JP2010114218A - Light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2010114218A
JP2010114218A JP2008284680A JP2008284680A JP2010114218A JP 2010114218 A JP2010114218 A JP 2010114218A JP 2008284680 A JP2008284680 A JP 2008284680A JP 2008284680 A JP2008284680 A JP 2008284680A JP 2010114218 A JP2010114218 A JP 2010114218A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting device
region
led chip
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008284680A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Koizumi
洋 小泉
Yasuhide Okada
康秀 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2008284680A priority Critical patent/JP2010114218A/en
Publication of JP2010114218A publication Critical patent/JP2010114218A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device for which the chromaticity of the emitted light is uniform, independently of the direction of the emitted light. <P>SOLUTION: The light-emitting device 1 is constructed by providing a package 11, in which a concave part 12 is formed in an upper surface thereof; an LED chip 14, which is mounted in a bottom surface 13 of the concave part 12 and emits the blue light; a resin member 15, with which the inside of the concave part 12 is filled and fluorescent particle 16, which emits a yellow light, when the blue light is made incident. The fluorescent particle 16 is deposited in a lower part of the resin member 15 and forms a deposit layer 16a. In the bottom surface 13 of the concave part 12, a region 13a directly below the LED chip 14 is projected with respect to a region 13b around the region 13a. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光デバイスに関し、特に、パッケージ内にチップ及び蛍光体粒子が設けられた発光デバイスに関する。   The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device in which a chip and phosphor particles are provided in a package.

一般的に、白色光を発光する発光デバイスには、青色の光を出射するLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)チップと、青色の光を吸収して、青色に対して補色関係にある黄色の光を出射する蛍光体とが設けられている。これにより、発光デバイスの外部には、LEDチップから出射された青色の光と、蛍光体から出射された黄色の光が出射され、これらの光が混合されることにより、白色の光となる(例えば、特許文献1参照。)。   Generally, a light emitting device that emits white light includes an LED (Light Emitting Diode) chip that emits blue light and a yellow light that absorbs blue light and is complementary to blue. And a phosphor that emits light. Thereby, the blue light emitted from the LED chip and the yellow light emitted from the phosphor are emitted to the outside of the light emitting device, and these lights are mixed to become white light ( For example, see Patent Document 1.)

しかしながら、特許文献1に記載された従来の発光デバイスにおいては、出射方向によって出射光の色度がばらつくという問題がある。   However, the conventional light emitting device described in Patent Document 1 has a problem that the chromaticity of the emitted light varies depending on the emission direction.

国際公開WO2002/059982号公報(図1)International Publication WO2002 / 059982 (FIG. 1)

本発明の目的は、出射方向に依らず出射光の色度が均一な発光デバイスを提供することである。   An object of the present invention is to provide a light emitting device in which the chromaticity of emitted light is uniform regardless of the emitting direction.

本発明の一態様によれば、上面に凹部が形成されたパッケージと、前記凹部の底面に搭載され、第1の波長の光を出射するチップと、前記凹部内に充填された樹脂部材と、前記樹脂部材の下部に堆積し、前記第1の波長の光が入射されると前記第1の波長よりも長い第2の波長の光を出射する蛍光体粒子と、を備え、前記凹部の底面における前記チップの直下域は、前記直下域の周囲の領域に対して突出していることを特徴とする発光デバイスが提供される。   According to one aspect of the present invention, a package having a recess formed on the top surface, a chip mounted on the bottom surface of the recess and emitting light of the first wavelength, a resin member filled in the recess, And a phosphor particle that is deposited under the resin member and emits light having a second wavelength longer than the first wavelength when the light having the first wavelength is incident thereon, and the bottom surface of the recess A light emitting device is provided in which a region directly below the chip in the projection protrudes from a region around the chip.

本発明の他の一態様によれば、上面が平坦なパッケージと、前記上面に搭載され、第1の波長の光を出射するチップと、前記上面上に設けられた樹脂部材と、前記樹脂部材の下部に堆積し、前記第1の波長の光が入射されると前記第1の波長よりも長い第2の波長の光を出射する蛍光体粒子と、を備え、前記上面における前記チップの直下域は、前記直下域の周囲の領域に対して突出していることを特徴とする発光デバイスが提供される。   According to another aspect of the present invention, a package having a flat upper surface, a chip mounted on the upper surface and emitting light having a first wavelength, a resin member provided on the upper surface, and the resin member And phosphor particles that emit light having a second wavelength longer than the first wavelength when the light having the first wavelength is incident thereon, immediately below the chip on the upper surface. The light emitting device is provided in which the region protrudes from a region around the region directly below.

本発明によれば、出射方向に依らず出射光の色度が均一な発光デバイスを実現することができる。   According to the present invention, it is possible to realize a light emitting device in which the chromaticity of emitted light is uniform regardless of the emitting direction.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。
なお、図1においては、蛍光体粒子を実際よりも大きく、模式的に描いている。後述する他の図においても同様である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, a first embodiment of the present invention will be described.
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to this embodiment.
In FIG. 1, the phosphor particles are schematically drawn larger than the actual size. The same applies to other figures described later.

図1に示すように、本実施形態に係る発光デバイス1においては、パッケージ11が設けられており、パッケージ11の上面には、凹部12が形成されている。凹部12の形状は、例えばすり鉢状であり、側面は上方に開くように傾斜している。パッケージ11は、絶縁性の材料、例えば白色のセラミック又は白色の樹脂からなるパッケージ本体に、正電極及び負電極(いずれも図示せず)が埋め込まれて構成されている。正電極及び負電極は、凹部12の底面13において露出している。   As shown in FIG. 1, in the light emitting device 1 according to this embodiment, a package 11 is provided, and a recess 12 is formed on the upper surface of the package 11. The shape of the recess 12 is, for example, a mortar shape, and the side surface is inclined so as to open upward. The package 11 is configured by embedding a positive electrode and a negative electrode (both not shown) in a package body made of an insulating material, for example, white ceramic or white resin. The positive electrode and the negative electrode are exposed at the bottom surface 13 of the recess 12.

凹部12内にはLEDチップ14が設けられている。LEDチップ14は、例えば、青色又は青色から紫外までの領域の光(以下、総称して「青色の光」という)を出射する発光素子であり、その形状は矩形の板状であり、上面、下面、側面の全ての面から光を出射する。LEDチップ14は、凹部12の底面13の中央部に搭載されており、LEDチップ14の下面は、半田層(図示せず)を介して、底面13に埋め込まれた負電極に接続されている。また、LEDチップ14の上面と正電極とは、ワイヤ(図示せず)を介して接続されている。   An LED chip 14 is provided in the recess 12. The LED chip 14 is, for example, a light emitting element that emits light in a blue or blue to ultraviolet region (hereinafter collectively referred to as “blue light”), and has a rectangular plate shape, an upper surface, Light is emitted from all the lower and side surfaces. The LED chip 14 is mounted at the center of the bottom surface 13 of the recess 12, and the lower surface of the LED chip 14 is connected to a negative electrode embedded in the bottom surface 13 via a solder layer (not shown). . The upper surface of the LED chip 14 and the positive electrode are connected via a wire (not shown).

凹部12内には、透明な樹脂からなる樹脂部材15が充填されている。凹部12の深さはLEDチップ14の厚さよりも大きく、樹脂部材15はLEDチップ14及びワイヤ(図示せず)を埋め込んでいる。また、樹脂部材15内には多数の蛍光体粒子16が混入されており、樹脂部材15の下部、すなわち、底面13並びにLEDチップ14の上面及び側面に接する部分に、層状に堆積している。蛍光体粒子16は、LEDチップ14が発する青色の光が入射されると励起し、波長が入射光の波長よりも長い光、例えば黄色の光を出射する蛍光材料により形成されている。なお、樹脂部材15は、LEDチップ14が発する青色の光と、蛍光体粒子16が発する黄色の光を透過させる。   The recess 12 is filled with a resin member 15 made of a transparent resin. The depth of the recess 12 is larger than the thickness of the LED chip 14, and the resin member 15 embeds the LED chip 14 and a wire (not shown). In addition, a large number of phosphor particles 16 are mixed in the resin member 15, and are deposited in a layered manner on the lower part of the resin member 15, that is, on the bottom surface 13 and the portions in contact with the upper and side surfaces of the LED chip 14. The phosphor particles 16 are formed of a fluorescent material that is excited when blue light emitted from the LED chip 14 is incident and emits light having a wavelength longer than the wavelength of the incident light, for example, yellow light. The resin member 15 transmits blue light emitted from the LED chip 14 and yellow light emitted from the phosphor particles 16.

