JP2010135594A - ダイオード - Google Patents
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Abstract
【課題】 逆回復特性に優れたダイオードを提供する。
【解決手段】 カソード電極10とアノード電極60の間に設けられているとともに、高抵抗領域34とその高抵抗領域34に隣接する絶縁体領域32とを有する中間領域30を備えている。中間領域30は、カソード電極10とアノード電極60を結ぶ方向に直交する断面において、高抵抗領域34の占有面積率が高い第1断面A1と、高抵抗領域34の占有面積率が低い第2断面A2を有している。第1断面A1が第2断面A2よりもカソード電極10側に配置されている。
【選択図】図1
【解決手段】 カソード電極10とアノード電極60の間に設けられているとともに、高抵抗領域34とその高抵抗領域34に隣接する絶縁体領域32とを有する中間領域30を備えている。中間領域30は、カソード電極10とアノード電極60を結ぶ方向に直交する断面において、高抵抗領域34の占有面積率が高い第1断面A1と、高抵抗領域34の占有面積率が低い第2断面A2を有している。第1断面A1が第2断面A2よりもカソード電極10側に配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、ダイオードに関する。
ダイオードは、カソード電極とアノード電極の間にn型の不純物の濃度が薄い高抵抗領域を備えている。ダイオードでは、アノード電極とカソード電極の間(アノード・カソード間)に印加されている電圧が順方向から逆方向に反転すると、高抵抗領域内に空乏層が伸び、その空乏層によってアノード・カソード間に電流が流れるのを禁止する。アノード・カソード間に印加されている電圧が順方向から逆方向に反転した直後には、高抵抗領域に蓄積されていた正孔がアノード電極に排出され、高抵抗領域に蓄積されていた電子がカソード電極に排出される。これにより、反転した直後には、アノード電極とカソード電極の間を逆方向に電流が流れる(逆回復電流という)。
特許文献1にはPIN型のダイオードが開示されている。そのPIN型ダイオードは、p型の不純物の濃度が薄い低濃度アノード領域と、その低濃度アノード領域内に分散配置されているp型の不純物の濃度が濃い高濃度アノード領域を有している。特許文献1のPIN型のダイオードでは、高濃度アノード領域を分散配置することによって、順方向電圧が印加されている間に高抵抗領域に注入されるキャリアの数を抑制し、逆回復時に高抵抗領域のキャリアを迅速に消失させている。これにより、逆回復時の逆回復電流に起因する電力損失を低減化している。
逆回復時の電力損失を低減化するためには、高抵抗領域からキャリアを迅速に消失させることが有効である。ところが、キャリアの消失速度が速くなり過ぎると、逆回復電流の変化率が大きくなり、過大なサージ電圧が発生し易い。
本発明は、逆回復時の電力損失を低減化しながら、サージ電圧を抑制する技術を提供する。
本発明は、逆回復時の電力損失を低減化しながら、サージ電圧を抑制する技術を提供する。
本願明細書で開示される技術は、高抵抗領域内に存在するキャリアが、その高抵抗領域内の位置に応じてダイオードの逆回復特性に与える影響度が異なるという事象を利用することを特徴としている。高抵抗領域内のうちのカソード領域側に存在するキャリアは、逆回復電流のうちの後半の変化率に強い影響を与える。また、逆回復電流のうちの後半の変化率は特に、サージ電圧に強い影響を与える。逆回復電流のうちの後半の変化率が緩やかであれば、過大なサージ電圧が抑えられる。即ち、本願明細書で開示される技術は、高抵抗領域内に存在するキャリアのうちカソード領域側に存在するキャリアを相対的に増加させることによって、逆回復時の電力損失を低減化しながら、サージ電圧を抑制することを特徴としている。
本明細書で開示されるダイオードは、カソード電極とアノード電極の間に設けられているとともに、第1導電型の高抵抗半導体領域と、その高抵抗半導体領域に隣接する絶縁体領域とを有する中間領域を備えている。中間領域は、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、高抵抗半導体領域の占有面積率が高い第1断面と、高抵抗半導体領域の占有面積率が低い第2断面を有している。第1断面は、第2断面よりもカソード電極側に配置されている。
ここで、「高抵抗半導体領域の占有面積率」とは、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、その断面の全面積に占める高抵抗半導体領域の面積の割合である。例えば、中間領域が高抵抗半導体領域と絶縁体領域のみで構成されている場合、「高抵抗半導体領域の占有面積率」は、(前記断面における高抵抗半導体領域の面積/前記断面における高抵抗半導体領域の面積+前記断面における絶縁領域の面積)によって求められる。また、上記の「高い」及び「低い」という表現は、相対的な関係のみを規定しており、第1断面における高抵抗半導体領域の占有面積率が第2断面における高抵抗半導体領域の占有面積率よりも高いことを特定している。
ここで、「高抵抗半導体領域の占有面積率」とは、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、その断面の全面積に占める高抵抗半導体領域の面積の割合である。例えば、中間領域が高抵抗半導体領域と絶縁体領域のみで構成されている場合、「高抵抗半導体領域の占有面積率」は、(前記断面における高抵抗半導体領域の面積/前記断面における高抵抗半導体領域の面積+前記断面における絶縁領域の面積)によって求められる。また、上記の「高い」及び「低い」という表現は、相対的な関係のみを規定しており、第1断面における高抵抗半導体領域の占有面積率が第2断面における高抵抗半導体領域の占有面積率よりも高いことを特定している。
