JP2002196017A - Probing card - Google Patents
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プロービングカー
ドに関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a probing card.
【０００２】[0002]
【従来の技術】周知の如く、半導体デバイスは、半導体
ウエハ上に精密写真転写技術等を用いて多数形成され、
この後、各半導体デバイスに切断される。このような半
導体デバイスの製造工程では、従来からプロービング装
置を用いて、半導体デバイスの電気的な特性の試験測定
を半導体ウエハの状態で行い、この試験測定の結果良品
と判定されたもののみをパッケージング等の後工程に送
り、生産性の向上を図ることが行われている。2. Description of the Related Art As is well known, a large number of semiconductor devices are formed on a semiconductor wafer by using a precision photo transfer technique or the like.
After that, the semiconductor devices are cut. In the process of manufacturing such a semiconductor device, conventionally, using a probing apparatus, a test measurement of the electrical characteristics of the semiconductor device is performed in a state of a semiconductor wafer, and only a product determined as a good product as a result of the test measurement is packaged. It is sent to a post-process such as printing to improve productivity.
【０００３】上記プロービング装置は、例えば真空チャ
ック等により半導体ウエハを吸着保持するウエハ保持台
を備えており、このウエハ保持台上には、半導体デバイ
スの電極パッドに対応した多数のプロービング針を備え
たプロービングカードが固定されている。そして、駆動
機構によりこのウエハ保持台をＸ−Ｙ−Ｚ−θ方向に移
動させ、ウエハ保持台に保持された半導体ウエハの半導
体デバイスの電極にプロービング針を接触させ、このプ
ロービング針を介してテスタにより試験測定を行うよう
構成されている。The above-mentioned probing apparatus is provided with a wafer holder for sucking and holding a semiconductor wafer by, for example, a vacuum chuck or the like. On this wafer holder, a plurality of probing needles corresponding to the electrode pads of the semiconductor device are provided. Probing card is fixed. Then, the wafer holding table is moved in the XYZ-θ direction by the driving mechanism, and a probing needle is brought into contact with the electrode of the semiconductor device of the semiconductor wafer held by the wafer holding table, and the tester is moved through the probing needle. To perform the test measurement.
【０００４】また、近年は、ウエハ保持台に温度制御機
構を設けて載置された半導体ウエハを加熱し、高温状態
で半導体ウエハに形成された半導体デバイスの試験測定
を行うプロービング装置も開発されている。In recent years, a probing apparatus has been developed in which a temperature control mechanism is provided on a wafer holding table to heat a semiconductor wafer mounted thereon and test and measure a semiconductor device formed on the semiconductor wafer at a high temperature. I have.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
保持台に設けられた温度制御機構によって、載置された
半導体ウエハを加熱し、高温状態で半導体ウエハに形成
された半導体デバイスの試験測定を行うプロービング装
置では、試験測定中ウエハ保持台に近接、対向した位置
に設けられるプロービングカードがウエハ保持台からの
熱により熱膨張を起こす。ところが、通常プロービング
カードは、その周囲がカード保持機構によって固定され
ているため、熱膨張を起こすと全体が反るように変形す
る。このためプロービングカードのプロービング針の高
さ（Ｚ軸方向位置）が変化し、場合によってはこの変化
が数十ミクロンとなる。However, a probing method in which a mounted semiconductor wafer is heated by a temperature control mechanism provided on a wafer holding table to test and measure a semiconductor device formed on the semiconductor wafer in a high temperature state. In the apparatus, a probing card provided at a position close to and opposed to the wafer holder during test measurement causes thermal expansion due to heat from the wafer holder. However, since the probing card is usually fixed around its periphery by a card holding mechanism, when the thermal expansion occurs, the whole probing card is deformed so as to warp. Therefore, the height (position in the Z-axis direction) of the probing needle of the probing card changes, and in some cases, this change is several tens of microns.
