JP2010139459A - Temperature test apparatus and method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、水晶振動子などに代表される圧電デバイスの温度試験装置及びこれを用いた
温度試験方法に関する。
The present invention relates to a temperature test apparatus for a piezoelectric device typified by a crystal resonator and a temperature test method using the same.
従来、水晶振動子などに代表される圧電デバイスの、温度変化に伴った各温度における
特性を測定する測定部が設けられ、この測定部で測定した特性に基づいて複数の圧電デバ
イスの特性の良否を試験する圧電デバイスの温度試験装置については、下記のような構成
のものが知られている。
それは、1つの温度槽内において圧電デバイスを一方向に搬送しながら圧電デバイスの
特性を測定するインライン方式の温度試験装置であって、温度槽内には、圧電デバイスの
搬送方向に沿って複数の温度領域が構成され、複数の温度領域には、それぞれに対応した
測定部が設けられ、複数の測定部では、それぞれ異なる予め設定した設定温度下における
圧電デバイスの特性を測定する温度試験装置である(例えば、特許文献1参照)。
Conventionally, a measurement unit has been provided to measure the characteristics of each piezoelectric device, such as a crystal resonator, at each temperature as the temperature changes. Based on the characteristics measured by this measurement unit, the characteristics of multiple piezoelectric devices As a temperature test apparatus for a piezoelectric device for testing the above, one having the following configuration is known.
It is an in-line type temperature test apparatus that measures the characteristics of a piezoelectric device while conveying the piezoelectric device in one direction in one temperature chamber, and a plurality of the temperature devices in the temperature chamber along the conveying direction of the piezoelectric device. The temperature test apparatus is configured to measure the characteristics of the piezoelectric device under different preset temperatures, each of which has a temperature region, and a plurality of temperature regions are provided with corresponding measurement units. (For example, refer to Patent Document 1).
上記温度試験装置は、複数の圧電デバイスを搭載したキャリアが、温度調整素子と温度
センサとからなる温度部(以下、温度調整部という)上に搬送され、圧電デバイスの温度
が、キャリアを介した温度調整部からの熱伝導により各測定部における設定温度に到達す
る構成となっている。
そして、上記温度試験装置は、複数の圧電デバイスの温度をばらつくことなく各測定部
の設定温度に速やかに到達させるように、複数の圧電デバイスを予め加熱または冷却する
待機部が、各測定部に隣接して設けられている。
この待機部を設けていることから、上記温度試験装置は、装置全体が大型化するという
問題と共に、予備加熱工程または予備冷却工程が必要になり、温度試験の工程が増加する
という問題がある。
In the above temperature test apparatus, a carrier on which a plurality of piezoelectric devices are mounted is conveyed on a temperature part (hereinafter referred to as a temperature adjustment part) composed of a temperature adjustment element and a temperature sensor, and the temperature of the piezoelectric device passes through the carrier. It is the structure which reaches the preset temperature in each measurement part by the heat conduction from a temperature adjustment part.
The temperature test apparatus includes a standby unit that preheats or cools the plurality of piezoelectric devices in each measurement unit so as to quickly reach the set temperature of each measurement unit without causing variations in the temperature of the plurality of piezoelectric devices. Adjacent to each other.
Since the standby unit is provided, the temperature test apparatus has a problem that the whole apparatus becomes large and a preheating process or a precooling process is required, and the temperature test process increases.
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形
態または適用例として実現することが可能である。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例にかかる温度試験装置は、複数の圧電デバイスがキャリアに搭載
されて搬送される搬送方向に沿って複数の温度領域が設けられ、複数の前記温度領域は、
それぞれに対応した測定部及び温度調整部を有し、各前記温度領域に搬送される前記圧電
デバイスの温度が、前記キャリアを介した前記温度調整部からの熱伝導により、各前記温
度領域の設定温度に調整される温度試験装置であって、前記キャリアには、厚み方向に貫
通する少なくとも1つの切り込みまたは切り欠きが形成され、前記切り込みまたは前記切
り欠きを境にして、複数の前記圧電デバイスが複数の群に区分され、前記群ごとに前記測
定部により前記設定温度下における前記圧電デバイスの特性が測定されることを特徴とす
る。
[Application Example 1] In the temperature test apparatus according to this application example, a plurality of temperature regions are provided along a transport direction in which a plurality of piezoelectric devices are mounted on a carrier and transported.
Each of the temperature regions has a measurement unit and a temperature adjustment unit corresponding to each temperature, and the temperature of the piezoelectric device conveyed to each temperature region is set by the heat conduction from the temperature adjustment unit via the carrier. A temperature test apparatus that adjusts to a temperature, wherein the carrier has at least one notch or notch penetrating in a thickness direction, and a plurality of the piezoelectric devices are formed with the notch or notch as a boundary. It is divided into a plurality of groups, and the characteristics of the piezoelectric device under the set temperature are measured by the measurement unit for each of the groups.