上記したダイオードは、中間領域に絶縁体領域を備えていることを特徴している。さらに、上記したダイオードでは、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、高抵抗半導体領域の占有面積率が高い第1断面が、高抵抗半導体領域の占有面積率が低い第2断面よりカソード電極側に配置されていることを特徴としている。即ち、上記したダイオードでは、中間領域において高抵抗半導体領域が占める領域が、アノード電極側よりもカソード電極側で相対的に大きいことを特徴としている。このため、上記したダイオードでは、順方向電圧が印加されたときに、高抵抗半導体領域に存在するキャリアがカソード電極側で相対的に多い。換言すると、上記したダイオードでは、順方向電圧が印加されたときに、キャリアの存在可能な領域が、中間領域のアノード電極側よりもカソード電極側の方で広い。このため、上記したダイオードでは、逆回復時に、アノード電極から遠い領域に残留しているキャリアを相対的に増加させることができる。したがって、逆回復電流のうちの後半の変化率が緩やかになり、過大なサージ電圧が抑えられる。一方、上記したダイオードでは、中間領域において高抵抗半導体領域が占める領域が、アノード電極側で相対的に小さいことも特徴としている。このため、上記したダイオードでは、順方向電圧が印加されたときに、高抵抗半導体領域に過剰のキャリアが蓄積されることを抑制することができる。上記したダイオードでは、逆回復電流に起因する電力損失を低減化することもできる。
本明細書で開示されるダイオードでは、中間領域が、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、絶縁体領域の占有面積率が高い第3断面と、絶縁体領域の占有面積率が低い第4断面を有していることが好ましい。第3断面が第4断面よりもアノード電極側に配置されていることが好ましい。
ここで、「絶縁体領域の占有面積率」とは、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、その断面の全面積に占める絶縁体領域の面積の割合である。例えば、中間領域が絶縁体領域と高抵抗半導体領域のみで構成されている場合、「絶縁体領域の占有面積率」は、(前記断面における絶縁体領域の面積/前記断面における絶縁体領域の面積+前記断面における高抵抗半導体領域の面積)によって求められる。また、上記の「高い」及び「低い」という表現は、相対的な関係のみを規定しており、第3断面における絶縁体領域の占有面積率が第4断面における絶縁体領域の占有面積率よりも高いことを特定している。
ここで、「絶縁体領域の占有面積率」とは、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、その断面の全面積に占める絶縁体領域の面積の割合である。例えば、中間領域が絶縁体領域と高抵抗半導体領域のみで構成されている場合、「絶縁体領域の占有面積率」は、(前記断面における絶縁体領域の面積/前記断面における絶縁体領域の面積+前記断面における高抵抗半導体領域の面積)によって求められる。また、上記の「高い」及び「低い」という表現は、相対的な関係のみを規定しており、第3断面における絶縁体領域の占有面積率が第4断面における絶縁体領域の占有面積率よりも高いことを特定している。
上記したダイオードでは、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、絶縁体領域の面積を広く確保することによって中間領域に占める高抵抗半導体領域の面積を狭く構成させ、絶縁体領域の面積を狭く確保することによって中間領域に占める高抵抗半導体領域の面積を広く構成させることができる。絶縁体領域の形態を工夫することによって、本明細書で開示されるダイオードを構築することができる。
本明細書で開示されるダイオードでは、高抵抗半導体領域が半導体基板内に設けられており、カソード電極が半導体基板の一方の主面に形成されており、アノード電極が半導体基板の他方の主面に形成されるのが好ましい。本明細書で開示されるダイオードは、縦型のダイオードであるのが好ましい。
本明細書で開示されるダイオードでは、絶縁体領域が、アノード電極側からカソード電極側に向けて細くなるテーパ形状であることが好ましい。
半導体基板の表面の面方位と、エッチングのためのマスクの開口面積とエッチング剤等を適宜に選択すると、半導体基板の深さ方向に向けて細くなるテーパ形状の溝を形成することができる。この溝内に絶縁体を充填すると、上記の絶縁体領域を形成することができる。上記形態の絶縁体領域は、製造が容易であるという特徴を有する。
半導体基板の表面の面方位と、エッチングのためのマスクの開口面積とエッチング剤等を適宜に選択すると、半導体基板の深さ方向に向けて細くなるテーパ形状の溝を形成することができる。この溝内に絶縁体を充填すると、上記の絶縁体領域を形成することができる。上記形態の絶縁体領域は、製造が容易であるという特徴を有する。
