JP2010258947A - Piezoelectric device - Google Patents

Piezoelectric device Download PDF

Info

Publication number
JP2010258947A
JP2010258947A JP2009108976A JP2009108976A JP2010258947A JP 2010258947 A JP2010258947 A JP 2010258947A JP 2009108976 A JP2009108976 A JP 2009108976A JP 2009108976 A JP2009108976 A JP 2009108976A JP 2010258947 A JP2010258947 A JP 2010258947A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
piezoelectric vibration
vibration element
element mounting
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009108976A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Manabu Matsumoto
学 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Crystal Device Corp
Original Assignee
Kyocera Crystal Device Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Crystal Device Corp filed Critical Kyocera Crystal Device Corp
Priority to JP2009108976A priority Critical patent/JP2010258947A/en
Publication of JP2010258947A publication Critical patent/JP2010258947A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device for preventing variation in oscillation frequency. <P>SOLUTION: A piezoelectric device includes a piezoelectric vibrating element, an element mounting member and a cover member. In the piezoelectric vibrating element, an exciting electrode is attached and formed on a rectangular piezoelectric blank, and a lead-out electrode is formed to be positioned diagonal to the rectangular piezoelectric blank from the exciting electrode. In the element mounting member, a pair of two mounting parts is provided at a position facing the lead-out electrode in the piezoelectric vibrating element, and a pair of two piezoelectric vibrating element mounting pads is provided in the pair of two mounting parts. The cover member air-tightly seals the piezoelectric vibrating element. In each of the piezoelectric vibrating element mounting pads, a first metal layer and a second metal layer are laminated and integrated, and a thickness of the first metal layer is 30 to 100 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子機器等に用いられる圧電デバイスに関する。   The present invention relates to a piezoelectric device used in electronic equipment and the like.

図9は、従来の圧電デバイスを示す分解斜視図である。図10は、図9のE−E断面図である。図9及び図10に示すように、従来の圧電デバイス300は、凹部空間311を有する素子搭載部材310と圧電振動素子320と集積回路素子340と蓋部材330とから主に構成されている。
前記素子搭載部材310は、基板部310aと第1の枠部310bと第2の枠部310cで構成されている。
FIG. 9 is an exploded perspective view showing a conventional piezoelectric device. 10 is a cross-sectional view taken along line EE in FIG. As shown in FIGS. 9 and 10, the conventional piezoelectric device 300 mainly includes an element mounting member 310 having a recessed space 311, a piezoelectric vibration element 320, an integrated circuit element 340, and a lid member 330.
The element mounting member 310 includes a substrate part 310a, a first frame part 310b, and a second frame part 310c.

この素子搭載部材310は、基板部310aの一方の主面に第1の枠部310b、第2の枠部310cの順に設けられて平面視して四角形状の凹部空間311が形成される。また、前記凹部空間311内には前記凹部空間311内底面より高い位置に2個一対の搭載部313が設けられている。
また、2個一対の搭載部313は、凹部空間311の開口面に対して対角となる位置に設けられている。その搭載部313には、圧電振動素子搭載パッド314がそれぞれに設けられている。
The element mounting member 310 is provided in the order of the first frame portion 310b and the second frame portion 310c on one main surface of the substrate portion 310a, and a rectangular recess space 311 is formed in plan view. In the recess space 311, two pairs of mounting portions 313 are provided at a position higher than the inner bottom surface of the recess space 311.
Further, the two mounting portions 313 are provided at positions that are diagonal to the opening surface of the recessed space 311. Each mounting portion 313 is provided with a piezoelectric vibration element mounting pad 314.

圧電振動素子320は、四角形の水晶素板321に励振用電極322を被着形成し、その励振用電極322から両短辺に向かってそれぞれ延出するようにして対角に位置するように引き出し電極323が形成されている。
励振用電極322は、前記水晶素板321の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
引き出し電極323は、前記水晶素板321の両主面に被着されている前記励振用電極322から両短辺に向かってそれぞれ延出するようにして対角に位置するように設けられている。
このような圧電振動素子320は、前記引き出し電極323と後述する凹部空間311内の搭載部313に形成されている後述する圧電振動素子搭載パッド314とを、導電性接着剤DSを介して電気的且つ機械的に接続することによって凹部空間311に搭載される。
The piezoelectric vibration element 320 is formed such that an excitation electrode 322 is formed on a quadrangular crystal base plate 321 and extended from the excitation electrode 322 toward both short sides so as to be diagonally positioned. An electrode 323 is formed.
The excitation electrode 322 is formed by depositing and forming metal in a predetermined pattern on both the front and back main surfaces of the crystal base plate 321.
The lead electrodes 323 are provided so as to be located diagonally so as to extend from the excitation electrodes 322 attached to both main surfaces of the crystal base plate 321 toward both short sides, respectively. .
Such a piezoelectric vibration element 320 electrically connects the extraction electrode 323 and a piezoelectric vibration element mounting pad 314 described later formed in a mounting portion 313 in a concave space 311 described later via a conductive adhesive DS. And it mounts in the recessed space 311 by connecting mechanically.

前記集積回路素子340は、前記素子搭載部材310の凹部空間311内底面に形成された集積回路素子搭載パッド315上に搭載されている。
前記蓋部材330は、前記素子搭載部材310の凹部空間311上に載置し、前記蓋部材330の封止部材331と前記素子搭載部材310の封止用導体パターン312とを接合することにより、凹部空間311内を気密封止する。
前記素子搭載部材310の他方の主面の4隅には、外部接続用電極端子316である電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子が設けられている。
また、圧電デバイス300において、2個一対の搭載部313が凹部空間311内底面の隅部に対角に位置するように設けられている構造が知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、圧電振動素子搭載パッド314は、タングステン(W)またはモリブデン(Mo)からなる第1の金属層と金(Au)またはニッケル(Ni)からなる第2の金属層を積層することで構成されている。
The integrated circuit element 340 is mounted on an integrated circuit element mounting pad 315 formed on the inner bottom surface of the recessed space 311 of the element mounting member 310.
The lid member 330 is placed on the recessed space 311 of the element mounting member 310, and the sealing member 331 of the lid member 330 and the sealing conductor pattern 312 of the element mounting member 310 are joined, The inside of the recessed space 311 is hermetically sealed.
Power supply voltage terminals, ground terminals, oscillation output terminals, and oscillation control terminals which are external connection electrode terminals 316 are provided at the four corners of the other main surface of the element mounting member 310.
Further, in the piezoelectric device 300, there is known a structure in which two pairs of mounting portions 313 are provided so as to be positioned diagonally at corners of the inner bottom surface of the recessed space 311 (for example, see Patent Document 1).
The piezoelectric vibration element mounting pad 314 is configured by laminating a first metal layer made of tungsten (W) or molybdenum (Mo) and a second metal layer made of gold (Au) or nickel (Ni). ing.

