KR102453026B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

발광 장치가 개시된다. 발광 장치는, 기판; 기판 상에 위치하는 발광 다이오드 칩; 발광 다이오드 칩 상에 위치하는 파장변환부; 및 발광 다이오드 칩의 측면과 파장변환부의 측면의 일부를 둘러싸되, 파장변환부 측면의 적어도 일부와, 발광 다이오드 칩의 측면의 적어도 일부에 접촉하는 측벽부를 포함하고, 파장변환부는 상면에 형성되며, 파장변환부를 적어도 부분적으로 관통하는 하나 이상의 홈을 포함한다.A light emitting device is disclosed. The light emitting device includes: a substrate; a light emitting diode chip positioned on the substrate; a wavelength converter positioned on the light emitting diode chip; and a sidewall portion that surrounds a side surface of the light emitting diode chip and a part of the side surface of the wavelength conversion unit, at least a portion of the side surface of the wavelength conversion unit, and a sidewall portion in contact with at least a portion of the side surface of the light emitting diode chip, and the wavelength conversion unit is formed on the upper surface, and at least one groove penetrating the wavelength conversion unit at least partially.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}Light Emitting Device {LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 특히, 색 좌표 조절이 용이한 고출력 발광 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a high output light emitting device with easy color coordinate adjustment.

발광 다이오드는 상대적으로 좁은 반치폭을 갖는 광을 방출하므로, 일반적인 발광 다이오드는 대체로 단색에 가까운 광을 방출한다. 따라서 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치에서 백색광을 구현하기 위해서, 일반적으로 형광체를 이용하여 광의 혼색을 유도하여 백색광을 구현한다. 형광체는 상대적으로 파장이 짧은 광을 흡수하여 상대적으로 파장이 긴 광을 방출하므로, 청색 발광 다이오드 또는 UV 발광 다이오드와 같은 짧은 파장의 광을 방출하는 발광 다이오드를 형광체로 도포하여 발광 장치에서 백색광이 방출되도록 하는 구성을 이용한다.Since the light emitting diode emits light having a relatively narrow full width at half maximum, a general light emitting diode generally emits light close to a monochromatic color. Therefore, in order to implement white light in a light emitting device including a light emitting diode, a phosphor is generally used to induce a mixture of light to realize white light. Since the phosphor absorbs light with a relatively short wavelength and emits light with a relatively long wavelength, white light is emitted from the light emitting device by coating a light emitting diode that emits short wavelength light, such as a blue light emitting diode or UV light emitting diode, with the phosphor. Use the configuration that makes it possible.

이러한 백색 발광 장치에 있어서, 방출되는 백색광의 색 좌표 및 색 온도를 변경하는 경우, 파장이 다른 발광 다이오드를 적용하거나, 형광체 부분을 다시 형성하여야 한다. 이에 따라, 방출되는 백색광의 색 좌표 및 색 온도를 변경하기 위하여 발광 다이오드 제조 공정부터 형광체 제조 공정까지 제조 공정 전반에 걸친 변경이 요구된다.In such a white light emitting device, when the color coordinates and color temperature of the emitted white light are changed, light emitting diodes having different wavelengths must be applied or the phosphor part must be formed again. Accordingly, in order to change the color coordinates and color temperature of the emitted white light, changes are required throughout the manufacturing process from the light emitting diode manufacturing process to the phosphor manufacturing process.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광 장치에서 방출되는 백색광의 색 좌표 및 색 온도 등의 발광 특성을 용이하게 변경할 수 있는 발광 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a light-emitting device capable of easily changing light-emitting characteristics such as color coordinates and color temperature of white light emitted from the light-emitting device.

본 발명의 일 측면에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩 상에 위치하는 파장변환부; 및 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상기 파장변환부의 측면의 일부를 둘러싸되, 상기 파장변환부 측면의 적어도 일부와, 상기 발광 다이오드 칩의 측면의 적어도 일부에 접촉하는 측벽부를 포함하고, 상기 파장변환부는 상면에 형성되며, 상기 파장변환부를 적어도 부분적으로 관통하는 하나 이상의 홈을 포함한다.A light emitting device according to an aspect of the present invention includes: a substrate; a light emitting diode chip positioned on the substrate; a wavelength converter positioned on the light emitting diode chip; and a sidewall part surrounding the side surface of the light emitting diode chip and a part of the side surface of the wavelength conversion part, at least a part of the side surface of the wavelength conversion part, and a sidewall part contacting at least a part of the side surface of the light emitting diode chip, the wavelength conversion part It is formed on the upper surface and includes one or more grooves at least partially penetrating the wavelength conversion unit.

상기 홈의 형상은 규칙적인 패턴 형상을 가질 수 있다.The shape of the groove may have a regular pattern shape.

상기 홈은 복수의 아일랜드 패턴, 복수의 스트라이프 패턴 및 메쉬 패턴 중 적어도 하나의 형상으로 형성될 수 있다.The groove may be formed in the shape of at least one of a plurality of island patterns, a plurality of stripe patterns, and a mesh pattern.

상기 발광 장치는, 상기 홈의 적어도 일부를 채우는 추가 파장변환부를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include an additional wavelength converter filling at least a portion of the groove.

상기 파장변환부에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장은 상기 추가 파장변환부에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장보다 짧을 수 있다.The average peak wavelength of the wavelength-converted light by the wavelength conversion unit may be shorter than the average peak wavelength of the wavelength-converted light by the additional wavelength conversion unit.

상기 파장변환부는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체, 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 추가 파장변환부는 1종 이상의 적색 형광체를 포함할 수 있다.The wavelength converter may include at least one of one or more green phosphors, one or more cyan phosphors, and one or more yellow phosphors, and the additional wavelength converter may include one or more red phosphors.

상기 추가 파장변환부의 상면은 볼록한 면을 포함할 수 있다.The upper surface of the additional wavelength converter may include a convex surface.

상기 추가 파장변환부의 상면의 최고점은 상기 파장변환부의 상면보다 높게 위치할 수 있다.The highest point of the upper surface of the additional wavelength converter may be located higher than the upper surface of the wavelength converter.

상기 파장변환부는 시트 또는 플레이트 형태를 가지며, PiG(phosphor in Glass), PiC(phosphor in Ceramic), 단결정 형광체 시트(또는 플레이트) 및 다결정 형광체 시트(또는 플레이트) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The wavelength converter may have a sheet or plate shape, and may include at least one of phosphor in glass (PiG), phosphor in ceramic (PiC), single crystal phosphor sheet (or plate), and polycrystalline phosphor sheet (or plate).

상기 파장변환부의 적어도 일 측면은 제1 면 및 상기 제1 면 상에 위치하는 제2 면을 포함할 수 있으며, 상기 제1 면과 상기 파장변환부의 하면 간의 각은 상기 제2 면과 상기 파장변환부의 하면 간의 각보다 클 수 있고, 상기 제2 면의 적어도 일부는 노출될 수 있다.At least one side surface of the wavelength conversion unit may include a first surface and a second surface positioned on the first surface, and an angle between the first surface and a lower surface of the wavelength conversion unit is the second surface and the wavelength conversion unit. The angle between the negative lower surfaces may be greater, and at least a portion of the second surface may be exposed.

상기 제2 면은 상기 측벽부의 상면보다 상부로 돌출되어 위치할 수 있으며, 상기 파장변환부의 상면은 상기 측벽부의 상면보다 높게 위치할 수 있다.The second surface may be positioned to protrude upward from the upper surface of the side wall part, and the upper surface of the wavelength conversion part may be positioned higher than the upper surface of the side wall part.

상기 제1 면은 상기 파장변환부의 하면에 대해 수직으로 형성될 수 있고, 상기 제2 면은 상기 파장변환부의 하면에 대해 예각을 이루도록 형성될 수 있다.The first surface may be formed perpendicular to the lower surface of the wavelength conversion unit, and the second surface may be formed to form an acute angle with respect to the lower surface of the wavelength conversion unit.

상기 파장변환부는 4개의 측면을 포함할 수 있고, 상기 4개의 측면 각각은 상기 제2 면을 포함할 수 있다.The wavelength converter may include four side surfaces, and each of the four side surfaces may include the second surface.

발광 다이오드 칩은 그 하부에 형성된 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 포함할 수 있다.The light emitting diode chip may include a first electrode pad and a second electrode pad formed thereunder.

상기 기판은, 베이스; 및 상기 베이스 상에 위치하는 제1 상부 전극 및 제2 상부 전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 전극 패드 각각은 상기 제1 및 제2 상부 전극 각각에 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 측벽부는 상기 제1 및 제2 상부 전극의 상면의 일부를 더 덮을 수 있다.The substrate may include: a base; and a first upper electrode and a second upper electrode positioned on the base, wherein each of the first and second electrode pads may be electrically connected to each of the first and second upper electrodes, and the sidewall The portion may further cover a portion of upper surfaces of the first and second upper electrodes.

상기 발광 장치는, 상기 파장변환부와 상기 발광 다이오드 칩의 사이에 위치하는 접착부를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a bonding unit positioned between the wavelength conversion unit and the light emitting diode chip.

상기 접착부는 상기 발광 다이오드 칩의 측면의 적어도 일부로 더 연장되어 위치할 수 있으며, 상기 발광 다이오드 칩의 측면에 위치하는 접착부는 상기 측벽부와 상기 발광 다이오드 칩의 사이에 개재될 수 있다.The adhesive portion may be positioned to extend to at least a portion of a side surface of the light emitting diode chip, and the adhesive portion positioned on the side surface of the light emitting diode chip may be interposed between the sidewall portion and the light emitting diode chip.

상기 발광 다이오드 칩의 측면에 위치하는 접착부의 부분은, 경사진 측면을 가질 수 있고, 상기 접착부의 경사진 측면은 평평한 면 및/또는 오목한 면을 포함할 수 있다.A portion of the bonding unit positioned on the side surface of the light emitting diode chip may have an inclined side surface, and the inclined side surface of the bonding unit may include a flat surface and/or a concave surface.

상기 파장변환부는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체 및 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The wavelength converter may include at least one of one or more green phosphors, one or more cyan phosphors, and one or more yellow phosphors.

