JP2010109881A - Piezoelectric oscillator - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric oscillator having good frequency drift characteristics. <P>SOLUTION: The piezoelectric oscillator includes a container body, a piezoelectric vibrating element, an integrated circuit element and a lid. The container body mainly comprises: a substrate part; a first frame part which is provided on one principal surface of the substrate part and has a first recessed space formed therein; and a second frame part which is provided on the other principal surface of the substrate part and has a second recessed space formed therein, and the container body has a pair of two piezoelectric vibrating element mounting pads provided on the one principal surface of the substrate part exposed in the first recessed space and a plurality of integrated circuit element mounting pads provided on the other principal surface of the substrate part exposed in the second recessed space. The piezoelectric vibrating element is mounted on the piezoelectric vibrating element mounting pads, the integrated circuit element is mounted on the integrated circuit element mounting pads, and the lid airtightly seals the first recessed space. Then, a via conductor connected to an integrated circuit element mounting pad nearby a corner of the second recessed space and a first electrode films connected to the via conductor are provided at the second frame part in the second recessed space. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子機器等に用いられる圧電発振器に関するものである。   The present invention relates to a piezoelectric oscillator used in an electronic device or the like.

従来より、電子機器には、電子部品として圧電発振器が用いられている。
図8は、従来の圧電発振器を示す断面図である。図9(a)は、従来の圧電発振器を構成する容器体の基板部の一方の主面を示す透視平面図であり、図9(b)は、従来の圧電発振器を構成する容器体の基板部の内層面を示す透視平面図であり、図9(c)は、従来の圧電発振器を構成する容器体の基板部の他方の主面を示す透視平面図である。
図8〜図9に示すように、従来の圧電発振器200は、その例として容器体201、圧電振動素子207、集積回路素子208、蓋体209とから主に構成されている。
容器体201は、基板部201aと2つの枠部201b、201cで構成されている。
この容器体201は、基板部201aの一方の主面に枠部201bが設けられて第1の凹部空間202が形成され、基板部201aの他方主面に枠部201cが設けられて第2の凹部空間204が形成される。
その第1の凹部空間202内に露出する基板部201aの一方の主面には、図9(a)に示すように、一対の圧電振動素子搭載パッド203a、203bが設けられている。
また、第2の凹部空間204内に露出する基板部201aの他方の主面には、図9(c)に示すように、集積回路素子搭載パッド205が設けられている。
また、基板部201aは、積層構造となっており、図9(b)に示すように、基板部201aの内層には、第1の配線パターン212aや第2の配線パターン212b等が設けられている。
この圧電振動素子搭載パッド203a、203b上には、導電性接着剤206を介して電気的に接続される一対の励振用電極を表裏主面に有した圧電振動素子207が搭載されている。この圧電振動素子207を囲繞する容器体201の枠部201bの頂面には金属製の蓋体209を被せられ、接合されている。これにより第1の凹部空間202が気密封止されている。
また、集積回路素子搭載パッド205上に半田等の導電性接合材を介して集積回路素子208が電気的、機械的に接合されている。この状態を搭載という。
Conventionally, piezoelectric oscillators are used as electronic components in electronic devices.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a conventional piezoelectric oscillator. FIG. 9A is a perspective plan view showing one main surface of a substrate portion of a container body constituting a conventional piezoelectric oscillator, and FIG. 9B is a substrate of the container body constituting the conventional piezoelectric oscillator. FIG. 9C is a perspective plan view showing the other main surface of the substrate portion of the container body constituting the conventional piezoelectric oscillator.
As shown in FIG. 8 to FIG. 9, the conventional piezoelectric oscillator 200 mainly includes a container body 201, a piezoelectric vibration element 207, an integrated circuit element 208, and a lid body 209 as an example.
The container body 201 includes a substrate part 201a and two frame parts 201b and 201c.
The container body 201 is provided with a frame portion 201b on one main surface of the substrate portion 201a to form a first recessed space 202, and a frame portion 201c is provided on the other main surface of the substrate portion 201a to form a second portion. A recessed space 204 is formed.
A pair of piezoelectric vibration element mounting pads 203a and 203b are provided on one main surface of the substrate portion 201a exposed in the first recess space 202, as shown in FIG. 9A.
Further, as shown in FIG. 9C, an integrated circuit element mounting pad 205 is provided on the other main surface of the substrate portion 201a exposed in the second recess space 204.
Further, the substrate portion 201a has a laminated structure, and as shown in FIG. 9B, the first wiring pattern 212a, the second wiring pattern 212b, and the like are provided in the inner layer of the substrate portion 201a. Yes.
On the piezoelectric vibration element mounting pads 203a and 203b, a piezoelectric vibration element 207 having a pair of excitation electrodes electrically connected via a conductive adhesive 206 on the front and back main surfaces is mounted. The top surface of the frame portion 201b of the container body 201 that surrounds the piezoelectric vibration element 207 is covered with a metal lid 209 and joined. Thereby, the first recess space 202 is hermetically sealed.
Further, the integrated circuit element 208 is electrically and mechanically bonded to the integrated circuit element mounting pad 205 via a conductive bonding material such as solder. This state is called loading.

また、集積回路素子208は、可変容量素子に周囲温度に応じた制御電圧を印加して温度変化による発振回路の発振周波数の変動を補償するため、3次関数発生回路及び記憶素子部により温度補償回路部が設けられており、3次関数発生回路には、温度センサが接続されている。この温度センサは、検出した温度と、温度センサに印加させる電圧値とに基づいて生成される温度データ信号(電圧値)が3次関数発生回路に出力される構成となっている。このような圧電発振器200が知られている(例えば、特許文献1を参照)。   In addition, the integrated circuit element 208 applies a control voltage corresponding to the ambient temperature to the variable capacitance element to compensate for fluctuations in the oscillation frequency of the oscillation circuit due to temperature changes, so that temperature compensation is performed by a cubic function generation circuit and a storage element unit A circuit unit is provided, and a temperature sensor is connected to the cubic function generation circuit. This temperature sensor is configured to output a temperature data signal (voltage value) generated based on the detected temperature and a voltage value applied to the temperature sensor to a cubic function generation circuit. Such a piezoelectric oscillator 200 is known (see, for example, Patent Document 1).