【０００６】また、プロービングカードは、試験測定中
ウエハ保持台に近接、対向した位置に設定されるもの
の、一枚の半導体ウエハの試験測定が終了すると、ウエ
ハ保持台は半導体ウエハをロード・アンロードするため
の位置に移動されるため、試験測定が終了した半導体ウ
エハをウエハ保持台からアンロードし、次の半導体ウエ
ハをウエハ保持台にロードする間、プロービングカード
とウエハ保持台とは離れた状態となる。このため、半導
体ウエハのロード・アンロードの間、プロービングカー
ドはウエハ保持台からの熱を受けず、プロービングカー
ドの温度が低下する。Although the probing card is set at a position close to and opposed to the wafer holder during test measurement, when test measurement of one semiconductor wafer is completed, the wafer holder loads and unloads the semiconductor wafer. The probing card is separated from the wafer holder while the test wafer is unloaded from the wafer holder and the next semiconductor wafer is loaded onto the wafer holder. Becomes For this reason, during the loading and unloading of the semiconductor wafer, the probing card does not receive heat from the wafer holder, and the temperature of the probing card decreases.
【０００７】このため、一枚の半導体ウエハの試験測定
において、試験測定開始直後はプロービングカードの温
度が低く、次第にプロービングカードの温度が上昇し、
この温度変化に応じてプロービング針の高さが変化して
しまう。したがって、プロービング針と電極との接触が
不十分になり精度の良い試験測定を実施することができ
なくなったり、逆にプロービング針と電極とが強く接触
し過ぎ、電極パッド等が損傷を受ける等の問題が生じる
ことがあった。またこのような問題を避けるため、プロ
ービングカードの温度が高い状態で常にプロービング針
と電極との接触が行われるよう、試験測定開始時に、し
ばらくプロービングカードとウエハ保持台とを近接させ
た状態に設定し、プロービングカードの温度上昇を待っ
て試験測定を開始する等の方法も採られており、作業効
率の低下を招くという問題もあった。For this reason, in the test measurement of one semiconductor wafer, the temperature of the probing card is low immediately after the start of the test measurement, and the temperature of the probing card gradually increases.
The height of the probing needle changes according to this temperature change. Therefore, the contact between the probing needle and the electrode becomes insufficient, so that accurate test measurement cannot be performed.On the other hand, the probing needle and the electrode come into strong contact with each other, and the electrode pad and the like may be damaged. Problems sometimes occurred. To avoid such problems, set the probing card and the wafer holder close for a while at the start of test measurement so that the probing needle and the electrode are always in contact when the probing card is at a high temperature. However, a method of starting test measurement after the temperature of the probing card has risen has been adopted, and there has been a problem that the working efficiency is reduced.
【０００８】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、作業効率の低下を招くことなくプロービ
ングカードの温度を一定に保つことができ、常に均一な
接触圧で精度の良い試験測定を行うことのできるプロー
ビングカードを提供しようとするものである。The present invention has been made in view of such a conventional situation, and can keep the temperature of a probing card constant without lowering the working efficiency, and can always perform a test with a uniform contact pressure and a high accuracy. An object of the present invention is to provide a probing card capable of performing measurement.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１の発
明は、被測定基板に設けられた電極に対応して、基板に
複数のプロービング針が配列されたプロービングカード
において、前記基板が、前記プロービング針の先端を前
記基板両面から視認可能にした貫通孔と、前記プロービ
ングカードを所定の温度に制御する温度制御機構とを備
えたことを特徴とする。That is, the invention of claim 1 is a probing card in which a plurality of probing needles are arranged on a substrate corresponding to the electrodes provided on the substrate to be measured. It is characterized by comprising a through hole that allows the tip of the probing needle to be visible from both sides of the substrate, and a temperature control mechanism that controls the probing card to a predetermined temperature.