本明細書で開示されるダイオードの特徴は、機能的に表現することも可能である。この場合、本明細書で開示されるダイオードは、カソード電極とアノード電極の間に設けられているとともに、第1導電型の高抵抗半導体領域とその高抵抗半導体領域に隣接する絶縁体領域とを有する中間領域を備えている。中間領域は、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、順方向電圧が印加されたときのキャリアの存在可能領域が広い第5断面と、順方向電圧が印加されたときのキャリアの存在可能領域が狭い第6断面を有している。第5断面は、第6断面よりもカソード電極側に配置されている。
本明細書で開示されるダイオードによると、逆回復時の電力損失を低減化しながら、サージ電圧を抑制することができる。
本明細書で開示される技術の特徴を以下に整理しておく。
(1)縦型のPIN型のダイオードが備えている絶縁体領域の最深部は、少なくともアノード領域の最深部(表面から2〜3μm)よりも深い。
(2)絶縁体領域は、シリコン基板の表面から40μmよりも深い領域に至るまで設けられていることが好ましい。
(3)絶縁体領域は、シリコン基板の表面から50μmよりも深い領域に至るまで設けられていることがさらに好ましい。
(4)本明細書で開示されるダイオードの製造方法は、
第1導電型の不純物を低濃度に含む半導体基板の表面に第2導電の不純物を注入し、アノード領域を形成する工程と、
半導体基板の表面にマスクを形成する工程と、
マスクを選択的に除去して開口を形成する工程と、
マスクの開口から半導体基板をエッチングし、断面形状の横幅が深さ方向に向けて細くなるテーパ形状の溝を形成する工程と、
溝に絶縁体を充填する工程を備えている。
(1)縦型のPIN型のダイオードが備えている絶縁体領域の最深部は、少なくともアノード領域の最深部(表面から2〜3μm)よりも深い。
(2)絶縁体領域は、シリコン基板の表面から40μmよりも深い領域に至るまで設けられていることが好ましい。
(3)絶縁体領域は、シリコン基板の表面から50μmよりも深い領域に至るまで設けられていることがさらに好ましい。
(4)本明細書で開示されるダイオードの製造方法は、
第1導電型の不純物を低濃度に含む半導体基板の表面に第2導電の不純物を注入し、アノード領域を形成する工程と、
半導体基板の表面にマスクを形成する工程と、
マスクを選択的に除去して開口を形成する工程と、
マスクの開口から半導体基板をエッチングし、断面形状の横幅が深さ方向に向けて細くなるテーパ形状の溝を形成する工程と、
溝に絶縁体を充填する工程を備えている。
(第1実施例)
図1に、PIN型のダイオード1の要部断面図を示す。ダイオード1は、カソード電極10とシリコン基板2とアノード電極60を備えている。カソード電極10は、シリコン基板2の裏面2bに形成されている。アノード電極60は、シリコン基板2の表面2aに形成されている。シリコン基板2はその厚みが170μm程度である。カソード電極10とアノード電極60の材料には、アルミニウム等が用いられている。
図1に、PIN型のダイオード1の要部断面図を示す。ダイオード1は、カソード電極10とシリコン基板2とアノード電極60を備えている。カソード電極10は、シリコン基板2の裏面2bに形成されている。アノード電極60は、シリコン基板2の表面2aに形成されている。シリコン基板2はその厚みが170μm程度である。カソード電極10とアノード電極60の材料には、アルミニウム等が用いられている。
シリコン基板2内には、n+型のカソード領域20とn-型の中間領域30とp+型のアノード領域50が設けられている。カソード領域20は、シリコン基板2の裏層部に設けられており、カソード電極10に電気的に接続されている。カソード領域20は、その厚みが50μm以下である。カソード領域20には、イオン注入技術を利用して、リンが高濃度に導入されている。そのキャリア濃度は、カソード電極10に接している領域において1019/cm3程度となるように調整されている。
中間領域30は、カソード領域20とアノード領域50の間に設けられている。中間領域30は、高抵抗領域34と絶縁体領域32を備えている。高抵抗領域34は、その厚みが120μm程度である。高抵抗領域34は、リンを低濃度に含んでおり、その抵抗値が高い。高抵抗領域34のキャリア濃度は、厚み方向に一定の1013〜1014/cm3程度に調整されている。なお、高抵抗領域34は、イオン注入技術を利用して、シリコン基板2の裏層部にカソード領域20を形成し、表層部にアノード領域50を形成した後の残部である。高抵抗領域34のキャリア濃度は、シリコン基板2に含まれていた不純物濃度にほぼ等しい。
絶縁体領域32は、シリコン基板2の表面2aから深さ方向に伸びて設けられている。絶縁体領域32は、断面形状の横幅がアノード電極60側からカソード電極10側に向けて徐々に細くなるテーパ形状である。絶縁体領域32は、底部が平坦になっており、全体形状は台形である。絶縁体領域32の底部は、カソード領域20内に達している。絶縁体領域32は、シリコン基板2の表面2aから最深部までの深さが150μm程度である。絶縁体領域32は、図1の奥行き方向に連続的に伸びていてもよく、図1の奥行き方向に断続的に設けられていてもよい。また、絶縁体領域32は、底部が平坦になっていなくてもよい。
アノード領域50は、シリコン基板2の表層部に設けられており、アノード電極60に電気的に接続されている。アノード領域50は、その厚みが3μm程度である。アノード領域50には、イオン注入技術を利用して、ボロンが高濃度に導入されている。そのキャリア濃度は、アノード電極60に接している領域において、1018〜1019/cm3程度に調整されている。