상기 접착부는 1종 이상의 적색 형광체를 포함할 수 있다.The adhesive part may include one or more kinds of red phosphors.

본 발명의 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 홈을 포함하는 파장변환부를 갖는 발광 장치를 제공하여, 다른 부분에 대한 변경없이 파장변환부만을 가공함으로써 용이하게 방출 광의 색 좌표 및 색 온도를 변경할 수 있는 발광 장치를 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, it is possible to easily change the color coordinates and color temperature of emitted light by providing a light emitting device having a wavelength converting unit including at least one groove, and processing only the wavelength converting unit without changing other parts. A light emitting device can be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치의 색 좌표 변화를 설명하기 위한 그래프이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
4 and 5 are plan views for explaining a light emitting device according to other embodiments of the present invention.
6 and 7 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to other embodiments of the present invention.
8 is a graph for explaining a change in color coordinates of a light emitting device according to embodiments of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided as examples so that the spirit of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. In addition, when one component is described as being “on” or “on” another component, each component is different from each component as well as when each component is “immediately above” or “directly on” the other component. This includes cases where there is another component in between. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이며, 도 3은 도 1 및 도 2의 A-A'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다.Figure 1 is a perspective view for explaining a light emitting device according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view for explaining a light emitting device according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is an embodiment of the present invention It is a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the line A-A' of FIGS. 1 and 2 .

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 발광 장치는 발광 다이오드 칩(110), 파장변환부(120) 및 측벽부(140)를 포함한다. 나아가, 상기 발광 장치는 기판(200), 접착부(130) 및 보호 소자(150)를 더 포함할 수 있다.1 to 3 , the light emitting device includes a light emitting diode chip 110 , a wavelength conversion unit 120 , and a sidewall unit 140 . Furthermore, the light emitting device may further include a substrate 200 , an adhesive part 130 , and a protection element 150 .

기판(200)은 상기 발광 장치의 저부에 위치할 수 있으며, 발광 다이오드 칩(110)와 측벽부(140)를 지지하는 역할을 할 수 있다. 기판(200)은 절연성 또는 도전성 기판일 수 있으며, 또한, 도전성 패턴을 포함하는 PCB일 수 있다. 기판(200)이 절연성 기판인 경우, 기판(200)은 폴리머 물질, 또는 세라믹 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, AlN와 같이 열전도성이 우수한 세라믹 물질을 포함할 수 있다. 기판(200)이 도전성 패턴을 포함하는 PCB를 포함하는 경우, 기판(200)은 베이스 및 적어도 2 이상의 전극을 포함하는 도전성 패턴을 포함할 수 있다.The substrate 200 may be positioned at the bottom of the light emitting device, and may serve to support the light emitting diode chip 110 and the sidewall 140 . The substrate 200 may be an insulating or conductive substrate, or a PCB including a conductive pattern. When the substrate 200 is an insulating substrate, the substrate 200 may include a polymer material or a ceramic material, for example, a ceramic material having excellent thermal conductivity such as AlN. When the substrate 200 includes a PCB including a conductive pattern, the substrate 200 may include a conductive pattern including a base and at least two or more electrodes.

구체적으로 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(200)은 베이스(210)를 포함할 수 있고, 나아가, 제1 전극(220) 및 제2 전극(230)을 더 포함할 수 있다. 이때, 베이스(210)는 전극들(220, 230)을 지지하는 역할을 할 수 있으며, 전극들(220, 230)을 서로 절연시키기 위하여 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스(210)는 열전도성이 우수한 AlN과 같은 세라믹 물질을 포함할 수 있다.Specifically, for example, as shown in FIG. 3 , the substrate 200 may include a base 210 , and further include a first electrode 220 and a second electrode 230 . . In this case, the base 210 may serve to support the electrodes 220 and 230 , and may include an insulating material to insulate the electrodes 220 and 230 from each other. For example, the base 210 may include a ceramic material such as AlN having excellent thermal conductivity.

제1 전극(220)은 제1 상부 전극(221)을 포함하고, 제2 전극(230)은 제2 상부 전극(231)을 포함한다. 나아가, 제1 전극(220)은 제1 하부 전극(225) 및 제1 연결 전극(223)을 더 포함할 수 있고, 제2 전극(230)은 제2 하부 전극(235) 및 제2 연결 전극(233)을 더 포함할 수 있다. The first electrode 220 includes a first upper electrode 221 , and the second electrode 230 includes a second upper electrode 231 . Furthermore, the first electrode 220 may further include a first lower electrode 225 and a first connection electrode 223 , and the second electrode 230 includes a second lower electrode 235 and a second connection electrode. (233) may be further included.

제1 상부 전극(221) 및 제2 상부 전극(231)은 각각 베이스(210)의 상면 상에 위치할 수 있고, 발광 다이오드 칩(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 하부 전극(225)은 베이스(210)의 하면의 아래에 위치할 수 있다. 이때, 제1 연결 전극(223)은 베이스(210)를 관통하여 제1 상부 및 제1 하부 전극(221, 225)을 전기적으로 연결할 수 있다. 이와 유사하게, 제2 하부 전극(235)은 베이스(210)의 하면 상에 위치할 수 있고, 제2 연결 전극(233)은 베이스(210)를 관통하여 제2 상부 및 제2 하부 전극(231, 235)을 전기적으로 연결할 수 있다. The first upper electrode 221 and the second upper electrode 231 may be respectively positioned on the upper surface of the base 210 and may be electrically connected to the light emitting diode chip 110 . The first lower electrode 225 may be located under the lower surface of the base 210 . In this case, the first connection electrode 223 may pass through the base 210 to electrically connect the first upper and first lower electrodes 221 and 225 . Similarly, the second lower electrode 235 may be positioned on the lower surface of the base 210 , and the second connection electrode 233 penetrates the base 210 and passes through the second upper and second lower electrodes 231 . , 235) can be electrically connected.

다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제1 상부 전극(221) 및 제1 하부 전극(225)은 베이스(210)의 측면을 따라 위치하는 연결 전극(미도시)에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 나아가, 제1 하부 전극(225)은 베이스(210)의 아래에 위치하지 않고, 베이스(210)의 측면으로부터 돌출되어 연장되는 형태로 형성될 수도 있다. 제2 상부 전극(231)과 제2 하부 전극(235)의 경우에도 이와 유사한 형태로 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the first upper electrode 221 and the first lower electrode 225 may be electrically connected by connecting electrodes (not shown) positioned along the side surface of the base 210 . Furthermore, the first lower electrode 225 may not be positioned under the base 210 , but may be formed to protrude from the side surface of the base 210 and extend. The second upper electrode 231 and the second lower electrode 235 may also be formed in a similar shape.

한편, 제1 상부 전극(221)과 제2 상부 전극(231) 간의 간격(D1)은 제1 하부 전극(225)과 제2 하부 전극(235) 간의 간격(D3)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 상부 전극(221, 231) 간의 간격(D1)은 약 30 내지 80㎛ 일 수 있다. 발광 다이오드 칩(110)과 연결되는 제1 및 제2 상부 전극(221, 231) 간의 간격을 상술한 범위 내로 설정함으로써, 상기 발광 장치 동작 시 발광 다이오드 칩(110)에서 방출되는 열을 효과적으로 외부로 방출시킬 수 있어, 발광 장치의 열 방출 효율이 향상될 수 있다. 따라서 고전류에서 구동하더라도 열로 인한 발광 장치의 신뢰성 저하를 방지할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 하부 전극(225, 235) 간의 간격(D3)은 약 150㎛ 이상일 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 하부 전극(225, 235) 간의 간격을 상술한 범위로 설정함으로써, 상기 발광 장치가 별도의 2차 기판 등에 실장되는 경우에 제1 및 제2 하부 전극(225, 235) 간의 전기적 쇼트가 발생하는 것을 최소화할 수 있다.Meanwhile, the distance D1 between the first upper electrode 221 and the second upper electrode 231 may be smaller than the distance D3 between the first lower electrode 225 and the second lower electrode 235 . For example, the distance D1 between the first and second upper electrodes 221 and 231 may be about 30 to 80 μm. By setting the distance between the first and second upper electrodes 221 and 231 connected to the light emitting diode chip 110 within the above-described range, heat emitted from the light emitting diode chip 110 during operation of the light emitting device is effectively discharged to the outside. can be emitted, so that the heat dissipation efficiency of the light emitting device can be improved. Accordingly, it is possible to prevent deterioration of the reliability of the light emitting device due to heat even when driven at a high current. Also, the distance D3 between the first and second lower electrodes 225 and 235 may be about 150 μm or more. Accordingly, by setting the distance between the first and second lower electrodes 225 and 235 in the above-described range, when the light emitting device is mounted on a separate secondary substrate, etc., the first and second lower electrodes 225 and 235 ) to minimize the occurrence of an electrical short between them.

또한, 제1 및 제2 상부 전극(221, 231) 각각의 면적을 더한 값은 파장변환부(120)의 수평 면적보다 클 수 있다. 따라서, 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)은 파장변환부(120)에 비해 수평 방향으로 더 연장된 형태로 형성될 수 있다.Also, the sum of the areas of the first and second upper electrodes 221 and 231 may be greater than the horizontal area of the wavelength converter 120 . Accordingly, as shown, the first and second upper electrodes 221 and 231 may be formed to extend further in the horizontal direction compared to the wavelength converter 120 .

한편, 기판(200)은 베이스(210)의 하면에 위치하거나 베이스(210)를 적어도 부분적으로 관통하는 방열 패드(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 방열 패드는 기판(200)의 열 방출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 상기 방열 패드는 제1 및 제2 하부 전극(225, 235)의 사이에 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전극들(220, 230)은 전기적 도전성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Au, Cu 등과 같은 금속을 포함할 수 있다.Meanwhile, the substrate 200 may further include a heat dissipation pad (not shown) positioned on the lower surface of the base 210 or penetrating the base 210 at least partially. The heat dissipation pad may further improve heat dissipation efficiency of the substrate 200 . The heat dissipation pad may be positioned between the first and second lower electrodes 225 and 235, but is not limited thereto. The electrodes 220 and 230 may include an electrically conductive material, for example, a metal such as Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Au, Cu, or the like.