特許第3406845号公報Japanese Patent No. 3406845

しかしながら、従来の圧電発振器200においては、集積回路素子208で発生した熱により、集積回路素子208に内蔵されている温度センサが感知する温度と、実際の圧電振動素子207の周囲の温度が異なることがある。これらにより、従来の圧電発振器200は、誤った温度データ信号(電圧値)により補正されるため、圧電発振器に電圧を印加した時点での発振周波数と、電圧を印加してから一定時間が経過した時点での発振周波数との周波数変動差を示している周波数ドリフト特性が悪くなるといった課題があった。   However, in the conventional piezoelectric oscillator 200, the temperature sensed by the temperature sensor built in the integrated circuit element 208 and the actual ambient temperature of the piezoelectric vibration element 207 differ due to the heat generated in the integrated circuit element 208. There is. As a result, the conventional piezoelectric oscillator 200 is corrected by an erroneous temperature data signal (voltage value), and therefore, the oscillation frequency at the time when the voltage is applied to the piezoelectric oscillator and a certain time has elapsed since the voltage was applied. There has been a problem that the frequency drift characteristic indicating the frequency fluctuation difference from the oscillation frequency at the time becomes worse.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、周波数ドリフト特性が良い圧電発振器を提供することを課題とする。   This invention is made | formed in view of the said subject, and makes it a subject to provide the piezoelectric oscillator with a favorable frequency drift characteristic.

本発明の圧電発振器は、基板部と、基板部の一方の主面に第1の枠部が設けられて第1の凹部空間が形成され、基板部の他方の主面に第2の枠部が設けられて第2の凹部空間が形成され、第1の凹部空間内に露出した基板部の一方の主面に設けられた2個一対の圧電振動素子搭載パッドと、第2の凹部空間内に露出した基板部の他方の主面に設けられた複数の集積回路素子搭載パッドとを有する容器体と、圧電振動素子搭載パッドに搭載され、励振用電極が設けられている圧電振動素子と、集積回路素子搭載パッドと対応する端子を有し、この集積回路素子搭載パッドに搭載されている集積回路素子と、第1の凹部空間を気密封止する蓋体と、を備え、第2の凹部空間の角部に近い集積回路素子搭載パッドと接続されているビア導体と、ビア導体と接続されている第1の電極膜が、第2の凹部空間内の前記第2の枠部に設けられていることを特徴とする圧電発振器。   The piezoelectric oscillator of the present invention has a substrate portion and a first frame portion provided on one main surface of the substrate portion to form a first recessed space, and a second frame portion on the other main surface of the substrate portion. And a pair of piezoelectric vibration element mounting pads provided on one main surface of the substrate portion exposed in the first recess space, and in the second recess space. A container body having a plurality of integrated circuit element mounting pads provided on the other main surface of the substrate portion exposed to the substrate, a piezoelectric vibration element mounted on the piezoelectric vibration element mounting pad and provided with an excitation electrode; An integrated circuit element having a terminal corresponding to the integrated circuit element mounting pad; and an integrated circuit element mounted on the integrated circuit element mounting pad; and a lid for hermetically sealing the first recessed space. Via conductors connected to integrated circuit element mounting pads near the corners of the space, and vias; A first electrode film is connected to the body, a piezoelectric oscillator, characterized in that provided in the second frame portion of the second recess space.

また、第2の枠部の主面にビア導体及び第1の電極膜と接続されている第2の電極膜が設けられていることを特徴とするものである。   The main surface of the second frame portion is provided with a second electrode film connected to the via conductor and the first electrode film.

また、第2の枠部の主面に露出するビア導体及び第2の電極膜を覆う保護膜を備えていることを特徴とするものである。   In addition, a protective film is provided that covers the via conductor exposed on the main surface of the second frame portion and the second electrode film.

本発明の圧電発振器によれば、第2の凹部空間の角部に近い集積回路素子搭載パッドと接続されているビア導体と、このビア導体と接続されている第1の電極膜とを備えて構成されることによって、集積回路素子で発生した熱を第1の電極膜を介して空気中に放熱することができる。放熱することで集積回路素子の温度が下がり、その下がった温度で、集積回路素子と圧電振動素子の温度が近い値になる。これにより、集積回路素子に内蔵されている温度センサが感知する温度と、実際の圧電振動素子の周囲の温度が同じ値に近づくことになる。よって、正しい温度データ信号(電圧値)により補正されるため圧電発振器の周波数ドリフト特性を良くすることが可能となる。   According to the piezoelectric oscillator of the present invention, it is provided with the via conductor connected to the integrated circuit element mounting pad near the corner of the second recess space, and the first electrode film connected to the via conductor. By being configured, heat generated in the integrated circuit element can be dissipated into the air through the first electrode film. The temperature of the integrated circuit element is lowered by radiating heat, and the temperature of the integrated circuit element and the piezoelectric vibrating element are close to each other at the lowered temperature. As a result, the temperature sensed by the temperature sensor built in the integrated circuit element and the temperature around the actual piezoelectric vibration element approach the same value. Therefore, since the correction is made with the correct temperature data signal (voltage value), the frequency drift characteristic of the piezoelectric oscillator can be improved.

また、第2の枠部の主面にビア導体及び第1の電極膜と接続されている第2の電極膜が設けられていることによって、集積回路素子で発生した熱を第2の電極膜を介して空気中に、さらに放熱することができる。   Also, the second electrode film connected to the via conductor and the first electrode film is provided on the main surface of the second frame portion, so that the heat generated in the integrated circuit element is generated by the second electrode film. It is possible to further dissipate heat into the air via

第2の枠部の主面に露出するビア導体及び電極膜を覆う保護膜を備えていることによって、ビア導体と外部接続用電極端子との間、電極膜と外部接続用電極端子との間に導電性の異物が付着することがなくなるため、短絡を防止することが可能となる。   By providing the via conductor exposed on the main surface of the second frame and the protective film covering the electrode film, between the via conductor and the external connection electrode terminal, between the electrode film and the external connection electrode terminal Therefore, it is possible to prevent a short circuit.

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. A case where quartz is used for the piezoelectric vibration element will be described.

(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を示す分解斜視図である。図2は、図1のA−A断面図である。図3は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を示す集積回路素子搭載側から見た斜視図である。図4(a)は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を構成する容器体の基板部の一方の主面を示す透視平面図であり、図4(b)は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を構成する容器体の基板部の内層面を示す透視平面図であり、図4(c)は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を構成する容器体の基板部の他方の主面を示す透視平面図であり、(d)は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を構成する容器体の他方主面を示す平面図である。また、図示した寸法も一部誇張して示している。
(First embodiment)
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a piezoelectric oscillator according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. FIG. 3 is a perspective view of the piezoelectric oscillator according to the first embodiment of the present invention as viewed from the integrated circuit element mounting side. FIG. 4A is a perspective plan view showing one main surface of the substrate portion of the container body constituting the piezoelectric oscillator according to the first embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4C is a perspective plan view showing an inner layer surface of a substrate portion of a container body constituting the piezoelectric oscillator according to the first embodiment, and FIG. 4C constitutes the piezoelectric oscillator according to the first embodiment of the present invention. It is a see-through plan view showing the other principal surface of the substrate part of a container body, and (d) is a top view showing the other principal surface of a container object which constitutes a piezoelectric oscillator concerning a 1st embodiment of the present invention. . In addition, the illustrated dimensions are partially exaggerated.