これによれば、温度試験装置は、複数の圧電デバイスがキャリアに搭載されて搬送され
る搬送方向に沿って複数の温度領域が設けられ、複数の温度領域は、それぞれに対応した
測定部及び温度調整部を有している。
そして、温度試験装置は、各温度領域に搬送されてくる圧電デバイスの温度が、キャリ
アを介した温度調整部からの熱伝導により、各温度領域の設定温度に調整される。
そして、温度試験装置は、キャリアに厚み方向に貫通する少なくとも1つの切り込みま
たは切り欠きが形成され、切り込みまたは切り欠きを境にして複数の圧電デバイスが複数
の群に区分され、群ごとに圧電デバイスの特性が測定される。
According to this, the temperature test apparatus is provided with a plurality of temperature regions along the transport direction in which the plurality of piezoelectric devices are mounted on the carrier and transported, and the plurality of temperature regions include a measurement unit and a temperature corresponding to each. It has an adjustment part.
In the temperature test apparatus, the temperature of the piezoelectric device conveyed to each temperature region is adjusted to the set temperature of each temperature region by heat conduction from the temperature adjustment unit via the carrier.
In the temperature test apparatus, at least one notch or notch penetrating in the thickness direction is formed in the carrier, and a plurality of piezoelectric devices are divided into a plurality of groups with the notch or notch as a boundary. Are measured.
これにより、温度試験装置は、キャリアが切り込みまたは切り欠きを境にして複数の領
域に熱的に分離されることから、熱容量も各領域ごとに分轄される。このことから、温度
試験装置は、キャリアの各領域の熱容量が、切り込みまたは切り欠きのないキャリアの場
合と比較して小さくなる。
このことから、温度試験装置は、各温度領域における圧電デバイスの温度を、キャリア
を介した温度調整部からの熱伝導により各温度領域の設定温度に調整する際に、従来のよ
うな、切り込みまたは切り欠きのないキャリアを用いる場合と比較して、設定温度により
速く到達させることができる。
これにより、温度試験装置は、従来のような待機部が不要となることから、装置全体を
小型化できると共に、予備加熱または予備冷却の工程を削減できる。
Thus, in the temperature test apparatus, the carrier is thermally separated into a plurality of regions with the notch or notch as a boundary, so that the heat capacity is also divided for each region. For this reason, in the temperature test apparatus, the heat capacity of each region of the carrier is smaller than that in the case of a carrier having no cut or notch.
From this, when the temperature test apparatus adjusts the temperature of the piezoelectric device in each temperature region to the set temperature of each temperature region by heat conduction from the temperature adjustment unit via the carrier, Compared to the case of using a carrier without a notch, the carrier can reach the set temperature faster.
As a result, the temperature test apparatus does not require a standby unit as in the prior art, so that the entire apparatus can be miniaturized and the preheating or precooling process can be reduced.
また、温度試験装置は、キャリアが切り込みまたは切り欠きによって複数の領域に熱的
に分離され、各領域の熱容量が小さくなることから、各領域への熱伝導が効率よく十分に
行われ、複数の群に区分された圧電デバイスの、群内における温度ばらつきを低減できる
。
これにより、温度試験装置は、設定温度下における圧電デバイスの特性を、より正確に
測定できる。
In addition, the temperature test apparatus has a carrier that is thermally separated into a plurality of regions by cutting or notching, and the heat capacity of each region is reduced. The temperature variation within the group of the piezoelectric devices divided into groups can be reduced.
Thereby, the temperature test apparatus can measure the characteristics of the piezoelectric device under the set temperature more accurately.
[適用例2]本適用例にかかる温度試験方法は、適用例1に記載の温度試験装置を用い
て、複数の前記圧電デバイスを前記キャリアの前記切り込みまたは前記切り欠きを境にし
て複数の前記群に区分し、前記群ごとに前記測定部により前記設定温度下における前記圧
電デバイスの特性を測定することを特徴とする。
[Application Example 2] The temperature test method according to this application example uses the temperature test apparatus according to Application Example 1, and the plurality of piezoelectric devices are connected to the plurality of the piezoelectric devices with the notch or the notch as a boundary. It divides | segments into a group, The characteristic of the said piezoelectric device under the said setting temperature is measured by the said measurement part for every said group, It is characterized by the above-mentioned.
これによれば、温度試験方法は、複数の圧電デバイスをキャリアの切り込みまたは切り
欠きを境にして複数の群に区分し、群ごとに設定温度下における圧電デバイスの特性を測
定する。
このことから、温度試験方法は、キャリアが切り込みまたは切り欠きによって複数の領
域に熱的に分離され、各領域の熱容量が小さくなることから、各領域への熱伝導が効率よ
く十分に行われ、複数の群に区分された圧電デバイスの、群内における温度ばらつきが低
減する。
これにより、温度試験方法は、設定温度下における圧電デバイスの特性を、より正確に
測定できる。
According to this, the temperature test method divides a plurality of piezoelectric devices into a plurality of groups with a carrier notch or notch as a boundary, and measures the characteristics of the piezoelectric devices at a set temperature for each group.
From this, in the temperature test method, the carrier is thermally separated into a plurality of regions by cutting or notching, and the heat capacity of each region is reduced, so that heat conduction to each region is performed efficiently and sufficiently, The temperature variation within the group of the piezoelectric devices divided into a plurality of groups is reduced.
Thereby, the temperature test method can measure the characteristics of the piezoelectric device under the set temperature more accurately.
以下、温度試験装置及び温度試験方法の実施形態について図面を参照して説明する。
(実施形態)
図1は、本実施形態の温度試験装置の要部の概略構成を示す模式図である。図1(a)
は、正面図、図1(b)は、図1(a)におけるA視図である。
Hereinafter, embodiments of a temperature test apparatus and a temperature test method will be described with reference to the drawings.
