JP2010111900A - プラズマcvd装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】フィルムに一対の電極間のプラズマ放電によって薄膜を成膜する場合に、プラズマ放電電流の帰路を電極に近接した位置に確保し、良好な成膜状態を施すことができるプラズマCVD装置を提供する。
【解決手段】減圧可能な容器2内に所定間隔を保って配設された一対の電極3,4間のプラズマ放電によって帯状フィルム6に薄膜を成膜するプラズマCVD装置1であって、前記帯状フィルム6を巻装した送出ロール12から引き出した前記帯状フィルム6を前記一対の電極3,4間を通って巻取ロール17に巻き取る搬送機構9を備えると共に、前記帯状フィルム6を前記一対の電極3,4間で成膜処理する際に、当該一対の電極3,4の周囲で当該帯状フィルム6の側縁部に接触するようにアースシールド5を配置し、該アースシールド5を前記容器2にアースしている。
【選択図】図2
【解決手段】減圧可能な容器2内に所定間隔を保って配設された一対の電極3,4間のプラズマ放電によって帯状フィルム6に薄膜を成膜するプラズマCVD装置1であって、前記帯状フィルム6を巻装した送出ロール12から引き出した前記帯状フィルム6を前記一対の電極3,4間を通って巻取ロール17に巻き取る搬送機構9を備えると共に、前記帯状フィルム6を前記一対の電極3,4間で成膜処理する際に、当該一対の電極3,4の周囲で当該帯状フィルム6の側縁部に接触するようにアースシールド5を配置し、該アースシールド5を前記容器2にアースしている。
【選択図】図2
Description
本発明は、減圧可能な容器内に所定間隔保って配設された一対の電極間のプラズマ放電によってフィルムに薄膜を成膜するプラズマCVD装置に関する。
この種のプラズマCVD装置としては、効率よくフィルムに薄膜を成膜することを目的として、所定速度をもって移動する帯状フィルムを一対の電極間に通して連続的に薄膜を成膜するロールツーロール方式と、シート状のフィルムを電極間に配置して成膜処理した後に電極間から取り出して新たなシート状のフィルムを電極間に配置することを繰り返すインライン方式とが知られている。
ロールツーロール方式のプラズマCVD装置として例えば特許文献1には、図5に示す構成が提案されている。
特許文献1には、図5に示すように、減圧状態に保持可能な反応容器100と、一対の相対する電極101及び102とを有する被膜形成装置であって、前記一対の電極間隔103は10mm以下の間隔を有し、前記一対の電極101及び102のうちカソード側(電力供給側)の電極101に比べアノード側(接地側)の電極102の面積が大きい被膜形成装置が記載されている。ここで、給電を行うカソード側の電極101にロールツーロール方式の搬送機構によって搬送される被処理基板104が接触され、この被処理基板104の電極101とは反対側のアノード側の電極102に対向する面に被膜が形成される。
特開平6−158331号公報
特許文献1には、図5に示すように、減圧状態に保持可能な反応容器100と、一対の相対する電極101及び102とを有する被膜形成装置であって、前記一対の電極間隔103は10mm以下の間隔を有し、前記一対の電極101及び102のうちカソード側(電力供給側)の電極101に比べアノード側(接地側)の電極102の面積が大きい被膜形成装置が記載されている。ここで、給電を行うカソード側の電極101にロールツーロール方式の搬送機構によって搬送される被処理基板104が接触され、この被処理基板104の電極101とは反対側のアノード側の電極102に対向する面に被膜が形成される。
上記特許文献1に記載の従来例によれば、被処理基板が一対の電極の間で独立して、アースに対して浮いている場合には、プラズマ放電電流が流れることなく問題はないが、ロールツーロール方式のように、被処理基板がその搬送方向でアースに接触する部材に接触する場合には、被処理基板を一対の電極に接触することなく一対の電極間に搬送して成膜する場合であっても、被処理基板の搬送方向にプラズマ放電電流が流れる電流経路が形成されてしまい、被処理基板の搬送方向に向かって流れる電流の帰路がコントロールできず、成膜状態に影響を与えるといった未解決の課題がある。
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、フィルムに一対の電極間のプラズマ放電によって薄膜を成膜する場合に、フィルムに流れるプラズマ放電電流の帰路を確保することで、良好な成膜状態を施すことができるプラズマCVD装置を提供することを目的としている。