図1及び図2に示すように、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器100は、容器体110と圧電振動素子120と蓋体130と集積回路素子140で主に構成されている。この圧電発振器100は、前記容器体110に形成されている第1の凹部空間111内に圧電振動素子120が搭載され、第2の凹部空間114内には、集積回路素子140が搭載されている。その第1の凹部空間111が蓋体130により気密封止された構造となっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the piezoelectric oscillator 100 according to the first embodiment of the present invention mainly includes a container body 110, a piezoelectric vibration element 120, a lid body 130, and an integrated circuit element 140. In the piezoelectric oscillator 100, a piezoelectric vibration element 120 is mounted in a first recess space 111 formed in the container body 110, and an integrated circuit element 140 is mounted in a second recess space 114. . The first recess space 111 is hermetically sealed by the lid body 130.

圧電振動素子120は、図1及び図2に示すように、水晶素板121に励振用電極122を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
水晶素板121は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。
励振用電極122は、前記水晶素板121の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
このような圧電振動素子120は、その両主面に被着されている励振用電極122から延出する引き出し電極と第1の凹部空間111内底面に形成されている圧電振動素子搭載パッド113とを、導電性接着剤150を介して電気的且つ機械的に接続することによって第1の凹部空間111に搭載される。
このときの引き出し電極が設けられた一辺とは反対側の自由端となる端辺を圧電振動素子120の先端部123とする。
As shown in FIGS. 1 and 2, the piezoelectric vibration element 120 is formed by adhering an excitation electrode 122 to a crystal element plate 121, and an alternating voltage from the outside passes through the excitation electrode 122. When applied to 121, excitation occurs in a predetermined vibration mode and frequency.
The quartz base plate 121 is a substantially flat plate shape that is cut from an artificial crystalline lens at a predetermined cut angle and is subjected to outer shape processing, and has a planar shape of, for example, a quadrangle.
The excitation electrode 122 is formed by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on both the front and back main surfaces of the crystal base plate 121.
Such a piezoelectric vibration element 120 includes a lead electrode extending from the excitation electrode 122 attached to both main surfaces thereof, and a piezoelectric vibration element mounting pad 113 formed on the inner bottom surface of the first recess space 111. Are electrically and mechanically connected through the conductive adhesive 150 to be mounted in the first recessed space 111.
At this time, an end side which is a free end opposite to the side on which the extraction electrode is provided is defined as a tip end portion 123 of the piezoelectric vibration element 120.

集積回路素子140は、図1〜図3に示すように、回路形成面に前記圧電振動素子120からの発振出力を生成する発振回路等が設けられており、この発振回路で生成された出力信号は外部接続用電極端子119を介して圧電発振器100の外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。
集積回路素子140には、前記集積回路素子搭載パッド115と対応する端子(図示せず)を有している。
また、集積回路素子140には、可変容量素子に周囲温度に応じた制御電圧を印加して温度変化による発振回路の発振周波数の変動を補償するため、3次関数発生回路及び記憶素子部により温度補償回路部が設けられており、3次関数発生回路には、温度センサが接続されている。
この温度センサは、検出した温度と、温度センサに印加させる電圧値とに基づいて生成される温度データ信号(電圧値)が3次関数発生回路に出力される構成となっている。
集積回路素子140は、容器体110の第2の凹部空間114内に露出した基板部110aに形成された集積回路素子搭載パッド115に半田等の導電性接合材を介して搭載されている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the integrated circuit element 140 is provided with an oscillation circuit or the like for generating an oscillation output from the piezoelectric vibration element 120 on the circuit formation surface, and an output signal generated by the oscillation circuit. Is output to the outside of the piezoelectric oscillator 100 via the external connection electrode terminal 119, and is used as a reference signal such as a clock signal, for example.
The integrated circuit element 140 has a terminal (not shown) corresponding to the integrated circuit element mounting pad 115.
In addition, in the integrated circuit element 140, in order to compensate the fluctuation of the oscillation frequency of the oscillation circuit due to the temperature change by applying a control voltage according to the ambient temperature to the variable capacitance element, the temperature is controlled by the cubic function generation circuit and the storage element unit. A compensation circuit unit is provided, and a temperature sensor is connected to the cubic function generation circuit.
This temperature sensor is configured to output a temperature data signal (voltage value) generated based on the detected temperature and a voltage value applied to the temperature sensor to a cubic function generation circuit.
The integrated circuit element 140 is mounted on an integrated circuit element mounting pad 115 formed on the substrate portion 110a exposed in the second recessed space 114 of the container body 110 via a conductive bonding material such as solder.

