JP2010122308A - 光伝送装置及び光導波路 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子による発光光が2方向に分割される比率を簡便に制御することができる光伝送装置及び光導波路を提供する。
【解決手段】光伝送装置1Aは、発光素子アレイ3及び受光素子アレイ4Aが実装された基板2Aと、光を伝播する第1及び第2のコア60A,60B、第1及び第2のコア60A,60Bを覆うクラッド61、発光素子アレイ3から発光される発光光の光軸30a上に設けられ、発光光を第1のコア60Aが光を伝播する方向と光軸30aの方向とに分割する光分割面62、光分割面62により第1のコア60Aが光を伝播する方向に分割されて第1のコア60A内を伝播した光を受光素子アレイ4Aに導く第1の反射面63A、及び光軸30a上に設けられ、光分割面62により光軸30aの方向に分割された光を第2のコア60b内に導く第2の反射面63Bを有する光導波路6Aとを備える。
【選択図】図3
【解決手段】光伝送装置1Aは、発光素子アレイ3及び受光素子アレイ4Aが実装された基板2Aと、光を伝播する第1及び第2のコア60A,60B、第1及び第2のコア60A,60Bを覆うクラッド61、発光素子アレイ3から発光される発光光の光軸30a上に設けられ、発光光を第1のコア60Aが光を伝播する方向と光軸30aの方向とに分割する光分割面62、光分割面62により第1のコア60Aが光を伝播する方向に分割されて第1のコア60A内を伝播した光を受光素子アレイ4Aに導く第1の反射面63A、及び光軸30a上に設けられ、光分割面62により光軸30aの方向に分割された光を第2のコア60b内に導く第2の反射面63Bを有する光導波路6Aとを備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、光伝送装置及び光導波路に関する。
従来、発光部からの光が入射される第1のコア及び第2のコアを有する光導波モジュールが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
この光導波モジュールは、第1のコアの入射端に配置されて、発光部から入射された光を反射する第1の反射面と、第2のコアの入射端に、発光部からの光の入射方向に第1の反射面と一部重なるように配置されて、発光部から入射された光の一部を反射する第2の反射面とが形成されている。
特開2005−99731号公報
本発明の目的は、発光素子による発光光が2方向に分割される比率を簡便に制御することができる光伝送装置及び光導波路を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光伝送装置及び光導波路を提供する。
[1]発光素子及び受光素子が実装された基板と、光を伝播する第1及び第2のコア、前記第1及び第2のコアを覆うクラッド、前記発光素子から発光される発光光の光軸上に設けられ、前記発光光を前記第1のコアが光を伝播する方向と前記光軸の方向とに分割する光分割面、前記光分割面により前記第1のコアが光を伝播する方向に分割されて前記第1のコア内を伝播した光を前記受光素子に導く第1の反射面、及び前記光軸上に設けられ、前記光分割面により前記光軸の方向に分割された光を前記第2のコア内に導く第2の反射面を有する光導波路とを備えた光伝送装置。
[2]前記光導波路は、前記発光光を前記第1のコアが光を伝播する方向と前記光軸の方向とに分割する比率を調整する調整膜が前記光分割面に設けられた前記[1]に記載の光伝送装置。
[3]前記光導波路は、前記第1のコア、前記クラッド、前記光分割面及び前記第1の反射面を有する第1の光導波路と、前記第2のコア、前記クラッド及び前記第2の反射面を有する第2の光導波路とが重ねられた前記[1]に記載の光伝送装置。
[4]前記光分割面と前記第2の反射面との間に光学接着剤が充填された前記[1]に記載の光伝送装置。
[5]前記受光素子は、前記第1の反射面により導かれた前記光を受光する受光部と、前記第1の反射面よりも外側に配置され、前記基板にワイヤを介して接続される電極とを同一面に有する前記[1]に記載の光伝送装置。