【００１０】請求項２の発明は、請求項１記載のプロー
ビングカードにおいて、前記温度制御機構は、ユニット
化され、前記基板に固定されていることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the probing card according to the first aspect, the temperature control mechanism is unitized and fixed to the substrate.
【００１１】請求項３の発明は、請求項２記載のプロー
ビングカードにおいて、前記温度制御機構が、前記基板
に設けられた前記貫通孔に対応した貫通孔を備えたこと
を特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the probing card according to the second aspect, the temperature control mechanism includes a through hole corresponding to the through hole provided in the substrate.
【００１２】請求項４の発明は、請求項１〜３いずれか
１項記載のプロービングカードにおいて、前記温度制御
機構はヒータを具備し、前記被測定基板の温度に応じて
前記プロービングカードを所定の温度に加熱することを
特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the probing card according to any one of the first to third aspects, the temperature control mechanism includes a heater, and controls the temperature of the substrate to be measured by a predetermined value. It is characterized by heating to a temperature.
【００１３】請求項５の発明は、請求項１〜４いずれか
１項記載のプロービングカードにおいて、前記温度制御
機構が、前記基板の上面又は下面に固定されていること
を特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the probing card according to any one of the first to fourth aspects, the temperature control mechanism is fixed to an upper surface or a lower surface of the substrate.
【００１４】請求項６の発明は、請求項１〜５いずれか
１項記載のプロービングカードにおいて、前記温度制御
機構が、外部の制御装置によって制御されることを特徴
とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the probing card according to any one of the first to fifth aspects, the temperature control mechanism is controlled by an external control device.
【００１５】請求項７の発明は、請求項１〜６いずれか
１項記載のプロービングカードにおいて、前記温度制御
機構の外形が、前記基板の外形より小さくされているこ
とを特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, in the probing card according to any one of the first to sixth aspects, the outer shape of the temperature control mechanism is smaller than the outer shape of the substrate.
【００１６】請求項８の発明は、請求項１〜７いずれか
１項記載のプロービングカードにおいて、前記温度制御
機構の内部に、前記基板の温度を測定する温度センサが
設けられていることを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, in the probing card according to any one of the first to seventh aspects, a temperature sensor for measuring a temperature of the substrate is provided inside the temperature control mechanism. And
【００１７】上記構成の本発明のプロービングカードで
は、例えばプロービングカードに固定されたヒータおよ
び温度センサを具備した温度制御機構により、プロービ
ングカードの温度を常に一定に保つことができる。この
ため、熱源であるウエハ保持台が、プロービングカード
に近接したり、離間することによって、プロービングカ
ードの温度が変化することを防止することができ、温度
変化によるプリント基板の撓み等よって、プロービング
針の高さ方向（ｚ方向）位置が変動することを防止する
ことができる。In the probing card of the present invention having the above-described structure, the temperature of the probing card can be always kept constant by, for example, a temperature control mechanism having a heater and a temperature sensor fixed to the probing card. For this reason, it is possible to prevent the temperature of the probing card from changing when the wafer holding table, which is the heat source, approaches or separates from the probing card. Can be prevented from changing in the height direction (z direction).
【００１８】したがって、作業効率の低下を招くことな
く、プロービングカードの温度を一定に保つことがで
き、常に均一な接触圧で精度の良い試験測定を行うこと
ができる。また、基板外形より温度制御機構を小さく構
成したことにより、ユーティリティー端子をプリント基
板上に配置することができる。Therefore, the temperature of the probing card can be kept constant without lowering the working efficiency, and a highly accurate test measurement can be always performed with a uniform contact pressure. Further, by making the temperature control mechanism smaller than the outer shape of the board, the utility terminals can be arranged on the printed board.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照して説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２０】図１乃至図３に示すように、本実施形態で
は、プロービングカード１には、基板として例えば耐熱
性の高いガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からな
る円板状のプリント基板２が用いられており、このプリ
ント基板２の中央部には、円孔３が設けられている。As shown in FIGS. 1 to 3, in the present embodiment, a disc-shaped printed board 2 made of, for example, a glass epoxy resin or a polyimide resin having high heat resistance is used as a board for the probing card 1. A circular hole 3 is provided in the center of the printed circuit board 2.
