JP5819053B2

JP5819053B2 - Piezoelectric vibrator

Info

Publication number: JP5819053B2
Application number: JP2010244330A
Authority: JP
Inventors: 中澤　利夫; 利夫中澤
Original assignee: Kyocera Crystal Device Corp
Current assignee: Kyocera Crystal Device Corp
Priority date: 2010-10-29
Filing date: 2010-10-29
Publication date: 2015-11-18
Anticipated expiration: 2030-10-29
Also published as: JP2012099944A

Description

本発明は、電子機器等に用いられる圧電振動子に関するものである。 The present invention relates to a piezoelectric vibrator used in an electronic device or the like.

従来の圧電デバイスは、その例として素子搭載部材、圧電振動素子、サーミスタ素子、蓋体とから主に構成されている構造が知られている（例えば、特許文献１を参照）。素子搭載部材は、基板部と第１の枠部と第２の枠部で構成されている。この素子搭載部材は、前記基板部の一方の主面に前記第１の枠部と第２の枠部が設けられて第１の凹部空間が形成される。第１の凹部空間内の基板部に第２の凹部空間が形成されている。第１の凹部空間内に露出する基板部の一方の主面には、２個一対の圧電振動素子搭載パッドが設けられている。第２の凹部空間内に露出する基板部の一方の主面には、サーミスタ素子搭載パッドが設けられている。また、基板部の他方の主面の４隅には、外部接続用電極端子が設けられている。この圧電振動素子搭載パッド上には、導電性接着剤を介して電気的に接続される一対の励振用電極を表裏主面に有した圧電振動素子が搭載されている。この圧電振動素子を囲繞する素子搭載部材の第１の枠部の頂面には金属製の蓋体を被せられ、接合されている。これにより第１の凹部空間と第２の凹部空間が気密封止されている。また、サーミスタ素子搭載パッド上には、半田等の導電性接合材を介して接続されるサーミスタ素子が搭載されている。サーミスタ素子は、抵抗値と温度との関係が、例えば１対１で対応する式を示すものであり、その温度での抵抗値が、外部接続用電極端子を介して圧電デバイスの外へ出力される。この出力された抵抗値の変化から電圧が変化するため、電圧と温度との関係により、出力された抵抗値を電圧に換算することで、そのときの電圧から温度情報を得ることができる。例えば、電子機器等のメインＩＣ内で温度情報に換算することができる。また、外部接続用電極端子は、２個一対の水晶振動素子用電極端子と、２個一対のサーミスタ素子用電極端子により構成されている。その水晶振動素子用電極端子は、対角に配置されている。また、サーミスタ素子用電極端子も同様に、対角に配置されている。 As a conventional piezoelectric device, for example, a structure mainly composed of an element mounting member, a piezoelectric vibration element, a thermistor element, and a lid is known (see, for example, Patent Document 1). The element mounting member includes a substrate part, a first frame part, and a second frame part. In the element mounting member, the first frame portion and the second frame portion are provided on one main surface of the substrate portion to form a first recess space. A second recess space is formed in the substrate portion in the first recess space. Two pairs of piezoelectric vibration element mounting pads are provided on one main surface of the substrate portion exposed in the first recess space. A thermistor element mounting pad is provided on one main surface of the substrate portion exposed in the second recess space. Also, external connection electrode terminals are provided at the four corners of the other main surface of the substrate portion. On the piezoelectric vibration element mounting pad, a piezoelectric vibration element having a pair of excitation electrodes electrically connected via a conductive adhesive on the front and back main surfaces is mounted. The top surface of the first frame portion of the element mounting member that surrounds the piezoelectric vibration element is covered with a metal lid and joined. Thereby, the first recess space and the second recess space are hermetically sealed. A thermistor element connected via a conductive bonding material such as solder is mounted on the thermistor element mounting pad. The thermistor element is an expression in which the relationship between the resistance value and the temperature corresponds, for example, one to one, and the resistance value at that temperature is output to the outside of the piezoelectric device via the external connection electrode terminal. The Since the voltage changes due to the change in the output resistance value, the temperature information can be obtained from the voltage at that time by converting the output resistance value into a voltage according to the relationship between the voltage and the temperature. For example, it can be converted into temperature information in a main IC such as an electronic device. In addition, the external connection electrode terminal includes two pairs of crystal vibration element electrode terminals and two pairs of thermistor element electrode terminals. The crystal vibration element electrode terminals are arranged diagonally. Similarly, the thermistor element electrode terminals are also arranged diagonally.

