表示パネルの製造工程において印加される熱による変形が大きい。これらのフィルム基材の熱膨張率は７０〜１００ｐｐｍ／Ｋ程度である。

配線部１２は、導電性を有する複数の配線からなる。配線部１２に用いられる材料は、導電性を有する限り特に限定されない。例えば液晶表示パネルなど、表示パネルの部材として用いられる電極基板において、配線部１２の複数の配線は液晶などの表示材料に対して電界を印加する電極として機能するため、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明且つ導電性を有する材料で構成されることが好ましい。配線部１２は、例えば、スパッタリング法等により基材１１上に導電性の膜を堆積させた後、フォトリソグラフィ法などによるパターニングを行うことにより形成される。

配線部１２に含まれる各配線の両端には、配線間の短絡や配線の断線などの有無を検査するための検査用電極が設けられる。各配線の両端に設けられた検査用電極は、通常、配線部１２の両端に沿って列状に配置される。これら列状に配置された検査電極群をそれぞれ第１電極部１３及び第２電極部１４と称呼する。これらの検査用電極に用いられる材料は導電性を有していればよく、例えば金、白金、銅などである。検査用電極は、例えば、スパッタリング法等により基材１１上に導電性の膜を堆積させた後、フォトリソグラフィ法などによるパターニングを行うことにより形成される。検査用電極の形態、配置に関する詳細は後述する。

電極基板１は、その製造途中において、昇温及び降温を繰り返すことによる膨張及び伸縮を繰り返す。基材１１に設けられるアライメントマーク１５及び１６は、この膨張及び伸縮による基材１１の変形の程度を算出するために設けられる。アライメントマークの形態、位置等は特に限定はない。第１電極部１３及び第２電極部１４に含まれる電極の一部をアライメントマークとして用いてもよいし、基材１１に形成した貫通孔をアライメントマークとして用いてもよい。

図２は、図１に示される電極基板の第１電極部１３及び第２電極部１４及びその周辺を拡大した上面図である。第１電極部１３は複数の配線２１の一端に接続された接続パッド２３及び検査用電極３０が設けられている。第２電極部１４は配線２１の他端に接続された接続パッド及び検査用電極４０が設けられている。

配線部１２は、複数の配線２１が配置されてなる。各配線２１の形状は特に限定されないが、通常直線状である。複数の直線状の配線２１は、通常互いに平行に等間隔に配置される。

接続パッド２３、２４は、配線２１の両端にそれぞれ設けられている。接続パッド２３、２４は、表示パネルを駆動させる回路基板や半導体素子が接続された中継基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）と、配線２１とを電気的に接続するために設けられる電極である。

検査用電極３０、４０は、接続パッド２３、２４の先端にそれぞれ設けられている。なお、検査用電極３０は、個々の検査用電極３０ａ〜３０ｇを総称し、検査用電極４０は個々の検査用電極４０ａ〜４０ｇを総称している。また、検査用電極３０及び４０はそれぞれ７個配置されているが、本発明の電極基板において基材上に設けられる電極の数は特に限定されない。

検査用電極３０及び４０は、配線２１の電気的特性を検査する検査装置の検査端子を接触させる部分である。検査用電極３０及び４０は各々長手方向を有する。検査用電極３０の長手方向の一端は、接続パッド２３に接続され、配線２１の一端と電気的に接続されている。検査用電極４０の長手方向の一端は、接続パッド２４に接続され、配線２１の接続パッド２３が接続された端の反対端と電気的に接続されている。なお、本実施形態において、検査用電極３０及び４０は、それぞれ接続パッド２３及び２４を介して配線２１の両端と電気的に接続されているが、基材１１上に接続パッド２３及び２４を設けず、検査用電極３０及び４０が配線２１の両端に直接接続されていてもよい。

複数の検査用電極３０は、点Ｐ１から、基材１１の端部に向かい放射状に広がるように配置されている。複数の検査用電極４０は、点Ｐ２から、複数の検査用電極３０が放射状に広がる端部に対向した基材１１の端部に向かって放射状に広がるように配置されている。複数の検査用電極３０は、互いに平行な第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２に挟まれた場所に配置されている。複数の検査用電極４０は、互いに平行な第３直線Ｌ３及び第４直線Ｌ４に挟まれた場所に配置されている。第２直線Ｌ２は第１直線Ｌ１と前記第３直線Ｌ３の間に存在する。第１直線Ｌ１〜第４直線Ｌ４は、それぞれ基準線ＢＬに垂直である。但し、点Ｐ１及びＰ２は、それぞれ厳密に一点ではなくてもよく、各検査用電極の形状及び大きさ次第で、大きさを持っていてよい。

複数の検査用電極３０は互いに離れており、基準線ＢＬに沿って配線２１から遠ざかるほど複数の検査用電極３０の基準線ＢＬに垂直な方向のピッチが狭くなる。一方、複数の検査用電極４０は互いに離れており、基準線ＢＬに沿って配線２１に近づくほど複数の検査用電極４０の基準線ＢＬに垂直な方向のピッチが狭くなる。例えば、直線状の検査用電極３０及び４０は、それぞれ基準線ＢＬから遠ざかるにつれて基準線ＢＬに対する傾き角が大きくなるようにレイアウトする。図２において、検査用電極３０ａ〜３０ｇの傾き角をそれぞれθａ〜θｇとすると、θｃ＜θｂ＜θａ、θｅ＜θｆ＜θｇである。基準線ＢＬ上に設けられた検査用電極３０ｄのなす角θｄ（図示せず）は０°である。角θａ〜θｃ及びθｅ〜θｇは、各検査用電極の幅、長さによって許容範囲が変わるが、隣の電極と接触しない角度であれば良く、例えば４５°以下が好ましい。基準線ＢＬは、基材１１の表面の任意の位置に設定され、例えば、基準線ＢＬは配線部１２の中央に設定される。

電極基板１は、その製造工程において加熱及び冷却を繰り返す。基材１１は加熱及び冷却により膨張及び収縮を繰り返し、製造プロセス終了後において電極基板１は、通常、元の大きさよりも膨張する。そこで、検査用電極３０及び４０の基材１１上における平面配置は、製造プロセス前後における基材１１の平均的な変形量を考慮した上で定められている。例えば、各検査用電極の傾き角は、基材１１の熱膨張係数と基準線ＢＬからの距離を掛け合わせた量に基づき設定することができる。また、傾き角θは、複数の基材１１の熱膨張量を予め測定し、測定値の統計平均および標準偏差に基づき設定してもよい。