【００２１】上記プリント基板２の下面には、円孔３の
周縁部から下方に突出する如く、還状に構成されたプロ
ービング針固定リング４が設けられており、このプロー
ビング針固定リング４によって多数のプロービング針５
が支持されている。すなわち、これらのプロービング針
５は、半導体ウエハ上に形成された半導体デバイスの電
極パッドに対応して配列されており、その一端がプリン
ト基板２に形成された電極パターンに電気的に接続さ
れ、他端が半導体デバイスの電極パッドに接触可能な如
く下方に向けて斜めに突出するよう構成されている。そ
して、プロービング針５の中間部がプロービング針固定
リング４によって支持されている。On the lower surface of the printed circuit board 2, a probing needle fixing ring 4 which is formed in an inverted shape so as to protrude downward from the peripheral edge of the circular hole 3 is provided. Probing needle 5
Is supported. That is, these probing needles 5 are arranged corresponding to the electrode pads of the semiconductor device formed on the semiconductor wafer, one end of which is electrically connected to the electrode pattern formed on the printed circuit board 2 and the other. The end is configured to project obliquely downward so as to be able to contact the electrode pad of the semiconductor device. An intermediate portion of the probing needle 5 is supported by the probing needle fixing ring 4.
【００２２】また、上記プリント基板２の上面または下
面には、例えばリング状に形成された温度制御ユニット
６が固定されている。この温度制御ユニット６は、材質
例えばアルミニウム等から構成されており、その内部に
加熱機構として、例えば板状に形成されたセラミックス
ヒータ６ａと、プリント基板２の温度検出するための一
または複数の温度検出器６ｂが設けられている。温度検
出器６ｂは、プリント基板２の温度を正確に検出するた
め、プリント基板２に接触あるいは近接した状態に設定
されている。A temperature control unit 6 formed, for example, in a ring shape is fixed to the upper or lower surface of the printed circuit board 2. The temperature control unit 6 is made of a material, for example, aluminum or the like, and has a heating mechanism therein, for example, a ceramic heater 6a formed in a plate shape, and one or a plurality of temperatures for detecting the temperature of the printed circuit board 2. A detector 6b is provided. The temperature detector 6b is set in a state of being in contact with or in proximity to the printed circuit board 2 in order to accurately detect the temperature of the printed circuit board 2.
【００２３】また、温度制御ユニット６の上面には、電
力供給用端子６ｃと、温度センサ用端子６ｄとが設けら
れており、これらの端子を介して、図１に示すように、
セラミックスヒータ６ａおよび温度検出器６ｂは、プロ
ービング装置本体に設けられた温度制御用電力供給機構
１０に電気的に接続されている。この温度制御用電力供
給機構１０は、温度検出器６ｂからの温度検出信号を参
照して、セラミックスヒータ６ａに供給する電力を調節
し、プロービングカード１の温度を予め設定された所定
温度、例えば６０〜８０℃に設定することができるよう
構成されている。なお、このようなセラミックスヒータ
６ａおよび温度検出器６ｂと温度制御用電力供給機構１
０との電気的接続は、通常プロービングカード１に設け
られているユーティリティー端子１４を介して行うこと
もできる。On the upper surface of the temperature control unit 6, a power supply terminal 6c and a temperature sensor terminal 6d are provided, and through these terminals, as shown in FIG.