보호 소자(150)는 기판(200)의 일 표면 상에 위치할 수도 있고, 기판(200) 내에 위치할 수도 있다. 본 실시예에 있어서, 보호 소자(150)는 베이스(210)의 내부에 위치하여, 보호 소자(150)로 인한 광의 흡수를 방지할 수 있다. 보호 소자(150)는 정전기 방전 또는 서지(surge)로부터 발광 다이오드 칩(110)을 보호하는 역할을 할 수 있고, 예컨대, 제너 다이오드, TVS 다이오드 등을 포함할 수 있다.The protection element 150 may be located on one surface of the substrate 200 , or may be located within the substrate 200 . In the present embodiment, the protection element 150 is positioned inside the base 210 to prevent light absorption by the protection element 150 . The protection element 150 may serve to protect the light emitting diode chip 110 from electrostatic discharge or surge, and may include, for example, a Zener diode, a TVS diode, and the like.

발광 다이오드 칩(110)은 기판(200) 상에 위치할 수 있고, 발광 구조체(111), 제1 패드 전극(113) 및 제2 패드 전극(115)을 포함할 수 있다.The light emitting diode chip 110 may be positioned on the substrate 200 , and may include a light emitting structure 111 , a first pad electrode 113 , and a second pad electrode 115 .

발광 구조체(111)는 n형 반도체층, p형 반도체층 및 n형 반도체층과 p형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함할 수 있고, 이에 따라, 발광 다이오드 칩(110)에 전원이 공급되는 경우 광이 방출될 수 있다. 발광 다이오드(110)는 청색광 또는 UV광을 방출할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 각각 n형 반도체층 및 p형 반도체층(또는 반대로)에 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 이에 따라, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 다이오드 칩(110)의 하부에 위치할 수 있고, 예컨대, 도시된 바와 같이, 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 발광 구조체(111)로부터 아래 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 구조체(111)의 하면과 대체로 동일한 평면상에 나란하게 위치할 수도 있고, 발광 구조체(111)의 하면보다 높게 위치할 수도 있다. 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)가 발광 구조체(111)의 하면 보다 높게 위치하는 경우, 발광 구조체(111)의 하면에는 홈들이 형성될 수 있고, 상기 홈에 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)가 노출될 수 있다. 발광 다이오드 칩(110)의 구조적인 형태는 제한되지 않으며, 예를 들어, 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)이 발광 구조체(111)의 일면 상에 위치하는 플립칩형 반도체 발광 소자일 수 있다.The light emitting structure 111 may include an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an active layer positioned between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. Accordingly, power is supplied to the light emitting diode chip 110 . If so, light may be emitted. The light emitting diode 110 may emit blue light or UV light, but the present invention is not limited thereto. The first pad electrode 113 and the second pad electrode 115 may be electrically connected to the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer (or vice versa), respectively. In particular, according to this, the first and second pad electrodes 113 and 115 may be positioned under the light emitting diode chip 110 , and, for example, as illustrated, the first pad electrode 113 and the second pad. The electrode 115 may be formed to extend downwardly from the light emitting structure 111 . In various embodiments, the first and second pad electrodes 113 and 115 may be positioned side by side on substantially the same plane as the lower surface of the light emitting structure 111 , and may be positioned higher than the lower surface of the light emitting structure 111 . may be When the first and second pad electrodes 113 and 115 are positioned higher than the lower surface of the light emitting structure 111 , grooves may be formed in the lower surface of the light emitting structure 111 , and the first and second pads are formed in the grooves. The electrodes 113 and 115 may be exposed. The structural shape of the light emitting diode chip 110 is not limited, and for example, a flip chip semiconductor light emitting device in which the first pad electrode 113 and the second pad electrode 115 are positioned on one surface of the light emitting structure 111 . may be small.

제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 기판(200)의 제1 전극(221) 및 제2 전극(231)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 전극(221, 231)을 통해 발광 다이오드 칩(110)에 전원이 공급될 수 있다. 한편, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115) 간의 간격(D2)은 제1 상부 전극(221)과 제2 상부 전극(231) 간의 간격(D1)보다 크거나 또는 대체로 동일할 수 있다. 이에 따라, 발광 다이오드 칩(110)에서 발생하는 열을 더욱 효율적으로 기판(200) 측으로 전달하여 발광 장치의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.The first and second pad electrodes 113 and 115 may be electrically connected to the first electrode 221 and the second electrode 231 of the substrate 200 , respectively. Accordingly, power may be supplied to the light emitting diode chip 110 through the first and second electrodes 221 and 231 . Meanwhile, the distance D2 between the first and second pad electrodes 113 and 115 may be greater than or substantially equal to the distance D1 between the first upper electrode 221 and the second upper electrode 231 . Accordingly, heat generated from the light emitting diode chip 110 may be more efficiently transferred to the substrate 200 to improve heat dissipation efficiency of the light emitting device.

또한, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 수평 면적은 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)의 수평 면적보다 작을 수 있다. 나아가, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 두께는 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)의 두께보다 작을 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(111)로부터 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)까지의 거리를 감소시켜 열 방출 효율을 향상시킴과 동시에, 열 방출 경로를 제1 및 제2 상부 전극(221, 231) 위주로 형성하여 발광 장치의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.Also, the horizontal areas of the first and second pad electrodes 113 and 115 may be smaller than the horizontal areas of the first and second upper electrodes 221 and 231 . Furthermore, the thicknesses of the first and second pad electrodes 113 and 115 may be smaller than the thicknesses of the first and second upper electrodes 221 and 231 . Accordingly, the distance from the light emitting structure 111 to the first and second upper electrodes 221 and 231 is reduced to improve heat dissipation efficiency, and at the same time, the heat dissipation path is reduced to the first and second upper electrodes 221 and 231 . 231) to improve the heat dissipation efficiency of the light emitting device.

한편, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)에 본딩될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115) 각각과 제1 및 제2 상부 전극(221, 231) 각각의 사이에는 본딩층(160)이 개재될 수 있다. 본딩층(160)은 공정 구조(Eutectic structure)를 가질 수 있고, 예컨대, 공정 본딩(Eutectic bonding)된 AuSn을 포함할 수 있다. 본딩층(160)을 공정 본딩된 AuSn으로 형성함으로써, 본딩층(160)의 열 전도성을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, the first and second pad electrodes 113 and 115 may be bonded to the first and second upper electrodes 221 and 231 , respectively. Accordingly, the bonding layer 160 may be interposed between each of the first and second pad electrodes 113 and 115 and each of the first and second upper electrodes 221 and 231 . The bonding layer 160 may have an eutectic structure, and may include, for example, eutectic bonding AuSn. By forming the bonding layer 160 of process-bonded AuSn, the thermal conductivity of the bonding layer 160 may be improved.

파장변환부(120)는 발광 다이오드 칩(110) 상에 위치할 수 있고, 적어도 발광 다이오드 칩(110)의 상면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 파장변환부(120)는 그 상면에 형성된 적어도 하나의 홈(123)을 포함할 수 있다. 나아가, 파장변환부(120)의 면적은 발광 다이오드 칩(110)의 상면 면적보다 더 클 수 있고, 이와 달리, 파장변환부(120)는 발광 다이오드 칩(110)의 상면과 대체로 동일한 면적으로 형성될 수 있다. 또한, 파장변환부(120) 측면의 적어도 일부는 광 반사성을 갖는 측벽부(140)와 접촉할 수 있다. The wavelength converter 120 may be positioned on the light emitting diode chip 110 , and may cover at least a portion of an upper surface of the light emitting diode chip 110 . The wavelength converter 120 may include at least one groove 123 formed on its upper surface. Furthermore, the area of the wavelength conversion unit 120 may be larger than the area of the top surface of the light emitting diode chip 110 , whereas the wavelength conversion unit 120 is formed to have substantially the same area as the top surface of the light emitting diode chip 110 . can be In addition, at least a portion of a side surface of the wavelength converter 120 may contact the sidewall 140 having light reflectivity.

파장변환부(120)는 시트 형태를 가질 수 있으며, 상기 시트 형태의 파장변환부(120)는 발광 다이오드 칩(110) 상에 접착될 수 있다. 시트 형태의 파장변환부(120)는 접착부(130)에 의해 접착될 수 있고, 접착부(130)와 관련하여서는 후술하여 상세하게 설명한다.The wavelength conversion unit 120 may have a sheet shape, and the sheet type wavelength conversion unit 120 may be adhered to the light emitting diode chip 110 . The wavelength conversion unit 120 in the form of a sheet may be adhered by the bonding unit 130 , and the bonding unit 130 will be described later in detail.

파장변환부(120)는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체 및 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 나아가, 파장변환부(120)는 1종 이상의 적색 형광체를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장변환부(120)는 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 등을 포함할 수 있고, 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 광을 파장변환하여 다양한 색의 광을 방출하도록 할 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 칩(110)이 청색광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 경우, 파장변환부(120)는 청색광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예를 들어, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다. 또는, 발광 다이오드 칩(110)이 UV 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 경우, 파장변환부(120)는 UV광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예를 들어, 청색광, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 장치(10)에서 백색광이 방출되도록 할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 특히, 본 실시예에 있어서, 파장변환부(120)는 1종의 형광체를 포함할 수 있다.The wavelength converter 120 may include at least one of one or more green phosphors, one or more cyan phosphors, and one or more yellow phosphors. Furthermore, the wavelength converter 120 may further include one or more kinds of red phosphors. For example, the wavelength converter 120 may include a garnet-type phosphor, an aluminate phosphor, a sulfide phosphor, an oxynitride phosphor, a nitride phosphor, a fluoride-based phosphor, a silicate phosphor, and the like, and is emitted from the light emitting diode chip 110 . It is possible to emit light of various colors by wavelength-converted light. For example, when the light emitting diode chip 110 emits light having a peak wavelength of a blue light band, the wavelength converter 120 may emit light having a peak wavelength of a longer wavelength than blue light (eg, green light, red light, or a phosphor that emits yellow light). Alternatively, when the light emitting diode chip 110 emits light having a peak wavelength in the UV band, the wavelength conversion unit 120 includes light having a peak wavelength longer than the UV light (eg, blue light, green light, red light). or a phosphor that emits yellow light). Accordingly, white light may be emitted from the light emitting device 10 . However, the present invention is not limited thereto, and in particular, in this embodiment, the wavelength converter 120 may include one type of phosphor.