本実施形態の電極基板１は、基材１１上に設けられた複数の検査用電極３０及び４０がそれぞれ長手方向を有し、複数の検査用電極３０及び４０はそれぞれ列をなし、複数の検査用電極３０及び４０の基準線ＢＬに垂直な方向のピッチは基準線ＢＬに沿った一方向に向かうほど狭くなる。

液晶表示パネルなど、表示パネルの部材として用いられる電極基板において、一般的に、複数の検査用電極３０及び４０をそれぞれ含んでなる第１電極部１３及び第２電極部１４は、複数の配線２１を含んでなる配線部１２を挟んだ２辺に設けられる。配線２１は通常直線上であり、互いに平行に等間隔に配置される。検査用電極３０は配線２１から離れるほど基準線ＢＬに近づく形状を有し、検査用電極４０は、配線２１から離れるほど基準線ＢＬから離れる形状を有する。

上記検査用電極３０及び４０の形状及び配置により、電極基板１の製造後、複数の検査端子を備える検査ヘッドを用いて一度に配線部１２の電気特性を検査することができる。
基材１１は電極基板１の製造前後において、熱により変形する。基材１１の熱による変形に伴い、複数の検査用電極３０及び４０の基準線ＢＬに垂直な方向の各電極の間隔は変化する。熱変形する前のある位置（第２の位置）における複数の検査用電極３０の間隔は、熱変形した後の別の位置（第１の位置）における検査用電極３０の間隔と同じになる。また、熱変形する前のある位置（第４の位置）における複数の検査用電極４０の間隔は、熱変形した後の別の位置（第３の位置）における検査用電極４０の間隔と同じになる。よって、基材の品質が平均的で且つ平均的な製造条件で製造された電極基板だけでなく、基材１１の品質のばらつきや電極基板の製造条件のばらつきなどにより、熱膨張の程度が異なる電極基板においても、後述の検査ヘッドが備える複数の検査端子を検査用電極３０及び４０に接触させることができる。すなわち、上記形状及び配置の検査用電極３０及び４０を備える電極基板１において、製品ごとに基材１１の膨張の程度にばらつきが生じても、複数の検査端子を備える検査ヘッドを基準線ＢＬに沿って移動させることにより、全ての検査端子を検査用電極３０及び４０と接触させることができる。上記形状及び配置の検査用電極３０及び４０を備える電極基板１において、配線部１２の電気特性は一度に検査されうる。配線部１２の電気特性を一度に検査する方法の詳細は、図１０〜１３を用いて後述する。

また、第１実施形態において、複数の検査用電極３０及び４０の基準線ＢＬに垂直な方向のピッチは基準線ＢＬに垂直なある直線上において同一であるが、必ずしも同一でなくてもよい。

基準線ＢＬは、基材１１上に複数存在していてもよい。このとき、各基準線ＢＬは互いに平行であることが、基材１１上に設けられた複数の検査用電極に対して、一度に検査端子を接触させることができる点から好ましい。

なお、図２において、基準線ＢＬに垂直な方向をＸ軸、基準線ＢＬに沿った方向をＹ軸、Ｘ及びＹ軸に垂直な方向をＺ軸と表記している。これは、後述の図４、５、８、９、１１〜１３、１５、１６、１８〜２１において同様である。

以下、図３及び４を用いて、第２実施形態の電極基板について説明する。なお、第１の実施の形態と同一の構成要素には同一の参照符号を付して、その説明を省略する。第２実施形態の電極基板は、第１実施形態の電極基板と同様、例えば液晶表示パネルの液晶を封止するためのフィルム基材のように、基材上にＩＴＯなどの透明電極パタンが形成された電極基板である。

図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第２実施形態を示す電極基板の上面図である。図３（ａ）に示される第２実施形態の電極基板１ａは、基材１１、配線部１２、実装用電極部１３ａ、接続配線部１３ｂ、アライメントマーク（基準点）１５及び１６を有する。実装用電極部１３ａは、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ−Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）などの半導体素子のバンプを介して基材１１と対面するように実装するための複数の実装用電極からなる。この半導体素子は、例えば表示パネルを駆動するために実装される。接続配線部１３ｂは、配線部１２に設けられた配線と、実装用電極部１３ａに設けられた実装用電極とを電気的に接続する配線を備える。実装用電極部１３は、図３（ａ）において配線部１２の一端に設けられているが、例えば配線部１２の両端に設けられていてもよい。

図３（ｂ）に示される第２実施形態の電極基板１ｂは、基材１１１、配線部１１２、電極部１１３ａ、接続配線部１１３ｂ、アライメントマーク１１５及び１１６を有する。基材１１１は図３（ａ）の基材１１に、配線部１１２は図３（ａ）の配線部１２に、実装用電極部１１３ａは図３（ａ）の実装用電極部１３ａに、接続配線部１１３ｂは図３（ａ）の接続配線部１３ｂに、アライメントマーク１１５及び１１６は図３（ａ）のアライメントマーク１５及び１６にそれぞれ対応するため、説明は省略する。

図４は、図３（ａ）に示される電極基板１ａの実装用電極部１３ａの平面配置を示す上面図である。実装用電極部１３ａは、実装用電極１３０、１４０からなる。実装用電極１３０は個々の実装用電極１３０ａ〜１３０ｇを総称し、実装用電極１４０は個々の実装用電極１４０ａ〜１４０ｇを総称する。実装用電極１３０は、それぞれ配線１３１が接続されている。実装用電極１４０は、それぞれ配線１４１が接続されている。配線１４１は、接続配線部１３ｂを構成し、実装用電極１３０と配線部１２の配線（図示せず）とを電気的に接続する。