特開2001−77652号公報JP 2001-77652 A

しかしながら、従来の圧電デバイス300のように、圧電振動素子320を搭載する際に、圧電振動素子320の引き出し電極323と搭載部313の圧電振動素子搭載パッド314が接合している箇所を軸として傾く場合がある。このような場合、圧電振動素子320の接合されていない箇所の角が、素子搭載部材310の凹部空間311内底面に接触し、圧電振動素子320の振動が阻害されることになる。このため、従来の圧電デバイス300は、発振周波数が変動してしまう課題があった。   However, like the conventional piezoelectric device 300, when the piezoelectric vibration element 320 is mounted, the piezoelectric vibration element 320 is inclined with the position where the extraction electrode 323 of the piezoelectric vibration element 320 and the piezoelectric vibration element mounting pad 314 of the mounting portion 313 are joined as an axis. There is a case. In such a case, the corner of the part where the piezoelectric vibration element 320 is not joined contacts the bottom surface of the recess space 311 of the element mounting member 310, and the vibration of the piezoelectric vibration element 320 is inhibited. For this reason, the conventional piezoelectric device 300 has a problem that the oscillation frequency fluctuates.

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、発振周波数が変動することを防ぐ圧電デバイスを提供することを課題とする。   This invention is made | formed in view of the said subject, and makes it a subject to provide the piezoelectric device which prevents that an oscillation frequency fluctuates.

本発明の圧電デバイスは、四角形の圧電素板に励振用電極を被着形成し、その励振用電極から四角形の圧電素板に対して対角に位置するように引き出し電極が形成されている圧電振動素子と、圧電振動素子の引き出し電極に対向する位置に2個一対の搭載部が設けられ、2個一対の搭載部にそれぞれ2個一対の圧電振動素子搭載パッドが設けられている素子搭載部材と、圧電振動素子を気密封止する蓋部材と、を備え、圧電振動素子搭載パッドは、第1の金属層と第2の金属層とを積層して一体で設けられ、第1の金属層の厚みが30μm〜100μmであることを特徴とするものである。   The piezoelectric device of the present invention is a piezoelectric device in which an excitation electrode is formed on a rectangular piezoelectric element plate, and a lead electrode is formed so as to be diagonally positioned with respect to the rectangular piezoelectric element plate from the excitation electrode. An element mounting member in which two pairs of mounting portions are provided at positions opposed to the vibration element and the extraction electrode of the piezoelectric vibration element, and two pairs of piezoelectric vibration element mounting pads are provided in the two pairs of mounting portions, respectively. And a lid member for hermetically sealing the piezoelectric vibration element, and the piezoelectric vibration element mounting pad is integrally provided by laminating the first metal layer and the second metal layer, and the first metal layer The thickness is 30 μm to 100 μm.

また、素子搭載部材に少なくとも発振回路を備えた集積回路素子を備え、集積回路素子と圧電振動素子とが電気的に接続された状態となっていることを特徴とするものである。   Further, the element mounting member includes at least an integrated circuit element including an oscillation circuit, and the integrated circuit element and the piezoelectric vibration element are in an electrically connected state.

本発明の圧電デバイスによれば、搭載部に設けられている圧電振動素子搭載パッドは、第1の金属層と第2の金属層とを積層して一体で設けられ、第1の金属層の厚みが30μm〜100μmであることによって、圧電振動素子を搭載する際に、圧電振動素子の引き出し電極と搭載部の圧電振動素子搭載パッドが接合している箇所を軸として傾いても、圧電振動素子搭載パッドの第1の金属層の厚みが確保されているので、圧電振動素子の接合されていない箇所の角が素子搭載部材の凹部空間内底面に接触することがなくなる。よって、圧電振動素子の振動が阻害されないため、圧電デバイスの発振周波数が変動することを防ぐことができる。   According to the piezoelectric device of the present invention, the piezoelectric vibration element mounting pad provided in the mounting portion is integrally provided by stacking the first metal layer and the second metal layer. When the piezoelectric vibration element is mounted, even if the thickness is 30 μm to 100 μm, even if the piezoelectric vibration element is tilted about the position where the lead electrode of the piezoelectric vibration element and the piezoelectric vibration element mounting pad of the mounting portion are joined, the piezoelectric vibration element Since the thickness of the first metal layer of the mounting pad is secured, the corner of the portion where the piezoelectric vibration element is not joined does not contact the bottom surface in the recess space of the element mounting member. Therefore, since the vibration of the piezoelectric vibration element is not inhibited, it is possible to prevent the oscillation frequency of the piezoelectric device from fluctuating.

本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスの一例を示す分解斜視図である。1 is an exploded perspective view showing an example of a piezoelectric device according to a first embodiment of the present invention. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図1のB−B断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材の圧電振動素子搭載パッドを示す概略図である。It is the schematic which shows the piezoelectric vibration element mounting pad of the element mounting member which comprises the piezoelectric device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスにおける圧電振動素子搭載パッドの第1の金属層の厚みと圧電デバイスの発振周波数変動の歩留まりの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the thickness of the 1st metal layer of the piezoelectric vibration element mounting pad in the piezoelectric device which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and the yield of the oscillation frequency fluctuation | variation of a piezoelectric device. 本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスの一例を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows an example of the piezoelectric device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図6のC−C断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 図6のD−D断面図である。It is DD sectional drawing of FIG. 従来の圧電デバイスを示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the conventional piezoelectric device. 図9のE−E断面図である。It is EE sectional drawing of FIG.