そして、凹部12の底面13におけるLEDチップ14の直下域13aは、底面13における直下域13aの周囲の領域13bに対して上方に突出している。その突出量は、例えば、蛍光体粒子16が堆積して形成された堆積層16aの厚さ以上である。これにより、堆積層16aのうち、LEDチップ14の上面及び側面を覆う部分以外の部分は、LEDチップ14よりも下方に位置している。このため、堆積層16aのうち、LEDチップ14の上面上に配置された部分の厚さと、LEDチップ14の側面上に配置された部分の厚さとは、ほぼ等しくなる。   The region 13 a immediately below the LED chip 14 on the bottom surface 13 of the recess 12 protrudes upward from the region 13 b around the region 13 a directly below the bottom surface 13. The protruding amount is, for example, equal to or greater than the thickness of the deposited layer 16a formed by depositing the phosphor particles 16. Thereby, parts other than the part which covers the upper surface and side surface of LED chip 14 among the deposition layers 16a are located below LED chip 14. FIG. For this reason, the thickness of the part arrange | positioned on the upper surface of LED chip 14 among the deposition layers 16a and the thickness of the part arrange | positioned on the side surface of LED chip 14 become substantially equal.

このような発光デバイス1は、例えば、以下の方法によって製造することができる。すなわち、上述のような形状の凹部12が形成されたパッケージ11を作製する。次に、凹部12の底面13における負電極(図示せず)が露出している領域上にLEDチップ14をマウントし、LEDチップ14と正電極(図示せず)とをワイヤボンディングする。次に、透明樹脂に蛍光体粒子16を分散させた樹脂液を、例えば塗布により、凹部12内に充填させる。その後、一定時間放置することにより、蛍光体粒子16に樹脂液内を沈降させ、樹脂液の下部に蛍光体粒子16からなる堆積層16aを形成する。その後、加熱処理を行い、樹脂液を熱硬化させることにより、樹脂部材15を形成する。これにより、発光デバイス1が製造される。   Such a light emitting device 1 can be manufactured, for example, by the following method. That is, the package 11 in which the concave portion 12 having the above-described shape is formed. Next, the LED chip 14 is mounted on the area where the negative electrode (not shown) on the bottom surface 13 of the recess 12 is exposed, and the LED chip 14 and the positive electrode (not shown) are wire-bonded. Next, the resin liquid in which the phosphor particles 16 are dispersed in the transparent resin is filled in the recesses 12 by, for example, coating. Then, by leaving it for a certain period of time, the inside of the resin liquid is settled on the phosphor particles 16, and a deposited layer 16a composed of the phosphor particles 16 is formed below the resin liquid. Then, the resin member 15 is formed by heat-processing and thermosetting a resin liquid. Thereby, the light emitting device 1 is manufactured.

次に、本実施形態の動作及び効果について説明する。
発光デバイス1においては、正電極及び負電極によってLEDチップ14に電力が供給されると、LEDチップ14が青色の光を全方位に向けて出射する。出射された光のうち、下方に向かう光はパッケージ11によって遮られるが、上方及び側方に向かう光は樹脂部材15内に進入する。樹脂部材15内に進入した青色の光の一部は、蛍光体粒子16に入射し、吸収される。これにより、蛍光体粒子16を形成する蛍光材料が励起し、入射光よりも波長が長い光、例えば、黄色の光を出射する。この黄色の光は、樹脂部材15内に進入する。一方、樹脂部材15内に進入した光の残部は、蛍光体粒子16には入射せずに、青色の光のまま樹脂部材15内を伝播する。樹脂部材15内を伝播する黄色の光及び青色の光は、樹脂部材15から直接、又は凹部12の側面において反射された後、凹部12の開口から凹部12の外部に出射されることにより、発光デバイス1の外部に出射される。このとき、LEDチップ14から出射された青色の光と、蛍光体粒子16から出射された黄色の光とが混合されるため、発光デバイス1から出射する光は白色となる。
Next, the operation and effect of this embodiment will be described.
In the light emitting device 1, when power is supplied to the LED chip 14 by the positive electrode and the negative electrode, the LED chip 14 emits blue light in all directions. Of the emitted light, the downward light is blocked by the package 11, but the upward and lateral light enters the resin member 15. Part of the blue light that has entered the resin member 15 enters the phosphor particles 16 and is absorbed. Thereby, the fluorescent material forming the phosphor particles 16 is excited and emits light having a wavelength longer than that of incident light, for example, yellow light. This yellow light enters the resin member 15. On the other hand, the remainder of the light that has entered the resin member 15 does not enter the phosphor particles 16 and propagates through the resin member 15 as blue light. Yellow light and blue light propagating in the resin member 15 are emitted directly from the resin member 15 or after being reflected from the side surface of the recess 12 and then emitted from the opening of the recess 12 to the outside of the recess 12. The light is emitted outside the device 1. At this time, since the blue light emitted from the LED chip 14 and the yellow light emitted from the phosphor particles 16 are mixed, the light emitted from the light emitting device 1 becomes white.

この場合、LEDチップ14から出射した青色の光のうち、蛍光体粒子16に吸収される光の割合によって、発光デバイス1から出射する光の色が異なる。そして、この割合は、堆積層16aの厚さに依存する。すなわち、堆積層16aが厚いほど、黄色の光の割合が多くなり、発光デバイス1の出射光の色目は黄色くなる。逆に、堆積層16aが薄いほど、青色の光の割合が多くなり、発光デバイス1の出射光の色目は青くなる。   In this case, the color of the light emitted from the light emitting device 1 varies depending on the proportion of the light absorbed by the phosphor particles 16 in the blue light emitted from the LED chip 14. This ratio depends on the thickness of the deposited layer 16a. That is, as the deposition layer 16a is thicker, the proportion of yellow light increases and the color of the emitted light from the light emitting device 1 becomes yellow. Conversely, the thinner the deposited layer 16a, the greater the proportion of blue light, and the color of the emitted light from the light emitting device 1 becomes blue.

そして、本実施形態においては、パッケージ11の凹部12の底面13において、LEDチップ14の直下域13aは、その周囲の領域13bよりも上方に突出しているため、堆積層16aのうち、LEDチップ14の上面を覆う部分の厚さと、LEDチップ14の側面を覆う部分の厚さとが、相互にほぼ等しくなる。このため、LEDチップ14の上面から出射した光と、LEDチップ14の側面から出射した光とで、青色の光と黄色の光との混合割合がほぼ等しくなり、色度がほぼ等しくなる。これにより、発光デバイス1からは、出射角度に依らず色度が均一な光が出射される。また、LEDチップ14の側面から出射した光が蛍光体粒子16によって過度に吸収されることがなく、効率よく発光デバイス1の外部に出射させることができるため、発光効率が高い。   In the present embodiment, since the region 13a immediately below the LED chip 14 protrudes above the surrounding region 13b on the bottom surface 13 of the recess 12 of the package 11, the LED chip 14 in the deposition layer 16a. The thickness of the portion covering the upper surface of the LED chip and the thickness of the portion covering the side surface of the LED chip 14 are substantially equal to each other. Therefore, the light emitted from the upper surface of the LED chip 14 and the light emitted from the side surface of the LED chip 14 have substantially the same mixing ratio of blue light and yellow light, and the chromaticity is substantially equal. Thereby, light with uniform chromaticity is emitted from the light emitting device 1 regardless of the emission angle. Moreover, since the light emitted from the side surface of the LED chip 14 is not excessively absorbed by the phosphor particles 16 and can be efficiently emitted to the outside of the light emitting device 1, the light emission efficiency is high.

以下、本実施形態の効果を説明するために、本実施形態の比較例について説明する。
図2は、本比較例に係る発光デバイスを例示する断面図である。
図2に示すように、本比較例に係る発光デバイス101においては、パッケージ11の凹部12の底面13が平坦である。このため、堆積層16aにおけるLEDチップ14を覆う部分以外の部分は、LEDチップ14と同じ高さに形成される。これにより、LEDチップ14の側面から出射した光は、堆積層16a内を長い距離にわたって通過し、その大部分が蛍光体粒子16に吸収されて黄色の光に変換される。従って、LEDチップ14の側面から出射した光は、青色の光よりも黄色の光の割合が多い黄色味がかった光になる。一方、LEDチップ14の上面から出射した光は、青色の光と黄色の光とが適正な比率で混合され、白色の光となる。
Hereinafter, in order to explain the effect of this embodiment, a comparative example of this embodiment will be described.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to this comparative example.
As shown in FIG. 2, in the light emitting device 101 according to this comparative example, the bottom surface 13 of the recess 12 of the package 11 is flat. For this reason, portions other than the portion covering the LED chip 14 in the deposited layer 16 a are formed at the same height as the LED chip 14. Thereby, the light emitted from the side surface of the LED chip 14 passes through the deposition layer 16a over a long distance, and most of the light is absorbed by the phosphor particles 16 and converted into yellow light. Therefore, the light emitted from the side surface of the LED chip 14 becomes yellowish light having a higher proportion of yellow light than blue light. On the other hand, light emitted from the upper surface of the LED chip 14 is mixed with blue light and yellow light at an appropriate ratio to become white light.