実装用電極１３０及び１４０は、バンプと呼ばれる突起状の接続端子を介して半導体素子と電気的に接続するための電極である。実装用電極１３０は、点Ｐ１から、基材１１１の端部に向かい放射状に広がるように配置されている。実装用電極１４０は、点Ｐ２から、実装用電極１３０が放射状に広がる端部に対向した基材１１１の端部に向かって放射状に広がるように配置されている。実装用電極１３０は、互いに平行な第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２に挟まれた場所に配置されている。実装用電極１４０は、互いに平行な第３直線Ｌ３及び第４直線Ｌ４に挟まれた場所に配置されている。第２直線は第１直線と前記第３直線の間に存在する。第１直線Ｌ１〜第４直線Ｌ４は、基準線ＢＬに垂直である。但し、点Ｐ１及びＰ２は、それぞれ厳密に一点ではなくてもよく、各検査用電極の形状及び大きさ次第で、大きさを持っていてもよい。

実装用電極１３０及び１４０は各々長手方向を有する。複数の実装用電極１３０は互いに離れており、基準線ＢＬに沿って一方向に進むほど実装用電極１３０のピッチが狭くなる。複数の実装用電極１４０も互いに離れており、基準線ＢＬに沿って上記一方向に進むほど実装用電極１４０のピッチが狭くなる。例えば、直線状の実装用電極１３０及び１４０は、それぞれ基準線ＢＬから遠ざかるにつれて基準線ＢＬに対する傾き角θが大きくなるようにレイアウトする。図４において、検査用電極１３０ａ〜１３０ｇの傾き角をそれぞれθａ〜θｇとすると、θｃ＜θｂ＜θａ、θｅ＜θｆ＜θｇである。基準線ＢＬ上に設けられた検査用電極１３０ｄのなす角θｄ（図示せず）は０°である。角θａ〜θｃ及びθｅ〜θｇは、各検査用電極の幅、長さによって許容範囲が変わるが、隣の電極と接触しない角度であれば良く、例えば４５°以下が好ましい。基準線ＢＬは、基材１１の表面の任意の位置に設定され、例えば、基準線ＢＬは配線部１２の中央に設定される。基準線ＢＬは、基材１１の表面の任意の位置に設定され、例えば、基準線ＢＬは配線部１２の中央に設定される。

電極基板１ａは、上記第１実施形態の電極基板１と同様、その製造工程において加熱及び冷却を繰り返す。そこで、実装用電極１３０及び１４０の基材１１上における平面配置は、製造プロセス前後における基材１１の平均的な変形量を考慮した上で定められている。

本実施形態の電極基板１ａは、基材１１上に設けられた複数の実装用電極１３０及び１４０がそれぞれ長手方向を有し、複数の実装用電極１３０及び１４０はそれぞれ列をなし、実装用電極１３０及び１４０の基準線ＢＬに垂直な方向のピッチは、基準線ＢＬに沿った一方向に向かうほどそれぞれ狭くなる。

上記実装用電極１３０及び１４０の形状及び配置により、電極基板１ａの製造後、複数のバンプを備える半導体素子を位置ずれなく電極基板１ａに実装することができる。基材１１は電極基板１ａの製造前後において、熱により変形する。基材１１の熱による変形に伴い、実装用電極１３０及び１４０の基準線ＢＬに垂直な方向の各電極の間隔は変化する。熱変形する前のある位置（第２の位置）における実装用電極１３０の間隔は、熱変形した後の別の位置（第１の位置）における実装用電極１３０の間隔と同じになる。また、熱変形する前のある位置（第４の位置）における実装用電極１４０の間隔は、熱変形した後の別の位置（第３の位置）における実装用電極１４０の間隔と同じになる。よって、基材１１の品質が平均的で且つ平均的な製造条件で製造された電極基板１ａだけでなく、基材１１の品質のばらつきや電極基板１ａの製造条件のばらつきなどにより熱膨張の程度が異なる電極基板においても、後述の半導体素子が備える複数のバンプを実装用電極１３０及び１４０に接触させることができる。すなわち、上記形状及び配置の実装用電極１３０及び１４０を備える電極基板１ａにおいて、製品ごとに基材１１の膨張の程度にばらつきが生じても、複数のバンプを備える半導体素子を基準線ＢＬに沿って移動させることにより、全てのバンプを実装用電極１３０及び１４０と接触させることができる。複数のバンプを備える半導体素子を位置ずれなく電極基板１ａに実装する方法の詳細は、図１４〜図２１を用いて後述する。

また、第２実施形態において、実装用電極１３０及び１４０の基準線ＢＬに垂直な方向のピッチは基準線ＢＬに垂直なある直線上において同一であるが、必ずしも同一でなくてもよい。

基準線ＢＬは、第１実施形態の電極基板と同様に、基材１１上に複数存在してもよい。このとき、各基準線ＢＬは互いに平行であることが、基材１１上に設けられた複数の実装用電極に対して、一度にバンプを接触させることができる点から好ましい。

図５は、図３（ｂ）に示される電極基板１ｂの実装用電極部１１３ａの平面配置を示す上面図である。実装用電極部１１３ａは、いずれも実装用電極１３０、１４０からなる。電極基板１ｂの実装用電極部１１３ａは、電極基板１ａの実装用電極部１３ａを９０°回転させたものであるため、説明を省略する。

図６は、半導体素子を実装する電極基板の一例である液晶表示パネルの模式図である。図６（ａ）は液晶表示パネルの主面の上面図であり、図６（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ左右の端部を示す側面図である。液晶表示パネル１０１は、図３（ａ）、図３（ｂ）、図４、図５に示される電極基板１ａ、１ｂで液晶表示材料１０２を挟んだ構造を備える。液晶表示材料は配線部１２及び１１２により挟まれている。電極基板１ａの実装用電極部１３ａ、及び電極基板１ｂの実装用電極部１１３ａは表面に露出している。通常、このように電極パネルを供える電極基板に対して、半導体素子が実装される。なお、図６において、電極基板１ａに対応するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を表記している。

上記実施形態の電極基板の製造方法は特に限定されるものではない。上記実施形態の電極基板は、集積回路の製造に用いられるスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ法やエッチング法等を利用したパターニング技術、及び機械加工や研磨加工などの研磨技術を含む既存の薄膜製造プロセスを用いて作成できる。

〜電極基板の検査方法〜
図７は、上記電極基板を検査する検査装置の構成例を示す図である。検査装置は、検査ヘッド５１、ステージ５４、ヘッド駆動部５５、カメラ５６、認識部５７、制御部５８、及び抵抗測定器５９を備える。