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。また、図示した寸法も一部誇張して示している。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. A case where quartz is used for the piezoelectric vibration element will be described. In addition, the illustrated dimensions are partially exaggerated.

(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスを示す分解斜視図である。図2は、図1のA−A断面図である。図3は、図1のB−B断面図である。図4は、本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材の圧電振動素子搭載パッドを示す概略図である。図5は、本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスにおける圧電振動素子搭載パッドの第1の金属層の厚みと圧電デバイスの発振周波数変動の歩留まりの関係を示すグラフである。
(First embodiment)
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a piezoelectric device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. FIG. 4 is a schematic view showing a piezoelectric vibration element mounting pad of an element mounting member constituting the piezoelectric device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a graph showing the relationship between the thickness of the first metal layer of the piezoelectric vibration element mounting pad and the yield of fluctuation in the oscillation frequency of the piezoelectric device in the piezoelectric device according to the first embodiment of the present invention.

本実施形態において、圧電デバイスの一例として、圧電振動子について説明する。
図1〜図3に示すように、本発明の第1の実施形態に係る圧電振動子100は、素子搭載部材110と圧電振動素子120と蓋部材130で主に構成されている。この圧電振動子100は、前記素子搭載部材110に形成されている凹部空間111内底面の隅部に対角に位置するように設けられている搭載部113が設けられる。前記搭載部113に設けられた圧電振動素子搭載パッド114に圧電振動素子120が搭載され、その凹部空間111が蓋部材130により気密封止された構造となっている。
In the present embodiment, a piezoelectric vibrator will be described as an example of a piezoelectric device.
As shown in FIGS. 1 to 3, the piezoelectric vibrator 100 according to the first embodiment of the present invention mainly includes an element mounting member 110, a piezoelectric vibration element 120, and a lid member 130. The piezoelectric vibrator 100 is provided with a mounting portion 113 provided diagonally at the corner of the inner bottom surface of the recess space 111 formed in the element mounting member 110. The piezoelectric vibration element 120 is mounted on the piezoelectric vibration element mounting pad 114 provided in the mounting portion 113, and the recess space 111 is hermetically sealed by the lid member 130.

圧電振動素子120は、図1及び図2に示すように、水晶素板121に励振用電極122を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the piezoelectric vibration element 120 is formed by adhering an excitation electrode 122 to a crystal element plate 121, and an alternating voltage from the outside passes through the excitation electrode 122. When applied to 121, excitation occurs in a predetermined vibration mode and frequency.

水晶素板121は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。   The quartz base plate 121 is a substantially flat plate shape that is cut from an artificial crystalline lens at a predetermined cut angle and is subjected to outer shape processing, and has a planar shape of, for example, a quadrangle.

励振用電極122は、前記水晶素板121の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。   The excitation electrode 122 is formed by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on both the front and back main surfaces of the crystal base plate 121.

引き出し電極123は、前記水晶素板121の両主面に被着されている前記励振用電極122から両短辺に向かってそれぞれ延出するようにして対角に位置するように設けられている。   The lead electrodes 123 are provided so as to be diagonally positioned so as to extend from the excitation electrodes 122 attached to both main surfaces of the crystal base plate 121 toward both short sides. .

このような圧電振動素子120は、前記引き出し電極123と後述する凹部空間111内の搭載部113に形成されている後述する圧電振動素子搭載パッド114とを、導電性接着剤DSを介して電気的且つ機械的に接続することによって凹部空間111に搭載される。   Such a piezoelectric vibration element 120 electrically connects the extraction electrode 123 and a piezoelectric vibration element mounting pad 114 (described later) formed on a mounting portion 113 in a recess space 111 (described later) via a conductive adhesive DS. And it mounts in the recessed space 111 by connecting mechanically.

図1〜図3に示すように、素子搭載部材110は、基板部110a、第1の枠部110b、第2の枠部110cとで主に構成されている。
素子搭載部材110は、基板部110aの一方の主面に第1の枠部110bと第2の枠部110bが設けられて、四角形の凹部空間111が形成されている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the element mounting member 110 is mainly composed of a substrate part 110 a, a first frame part 110 b, and a second frame part 110 c.
The element mounting member 110 is provided with a first frame portion 110b and a second frame portion 110b on one main surface of the substrate portion 110a to form a rectangular recess space 111.

この素子搭載部材110は、例えば基板部110aの上に第1の枠部110b、第2の枠部110cの順に積層されており、前記第2の枠部110cが、前記第1の枠部110bの開口の幅よりも広くなるように形成されている。これにより、第1の枠部110bと第2の枠部110cによって、凹部空間111底面の隅部で対角に位置する2個一対の搭載部113が形成される。従って、2個一対の搭載部113は、前記第1の枠部110bの前記第1の凹部空間内側壁部と、第2の枠部110cの主面によって形成される。
つまり、2個一対の搭載部113は、凹部空間111の開口面に対して対角となる位置に設けられている。それぞれの搭載部113には、2個一対の圧電振動素子搭載パッド114が設けられている。
The element mounting member 110 is laminated, for example, in the order of a first frame portion 110b and a second frame portion 110c on a substrate portion 110a, and the second frame portion 110c is stacked on the first frame portion 110b. It is formed to be wider than the width of the opening. As a result, the first frame portion 110b and the second frame portion 110c form two pairs of mounting portions 113 positioned diagonally at the corners of the bottom surface of the recessed space 111. Therefore, the two pairs of mounting portions 113 are formed by the first recessed space inner side wall portion of the first frame portion 110b and the main surface of the second frame portion 110c.
That is, the two pairs of mounting portions 113 are provided at positions diagonal to the opening surface of the recessed space 111. Each mounting portion 113 is provided with two pairs of piezoelectric vibration element mounting pads 114.