上記したように、ダイオード1の中間領域30には、テーパ形状の絶縁体領域32が設けられている。このため、ダイオード1の中間領域30において、カソード電極10とアノード電極60を結ぶ方向(図1の上下方向)に直交する断面を比較すると、カソード電極10側に配置されている第1断面A1における高抵抗領域34の占有面積率が、アノード電極60側に配置されている第2断面A2における高抵抗領域34の占有面積率よりも高い。すなわち、第1断面A1における絶縁体領域32の占有面積率が、第2断面A2における絶縁体領域32の占有面積率よりも低い。
ダイオード1では、順方向電圧が印加されると、カソード領域20から高抵抗領域34に電子が注入される。また、アノード領域50から高抵抗領域34に正孔も注入される。ダイオード1では、電子と正孔の存在可能な高抵抗領域34が、アノード電極60側からカソード電極10側に向けて広くなっている。このため、順方向電圧が印加されているときの中間領域30内に存在するキャリアは、アノード電極60側からカソード電極10側に向けて相対的に多くなる。順方向電圧が印加されている時の正孔の量を、図2のグラフhで示す。また、順方向電圧が印加されている時の電子の量を、図2のグラフeで示す。順方向電圧印加時には、中間領域30のカソード電極10側の方に、アノード電極60側と比較して多くのキャリアが分布する。
ダイオード1に印加される電圧が順方向から逆方向に反転すると、順方向電圧が印加されていた間に高抵抗領域34に蓄積されていた正孔がアノード領域50を介してアノード電極60に排出され、高抵抗領域34に蓄積されていた電子がカソード領域20を介してカソード電極10に排出される。このため、逆方向電圧が印加された直後には、アノード電極60とカソード電極10の間に、逆回復電流が流れる。
前記したように、ダイオード1では、逆回復時において、アノード電極60から遠い領域に残留している正孔を相対的に増加させることができる。アノード電極60から遠い領域に残留している正孔は、逆回復電流の後半の変化率に影響を及ぼす。ダイオード1のようにアノード電極60から遠い領域に残留している正孔が多いと、逆回復電流の後半の変化率が緩やかになる。一方、ダイオード1では、中間領域30に占める高抵抗半導体領域34の存在領域が、アノード電極60側で相対的に小さいことも他の1つの特徴としている。このため、ダイオード1では、順方向電圧が印加されているときに、高抵抗半導体領域34に過剰のキャリアが蓄積されない。したがって、ダイオード1では、高抵抗半導体領域34に蓄積される電荷量を小さくすることができ、逆回復電流のピーク値を小さく抑えることができる。図3を参照して、ダイオード1の逆回復電流の様子を示す。図3中のグラフL1がダイオード1の逆回復電流であり、図3中のグラフL2が従来のPIN型ダイオード(絶縁体領域が設けられていない例)の逆回復電流である。図3に示すように、ダイオード1の逆回復電流は、そのピーク値が低く抑えられるとともに、後半の変化率が緩やかになる。このため、ダイオード1は、電力損失が低減化されるとともに、過大なサージ電圧やサージ電流も抑えられる。また、アノード・カソード間電圧やアノード・カソード間電流が発振することを防止することができる。
図4に、絶縁体領域32の最深部の深さを変更したPIN型ダイオードにおける逆回復電流のシミュレーション結果を示す。ここでは、中間領域30に絶縁体領域32が設けられていないダイオード(d=0μm)と、絶縁体領域32の最深部の深さが表面2aから50μmのダイオード(d=50μm)と、深さが表面2aから100μmのダイオード(d=100μm)と、深さが表面2aから150μmの本実施例のダイオード1(d=150μm)の逆回復電流を観測する。なお、いずれの絶縁体領域32も表面2aに露出している面積は同一である。
図4に示すように、絶縁体領域32が設けられていると、逆回復電流が逆方向(グラフの負の方向)に振れている領域の時間積分値が小さくなる。この時間積分値は、高抵抗領域34に蓄積されている電荷の量、即ち、高抵抗領域34に蓄積されているキャリアの量と強い相関関係がある。この結果から、絶縁体領域32が設けられていると、高抵抗領域34に蓄積されているキャリアの量を抑制することができ、逆回復電流が流れることによる電力損失が抑えられることが判る。特に、深さが150μmの絶縁体領域32を備えているダイオード1は、高抵抗領域34に過剰に蓄積されるキャリアの量が少なく、逆回復電流が流れることによる電力損失が少なくなっている。
また、絶縁体領域32が設けられていると、逆回復電流の負方向のピーク値が小さい。また、負方向の最大値から0に収束するときの(逆回復電流の後半期の)変化率が小さい。この変化率が大き過ぎると、過大なサージ電圧やサージ電流が発生することがある。また、アノード・カソード間電圧やアノード・カソード間電流が発振することがある。絶縁体領域32が設けられていることにより、アノード・カソード間の過大なサージ電圧やサージ電流が抑えられ、アノード・カソード間電圧やアノード・カソード間電流が発振することを抑制することができる。
図5から図9を参照してダイオード1の製造方法を説明する。
図5に示すように、n-型のバルクシリコン基板2を準備する。まず、シリコン基板2の表面2aからp型不純物イオンのボロンBを注入して熱拡散する。これにより、アノード領域50を形成する。
図5に示すように、n-型のバルクシリコン基板2を準備する。まず、シリコン基板2の表面2aからp型不純物イオンのボロンBを注入して熱拡散する。これにより、アノード領域50を形成する。