検査ヘッド５１は、電極基板１の配線部２１の電気特性を一度に測定するために、複数の検査端子からなる検査端子部５２及び５３を備える。検査端子部５２及び５３にはそれぞれ検査端子が列状に並べられている。検査ヘッド５１によれば、検査ヘッド５１に設けられた複数の検査端子を、電極基板に設けられた複数の検査用電極に一度に接触させることにより、検査ヘッド５１を移動させることなく、配線部１２が有するすべての配線について電気特性の測定を行うことが可能である。配線部１２の配線について電気特性を検査することにより、隣接する配線が互いに短絡していないことや、各配線が破断していないこと等を確認する。

ステージ５４は、電極基板１を固定するための載置台である。電極基板１を固定する手段は特に限定されないが、例えば電極基板１をステージ５４に吸着固定することができる。

ヘッド駆動部５５は、ステージ５４に固定された電極基板１に対する検査ヘッド５１の相対位置を変化させることが可能な装置である。ヘッド駆動部５５の構成は特に限定されないが、例えばＸＹＺ軸方向に移動させることが可能な機構と、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向にそれぞれ移動させるモーターとを含んで構成される。検査ヘッド５１はヘッド駆動部５５のＸＹＺ軸方向に移動させることが可能な機構に取り付けられる。

カメラ５６は、ステージ５４に固定された電極基板１を撮影するため、ステージ５４の上方に設けられる。認識部５７は、カメラ５６により撮像した画像をもとに、第１電極部１３及び第２電極部１４の検査用電極の配置に関する情報を認識する。

第１電極部１３及び第２電極部１４の位置情報の認識は、例えば以下のように行う。電極基板１上にアライメントマークを複数設けておく。また、電極基板の平均的なアライメントマークの位置情報（例えば、アライメントのＸ、Ｙ座標、アライメント間の距離）を、認識部５７が備える任意の記憶装置（図示せず）に予め記憶しておく。平均的なアライメントマークの位置情報は、例えば予め作成した複数の電極基板１について測定したアライメントマークの平均位置の情報である。カメラ５６で撮影した測定対象の電極基板１上のアライメントマークの位置を、予め記憶された平均的なアライメントマークの位置情報と比較し、測定対象のアライメントマークの平均的なアライメントマークの位置からの変位量を測定する。算出したアライメントマークの変位量から、検査ヘッド５１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる量を算出する。

抵抗測定器５９は、検査ヘッド５１に設けられた複数の検査用電極に接続され、複数の電極間の抵抗値を測定する。

制御部５８は、カメラ５６から画像を取得し、取得した画像を認識部５７に送る。また、制御部５８は、認識部５７が算出した検査ヘッド５１を移動させる量を取得し、ヘッド駆動部５５を駆動させ、検査ヘッド５１を検査可能な位置に移動させる。また、制御部５８は、抵抗測定器５９を制御して配線部２１の電気特性を測定する。

図８は、上記電極基板の検査装置の検査ヘッド及びステージの一例を電極基板と共に示す断面模式図である。ステージ５４の上に、基材１１、配線部１２、第１電極部１３、第２電極部１４を含んでなる電極基板１が固定されている。ステージ５４の上方に、第１検査端子部５２及び第２検査端子部５３が設けられた検査ヘッド５１が配置されている。検査ヘッド５１は、図示されないＸＹＺ方向の駆動が可能なヘッド駆動部（図示せず）に固定されている。

電極基板１の配線部１２の電気特性を検査するための検査端子が設けられた第１検査端子部５２及び第２検査端子部５３を備える。第１検査端子部５２には、電極基板１の第１電極部１３の検査用電極３０と接触できるような形状及び配置の複数の検査端子が設けられている。第２検査端子部５３には、電極基板１の第２電極部１４の検査用電極４０接触できるような形状及び配置の複数の検査端子が設けられている。

第１検査端子部５２及び第２検査端子部５３に含まれる複数の検査端子は、配線部２１の抵抗値を測定する抵抗測定器（図示せず）にそれぞれ接続される。また、ステージ５４の上方に、電極基板１を撮像するためのカメラ（図示せず）が設けられる。

図９は、検査ヘッド５１の第１検査端子部５２及び第２検査端子部５４を拡大した平面模式図である。検査ヘッド５１は、図１及び図２のように配線部１２の両端に第１電極部１３及び第２電極部１４が設けられた電極基板の配線部の電気特性を一度に検査するため、第１電極部１３の検査用電極３０に対応する配列の検査端子５２ａ〜５２ｇを有する第１検査端子部５２、第２電極部１４の検査用電極４０に対応する配列の検査端子５３ａ〜５３ｇを有する第２検査端子部５３を備える。上記電極基板１において、第１電極部１３の複数の検査用電極３０は、基準線ＢＬに沿って配線部１２から離れるにつれてピッチが狭くなるような形状を有し、配列されている。検査端子５２ａ〜５２ｇのピッチは、複数の検査用電極３０のピッチの範囲内である。また、第２電極部１４の複数の検査用電極４０は、基準線ＢＬに沿って配線部２１に近づくにつれてピッチが狭くなるような形状を有し、配列されている。検査端子５３ａ〜５３ｇのピッチは、複数の検査用電極４０のピッチの範囲内である。配線部１２の電気特性を検査することにより、複数の配線が互いに短絡していないことや、各配線が破断していないこと等を確認する。

図１０は、電極基板の検査方法の一例を示すフローチャートである。図１０を用いて、電極基板の検査方法を説明する。

まず、ステージ５４に電極基板１を固定する（Ｓ５１）。固定の手段は、特に限定されず、例えば電極基板１をステージ５４に吸着固定することができる。

次に、制御部５８は、カメラ５６により電極基板１の画像を撮像し、認識部５７により電極基板１に設けられたアライメントマーク１５及び１６の位置を認識し、すなわち、測定対象のアライメントマークの平均的なアライメントマークの位置からの変位量を算出し、検査ヘッド５１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる量（オフセット値）を算出する（Ｓ５２）。複数の検査端子を備える検査ヘッドを移動させることにより、検査端子の位置と基材１１上の検査電極パタンの位置とが一致する箇所が存在する。このため、基板１１上の検査用電極３０、４０を複数の検査端子と位置ずれなく接触させることができる。