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、フィルムに一対の電極間のプラズマ放電によって薄膜を成膜する場合に、フィルムに流れるプラズマ放電電流の帰路を確保することで、良好な成膜状態を施すことができるプラズマCVD装置を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項1に係るプラズマCVD装置は、減圧可能な容器内に所定間隔を保って配設された一対の電極間のプラズマ放電によって帯状フィルムに薄膜を成膜するプラズマCVD装置であって、前記帯状フィルムを巻装した送出ロールから引き出した前記帯状フィルムを前記一対の電極間を通って巻取ロールに巻き取る搬送機構を備えると共に、前記帯状フィルムを前記一対の電極間で成膜処理する際に、当該一対の電極の周囲で当該帯状フィルムの側縁部に接触するようにアースシールドを配置し、該アースシールドを前記容器にアースしたことを特徴としている。
また、請求項2に係るプラズマCVD装置は、減圧可能な容器内に所定間隔を保って配設された一対の電極間のプラズマ放電によって一枚のフィルムに薄膜を成膜するプラズマCVD装置であって、前記フィルムを前記一対の電極間で成膜処理する際に、当該一枚のフィルムの周縁部に接触するようにアースシールドを配置し、該アースシールドを前記容器にアースしたことを特徴としている。
さらに、請求項3に係るプラズマCVD装置は、請求項1又は2に係る発明において、前記一対の電極は、互いに対向する平板状のカソード電極及びアノード電極で構成されていることを特徴としている。
さらにまた、請求項4に係るプラズマCVD装置は、請求項3に係る発明において、前記アースシールドは、前記アノード電極及びカソード電極のうち給電側電極の周囲に当該給電側電極と離間して配設されていることを特徴としている。
なおさらに、請求項5に係るプラズマCVD装置は、請求項4に係る発明において、前記給電側電極と前記アースシールドとの間に絶縁体を介在させたことを特徴としている。
さらにまた、請求項4に係るプラズマCVD装置は、請求項3に係る発明において、前記アースシールドは、前記アノード電極及びカソード電極のうち給電側電極の周囲に当該給電側電極と離間して配設されていることを特徴としている。
なおさらに、請求項5に係るプラズマCVD装置は、請求項4に係る発明において、前記給電側電極と前記アースシールドとの間に絶縁体を介在させたことを特徴としている。
本発明によれば、ロールツーロール方式で、一対の電極間のプラズマ放電によって帯状フィルムに薄膜を成膜する場合に、一対の電極の周囲で帯状フィルムの側縁部と容器とを電気的に接続するアースシールドを一方の電極の周囲に配設することで、帯状フィルムに流れる電流経路をコントロールすることができ、プラズマ放電電流の帰路を確保することで、良好な成膜状態を施すことができるという効果が得られる。
また、インライン方式で、一対の電極間のプラズマ放電によって一枚のフィルムに薄膜を成膜する場合に、一枚のフィルムの周縁部と容器とを電気的に接続するアースシールドを一方の電極の周囲に配設することで、一枚のフィルムに流れる電流経路をコントロールすることができ、プラズマ放電電流の帰路を確保することで、良好な成膜状態を施すことができるという効果が得られる。
また、インライン方式で、一対の電極間のプラズマ放電によって一枚のフィルムに薄膜を成膜する場合に、一枚のフィルムの周縁部と容器とを電気的に接続するアースシールドを一方の電極の周囲に配設することで、一枚のフィルムに流れる電流経路をコントロールすることができ、プラズマ放電電流の帰路を確保することで、良好な成膜状態を施すことができるという効果が得られる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明をロールツーロール方式のプラズマCVD装置に適用した場合の第1の実施形態の概略構成を示す縦断面図、図2(a)は、第1の実施形態の図1のA−A線上の断面図、図2(b)は、第1の実施形態の図1のB−B線上の断面図である。
図中、1は容量結合型のプラズマCVD装置であって、このプラズマCVD装置1は減圧状態に保持可能な容器2を備えている。この容器2は、中央部の電極収納部2aと、その両端に連通する搬送機構収納部2b及び2cとで構成されている。
図1は、本発明をロールツーロール方式のプラズマCVD装置に適用した場合の第1の実施形態の概略構成を示す縦断面図、図2(a)は、第1の実施形態の図1のA−A線上の断面図、図2(b)は、第1の実施形態の図1のB−B線上の断面図である。
図中、1は容量結合型のプラズマCVD装置であって、このプラズマCVD装置1は減圧状態に保持可能な容器2を備えている。この容器2は、中央部の電極収納部2aと、その両端に連通する搬送機構収納部2b及び2cとで構成されている。
