JP2010129330A - 電子放出素子及びその製造方法並びに面発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基体と、前記基体上に突起形状を有する直径が10nm以上であり、かつ、高さが100nm以上100μm以下であるファイバー状のナノ炭素材料と、を具備することを特徴とする電子放出素子。
【選択図】図1
Description
C. A. Spindt : J. Appl. Phys., 39, 3504 (1968) K. Betsui: Tech. Dig. IVMC., (1991) P.26 「光エレクトロニクスの基礎」、(株)日本理工出版会、2002年7月20日再版発行
実施例1乃至実施例8で得られたナノ炭素材料13の電界放出型走査電子顕微鏡(SEM)を図4にまとめて示す。図4より、熱酸化処理の有無により、ファイバー状のナノ炭素材料13の生成の有無が決まることが示された。
Claims (8)
- 強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、
基体と、
前記基体上に突起形状を有する直径が10nm以上であるファイバー状のナノ炭素材料と、
を具備することを特徴とする電子放出素子。 - 前記ファイバー状のナノ炭素材料の高さが100nm以上100μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記ファイバー状のナノ炭素材料は、前記基体に対して複数本屹立しており、複数本の前記ファイバー状のナノ炭素材料同士の間隔は100nm以上あることを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記基体と前記ファイバー状のナノ炭素材料との間に、更に、炭素材料を主成分とする下地層を備えていることを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子。
- コバルト又はコバルト化合物からなる触媒を基体表面に担持し、
前記基体を酸化雰囲気中で850℃以上1100℃以下の範囲で熱処理した後、前記基体をオクタンチオール中で加熱して前記基体上に突起形状を有する直径が10nm以上であるファイバー状のナノ炭素材料を合成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 前記ファイバー状のナノ炭素材料の合成は、前記基体をオクタンチオール中で700℃以上900℃以下の範囲で加熱することを特徴とする請求項5に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記基体がシリコン基板であることを特徴とする請求項5または6に記載の電子放出素子の製造方法。
- 第1の基体と、
前記第1の基体上に突起形状を有する直径が10nm以上であるファイバー状のナノ炭素材料が形成されている電子放出素子と、
前記電子放出素子に対向して、第2の基体上に電極を介して蛍光体が塗布されたアノードと、
前記電子放出素子と前記アノード間が真空に保持されていることを特徴とする面発光素子。
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