例えば、下記式（１）により検査ヘッド５１のＹ軸方向の移動量（オフセット値）を算出することができる。

（オフセット値）＝α・ΔＬ／σ＋Δｙ （１）
但し、αはＹ軸方向の移動量に関する補正係数、ΔＬは測定した電極基板のアライメントマークの基準線ＢＬ方向の変移量、σは複数の電極基板について予め測定したアライメントマークの基準線ＢＬ方向の変移量データから算出した標準偏差、Δｙは測定した電極基板のアライメントマーク２点の基準線ＢＬに垂直な方向の変移量の差分（ｙ１−ｙ２）を表す。

なお、アライメントマークを認識し、検査ヘッド５１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる量（オフセット値）を算出する代わりに、隣り合う検査用電極の全部又は一部の基準線ＢＬに垂直な方向のピッチをカメラ５６により撮像した電極基板１の画像から読み取り、そのピッチがバンプのピッチと一致する位置に検査ヘッド５１を移動させることとしてもよい。

次に、制御部５８はヘッド駆動部５５を駆動させて、検査ヘッド５１を電極基板１の主面に水平な方向（Ｘ軸、Ｙ軸方向）へ算出した移動量だけ移動させる（Ｓ５３）。

図１１は、平均的な熱膨張による変形をした電極基板と検査端子とを重ね合わせた図である。第１検査端子部５２及び第２検査端子部５３の複数の検査端子がそれぞれなす列は、基準線ＢＬと垂直である。第１検査端子部５２の複数の検査端子は複数の検査用電極３０に対して位置ずれすることなく接触でき、第２検査端子部５３の複数の検査端子は複数の検査用電極４０に対して位置ずれすることなく接触できる。

図１２は、熱膨張による変形量が平均的な値よりも小さい電極基板と検査端子とを重ね合わせた図である。隣り合う第１検査端子部５２のピッチ、及び第２検査端子部５３のピッチは変化が無い。Ｙ軸のマイナス側に図示されない検査ヘッド５１を移動させることにより、検査用電極４０と検査端子部５２及び５３の隣り合う検査端子のピッチとがほぼ等しくなり、第２検査端子部５３の複数の検査端子は複数の検査用電極４０に対して位置ずれすることなく接触できる。

図１３は、熱膨張による変形量が平均的な値よりも大きい電極基板と検査端子とを重ね合わせた図である。隣り合う第１検査端子部５２のピッチ、及び第２検査端子部５３のピッチは変化が無い。Ｙ軸のプラス側に図示されない検査ヘッド５１を移動させることにより、検査用電極４０と検査端子部５２及び５３の隣り合う検査端子のピッチとがほぼ等しくなり、第２検査端子部５３の複数の検査端子は複数の検査用電極４０に対して位置ずれすることなく接触できる。

次に、制御部５８は、ヘッド５５を駆動させて、検査ヘッド５１を電極基板１の主面に垂直に（Ｚ軸方向に）移動させ、第１検査端子部５２及び第２検査端子部５３の検査端子を、第１電極部１３及び第２電極部１４の検査用電極に接触させる（Ｓ５４）。

次に、制御部５８は抵抗測定器５９を駆動させて、配線部２１の電気特性を検査する（Ｓ５５）。具体的には、隣り合う配線２１の間に電圧を印加して隣り合う配線間が短絡しているか否か、及び各配線２１の両端に電圧を印加して配線が破断しているか否かを確認する。

最後に、ステージ５４から電極基板１をはずす（Ｓ５６）。

上記電極基板の検査方法によれば、基材の熱膨張による変形量が平均的な値からずれていても、複数の検査用電極の列方向に垂直な方向に検査ヘッドを移動させることにより、検査端子と検査用電極とを接触させ、配線の検査を行うことができる。

〜電極基板への半導体の実装方法〜
図１４は、上記電極基板に半導体素子を実装するための半導体実装装置の構成例を示す図である。

半導体実装装置は、半導体素子搭載ヘッド１５１、ステージ１５４、ヘッド駆動部１５５、ステージ駆動部１５９、カメラ１５６、認識部１５７、及び制御部１５８を備える。

半導体素子搭載ヘッド１５１は、ＬＳＩなどの半導体素子を一時的に固定する冶具である。半導体素子を固定する手段は、特に限定されないが、例えば半導体素子を半導体素子搭載ヘッド１５１に吸着固定することができる。半導体素子の実装の際に、昇温状態を保持するため、半導体素子搭載ヘッド１５１には、表示パネル１０１を加熱するための図示されないヒーターが設けられていてもよい。

ステージ１５４は、電極基板を固定するための載置台である。電極基板を固定する手段は特に限定されないが、例えば電極基板をステージ１５４に吸着固定することができる。半導体素子の実装の際に、昇温状態を保持するため、ステージ１５４には、電極基板を加熱するための図示されないヒーターが設けられていてもよい。

ステージ駆動部１５９は、ステージ１５４に固定された電極基板に対する半導体素子搭載ヘッド１５１に固定された半導体素子の相対位置を変化させることが可能な装置である。ステージ駆動部１５９の構成は特に限定されないが、例えばＹ軸方向に移動させることが可能な機構と、Ｙ軸方向にそれぞれ移動させるモーターとを含んで構成される。ステージ駆動部１５９は、更にＸ軸方向及びＺ軸方向に移動させるモーターを含み、ステージはＸ軸及びＺ軸方向に移動させることが可能であってもよい。ステージ１５４はステージ駆動部１５９に取り付けられる。

ヘッド駆動部１５５は、ステージ１５４に固定された電極基板に対する半導体素子搭載ヘッド１５１に固定された半導体素子の相対位置を変化させることが可能な装置である。ヘッド駆動部１５５の構成は特に限定されないが、例えばＸ、Ｚ軸方向に移動させることが可能なステージと、Ｘ軸方向、Ｚ軸方向にそれぞれ移動させるモーターとを含んで構成される。ヘッド駆動部１５５は、更にＹ軸方向に移動させるモーターを含み、ステージはＹ軸方向に移動させることが可能であってもよい。半導体素子搭載用ヘッド１５１は半導体素子搭載ヘッド１５１のステージに固定される。