The ceramic heater 6a and the temperature detector 6b are electrically connected to a temperature control power supply mechanism 10 provided in the probing apparatus main body. The temperature control power supply mechanism 10 adjusts the power supplied to the ceramics heater 6a with reference to the temperature detection signal from the temperature detector 6b, and adjusts the temperature of the probing card 1 to a predetermined temperature, e.g. It is configured so that it can be set to 〜80 ° C. The ceramic heater 6a and the temperature detector 6b and the temperature control power supply mechanism 1
The electrical connection with 0 can also be made via a utility terminal 14 normally provided on the probing card 1.
【００２４】図１に示すように、上記構成のプロービン
グカード１はプロービング装置本体に設けられたカード
固定機構１１によってその周縁部が固定される。また、
カード固定機構１１の下部には、例えば真空チャック等
によって半導体ウエハ１２を吸着保持し、この半導体ウ
エハ１２を、ｘ−ｙ−ｚ方向に駆動して半導体ウエハ１
２上に形成された半導体デバイスの電極パッドとプロー
ビング針５とを順次接触させるウエハ保持台１３が設け
られている。このウエハ保持台１３は、図示しない加熱
機構を備えており、半導体ウエハ１２を所定温度、例え
ば60〜80℃に加熱することができるよう構成されてい
る。As shown in FIG. 1, the peripheral portion of the probing card 1 having the above-described structure is fixed by a card fixing mechanism 11 provided in the main body of the probing apparatus. Also,
At the lower part of the card fixing mechanism 11, the semiconductor wafer 12 is sucked and held by, for example, a vacuum chuck or the like, and the semiconductor wafer 12 is driven in the x-y-z directions to
A wafer holder 13 is provided for sequentially contacting the electrode pads of the semiconductor device formed on the substrate 2 with the probing needles 5. The wafer holder 13 includes a heating mechanism (not shown), and is configured to heat the semiconductor wafer 12 to a predetermined temperature, for example, 60 to 80 ° C.
【００２５】上記構成の本実施形態のプロービング装置
では、図示しないオートローダによって、カセット収容
部に設けられたウエハカセットから順次ウエハ保持台１
３上に半導体ウエハ１２をロード・アンロードし、図示
しない駆動機構によりウエハ保持台１３をｘ−ｙ−ｚ方
向に移動させることにより、半導体ウエハ１２の半導体
デバイスの電極パッドを、プロービング針５に順次接触
させ、プロービング針５を介して図示しないテスタによ
り半導体デバイスの電気的試験測定を行う。この時、ウ
エハ保持台１３に設けられた加熱機構によって半導体ウ
エハ１２を所定温度、例えば60〜80℃に加熱するととも
に、温度制御ユニット６および温度制御用電力供給機構
１０によって、プロービングカード１を所定温度、例え
ば60〜80℃に加熱しながら一連の測定動作を実施する。In the probing apparatus of this embodiment having the above-described configuration, the wafer holding table 1 is sequentially moved from the wafer cassette provided in the cassette accommodating section by an autoloader (not shown).
The semiconductor wafer 12 is loaded and unloaded onto the wafer 3, and the wafer holding table 13 is moved in the xyz direction by a drive mechanism (not shown), so that the electrode pads of the semiconductor devices on the semiconductor wafer 12 are moved to the probing needles 5. The semiconductor devices are sequentially brought into contact with each other, and an electrical test measurement of the semiconductor device is performed by a tester (not shown) via the probing needle 5. At this time, the semiconductor wafer 12 is heated to a predetermined temperature, for example, 60 to 80 ° C. by a heating mechanism provided on the wafer holding table 13, and the probing card 1 is heated to a predetermined temperature by the temperature control unit 6 and the temperature control power supply mechanism 10. A series of measurement operations are performed while heating to a temperature, for example, 60 to 80 ° C.