[6]光を伝播する第1及び第2のコアと、前記第1及び第2のコアを覆うクラッドと、発光素子から発光される発光光の光軸上に設けられ、前記発光光を前記第1のコアが光を伝播する方向と前記光軸の方向とに分割する光分割面と、前記光分割面により前記第1のコアが光を伝播する方向に分割されて前記第1のコア内を伝播した光を受光素子に導く第1の反射面と、前記光軸上に設けられ、前記光分割面により前記光軸の方向に分割された光を前記第2のコア内に導く第2の反射面とを備えた光導波路。
請求項1,6に係る発明によれば、本構成を有していない場合に比較して、発光素子による発光光が2方向に分割される比率を簡便に制御することができる。
請求項2に係る発明によれば、例えば、発光素子の発光光の強度が弱い場合でも、光の強度を検出するのに十分な強度の光を受光素子に導くことができる。
請求項3の発明によれば、本構成を有していない場合に比較して、光導波路の製造工程を簡略化することができる。
請求項4に係る発明によれば、光分割面により光軸の方向に分光された光を第2の変換面に導くことができる。
請求項5に係る発明によれば、光導波路にワイヤが干渉することなく、ワイヤを配置することができる。
本実施の形態に係る光伝送装置は、発光素子及び受光素子が実装された基板と、光を伝播する第1及び第2のコア、前記第1及び第2のコアを覆うクラッド、前記発光素子から発光される発光光の光軸上に設けられ、前記発光光を前記第1のコアが光を伝播する方向と前記光軸の方向とに分割する光分割面、前記光分割面により前記第1のコアが光を伝播する方向に分割されて前記第1のコア内を伝播した光を前記受光素子に導く第1の反射面、及び前記光軸上に設けられ、前記光分割面により前記光軸の方向に分割された光を前記第2のコア内に導く第2の反射面を有する光導波路とを備える。
上記構成において、発光素子から発光された発光光は、光分割面により第1のコアが光を伝播する方向(光伝播方向)と、光軸の方向とに分割される。光伝播方向に分割された光は、第1のコア内を伝播した後、第1の反射面により受光素子側に反射し、受光素子で受光される。受光素子は、例えば、受光した光の強度に基づく信号を発光素子にフィードバックし、発光素子は、発光光の強度を調整する。一方、光軸の方向に分割された光は、第2の変換面により第2のコア内に反射され、第2のコア内を伝播した後、他の光伝送装置等に伝播される。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光伝送システムの概略の構成例を示す斜視図である。図2(a)は、第1の光伝送装置の上面図、図2(b)は、図2(a)のA−A線断面図である。図3は、図2(a)のB−B線断面図である。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光伝送システムの概略の構成例を示す斜視図である。図2(a)は、第1の光伝送装置の上面図、図2(b)は、図2(a)のA−A線断面図である。図3は、図2(a)のB−B線断面図である。
この光伝送システム100は、光信号の送信側に設けられた第1の光伝送装置1Aと、光信号の受信側に設けられた第2の光伝送装置1Bと、第1の光伝送装置1Aと第2の光伝送装置1Bとの間を接続する複数の光ファイバ101とを備えて構成されている。
光ファイバ101は、円形状の断面を有するコアと、このコアの周囲に形成されたクラッドとからなり、光を多くのモード(経路)で伝送するマルチモード光ファイバや、光を単一のモードで伝送するシングルモード光ファイバを用いることができる。本実施の形態では、例えば、コア径が50μmのマルチモード光ファイバを用いる。
第1の光伝送装置1Aは、図1乃至図3に示すように、第1の基板2Aと、第1の基板2Aの同一面上に実装された発光素子アレイ3、第1の受光素子アレイ4A及び制御IC5と、発光素子アレイ3と第1の受光素子アレイ4Aとの間を光学的に結合するとともに第2の光伝送装置1B側に発光素子アレイ3による発光光を出射する第1の光導波路6Aと、第1の光導波路6Aの端部に装着された光コネクタ7Aとを備える。
