JP2010111888A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010111888A5 JP2010111888A5 JP2008283373A JP2008283373A JP2010111888A5 JP 2010111888 A5 JP2010111888 A5 JP 2010111888A5 JP 2008283373 A JP2008283373 A JP 2008283373A JP 2008283373 A JP2008283373 A JP 2008283373A JP 2010111888 A5 JP2010111888 A5 JP 2010111888A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- film
- flow rate
- plasma
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 1
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008283373A JP2010111888A (ja) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | Ｔｉ膜の成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008283373A JP2010111888A (ja) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | Ｔｉ膜の成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010111888A JP2010111888A (ja) | 2010-05-20 |
| JP2010111888A5 true JP2010111888A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 2011-10-20 |
Family
ID=42300673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008283373A Pending JP2010111888A (ja) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | Ｔｉ膜の成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010111888A (cg-RX-API-DMAC7.html) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017022302A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP6728087B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2020-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP7830876B2 (ja) | 2021-10-05 | 2026-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | チタン膜を形成する方法、及びチタン膜を形成する装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69815163T2 (de) * | 1997-01-24 | 2004-05-06 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung von Titanschichten |
| JP3191290B2 (ja) * | 1999-01-07 | 2001-07-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造方法に用いられるプラズマｃｖｄ装置 |
| JP4451097B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| JP3951976B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2007-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
| JP2007211326A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Nec Electronics Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| JPWO2007125836A1 (ja) * | 2006-04-24 | 2009-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｔｉ膜の成膜方法 |
| JP2008202107A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
2008
- 2008-11-04 JP JP2008283373A patent/JP2010111888A/ja active Pending