【００２６】したがって、例えば、ウエハ保持台１３
を、プロービングカード１の下方から半導体ウエハ１２
をロード・アンロードするための位置に移動し、ウエハ
保持台１３とプロービングカード１とが離れた状態とな
っても、プロービングカード１は測定中と同様に所定温
度に保持される。すなわち、熱源であるウエハ保持台１
３が、プロービングカード１に近接したり、離間するこ
とによって、プロービングカード１の温度が変化するこ
とを防止することができる。このため、温度変化による
プリント基板２の撓み等よって、プロービング針５の高
さ方向（ｚ方向）位置が変動することを防止することが
でき、常に所定圧力でプロービング針５が半導体デバイ
スの電極パッドに当接されるようにすることができるの
で、精度の良い試験測定を行うことができる。また、例
えば測定開始に先立って、ウエハ保持台１３をプロービ
ングカード１に近接対向させ、プロービングカード１を
加熱する必要もなく、作業効率の低下を招くこともな
い。Therefore, for example, the wafer holding table 13
From below the probing card 1
Is moved to a position for loading and unloading, and even if the wafer holding table 13 and the probing card 1 are separated from each other, the probing card 1 is maintained at a predetermined temperature in the same manner as during measurement. That is, the wafer holder 1 serving as a heat source
3 can be prevented from changing the temperature of the probing card 1 by approaching or separating from the probing card 1. For this reason, it is possible to prevent the position of the probing needle 5 in the height direction (z direction) from fluctuating due to bending of the printed circuit board 2 due to a temperature change, etc. , So that accurate test measurement can be performed. In addition, for example, prior to the start of measurement, the wafer holding table 13 is brought into close proximity to the probing card 1, and there is no need to heat the probing card 1 and there is no reduction in work efficiency.
【００２７】なお、上記実施形態では、温度制御ユニッ
ト６をプロービングカード１のプリント基板２に固定し
た場合について説明したが、温度制御ユニット６をプロ
ービング装置本体側に固定し、プロービングカード１を
プロービング装置本体に固定した際に、この温度制御ユ
ニット６がプリント基板２に当接されるよう構成するこ
ともできる。また、上記実施形態では、プロービング針
５を斜めに配置したプロービングカード１について説明
したが、近年、半導体デバイスの高集積化に伴って、プ
ロービング針をほぼ垂直に配置したプロービングカード
が開発されているが、このようなプロービングカードに
対しても、上記実施形態と同様にして本発明を適用する
ことができる。In the above embodiment, the case where the temperature control unit 6 is fixed to the printed circuit board 2 of the probing card 1 has been described. However, the temperature control unit 6 is fixed to the probing apparatus main body side, and The temperature control unit 6 may be configured to be in contact with the printed circuit board 2 when fixed to the main body. Further, in the above-described embodiment, the probing card 1 in which the probing needles 5 are arranged at an angle has been described. However, in recent years, a probing card in which the probing needles are arranged almost vertically has been developed with high integration of semiconductor devices. However, the present invention can be applied to such a probing card in the same manner as in the above embodiment.
【００２８】さらに、測定する半導体デバイスの品種に
よりプロービングカード１を自動的に交換するよう構成
されたプロービング装置では、プロービングカード１を
収容しておくカードストッカーを、予め測定を実施する
所定の温度に加熱しておくことにより、より短時間で高
温における測定を開始することが可能となる。Further, in the probing apparatus configured to automatically replace the probing card 1 according to the type of the semiconductor device to be measured, the card stocker storing the probing card 1 is set to a predetermined temperature at which the measurement is to be performed in advance. By heating, measurement at a high temperature can be started in a shorter time.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプロービ
ングカードによれば、作業効率の低下を招くことなくプ
ロービングカードの温度を一定に保つことができ、常に
均一な接触圧で精度の良い試験測定を行うことができる
ので作業効率の低下を招くことがない。また、基板外形
より温度制御機構を小さく構成したことにより、ユーテ
ィリティー端子をプリント基板上に配置することができ
る。As described above, according to the probing card of the present invention, the temperature of the probing card can be kept constant without lowering the working efficiency, and the test can be performed with a uniform contact pressure and high accuracy at all times. Since the measurement can be performed, the working efficiency is not reduced. Further, by configuring the temperature control mechanism to be smaller than the outer shape of the board, the utility terminals can be arranged on the printed board.