第2の光伝送装置1Bは、図1に示すように、第2の基板2Bと、第2の基板2B上に実装された第2の受光素子アレイ4Bと、第2の受光素子アレイ4Bに光学的に結合された第2の光導波路6Bと、第2の光導波路6Bの端部に装着された光コネクタ7Bとを備える。
光ファイバ101の両端部には、それぞれ光コネクタ102A,102Bが固定され、光コネクタ102A,102Bには、一対のピン103がそれぞれ設けられている。また、光コネクタ7A,7Bには、一対のピン103に対応する一対のピン穴70が形成されている。そして、光コネクタ102A,102Bのピン103が、光コネクタ7A,7Bのピン穴70にそれぞれ嵌入することにより、光コネクタ7Aと光コネクタ102A、光コネクタ7Bと光コネクタ102Bが位置決めされて光学的に結合される。
(発光素子アレイ)
発光素子アレイ3は、面型発光ダイオードや面型レーザ等の複数の発光素子(面型光素子)をアレイ状に配列されている。本実施の形態では、発光素子アレイ3として、VCSEL(面発光レーザ)アレイを用いる。
発光素子アレイ3は、面型発光ダイオードや面型レーザ等の複数の発光素子(面型光素子)をアレイ状に配列されている。本実施の形態では、発光素子アレイ3として、VCSEL(面発光レーザ)アレイを用いる。
この発光素子アレイ3は、例えば、n型GaAs基板上に、n型下部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、p型上部反射鏡層、p型コンタクト層、p側電極31(n側電極は反対側の面に設けられている)を積層し、n型GaAs基板の裏面にn側電極32を形成したものである。活性層、電流狭窄層、p型上部半導体多層反射鏡、p型コンタクト層、及びp側電極31は、発光素子毎に形成されている。また、p側電極31は、円形の開口を有し、その開口の内側が光を発光する発光部30となっている。発光素子アレイ3は、例えば、幅0.3mm、高さ0.2mm、アレイ方向の長さ1mmの大きさを有し、4つの発光部30が発光面3aに長手方向にピッチ250μmで配列されている。
発光素子アレイ3は、制御IC5の制御の下で発光部30から光軸30aに向けて発光光を出射し、その発光光は、第1の光導波路6Aに入射する。
(受光素子アレイ)
第1及び第2の受光素子アレイ4A,4Bは、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、第1及び第2の受光素子アレイ4A,4Bとして、高速応答性に優れたGaAs系のPINフォトダイオードを用いる。
第1及び第2の受光素子アレイ4A,4Bは、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、第1及び第2の受光素子アレイ4A,4Bとして、高速応答性に優れたGaAs系のPINフォトダイオードを用いる。
この第1及び第2の受光素子アレイ4A,4Bは、例えば、GaAs基板上に、PIN接合されたP層、I層及びN層と、P層に接続されたp側電極41と、N層に形成されたn側電極42とを備える。P層、I層、N層、p側電極41及びn側電極42は、受光素子毎に形成されている。p側電極41は、円形の開口を有し、その開口の内側が光を受光する受光部40となっている。受光素子アレイ4A,4Bは、例えば、幅0.4mm、高さ0.2mm、アレイ方向の長さ1mmの大きさを有し、4つの受光部40が受光面4aに長手方向にピッチ250μmで配列されている。、また、p側電極41及びn側電極42は、受光部40と同一面である受光面4aに配列されている。
第1の光伝送装置1Aに設けられた第1の受光素子アレイ4Aは、第1の基板2A上の発光素子アレイ3による発光光を第1の光導波路6Aを介して受光し、その受光した光の強度に応じた検出電流は、制御IC5による発光素子アレイ3の発光制御に利用される。
第2の光伝送装置1Bに設けられた第2の受光素子アレイ4Bは、発光素子アレイ3による発光光を光ファイバ101及び第2の光導波路6Bを介して受光し、その受光した光の強度に応じた検出電流は、第2の光伝送装置1Bにより伝送対象のデータとして受信される。
(制御IC)