図1〜図3に示すように、容器体110は、基板部110aと、第1の枠部110b、第2の枠部110cとで主に構成されている。
この容器体110は、基板部110aの一方の主面に第1の枠部110bが設けられて、第1の凹部空間111が形成されている。また、容器体110の他方の主面に第2の枠部110cが設けられて、第2の凹部空間114が形成されている。
尚、この容器体110を構成する基板部110a及び第2の枠部110cは、例えば、アルミナセラミックス、ガラス−セラミック等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。また、基板部110aは、セラミック材が積層した構造となっている。
第1の枠部110bは、例えば、シールリングである。この場合、第1の枠部110bは、42アロイやコバール等の金属から成り、中心が打ち抜かれた枠状になっている。
また、第1の枠部110bは、基板部110aの一方の主面の外周を囲繞するように設けられた封止用導体膜112上にロウ付けなどにより接続される。
第1の凹部空間111内で露出した基板部110aの一方の主面には、2個一対の圧電振動素子搭載パッド113a、113bが設けられている。
また、図1〜図3に示すように容器体110は、基板部110aの他方の主面と第2の枠部110cによって第2の凹部空間114が形成されている。
図4(b)に示すように、基板部110aの内層には、配線パターン117(117a、117b)等が設けられている。
図4(c)及び図4(d)に示すように、第2の凹部空間114内で露出した基板部110aの他方の主面には、複数の集積回路素子搭載パッド115と2個一対の圧電振動素子測定用パッド116a、116bが形成されている。
図3及び図4(d)に示すように、第2の枠部110cの主面には、前記第2の凹部空間114の角部に近い集積回路素子搭載パッド115と接続されているビア導体118cと、外部接続用電極端子119が設けられている。つまり、基板部110aの集積回路素子搭載パッド115が設けられている主面と平行となる第2の枠部110cの主面の4隅には、外部接続用電極端子119が設けられ、外部接続用電極端子119の間にはビア導体118cの端部が露出するように設けられている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the container body 110 mainly includes a substrate portion 110 a, a first frame portion 110 b, and a second frame portion 110 c.
In the container body 110, a first frame portion 110b is provided on one main surface of the substrate portion 110a, and a first recessed space 111 is formed. In addition, a second frame portion 110 c is provided on the other main surface of the container body 110, and a second recessed space 114 is formed.
In addition, the board | substrate part 110a and the 2nd frame part 110c which comprise this container body 110 are formed by laminating | stacking multiple ceramic materials, such as an alumina ceramic and glass-ceramics, for example. The substrate unit 110a has a structure in which ceramic materials are stacked.
The first frame part 110b is, for example, a seal ring. In this case, the first frame portion 110b is made of a metal such as 42 alloy or Kovar, and has a frame shape with the center punched out.
The first frame portion 110b is connected to the sealing conductor film 112 provided so as to surround the outer periphery of one main surface of the substrate portion 110a by brazing or the like.
A pair of piezoelectric vibration element mounting pads 113a and 113b are provided on one main surface of the substrate portion 110a exposed in the first recess space 111.
In addition, as shown in FIGS. 1 to 3, in the container body 110, a second recessed space 114 is formed by the other main surface of the substrate portion 110 a and the second frame portion 110 c.
As shown in FIG. 4B, wiring patterns 117 (117a, 117b) and the like are provided in the inner layer of the substrate portion 110a.
As shown in FIGS. 4C and 4D, the other main surface of the substrate portion 110a exposed in the second recess space 114 is provided with a plurality of integrated circuit element mounting pads 115 and two pairs. Piezoelectric vibration element measurement pads 116a and 116b are formed.
As shown in FIGS. 3 and 4D, the via conductor connected to the integrated circuit element mounting pad 115 close to the corner of the second recessed space 114 is formed on the main surface of the second frame portion 110c. 118c and an external connection electrode terminal 119 are provided. That is, the external connection electrode terminals 119 are provided at the four corners of the main surface of the second frame portion 110c parallel to the main surface of the substrate portion 110a where the integrated circuit element mounting pads 115 are provided. Between the electrode terminals 119, the end portions of the via conductors 118c are provided so as to be exposed.

図4(a)〜図4(d)に示すように、一方の圧電振動素子搭載パッド113aは、1つの基板部側ビア導体118aで、容器体110の基板部110aの内層に形成されている配線パターン117aと接続されている。また、図4(a)〜図4(d)に示すように、前記配線パターン117aは、基板部側ビア導体118bで他方の圧電振動素子測定用パッド116bと接続されている。これにより、前記一方の圧電振動素子搭載パッド113aは、前記他方の圧電振動素子測定用パッド116bと接続されることになる。
他方の圧電振動素子搭載パッド113bは、1つの基板部側ビア導体118aで、前記 容器体110の基板部110aの内層に設けられている配線パターン117bと接続されている。
また、前記配線パターン117bは、基板部側ビア導体118bで、一方の圧電振動素子測定用パッド116aと接続されている。これにより、前記他方の圧電振動素子搭載パッド113bは、前記一方の圧電振動素子測定用パッド116aと接続されることになる。
集積回路素子搭載パッド115と外部接続用電極端子119は、前記容器体110の第2の凹部空間114内の基板部110aに形成された部分を有する配線パターン(図示せず)と第2の枠部110cの内部に形成されたビア導体(図示せず)により接続されている。
As shown in FIGS. 4A to 4D, one piezoelectric vibration element mounting pad 113a is formed in the inner layer of the substrate portion 110a of the container body 110 by one substrate portion side via conductor 118a. The wiring pattern 117a is connected. Further, as shown in FIGS. 4A to 4D, the wiring pattern 117a is connected to the other piezoelectric vibration element measuring pad 116b through a board portion side via conductor 118b. Thus, the one piezoelectric vibration element mounting pad 113a is connected to the other piezoelectric vibration element measurement pad 116b.
The other piezoelectric vibration element mounting pad 113b is connected to the wiring pattern 117b provided in the inner layer of the substrate portion 110a of the container body 110 by one substrate portion side via conductor 118a.
The wiring pattern 117b is connected to one piezoelectric vibration element measurement pad 116a by a board portion side via conductor 118b. As a result, the other piezoelectric vibration element mounting pad 113b is connected to the one piezoelectric vibration element measurement pad 116a.
The integrated circuit element mounting pad 115 and the external connection electrode terminal 119 include a wiring pattern (not shown) having a portion formed in the substrate portion 110a in the second recessed space 114 of the container body 110 and a second frame. They are connected by via conductors (not shown) formed inside the portion 110c.

図3及び図4(d)に示すように、第1の電極膜D1は、第2の枠部110cの第2の凹部空間114内に露出するように設けられている。具体的には、第2の枠部110cの厚さ方向に、例えば、U字型の溝を設けておき、この溝の中に、例えば、タングステン等の導体を形成することでビア導体118cを設ける。このビア導体118cと接続するように、第1の電極膜D1が形成されている。
第1の電極膜D1は、第2の枠部110cの主面から、基板部110aの主面までの長さで設けられている。基板部110aの主面とは、集積回路素子搭載パッド115が設けられている基板部110aの他方の主面のことである。
第1の電極膜D1は、第2の枠部110cの集積回路素子150と対向する面に露出するように設けられている。
As shown in FIGS. 3 and 4D, the first electrode film D1 is provided so as to be exposed in the second recessed space 114 of the second frame portion 110c. Specifically, for example, a U-shaped groove is provided in the thickness direction of the second frame portion 110c, and a conductor such as tungsten is formed in the groove to form the via conductor 118c. Provide. A first electrode film D1 is formed so as to be connected to the via conductor 118c.
The first electrode film D1 is provided with a length from the main surface of the second frame portion 110c to the main surface of the substrate portion 110a. The main surface of the substrate portion 110a is the other main surface of the substrate portion 110a on which the integrated circuit element mounting pad 115 is provided.
The first electrode film D1 is provided so as to be exposed on the surface of the second frame portion 110c facing the integrated circuit element 150.

2個一対の圧電振動素子測定用パッド116a、116bは、容器体110の第2の凹部空間114内の露出した基板部110aに設けられている。
前記圧電振動素子測定用パッド116a、116bは、容器体110の第1の凹部空間111に搭載されている圧電振動素子120の発振周波数やクリスタルインピーダンス等の特性を測定するために用いられる。
The two pairs of piezoelectric vibration element measurement pads 116 a and 116 b are provided on the exposed substrate portion 110 a in the second recessed space 114 of the container body 110.
The piezoelectric vibration element measuring pads 116 a and 116 b are used for measuring characteristics such as an oscillation frequency and crystal impedance of the piezoelectric vibration element 120 mounted in the first concave space 111 of the container body 110.