몇몇 실시예들에 있어서, 파장변환부(120)는 형광체 및 상기 형광체를 담지하는 담지부를 포함할 수 있다. 상기 담지부는 폴리머 수지 또는 유리, 알루미나와 같은 세라믹 등을 포함할 수 있다. 상기 형광체는 담지부 내에 무작위로 배치될 수 있다. 예를 들어, 파장변환부(120)는 Si계열의 담지부 내에 형광체가 배치된 PiS(phosphor in silicone), Al2O3 담지부 내에 형광체가 배치된 PiC(phosphor in ceramic), 또는 유리 담지부 내에 형광체가 배치된 PiG(phosphor in glass) 등을 포함할 수 있다. 상술한 구조를 포함하는 파장변환부(120)는 시트 내지 플레이트 형태로 제조되어 발광 다이오드 칩(110) 상에 위치되거나 발광 다이오드 칩(110)에 접착될 수 있다. 파장변환부(120)의 담지체로, 유리 또는 세라믹을 이용함으로써, 발광 장치의 고전류 구동 시의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In some embodiments, the wavelength conversion unit 120 may include a phosphor and a carrier supporting the phosphor. The supporting part may include a polymer resin or a ceramic such as glass or alumina. The phosphors may be randomly disposed in the supporting part. For example, the wavelength conversion unit 120 may include phosphor in silicone (PiS) in which a phosphor is disposed in the Si-based supporting part, phosphor in ceramic (PiC) in which the phosphor is disposed in the Al 2 O 3 supporting part, or a glass supporting part. It may include phosphor in glass (PiG) in which a phosphor is disposed. The wavelength conversion unit 120 including the above-described structure may be manufactured in the form of a sheet or plate to be positioned on the light emitting diode chip 110 or may be adhered to the light emitting diode chip 110 . By using glass or ceramic as a carrier of the wavelength conversion unit 120 , the reliability of the light emitting device can be improved when driving at a high current.

또한, 다양한 실시예들에서, 파장변환부(120)는 형광체 물질로 형성된 단결정 또는 다결정 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장변환부(120)는 단결정 형광체(single crystal phosphor) 또는 다결정 형광체(polycrystal phosphor)를 포함할 수 있다. 단결정 형광체 또는 다결정 형광체를 포함하는 파장변환부(120)는 형광체 시트 내지 플레이트 형태로 제공될 수 있다. 상기 시트 내지 플레이트 형태의 파장변환부(120)는 형광체로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 상기 단결정 형광체는 단결정의 YAG:Ce일 수 있다. 단결정 또는 다결정의 형광체 시트(또는 플레이트) 형태의 파장변환부(120)를 통과하는 광은 대체로 일정한 색좌표를 갖는 광을 방출시킬 수 있어, 상기 단결정 또는 다결정 형광체 시트(또는 플레이트)를 포함하는 파장변환부(120)가 복수의 발광 장치들에 적용되는 경우 상기 복수의 발광 장치들 간의 색좌표 편차를 감소시킬 수 있다.Also, in various embodiments, the wavelength converter 120 may include a single crystal or polycrystalline material formed of a phosphor material. For example, the wavelength converter 120 may include a single crystal phosphor or a polycrystal phosphor. The wavelength converter 120 including a single crystal phosphor or a polycrystalline phosphor may be provided in the form of a phosphor sheet or plate. The sheet or plate-shaped wavelength converter 120 may be formed of a phosphor, for example, the single-crystal phosphor may be single-crystal YAG:Ce. Light passing through the wavelength conversion unit 120 in the form of a single crystal or polycrystalline phosphor sheet (or plate) can emit light having a substantially constant color coordinate, and wavelength conversion including the single crystal or polycrystalline phosphor sheet (or plate) When the unit 120 is applied to a plurality of light emitting devices, a deviation in color coordinates between the plurality of light emitting devices may be reduced.

또한, 파장변환부(120)는 그 상면에 형성된 적어도 하나의 홈(123)을 포함한다. 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 홈(123)은 파장변환부(120)를 적어도 부분적으로 관통할 수 있다. 파장변환부(120)의 홈(123)은 다양한 공지의 방법을 통해 파장변환부(120)를 부분적으로 제거함으로써 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 홈(123)은 식각 공정 또는 레이저 처리 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 파장변환부(120)가 하나 이상의 홈(123)을 포함함으로써, 발광 다이오드 칩(110)으로부터 방출된 광의 일부가 파장변환부(120)를 통과하는 경로가 홈(123)이 형성되지 않은 파장변환부(120)를 통과하는 경로에 비해 짧아질 수 있다. 이에 따라, 파장변환부(120)에 홈(123)을 형성함으로써, 발광 다이오드 칩(110)으로부터 방출된 광 중 파장변환되지 않은 광의 비율을 향상시킬 수 있다. In addition, the wavelength conversion unit 120 includes at least one groove 123 formed on its upper surface. 1 to 3 , the at least one groove 123 may at least partially penetrate the wavelength converter 120 . The groove 123 of the wavelength converter 120 may be formed by partially removing the wavelength converter 120 through various known methods. For example, the groove 123 may be formed through an etching process or a laser processing process. Since the wavelength conversion unit 120 includes one or more grooves 123 , a path through which a portion of the light emitted from the light emitting diode chip 110 passes through the wavelength conversion unit 120 is converted to a wavelength in which the groove 123 is not formed. It may be shorter than a path passing through the portion 120 . Accordingly, by forming the groove 123 in the wavelength conversion unit 120 , it is possible to improve the ratio of the light that is not wavelength converted among the light emitted from the light emitting diode chip 110 .

예를 들어, 발광 다이오드 칩(110)이 청색광을 방출하고, 파장변환부(120)가 녹색 형광체, 황색 형광체 및 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 경우, 상기 발광 장치에서 방출된 광은 상대적으로 청색광이 강한 백색광이 방출될 수 있다. 즉, 상기 발광 장치에서 방출된 백색광은 홈(123)을 포함하지 않는 파장변환부(120)를 통과하여 방출되는 백색광에 비해 높은 색 온도의 광을 방출할 수 있다. 또한, 상기 발광 장치에서 방출된 백색광은 홈(123)을 포함하지 않는 파장변환부(120)를 통과하여 방출되는 백색광에 비해 낮은 CIEx값 및 낮은 CIEy값을 갖는 색 좌표의 광을 방출할 수 있다. 이와 같이, 파장변환부(120) 상면을 가공하여 홈(123)을 형성하는 공정만을 추가적으로 수행하는 것을 통해, 발광 장치에서 방출되는 광의 색 좌표 및 색 온도를 제어할 수 있다. For example, when the light emitting diode chip 110 emits blue light and the wavelength converter 120 includes at least one of a green phosphor, a yellow phosphor, and a red phosphor, the light emitted from the light emitting device is relatively blue light. This strong white light can be emitted. That is, the white light emitted from the light emitting device may emit light having a higher color temperature than the white light emitted through the wavelength conversion unit 120 that does not include the groove 123 . In addition, the white light emitted from the light emitting device may emit light of a color coordinate having a lower CIEx value and a lower CIEy value than the white light emitted through the wavelength conversion unit 120 that does not include the groove 123 . . As described above, color coordinates and color temperature of light emitted from the light emitting device can be controlled by additionally performing only the process of forming the groove 123 by processing the upper surface of the wavelength converter 120 .

파장변환부(120)의 홈(123)은 규칙적인 패턴 형상을 가질 수 있다. 특히, 파장변환부(120) 상면 전체에 걸쳐 대체로 균일하게 분포된 패턴 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 발광 장치의 파장변환부(120) 상면, 즉 상기 발광 장치의 발광면 전체에 걸쳐 균일한 색의 발광 패턴을 갖는 발광 장치가 제공될 수 있다. 예를 들어, 파장변환부(120)의 홈(123)은 복수의 아일랜드 패턴(도 1 내지 도 3 참조), 복수의 스트라이프 패턴(도 4 참조), 및 메쉬 패턴(도 5 참조) 중 적어도 하나의 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 홈(123)의 형상은 음각 패턴일 수도 있고, 양각 패턴일 수도 있다. 또한, 홈(123)의 단면 형상은 다양하게 변형될 수 있고, 예컨대, 상기 단면 형상은 사각 기둥, 삼각뿔, 사각뿔, U자 형, 다각 기둥 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 홈(123)의 패턴 및 형상은 요구되는 방출 광의 특성에 따라 다양하게 변형될 수 있다.The groove 123 of the wavelength converter 120 may have a regular pattern shape. In particular, the wavelength converter 120 may have a substantially uniformly distributed pattern shape over the entire upper surface. Accordingly, a light emitting device having a light emitting pattern of a uniform color over the upper surface of the wavelength converter 120 of the light emitting device, that is, the entire light emitting surface of the light emitting device can be provided. For example, the groove 123 of the wavelength converter 120 is at least one of a plurality of island patterns (see FIGS. 1 to 3 ), a plurality of stripe patterns (see FIG. 4 ), and a mesh pattern (see FIG. 5 ). may be formed in the shape of In addition, the shape of the groove 123 may be an engraved pattern or an embossed pattern. In addition, the cross-sectional shape of the groove 123 may be variously modified, and for example, the cross-sectional shape may be formed in various shapes such as a quadrangular prism, a triangular pyramid, a quadrangular pyramid, a U-shape, and a polygonal pole. The pattern and shape of the grooves 123 may be variously modified according to required characteristics of emitted light.