カメラ１５６は、ステージ１５４に固定された電極基板を撮影するため、ステージ１５４の上方に設けられる。認識部１５７は、カメラ１５６により撮像した画像に写るアライメントマークを認識する。このアライメントマークの位置情報から、半導体素子搭載ヘッド１５１を移動させる量を算出する。半導体素子搭載ヘッド１５１の移動量の算出は、例えば以下のように行う。電極基板の平均的なアライメントマークの位置情報を、認識部１５７が備える任意の記憶装置に予め記憶しておく。平均的なアライメントマークの位置情報は、例えば予め作成した複数の電極基板について測定したアライメントマークの平均位置の情報である。カメラ１５６で撮影した測定対象の電極基板上のアライメントマークの位置を、予め記憶された平均的なアライメントマークの位置情報と比較し、平均的なアライメントマークの位置と測定対象のアライメントマークの位置との距離（変位量）を測定する。算出したアライメントマークの変位量から、半導体素子搭載ヘッド１５１を移動させる量を算出する。

制御部１５８は、カメラ１５６から画像を取得し、取得した画像を認識部１５７に送る。また、制御部１５８は、認識部１５７が算出した半導体装置搭載ヘッド１５１をＸ方向に移動させる量及びステージ１５４をＹ方向に移動させる量を取得し、ヘッド駆動部１５５及びステージ駆動部１５９を駆動させ、半導体素子搭載ヘッドを電極基板上の実装可能な位置にあわせる。

図１５は、半導体素子を固定した半導体素子搭載ヘッド、及び電極基板を固定したステージの一例を示す断面模式図である。ステージ１５４の上に、電極基板の一例として図６を用いて説明した液晶表示パネル１０１が固定されている。上面には実装用電極部１３ａが露出している。ステージ１５４の上方に、半導体素子搭載ヘッド１５１が配置されている。半導体素子搭載ヘッド１５１の下面に、半導体素子１８１が固定されている。ステージ１５４は、Ｙ軸方向の駆動が可能なステージ駆動部（図示せず）に固定されている。半導体素子搭載ヘッド１５１は、Ｘ軸、Ｚ軸方向の駆動が可能なヘッド駆動部（図示せず）に固定されている。

半導体素子１８１の下面には、液晶表示パネル１０１と半導体素子１８１とを電気的に接続するための接続端子（バンプ）が並んでいる第１バンプ列１８２及び第２バンプ列１８３を備える。第１バンプ列１８２には、実装用電極部１３ａの実装用電極１３０と接触できるような形状及び配置の複数のバンプが設けられている。第２バンプ列１８３には、実装用電極部１３ａの実装用電極１４０と接触できるような形状及び配置の複数のバンプが設けられている。バンプに用いられる材料は導電性を有していればよく、例えば金、白金、銅などである。

また、ステージ１５４の上方に、液晶表示パネル１０１を撮像するためのカメラ（図示せず）が設けられる。

図１６は、半導体素子とその表面に設けられた第１バンプ列と第２バンプ列を拡大した平面模式図である。図１６に示される半導体素子１８１は、図３及び図４に示される実装用電極部１３ａの実装用電極１３０に対応する配列のバンプ１８２ａ〜１８２ｇを備える第１バンプ列１８２、実装用電極１４０に対応する配列のバンプ１８３ａ〜１８３ｇを備える。

図３及び図４に示される第２実施形態の電極基板において、複数の実装用電極１３０は、基準線ＢＬに沿った一方向に向かってピッチが狭くなるような形状を有し、配列されている。バンプ１８２ａ〜１８２ｇのピッチは、複数の実装用電極１３０のピッチの範囲内である。また、複数の実装用電極１４０は、基準線ＢＬに沿った上記一方向に向かってピッチが狭くなるような形状を有し、配列されている。バンプ１８３ａ〜１８３ｇのピッチは、複数の実装用電極１４０のピッチの範囲内である。

図１７は、半導体素子の実装方法の一例を示すフローチャートである。図１７を用いて、半導体素子の実装方法を説明する。

まず、ステージ１５４に表示パネル１０１を固定する（Ｓ１４１）。表示パネル１０１は、例えば図６を用いて説明した液晶表示パネルである。表示パネル１０１は、電極基板１ａの電極部１３が上面に位置するように固定される。固定の手段は、特に限定されず、例えば空気により吸着固定することができる。

次に、ステージ１５４に設けられたヒータ（図示せず）により、表示パネル１０１が実装温度になるように加熱する（Ｓ１４２）。

次に、実装用電極部１３ａの上に、アンダーフィル１６０を塗布する（Ｓ１４３）。アンダーフィル１６０は、半導体素子−バンプ−実装用電極間を接着するために設けられる。アンダーフィル１６０は、例えば導電性粒子を含む液状である。アンダーフィル１６０は、フィルム状の樹脂を実装用電極部１３ａの上に積層されて形成されてもよい。

次に、制御部１５８は、カメラ１５６により表示パネル１０１の画像を撮像し、認識部１５７により表示パネル１０１に設けられたアライメントマーク（図示せず）の位置を認識し、半導体素子搭載ヘッド１５１を電極基板の基準線ＢＬに沿って移動させる量（オフセット値）を算出する（Ｓ１４４）。

複数のバンプを備える半導体素子を基準線ＢＬに沿った方向に垂直に移動させることにより、バンプの位置とパネルの実装用電極の位置とが一致する箇所が存在する。このため、パネル上の実装用電極にバンプを位置ずれなく接触させることができる。

例えば、下記式（１）により半導体素子搭載ヘッド１５１のＹ軸方向の移動量（オフセット値）を算出することができる。

（オフセット値）＝α・ΔＬ／σ＋Δｙ （１）
但し、αはＹ軸方向の移動量に関する補正係数、ΔＬは測定した電極基板のアライメントマークの基準線ＢＬ方向の変移量、σは複数の電極基板について予め測定したアライメントマークの基準線ＢＬ方向の変移量データから算出した標準偏差、Δｙは測定した電極基板のアライメントマーク２点の基準線ＢＬに垂直な方向の変移量の差分（ｙ１−ｙ２）を表す。