この結果、堆積層16aにおけるLEDチップ14の上面を覆う部分は白色に発光するものの、LEDチップ14の周辺に位置する部分は黄色に発光してしまう。そして、このような位置による色度の不均一性は、発光デバイス101から出射する光の均一性に影響を及ぼし、発光デバイス101から出射する方向によって出射光の色度がばらついてしまう。また、LEDチップ14の側面から出射した光は、蛍光体粒子16によって過度に吸収されるため、発光効率が低くなり、発光強度が低い。   As a result, the portion covering the upper surface of the LED chip 14 in the deposited layer 16a emits white light, but the portion located around the LED chip 14 emits yellow light. The non-uniformity of chromaticity due to such a position affects the uniformity of the light emitted from the light emitting device 101, and the chromaticity of the emitted light varies depending on the direction emitted from the light emitting device 101. Moreover, since the light emitted from the side surface of the LED chip 14 is excessively absorbed by the phosphor particles 16, the light emission efficiency is lowered and the light emission intensity is low.

これに対して、本実施形態によれば、LEDチップ14から出射した光が堆積層16a内を通過する光路長は、出射方向によらずほぼ均一であるため、凹部12内の位置によって発光の色度がばらつくことがなく、発光デバイス1から出射される光の色度は、出射方向によらず均一である。また、LEDチップ14の側面から出射した光が蛍光体粒子16によって過度に吸収されることがなく、発光効率が高い。   On the other hand, according to the present embodiment, the optical path length through which the light emitted from the LED chip 14 passes through the deposition layer 16a is substantially uniform regardless of the emission direction. The chromaticity does not vary, and the chromaticity of light emitted from the light emitting device 1 is uniform regardless of the emission direction. Moreover, the light emitted from the side surface of the LED chip 14 is not excessively absorbed by the phosphor particles 16, and the light emission efficiency is high.

次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図3は、本実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。
図3に示すように、本実施形態に係る発光デバイス2においては、パッケージ11の凹部12の底面13において、周囲の領域13bのうち直下域13aに接する領域が、なだらかな傾斜となっている。すなわち、周辺の領域13bにおける直下域13aの近傍の領域の高さは、直下域13aから遠ざかるにつれて低くなっている。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第1の実施形態と同様である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device according to this embodiment.
As shown in FIG. 3, in the light emitting device 2 according to the present embodiment, in the bottom surface 13 of the recess 12 of the package 11, a region in contact with the region 13 a immediately below the surrounding region 13 b has a gentle slope. That is, the height of the area in the vicinity of the immediate area 13a in the peripheral area 13b becomes lower as the distance from the immediate area 13a increases. Other configurations in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

本実施形態によっても、前述の第1の実施形態と同様な作用及び効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、底面13における周辺の領域13bがなだらかに傾斜しているため、パッケージ11のパッケージ本体を鋳型によって成型する場合に、型抜き性が良好である。   Also according to the present embodiment, the same operations and effects as those of the first embodiment described above can be obtained. Further, according to the present embodiment, since the peripheral region 13b on the bottom surface 13 is gently inclined, when the package main body of the package 11 is molded using a mold, the mold release property is good.

次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図4は、本実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。
図4に示すように、本実施形態に係る発光デバイス3においては、凹部12の底面13は平坦になっており、底面13の中央部上に台座17が設けられている。台座17の形状は平板状であり、その上面及び下面は平坦である。そして、LEDチップ14は、台座14上に載置されている。また、台座17は導電性の材料、例えば、金属により形成されている。これにより、LEDチップ14の下面は、台座17を介して負電極(図示せず)に接続されている。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第1の実施形態と同様である。
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device according to this embodiment.
As shown in FIG. 4, in the light emitting device 3 according to the present embodiment, the bottom surface 13 of the recess 12 is flat, and a pedestal 17 is provided on the central portion of the bottom surface 13. The shape of the base 17 is a flat plate shape, and the upper surface and the lower surface thereof are flat. The LED chip 14 is placed on the pedestal 14. The pedestal 17 is made of a conductive material such as metal. Thereby, the lower surface of the LED chip 14 is connected to the negative electrode (not shown) via the base 17. Other configurations in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

本実施形態によっても、前述の第1の実施形態と同様な作用及び効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、既存のパッケージに台座17を取り付けるだけで、上述の発光デバイスを実現することができる。   Also according to the present embodiment, the same operations and effects as those of the first embodiment described above can be obtained. In addition, according to the present embodiment, the above-described light emitting device can be realized simply by attaching the pedestal 17 to an existing package.

次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図5は、本実施形態に係る発光デバイスを例示する平面図であり、
図6は、図5に示すA−A’線による断面図である。
なお、図を見易くするために、図5においては、樹脂部材及び堆積層は図示を省略されている。また、図6においては、ワイヤは図示を省略されている。後述する他の図においても同様である。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 5 is a plan view illustrating the light emitting device according to this embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line AA ′ shown in FIG.
In order to make the drawing easier to see, the resin member and the deposited layer are not shown in FIG. Further, in FIG. 6, the wire is not shown. The same applies to other figures described later.

図5及び図6に示すように、本実施形態に係る発光デバイス4においては、パッケージ31が設けられている。パッケージ31の形状は、例えば上面及び下面の面積が各側面の面積よりも大きい略直方体形状であり、上面にはすり鉢状の凹部32が形成されている。上方から見て、凹部32の底面33の外縁は円形であり、凹部32の側面は上に行くほど外側に向かうように傾斜している。   As shown in FIGS. 5 and 6, the light emitting device 4 according to the present embodiment is provided with a package 31. The shape of the package 31 is, for example, a substantially rectangular parallelepiped shape in which the area of the upper surface and the lower surface is larger than the area of each side surface, and a mortar-shaped recess 32 is formed on the upper surface. When viewed from above, the outer edge of the bottom surface 33 of the recess 32 is circular, and the side surface of the recess 32 is inclined so as to go outward as it goes upward.

パッケージ31においては、絶縁性の材料、例えば白色のセラミック又は白色の樹脂からなるパッケージ本体31aが設けられている。また、パッケージ本体31aには、負電極31b及び正電極31cが埋め込まれている。負電極31bと正電極31cとはパッケージ本体31aによって相互に絶縁されており、両電極の上面は底面33において露出している。上方から見て、負電極31bの形状は、中心が底面33の中心と一致し円弧が底面33の外縁と一致した扇形と、底面33の中心に配置された正方形とが組み合わされた形状である。また、正電極31cの形状は、負電極31bの扇形部分を除く領域に、負電極31bの正方形部分から一定の距離を隔てて配置されたコ字形状であり、その外縁は底面33の外縁と一致しており、その内縁は正方形部分に沿って延びている。   The package 31 is provided with a package body 31a made of an insulating material, for example, white ceramic or white resin. Further, a negative electrode 31b and a positive electrode 31c are embedded in the package body 31a. The negative electrode 31b and the positive electrode 31c are insulated from each other by the package body 31a, and the upper surfaces of both electrodes are exposed at the bottom surface 33. When viewed from above, the shape of the negative electrode 31b is a combination of a sector shape whose center coincides with the center of the bottom surface 33 and whose circular arc coincides with the outer edge of the bottom surface 33, and a square disposed at the center of the bottom surface 33. . The shape of the positive electrode 31c is a U-shape arranged at a certain distance from the square portion of the negative electrode 31b in a region excluding the fan-shaped portion of the negative electrode 31b, and the outer edge thereof is the same as the outer edge of the bottom surface 33. It coincides and its inner edge extends along the square part.

