JP2010011267A - Piezoelectric oscillator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子機器等に用いられる圧電発振器に関するものである。 The present invention relates to a piezoelectric oscillator used in an electronic device or the like.
図5は、従来の圧電発振器を示す断面図である。
図5に示すように、従来の圧電発振器200は、その例として容器体201、圧電振動素子207、集積回路素子209、蓋体208とから主に構成されている。
容器体201は、基板部201aとシールリング201bと枠部201cで構成されている。
この容器体201は、前記基板部201aの一方の主面に前記シールリング201bが設けられて第1の凹部空間202が形成され、前記基板部201aの他方主面に前記枠部201cが設けられて第2の凹部空間204が形成される。
第1の凹部空間202内に露出する基板部201aの一方の主面には、一対の圧電振動素子搭載パッド203が設けられている。
また、第2の凹部空間204内に露出する基板部201aの他方の主面には、集積回路素子搭載パッド205が設けられている。
この圧電振動素子搭載パッド203上には、導電性接着剤206を介して電気的に接続される一対の励振用電極を表裏主面に有した圧電振動素子207が搭載されている。この圧電振動素子207を囲繞する容器体201のシールリング201bの頂面には金属製の蓋体208を被せられ、接合されている。これにより第1の凹部空間202が気密封止されている。
また、集積回路素子搭載パッド205上には、半田等の導電性接合材を介して接続される集積回路素子209が搭載されている。
集積回路素子209は、可変容量素子に周囲温度に応じた制御電圧を印加して温度変化による発振回路の発振周波数の変動を補償するため、3次関数発生回路及び記憶素子部により温度補償回路部が設けられており、3次関数発生回路には、温度センサが接続されている。この温度センサは、検出した温度と、温度センサに印加させる電圧値とに基づいて生成される温度データ信号(電圧値)が3次関数発生回路に出力される構成となっている。このような圧電発振器200が知られている(例えば、特許文献1を参照)。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional piezoelectric oscillator.
As shown in FIG. 5, the conventional
The
In the
A pair of piezoelectric vibration
An integrated circuit
On the piezoelectric vibration
On the integrated circuit
The
しかしながら、従来の圧電発振器200においては、熱を印加しても、シールリングから熱が発散し、容器体201の熱伝導が悪くなることがある。
また、前記容器体201の第1の凹部空間202の容量が大きいため、集積回路素子209に内蔵されている温度センサが感知する温度と、実際の圧電振動素子207の周囲の温度が異なることがある。これらにより、従来の圧電発振器200は、ヒステリシス特性が悪くなるといった課題があった。
また、圧電振動素子207が前記容器体201の第1の凹部空間202内に露出する基板部201aの主面や蓋体208に接触しない程度の空間が必要である。しかし、この第1の凹部空間202を小さくするように、前記容器体201のシールリング201bの厚みを薄くすると、前記圧電振動素子207が前記容器体201の前記第1の凹部空間202内に露出する前記基板部201aの主面や蓋体208に接触することで圧電発振器200の発振周波数が変動してしまうといった課題もあった。
However, in the conventional
Further, since the capacity of the
In addition, a space is required such that the
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ヒステリシス特性が良く、発振周波数が変動しない圧電発振器を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a piezoelectric oscillator that has good hysteresis characteristics and does not vary in oscillation frequency.
本発明の圧電発振器は、基板部と、この基板部の一方の主面に設けられるシールリングと、基板部の他方の主面に設けられる枠部とからなる容器体と、基板部とシールリングとで形成される第1の凹部空間内に露出した基板部の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、基板部と枠部とで形成される第2の凹部空間内に露出した基板部の主面に設けられた集積回路素子搭載パッドに搭載されている集積回路素子と、第1の凹部空間を気密封止する蓋体とを備え、容器体の厚みをTとしたとき、シールリングの厚みが0.125T〜0.21Tであることを特徴とするものである。 A piezoelectric oscillator according to the present invention includes a container body including a substrate portion, a seal ring provided on one main surface of the substrate portion, and a frame portion provided on the other main surface of the substrate portion, and the substrate portion and the seal ring. And a piezoelectric vibration element mounted on a piezoelectric vibration element mounting pad provided on the main surface of the substrate portion exposed in the first recess space formed by the second recess portion, and a second portion formed by the substrate portion and the frame portion. An integrated circuit element mounted on an integrated circuit element mounting pad provided on the main surface of the substrate portion exposed in the recessed space of the substrate, and a lid for hermetically sealing the first recessed space, When the thickness is T, the thickness of the seal ring is 0.125T to 0.21T.