이러한 파장변환부(120)에 홈(123)을 형성하여 발광 장치의 방출 광을 제어하는 것은, 파장변환부(120)가 미리 제조된 시트 또는 플레이트 형태로 제공되는 경우 더욱 유용하게 적용될 수 있다. 즉, PiC(phosphor in ceramic) 시트(또는 플레이트), PiG(phosphor in glass) 시트(또는 플레이트)의 경우, 별도로 제조된 파장변환 시트 또는 플레이트를 이용하므로, 파장변환부(120) 내에 포함된 형광체를 조절하려면 파장변환 시트 또는 플레이트를 새롭게 제조하여야 한다. 나아가, 단결정 형광체 시트(또는 플레이트), 다결정 형광체 시트(또는 플레이트)의 경우는 형광체의 농도를 조절하기 어려우므로, 파장변환부(120)에서 방출되는 광의 특성을 변경하는 것이 어렵다. 그러나 본 실시예에 따르면, 상술한 종류의 파장변환부(120)의 경우에도 용이하게 방출되는 광의 특성(색 좌표 및 색 온도 등)을 간단한 추가 공정을 통해 제어할 수 있다. Controlling the emitted light of the light emitting device by forming the groove 123 in the wavelength conversion unit 120 may be more usefully applied when the wavelength conversion unit 120 is provided in the form of a pre-manufactured sheet or plate. That is, in the case of a phosphor in ceramic (PiC) sheet (or plate) and a phosphor in glass (PiG) sheet (or plate), since a separately manufactured wavelength conversion sheet or plate is used, the phosphor included in the wavelength conversion unit 120 . In order to control the wavelength conversion sheet or plate must be newly manufactured. Furthermore, in the case of a single crystal phosphor sheet (or plate) or a polycrystalline phosphor sheet (or plate), since it is difficult to control the concentration of the phosphor, it is difficult to change the characteristics of the light emitted from the wavelength converter 120 . However, according to this embodiment, even in the case of the above-described type of wavelength converter 120, the characteristics of the emitted light (such as color coordinates and color temperature) can be easily controlled through a simple additional process.

한편, 파장변환부(120)의 적어도 일 측면은 제1 면(121) 및 제1 면(121) 상에 위치하는 제2 면(122)을 포함할 수 있다. 이때, 제2 면(122)은 제1 면(121)보다 큰 경사를 가질 수 있고, 제1 면(121)이 파장변환부(120)의 하면과 이루는 각은 제2 면(122)이 파장변환부(120)의 하면과 이루는 각보다 클 수 있다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 파장변환부(120)는 직육면체 형태로 형성되어, 상기 직육면체의 네 측면은 모두 제1 면(121)과 제2 면(122)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 면(121)은 파장변환부(120)의 하면에 대해 대체로 수직으로 형성될 수 있다. 제2 면(122)은 파장변환부(120)의 하면에 대해 예각을 이루도록 형성될 수 있다.Meanwhile, at least one side surface of the wavelength converter 120 may include a first surface 121 and a second surface 122 positioned on the first surface 121 . At this time, the second surface 122 may have a greater inclination than the first surface 121 , and the angle between the first surface 121 and the lower surface of the wavelength converter 120 is the second surface 122 is the wavelength. It may be greater than the angle formed with the lower surface of the converter 120 . For example, as shown, the wavelength conversion unit 120 is formed in a rectangular parallelepiped shape, and all four sides of the rectangular parallelepiped may include a first surface 121 and a second surface 122 . In this case, the first surface 121 may be formed substantially perpendicular to the lower surface of the wavelength converter 120 . The second surface 122 may be formed to form an acute angle with respect to the lower surface of the wavelength converter 120 .

또한, 파장변환부(120)의 제2 면(122)의 적어도 일부는 외부로 노출될 수 있다. 파장변환부(120)의 적어도 일 측면의 일부는, 측벽부(140)에 둘러싸여 덮여질 수 있고, 이때, 제2 면(122)의 적어도 일부는 측벽부(140)에 덮여지지 않고 발광 장치의 상부로 노출될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제1 면(121)의 일부가 더 발광 장치의 상부로 노출될 수도 있다. 이에 따라, 파장변환부(120)의 일부는 측벽부(140)의 상면보다 상부로 돌출될 수 있어, 파장변환부(120)의 상면은 측벽부(140)의 상면보다 높게 위치할 수 있다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 파장변환부(120)의 파장변환부(120)는 직육면체 형태로 형성되어, 상기 직육면체의 네 측면은 모두 제1 면(121)과 제2 면(122)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 면(121)은 측벽부(140)에 의해 덮여질 수 있고, 제2 면(122)은 발광 장치의 상부로 노출될 수 있다. In addition, at least a portion of the second surface 122 of the wavelength converter 120 may be exposed to the outside. A portion of at least one side of the wavelength conversion unit 120 may be covered by being surrounded by the sidewall 140 , and at this time, at least a portion of the second surface 122 is not covered by the sidewall 140 and is not covered by the sidewall 140 of the light emitting device. It can be exposed at the top. In some embodiments, a portion of the first surface 121 may be further exposed as an upper portion of the light emitting device. Accordingly, a portion of the wavelength conversion unit 120 may protrude upward from the upper surface of the side wall unit 140 , so that the upper surface of the wavelength conversion unit 120 may be positioned higher than the upper surface of the side wall unit 140 . For example, as shown, the wavelength conversion unit 120 of the wavelength conversion unit 120 is formed in a rectangular parallelepiped shape, and all four sides of the rectangular parallelepiped include a first surface 121 and a second surface 122. can In this case, the first surface 121 may be covered by the sidewall 140 , and the second surface 122 may be exposed to the upper portion of the light emitting device.

파장변환부(120)의 적어도 일 측면이 제1 및(121) 및 제2 면(122)을 포함함으로써, 발광 장치의 발광면에서 방출되는 광의 색 편차를 감소시킬 수 있고, 광의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 발광 구조체(111)에서 방출되는 광이 청색광이고, 파장변환부(120)가 황색 형광체를 포함하는 경우, 발광면의 테두리 주변 영역을 향하는 광이 전반사되지 않고 제2 면(122)을 통해 외부로 방출될 수 있어, 발광면의 테두리 주변 영역에서의 발광 색이 발광면의 나머지 부분에서의 발광 색에 비해 더 황색이 강하게 나타나는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 발광 장치의 발광 면 전반에 걸쳐 균일한 발광 특성을 제공할 수 있다. 이에 따라, 부분적으로 색편차가 발생하여 발광 장치에서 방출되는 광의 색 좌표가 의도한 바와 다른 색 좌표로 변형되는 것을 방지할 수 있다. At least one side of the wavelength converter 120 includes the first and 121 and the second surfaces 122, so that color deviation of light emitted from the light emitting surface of the light emitting device can be reduced, and light extraction efficiency of light can be improved. can be improved For example, when the light emitted from the light emitting structure 111 is blue light, and the wavelength conversion unit 120 includes a yellow phosphor, the light directed toward the peripheral area of the rim of the light emitting surface is not totally reflected and the second surface 122 . It can be emitted to the outside through the light emitting surface, and it is possible to prevent a phenomenon in which the emission color in the area around the edge of the light emitting surface appears stronger than the light emission color in the rest of the light emitting surface. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to provide uniform light emitting characteristics over the light emitting surface of the light emitting device. Accordingly, it is possible to prevent the color coordinates of the light emitted from the light emitting device from being transformed into the color coordinates different from the intended ones due to partial color deviation.

접착부(130)는 발광 다이오드 칩(110)와 파장변환부(120) 사이에 위치할 수 있고, 발광 다이오드 칩(110)와 파장변환부(120)를 접착하는 역할을 할 수 있다. 접착부(130)는 접착성 물질을 포함할 수 있으며, 나아가, 형광체를 더 포함할 수 있다. 접착성 물질은 폴리머 접착제, 실리콘 접착제 등 일반적일 접착제일 수 있다.The bonding unit 130 may be positioned between the light emitting diode chip 110 and the wavelength converting unit 120 , and may serve to bond the light emitting diode chip 110 and the wavelength converting unit 120 . The adhesive part 130 may include an adhesive material, and further include a phosphor. The adhesive material may be a general adhesive such as a polymer adhesive or a silicone adhesive.

접착부(130)는 발광 다이오드 칩(110)과 파장변환부(120)의 사이에 위치하여 발광 다이오드 칩(110)과 파장변환부(120)를 접합할 수 있다. 나아가, 접착부(130)는 발광 다이오드 칩(110) 측면의 적어도 일부를 더 덮을 수 있다. 파장변환부(120)의 면적이 발광 다이오드 칩(110)의 상면보다 더 큰 경우, 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(110)의 측면 상에 형성된 접착부(130)는 경사를 가질 수 있다. 이때, 접착부(130)는 그것의 표면 장력에 의하여 위에서 아래 방향으로 갈수록 그 폭이 좁아지는 형태로 형성될 수 있다. 발광 다이오드 칩(110)의 측면 상에 형성된 접착부(130)의 표면은 평평한 면 및/또는 오목한 면을 포함할 수 있다.The bonding unit 130 may be positioned between the light emitting diode chip 110 and the wavelength converting unit 120 to bond the light emitting diode chip 110 and the wavelength converting unit 120 . Furthermore, the adhesive part 130 may further cover at least a portion of the side surface of the light emitting diode chip 110 . When the area of the wavelength conversion unit 120 is larger than the upper surface of the light emitting diode chip 110 , the adhesive unit 130 formed on the side surface of the light emitting diode chip 110 may have an inclination. In this case, the adhesive part 130 may be formed in a shape in which the width becomes narrower from the top to the bottom by the surface tension thereof. The surface of the bonding part 130 formed on the side surface of the light emitting diode chip 110 may include a flat surface and/or a concave surface.

접착부(130)가 발광 다이오드 칩(110)의 측면에도 형성되는 경우, 상기 접착부(130)의 일부는 발광 다이오드 칩(110)과 측벽부(140)의 사이에 개재될 수 있다. 이때, 발광 다이오드 칩(110)의 측면을 덮는 측벽부(140)에도, 발광 다이오드 칩(110)의 측면에 형성된 접착부(130)의 경사면에 대응하는 경사면이 형성될 수 있다. 따라서 발광 다이오드 칩(110)의 측면으로 방출되는 광이 상기 측벽부(140)의 경사면에서 반사될 수 있어, 발광 장치의 광 추출 효율이 향상될 수 있다. 또한, 발광 다이오드 칩(110)과 측벽부(140)의 사이에 개재된 접착부(130)에 의해 광이 산란되거나 발광 다이오드 칩(110)의 측면 부분에서의 전반사가 감소할 수 있어, 발광 장치의 발광 효율이 향상될 수 있다.When the adhesive part 130 is also formed on the side surface of the LED chip 110 , a portion of the adhesive part 130 may be interposed between the LED chip 110 and the sidewall part 140 . In this case, an inclined surface corresponding to the inclined surface of the adhesive part 130 formed on the side surface of the light emitting diode chip 110 may also be formed on the sidewall 140 covering the side surface of the light emitting diode chip 110 . Accordingly, light emitted to the side surface of the light emitting diode chip 110 may be reflected from the inclined surface of the side wall portion 140 , and thus the light extraction efficiency of the light emitting device may be improved. In addition, light may be scattered by the adhesive portion 130 interposed between the light emitting diode chip 110 and the side wall portion 140 , or total reflection in the side portion of the light emitting diode chip 110 may be reduced. The luminous efficiency may be improved.