次に図6に示すように、表面2aにマスクM1を形成し、そのマスクM1のうち絶縁体領域32を形成する領域に開口を形成する。シリコン基板2の表面の面方位とエッチング剤を選択して異方性エッチングを行う。シリコン基板2の表面2aの面方位は(100)面である。エッチング剤にKOH水溶液やTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液を選択するとともに、マスクM1の開口の幅(図6に示す断面の幅)を200μm以下とすると、(111)面を側面とする溝T1が形成される。溝T1の深さは150μm程度とする。溝T1の断面形状の横幅が、シリコン基板2の深さ方向に向けて細くなるテーパ形状となる。
次に図7に示すように、CVD法によって溝T1内に酸化シリコンを充填した後に、マスクM1と表面2aに堆積した酸化シリコンを除去する。これにより絶縁体領域32が形成される。なお、溝T1内は、ノンドープのポリシリコンやシリカビーズ等を用いて充填してもよい。
次に図8に示すように、シリコン基板2の表面2aに、アルミニウム等の金属膜を形成し、アノード電極60とする。次に、図9に示すように、シリコン基板2を薄板化する。シリコン基板2が1.2kVの耐圧を保持することができるように、その厚みを170μm程度とする。
次に図10に示すように、シリコン基板2の裏面2bからn型不純物イオンのリンを注入して熱拡散する。これにより、カソード領域20を形成する。次に、シリコン基板2の裏面2bにアルミニウム等の金属膜を形成し、図1に示すカソード電極10とする。これにより、図1に示すダイオード1を形成することができる。
なお、上記したダイオード1では、シリコン基板2の表面2aからの深さが150μm程度の絶縁体領域32を形成する場合について説明したが、n型不純物の濃度が5×103/cm3のシリコン基板を用い、耐圧の設定が1.2kである場合には、絶縁体領域32の表面2aからの深さは50μm〜150μmの間であればよい。絶縁体領域32の底部は、上記したダイオード1のようにカソード領域20内に存在してもよいし、中間領域30内に存在してもよい。
また、上記したダイオード1の製造方法では、シリコン基板2の面方位と、エッチングのためのマスクM1の開口面積と、エッチング剤等を選択することによってテーパ形状の溝T1を形成する場合について説明した(図6参照)が、テーパ形状の溝T1を形成する方法は上記方法に限定されるものではない。例えば、アノード電極60側からカソード電極10側に向けて断面形状の横幅がほぼ同じトレンチをエッチングによって形成した後に、アルカリエッチングでテーパ化することによって溝T1を形成してもよい。
また、上記したダイオード1の製造方法では、図5と図6に示したように、表面2aからp型不純物イオンを注入して熱拡散する工程を実施した後に、溝T1を形成する工程を実施する場合について説明したが、各工程を実施する順序は上記実施例に限定されるものではない。アノード電極60を形成する工程やカソード電極10を形成する工程を実施する順序も上記実施例に限定されるものではない。例えば、まず、溝T1を形成して溝T1内に絶縁体を充填し、次に表面2aからp型不純物イオンを注入して熱拡散してアノード領域50を形成し、次にシリコン基板2を薄板化し、次に裏面2bからn型不純物イオンを注入して熱拡散してカソード領域20を形成し、次にアノード電極60とカソード電極10を形成してもよい。シリコン基板2を薄板化する前に、アノード電極60のみを先に形成してもよい。溝T1を形成した後にアノード領域50を形成する順序で各工程を実施する場合には、溝T1を形成する工程に起因してアノード領域50のp型不純物濃度が変化することを抑制することができる。不純物イオン注入と熱拡散を実施した後に電極を形成する場合には、熱拡散による電極の損傷を抑制することができる。
また、上記した製造方法では、n-型のシリコン基板2を利用してダイオード1を形成する場合について説明したが、n+型のシリコン基板を利用してその上にn-型の半導体領域をエピタキシャル成長させた後にダイオード1を形成してもよい。この場合には、基板の裏面2bからn型不純物イオンを注入して熱拡散する工程を省略することができる。
(第1実施例の変形例1)
図11に、ダイオード6の断面図を模式的に示す。ダイオード6は、図1に示したダイオード1の絶縁体領域32に代えて、段差状の絶縁体領域31を備えていることを特徴としている。図11では、図1に示すダイオード1と共通する部分については同じ番号を付することによってその重複説明を省略する。
図11に、ダイオード6の断面図を模式的に示す。ダイオード6は、図1に示したダイオード1の絶縁体領域32に代えて、段差状の絶縁体領域31を備えていることを特徴としている。図11では、図1に示すダイオード1と共通する部分については同じ番号を付することによってその重複説明を省略する。
絶縁体領域31は、アノード電極60側からカソード電極10側に向けて段階的に細くなっている。ダイオード6も、カソード電極10とアノード電極60を結ぶ方向に直交する断面において、高抵抗領域34の占有面積率が高い第1断面A1が、高抵抗領域34の占有面積率が低い第2断面A2よりカソード電極10側に配置されている。ダイオード6に順方向電圧が印加されている時の正孔の量を、図12のグラフhで示す。また、順方向電圧が印加されている時の電子の量を、図12のグラフeで示す。ダイオード6でも、順方向電圧が印加されたときに存在するキャリアが、アノード電極60側よりもカソード電極10側で多い。したがって、ダイオード6を用いると、ダイオード1と同様に逆回復電流の後半の変化率が緩やかにすることができる。