電極収納部2aには、所定間隔を保って対向して配設された上下一対のアノード電極3及びカソード電極4が配置されている。また、アノード電極3の周囲に所定間隔を保って離間したアースシールド5が配置されている。さらに、電極収納部2aには、容器2外から反応ガスをアノード電極3と帯状フィルム6との間に供給する図示しない反応ガス供給部が形成されている。
また、搬送機構収納部2b及び2cには、帯状フィルム6をアノード電極3及びカソード電極4間を通るように所定の張力を保って搬送する搬送機構9のフィルム送出部10及びフィルム巻取部11が配設されている。
また、搬送機構収納部2b及び2cには、帯状フィルム6をアノード電極3及びカソード電極4間を通るように所定の張力を保って搬送する搬送機構9のフィルム送出部10及びフィルム巻取部11が配設されている。
そして、アノード電極3は、図2(a)で特に明らかなように、電極収納部2a外から内周面に絶縁材が配設された挿通孔2dを貫通し電極収納部2a内に挿入された支持部3aを有する。また、アノード電極3は、支持部3aの先端部に連設された帯状フィルム6の幅より狭い方形の底面を有する平板部3bを有し、支持部3aと平板部3bとによって断面形状が逆T字状に形成されている。このアノード電極3には、高周波電圧を印加する図示しない高周波電源が接続されている。
一方、カソード電極4は、図1及び図2(a)に示すように、容器2の電極収納部2aの底板部内面に固定された垂直脚部4aと、この垂直脚部4aの上端に形成されたアノード電極3の平板部3bと所定間隔を保って対向し、平板部3bと同形の方形上面を有する平板部4bとを有して、断面形状がT字状に形成されている。ここで、平板部4bの上面の面積は、アノード電極3の平板部3bの下面の面積と略等しく選定されている。
また、アースシールド5は、図1及び図2に示すように、上端部が容器2の電極収納部2aの上面に固定されアノード電極3の支持部3aの周囲を所定間隔を保って覆う導電性を有する円筒部5aと、この円筒部5aの下端部に連結板部5bを介して連結されてアノード電極3の平板部3bの周囲を所定間隔を保って覆う導電性を有する方形枠部5cとを備えている。ここで、方形枠部5cは、その帯状フィルム6の搬送方向の両側板部5d及び5eの下面がアノード電極3の平板部3bの下面と略一致されている。また、方形枠部5cは、両側板部5d及び5eに連設する帯状フィルム6の搬送方向に沿う両側板部5f及び5gの下面がアノード電極3の平板部3bの下面より所定距離だけ下方に突出している。
そして、方形枠部5cは、少なくとも両側板部5f及び5g間の距離がアノード電極3及びカソード電極4間を通る帯状フィルム6の搬送方向と直交する幅より短く選定され、これら両側板部5f及び5gの下面が帯状フィルム6の側縁部に接触されている。
搬送機構9は、前述したように、フィルム送出部10及びフィルム巻取部11で構成されている。フィルム送出部10は、図1に示すように、帯状フィルム6を巻装した送出ロール12の下方に所定間隔を保って配置された駆動ロール13と、この駆動ロール13に帯状フィルム6を挟んで転接する押圧ロール14とを備えている。
搬送機構9は、前述したように、フィルム送出部10及びフィルム巻取部11で構成されている。フィルム送出部10は、図1に示すように、帯状フィルム6を巻装した送出ロール12の下方に所定間隔を保って配置された駆動ロール13と、この駆動ロール13に帯状フィルム6を挟んで転接する押圧ロール14とを備えている。
また、フィルム巻取部11は、駆動ロール15と、この駆動ロール15に帯状フィルム6を挟んで転接する押圧ロール16と、これら駆動ロール15及び押圧ロール16によって繰り出される帯状フィルム6を巻き取る巻取ロール17とで構成されている。
そして、フィルム送出部10の駆動ロール13の下面とフィルム巻取部11の駆動ロール15の下面とが前述したアースシールド5の両側板部5f及び5gの下面と等しいか又は僅かに上方となるように設定されている。このため、駆動ロール13及び15によって張力が付与された帯状フィルム6の両側縁部がアースシールド5の両側板部5f及び5gの下面に確実に接触される。
なお、帯状フィルム6は、例えば太陽電池を形成するためのもので、ポリイミドフィルムやポリエチレンフィルム等を用いることができる。
そして、フィルム送出部10の駆動ロール13の下面とフィルム巻取部11の駆動ロール15の下面とが前述したアースシールド5の両側板部5f及び5gの下面と等しいか又は僅かに上方となるように設定されている。このため、駆動ロール13及び15によって張力が付与された帯状フィルム6の両側縁部がアースシールド5の両側板部5f及び5gの下面に確実に接触される。