そして、負電極31bの正方形部分の上面には、環状の溝40が形成されている。上方から見て、溝40の外縁は円形であり、内縁は正方形である。また、溝40は負電極31bを貫通しておらず、従って、溝40の内側は溝40に対して突出した凸部41となっている。凸部41の上面は平坦であり、その高さは負電極31bにおける溝40の外側の部分の上面の高さ、正電極31cの上面の高さ、及びパッケージ本体31aにおける負電極31bと正電極31cとの間の部分の上面の高さと等しい。溝40の深さ、すなわち、凸部41の突出量は、例えば、70〜90μmである。なお、パッケージ31における凸部41に相当する部分の幅は、例えば200μmである。   An annular groove 40 is formed on the upper surface of the square portion of the negative electrode 31b. When viewed from above, the outer edge of the groove 40 is circular and the inner edge is square. Further, the groove 40 does not penetrate the negative electrode 31 b, and therefore, the inner side of the groove 40 is a convex portion 41 protruding from the groove 40. The upper surface of the convex portion 41 is flat, and the height thereof is the height of the upper surface of the outer portion of the groove 40 in the negative electrode 31b, the height of the upper surface of the positive electrode 31c, and the negative electrode 31b and the positive electrode in the package body 31a. It is equal to the height of the upper surface of the part between 31c. The depth of the groove 40, that is, the protrusion amount of the convex portion 41 is, for example, 70 to 90 μm. The width of the portion corresponding to the convex portion 41 in the package 31 is, for example, 200 μm.

また、凹部32内における凸部41の直上域には、LEDチップ34が設けられている。溝40は、負電極31bの上面におけるLEDチップ34の直下域の周囲に、LEDチップ34を囲むように形成されている。LEDチップ34と凸部41との間には半田層(図示せず)が設けられており、LEDチップ34の下面は、半田層を介して、凸部41の上面に接続されている。LEDチップ34の厚さは、例えば95μmである。   Further, an LED chip 34 is provided in a region directly above the convex portion 41 in the concave portion 32. The groove 40 is formed around the LED chip 34 around the area immediately below the LED chip 34 on the upper surface of the negative electrode 31b. A solder layer (not shown) is provided between the LED chip 34 and the convex portion 41, and the lower surface of the LED chip 34 is connected to the upper surface of the convex portion 41 via the solder layer. The thickness of the LED chip 34 is, for example, 95 μm.

更に、発光デバイス4にはワイヤ43が設けられている。ワイヤ43の一端はLEDチップ34の上面にボンディングされており、ワイヤ43の他端は正電極31cの上面にボンディングされている。これにより、LEDチップ34の上面はワイヤ43を介して正電極31cに接続されている。   Further, the light emitting device 4 is provided with a wire 43. One end of the wire 43 is bonded to the upper surface of the LED chip 34, and the other end of the wire 43 is bonded to the upper surface of the positive electrode 31c. Thereby, the upper surface of the LED chip 34 is connected to the positive electrode 31 c through the wire 43.

更にまた、凹部32内には、透明な樹脂からなる樹脂部材35が充填されている。また、樹脂部材35内には、上述のLEDチップ34及びワイヤ43が埋め込まれている。そして、樹脂部材35内には多数の蛍光体粒子が混入されている。蛍光体粒子は、底面33及びLEDチップ34上、すなわち、樹脂部材35の下部に堆積しており、堆積層36aを形成している。堆積層36aの厚さは、例えば、凸部41の突出量以下であり、例えば70μmである。蛍光体粒子は、LEDチップ34が発する青色の光が入射されると励起し、黄色の光を出射する。樹脂部材35は、LEDチップ34が発する青色の光と、蛍光体粒子が発する黄色の光を透過させる。一例では、樹脂部材35は例えばシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂により形成されている。また、蛍光体粒子を形成する蛍光材料には、例えば、ホスト材にアルカリ土類金属を用いた珪酸塩系材料若しくは珪酸窒化物系材料、又は、これらの蛍光材料に希土類イオンを付活した蛍光材料であって、主に可視光励起するものを用いることができる。   Further, the recess 32 is filled with a resin member 35 made of a transparent resin. In addition, the LED chip 34 and the wire 43 described above are embedded in the resin member 35. A large number of phosphor particles are mixed in the resin member 35. The phosphor particles are deposited on the bottom surface 33 and the LED chip 34, that is, on the lower part of the resin member 35, thereby forming a deposited layer 36a. The thickness of the deposited layer 36a is, for example, equal to or less than the protrusion amount of the protrusion 41, and is, for example, 70 μm. The phosphor particles are excited when blue light emitted from the LED chip 34 is incident, and emit yellow light. The resin member 35 transmits blue light emitted from the LED chip 34 and yellow light emitted from the phosphor particles. In one example, the resin member 35 is formed of, for example, a silicone resin or an epoxy resin. Examples of the fluorescent material forming the phosphor particles include a silicate material or a silicate nitride material using an alkaline earth metal as a host material, or a fluorescent material obtained by activating rare earth ions in these fluorescent materials. A material which is mainly excited by visible light can be used.

本実施形態においては、負電極31bの上面に、上方から見てLEDチップ34を囲むように溝40が形成されているため、堆積層36aのうち、溝40内に位置する部分は、LEDチップ34よりも下方に位置している。このため、堆積層36aは、LEDチップ34の上面及び側面をほぼ均一な厚さで覆っている。   In this embodiment, since the groove 40 is formed on the upper surface of the negative electrode 31b so as to surround the LED chip 34 when viewed from above, the portion of the deposited layer 36a located in the groove 40 is the LED chip. It is located below 34. Therefore, the deposited layer 36a covers the upper surface and the side surface of the LED chip 34 with a substantially uniform thickness.

次に、本実施形態の動作及び効果について説明する。
発光デバイス4においては、外部から電圧が供給されると、負電極31bから半田層を介してLEDチップ34の下面に負電位が印加されると共に、正電極31cからワイヤ43を介してLEDチップ34の上面に正電位が印加され、LEDチップ34が青色の光を全方位に向けて出射する。出射された光のうち、下方に向かう光は負電極31bによって遮られるが、上方及び側方に向かう光は、堆積層36aをほぼ厚さ方向に通過した後、樹脂部材35内に進入する。
Next, the operation and effect of this embodiment will be described.
In the light emitting device 4, when a voltage is supplied from the outside, a negative potential is applied from the negative electrode 31 b to the lower surface of the LED chip 34 via the solder layer, and the LED chip 34 is connected from the positive electrode 31 c via the wire 43. A positive potential is applied to the upper surface of the LED chip 34, and the LED chip 34 emits blue light in all directions. Of the emitted light, the downward light is blocked by the negative electrode 31b, but the upward and lateral light passes through the deposition layer 36a in the thickness direction and then enters the resin member 35.

このとき、堆積層36aにおけるLEDチップ34の上面を覆う部分の厚さと、LEDチップ34の側面を覆う部分の厚さとは相互にほぼ等しいため、LED34の上面から出射した光が堆積層36a内を通過する光路の長さと、LED34の側面から出射した光が堆積層36a内を通過する光路の長さとは、相互にほぼ等しい。このため、前述の第1の実施形態と同様な理由により、LEDチップ34の上面から出射した光と、側面から出射した光とで、青色の光と黄色の光との混合割合がほぼ等しくなり、色度がほぼ等しくなる。この結果、発光デバイス3の出射光は、出射方向に依らず色度が均一となる。また、発光デバイス3においては、LEDチップ34の側面から出射した光が蛍光体粒子によって過度に吸収されることがないため、発光効率が高い。   At this time, since the thickness of the portion covering the upper surface of the LED chip 34 in the deposited layer 36a and the thickness of the portion covering the side surface of the LED chip 34 are substantially equal to each other, light emitted from the upper surface of the LED 34 passes through the deposited layer 36a. The length of the optical path that passes through and the length of the optical path through which the light emitted from the side surface of the LED 34 passes through the deposition layer 36a are substantially equal to each other. For this reason, for the same reason as in the first embodiment, the mixing ratio of the blue light and the yellow light is approximately equal between the light emitted from the upper surface of the LED chip 34 and the light emitted from the side surface. The chromaticity is almost equal. As a result, the emitted light of the light emitting device 3 has uniform chromaticity regardless of the emission direction. Moreover, in the light emitting device 3, since the light radiate | emitted from the side surface of the LED chip 34 is not excessively absorbed by the phosphor particles, the light emission efficiency is high.

また、本実施形態によれば、負電極31bに溝40を形成するだけで、LEDチップ34を覆う堆積層36aの厚さを均一にすることができる。これにより、セラミックからなるパッケージ31aには、既存の部品を用いることができるため、発光デバイス4の製造が容易である。本実施形態における上記以外の動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。   Further, according to the present embodiment, the thickness of the deposited layer 36a covering the LED chip 34 can be made uniform only by forming the groove 40 in the negative electrode 31b. Thereby, since the existing components can be used for the package 31a made of ceramic, the light emitting device 4 can be easily manufactured. Operations and effects other than those described above in the present embodiment are the same as those in the first embodiment described above.