制御IC5は、伝送対象のデータに基づいて発光素子アレイ3の発光制御を行う制御回路を備える。制御IC5の制御回路は、第1の受光素子アレイ4Aにより受光された光の強度に応じて、発光素子アレイ3の発光光の強さを予め定められた範囲内に収めるように発光素子アレイ3を駆動する駆動電圧を制御する。
制御IC5は、伝送対象のデータに基づいて発光素子アレイ3の発光制御を行う制御回路を備える。制御IC5の制御回路は、第1の受光素子アレイ4Aにより受光された光の強度に応じて、発光素子アレイ3の発光光の強さを予め定められた範囲内に収めるように発光素子アレイ3を駆動する駆動電圧を制御する。
(基板)
第1の基板2Aは、ガラスエポシキ樹脂等の絶縁性材料から形成された基材20と、基材20の上面に銅等の導電性材料から形成されたグランド21、発光素子用のp側パッド22A、受光素子用のp側パッド22B、n側パッド23とを備える。
第1の基板2Aは、ガラスエポシキ樹脂等の絶縁性材料から形成された基材20と、基材20の上面に銅等の導電性材料から形成されたグランド21、発光素子用のp側パッド22A、受光素子用のp側パッド22B、n側パッド23とを備える。
発光素子アレイ3のn側電極32とグランド21とは、図示しない導電性接着剤や半田等により接着される。発光素子アレイ3のp側電極31とp側パッド22Aとは、ボンディングワイヤ8により接続される。第1の受光素子アレイ4Aのp側電極41とp側パッド22B、及びn側電極42とn側パッド23とは、ボンディングワイヤ8により接続される。
第2の基板2Bは、第1の基板2Aと同様の基材20と、基材20の上面に銅等の導電性材料から形成されたp側パッド22B、及びn側パッド23とを備える。第2の受光素子アレイ4Bのp側電極41とp側パッド22B、及びn側電極42とn側パッド23とは、ボンディングワイヤ8により接続される。
(ボンディングワイヤ)
ボンディングワイヤ8は、例えば、金等からなり、発光素子アレイ3及び受光素子アレイ4A,4Bの電極及び基板2A,2Bのパッド間をループ状に接続する。ボンディングワイヤ8は、発光素子アレイ3の発光面3a、又は第1及び第2の受光素子アレイ4A,4Bの受光面4aから、例えば、100μmの高さH1を有する。
ボンディングワイヤ8は、例えば、金等からなり、発光素子アレイ3及び受光素子アレイ4A,4Bの電極及び基板2A,2Bのパッド間をループ状に接続する。ボンディングワイヤ8は、発光素子アレイ3の発光面3a、又は第1及び第2の受光素子アレイ4A,4Bの受光面4aから、例えば、100μmの高さH1を有する。
なお、第1の受光素子アレイ4Aにボンディングワイヤ8が接続された位置における受光面4aから第1の光導波路6Aまでの高さH2は、ボンディングワイヤ8のループ状の高さH1よりも高くなるように第1の光導波路6Aの寸法を決めることにより、ボンディングワイヤ8と第1の光導波路6Aとの干渉が避けられ、第1の受光素子アレイ4Aのp側電極41及びn側電極42の配置位置が制限されない。
(光導波路)
第1の光伝送装置1Aに設けられた第1の光導波路6Aは、4つの第1のコア60Aと、4つの第2のコア60Bと、第1及び第2のコア60A,60Bを覆うクラッド61と、光分割面62と、第1の反射面63Aと、第2の反射面63Bと、光コネクタ7A側に形成された垂直な端面64とを備える。
第1の光伝送装置1Aに設けられた第1の光導波路6Aは、4つの第1のコア60Aと、4つの第2のコア60Bと、第1及び第2のコア60A,60Bを覆うクラッド61と、光分割面62と、第1の反射面63Aと、第2の反射面63Bと、光コネクタ7A側に形成された垂直な端面64とを備える。
第1及び第2のコア60A,60Bは、クラッド61内に互いに略平行に配置され、図3の右水平方向(光伝播方向)に光を伝播する。第1のコア60Aは、図2(b)及び図3に示すように、第2のコア60Bよりも第1の基板2A側に配置され、第1及び第2のコア60A,60Bは、例えば、50μm×50μmの矩形状の断面を有する。なお、断面のサイズ及び形状は、第1のコア60Aと第2のコア60Bとの間で異なっていてもよく、例えば、第1のコア60Aの断面積を第2のコア60Bよりも大きくしてもよい。