尚、この素子搭載部材110を構成する基板部110a、第1の枠部110b、第2の枠部110cは、例えばアルミナセラミックス、ガラス−セラミック等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。また、基板部110aは、セラミック材が積層した構造となっている。   In addition, the board | substrate part 110a, the 1st frame part 110b, and the 2nd frame part 110c which comprise this element mounting member 110 are formed by laminating | stacking multiple ceramic materials, such as an alumina ceramic and glass-ceramic, for example. . The substrate unit 110a has a structure in which ceramic materials are stacked.

この素子搭載部材110の第2の枠部110cの主面には、環状の封止用導体パターン112が設けられている。
また、基板部110aの内層には、配線パターン(図示せず)等が設けられている。
素子搭載部材110の基板部110aの他方の主面には、外部接続用電極端子116が設けられ、前記外部接続用電極端子116は、例えば電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子として用いられる。
An annular sealing conductor pattern 112 is provided on the main surface of the second frame portion 110 c of the element mounting member 110.
In addition, a wiring pattern (not shown) or the like is provided in the inner layer of the substrate unit 110a.
An external connection electrode terminal 116 is provided on the other main surface of the substrate portion 110a of the element mounting member 110. The external connection electrode terminal 116 is, for example, a power supply voltage terminal, a ground terminal, an oscillation output terminal, an oscillation control terminal. Used as

図4に示すように、圧電振動素子搭載パッド114は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)等から成る第1の金属層114aの表面に、金メッキ等からなる第2の金属層114bを積層することで形成されている。   As shown in FIG. 4, the piezoelectric vibration element mounting pad 114 has a second metal layer 114b made of gold plating or the like laminated on the surface of the first metal layer 114a made of tungsten (W), molybdenum (Mo) or the like. It is formed by that.

圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みは、30μm〜100μmである。
圧電振動素子搭載パッド114の第2の金属層114bの厚みは、0.3μm〜0.5μmである。
The thickness of the first metal layer 114a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 is 30 μm to 100 μm.
The thickness of the second metal layer 114b of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 is 0.3 μm to 0.5 μm.

ここで、圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みが30μm未満の場合は、素子搭載部材110に搭載する際に、圧電振動素子120の引き出し電極123と搭載部113の圧電振動素子搭載パッド114が接合している箇所を軸として傾くと、圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みが確保されていないので、圧電振動素子120の接合していない角が素子搭載部材110の凹部空間111内底面に接触してしまう。よって圧電デバイス100の発振周波数が変動することになる。   Here, when the thickness of the first metal layer 114 a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 is less than 30 μm, the piezoelectric vibrations of the extraction electrode 123 of the piezoelectric vibration element 120 and the mounting portion 113 when mounted on the element mounting member 110. When the element mounting pad 114 is tilted around the bonding point, the thickness of the first metal layer 114a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 is not secured. The mounting member 110 comes into contact with the inner bottom surface of the recess space 111. Therefore, the oscillation frequency of the piezoelectric device 100 varies.

また、圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みが100μmより大きくした場合には、第1の金属層114aの平坦度が取れないため、圧電振動素子120が平行に搭載されない。よって、イオンガン(図示せず)による周波数調整時に、圧電振動素子120の励振用電極122を均等に除去することができないので、圧電デバイス100の発振周波数が変動することになる。
このように、圧電振動素子120は、導電性接着剤DSの硬化前のやわらかい状態で、傾くことで素子搭載部材110の凹部空間111内底面に接触することがあるが、圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みを規定したので傾いても、素子搭載部材110の凹部空間111内底面に接触しない。
Further, when the thickness of the first metal layer 114a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 is greater than 100 μm, the flatness of the first metal layer 114a cannot be obtained, and thus the piezoelectric vibration element 120 is not mounted in parallel. Therefore, when the frequency is adjusted by an ion gun (not shown), the excitation electrode 122 of the piezoelectric vibration element 120 cannot be uniformly removed, so that the oscillation frequency of the piezoelectric device 100 varies.
As described above, the piezoelectric vibration element 120 may come into contact with the inner bottom surface of the recess space 111 of the element mounting member 110 by being tilted in a soft state before the conductive adhesive DS is cured. Since the thickness of the first metal layer 114a is defined, even if it is inclined, it does not contact the bottom surface in the recessed space 111 of the element mounting member 110.

つまり、圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みを30μm〜100μmとすることで、圧電振動素子120の引き出し電極123と搭載部113の圧電振動素子搭載パッド114が接合している箇所を軸として傾いても、圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みが確保されているので、圧電振動素子120が素子搭載部材110の凹部空間111内底面に接触しない。よって、圧電デバイス100の発振周波数の変動を防ぐことができる。   That is, by setting the thickness of the first metal layer 114a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 to 30 μm to 100 μm, the extraction electrode 123 of the piezoelectric vibration element 120 and the piezoelectric vibration element mounting pad 114 of the mounting portion 113 are joined. Even when tilted about the location, since the thickness of the first metal layer 114 a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 is secured, the piezoelectric vibration element 120 does not contact the bottom surface of the recess space 111 of the element mounting member 110. Therefore, fluctuations in the oscillation frequency of the piezoelectric device 100 can be prevented.

前記封止用導体パターン112は、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、等から成る基層の表面にニッケル(Ni)層及び金(Au)層を順次、凹部空間111を環状に囲繞する形態で被着させることによって、10μm〜25μmの厚みに形成されている。   The sealing conductor pattern 112 surrounds the recess space 111 in an annular shape by sequentially placing a nickel (Ni) layer and a gold (Au) layer on the surface of a base layer made of, for example, tungsten (W), molybdenum (Mo), or the like. By making it adhere in a form, it is formed to a thickness of 10 μm to 25 μm.