図4(b)に示すように、配線パターン117aは、容器体110の第1の凹部空間111の開口側から見て、容器体110の中央付近に引き出され、基板部側ビア導体118bを介して、他方の圧電振動素子測定用パッド116bと接続されている。
また、図4(b)に示すように、配線パターン117bは、容器体10の第1の凹部空間111の開口側から見て、容器体110の中央付近に向かって引き出され、基板部側ビア導体118bを介して、一方の圧電振動素子測定用パッド116aと接続されている。
As shown in FIG. 4 (b), the wiring pattern 117a is drawn near the center of the container body 110 when viewed from the opening side of the first recessed space 111 of the container body 110, and via the board part side via conductor 118b. The other piezoelectric vibration element measurement pad 116b is connected.
As shown in FIG. 4B, the wiring pattern 117b is drawn toward the vicinity of the center of the container body 110 when viewed from the opening side of the first recessed space 111 of the container body 10, and is connected to the via on the board part side. It is connected to one piezoelectric vibration element measuring pad 116a through a conductor 118b.

蓋体130は、例えば、Fe−Ni合金(42アロイ)やFe−Ni−Co合金(コバール)などからなる。このような蓋体130は、第1の凹部空間111を、窒素ガスや真空などで気密的に封止される。具体的には、蓋体130は、所定雰囲気で、容器体110のシールリング110b上に載置され、シールリング110bの表面の金属と蓋体130の金属の一部とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、シールリング110bに接合される。   The lid 130 is made of, for example, an Fe—Ni alloy (42 alloy), an Fe—Ni—Co alloy (Kovar), or the like. Such a lid 130 hermetically seals the first recessed space 111 with nitrogen gas or vacuum. Specifically, the lid 130 is placed on the seal ring 110b of the container body 110 in a predetermined atmosphere so that the metal on the surface of the seal ring 110b and a part of the metal of the lid 130 are welded. The seam welding is performed by applying a predetermined current to join the seal ring 110b.

前記導電性接着剤150は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ニッケル鉄(NiFe)、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。   The conductive adhesive 150 contains conductive powder as a conductive filler in a binder such as silicone resin. As the conductive powder, aluminum (Al), molybdenum (Mo), tungsten (W ), Platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), titanium (Ti), nickel (Ni), nickel iron (NiFe), or a combination thereof is used. .

尚、前記容器体110は、アルミナセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面に、封止用導体膜112、圧電振動素子搭載パッド113、集積回路素子搭載パッド115、外部接続用電極端子119等となる導体ペーストを、また、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内にビア導体となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することにより製作される。   When the container body 110 is made of alumina ceramics, a sealing conductor film 112, a piezoelectric vibration element, and the like are formed on the surface of a ceramic green sheet obtained by adding and mixing a suitable organic solvent to a predetermined ceramic material powder. Conductive paste that becomes the mounting pad 113, the integrated circuit element mounting pad 115, the external connection electrode terminal 119, and the like, and also becomes a via conductor in a through-hole previously punched by punching the ceramic green sheet. A conductive paste is applied by well-known screen printing, and a plurality of the pastes are laminated and press-molded, and then fired at a high temperature.

本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器によれば、容器体110の第2の枠部110cの主面に前記第2の凹部空間114の角部に近い集積回路素子搭載パッド115と接続されているビア導体118cが露出され、第2の凹部空間114内の第2の枠部110cの側面に前記ビア導体118cと接続されている第1の電極膜D1が露出して設けられていることによって、集積回路素子140で発生した熱をビア導体118c及び第1の電極膜D1を介して空気中に放熱する。放熱することで集積回路素子140の温度が下がり、その下がった温度で、集積回路素子140と圧電振動素子120の温度が近い値になる。そのため、集積回路素子140に内蔵されている温度センサが感知する温度と、実際の圧電振動素子120の周囲の温度が同じ値に近づくことになる。よって、正しい温度データ信号(電圧値)により補正されるため圧電発振器100の周波数ドリフト特性を良くすることが可能となる。
周波数ドリフト特性が良いとは、圧電発振器100に電圧を印加した時点の発振周波数と電圧を印加してから一定時間が経過した時点の発振周波数の変動差が少ないということである。例えば、横軸を経過時間、縦軸を周波数変動差とした場合に、周波数変動差が0に近付くほど、周波数ドリフト特性が良好ということである。
According to the piezoelectric oscillator according to the first embodiment of the present invention, the main surface of the second frame portion 110c of the container body 110 is connected to the integrated circuit element mounting pad 115 close to the corner portion of the second recess space 114. The exposed via conductor 118c is exposed, and the first electrode film D1 connected to the via conductor 118c is exposed on the side surface of the second frame portion 110c in the second recessed space 114. Thus, the heat generated in the integrated circuit element 140 is radiated to the air through the via conductor 118c and the first electrode film D1. The temperature of the integrated circuit element 140 decreases due to the heat dissipation, and the temperature of the integrated circuit element 140 and the piezoelectric vibration element 120 become close to each other at the lowered temperature. Therefore, the temperature sensed by the temperature sensor built in the integrated circuit element 140 and the temperature around the actual piezoelectric vibration element 120 approach the same value. Accordingly, the frequency drift characteristic of the piezoelectric oscillator 100 can be improved because the correction is made by the correct temperature data signal (voltage value).
The good frequency drift characteristic means that there is little difference in fluctuation between the oscillation frequency when a voltage is applied to the piezoelectric oscillator 100 and the oscillation frequency when a certain time has elapsed after the voltage is applied. For example, when the elapsed time is on the horizontal axis and the frequency fluctuation difference is on the vertical axis, the closer the frequency fluctuation difference is to 0, the better the frequency drift characteristic is.

(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器は、第2の枠部の主面に前記ビア導体及び第1の電極膜と接続されている第2の電極膜が形成されている点で第1の実施形態と異なる。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器を示す集積回路素子搭載側から見た斜視図である。
(Second Embodiment)
The piezoelectric oscillator according to the second embodiment of the present invention is different in that the second electrode film connected to the via conductor and the first electrode film is formed on the main surface of the second frame portion. Different from the first embodiment.
FIG. 5 is a perspective view of the piezoelectric oscillator according to the second embodiment of the present invention as viewed from the integrated circuit element mounting side.