(Embodiment)
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a main part of the temperature test apparatus of the present embodiment. FIG.
FIG. 1B is a front view, and FIG. 1B is a view as viewed from A in FIG.
図1に示すように、温度試験装置1は、複数の圧電デバイス2がキャリア3に搭載され
て、図示しない搬送部により搬送される搬送方向(矢印B方向)に沿って、複数の温度領
域としての第1温度領域4、第2温度領域5、第3温度領域6が隣接して設けられている
。
そして、温度試験装置1は、第1温度領域4、第2温度領域5、第3温度領域6のそれ
ぞれに対応した測定部としての第1測定部41、第2測定部51、第3測定部61及び温
度調整部としての第1温度調整部42、第2温度調整部52、第3温度調整部62を有し
ている。
そして、温度試験装置1は、第1温度領域4、第2温度領域5、第3温度領域6(以下
、各温度領域4,5,6ともいう)に順に搬送される圧電デバイス2の温度が、キャリア
3を介した第1温度調整部42、第2温度調整部52、第3温度調整部62(以下、各温
度調整部42,52,62ともいう)からの熱伝導により、各温度領域4,5,6の設定
温度に調整される。
As shown in FIG. 1, the
The
The
なお、本実施形態では、第1温度領域4の設定温度を−20℃、第2温度領域5の設定
温度を+25℃、第3温度領域6の設定温度を+75℃としている。
In the present embodiment, the set temperature of the
各温度領域4,5,6の第1測定部41、第2測定部51、第3測定部61(以下、各
測定部41,51,61ともいう)は、搬送されてきたキャリア3の位置決めをする位置
決めピン43,53,63と、キャリア3に搭載された圧電デバイス2の電極2a,2b
に当接されるプローブピン44,54,64とを備えている。
位置決めピン43,53,63は、各測定部41,51,61に2本ずつ備えられてい
る(第1測定部41に位置決めピン43、第2測定部51に位置決めピン53、第3測定
部61に位置決めピン63が備えられている。)
そして、位置決めピン43,53,63は、圧電デバイス2の特性測定時に、各測定部
41,51,61が矢印C方向に沿って下降することにより、後述するキャリア3の位置
決め孔3aにそれぞれ挿入される。なお、位置決めピン43,53,63の先端部は、円
錐状に形成されていることが好ましい。
The
Two
Then, the
プローブピン44,54,64は、図1(b)の紙面右側の列の各圧電デバイス2の電
極2a,2bに対向した位置に備えられている。本実施形態では、プローブピン44,5
4,64は、各測定部41,51,61に2本1組で4組備えられている(第1測定部4
1にプローブピン44、第2測定部51にプローブピン54、第3測定部61にプローブ
ピン64が備えられている。)
プローブピン44,54,64は、圧電デバイス2の特性測定時に、各測定部41,5
1,61が矢印C方向に沿って下降することにより、各圧電デバイス2の電極2a,2b
に当接される。
The
4 and 64 are provided in each
1 includes a
The
1, 61 descends in the direction of arrow C, so that the
Abut.
各温度領域4,5,6の各温度調整部42,52,62は、各測定部41,51,61
の下方に、それぞれに対応する各測定部41,51,61と対向して配設されている。各
温度調整部42,52,62は、ペルチェ素子と温度センサとを備えている。そして、各
温度調整部42,52,62は、加熱または冷却により上記設定温度になるように制御さ
れている。
これにより、各温度調整部42,52,62上に搬送されてきた各圧電デバイス2の温
度は、キャリア3を介した熱伝導によって各温度調整部42,52,62の温度に到達す
るように調整される。
The
Are arranged to face the
Thereby, the temperature of each
キャリア3は、アルミニウム、アルミニウム合金などの金属を用いて、略矩形の平板状
に形成されている。キャリア3には、上述した位置決め孔3aと、厚み方向に貫通する1
つの切り込み3bと、各圧電デバイス2を収納する複数の凹部3cとが形成されている。
図1(b)に示すように、キャリア3では、外周の辺3dに沿って形成された切り込み
3bを境にして、凹部3cに収納された各圧電デバイス2が、切り込み3bの延在方向に
沿った紙面右側の縦1列4個の1群21と、紙面左側の縦1列4個の2群22とに区分さ
れている。
The
Two
As shown in FIG. 1B, in the
そして、キャリア3は、位置決め孔3aが、1群21の各圧電デバイス2が配置されて
いる第1領域31と、2群22の各圧電デバイス2が配置されている第2領域32とに、
それぞれ2個ずつ形成されている。
これにより、温度試験装置1は、各測定部41,51,61による各設定温度下におけ
る各圧電デバイス2の特性としての周波数を、1群21、2群22ごとに測定可能になっ
ている。
なお、キャリア3の表面には、フッ素系などの絶縁性を有する樹脂がコーティングされ
ていてもよい。これによれば、温度試験装置1は、収納される各圧電デバイス2のキャリ
ア3を介した短絡の回避が図れると共に、キャリア3の搬送がスムーズになる。
The
Two each are formed.