蓋部材130は、例えば、Fe−Ni合金(42アロイ)やFe−Ni−Co合金(コバール)などからなる。このような蓋部材130は、凹部空間111を、窒素ガスや真空などで気密的に封止される。具体的には、蓋部材130は、窒素雰囲気中や真空雰囲気中で、素子搭載部材110の枠部110c上に載置され、枠部110cの封止用導体パターン112と蓋部材130の封止部材131とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、枠部110bに接合される。
封止部材131は、例えば、銀ロウ(Ag−Sn)、金錫(Au−Sn)によって形成される。
The lid member 130 is made of, for example, an Fe—Ni alloy (42 alloy), an Fe—Ni—Co alloy (Kovar), or the like. Such a lid member 130 hermetically seals the recessed space 111 with nitrogen gas or vacuum. Specifically, the lid member 130 is placed on the frame portion 110c of the element mounting member 110 in a nitrogen atmosphere or a vacuum atmosphere, and the sealing conductor pattern 112 of the frame portion 110c and the lid member 130 are sealed. The seam welding is performed by applying a predetermined current so that the member 131 is welded, so that the member 131 is joined to the frame portion 110b.
The sealing member 131 is made of, for example, silver solder (Ag—Sn) or gold tin (Au—Sn).

前記導電性接着剤DSは、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、例えばアルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ニッケル鉄(NiFe)、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。   The conductive adhesive DS contains a conductive powder as a conductive filler in a binder such as a silicone resin. Examples of the conductive powder include aluminum (Al), molybdenum (Mo), tungsten ( W), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), titanium (Ti), nickel (Ni), nickel iron (NiFe), or any combination thereof is used. Yes.

尚、前記素子搭載部材110は、アルミナセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面に、封止用導体パターン112、圧電振動素子搭載パッド114、外部接続用電極端子116等となる導体ペーストを、また、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内にビア導体となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することにより製作される。   When the element mounting member 110 is made of alumina ceramic, a sealing conductor pattern 112, piezoelectric vibration, and the like are formed on the surface of a ceramic green sheet obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent or the like to a predetermined ceramic material powder. Conventionally known is a conductor paste that becomes the element mounting pad 114, the electrode terminal 116 for external connection, and the like, and a conductor paste that becomes a via conductor in a through hole that has been punched in advance in the ceramic green sheet. It is manufactured by applying it by screen printing, laminating a plurality of these and press-molding them, followed by firing at a high temperature.

本発明の圧電デバイスによれば、搭載部113に設けられている圧電振動素子搭載パッド114は、第1の金属層114aと第2の金属層114bとを積層して一体で設けられ、第1の金属層114aの厚みが30μm〜100μmであることによって、圧電振動素子120を搭載する際に、圧電振動素子120の引き出し電極123と搭載部113の圧電振動素子搭載パッド114が接合している箇所を軸として傾いても、圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みが確保されているので、圧電振動素子120の接合されていない箇所の角が素子搭載部材110の凹部空間111内底面に接触することがなくなる。よって、圧電振動素子120の振動が阻害されないため、圧電デバイス100の発振周波数が変動することを防ぐことができる。
よって、圧電振動素子120の振動が阻害されないため、圧電デバイス100の発振周波数が変動することを防ぐことができる。
According to the piezoelectric device of the present invention, the piezoelectric vibration element mounting pad 114 provided in the mounting portion 113 is integrally provided by laminating the first metal layer 114a and the second metal layer 114b. Since the thickness of the metal layer 114a is 30 μm to 100 μm, when the piezoelectric vibration element 120 is mounted, the lead electrode 123 of the piezoelectric vibration element 120 and the piezoelectric vibration element mounting pad 114 of the mounting portion 113 are joined. Since the thickness of the first metal layer 114a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 is secured even when the piezoelectric vibration element 120 is inclined, the corner of the piezoelectric vibration element 120 where the piezoelectric vibration element 120 is not joined has a recess space 111 of the element mounting member 110. No contact with the inner bottom surface. Therefore, since the vibration of the piezoelectric vibration element 120 is not hindered, the oscillation frequency of the piezoelectric device 100 can be prevented from changing.
Therefore, since the vibration of the piezoelectric vibration element 120 is not hindered, the oscillation frequency of the piezoelectric device 100 can be prevented from changing.

図5に示すように、圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みが30μm未満の場合には、圧電振動素子120が素子搭載部材110の凹部空間111内底面に接触してしまったため、圧電デバイス100の発振周波数変動の歩留まりが低下していることが確認できる。つまり、図5に示すように圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みが30μmより小さくなると歩留まりが悪くなることが確認できる。
また、図5に示すように、圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みが100μmより大きい場合には、圧電振動素子120が平行に搭載されない。よって、イオンガン(図示せず)による周波数調整時に、圧電振動素子120の励振用電極122を均等に除去することができないので、圧電デバイス100の発振周波数変動の歩留まりが低下していることが確認できる。つまり、図5に示すように圧電振動素子搭載パッド114の第1の金属層114aの厚みが100μmより大きくなると歩留まりが悪くなることが確認できる。
As shown in FIG. 5, when the thickness of the first metal layer 114 a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 is less than 30 μm, the piezoelectric vibration element 120 comes into contact with the bottom surface of the recess space 111 of the element mounting member 110. Therefore, it can be confirmed that the yield of fluctuation in the oscillation frequency of the piezoelectric device 100 is reduced. That is, as shown in FIG. 5, it can be confirmed that the yield deteriorates when the thickness of the first metal layer 114a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 becomes smaller than 30 μm.
Further, as shown in FIG. 5, when the thickness of the first metal layer 114a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 is larger than 100 μm, the piezoelectric vibration elements 120 are not mounted in parallel. Therefore, since the excitation electrode 122 of the piezoelectric vibration element 120 cannot be uniformly removed during frequency adjustment by an ion gun (not shown), it can be confirmed that the yield of fluctuation in the oscillation frequency of the piezoelectric device 100 is reduced. . That is, as shown in FIG. 5, it can be confirmed that the yield deteriorates when the thickness of the first metal layer 114a of the piezoelectric vibration element mounting pad 114 is larger than 100 μm.