다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 접착부(130)는 발광 다이오드 칩(110)의 하면까지 연장되어 형성될 수 있으며, 나아가 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 측면에도 접촉될 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the adhesive part 130 may be formed to extend to the lower surface of the light emitting diode chip 110 , and further to be in contact with the side surfaces of the first and second pad electrodes 113 and 115 . may be

또한, 접착부(130)는 형광체를 더 포함할 수 있고, 상기 형광체는 발광 다이오드 칩(110)로부터 방출된 광을 파장변환할 수 있다. 이에 따라, 다양한 실시예에 따른 발광 장치에 있어서, 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 광은 접착부(130)에서 1차로 파장변환되고, 이어서 파장변환부(120)에서 2차로 파장변환될 수도 있다. 이때, 접착부(130)의 형광체에서 방출되는 파장변환된 광의 파장과 파장변환부(120)에 의해 파장변환된 광의 파장은 서로 다를 수 있고, 접착부(130)의 형광체에 의해 파장변환된 광의 피크 파장은 파장변환부(120)에 의해 파장변환된 광의 피크 파장보다 길 수 있다. 예를 들어, 접착부(130)의 형광체는 적색 형광체일 수 있고, 파장변환부(120)는 녹색 형광체, 시안 형광체 및 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이에 따라, 접착부(130)에서 1차로 파장변환된 광이 파장변환부(120)에서 다시 파장변환되어, 발광 장치에서 방출되는 광이 예상하지 못한 색 좌표를 갖는 것을 방지할 수 있다.In addition, the bonding unit 130 may further include a phosphor, which may convert the wavelength of light emitted from the light emitting diode chip 110 . Accordingly, in the light emitting device according to various embodiments, the light emitted from the light emitting diode chip 110 is first wavelength-converted by the bonding unit 130 , and then the wavelength conversion unit 120 may be secondarily wavelength-converted. . At this time, the wavelength of the wavelength-converted light emitted from the phosphor of the bonding unit 130 and the wavelength of the wavelength-converted light by the wavelength converting unit 120 may be different from each other, and the peak wavelength of the light converted by the phosphor of the bonding unit 130 . may be longer than the peak wavelength of the wavelength-converted light by the wavelength conversion unit 120 . For example, the phosphor of the adhesive part 130 may be a red phosphor, and the wavelength converter 120 may include at least one of a green phosphor, a cyan phosphor, and a yellow phosphor. Accordingly, the wavelength-converted light primarily by the bonding unit 130 is wavelength-converted again by the wavelength converting unit 120, thereby preventing the light emitted from the light emitting device from having unexpected color coordinates.

본 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 광이 접착부(130)에 포함된 형광체(133)에 의해 1차로 파장변환되고, 이어서 파장변환부(120)에 의해 2차로 파장변환된다. 이에 따라, 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 광이 2단계에 걸쳐 파장변환되므로, 복수의 발광 장치들에 대해서 대체로 균일한 색좌표를 갖는 광이 방출될 수 있다. 즉, 복수의 발광 장치들 간의 색좌표 편차를 감소시킬 수 있다. According to the present embodiment, the light emitted from the light emitting diode chip 110 is primarily wavelength-converted by the phosphor 133 included in the bonding unit 130 , and then is secondarily wavelength-converted by the wavelength conversion unit 120 . . Accordingly, since the light emitted from the light emitting diode chip 110 is wavelength-converted over two steps, light having a substantially uniform color coordinate for the plurality of light emitting devices may be emitted. That is, color coordinate deviation between the plurality of light emitting devices can be reduced.

나아가, 접착부(130)에 포함된 형광체의 종류 및 농도 등을 조절하여, 발광 장치에서 방출되는 광의 색좌표를 용이하게 조절할 수 있다. 특히, 복수의 발광 장치들에 대해서 동일한 파장변환부들을 적용하더라도, 접착부(130)에 포함되는 형광체만을 조절함으로써, 간단하게 발광 장치들의 색좌표를 조절할 수 있다. 특히, 파장변환부(120)가 단결정 또는 다결정 형광체 시트(또는 플레이트)를 포함하는 경우, 단결정 또는 다결정 형광체 시트(또는 플레이트)는 형광체의 농도 등을 조절할 수 없어 파장변환부(120)로부터 방출되는 광의 색 좌표는 거의 일정하다. 이때, 접착부(130)에 포함되는 형광체의 종류 및 농도를 조절하여 발광 장치(10)로부터 방출되는 광의 색좌표는 용이하게 조절할 수 있다. Furthermore, the color coordinates of the light emitted from the light emitting device can be easily adjusted by adjusting the type and concentration of the phosphor included in the adhesive part 130 . In particular, even when the same wavelength converter is applied to a plurality of light emitting devices, color coordinates of the light emitting devices can be easily adjusted by adjusting only the phosphor included in the adhesive part 130 . In particular, when the wavelength conversion unit 120 includes a single crystal or polycrystalline phosphor sheet (or plate), the single crystal or polycrystalline phosphor sheet (or plate) cannot control the concentration of the phosphor and is emitted from the wavelength conversion unit 120 . The color coordinates of light are almost constant. In this case, the color coordinates of the light emitted from the light emitting device 10 can be easily adjusted by adjusting the type and concentration of the phosphor included in the adhesive part 130 .

즉, 본 실시예에 따르면, 파장변환부(120)에 홈(123)을 형성하는 것과 더불어, 접착부(130)에 형광체를 더 포함시켜 용이하게 발광 장치의 발광 색 특성을 제어할 수 있다.That is, according to the present embodiment, in addition to forming the groove 123 in the wavelength converter 120 , the adhesive part 130 further includes a phosphor to easily control the emission color characteristics of the light emitting device.

측벽부(140)는 기판(200) 상에 위치할 수 있고, 발광 다이오드 칩(110)의 측면 및 파장변환부(120) 측면의 일부를 둘러쌀 수 있다. 또한, 측벽부(140)는 파장변환부(120)의 일부 측면과 발광 다이오드 칩(110)의 적어도 일부 측면에 접촉할 수 있다. 측벽부(140)는 파장변환부(120)의 제1 면(121)의 적어도 일부와 접할 수 있고, 나아가 제2 면(121)의 적어도 일부는 측벽부(140)에 덮이지 않고 노출된다. 다만, 몇몇 실시예들에 있어서, 접착부(130)가 발광 다이오드 칩(110)의 측면을 완전히 덮는 경우, 측벽부(140)와 발광 다이오드 칩(110)의 사이에는 접착부(130)가 개재되며, 발광 다이오드 칩(110)의 측면은 접착부(130)를 통해 측벽부(140)와 접할 수 있다. 측벽부(140)가 발광 다이오드 칩(110) 및 파장변환부(120)와 접하도록 형성됨으로써, 측벽부(140)에 의해 반사되는 광의 효율을 높여 발광 장치의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 측벽부(140)의 측면은 기판(200)의 측면과 대체로 나란하게 형성될 수 있다. 나아가, 측벽부(140)는 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)의 상면 및 측면의 일부를 더 덮을 수 있다.The sidewall 140 may be positioned on the substrate 200 , and may surround a side of the light emitting diode chip 110 and a portion of the side of the wavelength converter 120 . In addition, the sidewall 140 may contact some side surfaces of the wavelength conversion unit 120 and at least some side surfaces of the light emitting diode chip 110 . The sidewall 140 may be in contact with at least a portion of the first surface 121 of the wavelength converter 120 , and further, at least a portion of the second surface 121 is exposed without being covered by the sidewall 140 . However, in some embodiments, when the adhesive part 130 completely covers the side surface of the light emitting diode chip 110, the adhesive part 130 is interposed between the side wall part 140 and the light emitting diode chip 110, The side surface of the light emitting diode chip 110 may be in contact with the sidewall part 140 through the adhesive part 130 . Since the sidewall 140 is formed to be in contact with the light emitting diode chip 110 and the wavelength converter 120 , the efficiency of light reflected by the sidewall 140 may be increased to improve the luminous efficiency of the light emitting device. Also, the sidewall 140 may be formed to be substantially parallel to the side surface of the substrate 200 . Furthermore, the sidewall 140 may further cover upper surfaces and portions of the side surfaces of the first and second upper electrodes 221 and 231 .

측벽부(140)는 절연성의 폴리머 물질 또는 세라믹을 포함할 수 있고, 나아가, 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 필러를 더 포함할 수 있다. 측벽부(140)는 광투과성, 광 반투과성 또는 광 반사성을 가질 수 있다. 예를 들어, 측벽부(140)는 실리콘 수지, 또는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 우레탄 수지 등과 같은 폴리머 수지를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 상기 측벽부(140)는 광 반사성을 갖는 백색 실리콘 수지를 포함할 수 있다.The sidewall 140 may include an insulating polymer material or ceramic, and further, may further include a filler capable of reflecting or scattering light. The sidewall portion 140 may have light transmittance, light transmissivity, or light reflectivity. For example, the sidewall 140 may include a silicone resin or a polymer resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, or a urethane resin. In the present embodiment, the sidewall 140 may include a white silicone resin having light reflectivity.