特開２００８−２０５９３８号公報JP 2008-205938 A

しかしながら、従来の圧電デバイスにおいては、サーミスタ素子搭載パッドとサーミスタ素子用電極端子とは、サーミスタ素子用配線パターンを介して電気的に接続されているが、サーミスタ素子用配線パターンの配線距離が長い場合には、サーミスタ素子の並列容量が大きくなるため、正確なサーミスタの値を出力することができないといった課題があった。また、サーミスタ素子から出力値が異なってしまうことで、サーミスタ素子から出力された抵抗値を電圧に換算することで、そのときの電圧から温度情報を得ることができる。このようにして得られた温度情報と、実際の圧電振動素子の周囲の温度情報との差異が大きくなってしまうといった課題があった。 However, in the conventional piezoelectric device, the thermistor element mounting pad and the thermistor element electrode terminal are electrically connected via the thermistor element wiring pattern, but the thermistor element wiring pattern has a long wiring distance. However, since the parallel capacitance of the thermistor element becomes large, there is a problem that an accurate value of the thermistor cannot be output. In addition, since the output value from the thermistor element is different, the resistance value output from the thermistor element is converted into a voltage, whereby temperature information can be obtained from the voltage at that time. There is a problem that the difference between the temperature information obtained in this way and the temperature information around the actual piezoelectric vibration element becomes large.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、サーミスタ素子に発生する浮遊容量値を低減し、温度情報の差異を抑え、発振周波数が変動することを防ぐ圧電振動子を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a piezoelectric vibrator that reduces the stray capacitance value generated in the thermistor element, suppresses the difference in temperature information, and prevents the oscillation frequency from fluctuating. And

本発明の圧電振動子は、基板部と、この基板部の一方の主面に設けられる第１の枠部と、前記基板部の他方の主面に設けられる第２の枠部とからなる素子搭載部材と、前記基板部と前記第１の枠部とで形成される第１の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられた２個一対の圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、前記基板部と前記第２の枠部とで形成される第２の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられた２個一対のサーミスタ素子搭載パッドに搭載されているサーミスタ素子と、前記第１の凹部空間を気密封止する蓋体と、前記第２の枠部の前記基板部側の主面とは反対側の主面の４隅に設けられている外部接続用電極端子と、を備え、前記外部接続用電極端子は、２個一対のサーミスタ素子用電極端子と２個一対の圧電振動素子用電極端子とから構成されており、前記サーミスタ素子用電極端子は、前記第２の枠部の前記基板部側の主面とは反対側の主面の４隅のうち、対角に位置する２隅にそれぞれ設けられており、前記圧電振動素子用電極端子は、前記第２の枠部の前記基板部側の主面とは反対側の主面の４隅のうち、前記サーミスタ素子用電極端子が設けられていない対角に位置する２隅にそれぞれ設けられており、前記サーミスタ素子用電極端子は、前記サーミスタ素子搭載パッドとのみ接続されており、前記圧電振動素子用電極端子は、前記圧電振動素子搭載パッドとのみ接続されており、前記サーミスタ素子が、２つの前記サーミスタ素子用電極端子それぞれに近接した第２の凹部空間の２つの角部を結ぶ対角線に平行になるように配置されていることを特徴とするものである。 The piezoelectric vibrator of the present invention includes an element including a substrate portion, a first frame portion provided on one main surface of the substrate portion, and a second frame portion provided on the other main surface of the substrate portion. Mounted on a pair of piezoelectric vibration element mounting pads provided on the main surface of the substrate portion exposed in the first recess space formed by the mounting member, the substrate portion, and the first frame portion. A pair of thermistor element mounting pads provided on the main surface of the substrate portion exposed in a second recessed space formed by the piezoelectric vibration element and the substrate portion and the second frame portion. The mounted thermistor element, a lid for hermetically sealing the first recess space, and four corners of the main surface of the second frame opposite to the main surface on the substrate side. An external connection electrode terminal, and the external connection electrode terminal includes two pairs of thermistor element electrodes. Terminal and are composed of an electrode terminal pair of two piezoelectric vibrating element, the electrode terminal said thermistor element, wherein the said substrate portion of the main surface of the second frame portion of the main surface on the opposite side 4 Of the corners, the piezoelectric vibration element electrode terminals are provided at two corners located diagonally, and the piezoelectric vibration element electrode terminals 4 on the main surface on the opposite side of the main surface on the substrate portion side of the second frame portion. Of the corners, the thermistor element electrode terminals are provided at the two opposite corners where the thermistor element electrode terminals are not provided, and the thermistor element electrode terminals are connected only to the thermistor element mounting pads, The piezoelectric vibration element electrode terminal is connected only to the piezoelectric vibration element mounting pad, and the thermistor element connects two corners of the second recess space adjacent to the two thermistor element electrode terminals. Parallel to the diagonal And it is characterized in that it is disposed so that.