図5に示すように、第1の電極膜D1は、第2の枠部110cの第2の凹部空間114内及び第2の枠部110cの主面に露出するように設けられている。具体的には、第2の枠部110cの厚さ方向に、例えば、U字型の溝を設けておき、この溝の中に、例えば、タングステン等の導体を形成することでビア導体118cを設ける。このビア導体118cと接続するように、第1の電極膜D1が形成されている。
第2の凹部空間114内に形成されている第1の電極膜D1は、第2の枠部110cの主面から、基板部110aの主面までの長さで設けられている。基板部110aの主面とは、集積回路素子搭載パッド115が設けられている基板部110aの他方の主面のことである。
第1の電極膜D1は、第2の枠部110cの集積回路素子150と対向する面に露出するように設けられている。
第2の電極膜D2は、第2の枠部の主面110cに設けられ、ビア導体118c及び第1の電極膜D1と接続されている。つまり、第2の枠部110cの主面に形成されている第2の電極膜D2は、外部接続用電極端子119の間に設けられている。
As shown in FIG. 5, the first electrode film D1 is provided so as to be exposed in the second recessed space 114 of the second frame portion 110c and the main surface of the second frame portion 110c. Specifically, for example, a U-shaped groove is provided in the thickness direction of the second frame portion 110c, and a conductor such as tungsten is formed in the groove to form the via conductor 118c. Provide. A first electrode film D1 is formed so as to be connected to the via conductor 118c.
The first electrode film D1 formed in the second recess space 114 is provided with a length from the main surface of the second frame portion 110c to the main surface of the substrate portion 110a. The main surface of the substrate portion 110a is the other main surface of the substrate portion 110a on which the integrated circuit element mounting pad 115 is provided.
The first electrode film D1 is provided so as to be exposed on the surface of the second frame portion 110c facing the integrated circuit element 150.
The second electrode film D2 is provided on the main surface 110c of the second frame portion, and is connected to the via conductor 118c and the first electrode film D1. That is, the second electrode film D2 formed on the main surface of the second frame portion 110c is provided between the external connection electrode terminals 119.

本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器によれば、前記第2の枠部110cの主面に、前記第2の凹部空間114の角部に近い集積回路素子搭載パッド115と接続されている前記ビア導体118c及び前記第1の電極膜D1と接続されている第2の電極膜D2が設けられていることによって、第1の実施形態よりもさらに熱を空気中に放熱することができる。よって、正しい温度データ信号(電圧値)により補正されるため圧電発振器100の周波数ドリフト特性をさらに良くすることが可能となる。   According to the piezoelectric oscillator according to the second embodiment of the present invention, the main surface of the second frame portion 110c is connected to the integrated circuit element mounting pad 115 close to the corner portion of the second recess space 114. By providing the via conductor 118c and the second electrode film D2 connected to the first electrode film D1, it is possible to dissipate heat further into the air than in the first embodiment. . Accordingly, the frequency drift characteristic of the piezoelectric oscillator 100 can be further improved because the correction is made with the correct temperature data signal (voltage value).

(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態に係る圧電発振器は、第2の枠部の主面に露出した前記ビア導体の端部に保護膜を備えている点で第1の実施形態と異なる。
図6は、本発明の第3の実施形態に係る圧電発振器を示す集積回路素子搭載側から見た斜視図である。
(Third embodiment)
The piezoelectric oscillator according to the third embodiment of the present invention is different from the first embodiment in that a protective film is provided at the end portion of the via conductor exposed on the main surface of the second frame portion.
FIG. 6 is a perspective view showing a piezoelectric oscillator according to a third embodiment of the present invention as viewed from the integrated circuit element mounting side.

図6に示すように、容器体110は、基板部110aと、第1の枠部110b、第2の枠部110cとで主に構成されている。
この容器体110は、基板部110aの一方の主面に第1の枠部110bが設けられて、第1の凹部空間111が形成されている。また、容器体110の他方の主面に第2の枠部110cが設けられて、第2の凹部空間114が形成されている。
図6に示すように、第2の枠部110cの主面には、外部接続用電極端子119とビア導体118cが設けられている。つまり、基板部110aの集積回路素子搭載パッド115が設けられている主面と平行となる第2の枠部110cの主面の4隅には、外部接続用電極端子119が設けられ、外部接続用電極端子119の間にはビア導体118cの端部が露出するように設けられている。
図6に示すように、ビア導体118cは、第2の枠部110cに設けられている。具体的には、第2の枠部110cの厚さ方向に、例えば、U字型の溝を設けておき、この溝の中に、例えば、タングステン等の導体を形成することでビア導体118cを設ける。第2の枠部110cの主面から、基板部110aの主面までの長さで設けられている。
このビア導体118cの端部を被覆するように、保護膜Rが第2の枠部110cの主面に形成されている。この保護膜Rは、例えば、アルミナセラミックス等を従来周知のスクリーン印刷を用いて形成される。
As shown in FIG. 6, the container body 110 is mainly configured by a substrate portion 110a, a first frame portion 110b, and a second frame portion 110c.
In the container body 110, a first frame portion 110b is provided on one main surface of the substrate portion 110a, and a first recessed space 111 is formed. In addition, a second frame portion 110 c is provided on the other main surface of the container body 110, and a second recessed space 114 is formed.
As shown in FIG. 6, an external connection electrode terminal 119 and a via conductor 118c are provided on the main surface of the second frame portion 110c. That is, the external connection electrode terminals 119 are provided at the four corners of the main surface of the second frame portion 110c parallel to the main surface of the substrate portion 110a where the integrated circuit element mounting pads 115 are provided. Between the electrode terminals 119, the end portions of the via conductors 118c are provided so as to be exposed.
As shown in FIG. 6, the via conductor 118c is provided in the second frame portion 110c. Specifically, for example, a U-shaped groove is provided in the thickness direction of the second frame portion 110c, and a conductor such as tungsten is formed in the groove to form the via conductor 118c. Provide. The length from the main surface of the second frame portion 110c to the main surface of the substrate portion 110a is provided.
A protective film R is formed on the main surface of the second frame portion 110c so as to cover the end portion of the via conductor 118c. The protective film R is formed by using, for example, conventionally known screen printing of alumina ceramics or the like.

本発明の第3の実施形態に係る圧電発振器によれば、前記第2の凹部空間114の角部に近い集積回路素子搭載パッド115と接続され、第2の枠部110cの主面に露出するビア導体118cを覆う保護膜Rを備えていることによって、ビア導体118と外部接続用電極端子の間に導電性の異物が付着することがなくなるため、短絡を防止することが可能となる。   In the piezoelectric oscillator according to the third embodiment of the present invention, the integrated circuit element mounting pad 115 close to the corner of the second recessed space 114 is connected and exposed to the main surface of the second frame 110c. By providing the protective film R covering the via conductor 118c, no conductive foreign matter adheres between the via conductor 118 and the external connection electrode terminal, so that a short circuit can be prevented.