次に、本実施形態の変形例について説明する。
図7は、本変形例に係る発光デバイスを例示する断面図である。
図7に示すように、本変形例に係る発光デバイス4aにおいては、堆積層36aがLEDチップ34を覆う部分と、溝40内のみに設けられており、それより外側には設けられていない。このような堆積層36aは、樹脂液の塗布量を制御することにより形成することができる。本変形例によれば、前述の第3の実施形態と比較して、LEDチップ34の側面から出射して堆積層36aを透過した光が、堆積層36aに再入射することを防止できる。本変形例における上記以外の構成及び作用効果は、前述の第3の実施形態と同様である。
Next, a modification of this embodiment will be described.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to this variation.
As shown in FIG. 7, in the light emitting device 4a according to the present modification, the deposition layer 36a is provided only in the portion covering the LED chip 34 and in the groove 40, and is not provided outside. Such a deposited layer 36a can be formed by controlling the coating amount of the resin liquid. According to this modification, compared with the above-described third embodiment, it is possible to prevent light emitted from the side surface of the LED chip 34 and transmitted through the deposition layer 36a from reentering the deposition layer 36a. Configurations and operational effects other than those described above in the present modification are the same as those in the third embodiment described above.

次に、本発明の第5の実施形態について説明する。
図8は、本実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。
なお、図8が示す断面は、前述の第4の実施形態において図6が示す断面に相当する。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device according to this embodiment.
The cross section shown in FIG. 8 corresponds to the cross section shown in FIG. 6 in the above-described fourth embodiment.

図8に示すように、本実施形態に係る発光デバイス5は、前述の第4の実施形態に係る発光デバイス4(図6参照)と比較して、負電極31bの形状が異なっている。すなわち、発光デバイス5においては、負電極31bの上面おける凸部41以外の領域は、凸部41の上面よりも下方に位置している。なお、凸部41の上面は、LEDチップ34の直下域に相当する。また、凸部41の上面の高さは、正電極31cの上面の高さ、及びパッケージ本体31aにおける負電極31bと正電極31cとの間の部分の上面の高さと等しい。従って、凹部32の底面33において、負電極31bの上面における凸部41以外の領域のみが、他の領域に対して凹んでいる。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第4の実施形態と同様である。   As shown in FIG. 8, the light emitting device 5 according to this embodiment is different in the shape of the negative electrode 31b from the light emitting device 4 according to the above-described fourth embodiment (see FIG. 6). That is, in the light emitting device 5, the region other than the convex portion 41 on the upper surface of the negative electrode 31 b is positioned below the upper surface of the convex portion 41. The upper surface of the convex portion 41 corresponds to a region directly below the LED chip 34. Further, the height of the upper surface of the convex portion 41 is equal to the height of the upper surface of the positive electrode 31c and the height of the upper surface of the portion of the package body 31a between the negative electrode 31b and the positive electrode 31c. Accordingly, in the bottom surface 33 of the concave portion 32, only the region other than the convex portion 41 on the upper surface of the negative electrode 31b is recessed with respect to the other regions. Other configurations in the present embodiment are the same as those in the fourth embodiment described above.

本実施形態においては、前述の第4の実施形態と比較して、堆積層36aにおけるLEDチップ34よりも下方に位置する部分の割合が多くなるため、LEDチップ34の側方から出射し、堆積層36aを通過した光のうち、堆積層36aに再入射する光の割合を低減することができる。また、第4の実施形態と同様に、負電極31bのみを加工することにより、上述の構成を実現できるため、発光デバイス5の製造が容易である。本実施形態における上記以外の動作及び効果は、前述の第4の実施形態と同様である。   In the present embodiment, since the ratio of the portion located below the LED chip 34 in the deposition layer 36a is larger than in the fourth embodiment described above, the light is emitted from the side of the LED chip 34 and deposited. Of the light that has passed through the layer 36a, the proportion of light that reenters the deposition layer 36a can be reduced. Moreover, since the above-described configuration can be realized by processing only the negative electrode 31b as in the fourth embodiment, the light emitting device 5 can be easily manufactured. Operations and effects other than those described above in the present embodiment are the same as those in the above-described fourth embodiment.

次に、本実施形態の変形例について説明する。
図9は、本変形例に係る発光デバイスを例示する断面図である。
図9に示すように、本変形例に係る発光デバイス5aにおいては、堆積層36aは負電極31bの直上域のみに設けられており、それ以外の領域には設けられていない。すなわち、堆積層36aは、正電極31cの直上域、及びパッケージ本体31における負電極31bと正電極31cの間の部分の直上域には設けられていない。この結果、本変形例においても、前述の第4の実施形態の変形例(図7参照)と同様に、堆積層36aがLEDチップ34の近傍のみに限定的に配置されている。これにより、前述の第4の実施形態の変形例と同様に、堆積層36aを通過した光が、堆積層36aに再入射することを防止できる。
Next, a modification of this embodiment will be described.
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to this variation.
As shown in FIG. 9, in the light emitting device 5a according to this modification, the deposition layer 36a is provided only in the region immediately above the negative electrode 31b, and is not provided in any other region. That is, the deposited layer 36a is not provided in the region directly above the positive electrode 31c and in the region directly above the portion of the package body 31 between the negative electrode 31b and the positive electrode 31c. As a result, also in this modified example, the deposited layer 36a is limitedly disposed only in the vicinity of the LED chip 34, as in the modified example of the fourth embodiment (see FIG. 7). Thereby, similarly to the modified example of the fourth embodiment described above, it is possible to prevent the light that has passed through the deposition layer 36a from reentering the deposition layer 36a.

次に、本発明の第6の実施形態について説明する。
図10は、本実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。
なお、図10が示す断面は、前述の第4の実施形態において図6が示す断面に相当する。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device according to this embodiment.
Note that the cross section shown in FIG. 10 corresponds to the cross section shown in FIG. 6 in the above-described fourth embodiment.

図10に示すように、本実施形態に係る発光デバイス6は、前述の第5の実施形態に係る発光デバイス5(図8参照)と比較して、パッケージ本体31a及び正電極31cの形状が異なっている。すなわち、発光デバイス6においては、パッケージ本体31aにおける負電極31bと正電極31cとの間の部分の上面、及び、正電極31cの上面は、負電極31bの上面おける凸部41以外の領域と同じ高さにある。従って、凹部32の底面33における凸部41以外の領域は、凸部41の上面よりも下方に位置しており、凸部41はその周囲の領域に対して突出している。なお、凸部41の上面は、LEDチップ34の直下域に相当する。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第5の実施形態と同様である。   As shown in FIG. 10, the light emitting device 6 according to the present embodiment is different in the shapes of the package body 31a and the positive electrode 31c from the light emitting device 5 according to the fifth embodiment (see FIG. 8). ing. That is, in the light emitting device 6, the upper surface of the portion between the negative electrode 31b and the positive electrode 31c in the package body 31a and the upper surface of the positive electrode 31c are the same as the region other than the convex portion 41 on the upper surface of the negative electrode 31b. It is at height. Therefore, the region other than the convex portion 41 on the bottom surface 33 of the concave portion 32 is located below the upper surface of the convex portion 41, and the convex portion 41 protrudes from the surrounding region. The upper surface of the convex portion 41 corresponds to a region directly below the LED chip 34. Other configurations in the present embodiment are the same as those in the fifth embodiment described above.

本実施形態においては、前述の第4及び第5の実施形態と比較して、堆積層36aにおけるLEDチップ34を覆う部分以外の全ての部分がLEDチップ34よりも下方に位置するため、LEDチップ34の側方から出射し、堆積層36aを通過した光のうち、堆積層36aに再入射する光の割合をより一層低減することができる。本実施形態における上記以外の動作及び効果は、前述の第4の実施形態と同様である。   In the present embodiment, as compared with the fourth and fifth embodiments described above, all the portions other than the portion covering the LED chip 34 in the deposition layer 36a are located below the LED chip 34. It is possible to further reduce the proportion of the light that is emitted from the side of 34 and passes through the deposition layer 36a and reenters the deposition layer 36a. Operations and effects other than those described above in the present embodiment are the same as those in the fourth embodiment described above.