本発明の圧電発振器によれば、容器体の厚みをTとしたとき、シールリングの厚みが0.125T〜0.21Tであることによって、熱を印加しても、シールリングからの熱が発散を抑え、容器体の熱伝導が良くなる。また、容器体の第1の凹部空間の容量も従来より小さくなるため、集積回路素子に内蔵されている温度センサが感知する温度と、実際の圧電振動素子の周囲の温度が同じ値に近づくことになる。よって、圧電発振器のヒステリシス特性が良くすることが可能となる。
また、シールリングの厚みが0.125T〜0.21Tであることによって、圧電振動素子が、容器体の第1の凹部空間内に露出する基板部の主面や蓋体に接触することがなくなり、圧電発振器の発振周波数が変動することを防止することが可能となる。
According to the piezoelectric oscillator of the present invention, when the thickness of the container body is T, the thickness of the seal ring is 0.125T to 0.21T. And the heat conduction of the container body is improved. Further, since the capacity of the first recess space of the container body is also smaller than before, the temperature sensed by the temperature sensor built in the integrated circuit element and the temperature around the actual piezoelectric vibration element approach the same value. become. Therefore, the hysteresis characteristic of the piezoelectric oscillator can be improved.
In addition, since the thickness of the seal ring is 0.125T to 0.21T, the piezoelectric vibration element does not come into contact with the main surface of the substrate portion or the lid exposed in the first recessed space of the container body. It is possible to prevent the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator from fluctuating.
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る圧電発振器を示す分解斜視図である。図2は、図1のA−A断面図である。また、図示した寸法も一部誇張して示している。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. A case where quartz is used for the piezoelectric vibration element will be described.
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a piezoelectric oscillator according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. In addition, the illustrated dimensions are partially exaggerated.
図1及び図2に示すように、本発明の実施形態に係る圧電発振器100は、容器体10と圧電振動素子20と蓋体30と集積回路素子50で主に構成されている。この圧電発振器100は、前記容器体10に形成されている第1の凹部空間11内に圧電振動素子20が搭載され、第2の凹部空間14内には、集積回路素子50が搭載されている。その第1の凹部空間11が蓋体30により気密封止された構造となっている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
圧電振動素子20は、図1及び図2に示すように、水晶素板21に励振用電極22を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極22を介して水晶素板21に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
水晶素板21は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。
励振用電極22は、前記水晶素板21の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
このような圧電振動素子20は、その両主面に被着されている励振用電極22から延出する引き出し電極と第1の凹部空間11内底面に形成されている圧電振動素子搭載パッド13とを、導電性接着剤40を介して電気的且つ機械的に接続することによって第1の凹部空間11に搭載される。このときの引き出し電極が設けられた一辺とは反対側の自由端となる端辺を圧電振動素子20の先端部23とする。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
The
The
Such a
集積回路素子50は、図1及び図2に示すように、回路形成面に前記圧電振動素子20からの発振出力を生成する発振回路等が設けられており、この発振回路で生成された出力信号は外部接続用電極端子19を介して圧電発振器100の外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。
また、集積回路素子50には、可変容量素子に周囲温度に応じた制御電圧を印加して温度変化による発振回路の発振周波数の変動を補償するため、3次関数発生回路及び記憶素子部により温度補償回路部が設けられており、3次関数発生回路には、温度センサが接続されている。
この温度センサは、検出した温度と、温度センサに印加させる電圧値とに基づいて生成される温度データ信号(電圧値)が3次関数発生回路に出力される構成となっている。
集積回路素子50は、容器体10の第2の凹部空間14内に露出した基板部10aに形成された集積回路素子搭載パッド15に半田等の導電性接合材を介して搭載されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
In addition, the
This temperature sensor is configured to output a temperature data signal (voltage value) generated based on the detected temperature and a voltage value applied to the temperature sensor to a cubic function generation circuit.
