JP2010116303A - カーボンナノチューブ成長用基板、トランジスタ及びカーボンナノチューブ成長用基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板1は、カーボンナノチューブ成長用触媒粒子11をそれぞれ散在した状態で含有する固定層12を基板S上に備え、前記固定層は、カーボンナノチューブ成長用触媒以外の材料から構成され、かつ、前記カーボンナノチューブ成長用触媒粒子のうちの少なくとも1つの上部が前記固定層の上面に露出している。このカーボンナノチューブ成長用基板を用いてトランジスタを得る。また、このカーボンナノチューブ成長用基板を作製する。
【選択図】図1
Description
実施例1とは膜15の除去工程において除去する膜厚を変更した以外は同一条件で実施した。得られた固定層12の膜厚は、10nmであり、触媒粒子11の露出面の面積は、100nm2よりも大きかった。この場合には、触媒粒子11からはカーボンナノチューブが成長できなかった。
3 トランジスタ素子
11 触媒粒子
12 固定層
13 溝
14 カーボンナノチューブ
15 膜
31 バックゲート電極
32 ソース電極
33 ドレイン電極
S 基板
Claims (5)
- カーボンナノチューブ成長用触媒粒子をそれぞれ散在した状態で含有する固定層を基板上に備え、
前記固定層は、カーボンナノチューブ成長用触媒以外の材料から構成され、かつ、前記カーボンナノチューブ成長用触媒粒子のうちの少なくとも1つの上部が前記固定層の上面に露出していることを特徴とするカーボンナノチューブ成長用基板。 - 前記固定層にカーボンナノチューブの成長方向をガイドするガイド溝が設けられており、このガイド溝の一端が、前記固定層の上面に露出したカーボンナノチューブ成長用触媒粒子に接続していることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブ成長用基板。
- 前記カーボンナノチューブ成長用触媒粒子が、Fe、Co、Niから選ばれた少なくとも1種からなる金属であり、かつ、固定層が、TiN、AlN、SiO2、TiO2、アルミナ、ゼオライト、クロム、タンタル、チタン、モリブデン及びTaNから選ばれた少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のカーボンナノチューブ成長用基板。
- 金属層と、絶縁層と、カーボンナノチューブ成長用触媒粒子をそれぞれ散在した状態で含有する固定層と、前記固定層上面に露出した2つの前記カーボンナノチューブ成長用触媒粒子にそれぞれ接触して設けられた電極層とをこの順で積層して備え、
前記固定層上面には、前記2つのカーボンナノチューブ成長用触媒粒子間にガイド溝が設けられると共に、このガイド溝内には前記2つのカーボンナノチューブ成長用触媒粒子間を接続するカーボンナノチューブが設けられており、
前記カーボンナノチューブ成長用触媒粒子が、Fe、Co、Niから選ばれた少なくとも1種からなる金属であり、かつ、固定層が、TiN、AlN、SiO2、TiO2、アルミナ、ゼオライト、クロム、タンタル、チタン、モリブデン及びTaNから選ばれた少なくとも1種からなることを特徴とするトランジスタ。 - 基板上に、カーボンナノチューブ成長用触媒以外の材料からなり、カーボンナノチューブ成長用触媒粒子を含有する固定層を、前記カーボンナノチューブ成長用触媒粒子が固定層中に散在するように形成し、次いでこの固定層をカーボンナノチューブ成長用触媒粒子が露出するまで除去することを特徴とするカーボンナノチューブ成長用基板の製造方法。
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