Thereby, the
The surface of the
ここで、温度試験装置1を用いて各設定温度下における各圧電デバイス2の周波数を測
定する温度試験方法(以下、単に温度試験方法ともいう)について説明する。
まず、第1領域31に1群21として4個、第2領域32に2群22として4個の圧電
デバイス2が搭載されたキャリア3を、搬送部により第1温度領域4の第1温度調整部4
2上に搬送する。
ついで、キャリア3を、キャリア3の第1領域31の位置決め孔3aが、第1測定部4
1の位置決めピン43に対向する位置で留置する。
Here, a temperature test method (hereinafter also simply referred to as a temperature test method) for measuring the frequency of each
First, the
2 is conveyed.
Next, the
1 is placed at a position facing the
ついで、第1測定部41を、図示しない支持部により矢印C方向に沿って下降させ、位
置決めピン43をキャリア3の第1領域31の位置決め孔3aに挿入し、キャリア3を位
置決めする。このとき、位置決めピン43の先端部が円錐状に形成されていることから、
位置決めピン43の先端部の斜面と、位置決め孔3aとが当接することにより、キャリア
3は、平面方向にずれることなく位置決めされる。
Next, the
The
ついで、さらに第1測定部41を矢印C方向に沿って下降させ、プローブピン44をキ
ャリア3の第1領域31に搭載された1群21の4個の圧電デバイス2の電極2a,2b
に当接させる。なお、位置決めピン43及びプローブピン44には、下降の際のオーバー
ストローク分(当接位置より更に下降する分)を吸収するばねなどの弾性部材が備えられ
ていることが好ましい。
Next, the
Abut. Note that the
ついで、第1測定部41により、−20℃下における1群21の4個の圧電デバイス2
の周波数を一括して測定する。
このとき、第1温度調整部42は、設定温度である−20℃に制御されている。そして
、第1温度調整部42上のキャリア3は、切り込み3bを境にして、第1領域31と第2
領域32とに熱的に分離されている。これにより、キャリア3は、熱容量も第1領域31
と第2領域32とに分轄されている。
Next, the
Measure the frequencies at once.
At this time, the 1st
The
And the
このことから、キャリア3は、第1領域31及び第2領域32の各熱容量が、切り込み
3bのない第1領域31と第2領域32とが一体になっている従来のキャリア(以下、単
に従来のキャリアともいう)の場合と比較して、格段に小さくなる。
これにより、キャリア3の第1領域31に搭載された1群21の4個の圧電デバイス2
の温度は、キャリア3を介した第1温度調整部42からの熱伝導が効率よく十分に行われ
ることから、従来のキャリアに搭載された場合より、極めて速く設定温度の−20℃に到
達する。したがって、温度試験方法は、−20℃下における1群21の4個の圧電デバイ
ス2の周波数の測定開始までの待ち時間を短縮できる。
From this, the
As a result, the four
Since the heat conduction from the first
また、1群21の4個の圧電デバイス2間における到達温度のばらつきは、熱伝導が効
率よく十分に行われることから、従来のキャリアに搭載された場合より低減する。
これにより、温度試験方法は、−20℃下における1群21の4個の圧電デバイス2の
周波数を、従来のキャリアを用いた場合より、正確に測定できる。
In addition, the variation in the temperature reached among the four
Thereby, the temperature test method can measure the frequency of the four
ついで、1群21の4個の圧電デバイス2の周波数を測定後、第1測定部41を支持部
により矢印C方向に沿って上昇させ、位置決めピン43及びプローブピン44をキャリア
3の上方に移動させる。
ついで、キャリア3を矢印B方向に搬送し、キャリア3の第2領域32の位置決め孔3
aが、第1測定部41の位置決めピン43に対向する位置に留置する。
Next, after measuring the frequencies of the four
Next, the
a is placed at a position facing the
ついで、第1測定部41を矢印C方向に沿って下降させ、位置決めピン43をキャリア
3の第2領域32の位置決め孔3aに挿入し、キャリア3を位置決めする。
ついで、さらに第1測定部41を矢印C方向に沿って下降させ、プローブピン44をキ
ャリア3の第2領域32に搭載された2群22の4個の圧電デバイス2の電極2a,2b
に当接させる。
Next, the
Next, the
Abut.
ついで、第1測定部41により、−20℃下における2群22の4個の圧電デバイス2
の周波数を一括して測定する。
このとき、キャリア3の第2領域32に搭載された2群22の4個の圧電デバイス2の
温度は、第1領域31に搭載された1群21の4個の圧電デバイス2と同様に、キャリア
3を介した第1温度調整部42からの熱伝導が効率よく十分に行われることから、従来の
キャリアに搭載された場合より、極めて速く設定温度の−20℃に到達する。したがって
、温度試験方法は、−20℃下における2群22の4個の圧電デバイス2の周波数の測定
開始までの待ち時間を短縮できる。
Next, the four
Measure the frequencies at once.