The
図1及び図2に示すように、容器体10は、基板部10aと、シールリング10b、枠部10cとで主に構成されている。
この容器体10は、基板部10aの一方の主面にシールリング10bが設けられて、第1の凹部空間11が形成されている。また、容器体10の他方の主面に枠部10cが設けられて、第2の凹部空間14が形成されている。
尚、この容器体10を構成する基板部10a及び枠部10cは、例えばアルミナセラミックス、ガラス−セラミック等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。
シールリング10bは、42アロイやコバール等の金属から成り、中心が打ち抜かれた枠状になっている。
また、シールリング10bは、基板部10aの一方の主面の外周を囲繞するように設けられた封止用導体膜12上にロウ付けなどにより接続される。
第1の凹部空間11内で露出した基板部10aの一方の主面には、2個一対の圧電振動素子搭載パッド13a、13bが設けられている。
また、図1及び図2に示すように容器体10は、基板部10aの他方の主面と枠部10cによって第2の凹部空間14が形成されている。
第2の凹部空間14内で露出した基板部10aの他方の主面には、集積回路素子搭載パッド15が設けられている。
As shown in FIG.1 and FIG.2, the
The
In addition, the board |
The
The
Two pairs of piezoelectric vibration
Moreover, as shown in FIG.1 and FIG.2, the
An integrated circuit
前記容器体10の枠部10cの圧電振動素子搭載パッド13が設けられている面とは反対側の主面の4隅には、外部接続用電極端子19が設けられている。
集積回路素子搭載パッド15と外部接続用電極端子19は、前記容器体10の第2の凹部空間14内の基板部10aに形成された部分を有する配線パターン(図示せず)と枠部10cの内部に形成されたビア導体(図示せず)により接続されている。
External
The integrated circuit
2個一対の圧電振動素子測定用パッド16a、16bは、容器体10の第2の凹部空間14内の露出した基板部10aに設けられており、基板部10aのほぼ中心に設けられている。
前記圧電振動素子測定用パッド16a、16bは、容器体10の第1の凹部空間11に搭載されている圧電振動素子20の発振周波数やクリスタルインピーダンス等の特性を測定するために用いられる。
The two pairs of piezoelectric vibration
The piezoelectric vibration
蓋体30は、例えば、Fe−Ni合金(42アロイ)やFe−Ni−Co合金(コバール)などからなる。このような蓋体30は、第1の凹部空間11を、窒素ガスや真空などで気密的に封止される。具体的には、蓋体30は、所定雰囲気で、容器体10のシールリング10b上に載置され、シールリング10bの表面の金属と蓋体30の金属の一部とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、シールリング10bに接合される。
The
前記導電性接着剤40は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ニッケル鉄(NiFe)、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。
The conductive adhesive 40 contains conductive powder as a conductive filler in a binder such as a silicone resin. As the conductive powder, aluminum (Al), molybdenum (Mo), tungsten (W ), Platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), titanium (Ti), nickel (Ni), nickel iron (NiFe), or a combination thereof is used. .