(第2の実施形態)
第2の実施形態は、圧電デバイスの一例である圧電発振器で説明する。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスを示す分解斜視図である。図7は、図6のC−C断面図である。図8は、図6のD−D断面図である。
本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイス200は、素子搭載部材210の凹部空間215内に搭載されている集積回路素子240を備えている点で第1の実施形態と異なる。
(Second Embodiment)
In the second embodiment, a piezoelectric oscillator which is an example of a piezoelectric device will be described.
FIG. 6 is an exploded perspective view showing a piezoelectric device according to the second embodiment of the present invention. 7 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG.
The piezoelectric device 200 according to the second embodiment of the present invention is different from the first embodiment in that it includes an integrated circuit element 240 mounted in the recessed space 215 of the element mounting member 210.

図6に示すように、本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器200は、素子搭載部材210と圧電振動素子120と蓋部材130と集積回路素子240で主に構成されている。この圧電発振器200は、前記素子搭載部材210に形成されている凹部空間211内に圧電振動素子120及び集積回路素子240が搭載されており、その凹部空間211が蓋部材130により気密封止された構造となっている。   As shown in FIG. 6, the piezoelectric oscillator 200 according to the second embodiment of the present invention mainly includes an element mounting member 210, a piezoelectric vibration element 120, a lid member 130, and an integrated circuit element 240. In this piezoelectric oscillator 200, the piezoelectric vibration element 120 and the integrated circuit element 240 are mounted in the recessed space 211 formed in the element mounting member 210, and the recessed space 211 is hermetically sealed by the lid member 130. It has a structure.

集積回路素子240は、図6〜図8に示すように、回路形成面に前記圧電振動素子120からの発振出力を生成する発振回路等が設けられており、この発振回路で生成された出力信号は外部接続用電極端子216を介して圧電発振器200の外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。
また、集積回路素子240には、可変容量素子に周囲温度に応じた制御電圧を印加して温度変化による発振回路の発振周波数の変動を補償するため、3次関数発生回路及び記憶素子部により温度補償回路部が設けられており、3次関数発生回路には、温度センサが接続されている。
As shown in FIGS. 6 to 8, the integrated circuit element 240 is provided with an oscillation circuit or the like for generating an oscillation output from the piezoelectric vibration element 120 on the circuit formation surface, and an output signal generated by the oscillation circuit. Is output to the outside of the piezoelectric oscillator 200 via the external connection electrode terminal 216 and used as a reference signal such as a clock signal, for example.
In addition, in the integrated circuit element 240, in order to compensate the fluctuation of the oscillation frequency of the oscillation circuit due to the temperature change by applying the control voltage according to the ambient temperature to the variable capacitance element, the temperature is generated by the cubic function generating circuit and the storage element unit. A compensation circuit unit is provided, and a temperature sensor is connected to the cubic function generation circuit.

この温度センサは、検出した温度と、温度センサに印加させる電圧値とに基づいて生成される温度データ信号(電圧値)が3次関数発生回路に出力される構成となっている。
集積回路素子240は、素子搭載部材210の凹部空間211内に露出した基板部210aに形成された集積回路素子搭載パッド215に半田等の導電性接合材(図示せず)を介して搭載されている。
This temperature sensor is configured to output a temperature data signal (voltage value) generated based on the detected temperature and a voltage value applied to the temperature sensor to a cubic function generation circuit.
The integrated circuit element 240 is mounted on an integrated circuit element mounting pad 215 formed on the substrate portion 210a exposed in the recessed space 211 of the element mounting member 210 via a conductive bonding material (not shown) such as solder. Yes.

図6〜図8に示すように、素子搭載部材210は、基板部210a、第1の枠部210b、第2の枠部210cとで主に構成されている。
この素子搭載部材210は、例えば基板部210aの上に第1の枠部210b、第2の枠部210cの順に積層されており、前記第2の枠部210cが、前記第1の枠部210bの開口の幅よりも狭くなるように形成されている。これにより、第1の枠部210bと第2の枠部210cによって、凹部空間211底面の隅部で対角に位置する2個一対の搭載部213が形成される。つまり、2個一対の搭載部213は、前記第1の枠部210bの前記第1の凹部空間内側壁部と、第2の枠部210cの主面によって形成される。
As shown in FIGS. 6-8, the element mounting member 210 is mainly comprised by the board | substrate part 210a, the 1st frame part 210b, and the 2nd frame part 210c.
The element mounting member 210 is laminated, for example, in the order of a first frame portion 210b and a second frame portion 210c on a substrate portion 210a, and the second frame portion 210c is stacked on the first frame portion 210b. It is formed to be narrower than the width of the opening. As a result, the first frame portion 210b and the second frame portion 210c form a pair of mounting portions 213 positioned diagonally at the corner of the bottom surface of the recessed space 211. That is, the two pairs of mounting portions 213 are formed by the first recessed space inner side wall portion of the first frame portion 210b and the main surface of the second frame portion 210c.

つまり、2個一対の搭載部213は、凹部空間211の開口面に対して対角となる位置に設けられている。その搭載部213には、2個一対の圧電振動素子搭載パッド214がそれぞれに設けられている。
尚、この素子搭載部材210を構成する基板部210a、第1の枠部210b、第2の枠部210cは、例えばアルミナセラミックス、ガラス−セラミック等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。また、基板部210aは、セラミック材が積層した構造となっている。
That is, the two pairs of mounting portions 213 are provided at positions that are diagonal to the opening surface of the recessed space 211. The mounting portion 213 is provided with two pairs of piezoelectric vibration element mounting pads 214.
The substrate portion 210a, the first frame portion 210b, and the second frame portion 210c constituting the element mounting member 210 are formed by laminating a plurality of ceramic materials such as alumina ceramics and glass-ceramics. . The substrate portion 210a has a structure in which ceramic materials are stacked.