상기 필러는 측벽부(140) 내에 균일하게 분산 배치될 수 있다. 상기 필러는 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 산화티탄(TiO2), 산화규소(SiO2), 또는 산화지르코늄(ZrO2) 등일 수 있다. 측벽부(140)는 상기 필러들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 필러의 종류 또는 농도 등을 조절함으로써, 측벽부(300)의 반사도 또는 광의 산란 정도 등을 조절할 수 있다. 특히, 측벽부(140)가 TiO2를 포함하는 경우, TiO2에 의해 측벽부(140)를 통한 열 전도 효율이 향상될 수 있어 발광 장치의 열 방출 효율이 향상될 수 있다. 특히, 측벽부(140)는 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)에 접촉될 수 있어, 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)으로부터 측벽부(140)를 통한 열 전달 효율이 향상될수록 발광 장치의 방열 효율이 향상될 수 있다.The filler may be uniformly dispersed in the sidewall 140 . The filler is not limited as long as it is a material capable of reflecting or scattering light, and may be, for example, titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), or zirconium oxide (ZrO 2 ). The sidewall 140 may include at least one of the pillars. By adjusting the type or concentration of the filler, the reflectivity of the sidewall part 300 or the degree of light scattering may be adjusted. In particular, when the sidewall portion 140 includes TiO 2 , heat conduction efficiency through the sidewall portion 140 may be improved by TiO 2 , and thus the heat dissipation efficiency of the light emitting device may be improved. In particular, the sidewall 140 may be in contact with the first and second upper electrodes 221 and 231 , so that heat transfer efficiency from the first and second upper electrodes 221 and 231 through the sidewall 140 is increased. As the improvement increases, the heat dissipation efficiency of the light emitting device may be improved.

한편, 측벽부(140)의 상면(140u)은 대체로 평평하게 형성될 수 있다. 본 실시예의 파장변환부(120)는 적어도 일부가 외부로 노출되는 제2 면(122)을 포함하므로, 파장변환부(120)의 상면은 측벽부(140)의 상면(140u)보다 높게 위치할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 측벽부(140)의 상면(140u)은 경사를 가질 수 있다. 경사를 갖는 측벽부(140)의 상면(140u)의 발광 장치의 중심으로부터 외부로 향하는 방향에 따라 낮아지는 경사를 가질 수 있다. 또한, 상기 상면(140u)은 곡면을 포함할 수 있다. 측벽부(140)의 상면(140u)이 측벽부(140)의 측면 방향으로 갈수록 낮아지는 경사진 면을 포함함으로써, 제조 과정에서의 공정 편차로 인해 측벽부(140)의 상면(140u)이 제2 면(122)의 최하부보다 높게 형성되어, 제2 면(122)을 통과한 광이 측벽부(140)에 의해 반사되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 측벽부(140)가 공정 편차로 인해 비교적 높게 형성되더라도 발광 장치의 발광면에 색편차가 발생하는 것을 최소화할 수 있다.Meanwhile, the upper surface 140u of the sidewall 140 may be formed to be substantially flat. Since the wavelength conversion unit 120 of this embodiment includes the second surface 122, at least a portion of which is exposed to the outside, the upper surface of the wavelength conversion unit 120 is higher than the upper surface 140u of the side wall unit 140. can However, the present invention is not limited thereto, and the upper surface 140u of the side wall portion 140 may have an inclination. The inclination of the upper surface 140u of the inclined sidewall 140 may be lowered in a direction from the center of the light emitting device to the outside. In addition, the upper surface 140u may include a curved surface. Since the upper surface 140u of the sidewall 140 includes an inclined surface that is lowered in the lateral direction of the sidewall 140, the upper surface 140u of the sidewall 140 may be discontinued due to process variations in the manufacturing process. It is formed higher than the lowermost portion of the second surface 122 , and it is possible to prevent light passing through the second surface 122 from being reflected by the side wall portion 140 . Accordingly, even if the sidewall 140 is formed to be relatively high due to process deviation, it is possible to minimize the occurrence of color deviation on the light emitting surface of the light emitting device.

상술한 실시예들에 따른 발광 장치의 구조는 복수의 발광 다이오드 칩을 갖는 경우에도 유사하게 적용될 수 있다. The structure of the light emitting device according to the above-described embodiments may be similarly applied even when a plurality of light emitting diode chips are included.

도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 도 7은 도 6의 A-A'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다.6 and 7 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a light emitting device according to other embodiments of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the line A-A' of FIG. 6 .

도 6 및 도 7의 발광 장치는 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 발광 장치에 비해 추가 파장변환부(125)를 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하 차이점을 중심으로 본 실시예의 발광 장치에 관하여 설명하며, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. The light emitting device of FIGS. 6 and 7 is different from the light emitting device described with reference to FIGS. 1 to 3 in that it further includes an additional wavelength converter 125 . Hereinafter, the light emitting device of the present embodiment will be described focusing on differences, and detailed description of the same configuration will be omitted.

상기 발광 장치는, 발광 다이오드 칩(110), 파장변환부(120), 측벽부(140) 및 추가 파장변환부(125)를 포함한다. 나아가, 상기 발광 장치는 기판(200), 접착부(130) 및 보호 소자(150)를 더 포함할 수 있다.The light emitting device includes a light emitting diode chip 110 , a wavelength conversion unit 120 , a sidewall unit 140 , and an additional wavelength conversion unit 125 . Furthermore, the light emitting device may further include a substrate 200 , an adhesive part 130 , and a protection element 150 .

추가 파장변환부(125)는 파장변환부(120)의 홈(123)을 적어도 부분적으로 채울 수 있다. 추가 파장변환부(125)는 형광체와 같은 파장변환 물질을 포함할 수 있으며, 상기 파장변환 물질을 담지하는 담지부를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 추가 파장변환부(125)는 Si 수지 계열의 담지부 및 상기 담지부에 담지된 1종 이상의 형광체를 포함할 수 있다.The additional wavelength converter 125 may at least partially fill the groove 123 of the wavelength converter 120 . The additional wavelength conversion unit 125 may include a wavelength conversion material such as a phosphor, and may further include a support unit supporting the wavelength conversion material. For example, the additional wavelength conversion unit 125 may include a Si resin-based supporting unit and one or more phosphors supported on the supporting unit.

또한, 추가 파장변환부(125)에서 파장변환되는 광은 파장변환부(120)에서 파장변환되는 광과 다를 수 있다. 특히, 추가 파장변환부(125)에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장은 파장변환부(120)에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장보다 길 수 있다. 예를 들어, 파장변환부(120)는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체, 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 추가 파장변환부(125)는 1종 이상의 적색 형광체를 포함할 수 있다. 이 경우, 추가 파장변환부(125)에 의해 적색으로 파장변환된 광의 비율이 증가할 수 있어, 상기 발광 장치에서 방출되는 광은 도 1 내지 도 3의 발광 장치에서 방출된 광에 비해 더 낮은 색 온도를 갖는 광이 방출될 수 있다. 또한, 상기 발광 장치에서 방출되는 광은 도 1 내지 도 3의 발광 장치에서 방출된 광에 비해 더 낮은 CIEy값을 갖는 광을 방출할 수 있다. 이와 같이, 파장변환부(120)의 홈(123)을 적어도 부분적으로 채우는 추가 파장변환부(125)를 형성함으로써, 상기 발광 장치에서 방출되는 광의 색 좌표 및 색 온도를 추가로 변경할 수 있다. In addition, the wavelength-converted light by the additional wavelength conversion unit 125 may be different from the wavelength-converted light by the wavelength conversion unit 120 . In particular, the average peak wavelength of the wavelength-converted light by the additional wavelength conversion unit 125 may be longer than the average peak wavelength of the wavelength-converted light by the wavelength conversion unit 120 . For example, the wavelength converter 120 may include at least one of one or more green phosphors, one or more cyan phosphors, and one or more yellow phosphors, and the additional wavelength converter 125 may include one or more red phosphors. may include. In this case, the ratio of the wavelength-converted light to red by the additional wavelength conversion unit 125 may increase, so that the light emitted from the light-emitting device has a lower color than the light emitted from the light-emitting device of FIGS. 1 to 3 . Light having a temperature may be emitted. In addition, the light emitted from the light emitting device may emit light having a lower CIEy value than the light emitted from the light emitting device of FIGS. 1 to 3 . As described above, by forming the additional wavelength conversion unit 125 that at least partially fills the groove 123 of the wavelength conversion unit 120 , the color coordinates and color temperature of the light emitted from the light emitting device may be further changed.

추가 파장변환부(125)의 상면은 오목한 면, 평평한 면 및 볼록한 면 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 추가 파장변환부(125)가 볼록한 면을 포함하는 경우, 추가 파장변환부(125)의 상면은 파장변환부(120)의 상면보다 높게 위치할 수 있다. 즉, 추가 파장변환부(125)는 파장변환부(120)의 상면으로부터 돌출된 볼록 렌즈와 유사한 형태로 형성될 수 있다. 이와 반대로, 추가 파장변환부(125)가 오목한 면을 포함하는 경우, 추가 파장변환부(125)의 상면은 파장변환부(120)보다 낮게 위치할 수 있다. 이러한 경우, 파장변환부(120)의 상면에 복수의 미세 렌즈가 형성되거나 요철 패턴이 형성된 경우와 유사한 형상이 파장변환부(120)의 상면에 형성될 수 있고, 따라서 발광 장치의 광 추출 효율이 향상될 수 있다. The upper surface of the additional wavelength converter 125 may include at least one of a concave surface, a flat surface, and a convex surface. In addition, when the additional wavelength converter 125 includes a convex surface, the upper surface of the additional wavelength converter 125 may be positioned higher than the upper surface of the wavelength converter 120 . That is, the additional wavelength converter 125 may be formed in a shape similar to a convex lens protruding from the upper surface of the wavelength converter 120 . Conversely, when the additional wavelength converter 125 includes a concave surface, the upper surface of the additional wavelength converter 125 may be positioned lower than the wavelength converter 120 . In this case, a shape similar to the case in which a plurality of fine lenses are formed on the upper surface of the wavelength conversion unit 120 or a concave-convex pattern may be formed on the upper surface of the wavelength conversion unit 120 , and thus the light extraction efficiency of the light emitting device is increased can be improved

도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치의 색 좌표 변화를 설명하기 위한 그래프이다.8 is a graph for explaining a change in color coordinates of a light emitting device according to embodiments of the present invention.