尚、前記容器体10は、アルミナセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面に、封止用導体膜12、圧電振動素子搭載パッド13、外部接続用電極端子14等となる導体ペーストを、また、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内にビア導体となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することにより製作される。
When the
図2に示すように、容器体10の厚みTは、容器体10を構成する基板部10aとシールリング10bと枠部10cを合わせた高さ方向の長さのことである。
また、前記容器体10の厚みをTとした場合の前記容器体10のシールリング10bの厚みSが、0.125T〜0.21Tとなっている。
前記シールリング10bの厚みSが0.21Tより大きい場合は、シールリングからの熱発散のため、前記容器体10の熱伝導が悪くなり、また、容器体10の第1の凹部空間11の容量も大きくなるため、前記集積回路素子50に内蔵されている温度センサが感知する温度と、前記圧電振動素子20の周囲の温度が異なることになる。これらにより、圧電発振器のヒステリシス特性が悪くなってしまう。
前記シールリング10bの厚みSが0.125T未満の場合は、容器体10の第1の凹部空間11内の間隔が狭くなり、圧電振動素子20の先端部23が前記容器体10の第1の凹部空間11内の露出した主面や蓋体30に接触してしまうことで、圧電発振器100の発振周波数が変動してしまう。
つまり、容器体10のシールリング10bの厚みSが、0.125T〜0.21Tとすることで、圧電振動素子20の先端部23が前記容器体10の第1の凹部空間11内の露出した主面や蓋体30に接触しない程度に容器体10の第1の凹部空間の容量を小さくでき、容器体の熱伝導を良くすることができるので、ヒステリシス特性が良く、圧電発振器100の発振周波数の変動を防止することが可能となる。
As shown in FIG. 2, the thickness T of the
Further, when the thickness of the
If the thickness S of the
When the thickness S of the
That is, when the thickness S of the
(実施例)
本発明の圧電発振器と従来の圧電発振器について実施例を以下に示す。
図3は、本発明の圧電発振器と従来の圧電発振器のヒステリシス値を示す確率分布図である。図4は、本発明の圧電発振器のヒステリシス特性を示す図である。図6は、従来の圧電発振器のヒステリシス特性を示す図である。
実施例として、図1及び図2に示す本発明の圧電発振器100の構造に従って、圧電発振器100の容器体10の厚みTを0.7mm、シールリング10bの厚みSを、0.125mmとした。つまり、圧電発振器100の容器体10の厚みをTとした場合に、シールリング10bの厚みSが、0.178Tとなっている。
(Example)
Examples of the piezoelectric oscillator of the present invention and the conventional piezoelectric oscillator are shown below.
FIG. 3 is a probability distribution diagram showing hysteresis values of the piezoelectric oscillator of the present invention and the conventional piezoelectric oscillator. FIG. 4 is a diagram showing hysteresis characteristics of the piezoelectric oscillator of the present invention. FIG. 6 is a diagram showing hysteresis characteristics of a conventional piezoelectric oscillator.
As an example, according to the structure of the
また、比較例として、図5に示す従来の圧電発振器200の構造に従って、圧電発振器200の容器体201の厚みTを0.7mm、シールリング201bの厚みSを、0.155mmとした。つまり、容器体201の厚みをTとした場合に、シールリング201bの厚みSが、0.221Tとなっている。
As a comparative example, according to the structure of the conventional
尚、今回作製した本発明の圧電発振器100と従来の圧電発振器200の基準発振周波数は、19.2MHzとした。
The reference oscillation frequency of the
まず、本発明の圧電発振器100と従来の圧電発振器200をセラミックヒータ上に置き、赤外線サーモヒータにて測定をした。
この結果として、従来の圧電発振器200は約109℃を示し、本発明の圧電発振器100は、約112℃を示した。よって、本発明の圧電発振器100は、約3℃ほど熱伝導が良いことが確認できた。
First, the
As a result, the conventional
次に、本発明の圧電発振器100と従来の圧電発振器200の発振周波数を測定した。
測定方法は、まず、本発明の圧電発振器100と従来の圧電発振器200の−25℃から85℃までの間隔において、1℃ステップで発振周波数fsを測定し、次に85℃から−25℃まで間隔において、1℃ステップで発振周波数fsを測定する。測定した発振周波数fsと圧電発振器の基準発振周波数f0を計算式(1)に代入し、周波数偏差(df/f)を算出した。
df/f=(fs−f0)/f0・・・(1)
その後、−25℃から上昇させた時の25℃の周波数偏差と、高温である85℃から下降させた時の25℃の周波数偏差(df/f)を算出し、それぞれの周波数偏差の差をヒステリシス値として算出した。
次に、本発明の圧電発振器100と従来の圧電発振器200を30個ずつ作製し、25℃のヒステリシス値を算出した。
Next, the oscillation frequencies of the
In the measurement method, first, the oscillation frequency fs is measured in steps of 1 ° C. in the interval from −25 ° C. to 85 ° C. of the
df / f = (fs−f 0 ) / f 0 (1)
Thereafter, a frequency deviation of 25 ° C. when the temperature is raised from −25 ° C. and a frequency deviation (df / f) of 25 ° C. when the temperature is lowered from 85 ° C., which is a high temperature, are calculated, and the difference between the frequency deviations is calculated. It was calculated as a hysteresis value.
