JP2010138005A - シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】石英ガラスルツボ10は、天然石英ガラス層からなる外層11と、合成石英ガラス層からなる内層12とを備え、合成石英ガラス層は、ルツボ底部の中心からルツボ口径の50%以内の領域に形成された第1の合成石英ガラス層12aと、第1の合成石英ガラス層12aの形成領域を除いた領域に形成された第2の合成石英ガラス層12bとを含んでいる。前記第1の合成石英ガラス層12aは0.5mm以上1.5mm以下の厚さを有しており、第1の合成石英ガラス層12aに含まれるOH基の濃度が100ppm以下である。このように合成石英層をできるだけ薄く且つ高い粘度で構成した場合には、ルツボ底部の内表面の凹みが防止され、気泡の発生が抑制される。
【選択図】図1
Description
図1に示した構造を有する石英ガラスルツボのサンプルを用意した。ルツボサンプルのサイズは、直径32インチ(口径R0=800mm)、ルツボの高さ500mm、ルツボ内表面から外表面までの厚さは直胴部17mm、湾曲部25mm、底部14mmとした。また、第1の合成石英ガラス層の直径は400mm、厚さは1.0〜1.3mm(1.0mmはルツボの底部中心における最も薄い部分、1.3mmは底部中心からR/2の周縁位置における最も厚い部分、以下同様)、合成石英ガラス層の内表面から深さ2mmまでの範囲の平均OH基濃度(以下、単にOH基濃度という)は100ppm、天然石英ガラス層のNa,K及びLiの不純物濃度の合計は0.5ppm、及び、天然石英ガラス層のAlの不純物濃度は14ppmとした。
第1の合成石英ガラス層の厚さを0.8〜1.1mmとし、OH基濃度を70ppmとした点以外は実施例1と同一の構造を有するルツボサンプルを用意し、実施例1と同様の条件にてシリコン単結晶引き上げを行い、得られたシリコン単結晶のピンホール発生率を測定した。その結果、表1に示すように、実施例1よりも第1の合成石英ガラス層がさらに薄く、且つ、OH基濃度もさらに低い実施例2のピンホール発生率は0.04%となり、実施例1よりもピンホール発生率がさらに低下した。また単結晶化率は1であった。
天然石英ガラス層のNa,K及びLiの不純物濃度の合計を0.1%とした点以外は実施例2と同一の構造を有するルツボサンプルを用意し、実施例1と同様の条件にてシリコン単結晶引き上げを行い、得られたシリコン単結晶のピンホール発生率を測定した。その結果、表1に示すように、実施例2よりもNa,K及びLiの不純物濃度がさらに低い実施例4のピンホール発生率は0.02%となり、全サンプルの中で最も低いピンホール発生率となった。また単結晶化率は1であった。
天然石英ガラス層のAl濃度を8ppmとした点以外は実施例3と同一の構造を有するルツボサンプルを用意し、実施例1と同様の条件にてシリコン単結晶引き上げを行い、得られたシリコン単結晶のピンホール発生率を測定した。その結果、表1に示すように、実施例2よりもAl濃度が低い実施例3のピンホール発生率は0.04%となり、実施例3よりもピンホール発生率が増加した。また単結晶化率は1であった。
第1の合成石英ガラス層の厚さを1.8〜2.5mmとし、OH基濃度を60ppmとした点以外は実施例1と同一の構造を有するルツボサンプルを用意し、実施例1と同様の条件にてシリコン単結晶引き上げを行い、得られたシリコン単結晶のピンホール発生率を測定した。その結果、表1に示すように、第1の合成石英ガラス層が実施例1よりも厚い比較例1のピンホール発生率は0.5%となり、ピンホール発生率は大幅に増加した。また単結晶化率は1であった。
第1の合成石英ガラス層のOH基濃度を140ppmとした点以外は実施例1と同一の構造を有するルツボサンプルを用意し、実施例1と同様の条件にてシリコン単結晶引き上げを行い、得られたシリコン単結晶のピンホール発生率を測定した。その結果、表1に示すように、OH基濃度が実施例1よりも高い比較例2のピンホール発生率が0.16%となり、比較例1と同様にピンホール発生率が増加した。また単結晶化率は1であった。
10A ルツボの直胴部
10B ルツボの底部
10C ルツボの湾曲部
11 天然石英ガラス層
12 合成石英ガラス層
12a 第1の合成石英ガラス層
12b 第2の合成石英ガラス層
21 シリコン単結晶
21S シリコン単結晶の投影面
22 シリコン融液
Claims (5)
- 天然石英ガラス層からなる外層と、合成石英ガラス層からなる内層とを備え、
前記合成石英ガラス層は、ルツボ底部の中心から一定範囲内の領域に形成された第1の合成石英ガラス層と、前記第1の合成石英ガラス層の形成領域を除いた領域に形成された第2の合成石英ガラス層とを含み、
前記第1の合成石英ガラス層が0.5mm以上1.5mm以下の厚さを有し、
前記第1の合成石英ガラス層に含まれるOH基の濃度が100ppm以下であることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。 - 少なくとも前記第1の合成石英ガラス層に覆われた領域において、前記天然石英ガラス層に含まれるNa,K,及びLiの3元素の濃度の合計が0.5ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 少なくとも前記第1の合成石英ガラス層に覆われた領域において、前記天然石英ガラス層に含まれるAlの濃度が10ppm以上200ppm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 前記第1の合成石英ガラス層の形成領域は、前記ルツボ底部の中心からルツボ口径の50%以内の領域を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ。
- 回転しているモールドの内表面に天然石英ガラス層の原料となる天然石英粉を堆積させる工程と、
前記天然石英粉による層の内表面に合成石英ガラス層の原料となる合成石英粉を堆積させる工程と、
前記天然石英粉及び前記合成石英粉を溶融することにより前記天然石英ガラス層及び前記合成石英ガラス層を有する石英ガラスルツボを成形する工程とを備え、
前記合成石英粉を堆積させる工程では、ルツボ底部の中心から一定範囲内の領域において合成石英ガラス層の厚さが0.5mm以上1.5mm以下となるように、前記合成石英粉を堆積させることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法。
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