本発明の圧電振動子は、基板部と、この基板部の一方の主面に設けられる第１の枠部と、前記基板部の他方の主面に設けられる第２の枠部とからなる素子搭載部材と、前記基板部と前記第１の枠部とで形成される第１の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられた２個一対の圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、前記基板部と前記第２の枠部とで形成される第２の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられた２個一対のサーミスタ素子搭載パッドに搭載されているサーミスタ素子と、前記第１の凹部空間を気密封止する蓋体と、前記第２の枠部の前記基板部側の主面とは反対側の主面の４隅に設けられている外部接続用電極端子と、を備え、前記外部接続用電極端子は、２個一対のサーミスタ素子用電極端子と２個一対の圧電振動素子用電極端子とから構成されており、前記サーミスタ素子用電極端子は、前記第２の枠部の前記基板部側の主面とは反対側の主面の４隅のうち、対角に位置する２隅にそれぞれ設けられており、前記圧電振動素子用電極端子は、前記第２の枠部の前記基板部側の主面とは反対側の主面の４隅のうち、前記サーミスタ素子用電極端子が設けられていない対角に位置する２隅にそれぞれ設けられており、前記サーミスタ素子用電極端子は、前記サーミスタ素子搭載パッドとのみ接続されており、前記圧電振動素子用電極端子は、前記圧電振動素子搭載パッドとのみ接続されており、前記第２の凹部空間の角部が隣接する外部接続用電極端子間に位置するように設けられており、前記サーミスタ素子が、２つの前記圧電振動素子用電極端子それぞれに近接した第２の凹部空間の開口部の辺と平行になるように配置されていることを特徴とするものである。 The piezoelectric vibrator of the present invention includes an element including a substrate portion, a first frame portion provided on one main surface of the substrate portion, and a second frame portion provided on the other main surface of the substrate portion. Mounted on a pair of piezoelectric vibration element mounting pads provided on the main surface of the substrate portion exposed in the first recess space formed by the mounting member, the substrate portion, and the first frame portion. A pair of thermistor element mounting pads provided on the main surface of the substrate portion exposed in a second recessed space formed by the piezoelectric vibration element and the substrate portion and the second frame portion. The mounted thermistor element, a lid for hermetically sealing the first recess space, and four corners of the main surface of the second frame opposite to the main surface on the substrate side. An external connection electrode terminal, and the external connection electrode terminal includes two pairs of thermistor element electrodes. The thermistor element electrode terminal is composed of a main surface on the opposite side of the main surface on the substrate portion side of the second frame portion. Of the corners, the piezoelectric vibration element electrode terminals are provided at two corners located diagonally, and the piezoelectric vibration element electrode terminals 4 on the main surface on the opposite side of the main surface on the substrate portion side of the second frame portion. Of the corners, the thermistor element electrode terminals are provided at the two opposite corners where the thermistor element electrode terminals are not provided, and the thermistor element electrode terminals are connected only to the thermistor element mounting pads, The piezoelectric vibration element electrode terminal is connected only to the piezoelectric vibration element mounting pad, and is provided so that a corner portion of the second recessed space is located between adjacent external connection electrode terminals, The thermistor element has two pressures And it is characterized in that it is arranged parallel to the opening side of the second concave space proximate to each electrode terminal vibrating element.