なお、帯状フィルム6は、例えば太陽電池を形成するためのもので、ポリイミドフィルムやポリエチレンフィルム等を用いることができる。
次に、上記第1の実施形態の動作を説明する。
帯状フィルム6に薄膜を成膜するには、先ず、フィルム送出部10の送出ロール12から帯状フィルム6を繰り出し、駆動ロール13及び押圧ロール14間を通り、アースシールド5の両側板部5f及び5gの下面に接触させてからフィルム巻取部11の駆動ロール15及び押圧ロール16間を通って巻取ロール17に巻き取らせる。
そして、電極収納部2aに形成した図示しない反応ガス供給部から反応ガスを平板部3bと帯状フィルム6との間に供給すると共に、アノード電極3に高周波電圧を印加した状態で、駆動ロール13及び15を回転駆動することにより、帯状フィルム6に所定の張力を与えてアースシールド5の両側板部5f及び5gに接触させながらアノード電極3及びカソード電極4間を所定搬送速度で通過させる。
帯状フィルム6に薄膜を成膜するには、先ず、フィルム送出部10の送出ロール12から帯状フィルム6を繰り出し、駆動ロール13及び押圧ロール14間を通り、アースシールド5の両側板部5f及び5gの下面に接触させてからフィルム巻取部11の駆動ロール15及び押圧ロール16間を通って巻取ロール17に巻き取らせる。
そして、電極収納部2aに形成した図示しない反応ガス供給部から反応ガスを平板部3bと帯状フィルム6との間に供給すると共に、アノード電極3に高周波電圧を印加した状態で、駆動ロール13及び15を回転駆動することにより、帯状フィルム6に所定の張力を与えてアースシールド5の両側板部5f及び5gに接触させながらアノード電極3及びカソード電極4間を所定搬送速度で通過させる。
このとき、アノード電極3及びカソード電極4間に発生するプラズマ放電によって、反応ガスの含有成分が帯状フィルム6に成膜される。
このように、帯状フィルム6をアノード電極3及びカソード電極4間を通過させて成膜させる際に、帯状フィルム6の両側縁部がアースシールド5を介して容器2の電極収納部2aの上面板に電気的に接続されてアースされるので、帯状フィルム6が駆動ロール13及び15等によって支持されていることにより、成膜時にアノード電極3及びカソード電極4間に形成されるプラズマ放電によって帯状フィルム6にプラズマ放電電流が流れても、このプラズマ放電電流がアースシールド5を介して容器2に流れることになり、プラズマ放電電流の電流帰路を確実に確保することができ、帯状フィルム6の搬送方向にプラズマ放電電流が迷走することを防止することができる。このとき、アースシールド5の帯状フィルム6の搬送方向の側板部5d及び5eについては、アノード電極3の下面より下方に突出していないので、アノード電極3及びカソード電極4間のプラズマ放電によって帯状フィルム6のアノード電極3側に成膜された薄膜がアースシールド5の側板部5d及び5eに接触することはなく、成膜部に傷が付くことを確実に防止することができる。
このように、帯状フィルム6をアノード電極3及びカソード電極4間を通過させて成膜させる際に、帯状フィルム6の両側縁部がアースシールド5を介して容器2の電極収納部2aの上面板に電気的に接続されてアースされるので、帯状フィルム6が駆動ロール13及び15等によって支持されていることにより、成膜時にアノード電極3及びカソード電極4間に形成されるプラズマ放電によって帯状フィルム6にプラズマ放電電流が流れても、このプラズマ放電電流がアースシールド5を介して容器2に流れることになり、プラズマ放電電流の電流帰路を確実に確保することができ、帯状フィルム6の搬送方向にプラズマ放電電流が迷走することを防止することができる。このとき、アースシールド5の帯状フィルム6の搬送方向の側板部5d及び5eについては、アノード電極3の下面より下方に突出していないので、アノード電極3及びカソード電極4間のプラズマ放電によって帯状フィルム6のアノード電極3側に成膜された薄膜がアースシールド5の側板部5d及び5eに接触することはなく、成膜部に傷が付くことを確実に防止することができる。
このように、帯状フィルム6にプラズマ放電電流が迷走することを防止することで、プラズマ放電電流が帯状フィルム6の成膜に悪影響を与えることを確実に阻止して、帯状フィルム6の成膜を良好に行なうことができる。
なお、上記実施形態においては、容器2内にフィルム送出部10及びフィルム巻取部11を配置した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、フィルム送出部10及びフィルム巻取部11を容器2の外側に配置することもできる。
また、搬送機構9による帯状フィルム6の搬送は、連続的に行なう場合に限らず、ステップ状に搬送して、帯状フィルム6に断続的に薄膜を成膜するステッピングロール方式の搬送機構を適用することもできる。