半導体材料とエッチング剤の組合せ等によっては、断面形状の横幅が深さ方向に向けて細くなるテーパ形状の絶縁体領域を形成できないことがある。そのような場合に、複数回のエッチングを利用してダイオード6のような形態を構成すれば、逆回復特性を改善することができる。
(第1実施例の変形例2)
図13に、ダイオード3の断面図を模式的に示す。ダイオード3は、図1に示したダイオード1の絶縁体領域32に代えて、断面形状の横幅が最深部に至るまで同じ幅の絶縁体領域33を備えていることを特徴としている。
図13に、ダイオード3の断面図を模式的に示す。ダイオード3は、図1に示したダイオード1の絶縁体領域32に代えて、断面形状の横幅が最深部に至るまで同じ幅の絶縁体領域33を備えていることを特徴としている。
ダイオード3も、カソード電極10とアノード電極60を結ぶ方向に直交する断面において、高抵抗領域34の占有面積率が高い第1断面A1が、高抵抗領域34の占有面積率が低い第2断面A2よりカソード電極10側に配置されている。ダイオード3に順方向電圧が印加されている時の正孔の量を、図14のグラフhで示す。また、順方向電圧が印加されている時の電子の量を、図14のグラフeで示す。ダイオード3でも、順方向電圧が印加されたときに存在するキャリアが、アノード電極60側よりもカソード電極10側で多い。したがって、ダイオード3を用いると、ダイオード1と同様に、逆回復電流の後半の変化率が緩やかにすることができる。
絶縁体領域33の最深部の深さは、アノード領域50の最深部の深さよりも深ければよい。絶縁体領域33の最深部の深さは、表面2aから40μm以上であることが好ましい。絶縁体領域33の最深部の深さは、図3に示したように、表面2aから50μm以上であることがさらに好ましい。
(第2実施例)
図15にPIN型のダイオード4の斜視図を示す。図15では、図1に示すダイオード1と機能が共通する構成要素については同じ番号の末尾に「a」を追加した符号を付することによってその重複説明を省略する。ダイオード4は横型のダイオードである。
図15にPIN型のダイオード4の斜視図を示す。図15では、図1に示すダイオード1と機能が共通する構成要素については同じ番号の末尾に「a」を追加した符号を付することによってその重複説明を省略する。ダイオード4は横型のダイオードである。
シリコン基板2内には、カソード領域20aと中間領域30aとアノード領域50aが設けられている。各々の領域は、シリコン基板2の表面2aと裏面2bの双方に面しており、図15に示す奥側から手前側に向けて順に配置されている。カソード領域20aの表面2aの一部がカソード電極10aに覆われている。カソード電極10aで覆われていないカソード領域20aの表面2aは、絶縁膜Z1で覆われている。アノード領域50aの表面2aはアノード電極60aで覆われている。
カソード領域20aとアノード領域50aの間に設けられている中間領域30aは、高抵抗領域34aと絶縁体領域32aを備えている。絶縁体領域32aは、アノード領域50aからカソード領域20aに至るまで設けられている。絶縁体領域32aは、表面2aに面しており、アノード領域50a側からカソード領域20a側に向けて表面2aからの深さが浅くなっている。絶縁体領域32a以外の中間領域30aが、高抵抗領域34aとなっている。
ダイオード4の中間領域30aには、アノード領域50aからカソード領域20aに向けて浅くなる絶縁体領域32aが設けられている。このため、ダイオード4の中間領域30aにおいて、カソード領域20aとアノード領域50aを結ぶ方向に直交する断面を比較すると、カソード領域20a側に配置されている第1断面A1における高抵抗領域34aの占有面積率が、アノード領域50a側に配置されている第2断面A2における高抵抗領域34aの占有面積率よりも高い。すなわち、第1断面A1における絶縁体領域32aの占有面積率が、第2断面A2における絶縁体領域32の占有面積率よりも低い。
ダイオード4でも、第1実施例のダイオード1と同様に、順方向電圧印加時が印加されたときの中間領域30aに存在するキャリアが、アノード領域50a側(アノード電極60a側)からカソード領域20a側(カソード電極10a側)に向けて相対的に多くなる。したがって、ダイオード4を用いると、第1実施例のダイオード1と同様に、逆回復電流の後半の変化率を緩やかにすることができる。
図16から図18を参照してダイオード4の製造方法のうち、絶縁体領域32aを形成する工程を説明する。
図16に示すように、n-型のバルクシリコン基板2に、不純物イオン注入と熱拡散を繰り返し、アノード領域50aとカソード領域20aを形成した後に、シリコン基板2の表面2aにマスクM2を形成して選択的に除去する。この際に、カソード領域20a側の方が、アノード領域50a側よりも開口の幅(図16の横方向の長さ)が徐々に小さくなるように、マスクM2を除去する。
次にシリコン基板2をエッチングする。マスクM2の開口幅が大きい部分ほど深い溝T2が形成される。
図16に示すように、n-型のバルクシリコン基板2に、不純物イオン注入と熱拡散を繰り返し、アノード領域50aとカソード領域20aを形成した後に、シリコン基板2の表面2aにマスクM2を形成して選択的に除去する。この際に、カソード領域20a側の方が、アノード領域50a側よりも開口の幅(図16の横方向の長さ)が徐々に小さくなるように、マスクM2を除去する。
次にシリコン基板2をエッチングする。マスクM2の開口幅が大きい部分ほど深い溝T2が形成される。