クラッド61は、第1のコア60Aの上側,第2のコア60Bの上側、第1及び第2のコア60A,60Bの中間で、例えば、50μm〜100μm程度の厚みを有する。なお、クラッド61は、上側、下側及び中間で厚みが異なっていてもよいし、下側に設けられていなくてもよい。
光分割面62は、第1のコア60Aの発光素子アレイ3側の端部に設けられた45度の傾斜面である。光分割面62は、発光素子アレイ3の発光部30から発光される発光光の光軸30a上に配置され、発光光を第1のコア60Aの光伝播方向と、光軸30aの方向とに分割する。すなわち、光分割面62は、発光光のうち一部の光を反射し、残りの光を透過する。
第1の反射面63Aは、第1のコア60Aの第1の受光素子アレイ4A側の端部に設けられた45度の傾斜面である。第1の反射面63Aは、光分割面62により第1のコア60Aの光伝播方向に分割されて第1のコア60A内を伝播した光を第1の受光素子アレイ4Aの受光部40に導く。第1の反射面63Aの外側には、p側電極41及びn側電極42が配置されている。
第2の反射面63Bは、第2のコア60Bの発光素子アレイ3側の端部に設けられた45度の傾斜面である。第2の反射面63Bは、光軸30a上に配置され、光分割面62により光軸30aの方向に分割された光を第2のコア60B内に導く。
光分割面62と第2の反射面63Bとの間には、例えば、クラッド61と同等の屈折率を有する光学接着剤が充填されることにより接着部65が形成されている。
なお、本実施の形態では、第1及び第2のコア60A,60Bの屈折率が、1.59であり、クラッド61の屈折率が、1.51であるものを用いたとすると、光分割面62の反射率Rは、上記の式(1)により約0.3%と算出される。
第2の光伝送装置1Bに設けられた第2の光導波路6Bは、互いに平行に配列された4つのコア60と、コア60の周囲に形成されたクラッド61と、反射面63と、光コネクタ7B側に形成された垂直な端面64とを備える。
反射面63は、コア60の第2の受光素子アレイ4B側の端部に設けられた45度の傾斜面であり、第2のコア60B内を伝播した光を第2の受光素子アレイ4Bの受光部40に導く。
(光導波路の製造方法)
第1の光導波路6Aは、第1のコア50Aを有する下側の光導波路と、第2のコア50Bを有する上側の光導波路とを接着することにより製造可能である。上側及び下側の光導波路は、例えば、フォトリソグラフィやRIE(反応性イオンエッチング)を利用した方法で製造される。特に、本出願人が既に提案した特開2004−29507号公報等に記載されている鋳型を用いた工程により効率的に製造することができる。以下に、その製造方法を図4を参照して説明する。
第1の光導波路6Aは、第1のコア50Aを有する下側の光導波路と、第2のコア50Bを有する上側の光導波路とを接着することにより製造可能である。上側及び下側の光導波路は、例えば、フォトリソグラフィやRIE(反応性イオンエッチング)を利用した方法で製造される。特に、本出願人が既に提案した特開2004−29507号公報等に記載されている鋳型を用いた工程により効率的に製造することができる。以下に、その製造方法を図4を参照して説明する。
まず、第1のコア50Aに対応する凸部が形成された原盤を、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて作製し、原盤の凸部が形成された面に、例えば、500〜7000mPa・s程度の粘度で、紫外領域や可視領域において光透過性を有する硬化性樹脂の層を塗布等により設け、その後、硬化させて硬化層を構成する。次に、硬化層を原盤から剥離し、凸部に対応する凹部を有した鋳型を作製する。
次に、その製作した鋳型に、この鋳型との密着性に優れる樹脂、例えば、脂環式アクリル樹脂フィルム、脂環式オレフィン樹脂フィルム、三酢酸セルロースフィルム、フッ素樹脂フィルム等からなるクラッド用フィルム基材を密着させる。
次に、鋳型の凹部に、例えば、紫外線硬化性、又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物、エポキシ系、ポリイミド系、アクリル系等の硬化性樹脂を充填する。次に、凹部内の硬化性樹脂を硬化させて第1のコア50Aとした後、鋳型を剥離する。これにより、クラッド用フィルム基材上に第1のコア50Aが残される。