【図１】本発明の一実施形態のプロービングカートの要
部構成を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a main part of a probing cart according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のプロービングカードの平面図。FIG. 2 is a plan view of the probing card of FIG. 1;
【図３】図１のプロービングカードの斜視図。FIG. 3 is a perspective view of the probing card of FIG. 1;
１……プロービングカード、２……プリント基板、３…
…円孔、４……プロービング針固定リング、５……プロ
ービング針、６……温度制御ユニット、６ａ……セラミ
ックスヒータ、６ｂ……温度検出器、６ｃ……電力供給
用端子、６ｄ……温度センサ用端子、１０……温度制御
用電力供給機構、１１……カード固定機構、１２……半
導体ウエハ、１３……ウエハ保持台。1 ... probing card, 2 ... printed circuit board, 3 ...
... circular hole, 4 ... probing needle fixing ring, 5 ... probing needle, 6 ... temperature control unit, 6a ... ceramic heater, 6b ... temperature detector, 6c ... power supply terminal, 6d ... temperature Sensor terminals, 10: Temperature control power supply mechanism, 11: Card fixing mechanism, 12: Semiconductor wafer, 13: Wafer holder.
Claims (8)
て、基板に複数のプロービング針が配列されたプロービ
ングカードにおいて、 前記基板が、 前記プロービング針の先端を前記基板両面から視認可能
にした貫通孔と、 前記プロービングカードを所定の温度に制御する温度制
御機構とを備えたことを特徴とするプロービングカー
ド。1. A probing card in which a plurality of probing needles are arranged on a substrate corresponding to an electrode provided on a substrate to be measured, wherein the substrate makes a tip of the probing needle visible from both sides of the substrate. A probing card comprising: a through hole; and a temperature control mechanism for controlling the probing card to a predetermined temperature.
いて、 前記温度制御機構は、ユニット化され、前記基板に固定
されていることを特徴とするプロービングカード。2. The probing card according to claim 1, wherein said temperature control mechanism is unitized and fixed to said substrate.
いて、 前記温度制御機構が、前記基板に設けられた前記貫通孔
に対応した貫通孔を備えたことを特徴とするプロービン
グカード。3. The probing card according to claim 2, wherein the temperature control mechanism has a through hole corresponding to the through hole provided in the substrate.
ビングカードにおいて、 前記温度制御機構はヒータを
具備し、前記被測定基板の温度に応じて前記プロービン
グカードを所定の温度に加熱することを特徴とするプロ
ービングカード。4. The probing card according to claim 1, wherein the temperature control mechanism includes a heater, and heats the probing card to a predetermined temperature according to a temperature of the substrate to be measured. A probing card characterized by the following.
ビングカードにおいて、 前記温度制御機構が、前記基
板の上面又は下面に固定されていることを特徴とするプ
ロービングカード。5. The probing card according to claim 1, wherein the temperature control mechanism is fixed to an upper surface or a lower surface of the substrate.
ビングカードにおいて、 前記温度制御機構が、外部の
制御装置によって制御されることを特徴とするプロービ
ングカード。6. The probing card according to claim 1, wherein the temperature control mechanism is controlled by an external control device.
ビングカードにおいて、 前記温度制御機構の外形が、
前記基板の外形より小さくされていることを特徴とする
プロービングカード。7. The probing card according to claim 1, wherein the outer shape of the temperature control mechanism is:
A probing card characterized by being smaller than the outer shape of the substrate.
ビングカードにおいて、 前記温度制御機構の内部に、
前記基板の温度を測定する温度センサが設けられている
ことを特徴とするプロービングカード。8. The probing card according to claim 1, wherein the temperature control mechanism includes:
A probing card comprising a temperature sensor for measuring a temperature of the substrate.
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