At this time, the temperature of the four
また、2群22の4個の圧電デバイス2間における到達温度のばらつきは、第1領域3
1に搭載された1群21の4個の圧電デバイス2と同様に、熱伝導が効率よく十分に行わ
れることから、従来のキャリアに搭載された場合より低減する。
これにより、この温度試験方法は、−20℃下における2群22の4個の圧電デバイス
2の周波数を、従来のキャリアを用いた場合より、正確に測定できる。
In addition, the variation in the reached temperature between the four
As in the case of the four
Thereby, this temperature test method can measure the frequency of the four
ついで、2群22の4個の圧電デバイス2の周波数を測定後、第1測定部41を矢印C
方向に沿って上昇させ、位置決めピン43及びプローブピン44をキャリア3の上方に移
動させる。
なお、以降の第2温度領域5、第3温度領域6における圧電デバイス2の周波数の測定
については、第1温度領域4における測定と共通部分が多いことから、共通部分について
は簡略化して説明する。
Next, after measuring the frequencies of the four
The
Since the frequency measurement of the
ついで、キャリア3を第2温度領域5の第2温度調整部52上に搬送する。
ついで、キャリア3を、キャリア3の第1領域31の位置決め孔3aが、第2測定部5
1の位置決めピン53に対向する位置で留置する。
Next, the
Next, the
1 is placed at a position facing the
ついで、第2測定部51を下降させ、位置決めピン53をキャリア3の第1領域31の
位置決め孔3aに挿入し、キャリア3を位置決めする。
ついで、さらに第2測定部51を下降させ、プローブピン54をキャリア3の第1領域
31に搭載された1群21の各圧電デバイス2の電極2a,2bに当接させる。
Next, the
Next, the
ついで、第2測定部51により、+25℃下における1群21の各圧電デバイス2の周
波数を一括して測定する。
このとき、第2温度調整部52は、設定温度である+25℃に制御されている。そして
、上述した第1温度領域4のときと同様に、キャリア3の第1領域31に搭載された1群
21の各圧電デバイス2の温度は、キャリア3を介した第2温度調整部52からの熱伝導
が効率よく十分に行われることから、極めて速く設定温度の+25℃に到達する。したが
って、温度試験方法は、+25℃下における1群21の各圧電デバイス2の周波数の測定
開始までの待ち時間を短縮できる。
Next, the frequency of each
At this time, the 2nd
また、温度試験方法は、1群21の各圧電デバイス2間における到達温度のばらつきも
低減する。
これにより、温度試験方法は、+25℃下における1群21の各圧電デバイス2の周波
数を、より正確に測定できる。
Moreover, the temperature test method also reduces the variation in the temperature reached between the
Thereby, the temperature test method can measure the frequency of each
ついで、1群21の各圧電デバイス2の周波数を測定後、第2測定部51を上昇させ、
位置決めピン53及びプローブピン54をキャリア3の上方に移動させる。
ついで、キャリア3を矢印B方向に搬送し、キャリア3の第2領域32の位置決め孔3
aが、第2測定部51の位置決めピン53に対向する位置に留置する。
Next, after measuring the frequency of each
The
Next, the
a is placed at a position facing the
ついで、第2測定部51を下降させ、位置決めピン53をキャリア3の第2領域32の
位置決め孔3aに挿入し、キャリア3を位置決めする。
ついで、さらに第2測定部51を下降させ、プローブピン54をキャリア3の第2領域
32に搭載された2群22の各圧電デバイス2の電極2a,2bに当接させる。
Next, the
Next, the
ついで、第2測定部51により、+25℃下における2群22の各圧電デバイス2の周
波数を一括して測定する。
このとき、キャリア3の第2領域32に搭載された2群22の各圧電デバイス2の温度
は、キャリア3を介した第2温度調整部52からの熱伝導が効率よく十分に行われること
から、極めて速く設定温度の+25℃に到達する。したがって、温度試験方法は、+25
℃下における2群22の各圧電デバイス2の周波数の測定開始までの待ち時間を短縮でき
る。
Next, the frequency of each
At this time, the temperature of each of the
The waiting time until the measurement of the frequency of each
また、温度試験方法は、2群22の各圧電デバイス2間における到達温度のばらつきも
低減する。
これにより、温度試験方法は、+25℃下における2群22の各圧電デバイス2の周波
数を、より正確に測定できる。
In addition, the temperature test method also reduces the variation in the ultimate temperature between the
Thereby, the temperature test method can measure the frequency of each
ついで、2群22の各圧電デバイス2の周波数を測定後、第2測定部51を上昇させ、
位置決めピン53及びプローブピン54をキャリア3の上方に移動させる。
ついで、キャリア3を第3温度領域6の第3温度調整部62上に搬送する。
ついで、キャリア3を、キャリア3の第1領域31の位置決め孔3aが、第3測定部6
1の位置決めピン63に対向する位置で留置する。
Next, after measuring the frequency of each
The
Next, the
Next, the
1 is placed at a position facing the
ついで、第3測定部61を下降させ、位置決めピン63をキャリア3の第1領域31の
位置決め孔3aに挿入し、キャリア3を位置決めする。
ついで、さらに第3測定部61を下降させ、プローブピン64をキャリア3の第1領域
31に搭載された1群21の各圧電デバイス2の電極2a,2bに当接させる。
Next, the
Next, the
ついで、第3測定部61により、+75℃下における1群21の各圧電デバイス2の周
波数を一括して測定する。
このとき、第3温度調整部62は、設定温度である+75℃に制御されている。そして
、上述した第1温度領域4のときと同様に、キャリア3の第1領域31に搭載された1群
21の各圧電デバイス2の温度は、キャリア3を介した第3温度調整部62からの熱伝導