(実施例)
本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器と従来の圧電発振器についての実施例を以下に示す。
図7は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器と従来の圧電発振器の周波数ドリフト特性を示す図である。
実施例として、図1及び図2に示す本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器100の構造に従って、前記第2の枠部110cの主面と、第2の凹部空間114内の第2の枠部110cの側面に前記集積回路素子搭載パッド115と接続されているビア導体118cを露出して設けた。
(Example)
Examples of the piezoelectric oscillator according to the first embodiment of the present invention and the conventional piezoelectric oscillator will be described below.
FIG. 7 is a diagram showing frequency drift characteristics of the piezoelectric oscillator according to the first embodiment of the present invention and the conventional piezoelectric oscillator.
As an example, according to the structure of the piezoelectric oscillator 100 according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 and 2, the main surface of the second frame portion 110 c and the second in the second recess space 114. A via conductor 118c connected to the integrated circuit element mounting pad 115 is exposed on the side surface of the frame portion 110c.

また、比較例として、図8及び図9に示す従来の圧電発振器200の構造に従って設けた。   Further, as a comparative example, it was provided according to the structure of the conventional piezoelectric oscillator 200 shown in FIGS.

尚、今回作製した本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器100と従来の圧電発振器200の基準発振周波数fは、27.456MHzとした。 Note that the reference oscillation frequency f 0 of the piezoelectric oscillator 100 according to the first embodiment of the present invention and the conventional piezoelectric oscillator 200 manufactured this time was 27.456 MHz.

まず、本発明の圧電発振器100と従来の圧電発振器200の発振周波数を測定した。
測定方法は、まず、本発明の圧電発振器100と従来の圧電発振器200の電源を印加してから0.15秒後に測定し、0.15秒後から0.1秒ステップで発振周波数fsを測定する。この時、0.15秒後に測定した発振周波数f、0.15秒後以降の発振周波数fsを計算式(1)に代入し、周波数変動差(df/f)を算出した。
df/f=(fs−f)/f・・・(1)
このときの周波数変動差(df/f)を周波数ドリフト値として算出した。
First, the oscillation frequencies of the piezoelectric oscillator 100 of the present invention and the conventional piezoelectric oscillator 200 were measured.
The measurement method is to first measure 0.15 seconds after applying power to the piezoelectric oscillator 100 of the present invention and the conventional piezoelectric oscillator 200, and measure the oscillation frequency fs in 0.1 second steps after 0.15 seconds. To do. At this time, the oscillation frequency f 1 measured after 0.15 seconds and the oscillation frequency fs after 0.15 seconds were substituted into the calculation formula (1) to calculate the frequency fluctuation difference (df / f).
df / f = (fs−f 1 ) / f 1 (1)
The frequency fluctuation difference (df / f) at this time was calculated as a frequency drift value.

この結果として、図7示すように、本発明の圧電発振器100では、算出した周波数ドリフト値の最大値が14.67ppbであった。また、図6に示すように、従来の圧電発振器200では、算出した周波数ドリフト値の最大値は、21.19ppbであった。

これにより、本発明の圧電発振器100の方が、周波数変動差が0に近いため、周波数ドリフト特性が良くなることがわかる。つまり、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器100の第2の凹部空間114内の第2の枠部110cに設けられ、前記第2の凹部空間114の角部に近い集積回路素子搭載パッド115と接続されているビア導体118cと、前記ビア導体118cと接続される第1の電極膜D1を設けることによって、周波数ドリフト特性が良くなることがわかる。
As a result, as shown in FIG. 7, in the piezoelectric oscillator 100 of the present invention, the maximum value of the calculated frequency drift value was 14.67 ppb. Further, as shown in FIG. 6, in the conventional piezoelectric oscillator 200, the maximum value of the calculated frequency drift value was 21.19 ppb.

Accordingly, it can be seen that the piezoelectric oscillator 100 of the present invention has better frequency drift characteristics because the frequency fluctuation difference is closer to zero. In other words, the integrated circuit element mounted on the second frame portion 110c in the second recessed space 114 of the piezoelectric oscillator 100 according to the first embodiment of the present invention, which is close to the corner of the second recessed space 114. It can be seen that the frequency drift characteristics are improved by providing the via conductor 118c connected to the pad 115 and the first electrode film D1 connected to the via conductor 118c.

尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
例えば、前記した本実施形態では、圧電振動素子120を構成する圧電素材として水晶を用いた場合を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。
また、保護膜Rは、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂によって形成しても構わない。
また、ビア導体118cの溝の形状をU字状としたが、V字状で形成しても構わない。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.
For example, in the above-described embodiment, the case where crystal is used as the piezoelectric material constituting the piezoelectric vibration element 120 has been described. However, as other piezoelectric materials, lithium niobate, lithium tantalate, or piezoelectric ceramics is used as the piezoelectric material. The piezoelectric vibration element used may be used.
Further, the protective film R may be formed of an insulating resin such as an epoxy resin, for example.
Further, although the shape of the groove of the via conductor 118c is U-shaped, it may be formed in a V-shape.

本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を示す分解斜視図である。1 is an exploded perspective view showing a piezoelectric oscillator according to a first embodiment of the present invention. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を示す集積回路素子搭載側から見た斜視図である。It is the perspective view seen from the integrated circuit element mounting side which shows the piezoelectric oscillator which concerns on the 1st Embodiment of this invention. (a)は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を構成する容器体の基板部の一方の主面を示す透視平面図であり、(b)は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を構成する容器体の基板部の内層面を示す透視平面図であり、(c)は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を構成する容器体の基板部の他方の主面を示す透視平面図であり、(d)は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器を構成する容器体の他方主面を示す平面図である。(A) is a see-through | perspective plan view which shows one main surface of the board | substrate part of the container body which comprises the piezoelectric oscillator which concerns on the 1st Embodiment of this invention, (b) is 1st implementation of this invention. It is a perspective top view which shows the inner layer surface of the board | substrate part of the container body which comprises the piezoelectric oscillator which concerns on a form, (c) is the board | substrate part of the container body which comprises the piezoelectric oscillator which concerns on the 1st Embodiment of this invention. It is a see-through | perspective plan view which shows the other main surface, (d) is a top view which shows the other main surface of the container body which comprises the piezoelectric oscillator which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器を示す集積回路素子搭載側から見た斜視図である。It is the perspective view seen from the integrated circuit element mounting side which shows the piezoelectric oscillator which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器を示す集積回路素子搭載側から見た斜視図である。It is the perspective view seen from the integrated circuit element mounting side which shows the piezoelectric oscillator which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器と従来の圧電発振器の周波数ドリフト特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency drift characteristic of the piezoelectric oscillator which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and the conventional piezoelectric oscillator. 従来における圧電発振器を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional piezoelectric oscillator. (a)は、従来の圧電発振器を構成する容器体の基板部の一方の主面を示す透視平面図であり、(b)は、従来の圧電発振器を構成する容器体の基板部の内層面を示す透視平面図であり、(c)は、従来の圧電発振器を構成する容器体の基板部の他方の主面を示す透視平面図である。(A) is a see-through | perspective top view which shows one main surface of the board | substrate part of the container body which comprises the conventional piezoelectric oscillator, (b) is the inner-layer surface of the board | substrate part of the container body which comprises the conventional piezoelectric oscillator. FIG. 7C is a perspective plan view showing the other main surface of the substrate portion of the container body constituting the conventional piezoelectric oscillator.