本発明の圧電振動子によれば、サーミスタ素子が第２の凹部空間内底面の対角線に平行になるように配置されていることによって、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子用配線パターンの配線距離を短くし、浮遊容量を小さくすることができる。よって、サーミスタ素子に接続されている浮遊容量を低減することができるので、正確なサーミスタの値を出力することができる。また、サーミスタ素子から正確な出力値を出力することができるので、サーミスタ素子から出力された抵抗値を換算することで得られた電圧から温度情報を得ることができる。このようにして得られた温度情報と、実際の圧電振動素子の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。 According to the piezoelectric vibrator of the present invention, the thermistor element is arranged so as to be parallel to the diagonal line of the bottom surface in the second recess space, so that the wiring distance of the wiring pattern for the thermistor element is larger than that of the conventional piezoelectric device. And stray capacitance can be reduced. Therefore, since the stray capacitance connected to the thermistor element can be reduced, an accurate thermistor value can be output. In addition, since an accurate output value can be output from the thermistor element, temperature information can be obtained from the voltage obtained by converting the resistance value output from the thermistor element. The difference between the temperature information obtained in this way and the temperature information around the actual piezoelectric vibration element can be reduced.

本発明の圧電振動子によれば、第２の凹部空間の角部が隣接する外部接続用電極端子間に位置するように設けられており、第２の凹部空間内の壁部と平行になるようにサーミスタ素子が配置されていることにより、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子用配線パターンの配線距離を短くし、浮遊容量を小さくすることができる。よって、サーミスタ素子に接続されている浮遊容量を低減することができるので、正確なサーミスタの値を出力することができる。また、サーミスタ素子から正確な出力値を出力することができるので、サーミスタ素子から出力された抵抗値を換算することで得られた電圧から温度情報を得ることができる。このようにして得られた温度情報と、実際の圧電振動素子の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。 According to the piezoelectric vibrator of the present invention, the corner portion of the second recess space is provided so as to be positioned between the adjacent external connection electrode terminals, and is parallel to the wall portion in the second recess space. By arranging the thermistor elements in this way, the wiring distance of the thermistor element wiring pattern can be shortened and the stray capacitance can be reduced as compared with the conventional piezoelectric device. Therefore, since the stray capacitance connected to the thermistor element can be reduced, an accurate thermistor value can be output. In addition, since an accurate output value can be output from the thermistor element, temperature information can be obtained from the voltage obtained by converting the resistance value output from the thermistor element. The difference between the temperature information obtained in this way and the temperature information around the actual piezoelectric vibration element can be reduced.

本発明の第１の実施形態に係る圧電振動子を示す分解斜視図である。1 is an exploded perspective view showing a piezoelectric vibrator according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る圧電振動子をサーミスタ素子搭載側からみた平面図である。It is the top view which looked at the piezoelectric vibrator concerning the 1st Embodiment of the present invention from the thermistor element mounting side. 図２のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. （ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る圧電振動子を構成する素子搭載部材の基板部の一方の主面からみた平面図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る圧電振動子を構成する素子搭載部材の内層の一方の主面からみた平面図である。(A) is the top view seen from one main surface of the board | substrate part of the element mounting member which comprises the piezoelectric vibrator which concerns on the 1st Embodiment of this invention, (b) is 1st of this invention It is the top view seen from one main surface of the inner layer of the element mounting member which comprises the piezoelectric vibrator which concerns on embodiment. （ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る圧電振動子を構成する素子搭載部材の基板部の他方の主面からみた平面図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る圧電振動子を構成する素子搭載部材を他方の主面からみた平面図である。(A) is the top view seen from the other main surface of the board | substrate part of the element mounting member which comprises the piezoelectric vibrator which concerns on the 1st Embodiment of this invention, (b) is 1st of this invention It is the top view which looked at the element mounting member which constitutes the piezoelectric vibrator concerning an embodiment from the other principal surface. 本発明の第２の実施形態に係る圧電振動子をサーミスタ素子搭載側からみた平面図である。It is the top view which looked at the piezoelectric vibrator which concerns on the 2nd Embodiment of this invention from the thermistor element mounting side. 図６のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. （ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る圧電振動子を構成する素子搭載部材の基板部の一方の主面からみた平面図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る圧電振動子を構成する素子搭載部材の内層の一方の主面からみた平面図である。(A) is the top view seen from one main surface of the board | substrate part of the element mounting member which comprises the piezoelectric vibrator which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, (b) is the 2nd of this invention It is the top view seen from one main surface of the inner layer of the element mounting member which comprises the piezoelectric vibrator which concerns on embodiment. （ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る圧電振動子を構成する素子搭載部材の基板部の他方の主面からみた平面図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る圧電振動子を構成する素子搭載部材を他方の主面からみた平面図である。(A) is the top view seen from the other main surface of the board | substrate part of the element mounting member which comprises the piezoelectric vibrator which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, (b) is the 2nd of this invention It is the top view which looked at the element mounting member which constitutes the piezoelectric vibrator concerning an embodiment from the other principal surface.