が効率よく十分に行われることから、極めて速く設定温度の+75℃に到達する。したが
って、温度試験方法は、+75℃下における1群21の各圧電デバイス2の周波数の測定
開始までの待ち時間を短縮できる。
Next, the frequency of each
At this time, the 3rd
また、温度試験方法は、1群21の各圧電デバイス2間における到達温度のばらつきも
低減する。
これにより、温度試験方法は、+75℃下における1群21の各圧電デバイス2の周波
数を、より正確に測定できる。
Moreover, the temperature test method also reduces the variation in the temperature reached between the
Thereby, the temperature test method can measure the frequency of each
ついで、1群21の各圧電デバイス2の周波数を測定後、第3測定部61を上昇させ、
位置決めピン63及びプローブピン64をキャリア3の上方に移動させる。
ついで、キャリア3を矢印B方向に搬送し、キャリア3の第2領域32の位置決め孔3
aが、第3測定部61の位置決めピン63に対向する位置に留置する。
Next, after measuring the frequency of each
The
Next, the
a is placed at a position facing the
ついで、第3測定部61を下降させ、位置決めピン63をキャリア3の第2領域32の
位置決め孔3aに挿入し、キャリア3を位置決めする。
ついで、さらに第3測定部61を下降させ、プローブピン64をキャリア3の第2領域
32に搭載された2群22の各圧電デバイス2の電極2a,2bに当接させる。
Next, the
Next, the
ついで、第3測定部61により、+75℃下における2群22の各圧電デバイス2の周
波数を一括して測定する。
このとき、キャリア3の第2領域32に搭載された2群22の各圧電デバイス2の温度
は、キャリア3を介した第3温度調整部62からの熱伝導が効率よく十分に行われること
から、極めて速く設定温度の+75℃に到達する。したがって、温度試験方法は、+75
℃下における2群22の各圧電デバイス2の周波数の測定開始までの待ち時間を短縮でき
る。
Next, the
At this time, the temperature of each
The waiting time until the measurement of the frequency of each
また、温度試験方法は、2群22の各圧電デバイス2間における到達温度のばらつきも
低減する。
これにより、温度試験方法は、+75℃下における2群22の各圧電デバイス2の周波
数を、より正確に測定できる。
In addition, the temperature test method also reduces the variation in the ultimate temperature between the
Thereby, the temperature test method can measure the frequency of each of the
ついで、2群22の各圧電デバイス2の周波数を測定後、第3測定部61を上昇させ、
位置決めピン63及びプローブピン64をキャリア3の上方に移動させる。
ついで、キャリア3を矢印B方向に搬送し、測定済みの1群21、2群22の各4個の
圧電デバイス2を次工程に移動させる。以降、温度試験方法は、この一連の動作を繰り返
す。
Next, after measuring the frequency of each
The
Next, the
ここで、各設定温度(−20℃、+25℃、+75℃)における、本実施形態のキャリ
ア3を備えた温度試験装置1で測定した圧電デバイス2の周波数測定結果と、従来のキャ
リアを備えた温度試験装置で測定した圧電デバイス2の周波数測定結果とを比較してみる
。なお、両温度試験装置は、キャリア以外は共通仕様としてある。
Here, at each set temperature (−20 ° C., + 25 ° C., + 75 ° C.), the frequency measurement result of the
図2は、本実施形態の温度試験装置で測定した圧電デバイスの周波数測定結果と、従来
の温度試験装置で測定した圧電デバイスの周波数測定結果とを比較したグラフである。
図2(a)、図2(c)は、従来の温度試験装置で測定した圧電デバイスの周波数測定
結果のグラフであり、図2(b)は、本実施形態の温度試験装置で測定した圧電デバイス
の周波数測定結果のグラフである。
FIG. 2 is a graph comparing the frequency measurement result of the piezoelectric device measured by the temperature test apparatus of the present embodiment and the frequency measurement result of the piezoelectric device measured by the conventional temperature test apparatus.
2 (a) and 2 (c) are graphs of the frequency measurement result of the piezoelectric device measured by the conventional temperature test apparatus, and FIG. 2 (b) is the piezoelectric measured by the temperature test apparatus of the present embodiment. It is a graph of the frequency measurement result of a device.
各グラフにおいて、縦軸は、基準周波数に対するずれ量を表し、横軸は、個々の圧電デ
バイス2を表す。なお、圧電デバイス2は、1群21の4個を1組として、10組(40
個)について両温度試験装置にて測定した。また、各設定温度における測定開始までの待
ち時間は、図2(a)、図2(b)では、共に5.5秒間とし、図2(c)では、参考デ
ータとして20秒間とした。
In each graph, the vertical axis represents the shift amount with respect to the reference frequency, and the horizontal axis represents each
Were measured with both temperature test devices. In addition, the waiting time until the start of measurement at each set temperature was 5.5 seconds in FIGS. 2 (a) and 2 (b), and 20 seconds as reference data in FIG. 2 (c).