도 8의 그래프에서, C1은 홈(123)을 포함하지 않는 파장변환부를 갖는 발광 장치에서 방출된 광의 색 좌표를 나타내고, E1은 도 1 내지 도 3의 실시예에 따른 발광 장치에서 방출된 광의 색 좌표를 나타내며, E2는 도 6 및 도 7의 실시예에 따른 발광 장치에서 방출된 광의 색 좌표를 나타낸다. C1, 및 E1의 발광 장치들은 청색광을 방출하는 발광 다이오드 칩, 및 황색 형광체를 포함하는 파장변환부를 포함한다. 또한, E2의 발광 장치는 E1의 발광 장치에 더하여, 적색 형광체를 포함하는 추가 파장변환부를 더 포함한다. 도 8을 참조하면, E1은 C1에 비해 낮은 CIEx값 및 낮은 CIEy값을 갖는다. 또한, E1은 C1에 비해 높은 색 온도를 갖는다. E2는 E1에 비해 높은 CIEx값 및 낮은 CIEy값을 갖는다. 또한, E2는 E1에 비해 낮은 색 온도를 갖는다. 이와 같이, 동일한 파장변환부와 동일한 발광 다이오드 칩을 포함하면서도, 파장변환부에 홈을 형성하거나 상기 홈에 추가 파장변환부를 더 형성하는 방법을 이용하여 다양한 색 좌표 및 색 온도의 광을 방출하는 발광 장치들을 구현할 수 있다.In the graph of FIG. 8 , C1 represents the color coordinates of light emitted from the light emitting device having the wavelength conversion unit not including the groove 123 , and E1 represents the color of light emitted from the light emitting device according to the embodiment of FIGS. 1 to 3 . Coordinates are indicated, and E2 is color coordinates of light emitted from the light emitting device according to the embodiments of FIGS. 6 and 7 . The light emitting devices of C1 and E1 include a light emitting diode chip emitting blue light, and a wavelength converter including a yellow phosphor. In addition, the light emitting device of E2 further includes an additional wavelength converter including a red phosphor, in addition to the light emitting device of E1. Referring to FIG. 8 , E1 has a lower CIEx value and a lower CIEy value than C1. Also, E1 has a higher color temperature than C1. E2 has a higher CIEx value and a lower CIEy value than E1. Also, E2 has a lower color temperature than E1. As described above, while including the same wavelength conversion unit and the same light emitting diode chip, a light emitting method that forms a groove in the wavelength conversion unit or further forms an additional wavelength conversion unit in the groove emits light of various color coordinates and color temperatures devices can be implemented.

이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.In the above, various embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to the above-described various embodiments and features, and various embodiments are provided without departing from the technical spirit of the claims of the present invention. Transformation and change are possible.

Claims (20)

기판;
상기 기판 상에 위치하는 발광 다이오드 칩;
상기 발광 다이오드 칩 상에 위치하는 파장변환부; 및
상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상기 파장변환부의 측면의 일부를 둘러싸되, 상기 파장변환부 측면의 일부와, 상기 발광 다이오드 칩의 측면의 적어도 일부에 접촉하는 측벽부를 포함하고,
상기 파장변환부는 상면에 형성되며, 상기 파장변환부를 적어도 부분적으로 관통하는 하나 이상의 홈을 포함하고,
상기 홈의 형상은 서로 연결되어 규칙적인 패턴을 갖는 메쉬 패턴으로 형성되는 발광 장치.
Board;
a light emitting diode chip positioned on the substrate;
a wavelength converter positioned on the light emitting diode chip; and
Surrounding a side surface of the light emitting diode chip and a part of the side surface of the wavelength conversion unit, a part of the side surface of the wavelength conversion unit and a side wall portion in contact with at least a portion of the side surface of the light emitting diode chip,
The wavelength conversion unit is formed on an upper surface, and includes one or more grooves at least partially penetrating the wavelength conversion unit,
The shape of the grooves are connected to each other and are formed in a mesh pattern having a regular pattern.
 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 홈의 적어도 일부를 채우는 추가 파장변환부를 더 포함하는 발광 장치.
The method according to claim 1,
The light emitting device further comprising an additional wavelength converter filling at least a portion of the groove.
 청구항 4에 있어서,
상기 파장변환부에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장은 상기 추가 파장변환부에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장보다 짧은 발광 장치.
5. The method according to claim 4,
The average peak wavelength of the wavelength-converted light by the wavelength conversion unit is shorter than the average peak wavelength of the wavelength-converted light by the additional wavelength conversion unit.
 청구항 5에 있어서,
상기 파장변환부는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체, 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 추가 파장변환부는 1종 이상의 적색 형광체를 포함하는 발광 장치.
6. The method of claim 5,
The wavelength conversion unit includes at least one of one or more green phosphors, one or more cyan phosphors, and one or more yellow phosphors,
The additional wavelength conversion unit is a light emitting device comprising at least one red phosphor.
 청구항 4에 있어서,
상기 추가 파장변환부의 상면은 볼록한 면을 포함하는 발광 장치.
5. The method according to claim 4,
The upper surface of the additional wavelength converter includes a convex surface.
 청구항 7에 있어서,
상기 추가 파장변환부의 상면의 최고점은 상기 파장변환부의 상면보다 높게 위치하는 발광 장치.
8. The method of claim 7,
The highest point of the upper surface of the additional wavelength conversion unit is located higher than the upper surface of the wavelength conversion unit.
 청구항 1에 있어서,
상기 파장변환부는 시트 또는 플레이트 형태를 가지며, PiG(phosphor in Glass), PiC(phosphor in Ceramic), 단결정 형광체 시트(또는 플레이트) 및 다결정 형광체 시트(또는 플레이트) 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.
The method according to claim 1,
The wavelength converter has a sheet or plate shape, and includes at least one of phosphor in glass (PiG), phosphor in ceramic (PiC), single crystal phosphor sheet (or plate), and polycrystalline phosphor sheet (or plate).
 청구항 1에 있어서,
상기 파장변환부의 적어도 일 측면은 제1 면 및 상기 제1 면 상에 위치하는 제2 면을 포함하며, 상기 제1 면과 상기 파장변환부의 하면 간의 각은 상기 제2 면과 상기 파장변환부의 하면 간의 각보다 크고,
상기 제2 면의 적어도 일부는 노출된 발광 장치.
The method according to claim 1,
At least one side surface of the wavelength conversion unit includes a first surface and a second surface positioned on the first surface, and an angle between the first surface and a lower surface of the wavelength conversion unit is the second surface and a lower surface of the wavelength conversion unit greater than the angle between the
At least a portion of the second surface is exposed.
 청구항 10에 있어서,
상기 제2 면은 상기 측벽부의 상면보다 상부로 돌출되어 위치하며, 상기 파장변환부의 상면은 상기 측벽부의 상면보다 높게 위치하는 발광 장치.
11. The method of claim 10,
The second surface is positioned to protrude upward from the upper surface of the side wall part, and the upper surface of the wavelength conversion part is positioned higher than the upper surface of the side wall part.
 청구항 10에 있어서,
상기 제1 면은 상기 파장변환부의 하면에 대해 수직으로 형성되고, 상기 제2 면은 상기 파장변환부의 하면에 대해 예각을 이루도록 형성되는 발광 장치.
11. The method of claim 10,
The first surface is formed perpendicular to the lower surface of the wavelength conversion unit, and the second surface is formed to form an acute angle with respect to the lower surface of the wavelength conversion unit.
 청구항 10에 있어서,
상기 파장변환부는 4개의 측면을 포함하고, 상기 4개의 측면 각각은 상기 제2 면을 포함하는 발광 장치.
11. The method of claim 10,
The wavelength converter includes four side surfaces, and each of the four side surfaces includes the second surface.
 청구항 1에 있어서,
발광 다이오드 칩는 그 하부에 형성된 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 포함하는 발광 장치.
The method according to claim 1,
The light emitting diode chip is a light emitting device including a first electrode pad and a second electrode pad formed thereunder.
 청구항 14에 있어서,
상기 기판은,
베이스; 및
상기 베이스 상에 위치하는 제1 상부 전극 및 제2 상부 전극을 포함하고,
상기 제1 및 제2 전극 패드 각각은 상기 제1 및 제2 상부 전극 각각에 전기적으로 연결되며,
상기 측벽부는 상기 제1 및 제2 상부 전극의 상면의 일부를 더 덮는 발광 장치.
15. The method of claim 14,
The substrate is
Base; and
a first upper electrode and a second upper electrode positioned on the base;
Each of the first and second electrode pads is electrically connected to each of the first and second upper electrodes,
The side wall portion further covers a portion of upper surfaces of the first and second upper electrodes.
 청구항 1에 있어서,
상기 파장변환부와 상기 발광 다이오드 칩의 사이에 위치하는 접착부를 더 포함하는 발광 장치.
The method according to claim 1,
The light emitting device further comprising an adhesive positioned between the wavelength converter and the light emitting diode chip.
 청구항 16에 있어서,
상기 접착부는 상기 발광 다이오드 칩의 측면의 적어도 일부로 더 연장되어 위치하며,
상기 발광 다이오드 칩의 측면에 위치하는 접착부는 상기 측벽부와 상기 발광 다이오드 칩의 사이에 개재된 발광 장치.
17. The method of claim 16,
The adhesive portion is further extended to at least a portion of the side surface of the light emitting diode chip,
An adhesive portion positioned on a side surface of the light emitting diode chip is interposed between the side wall portion and the light emitting diode chip.
 청구항 17에 있어서,
상기 발광 다이오드 칩의 측면에 위치하는 접착부의 부분은, 경사진 측면을 갖고,
상기 접착부의 경사진 측면은 평평한 면 및 오목한 면 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.
18. The method of claim 17,
The portion of the adhesive portion located on the side surface of the light emitting diode chip has an inclined side surface,
The inclined side surface of the bonding unit includes at least one of a flat surface and a concave surface.
 청구항 1에 있어서,
상기 파장변환부는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체 및 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.
The method according to claim 1,
The wavelength converter includes at least one of one or more green phosphors, one or more cyan phosphors, and one or more yellow phosphors.
 청구항 16 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착부는 1종 이상의 적색 형광체를 포함하는 발광 장치.
19. The method according to any one of claims 16 to 18,
The adhesive part is a light emitting device including one or more kinds of red phosphors.
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