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. A case where quartz is used for the piezoelectric vibration element will be described.

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る圧電振動子１００は、図１及び図３に示すように、素子搭載部材１１０と圧電振動素子１２０と蓋体１３０とサーミスタ素子１４０で主に構成されている。この圧電振動子１００は、前記素子搭載部材１１０に形成されている第１の凹部空間Ｋ１内に圧電振動素子１２０が搭載され、第２の凹部空間Ｋ２内には、サーミスタ素子１４０が搭載されている。その第１の凹部空間Ｋ１が蓋体１３０により気密封止された構造となっている。 (First embodiment)
As shown in FIGS. 1 and 3, the piezoelectric vibrator 100 according to the first embodiment of the present invention is mainly configured by an element mounting member 110, a piezoelectric vibration element 120, a lid body 130, and a thermistor element 140. . In the piezoelectric vibrator 100, a piezoelectric vibration element 120 is mounted in a first recess space K1 formed in the element mounting member 110, and a thermistor element 140 is mounted in a second recess space K2. Yes. The first recess space K1 is hermetically sealed by the lid 130.

圧電振動素子１２０は、図１及び図３に示すように、水晶素板１２１に励振用電極１２２を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。水晶素板１２１は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。励振用電極１２２は、前記水晶素板１２１の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。このような圧電振動素子１２０は、その両主面に被着されている励振用電極１２２から延出する引き出し電極１２３と第１の凹部空間Ｋ１内底面に形成されている圧電振動素子搭載パッド１１１とを、導電性接着剤ＤＳを介して電気的且つ機械的に接続することによって第１の凹部空間Ｋ１に搭載される。このときの引き出し電極１２３が設けられた一辺とは反対側の自由端となる端辺を圧電振動素子１２０の先端部とする。 As shown in FIGS. 1 and 3, the piezoelectric vibration element 120 is formed by depositing an excitation electrode 122 on a crystal base plate 121, and an alternating voltage from the outside passes through the excitation electrode 122 to form a crystal base plate. When applied to 121, excitation occurs in a predetermined vibration mode and frequency. The quartz base plate 121 is a substantially flat plate shape that is cut from an artificial crystalline lens at a predetermined cut angle and is subjected to outer shape processing, and has a planar shape of, for example, a quadrangle. The excitation electrode 122 is formed by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on both the front and back main surfaces of the crystal base plate 121. Such a piezoelectric vibration element 120 includes a lead electrode 123 extending from the excitation electrode 122 attached to both main surfaces of the piezoelectric vibration element 120 and a piezoelectric vibration element mounting pad 111 formed on the inner bottom surface of the first recess space K1. Are electrically and mechanically connected via the conductive adhesive DS to be mounted in the first recess space K1. At this time, an end side that is a free end opposite to the side on which the extraction electrode 123 is provided is defined as a tip portion of the piezoelectric vibration element 120.