次に、クラッド用フィルム基材の第1のコア50Aが形成された面側に第1のコア50Aを覆うようにクラッド層を設ける。クラッド層として、例えば、クラッド用フィルム基材と同様のフィルム、クラッド用硬化性樹脂を塗布して硬化させた層、高分子材料の溶剤溶液を塗布し乾燥してなる高分子膜等が挙げられる。
そして、第1のコア50Aの両端をダイシングソーによって第1のコア50Aに対して45度に切削することにより、光分割面62及び第1の反射面63Aを有する下側の光導波路を製作する。
また、上記と同様にして、クラッド用フィルム基材上の第2のコア50Bを覆うようにクラッド層を形成し、その第2のコア50Bの一端を45度に切削し、他端を垂直に切削することにより、第2の反射面63Bを有する下側の光導波路を製作する。なお、第2の光導波路6Bは、下側の光導波路と同様に製作される。
次に、図4(a)に示すように、上側の光導波路6Dを下側の光導波路6Cに対して、光分割面62と第2の反射面63Bとが重なる位置に配置し、例えば、光学接着剤等により接着する。
次に、図4(b)に示すように、光分割面62と第2の反射面63Bとの隙間に、ディスペンサニードル110から、光学接着剤111を塗布し、光学接着剤111を硬化させ、接着部65を形成する。以上のようにして、図4(c)に示すように、第1及び第2のコア60A,60Bを有し、光分割面62と第2の反射面63Bとの間に接着部65が形成された第1の光導波路6Aが製造される。
なお、第1の光導波路6Aは、上側の光導波路6Dと下側の光導波路6Cとを個別に製作して貼り合わせる代わりに、上側の光導波路6Dと下側の光導波路6Cとを一体的に製作してもよく、例えば、上側の光導波路6Dを製作し、上側の光導波路6Dの片方の面に第1のコア60Aを形成してもよい。
(光伝送装置の組立方法)
次に、第1及び第2の光伝送装置1A,1Bの組立方法の一例を説明する。
次に、第1及び第2の光伝送装置1A,1Bの組立方法の一例を説明する。
まず、第1の基板2Aのグランド21に発光素子アレイ3の発光素子アレイ3のn側電極32を導電性接着剤を用いて接着する。次に、発光素子アレイ3の4つのp側電極31と第1の基板2A上の4つのp側パッド22Aとをボンディングワイヤ8により接続し、第1の基板2A上に発光素子アレイ3を実装する。
次に、第1の基板2Aの所定の位置に第1の受光素子アレイ4Aを導電性着剤等により固定し、第1の受光素子アレイ4Aの4つのp側電極41と第1の基板2A上の4つのp側パッド22B、及び4つのn側電極42と4つのn側パッド23とをボンディングワイヤ8により接続し、第1の基板2A上に第1の受光素子アレイ4Aを実装する。
次に、第1の光導波路6Aを発光素子アレイ3及び第1の受光素子アレイ4Aの上部に位置決めする。具体的には、第1の光導波路6Aの光分割面62が発光素子アレイ3の発光部30上に配置されるとともに、第1の反射面63Aが、第1の受光素子アレイ4Aの受光部40上に配置されるように位置決めする。そして、第1の光導波路6Aを発光素子アレイ3及び第1の受光素子アレイ4Aに光学接着剤等により接着する。
第2の光伝送装置1Bは、上述した第1の光伝送装置1Aと同様にして、第2の受光素子アレイ4Bを第2の基板2Bに実装し、第2の光導波路6Bを第2の受光素子アレイ4Bに接着する。
その後、光コネクタ7A,7Bを第1及び第2の光導波路6A,6Bの端面側にそれぞれ装着することにより、第1及び第2の光伝送装置1A,1Bが組み立てられる。
(光伝送システムの動作)
まず、第1の光伝送装置1Aの制御IC5は、入力された伝送対象のデータに基づき発光素子アレイ3のp側電極31とn側電極32間に駆動電圧を印加すると、発光部30から、例えば、波長850nmの発光光が発光される。その発光光は、第1の光導波路6Aの光分割面62に入射し、第1のコア60Aの光伝播方向と、光軸30aの方向とに分割される。