次に図17に示すように、溝T2の内面を熱酸化して熱酸化膜Z2を形成する。シリコン基板2を熱酸化することにより、溝T2の内面以外に形成された熱酸化膜Z2(図示していない)は、不要であれば除去する。
次に図18に示すように、CVD法によって溝T2内に酸化シリコンの堆積絶縁膜Z3を充填する。表面2aに堆積した堆積絶縁膜Z3を除去する。これにより絶縁体領域32aが形成される。図16から図18では、理解し易いように、溝T2の間隔や熱酸化膜Z2の厚みを実際よりも大きくしても模式化している。このため、図18に示す絶縁体領域32aは、図15に示した絶縁体領域32aと比較して底面が滑らかな斜面となってはいない。溝T2の間隔を小さくすること等によって絶縁体領域32aの底面を図15に示した滑らかな斜面に近づけることができる。しかしながら、絶縁体領域32aの底面は必ずしも滑らか斜面となっていなくてもよい。
次に図18に示すように、CVD法によって溝T2内に酸化シリコンの堆積絶縁膜Z3を充填する。表面2aに堆積した堆積絶縁膜Z3を除去する。これにより絶縁体領域32aが形成される。図16から図18では、理解し易いように、溝T2の間隔や熱酸化膜Z2の厚みを実際よりも大きくしても模式化している。このため、図18に示す絶縁体領域32aは、図15に示した絶縁体領域32aと比較して底面が滑らかな斜面となってはいない。溝T2の間隔を小さくすること等によって絶縁体領域32aの底面を図15に示した滑らかな斜面に近づけることができる。しかしながら、絶縁体領域32aの底面は必ずしも滑らか斜面となっていなくてもよい。
(第2実施例の変形例1)
図19に、ダイオード5の斜視図を示す。ダイオード5は、図15に示したダイオード4の絶縁体領域32aに代えて、平面形状の横幅がカソード領域20a側で狭くなっている絶縁体領域32bを備えている。図19では、図15に示すダイオード1と共通する部分については同じ番号を付することによってその重複説明を省略する。
図19に、ダイオード5の斜視図を示す。ダイオード5は、図15に示したダイオード4の絶縁体領域32aに代えて、平面形状の横幅がカソード領域20a側で狭くなっている絶縁体領域32bを備えている。図19では、図15に示すダイオード1と共通する部分については同じ番号を付することによってその重複説明を省略する。
絶縁体領域32bは、アノード領域50aからカソード領域20aに至るまで設けられている。絶縁体領域32bは、表面2aから裏面2bに達している。中間領域30bを平面視すると、絶縁体領域32bは、アノード領域50a側(図19の手前側)からカソード領域20a側(図1の奥側)に向けて横幅が細くなるテーパ形状である。絶縁体領域32b以外の中間領域30bが、高抵抗領域34bとなっている。
ダイオード5の中間領域30bには、平面形状の横幅がアノード領域50aからカソード領域20aに向けて狭くなる絶縁体領域32bが設けられている。このため、ダイオード5の中間領域30bにおいて、カソード領域20aとアノード領域50aを結ぶ方向に直交する断面を比較すると、カソード領域20a側に配置されている第1断面A1における高抵抗領域34bの占有面積率が、アノード領域50a側に配置されている第2断面A2における高抵抗領域34bの占有面積率よりも高い。
なお、アノード領域50aのうち、高抵抗領域34bと接している領域には、p型の不純物の濃度が、アノード領域50aよりも高い高濃度アノード領域51が設けられている。
なお、アノード領域50aのうち、高抵抗領域34bと接している領域には、p型の不純物の濃度が、アノード領域50aよりも高い高濃度アノード領域51が設けられている。
ダイオード5でも、ダイオード4と同様に、順方向電圧印加時が印加されたときに中間領域30bに存在するキャリアが、アノード領域50a側からカソード領域20a側に向けて相対的に多くなる。したがって、ダイオード5を用いても、第1実施例のダイオード1と同様に、逆回復電流の後半の変化率を緩やかにすることができる。
第1実施例と第2実施例で説明したダイオード1,3,4,5,6のカソード領域20,20aは、n+型の高濃度カソード領域とn型の中濃度カソード領域を備えていてもよい。中濃度カソード領域は、n型の不純物の濃度が高濃度カソード領域よりも低く、高抵抗領域34,34a,34bよりも高い。この場合、少なくとも高濃度カソード領域がカソード電極10,10aと接するように構成する。中濃度カソード領域は、高抵抗領域34,34a,34bと接するように構成する。中濃度カソード領域を備えていると、逆回復電流の後半の変化率をさらに低減化することができる。
ダイオード1,3,4,5,6を用いると、以下のような効果をも得ることができる。
ダイオード1,3,4,5,6を用いると、順方向電圧印加時に高抵抗領域34,34a,34bに過剰に正孔が注入されることが抑制される。したがって、逆回復時の電力損失を低減化する目的で、アノード領域50,50aのp型不純物の濃度を下げなくてもよい。アノード電極60,60aとアノード領域50,50aのコンタクト抵抗を低減化することができる。
また、ダイオード1,3,4,5,6を用いると、逆回復時の電力損失を低減化する目的で、カソード領域20,20aのn型不純物の濃度を下げなくてもよい。カソード電極10,10aとカソード領域20,20aのコンタクト抵抗を低減化することができる。
また、ダイオード1,3,4,5,6を用いると、逆回復時に電子と正孔の再結合を促進させる目的で、高抵抗領域34,34a,34bに結晶欠陥を形成しなくてもよい。あるいは結晶欠陥が少なくてよい。高抵抗領域34,34a,34bに残る軽イオンの照射ダメージを低減化することができるので、高温動作時のリーク電流を低減化することができる。