図2(b)に示すように、本実施形態の温度試験装置1で測定した各圧電デバイス2の
周波数測定データのばらつきは、±2.5の範囲に収まっている。一方、図2(a)に示
すように、従来の温度試験装置で測定した各圧電デバイス2の周波数測定データのばらつ
きは、約±5.0の範囲となっている。
この結果から、各圧電デバイス2の周波数測定データのばらつきは、本実施形態の温度
試験装置1の方が、少なくなっていることが分かる。
As shown in FIG. 2B, the variation in the frequency measurement data of each
From this result, it can be seen that the variation in the frequency measurement data of each
また、図2(c)に示すように、従来の温度試験装置では、測定開始までの待ち時間を
5.5秒間から20秒間に延長することにより、各圧電デバイス2の周波数測定データの
ばらつきが減少し、約±2.5の範囲となっている。
つまり、従来の温度試験装置では、各設定温度における測定開始までの待ち時間を、本
実施形態の温度試験装置1における測定開始までの待ち時間より、相当程度(この場合で
は、15秒間程度)長くしなければならないことが分かる。
Further, as shown in FIG. 2 (c), in the conventional temperature test apparatus, by extending the waiting time until the measurement is started from 5.5 seconds to 20 seconds, the variation of the frequency measurement data of each
That is, in the conventional temperature test apparatus, the waiting time until the measurement starts at each set temperature is considerably longer (in this case, about 15 seconds) than the waiting time until the measurement starts in the
この比較結果により、上述した本実施形態の温度試験装置1及び温度試験装置1を用い
た各圧電デバイス2の温度試験方法の作用・効果が裏付けられたといえる。
From this comparison result, it can be said that the operation and effect of the
上述したように、本実施形態の温度試験装置1は、キャリア3が切り込み3bを境にし
て、第1領域31と第2領域32とに熱的に分離されている。これにより、温度試験装置
1は、キャリア3が熱容量も第1領域31と第2領域32とに分轄されている。
As described above, in the
このことから、温度試験装置1は、キャリア3の第1領域31及び第2領域32の各熱
容量が、従来の温度試験装置の切り込み3bのない第1領域31と第2領域32とが一体
になっているキャリアと比較して、格段に小さくなる。
これにより、温度試験装置1は、キャリア3を介した各温度調整部42,52,62か
らの熱伝導が効率よく十分に行われることから、キャリア3の第1領域31及び第2領域
32に搭載された1群21、2群22の各4個の圧電デバイス2の温度が、従来のキャリ
アに搭載された場合より、極めて速く各設定温度に到達する。
Therefore, in the
As a result, the
したがって、温度試験装置1は、各設定温度下における各圧電デバイス2の周波数の測
定開始までの待ち時間を大幅に短縮できる。
これにより、温度試験装置1は、従来の温度試験装置に備えられている待機部が不要と
なることから、装置全体を小型化できると共に、温度試験方法における予備加熱または予
備冷却の工程を削減できる。
Therefore, the
As a result, the
また、温度試験装置1は、キャリア3を介した各温度調整部42,52,62からの熱
伝導が効率よく十分に行われることから、キャリア3の第1領域31及び第2領域32に
搭載された1群21、2群22の各4個の圧電デバイス2間の到達温度のばらつきを、従
来の温度試験装置のキャリアに搭載された場合より、低減できる。
これにより、温度試験装置1は、各設定温度下における各圧電デバイス2の周波数を、
従来の温度試験装置と比較して、より正確に測定できる。
In addition, the
Thereby, the
Compared with the conventional temperature test apparatus, it can measure more accurately.
なお、キャリア3には、1つの切り込み3bが形成されているが、これに限定するもの
ではなく、図3のキャリアのバリエーションを示す模式図に示すような、複数の切り込み
または切り欠きが形成されていてもよい。なお、図3では、便宜的に圧電デバイスを収納
する凹部、圧電デバイスの電極を省略してある。
The
図3(a)に示すように、キャリア3には、切り込み3bに代えて、辺3dに沿って1
つの切り欠き3eが形成されていてもよい。これによれば、温度試験装置1は、キャリア
3が切り欠き3eを境にして、第1領域31と第2領域32とが、より熱的に分離される
ことから、キャリア3を介した各温度調整部42,52,62から1群21、2群22の
各4個の圧電デバイス2への熱伝導が、より効率よく十分に行われる。
このことから、温度試験装置1は、キャリア3の第1領域31及び第2領域32に搭載
された1群21、2群22の各4個の圧電デバイス2の温度が、より速く各設定温度に到
達する。
As shown in FIG. 3 (a), the
Two
From this, the
図3(b)に示すように、キャリア3には、切り込み3bの延在方向の両端に連接し、
第1領域31の位置決め孔3aと第2領域32の位置決め孔3aとを繋ぐと共に、切り込
み3bの延在方向と交差する方向に延在する切り込み3f,3gが形成されていてもよい
。
これによれば、温度試験装置1は、切り込み3b,3f,3gによって、キャリア3の
第1領域31と第2領域32とが、より熱的に分離されることから、キャリア3を介した
各温度調整部42,52,62から1群21、2群22の各4個の圧電デバイス2への熱
伝導が、より効率よく十分に行われる。
また、温度試験装置1は、位置決め孔3aが切り込み3f,3gの一部を兼ねることか
ら、キャリア3のスペース効率が向上する。
As shown in FIG. 3 (b), the
According to this, since the
Further, in the
図3(c)に示すように、キャリア3には、キャリア3を紙面左右方向に延在した上で
、互いに略平行に2本の切り込み3bが形成されていてもよい。これによれば、温度試験
装置1は、キャリア3が第1領域31及び第2領域32に加えて、第3領域33の3つに
熱的に分離されることから、キャリア3を介した各温度調整部42,52,62から1群
21、2群22、3群23の各4個の圧電デバイス2への熱伝導が、効率よく十分に行わ
れる。
また、温度試験装置1は、周波数の測定までのキャリア3を介した3群23の各4個の
圧電デバイス2への熱伝導時間が、1群21、2群22の各4個の圧電デバイス2への熱
伝導時間より長くなることから、3群23の各4個の圧電デバイス2間における到達温度
のばらつきを、1群21、2群22の各4個の圧電デバイス2間のばらつきより低減でき
る。
As shown in FIG. 3C, the
In addition, the
なお、上記実施形態では、切り込み3bの延在方向に沿って各圧電デバイス2がキャリ
ア3に搭載されているが、これに限定するものではなく、切り込み3bの延在方向と交差
する方向に沿って各圧電デバイス2が搭載されていてもよい。なお、この場合には、各測
定部41,51,61の各プローブピン44,54,64の配列方向も各圧電デバイス2
の配列方向に合わせて変更される。
In the above-described embodiment, each
It is changed according to the array direction.