以下、本実施形態の効果を、実験例に基づいて説明する。
図11(a)は色度の測定方向を示す平面図であり、(b)は色度の測定方向を示す断面図であり、(c)は模式的な色度図であり、
図12(a)及び(b)は、横軸に出射角度をとり、縦軸に色度Cxをとって、出射角度が出射光の色度に及ぼす影響を例示するグラフ図であり、(a)はΦ0の場合を示し、(b)はΦ90の場合を示し、
図13(a)及び(b)は、横軸に出射角度をとり、縦軸に色度Cyをとって、出射角度が出射光の色度に及ぼす影響を例示するグラフ図であり、(a)はΦ0の場合を示し、(b)はΦ90の場合を示す。
Hereinafter, the effect of this embodiment will be described based on experimental examples.
FIG. 11A is a plan view showing the measurement direction of chromaticity, FIG. 11B is a cross-sectional view showing the measurement direction of chromaticity, and FIG. 11C is a schematic chromaticity diagram.
FIGS. 12A and 12B are graphs illustrating the influence of the emission angle on the chromaticity of the emitted light, with the emission angle on the horizontal axis and the chromaticity Cx on the vertical axis. ) Shows the case of Φ0, (b) shows the case of Φ90,
FIGS. 13A and 13B are graphs illustrating the influence of the emission angle on the chromaticity of the emitted light, with the emission angle on the horizontal axis and the chromaticity Cy on the vertical axis. ) Shows the case of Φ0, and (b) shows the case of Φ90.

本実験例においては、図11(a)及び(b)に示すように、発光デバイス6の上面に平行な方向のうち、相互に直交する2方向Φ0及びΦ90において、発光デバイス6の上面とLEDチップ34の中心軸Cとの交点Dを基点とした出射方向Vについて、出射光の色度Cx及びCyを測定した。このとき、出射方向Vと中心軸Cとのなす角度を、出射角度θとした。   In this experimental example, as shown in FIGS. 11A and 11B, in two directions Φ0 and Φ90 orthogonal to each other among the directions parallel to the upper surface of the light emitting device 6, the upper surface of the light emitting device 6 and the LED The chromaticities Cx and Cy of the emitted light were measured in the emission direction V with the intersection D with the center axis C of the chip 34 as a base point. At this time, an angle formed by the emission direction V and the central axis C was defined as an emission angle θ.

また、評価対象には、本実施形態に係る発光デバイス6及び比較例に係る発光デバイスを用いた。比較例に係る発光デバイスにおいては、本実施形態に係る発光デバイス6と比較して、凹部32の底面33が平坦になっている。そして、いずれの発光デバイスにおいても、出射角度が0°の出射方向において、出射光の色度Cx及びCyが0.31になるように、樹脂部材35中の蛍光体粒子の含有量を調整した。図11(c)に示すように、出射光が白色である場合には、出射光の色度Cx及びCyはそれぞれ0.31程度となる。一方、出射光が黄色くなると、色度Cx及びCyは、いずれも0.31より大きくなる。   Moreover, the light emitting device 6 which concerns on this embodiment, and the light emitting device which concerns on a comparative example were used for evaluation object. In the light emitting device according to the comparative example, the bottom surface 33 of the recess 32 is flat compared to the light emitting device 6 according to the present embodiment. In any light emitting device, the content of the phosphor particles in the resin member 35 was adjusted so that the chromaticity Cx and Cy of the emitted light was 0.31 in the emission direction where the emission angle was 0 °. . As shown in FIG. 11C, when the emitted light is white, the chromaticities Cx and Cy of the emitted light are each about 0.31. On the other hand, when the emitted light is yellow, the chromaticities Cx and Cy are both greater than 0.31.

図12(a)及び(b)並びに図13(a)及び(b)に示すように、比較例に係る発光デバイスについては、Φ0及びΦ90のいずれの方向においても、出射角度θが0°付近である場合は出射光の色度Cx及びCyが約0.31であり、出射光は白色であったが、出射角度θの絶対値が大きくなると、色度Cx及びCyが高くなり、出射光が黄色に近くなった。このように、出射方向によって出射光の色度がばらついた。   As shown in FIGS. 12A and 12B and FIGS. 13A and 13B, in the light emitting device according to the comparative example, the emission angle θ is around 0 ° in both directions of Φ0 and Φ90. In this case, the chromaticity Cx and Cy of the outgoing light is about 0.31, and the outgoing light is white. However, when the absolute value of the outgoing angle θ is increased, the chromaticity Cx and Cy are increased and the outgoing light is increased. Became close to yellow. Thus, the chromaticity of the outgoing light varies depending on the outgoing direction.

これに対して、本実施形態に係る発光デバイスは、Φ0及びΦ90のいずれの方向においても、出射角度によらず、出射光の色度Cx及びCyは0.310〜0.315程度であり、白色であった。すなわち、出射方向に依らず出射光の色度が均一であった。このように、本実施形態によれば、比較例と比較して、出射方向に関して出射光の色度を均一化することができた。   On the other hand, in the light emitting device according to the present embodiment, the chromaticity Cx and Cy of the emitted light is about 0.310 to 0.315 regardless of the emission angle in any direction of Φ0 and Φ90. It was white. That is, the chromaticity of the emitted light is uniform regardless of the emission direction. Thus, according to the present embodiment, the chromaticity of the emitted light can be made uniform in the emission direction as compared with the comparative example.

次に、本発明の第7の実施形態について説明する。
図14は、本実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。
図14に示すように、本実施形態に係る発光デバイス7においては、パッケージ51の形状が基板状である。すなわち、パッケージ51の上面52には、前述の第1の実施形態のようなLEDチップ全体を収納するような大きな凹部12(図1参照)は形成されておらず、概ね平坦である。但し、上面52には、環状の溝53が形成されている。
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to this embodiment.
As shown in FIG. 14, in the light emitting device 7 according to this embodiment, the package 51 has a substrate shape. That is, the upper surface 52 of the package 51 is not formed with a large recess 12 (see FIG. 1) that accommodates the entire LED chip as in the first embodiment, and is generally flat. However, an annular groove 53 is formed on the upper surface 52.

そして、上面52上における溝53の内側には、LEDチップ54が搭載されている。これにより、上面52におけるLEDチップ54の直下域52aは、直下域52aの周囲の領域52b、すなわち、溝53の底面に対して突出している。LEDチップ54は、例えば青色の光を出射するチップである。   An LED chip 54 is mounted inside the groove 53 on the upper surface 52. As a result, the region 52 a immediately below the LED chip 54 on the upper surface 52 protrudes from the region 52 b around the region 52 a directly below, that is, the bottom surface of the groove 53. The LED chip 54 is a chip that emits blue light, for example.

また、パッケージ51の上面52上には、LEDデバイス54及び溝53を覆うように、樹脂部材55が設けられている。樹脂部材55は上面52上に盛り上げられており、その形状は例えば球体の一部であり、例えば、半球状である。樹脂部材55の下部、すなわち、パッケージ51の上面52及びLEDチップ54に接する部分には、蛍光体粒子56が堆積されており、堆積層56aを形成している。蛍光体粒子56は、前述の第1の実施形態における蛍光体粒子16と同様に、例えば、青色の光を吸収して黄色の光を出射するものである。また、堆積層56aの厚さは、例えば、溝53の深さ以下である。   Further, a resin member 55 is provided on the upper surface 52 of the package 51 so as to cover the LED device 54 and the groove 53. The resin member 55 is raised on the upper surface 52, and its shape is, for example, a part of a sphere, and is hemispherical, for example. The phosphor particles 56 are deposited on the lower part of the resin member 55, that is, on the part in contact with the upper surface 52 of the package 51 and the LED chip 54, thereby forming a deposited layer 56a. The phosphor particles 56, for example, absorb blue light and emit yellow light, similarly to the phosphor particles 16 in the first embodiment described above. Further, the thickness of the deposited layer 56a is, for example, equal to or less than the depth of the groove 53.