なお、アライメントマークを認識し、半導体素子搭載ヘッド１５１を電極基板の基準線ＢＬに沿って移動させる量（オフセット値）を算出する代わりに、隣り合う実装用電極の全部又は一部の基準線ＢＬに垂直な方向のピッチをカメラ１５６により撮像した表示パネルの画像から読み取り、そのピッチとバンプのピッチとが一致する位置に半導体素子搭載ヘッド１５１を移動させることとしてもよい。

一方、半導体素子１８１をヘッド駆動部１５５に固定しておく（Ｓ１４９）。

次に、制御部１５８は半導体素子を吸着させたヘッド駆動部１５５及びステージ駆動部１５９を駆動させて、半導体素子搭載ヘッド１５１を表示パネル１０１の主面に水平な方向（Ｘ軸、Ｙ軸方向）へ算出した移動量だけ移動させ、半導体の搭載位置の補正を行う（Ｓ１４５）。

図１８は、平均的な熱膨張による変形をした表示パネルとバンプとを重ね合わせた図である。第１バンプ列１８２及び第２バンプ列１８３がそれぞれなす列は、基準線ＢＬと垂直である。第１バンプ列１８２に含まれるバンプは実装用電極１３０に対して位置ずれすることなく接触でき、第２バンプ列１８３に含まれるバンプは実装用電極１４０に対して位置ずれすることなく接触できる。

図１９は、熱膨張による変形量が平均的な値よりも小さい表示パネルとバンプとを重ね合わせた図である。隣り合う第１バンプ列１８２のバンプのピッチ及び隣り合う第２バンプ列１８３のバンプのピッチは、平均的な熱膨張による変形をした表示パネルと比較してそれぞれ変化が無い。図示されない半導体素子搭載ヘッド１５１をＹ軸のマイナス側に移動させることにより、実装用電極１３０と第１バンプ列１８２のバンプのピッチがほぼ等しくなり、実装用電極１４０と第２バンプ列１８３のバンプのピッチがほぼ等しくなる。第１バンプ列１８２及び第２バンプ列１８３のバンプは、実装用電極１３０及び１４０に対して位置ずれすることなく接触できる。

図２０は、熱膨張による変形量が平均的な値よりも小さい表示パネルとバンプとを重ね合わせた図である。隣り合う第１バンプ列１８２のバンプのピッチ及び隣り合う第２バンプ列１８３のバンプのピッチは、平均的な熱膨張による変形をした表示パネルと比較してそれぞれ変化が無い。図示されない半導体素子搭載ヘッド１５１をＹ軸のプラス側に移動させることにより、実装用電極１３０のピッチと第１バンプ列１８２のバンプのピッチとがほぼ等しくなり、実装用電極１４０のピッチと第２バンプ列１８３のバンプのピッチとがほぼ等しくなる。第１バンプ列１８２及び第２バンプ列１８３のバンプは、実装用電極１３０及び１４０に対して位置ずれすることなく接触できる。

次に、制御部１５８は、ヘッド駆動部１５５を駆動させて、半導体素子搭載ヘッド１５１を表示パネル１０１の主面に垂直（Ｚ軸方向）に移動させ、バンプを実装用電極に接触させる（Ｓ１４６）。ステージ１５４及び半導体素子搭載ヘッド１５１に設けられたヒータ（図示せず）を加熱し、バンプと実装用電極１３０及び１４０とを密着させるため、表示パネル１０１及び半導体素子１８１の上下から圧力をかけ、放置することにより、表示パネルから半導体素子までが加熱される（Ｓ１４７）。この加熱によりアンダーフィル１６０は硬化し、半導体素子１８１が表示パネル１０１に固定される。

最後に、ステージ１５４及び半導体素子搭載ヘッド１５１から、半導体素子１８１が実装された表示パネル１０１をはずす（Ｓ１４８）。図２１は、半導体素子１８１が実装された表示パネル１０１の部分断面図である。

上記半導体素子の実装方法によれば、基材の熱膨張による変形量が平均的な値からずれていても、複数の電極の列方向に垂直な方向にバンプをずらすことにより、バンプと実装用電極とを接触させることができる。バンプと実装用電極との接触不良が生じにくいため、表示パネルの点灯不良が引き起こされにくい。

なお、図３及び図５に示される表示パネル１０１の実装用電極部１１３ａにも上記と同様の方法で半導体素子を実装することができる。

上記半導体素子の実装方法は、半導体素子のサイズが小さく、且つ半導体素子の熱膨張率に対し基材の熱膨張率が著しく大きい場合に特に有効である。例えば長辺が１０〜２０ｍｍ、短辺が１．５〜２ｍｍ程度のサイズを有し、線熱膨張率が０．１〜１０ｐｐｍ／Ｋ程度の半導体素子を、線熱膨張率が７０〜１００ｐｐｍ／Ｋ程度のフィルム基材上に実装するときに有効である。上記半導体素子の実装方法によれば、半導体素子サイズの限られた面積の中で熱膨張率が比較的大きい基材上に実装用電極パッドを設けても、バンプと実装用電極とを接触させることができる。

尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

第１実施形態を示す電極基板の上面図である。 図１に示される電極基板の第１電極部、第２電極部、及びその周辺を拡大した上面図である。 第２実施形態を示す電極基板の上面図である。 図３に示される電極基板の実装用電極部の平面配置を示す上面図である。 図３に示される電極基板の実装用電極部の平面配置を示す上面図である。 半導体素子を実装する電極基板の一例である液晶表示パネルの模式図である。 電極基板を検査する検査装置の構成例を示す図である。 上記電極基板の検査装置の検査ヘッド及びステージの一例を電極基板と共に示す断面模式図である。 検査ヘッドの第１検査端子部及び第２検査端子部を拡大した平面模式図である。 電極基板の検査方法の一例を示すフローチャートである。 平均的な熱膨張による変形をした電極基板と検査端子とを重ね合わせた図である。 熱膨張による変形量が平均的な値よりも小さい電極基板と検査端子とを重ね合わせた図である。 熱膨張による変形量が平均的な値よりも大きい電極基板と検査端子とを重ね合わせた図である。 電極基板に半導体素子を実装するための半導体実装装置の構成例を示す図である。 半導体素子を固定した半導体素子搭載ヘッド、及び電極基板を固定したステージの一例を示す断面模式図である。 半導体素子とその表面に設けられた第１バンプ列と第２バンプ列を拡大した平面模式図である。 半導体素子の実装方法の一例を示すフローチャートである。 平均的な熱膨張による変形をした表示パネルとバンプとを重ね合わせた図である。 熱膨張による変形量が平均的な値よりも小さい表示パネルとバンプとを重ね合わせた図である。 熱膨張による変形量が平均的な値よりも小さい表示パネルとバンプとを重ね合わせた図である。 半導体素子が実装された表示パネルの部分断面図である。