この素子搭載部材210の第2の枠部210cの主面には、環状の封止用導体パターン212が設けられている。
また、凹部空間211内で露出した基板部210aの一方の主面には、集積回路素子搭載パッド215が設けられている。
基板部210aの内層には、配線パターン(図示せず)等が設けられている。
素子搭載部材210の基板部210aの他方の主面には、外部接続用電極端子216が設けられ、前記外部接続用電極端子216は、例えば電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子として用いられる。
An annular sealing conductor pattern 212 is provided on the main surface of the second frame portion 210 c of the element mounting member 210.
An integrated circuit element mounting pad 215 is provided on one main surface of the substrate part 210a exposed in the recessed space 211.
A wiring pattern (not shown) or the like is provided on the inner layer of the substrate unit 210a.
An external connection electrode terminal 216 is provided on the other main surface of the substrate portion 210a of the element mounting member 210. The external connection electrode terminal 216 includes, for example, a power supply voltage terminal, a ground terminal, an oscillation output terminal, and an oscillation control terminal. Used as

圧電振動素子搭載パッド214は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)等から成る第1の金属層の表面に、金メッキ等からなる第2の金属層を積層することで形成されている。
圧電振動素子搭載パッド214の第1の金属層の厚みは、30μm〜100μmである。
圧電振動素子搭載パッド214の第2の金属層の厚みは、0.3μm〜0.5μmである。
The piezoelectric vibration element mounting pad 214 is formed by laminating a second metal layer made of gold plating or the like on the surface of a first metal layer made of tungsten (W), molybdenum (Mo) or the like.
The thickness of the first metal layer of the piezoelectric vibration element mounting pad 214 is 30 μm to 100 μm.
The thickness of the second metal layer of the piezoelectric vibration element mounting pad 214 is 0.3 μm to 0.5 μm.

ここで、圧電振動素子搭載パッド214の第1の金属層の厚みが30μm未満の場合は、素子搭載部材210に搭載する際に、圧電振動素子120の引き出し電極123と搭載部213の圧電振動素子搭載パッド214が接合している箇所を軸として傾くと、圧電振動素子搭載パッド214の第1の金属層の厚みが確保されていないので、圧電振動素子120の接合していない角が素子搭載部材210の凹部空間211内底面に接触してしまう。よって、圧電振動素子120の振動が阻害されるため、圧電デバイス200の発振周波数が変動することになる。   Here, when the thickness of the first metal layer of the piezoelectric vibration element mounting pad 214 is less than 30 μm, when mounting on the element mounting member 210, the extraction electrode 123 of the piezoelectric vibration element 120 and the piezoelectric vibration element of the mounting portion 213 are mounted. When the mounting pad 214 is tilted around the bonding point, the thickness of the first metal layer of the piezoelectric vibration element mounting pad 214 is not secured, so the corner where the piezoelectric vibration element 120 is not bonded is the element mounting member. 210 comes into contact with the bottom surface in the recessed space 211 of 210. Accordingly, since the vibration of the piezoelectric vibration element 120 is hindered, the oscillation frequency of the piezoelectric device 200 varies.

また、圧電振動素子搭載パッド214の第1の金属層の厚みが100μmより大きくした場合は、第1の金属層の平坦度が取れないため、圧電振動素子120が平行に搭載することができない。よって、イオンガン(図示せず)による周波数調整時に、圧電振動素子120の励振用電極122を均等に除去することができないので、圧電デバイス200の発振周波数が変動してしまう。   Further, when the thickness of the first metal layer of the piezoelectric vibration element mounting pad 214 is larger than 100 μm, the flatness of the first metal layer cannot be obtained, so that the piezoelectric vibration element 120 cannot be mounted in parallel. Therefore, when the frequency is adjusted by an ion gun (not shown), the excitation electrode 122 of the piezoelectric vibration element 120 cannot be removed uniformly, and the oscillation frequency of the piezoelectric device 200 varies.

つまり、圧電振動素子搭載パッド214の第1の金属層の厚みを30μm〜100μmとすることで、圧電振動素子120を搭載する際に、圧電振動素子120の引き出し電極123と搭載部213の圧電振動素子搭載パッド214が接合している箇所を軸として傾いても、圧電振動素子搭載パッド214の第1の金属層の厚みが確保されているので、圧電振動素子120の接合していない角が素子搭載部材210の凹部空間211内底面に接触しない。よって、圧電振動素子120の振動が阻害されないため、圧電デバイス200の発振周波数の変動を防ぐことができる。   That is, by setting the thickness of the first metal layer of the piezoelectric vibration element mounting pad 214 to 30 μm to 100 μm, the piezoelectric electrode 120 of the piezoelectric vibration element 120 and the piezoelectric vibration of the mounting portion 213 when the piezoelectric vibration element 120 is mounted. Since the thickness of the first metal layer of the piezoelectric vibration element mounting pad 214 is secured even when the element mounting pad 214 is tilted about the joint, the corner where the piezoelectric vibration element 120 is not bonded is the element. The mounting member 210 does not come into contact with the bottom surface of the recessed space 211. Therefore, since the vibration of the piezoelectric vibration element 120 is not hindered, fluctuations in the oscillation frequency of the piezoelectric device 200 can be prevented.

このように本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスを構成しても、第1の実施形態と同様の効果を奏する。   Thus, even if the piezoelectric device according to the second embodiment of the present invention is configured, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、前記した実施形態においては、圧電振動素子を構成する圧電素材として水晶を用いた圧電発振器を説明したが、圧電素材としては、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを用いたものでも構わない。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the above-described embodiment, the piezoelectric oscillator using the crystal as the piezoelectric material constituting the piezoelectric vibration element has been described. However, the piezoelectric material may be one using lithium niobate, lithium tantalate, or piezoelectric ceramics. I do not care.