まず、第1の光伝送装置1Aの制御IC5は、入力された伝送対象のデータに基づき発光素子アレイ3のp側電極31とn側電極32間に駆動電圧を印加すると、発光部30から、例えば、波長850nmの発光光が発光される。その発光光は、第1の光導波路6Aの光分割面62に入射し、第1のコア60Aの光伝播方向と、光軸30aの方向とに分割される。
光分割面62により第1のコア60Aの光伝播方向に分割された光は、第1のコア60A内を伝播し、第1の反射面63Aで反射した後、第1の受光素子アレイ4Aの受光部40に入射する。第1の受光素子アレイ4Aの受光部40に入射した光の強度に応じてp側電極41とn側電極42間に検出電流が流れ、その検出電流は制御IC5に送られる。そして、制御IC5は、その送られた検出電流の電流値から発光素子アレイ3の発光光の強度を検出し、その強度が予め定められた範囲内となるように、発光素子アレイ3に対する駆動電圧を制御する。
また、光分割面62により光軸30aの方向に分割された光は、第2の反射面63Bで反射した後、第2のコア60B内を伝播し、第1の光導波路6Aの端面64から出射する。
第1の光導波路6Aの端面64から出射された光は、光ファイバ101のコアに入射してコアを伝播して他方の端面から出射される。光ファイバ101から出射された光は、第2の光伝送装置1Bの第2の光導波路6Bの端面64に入射し、コア60を伝播し、反射面63で反射した後、第2の受光素子アレイ4Bの受光部40に入射する。
そして、第2の受光素子アレイ4Bの受光部40に入射した光の強度に応じた検出電流が、p側電極41とn側電極42間に流れ、第2の光伝送装置1Bによりその検出電流に基づき伝送対象のデータが受信される。
[第2の実施の形態]
図5は、本発明の第2の実施の形態に係る第1の光伝送装置の断面図である。なお、図5は、図3に相当する図である。
図5は、本発明の第2の実施の形態に係る第1の光伝送装置の断面図である。なお、図5は、図3に相当する図である。
本実施の形態に係る第1の光伝送装置1Aは、第1の光導波路6Aの光分割面62に誘電体多層膜66が形成され、その他は第1の実施の形態と同様に構成されている。
誘電体多層膜66は、発光素子アレイ3の発光光を第1のコア60Aの光伝播方向と、光軸30aの方向とに分割する比率を調整する調整膜である。誘電体多層膜66は、例えば、SiO2層と、TiO2層とが交互に複数積層されている。なお、誘電体多層膜66は、第1のコア60Aに対応する部分に設けられていてもよいし、45度の傾斜面全体に設けられていてもよい。また、誘電体多層膜66の代わりに、例えば、アルミニウム、銀、金等の金属薄膜が調整膜として設けられてもよい。
なお、光分割面62に誘電体多層膜66が形成されている場合には、第1の実施の形態の式(1)を多層膜の場合に、例えば、マトリックス法等で拡張することにより、発光光が誘電体多層膜66に入射したときに第1のコア50A内に反射される反射率Rは、算出される。
光伝送装置1Aの動作については、発光素子アレイ3の発光部30による発光光が、誘電体多層膜66により式(1)を多層膜の場合に拡張して算出される反射率Rで第1のコア60Aの光伝播方向と、光軸30aの方向とに分割される点を除いて、第1の実施の形態と同様のため、詳細な説明を省略する。
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、第1及び第2の実施の形態では、4チャンネルの光伝送システムを例示したものあるが、チャンネル数は任意に設定することができる。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、第1及び第2の実施の形態では、4チャンネルの光伝送システムを例示したものあるが、チャンネル数は任意に設定することができる。
また、第1及び第2の実施の形態では、第1及び第2の光伝送装置の間を光ファイバで中継したものであるが、光コネクタが設けられた第1の光導波路の端部に反射面を形成し、第2の光伝送装置の第2の受光素子アレイに直接光結合させてもよい。