なお、上記実施形態においては、容器2内にフィルム送出部10及びフィルム巻取部11を配置した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、フィルム送出部10及びフィルム巻取部11を容器2の外側に配置することもできる。
また、搬送機構9による帯状フィルム6の搬送は、連続的に行なう場合に限らず、ステップ状に搬送して、帯状フィルム6に断続的に薄膜を成膜するステッピングロール方式の搬送機構を適用することもできる。
次に、本発明の第2の実施形態を図3及び図4について説明する。
ここで、図3は、本発明をインライン方式のプラズマCVD装置に適用した場合の第2の実施形態を示す縦断面図、図4は、図3のC−C線上の断面図である。
この第2の実施形態では、減圧可能な容器内に所定間隔を保って配設された一対の電極間のプラズマ放電によって一枚のフィルムに薄膜を成膜するインライン方式に本発明を適用したものである。
すなわち、第2の実施形態では、図3及び図4に示すように、前述した第1の実施形態における図1の構成において、搬送機構収納部2b及び2cが省略されて電極収納部2aのみで減圧状態に保持可能な容器2が構成され、且つ搬送機構9が省略されたことを除いては前述した図1及び図2と同様の構成を有し、図1及び図2との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
ここで、図3は、本発明をインライン方式のプラズマCVD装置に適用した場合の第2の実施形態を示す縦断面図、図4は、図3のC−C線上の断面図である。
この第2の実施形態では、減圧可能な容器内に所定間隔を保って配設された一対の電極間のプラズマ放電によって一枚のフィルムに薄膜を成膜するインライン方式に本発明を適用したものである。
すなわち、第2の実施形態では、図3及び図4に示すように、前述した第1の実施形態における図1の構成において、搬送機構収納部2b及び2cが省略されて電極収納部2aのみで減圧状態に保持可能な容器2が構成され、且つ搬送機構9が省略されたことを除いては前述した図1及び図2と同様の構成を有し、図1及び図2との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
ここで、アースシールド5は、図3及び図4に示すように、方形枠部5cの搬送方向の両側板部5d及び5eの下面が両側板部5f及び5gの下面と面一に形成されていると共に、外周面が方形状フィルム20の外周縁より小さく選定されて、全ての両側板部5d〜5gが方形状フィルム20の全ての周縁部に接触するように構成されている。
そして、方形状フィルム20は、例えば絶縁性を有するロボットアーム等の支持部材(図示せず)で例えば互いに対向する両側部を支持して、アースシールド5及びカソード電極4間に挿入し、この状態で、方形状フィルム20の各周縁部をアースシールド5の全ての側板部5d〜5gの下面に接触させる。この状態で、プラズマ放電によって方形状フィルム20に成膜し、成膜完了後に支持部材によって方形状フィルム20がアースシールド5及びカソード電極4間から離脱させて、新たな方形状フィルム20を支持部材によってアースシールド5及びカソード電極4間に挿入する。
そして、方形状フィルム20は、例えば絶縁性を有するロボットアーム等の支持部材(図示せず)で例えば互いに対向する両側部を支持して、アースシールド5及びカソード電極4間に挿入し、この状態で、方形状フィルム20の各周縁部をアースシールド5の全ての側板部5d〜5gの下面に接触させる。この状態で、プラズマ放電によって方形状フィルム20に成膜し、成膜完了後に支持部材によって方形状フィルム20がアースシールド5及びカソード電極4間から離脱させて、新たな方形状フィルム20を支持部材によってアースシールド5及びカソード電極4間に挿入する。
次に、上記第2の実施形態の動作を説明する。
方形状フィルム20に薄膜を成膜するには、先ず、例えばロボットアーム(図示せず)で支持し、アースシールド5及びカソード電極4間に挿入する。
そして、ロボットアーム等の支持部材(図示せず)によって方形状フィルム20を上方に移動させて、方形状フィルム20の周縁部をアースシールド5の全ての側板部5d〜5gの下面に接触させる。
この状態で、電極収納部2aの図示しない反応ガス供給部から反応ガスを平板部3bと方形状フィルム20との間に供給すると共に、アノード電極3に高周波電圧を印加する。
このとき、アノード電極3及びカソード電極4間に発生するプラズマ放電によって、反応ガスの含有成分が方形状フィルム20に成膜される。
方形状フィルム20に薄膜を成膜するには、先ず、例えばロボットアーム(図示せず)で支持し、アースシールド5及びカソード電極4間に挿入する。