また、本発明の実施形態に限定されるものではなく、圧電発振器が第1の容器体と第2の容器体と圧電振動素子と蓋部材と、集積回路素子とで主に構成されている。
その圧電発振器の第1の容器体の一方の主面に形成されている凹部空間内に、圧電振動素子が搭載され、第2の容器体の一方の主面に形成される凹部空間内に集積回路素子が搭載されており、前記第1の容器体の他方の主面に形成されている第2の容器体接続用端子と前記第2の容器体の主面に形成された第1の容器体接続用電極端子が接合された構造となっていても構わない。
Further, the present invention is not limited to the embodiment of the present invention, and the piezoelectric oscillator is mainly composed of a first container body, a second container body, a piezoelectric vibration element, a lid member, and an integrated circuit element.
A piezoelectric vibration element is mounted in a concave space formed on one main surface of the first container body of the piezoelectric oscillator, and is integrated in a concave space formed on one main surface of the second container body. A circuit element is mounted, and a second container body connection terminal formed on the other main surface of the first container body and a first container formed on the main surface of the second container body The body connection electrode terminals may be joined.

110、210・・・素子搭載部材
110a、210a・・・基板部
110b、110c、210b、210c・・・枠部
111、211・・・凹部空間
112、212・・・封止用導体パターン
113、213・・・搭載部
114、214・・・圧電振動素子搭載パッド
215・・・集積回路素子搭載パッド
116、216・・・外部接続用電極端子
114a・・・第1の金属層
114b・・・第2の金属層
120・・・圧電振動素子(水晶振動素子)
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・引き出し電極
130・・・蓋部材
131・・・封止部材
240・・・集積回路素子
DS・・・導電性接着剤
100、200・・・圧電デバイス
110, 210: Element mounting member 110a, 210a ... Substrate part 110b, 110c, 210b, 210c ... Frame part 111, 211 ... Recessed space 112, 212 ... Sealing conductor pattern 113, 213 ... Mounting part 114, 214 ... Piezoelectric vibration element mounting pad 215 ... Integrated circuit element mounting pad 116,216 ... External connection electrode terminal 114a ... First metal layer 114b ... Second metal layer 120 ... piezoelectric vibration element (crystal vibration element)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 121 ... Crystal base plate 122 ... Excitation electrode 123 ... Extraction electrode 130 ... Lid member 131 ... Sealing member 240 ... Integrated circuit element DS ... Conductive adhesive 100, 200: Piezoelectric device

Claims (2)

四角形の圧電素板に励振用電極を被着形成し、その励振用電極から前記四角形の圧電素板に対して対角に位置するように引き出し電極が形成されている圧電振動素子と、
前記圧電振動素子の引き出し電極に対向する位置に2個一対の搭載部が設けられ、前記2個一対の搭載部にそれぞれ2個一対の圧電振動素子搭載パッドが設けられている素子搭載部材と、
前記圧電振動素子を気密封止する蓋部材と、を備え、
前記圧電振動素子搭載パッドは、第1の金属層と第2の金属層とを積層して一体で設けられ、前記第1の金属層の厚みが30μm〜100μmであることを特徴とする圧電デバイス。
A piezoelectric vibration element in which an excitation electrode is attached to a rectangular piezoelectric element plate, and an extraction electrode is formed so as to be diagonally positioned with respect to the rectangular piezoelectric element plate from the excitation electrode;
An element mounting member in which two pairs of mounting portions are provided at positions facing the extraction electrodes of the piezoelectric vibration elements, and two pairs of piezoelectric vibration element mounting pads are provided in the two pairs of mounting portions, respectively;
A lid member for hermetically sealing the piezoelectric vibration element,
The piezoelectric vibration element mounting pad is integrally formed by laminating a first metal layer and a second metal layer, and the thickness of the first metal layer is 30 μm to 100 μm. .
前記素子搭載部材に少なくとも発振回路を備えた集積回路素子を備え、前記集積回路素子と前記圧電振動素子とが電気的に接続された状態となっていることを特徴とする請求項1記載の圧電デバイス。   The piezoelectric element according to claim 1, wherein the element mounting member includes an integrated circuit element including at least an oscillation circuit, and the integrated circuit element and the piezoelectric vibration element are electrically connected to each other. device.
JP2009108976A 2009-04-28 2009-04-28 Piezoelectric device Pending JP2010258947A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009108976A JP2010258947A (en) 2009-04-28 2009-04-28 Piezoelectric device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009108976A JP2010258947A (en) 2009-04-28 2009-04-28 Piezoelectric device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010258947A true JP2010258947A (en) 2010-11-11

Family

ID=43319322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009108976A Pending JP2010258947A (en) 2009-04-28 2009-04-28 Piezoelectric device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010258947A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013251673A (en) * 2012-05-31 2013-12-12 Kyocera Crystal Device Corp Crystal device
JP2014030126A (en) * 2012-07-31 2014-02-13 Kyocera Crystal Device Corp Crystal device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013251673A (en) * 2012-05-31 2013-12-12 Kyocera Crystal Device Corp Crystal device
JP2014030126A (en) * 2012-07-31 2014-02-13 Kyocera Crystal Device Corp Crystal device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5337791B2 (en) Piezoelectric vibrator
JP2010200102A (en) Piezoelectric oscillator, and manufacturing method thereof
JP5101651B2 (en) Piezoelectric vibrator
JP2012142691A (en) Piezoelectric device
JP5804825B2 (en) Quartz vibrating element and quartz crystal device
JP2012080250A (en) Piezoelectric device
JP2012182567A (en) Piezoelectric device
JP2010035078A (en) Piezoelectric oscillator
JP5819053B2 (en) Piezoelectric vibrator
JP2007060593A (en) Piezoelectric device and manufacturing method thereof
JP2009267866A (en) Piezoelectric oscillator
JP2012080249A (en) Piezoelectric device
JP5123139B2 (en) Piezoelectric device
JP5188932B2 (en) Piezoelectric oscillator
JP2010258947A (en) Piezoelectric device
JP2010239342A (en) Piezoelectric device
JP2010178113A (en) Piezoelectric device
JP5368135B2 (en) Piezoelectric device
JP2010011267A (en) Piezoelectric oscillator
JP5101192B2 (en) Piezoelectric device
JP5220584B2 (en) Piezoelectric oscillator and manufacturing method thereof
JP5188933B2 (en) Piezoelectric oscillator
JP5210077B2 (en) Piezoelectric oscillator
JP2013239808A (en) Crystal element and crystal device
JP5123042B2 (en) Piezoelectric device