Next, 30
この結果として、図4に示すように、本発明の圧電発振器100では、ヒステリシス値は、−0.1ppmであった。
また、図6に示すように、従来の圧電発振器200では、ヒステリシス値は、−0.8ppmであった。
また、図3に示すように、本発明の圧電発振器100と従来の圧電発振器200のヒステリシス値の確率分布図をみても本発明の圧電発振器100のヒステリシス値が良くなっていることがわかる。
つまり、本発明の圧電発振器100の前記容器体10のシールリング10bの厚みSが、0.21Tより小さくなると、ヒステリシス特性が良くなることがわかる。よって、本発明の圧電発振器100では、容器体10のシールリング10bの厚みSが、0.125T〜0.21Tとすることで、ヒステリシス特性が良く、発振周波数の変動を防止することが可能となる。
As a result, as shown in FIG. 4, in the
Moreover, as shown in FIG. 6, in the conventional
Further, as shown in FIG. 3, it can be seen that the hysteresis value of the
That is, it can be seen that when the thickness S of the
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
例えば、前記した本実施形態では、圧電振動素子20を構成する圧電素材として水晶を用いた場合を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.
For example, in the above-described embodiment, the case where quartz is used as the piezoelectric material constituting the
10・・・容器体
10a、・・・基板部
10b・・・シールリング
10c・・・枠部
11・・・第1の凹部空間
12・・・封止用導体膜
13a、13b・・・圧電振動素子搭載パッド
14・・・第2の凹部空間
15・・・集積回路素子搭載パッド
16a、16b・・・圧電振動素子測定用パッド
19・・・外部接続用電極端子
20・・・圧電振動素子
21・・・水晶素板
22・・・励振用電極
30・・・蓋体
31・・・封止部材
40・・・導電性接着剤
50・・・集積回路素子
100・・・圧電発振器
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記基板部と前記シールリングとで形成される第1の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、
前記基板部と前記枠部とで形成される第2の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられた集積回路素子搭載パッドに搭載されている集積回路素子と、
前記第1の凹部空間を気密封止する蓋体とを備え、
前記容器体の厚みをTとしたとき、前記シールリングの厚みが0.125T〜0.21Tであることを特徴とする圧電発振器。 A container body comprising a substrate portion, a seal ring provided on one main surface of the substrate portion, and a frame portion provided on the other main surface of the substrate portion;
A piezoelectric vibration element mounted on a piezoelectric vibration element mounting pad provided on a main surface of the substrate part exposed in a first recess space formed by the substrate part and the seal ring;
An integrated circuit element mounted on an integrated circuit element mounting pad provided on a main surface of the substrate part exposed in a second recess space formed by the substrate part and the frame part;
A lid for hermetically sealing the first recess space;
The thickness of the said container body is set to T, The thickness of the said seal ring is 0.125T-0.21T, The piezoelectric oscillator characterized by the above-mentioned.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012142691A (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Kyocera Crystal Device Corp | Piezoelectric device |
JP2016032243A (en) * | 2014-07-30 | 2016-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | Vibration device, electronic apparatus and mobile body |
JP2020088633A (en) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 京セラ株式会社 | Piezoelectric device and electronic apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000077942A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Kyocera Corp | Surface mounting type quartz oscillator |
-
2008
- 2008-06-30 JP JP2008170063A patent/JP2010011267A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000077942A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Kyocera Corp | Surface mounting type quartz oscillator |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012142691A (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Kyocera Crystal Device Corp | Piezoelectric device |
JP2016032243A (en) * | 2014-07-30 | 2016-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | Vibration device, electronic apparatus and mobile body |
JP2020088633A (en) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 京セラ株式会社 | Piezoelectric device and electronic apparatus |
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