そして、ロボットアーム等の支持部材(図示せず)によって方形状フィルム20を上方に移動させて、方形状フィルム20の周縁部をアースシールド5の全ての側板部5d〜5gの下面に接触させる。
この状態で、電極収納部2aの図示しない反応ガス供給部から反応ガスを平板部3bと方形状フィルム20との間に供給すると共に、アノード電極3に高周波電圧を印加する。
このとき、アノード電極3及びカソード電極4間に発生するプラズマ放電によって、反応ガスの含有成分が方形状フィルム20に成膜される。
このように、方形状フィルム20をアノード電極3及びカソード電極4間に配置して成膜させる際に、方形状フィルム20の周縁部がアースシールド5を介して容器2の電極収納部2aの上面板に電気的に接続されてアースされるので、成膜時にアノード電極3及びカソード電極4間に発生するプラズマ放電によって方形状フィルム20にプラズマ放電電流が流れても、このプラズマ放電電流がアースシールド5を介して容器2に流れ、プラズマ放電電流の電流帰路を確実に確保することができ、方形状フィルム20にプラズマ放電電流が迷走することを防止することができる。
このように、方形状フィルム20にプラズマ放電電流が迷走することを防止することで、プラズマ放電電流が方形状フィルム20の成膜に悪影響を与えることを確実に阻止して、方形状フィルム20の成膜を良好に行なうことができる。
また、支持部材(図示せず)で方形状フィルム20の互いに対向する両側部を支持することにより、対向するカソード電極4及びアースシールド5間の間隔が狭い場合でも方形状フィルム20を容易にアノード電極3及びカソード電極4間に挿通することができる。
また、支持部材(図示せず)で方形状フィルム20の互いに対向する両側部を支持することにより、対向するカソード電極4及びアースシールド5間の間隔が狭い場合でも方形状フィルム20を容易にアノード電極3及びカソード電極4間に挿通することができる。
なお、第2の実施形態においては、支持部材(図示せず)で方形状フィルム20の両側部を支持してカソード電極4及びアースシールド5間に挿入する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、方形状フィルム20のアースシールド5への接触時にカソード電極4を下方に一時退避させるようにしてもよい。
また、第1及び第2の実施形態においては、電極収納部2aに図示しない反応ガス供給部を形成した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、アノード電極3に反応ガス供給部を形成することもできる。この場合には、アノード電極3の支持部3a及び平板部3bを中空形状とし、平板部3bの下面に所定間隔を保って多数の貫通孔を形成することで、アノード電極3と帯状フィルム6及び方形状フィルム20との間に反応ガスを供給することができる。
また、第1及び第2の実施形態においては、電極収納部2aに図示しない反応ガス供給部を形成した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、アノード電極3に反応ガス供給部を形成することもできる。この場合には、アノード電極3の支持部3a及び平板部3bを中空形状とし、平板部3bの下面に所定間隔を保って多数の貫通孔を形成することで、アノード電極3と帯状フィルム6及び方形状フィルム20との間に反応ガスを供給することができる。
さらに、第1及び第2の実施形態においては、アノード電極3の周囲に所定間隔を保って離間したアースシールド5を配設した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図5〜図7に示すように、アノード電極3とアースシールド5との間に絶縁体30を介在することもできる。この場合には、アノード電極3及びアースシールド5を絶縁体30によって絶縁することで、成膜時にアノード電極3及びアースシールド5間において意図しない放電が発生することを防止することができる。なお、絶縁体30の比誘電率は、可能な限り1に近い値が望ましい。
さらにまた、上記第1及び第2の実施形態においては、アノード電極3に高周波電圧を印加する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、カソード電極4に高周波電圧を印加するようにしてもよく、この場合には、給電側電極となるカソード電極4を覆うようにアースシールド5を設け、このアースシールド5を帯状フィルム6又は方形状フィルム20に接触させることにより、プラズマ放電電流の帰路を形成すればよい。