また、キャリア3に搭載される圧電デバイス2の個数は、1群につき4個に限定するも
のではなく、例えば、2個、3個、5個〜8個などとしてもよい。
また、圧電デバイスとしては、水晶発振器、水晶振動子、水晶フィルタ、SAW共振子
、SAWフィルタなどに適用できる。
The number of
The piezoelectric device can be applied to a crystal oscillator, a crystal resonator, a crystal filter, a SAW resonator, a SAW filter, and the like.
なお、図1(b)における搬送方向(矢印B方向)は、円弧状であってもよく、各温度
領域4,5,6がこの円弧に沿って設けられていてもよい。
また、複数の温度領域は、本実施形態の3つに限定するものではなく、例えば、4つ、
5つなど2つ以上であればよい。また、各温度領域4,5,6の各設定温度は、圧電デバ
イス2の種類などに応じて適宜設定されてもよい。
なお、温度試験装置1は、各温度調整部42,52,62とキャリア3との間に搬送部
の一部が配置されていてもよい。
In addition, the conveyance direction (arrow B direction) in FIG.1 (b) may be circular arc shape, and each temperature area |
Further, the plurality of temperature regions are not limited to three in the present embodiment, for example, four,
Two or more such as five may be used. Further, the set temperatures of the
In the
1…温度試験装置、2…圧電デバイス、2a,2b…電極、21…1群、22…2群、
3…キャリア、3a…位置決め孔、3b…切り込み、3c…凹部、3d…辺、31…第1
領域、32…第2領域、4…第1温度領域、5…第2温度領域、6…第3温度領域、41
…第1測定部、51…第2測定部、61…第3測定部、42…第1温度調整部、52…第
2温度調整部、62…第3温度調整部、43,53,63…位置決めピン、44,54,
64…プローブピン。
DESCRIPTION OF
3 ... carrier, 3a ... positioning hole, 3b ... notch, 3c ... recess, 3d ... side, 31 ... first
... 1st measurement part, 51 ... 2nd measurement part, 61 ... 3rd measurement part, 42 ... 1st temperature adjustment part, 52 ... 2nd temperature adjustment part, 62 ... 3rd temperature adjustment part, 43, 53, 63 ... Locating pins, 44, 54,
64: Probe pin.
Claims (2)
域が設けられ、複数の前記温度領域は、それぞれに対応した測定部及び温度調整部を有し
、各前記温度領域に搬送される前記圧電デバイスの温度が、前記キャリアを介した前記温
度調整部からの熱伝導により、各前記温度領域の設定温度に調整される温度試験装置であ
って、
前記キャリアには、厚み方向に貫通する少なくとも1つの切り込みまたは切り欠きが形
成され、前記切り込みまたは前記切り欠きを境にして、複数の前記圧電デバイスが複数の
群に区分され、前記群ごとに前記測定部により前記設定温度下における前記圧電デバイス
の特性が測定されることを特徴とする温度試験装置。 A plurality of temperature regions are provided along a transport direction in which a plurality of piezoelectric devices are mounted on a carrier and transported, and each of the plurality of temperature regions has a corresponding measurement unit and temperature adjustment unit, and each of the temperature A temperature test apparatus in which the temperature of the piezoelectric device conveyed to a region is adjusted to a set temperature of each temperature region by heat conduction from the temperature adjustment unit via the carrier,
The carrier is formed with at least one notch or notch penetrating in the thickness direction, and a plurality of the piezoelectric devices are divided into a plurality of groups with the notch or the notch serving as a boundary. A temperature test apparatus, wherein a characteristic of the piezoelectric device under the set temperature is measured by a measurement unit.
記切り込みまたは前記切り欠きを境にして複数の前記群に区分し、前記群ごとに前記測定
部により前記設定温度下における前記圧電デバイスの特性を測定することを特徴とする温
度試験方法。 The temperature test apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the piezoelectric devices are divided into a plurality of the groups with the notch or the notch of the carrier as a boundary, and the setting is performed by the measurement unit for each of the groups. A temperature test method characterized by measuring characteristics of the piezoelectric device under temperature.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008317994A JP5182057B2 (en) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | Temperature test apparatus and temperature test method |
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Publication Number | Publication Date |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001281294A (en) * | 1999-09-17 | 2001-10-10 | Nec Corp | Device temperature characteristic measuring instrument |
JP2006349619A (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | Inspection device and carrier used for the inspection device |
-
2008
- 2008-12-15 JP JP2008317994A patent/JP5182057B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2001281294A (en) * | 1999-09-17 | 2001-10-10 | Nec Corp | Device temperature characteristic measuring instrument |
JP2006349619A (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | Inspection device and carrier used for the inspection device |
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