本実施形態によっても、LEDチップ54の直下域52aが周囲の領域52bに対して突出しており、LEDチップ54が領域52b上に設けられた堆積層56aよりも上方に配置されているため、LEDチップ54の側面から出射した光が、蛍光体粒子56によって過度に吸収されることがない。また、本実施形態によれば、半球状の樹脂部材55により、出射光を集光するレンズ効果を得ることができる。本実施形態における上記以外の構成及び作用効果は、前述の第1の実施形態と同様である。   Also in this embodiment, the region 52a immediately below the LED chip 54 protrudes from the surrounding region 52b, and the LED chip 54 is disposed above the deposited layer 56a provided on the region 52b. The light emitted from the side surface of the chip 54 is not excessively absorbed by the phosphor particles 56. Moreover, according to this embodiment, the lens effect which condenses emitted light can be acquired by the hemispherical resin member 55. Configurations and operational effects other than those described above in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

次に、本発明の第8の実施形態について説明する。
図15は、本実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。
図15に示すように、本実施形態に係る発光デバイス8においては、前述の第7の実施形態と比較して、パッケージ51の形状が異なっている。すなわち、発光デバイス8においては、パッケージ51の上面52におけいて、LEDチップ54の直下域52aのみが突出している。すなわち、上面52における直下域52a以外の領域が、直下域52aよりも下方に位置している。本実施形態によれば、前述の第7の実施形態と比較して、LEDチップ54の側面から出射して堆積層56aを通過した光が、堆積層56aに再入射することをより確実に抑制できる。本実施形態における上記以外の構成及び作用効果は、前述の第7の実施形態と同様である。
Next, an eighth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to this embodiment.
As shown in FIG. 15, in the light emitting device 8 according to this embodiment, the shape of the package 51 is different from that in the seventh embodiment. That is, in the light emitting device 8, only the region 52 a directly below the LED chip 54 protrudes on the upper surface 52 of the package 51. That is, the region other than the direct region 52a on the upper surface 52 is located below the direct region 52a. According to this embodiment, compared with the above-mentioned seventh embodiment, the light that has exited from the side surface of the LED chip 54 and passed through the deposition layer 56a is more reliably suppressed from re-entering the deposition layer 56a. it can. Configurations and operational effects other than those described above in the present embodiment are the same as those in the seventh embodiment described above.

以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。例えば、前述の各実施形態においては、LEDチップが青色の光を出射し、蛍光体粒子がこの青色の光の一部を吸収して黄色の光を出射し、青色の光と黄色の光を混合させて白色の光を得る例を示したが、本発明はこれに限定されず、LEDチップの出射光及び蛍光体粒子の出射光は何色でもよい。また、発光デバイスの出射光も白色には限定されず、例えば、緑色又は赤色の光を出射する発光デバイスであってもよい。更に、チップもLEDチップには限定されない。本発明は、第1の波長の光を出射するチップが設けられており、このチップが出射する光を第2の波長の光に変換して出射する蛍光体粒子が層状に堆積した発光デバイスであれば、適用可能である。なお、通常、ストークスシフトにより、第2の波長は第1の波長よりも長くなる。   While the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to these embodiments. Those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design of the above-described embodiments are also included in the scope of the present invention as long as they have the gist of the present invention. For example, in each of the embodiments described above, the LED chip emits blue light, and the phosphor particles absorb a part of the blue light to emit yellow light, and the blue light and the yellow light are emitted. Although the example which obtains white light by mixing was shown, the present invention is not limited to this, and the emitted light of the LED chip and the emitted light of the phosphor particles may be any color. Further, the light emitted from the light emitting device is not limited to white, and may be, for example, a light emitting device that emits green or red light. Further, the chip is not limited to the LED chip. The present invention is a light emitting device in which a chip that emits light of a first wavelength is provided, and phosphor particles that are emitted by converting the light emitted from the chip into light of a second wavelength are deposited in layers. If applicable, it is applicable. Note that the second wavelength is usually longer than the first wavelength due to the Stokes shift.

本発明の第1の実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a first embodiment of the invention. 第1の実施形態の比較例に係る発光デバイスを例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the light-emitting device which concerns on the comparative example of 1st Embodiment. 本発明の第2の実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the light-emitting device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the light-emitting device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態に係る発光デバイスを例示する平面図である。It is a top view which illustrates the light-emitting device which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 図5に示すA−A’線による断面図である。It is sectional drawing by the A-A 'line shown in FIG. 第4の実施形態の変形例に係る発光デバイスを例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the light-emitting device which concerns on the modification of 4th Embodiment. 本発明の第5の実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the light-emitting device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 第5の実施形態の変形例に係る発光デバイスを例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the light-emitting device which concerns on the modification of 5th Embodiment. 本発明の第6の実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the light-emitting device which concerns on the 6th Embodiment of this invention. (a)は色度の測定方向を示す平面図であり、(b)は色度の測定方向を示す断面図であり、(c)は模式的な色度図である。(A) is a top view which shows the measurement direction of chromaticity, (b) is sectional drawing which shows the measurement direction of chromaticity, (c) is a typical chromaticity diagram. (a)及び(b)は、横軸に出射角度をとり、縦軸に色度Cxをとって、出射角度が出射光の色度に及ぼす影響を例示するグラフ図であり、(a)はΦ0の場合を示し、(b)はΦ90の場合を示す。(A) and (b) are graphs illustrating the influence of the emission angle on the chromaticity of the emitted light, with the emission angle on the horizontal axis and the chromaticity Cx on the vertical axis. The case of Φ0 is shown, and (b) shows the case of Φ90. (a)及び(b)は、横軸に出射角度をとり、縦軸に色度Cyをとって、出射角度が出射光の色度に及ぼす影響を例示するグラフ図であり、(a)はΦ0の場合を示し、(b)はΦ90の場合を示す。(A) and (b) are graphs illustrating the influence of the emission angle on the chromaticity of the emitted light, with the emission angle on the horizontal axis and the chromaticity Cy on the vertical axis. The case of Φ0 is shown, and (b) shows the case of Φ90. 本発明の第7の実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the light-emitting device which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第8の実施形態に係る発光デバイスを例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the light-emitting device which concerns on the 8th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1、2、3、4、4a、5、5a、6、7、8、101 発光デバイス、11 パッケージ、12 凹部、13 底面、13a 直下域、13b 周囲の領域、14 LEDチップ、15 樹脂部材、16 蛍光体粒子、16a 堆積層、17 台座、31 パッケージ、31a パッケージ本体、31b 負電極、31c 正電極、32 凹部、33 底面、34 LEDチップ、35 樹脂部材、36a 堆積層、40 溝、41 凸部、43 ワイヤ、51 パッケージ、52 上面、52a 直下域、52b 周囲の領域、53 溝、54 LEDチップ、55 樹脂部材、56 蛍光体粒子、56a 堆積層、C 中心軸、D 交点、V 出射方向 1, 2, 3, 4, 4a, 5, 5a, 6, 7, 8, 101 Light-emitting device, 11 package, 12 recess, 13 bottom surface, 13a area directly below, 13b area around, 14 LED chip, 15 resin member, 16 phosphor particles, 16a deposition layer, 17 pedestal, 31 package, 31a package body, 31b negative electrode, 31c positive electrode, 32 recess, 33 bottom surface, 34 LED chip, 35 resin member, 36a deposition layer, 40 groove, 41 convex Part, 43 wire, 51 package, 52 upper surface, 52a immediately below region, 52b surrounding region, 53 groove, 54 LED chip, 55 resin member, 56 phosphor particle, 56a deposition layer, C central axis, D intersection, V emission direction

Claims (7)