1…プラズマCVD装置、2…容器、2a…電極収納部、2b,2c…搬送機構収納部、3…アノード電極、3a…支持部、3b…平板部、4…カソード電極、4a…垂直脚部、5…アースシールド、5a…円筒部、5b…連結板部、5c…方形枠部、5d〜5g…両側板部、6…帯状フィルム、9…搬送機構、10…フィルム送出部、11…フィルム巻取部、20…方形状フィルム、30…絶縁体
Claims (5)
- 減圧可能な容器内に所定間隔を保って配設された一対の電極間のプラズマ放電によって帯状フィルムに薄膜を成膜するプラズマCVD装置であって、
前記帯状フィルムを巻装した送出ロールから引き出した前記帯状フィルムを前記一対の電極間を通って巻取ロールに巻き取る搬送機構を備えると共に、前記帯状フィルムを前記一対の電極間で成膜処理する際に、当該一対の電極の周囲で当該帯状フィルムの側縁部に接触するようにアースシールドを配置し、該アースシールドを前記容器にアースしたことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 減圧可能な容器内に所定間隔を保って配設された一対の電極間のプラズマ放電によって一枚のフィルムに薄膜を成膜するプラズマCVD装置であって、
前記フィルムを前記一対の電極間で成膜処理する際に、当該一枚のフィルムの周縁部に接触するようにアースシールドを配置し、該アースシールドを前記容器にアースしたことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 前記一対の電極は、互いに対向する平板状のカソード電極及びアノード電極で構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマCVD装置。
- 前記アースシールドは、前記アノード電極及び前記カソード電極のうち給電側電極の周囲に当該給電側電極と離間して配設されていることを特徴とする請求項3に記載のプラズマCVD装置。
- 前記給電側電極と前記アースシールドとの間に絶縁体を介在させたことを特徴とする請求項4に記載のプラズマCVD装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011149050A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜製造装置 |
EP2423353A1 (en) | 2010-08-31 | 2012-02-29 | Fujifilm Corporation | Film deposition device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005256100A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜製造装置 |
JP2006327202A (ja) * | 2000-10-13 | 2006-12-07 | Dainippon Printing Co Ltd | バリア性フィルムおよびその製造法 |
JP2008019463A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜製造装置 |
JP2008111144A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
-
2008
- 2008-11-05 JP JP2008284447A patent/JP2010111900A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006327202A (ja) * | 2000-10-13 | 2006-12-07 | Dainippon Printing Co Ltd | バリア性フィルムおよびその製造法 |
JP2005256100A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜製造装置 |
JP2008019463A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜製造装置 |
JP2008111144A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011149050A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜製造装置 |
EP2423353A1 (en) | 2010-08-31 | 2012-02-29 | Fujifilm Corporation | Film deposition device |
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