1A…第1の光伝送装置、1B…第2の光伝送装置、2A…第1の基板、2B…第2の基板、3…発光素子アレイ、3a…発光面、4A…第1の受光素子アレイ、4B…第2の受光素子アレイ、4a…受光面、5…制御IC、6A…第1の光導波路、6B…第2の光導波路、6C…下側の光導波路、6D…上側の光導波路、7A,7B…光コネクタ、8…ボンディングワイヤ、20…基材、21…グランド、22A,22B…p側パッド、23…n側パッド、30…発光部、30a…光軸、31…p側電極、32…n側電極、40…受光部、41…p側電極、42…n側電極、60…コア,60A…第1のコア,60B…第2のコア、61…クラッド、62…光分割面、63,63A,63B…反射面、64…端面、65…接着部、66…誘電体多層膜、70…ピン穴、100…光伝送システム、101…光ファイバ、102A,102B…光コネクタ、103…ピン、110…ディスペンサニードル、111…光学接着剤
Claims (6)
- 発光素子及び受光素子が実装された基板と、
光を伝播する第1及び第2のコア、前記第1及び第2のコアを覆うクラッド、前記発光素子から発光される発光光の光軸上に設けられ、前記発光光を前記第1のコアが光を伝播する方向と前記光軸の方向とに分割する光分割面、前記光分割面により前記第1のコアが光を伝播する方向に分割されて前記第1のコア内を伝播した光を前記受光素子に導く第1の反射面、及び前記光軸上に設けられ、前記光分割面により前記光軸の方向に分割された光を前記第2のコア内に導く第2の反射面を有する光導波路とを備えた光伝送装置。 - 前記光導波路は、前記発光光を前記第1のコアが光を伝播する方向と前記光軸の方向とに分割する比率を調整する調整膜が前記光分割面に設けられた請求項1に記載の光伝送装置。
- 前記光導波路は、前記第1のコア、前記クラッド、前記光分割面及び前記第1の反射面を有する第1の光導波路と、前記第2のコア、前記クラッド及び前記第2の反射面を有する第2の光導波路とが重ねられた請求項1に記載の光伝送装置。
- 前記光分割面と前記第2の反射面との間に光学接着剤が充填された請求項1に記載の光伝送装置。
- 前記受光素子は、前記第1の反射面により導かれた前記光を受光する受光部と、前記第1の反射面よりも外側に配置され、前記基板にワイヤを介して接続される電極とを同一面に有する請求項1に記載の光伝送装置。
- 光を伝播する第1及び第2のコアと、
前記第1及び第2のコアを覆うクラッドと、
発光素子から発光される発光光の光軸上に設けられ、前記発光光を前記第1のコアが光を伝播する方向と前記光軸の方向とに分割する光分割面と、
前記光分割面により前記第1のコアが光を伝播する方向に分割されて前記第1のコア内を伝播した光を受光素子に導く第1の反射面と、
前記光軸上に設けられ、前記光分割面により前記光軸の方向に分割された光を前記第2のコア内に導く第2の反射面とを備えた光導波路。
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JP2008293583A JP2010122308A (ja) | 2008-11-17 | 2008-11-17 | 光伝送装置及び光導波路 |
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---|---|---|---|---|
DE102011076566A1 (de) | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Masseverbindungsvorrichtung und kabelbaum mit derselben |
JPWO2015004903A1 (ja) * | 2013-07-09 | 2017-03-02 | 兵神装備株式会社 | 化粧品のオーダーメイドシステムおよび調合システム |
JP2021089283A (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | ロッキード マーティン コーポレイションLockheed Martin Corporation | 区分的光学遮断 |
-
2008
- 2008-11-17 JP JP2008293583A patent/JP2010122308A/ja active Pending
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