符号の説明

１、１ａ、１ｂ 電極基板
１１ 基材
１２ 配線部
１３ 第１電極部
１３ａ 実装用電極部
１３ｂ 接続配線部
１４ 第２電極部
１５、１６ アライメントマーク
２１ 配線
２３、２４ 接続パッド
３０、３０ａ〜３０ｇ 検査用電極
４０、４０ａ〜４０ｇ 検査用電極
５１ 検査ヘッド
５２ 第１検査端子部
５２ａ〜５２ｇ 検査端子
５３ 第２検査端子部
５３ａ〜５３ｇ 検査端子
５４ ステージ
５５ ヘッド駆動部
５６ カメラ
５７ 認識部
５８ 制御部
５９ 抵抗測定器
１０１ 表示パネル
１１１ 基材
１１２ 配線部
１１３ａ 実装用電極部
１１５、１１６ アライメントマーク
１３０、３０ａ〜３０ｇ 実装用電極
１３１ 配線
１４０、１４０ａ〜１４０ｇ 実装用電極
１４１ 配線
１５１ 半導体素子搭載ヘッド
１５４ ステージ
１５５ ヘッド駆動部
１５６ カメラ
１５７ 認識部
１５８ 制御部
１５９ ステージ駆動部
１６０ アンダーフィル
１８１ 半導体素子
１８２ 第１バンプ列
１８２ａ〜１８２ｇ バンプ
１８３ 第２バンプ列
１８３ａ〜１８３ｇ バンプ

Claims (8)

1. 基材と、
   前記基材の端部に向かい放射状に広がるように配置した複数の第１電極と、
   前記複数の第１電極が放射状に広がる端部に対向した端部から前記複数の第１電極に向かって放射状に広がる複数の第２電極とを備え、
   前記複数の第１電極は、前記基材が熱変形した後の第１の位置における第１電極の間隔と同じ間隔である第２の位置を有し、前記複数の第２電極は、前記基材が熱変形した後の第３の位置における第２電極の間隔と同じ間隔である第４の位置を有することを特徴とする電極基板。
2. 更に前記基材上に設けられ、前記第１電極列と前記第２電極列との間に、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数の配線を備えることを特徴とする請求項１に記載の電極基板。
3. 前記基材が、樹脂からなるフィルム基材であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電極基板。
4. 基材上に設けられた複数の配線の電気特性を検査する検査方法において、
   前記複数の配線の一端に、前記基材の端部に向かい放射状に広がるように配置した複数の第１電極と、前記複数の配線の他端に、前記複数の第１電極が放射状に広がる端部に対向した端部から前記複数の第１電極に向かって放射状に広がる複数の第２電極とを備え、前記複数の第１電極は、前記基材が熱変形した後の第１の位置における第１電極の間隔と同じ間隔である第２の位置を有し、前記複数の第２電極は、前記基材が熱変形した後の第３の位置における第２電極の間隔と同じ間隔である第４の位置を有する電極基板を準備する工程と、
   電気特性を検査するための検査装置にそれぞれ接続され、且つ検査ヘッド上に設けられた複数の第１検査用端子及び第２検査用端子を、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極において前記複数の第１電極の間隔及び前記複数の第２電極の間隔がそれぞれ前記複数の第１検査用端子の間隔及び前記複数の第２検査用端子の間隔と略同一になる位置に接触させる工程と、
   前記検査装置により前記複数の配線の電気特性を測定する工程と
   を有することを特徴とする電極基板の検査方法。
5. 更に、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極において前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極の間隔が前記複数の第１検査用端子及び前記複数の第２検査用端子の間隔とそれぞれ略同一になる場所を検出する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の電極基板の検査方法。
6. 前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極において前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極のピッチが前記複数の第１検査用端子及び前記複数の第２検査用端子のピッチとそれぞれ略同一になる場所を検出する工程は、前記基材上に設けた複数の基準点の位置を検出する工程と、予め定められた各基準点の位置座標と前記検出された各基準点の位置座標との差を算出する工程とを有し、
   前記複数の第１検査用端子及び前記複数の第２検査用端子を、前記複数の第１電極及び前記前記複数の第２電極の表面において前記複数の第１電極のピッチ及び前記複数の第２電極のピッチがそれぞれ前記複数の第１検査用端子のピッチ及び前記複数の第２検査用端子のピッチと略同一になる位置に接触させる工程は、前記予め定められた各基準点の位置座標と前記検出された各基準点の位置座標との差に応じて前記検査ヘッドを移動させる工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の電極基板の検査方法。
7. 基材の上に電極が設けられた電極基板に半導体素子を実装する半導体素子の実装方法において、
   前記基材の端部に向かい放射状に広がるように配置した複数の第１電極と、前記複数の第１電極が放射状に広がる端部に対向した端部から前記複数の第１電極に向かって放射状に広がる複数の第２電極とを備え、前記複数の第１電極は、前記基材が熱変形した後の第１の位置における第１電極の間隔と同じ間隔である第２の位置を有し、前記複数の第２電極は、前記基材が熱変形した後の第３の位置における第２電極の間隔と同じ間隔である第４の位置を有する配線基板を準備する工程と、
   前記半導体素子に設けられた複数の第１接続端子及び複数の第２接続端子を、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極において前記複数の第１電極の間隔及び前記複数の第２電極の間隔がそれぞれ前記複数の第１接続端子の間隔及び前記複数の第２接続端子の間隔と略同一になる場所に接触させる工程と、
   前記電極基板と前記半導体装置とを加熱しながら加圧する工程と
   を有することを特徴とする半導体素子の実装方法。
8. 更に、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極において前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極の間隔が前記複数の第１接続端子及び前記複数の第２接続端子の間隔とそれぞれ略同一になる場所を検出する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の実装方法。