符号の説明Explanation of symbols

110・・・容器体
110a・・・基板部
110b・・・第1の枠部(シールリング)
110c・・・第2の枠部
111・・・第1の凹部空間
112・・・封止用導体膜
113a、113b・・・圧電振動素子搭載パッド
114・・・第2の凹部空間
115・・・集積回路素子搭載パッド
116a、116b・・・圧電振動素子測定用パッド
117(117a、117b)・・・配線パターン
118a、118b・・・基板部側ビア導体
118c・・・ビア導体
119・・・外部接続用電極端子
D1・・・第1の電極膜
D2・・・第2の電極膜
R・・・保護膜
120・・・圧電振動素子
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・先端部
130・・・蓋体
140・・・集積回路素子
150・・・導電性接着剤
100・・・圧電発振器
110 ... Container body 110a ... Substrate part 110b ... First frame part (seal ring)
110c, second frame portion 111, first concave space 112, sealing conductor films 113a, 113b, piezoelectric vibration element mounting pad 114, second concave space 115,. Integrated circuit element mounting pads 116a, 116b... Piezoelectric vibration element measurement pads 117 (117a, 117b)... Wiring patterns 118a, 118b. External connection electrode terminal D1 ... first electrode film D2 ... second electrode film R ... protective film 120 ... piezoelectric vibration element 121 ... crystal element plate 122 ... excitation electrode 123 ... tip part 130 ... lid 140 ... integrated circuit element 150 ... conductive adhesive 100 ... piezoelectric oscillator

Claims (3)

基板部と、前記基板部の一方の主面に第1の枠部が設けられて第1の凹部空間が形成され、前記基板部の他方の主面に第2の枠部が設けられて第2の凹部空間が形成され、前記第1の凹部空間内に露出した基板部の一方の主面に設けられた2個一対の圧電振動素子搭載パッドと、前記第2の凹部空間内に露出した基板部の他方の主面に設けられた複数の集積回路素子搭載パッドとを有する容器体と、
前記圧電振動素子搭載パッドに搭載され、励振用電極が設けられている圧電振動素子と、
前記集積回路素子搭載パッドと対応する端子を有し、この集積回路素子搭載パッドに搭載されている集積回路素子と、
前記第1の凹部空間を気密封止する蓋体と、を備え、
前記第2の凹部空間の角部に近い前記集積回路素子搭載パッドと接続されているビア導体と、前記ビア導体と接続されている第1の電極膜が、前記第2の凹部空間内の前記第2の枠部に設けられていることを特徴とする圧電発振器。
A first frame portion is provided on one main surface of the substrate portion and the substrate portion to form a first recessed space, and a second frame portion is provided on the other main surface of the substrate portion. Two recess spaces are formed, and a pair of piezoelectric vibration element mounting pads provided on one main surface of the substrate portion exposed in the first recess space and exposed in the second recess space A container body having a plurality of integrated circuit element mounting pads provided on the other main surface of the substrate portion;
A piezoelectric vibration element mounted on the piezoelectric vibration element mounting pad and provided with an excitation electrode;
An integrated circuit element having a terminal corresponding to the integrated circuit element mounting pad and mounted on the integrated circuit element mounting pad;
A lid for hermetically sealing the first recessed space,
A via conductor connected to the integrated circuit element mounting pad close to a corner of the second recess space, and a first electrode film connected to the via conductor include the via electrode in the second recess space. A piezoelectric oscillator provided in the second frame portion.
前記第2の枠部の主面に前記ビア導体及び前記第1の電極膜と接続されている第2の電極膜が設けられていることを特徴とする請求項1記載の圧電発振器。   The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein a second electrode film connected to the via conductor and the first electrode film is provided on a main surface of the second frame portion. 前記第2の枠部の主面に露出する前記ビア導体及び前記第2の電極膜を覆う保護膜を備えていることを特徴とする請求項1及び請求項2記載の圧電発振器。   3. The piezoelectric oscillator according to claim 1, further comprising a protective film that covers the via conductor exposed on the main surface of the second frame portion and the second electrode film.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209691A (en) * 2011-03-29 2012-10-25 Seiko Instruments Inc Electronic component package
JP2013102315A (en) * 2011-11-08 2013-05-23 Seiko Epson Corp Piezoelectric device and electronic apparatus
JP2016072645A (en) * 2014-09-26 2016-05-09 京セラクリスタルデバイス株式会社 Crystal oscillator

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006191517A (en) * 2004-12-07 2006-07-20 Seiko Epson Corp Temperature compensated piezoelectric oscillator
JP2007157784A (en) * 2005-11-30 2007-06-21 Kyocera Kinseki Corp Electronic part
JP2007157785A (en) * 2005-11-30 2007-06-21 Kyocera Kinseki Corp Electronic component
JP2008154114A (en) * 2006-12-19 2008-07-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator for surface mounting

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006191517A (en) * 2004-12-07 2006-07-20 Seiko Epson Corp Temperature compensated piezoelectric oscillator
JP2007157784A (en) * 2005-11-30 2007-06-21 Kyocera Kinseki Corp Electronic part
JP2007157785A (en) * 2005-11-30 2007-06-21 Kyocera Kinseki Corp Electronic component
JP2008154114A (en) * 2006-12-19 2008-07-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator for surface mounting

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209691A (en) * 2011-03-29 2012-10-25 Seiko Instruments Inc Electronic component package
JP2013102315A (en) * 2011-11-08 2013-05-23 Seiko Epson Corp Piezoelectric device and electronic apparatus
JP2016072645A (en) * 2014-09-26 2016-05-09 京セラクリスタルデバイス株式会社 Crystal oscillator

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