ダイオード1,3,4,5,6を用いると、順方向電圧印加時に高抵抗領域34,34a,34bに過剰に正孔が注入されることが抑制される。したがって、逆回復時の電力損失を低減化する目的で、アノード領域50,50aのp型不純物の濃度を下げなくてもよい。アノード電極60,60aとアノード領域50,50aのコンタクト抵抗を低減化することができる。
また、ダイオード1,3,4,5,6を用いると、逆回復時の電力損失を低減化する目的で、カソード領域20,20aのn型不純物の濃度を下げなくてもよい。カソード電極10,10aとカソード領域20,20aのコンタクト抵抗を低減化することができる。
また、ダイオード1,3,4,5,6を用いると、逆回復時に電子と正孔の再結合を促進させる目的で、高抵抗領域34,34a,34bに結晶欠陥を形成しなくてもよい。あるいは結晶欠陥が少なくてよい。高抵抗領域34,34a,34bに残る軽イオンの照射ダメージを低減化することができるので、高温動作時のリーク電流を低減化することができる。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
1,3,4,5,6:ダイオード
2:シリコン基板
2a:表面
2b:裏面
10,10a:カソード電極
20,20a:カソード領域
32,32a,32b,31,33:絶縁体領域
30,30a,30b:中間領域
34,34a,34b:高抵抗領域
50,50a:アノード領域
51:高濃度アノード領域
60,60a:アノード電極
A1:第1断面
A2:第2断面
Z1:絶縁膜
Z2:熱酸化膜
Z3:堆積絶縁膜
2:シリコン基板
2a:表面
2b:裏面
10,10a:カソード電極
20,20a:カソード領域
32,32a,32b,31,33:絶縁体領域
30,30a,30b:中間領域
34,34a,34b:高抵抗領域
50,50a:アノード領域
51:高濃度アノード領域
60,60a:アノード電極
A1:第1断面
A2:第2断面
Z1:絶縁膜
Z2:熱酸化膜
Z3:堆積絶縁膜
Claims (5)
- ダイオードであって、
カソード電極とアノード電極の間に設けられているとともに、高抵抗半導体領域とその高抵抗半導体領域に隣接する絶縁体領域とを有する中間領域を備えており、
中間領域は、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、高抵抗半導体領域の占有面積率が高い第1断面と、高抵抗半導体領域の占有面積率が低い第2断面を有しており、第1断面が第2断面よりもカソード電極側に配置されているダイオード。 - 中間領域は、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、絶縁体領域の占有面積率が高い第3断面と、絶縁体領域の占有面積率が低い第4断面を有しており、第3断面が第4断面よりもアノード電極側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
- 高抵抗半導体領域は半導体基板内に設けられており、
カソード電極は半導体基板の一方の主面に形成されており、
アノード電極は半導体基板の他方の主面に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイオード。 - 絶縁体領域は、アノード電極側からカソード電極側に向けて細くなるテーパ形状であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のダイオード。
- ダイオードであって、
カソード電極とアノード電極の間に設けられているとともに、高抵抗半導体領域とその高抵抗半導体領域に隣接する絶縁体領域とを有する中間領域を備えており、
中間領域は、カソード電極とアノード電極を結ぶ方向に直交する断面において、順方向電圧が印加されたときのキャリアの存在可能領域が広い第5断面と、順方向電圧が印加されたときのキャリアの存在可能領域が狭い第6断面を有しており、第5断面が第6断面よりもカソード電極側に配置されているダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008310728A JP2010135594A (ja) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | ダイオード |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282892A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-10-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 低容量esd耐性ダイオードの方法および構造 |
WO2008086366A2 (en) * | 2007-01-09 | 2008-07-17 | Maxpower Semiconductor, Inc. | Semiconductor device |
-
2008
- 2008-12-05 JP JP2008310728A patent/JP2010135594A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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