上面に凹部が形成されたパッケージと、
前記凹部の底面に搭載され、第1の波長の光を出射するチップと、
前記凹部内に充填された樹脂部材と、
前記樹脂部材の下部に堆積し、前記第1の波長の光が入射されると前記第1の波長よりも長い第2の波長の光を出射する蛍光体粒子と、
を備え、
前記凹部の底面における前記チップの直下域は、前記直下域の周囲の領域に対して突出していることを特徴とする発光デバイス。
A package having a recess formed on the upper surface;
A chip mounted on the bottom surface of the recess and emitting light of a first wavelength;
A resin member filled in the recess;
Phosphor particles deposited on the lower part of the resin member and emitting light having a second wavelength longer than the first wavelength when the light having the first wavelength is incident;
With
The light emitting device characterized in that a region directly below the chip on the bottom surface of the recess protrudes from a region around the region directly below.
一端が前記チップの上面に接続されたワイヤをさらに備え、
前記パッケージは、
絶縁性のパッケージ本体と、
前記凹部の底面における前記チップの直下域を含む領域に設けられ、前記チップの下面に接続された第1の電極と、
前記凹部の底面における前記第1の電極から離隔した領域に設けられ、前記ワイヤの他端に接続された第2の電極と、
を有し、
前記第1の電極の上面における前記チップの直下域に周囲の領域には、溝が形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光デバイス。
A wire further connected at one end to the top surface of the chip;
The package is
An insulating package body;
A first electrode provided in a region including a region directly below the chip on the bottom surface of the recess, and connected to a lower surface of the chip;
A second electrode provided in a region spaced from the first electrode on the bottom surface of the recess and connected to the other end of the wire;
Have
The light emitting device according to claim 1, wherein a groove is formed in a peripheral region immediately below the chip on the upper surface of the first electrode.
一端が前記チップの上面に接続されたワイヤをさらに備え、
前記パッケージは、
絶縁性のパッケージ本体と、
前記凹部の底面における前記チップの直下域を含む領域に設けられ、前記チップの下面に接続された第1の電極と、
前記凹部の底面における前記第1の電極から離隔した領域に設けられ、前記ワイヤの他端に接続された第2の電極と、
を有し、
前記第1の電極の上面において、前記チップの直下域以外の領域は、前記直下域よりも下方に位置していることを特徴とする請求項1記載の発光デバイス。
A wire further connected at one end to the top surface of the chip;
The package is
An insulating package body;
A first electrode provided in a region including a region directly below the chip on the bottom surface of the recess, and connected to a lower surface of the chip;
A second electrode provided in a region spaced from the first electrode on the bottom surface of the recess and connected to the other end of the wire;
Have
2. The light emitting device according to claim 1, wherein a region other than a region directly below the chip is located below the region directly below the upper surface of the first electrode.
前記凹部の底面における前記チップの直下域以外の領域は、前記直下域よりも下方に位置していることを特徴とする請求項1記載の発光デバイス。   2. The light emitting device according to claim 1, wherein a region other than a region directly below the chip on a bottom surface of the recess is located below the region directly below. 上面が平坦なパッケージと、
前記上面に搭載され、第1の波長の光を出射するチップと、
前記上面上に設けられた樹脂部材と、
前記樹脂部材の下部に堆積し、前記第1の波長の光が入射されると前記第1の波長よりも長い第2の波長の光を出射する蛍光体粒子と、
を備え、
前記上面における前記チップの直下域は、前記直下域の周囲の領域に対して突出していることを特徴とする発光デバイス。
A package with a flat top surface;
A chip mounted on the upper surface and emitting light of a first wavelength;
A resin member provided on the upper surface;
Phosphor particles deposited on the lower part of the resin member and emitting light having a second wavelength longer than the first wavelength when the light having the first wavelength is incident;
With
The area directly below the chip on the upper surface protrudes from the area around the area directly below the light emitting device.
前記直下域が前記直下域の周囲の領域に対して突出している高さは、前記蛍光体粒子からなる堆積層の厚さ以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光デバイス。   6. The height of the region immediately below the region directly below the region directly below is equal to or greater than the thickness of the deposited layer made of the phosphor particles. The light emitting device according to 1. 前記チップは発光ダイオードであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光デバイス。   The light emitting device according to claim 1, wherein the chip is a light emitting diode.
JP2008284680A 2008-11-05 2008-11-05 Light-emitting device Pending JP2010114218A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008284680A JP2010114218A (en) 2008-11-05 2008-11-05 Light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008284680A JP2010114218A (en) 2008-11-05 2008-11-05 Light-emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010114218A true JP2010114218A (en) 2010-05-20

Family

ID=42302562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008284680A Pending JP2010114218A (en) 2008-11-05 2008-11-05 Light-emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010114218A (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102064243A (en) * 2010-11-08 2011-05-18 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 LED encapsulation method, LED and LED illumination device
US8297743B2 (en) 2009-09-17 2012-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Droplet ejection head and method of manufacturing coated body
WO2013014979A1 (en) * 2011-07-28 2013-01-31 シャープ株式会社 Light emission device and method for manufacturing light emission device
JP2013041866A (en) * 2011-08-11 2013-02-28 Rohm Co Ltd Semiconductor light-emitting device
JP2014036083A (en) * 2012-08-08 2014-02-24 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device
US8754429B2 (en) 2010-06-07 2014-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor device and method for manufacturing same
JP2015012144A (en) * 2013-06-28 2015-01-19 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and method of manufacturing the same
US9246065B2 (en) 2010-06-07 2016-01-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
JPWO2016056316A1 (en) * 2014-10-09 2017-07-13 シャープ株式会社 Light emitting device
CN112005390A (en) * 2018-04-23 2020-11-27 克里公司 Semiconductor light emitting device including cover sheet having patterned surface
WO2023176528A1 (en) * 2022-03-14 2023-09-21 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light-emitting device and vehicle lamp provided with same

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003034508A1 (en) * 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
JP2003152225A (en) * 2001-08-28 2003-05-23 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device
JP2005159263A (en) * 2003-10-30 2005-06-16 Kyocera Corp Light-emitting device and lighting system
JP2005244147A (en) * 2004-01-29 2005-09-08 Kyocera Corp Light-emitting device, method of manufacturing the same, and lighting system
JP2007180227A (en) * 2005-12-27 2007-07-12 Toshiba Corp Optical semiconductor device and its manufacturing method
JP2007281250A (en) * 2006-04-07 2007-10-25 Toshiba Corp Semiconductor light emitting apparatus
JP2008004623A (en) * 2006-06-20 2008-01-10 Toshiba Lighting & Technology Corp Surface-mounted light emitting device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003152225A (en) * 2001-08-28 2003-05-23 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device
WO2003034508A1 (en) * 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
JP2005159263A (en) * 2003-10-30 2005-06-16 Kyocera Corp Light-emitting device and lighting system
JP2005244147A (en) * 2004-01-29 2005-09-08 Kyocera Corp Light-emitting device, method of manufacturing the same, and lighting system
JP2007180227A (en) * 2005-12-27 2007-07-12 Toshiba Corp Optical semiconductor device and its manufacturing method
JP2007281250A (en) * 2006-04-07 2007-10-25 Toshiba Corp Semiconductor light emitting apparatus
JP2008004623A (en) * 2006-06-20 2008-01-10 Toshiba Lighting & Technology Corp Surface-mounted light emitting device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8297743B2 (en) 2009-09-17 2012-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Droplet ejection head and method of manufacturing coated body
US9246065B2 (en) 2010-06-07 2016-01-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
US8981412B2 (en) 2010-06-07 2015-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor device and method for manufacturing same
US8754429B2 (en) 2010-06-07 2014-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor device and method for manufacturing same
CN102064243A (en) * 2010-11-08 2011-05-18 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 LED encapsulation method, LED and LED illumination device
JP2013030572A (en) * 2011-07-28 2013-02-07 Sharp Corp Light emitting device and manufacturing method of the same
WO2013014979A1 (en) * 2011-07-28 2013-01-31 シャープ株式会社 Light emission device and method for manufacturing light emission device
JP2013041866A (en) * 2011-08-11 2013-02-28 Rohm Co Ltd Semiconductor light-emitting device
JP2014036083A (en) * 2012-08-08 2014-02-24 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device
JP2015012144A (en) * 2013-06-28 2015-01-19 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and method of manufacturing the same
JPWO2016056316A1 (en) * 2014-10-09 2017-07-13 シャープ株式会社 Light emitting device
CN112005390A (en) * 2018-04-23 2020-11-27 克里公司 Semiconductor light emitting device including cover sheet having patterned surface
JP2021520064A (en) * 2018-04-23 2021-08-12 クリー インコーポレイテッドCree Inc. Semiconductor light emitting device with a super straight with a patterned surface
JP7278301B2 (en) 2018-04-23 2023-05-19 クリーエルイーディー インコーポレイテッド Semiconductor light emitting device comprising a superstrate with a patterned surface
WO2023176528A1 (en) * 2022-03-14 2023-09-21 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light-emitting device and vehicle lamp provided with same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010114218A (en) Light-emitting device
TWI542039B (en) Light emitting diode package and carrier
JP5900131B2 (en) Light emitting device
US20160079485A1 (en) Semiconductor light-emitting device
CN105378952A (en) Light-emitting device package, manufacturing method thereof, and vehicle lamp and backlight unit including same
TW201218428A (en) Light emitting diode package structure
WO2017047815A1 (en) Light-emitting device
JP6501564B2 (en) Light emitting device
TW201314973A (en) Optoelectronic component and method for manufacturing an optoelectronic component
JP6282438B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP2017045773A (en) Light-emitting device
JP2007173373A (en) Light emitting device
TW201442293A (en) Light emitting diode package
US20150076541A1 (en) Light-emitting device
JP2010183035A (en) Light-emitting device
JP2007043074A (en) Luminaire
JP6383539B2 (en) Light emitting device
US20180190887A1 (en) Light emitting device structure
JP2015041754A (en) Light-emitting device
JP2008166311A (en) Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device
KR102453026B1 (en) Light emitting device
JP2013179132A (en) Light-emitting device and process of manufacturing the same
JP2006245080A (en) Light fixture
JP2007324630A (en) Semiconductor light-emitting device
JP2006286896A (en) Light emitting diode device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120425

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130227

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130426

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140115