図１〜図３に示すサーミスタ素子１４０は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、電圧と温度との関係により、出力された抵抗値を電圧に換算することで、そのときの電圧から温度情報を得ることができる。サーミスタ素子１４０は、抵抗値と温度との関係が、例えば１対１で対応する式を示すものであり、その温度での抵抗値が、外部接続用電極端子Ｇを介して圧電振動子１００の外へ出力されることにより、例えば、電子機器等のメインＩＣ（図示せず）で出力された抵抗値を電圧に換算することで温度情報を得ることができる。サーミスタ素子１４０は、図３に示すように、素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２内に露出した後述する基板部１１０ａに設けられたサーミスタ素子搭載パッド１１２に半田等の導電性接合材ＨＤを介して搭載されている。サーミスタ素子１４０は、図２に示すように、素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２の対角線と平行になるように搭載されている。つまり、第２の凹部空間Ｋ２を平面視した四角形の対角線とサーミスタ素子１４０が平行になるように搭載されている。 The thermistor element 140 shown in FIGS. 1 to 3 shows a remarkable change in electrical resistance due to a temperature change. Since the voltage changes due to the change in resistance value, the thermistor element 140 is output depending on the relationship between the voltage and temperature. By converting the resistance value into a voltage, temperature information can be obtained from the voltage at that time. The thermistor element 140 is an expression in which the relationship between the resistance value and the temperature corresponds to, for example, one-to-one, and the resistance value at that temperature is the resistance value of the piezoelectric vibrator 100 via the external connection electrode terminal G. By being output to the outside, for example, temperature information can be obtained by converting a resistance value output from a main IC (not shown) such as an electronic device into a voltage. As shown in FIG. 3, the thermistor element 140 has a conductive bonding material HD such as solder on a thermistor element mounting pad 112 provided in a substrate part 110a (described later) exposed in the second recessed space K2 of the element mounting member 110. It is mounted through. As shown in FIG. 2, the thermistor element 140 is mounted so as to be parallel to the diagonal line of the second recessed space K 2 of the element mounting member 110. That is, the thermistor element 140 is mounted so as to be parallel to the rectangular diagonal line in plan view of the second recess space K2.

図１及び図３に示すように、素子搭載部材１１０は、基板部１１０ａと、第１の枠部１１０ｂ、第２の枠部１１０ｃとで主に構成されている。この素子搭載部材１１０は、前記基板部１１０ａの一方の主面に第１の枠部１１０ｂが設けられて、第１の凹部空間Ｋ１が形成されている。また、素子搭載部材１１０の他方の主面に第２の枠部１１０ｃが設けられて、第２の凹部空間Ｋ２が形成されている。尚、この素子搭載部材１１０を構成する基板部１１０ａ及び第２の枠部１１０ｃは、例えばアルミナセラミックス、ガラス−セラミック等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。第１の枠部１１０ｂは、４２アロイやコバール等の金属から成り、中心が打ち抜かれた枠状になっている。また、第１の枠部１１０ｂは、基板部１１０ａの一方の主面の外周を囲繞するように設けられた封止用導体膜ＨＢ上にロウ付けなどにより接続される。第１の凹部空間Ｋ１内で露出した基板部１１０ａの一方の主面には、２個一対の圧電振動素子搭載パッド１１１が設けられている。また、図１〜図３に示すように素子搭載部材１１０は、基板部１１０ａの他方の主面と第２の枠部１１０ｃによって第２の凹部空間Ｋ２が形成されている。第２の凹部空間Ｋ２内で露出した基板部１１０ａの他方の主面には、サーミスタ素子搭載パッド１１２が設けられている。 As shown in FIGS. 1 and 3, the element mounting member 110 is mainly composed of a substrate portion 110 a, a first frame portion 110 b, and a second frame portion 110 c. In the element mounting member 110, a first frame portion 110b is provided on one main surface of the substrate portion 110a to form a first recess space K1. In addition, a second frame portion 110c is provided on the other main surface of the element mounting member 110 to form a second recessed space K2. In addition, the board | substrate part 110a and the 2nd frame part 110c which comprise this element mounting member 110 are formed by laminating | stacking multiple ceramic materials, such as an alumina ceramic and a glass-ceramic, for example. The first frame portion 110b is made of a metal such as 42 alloy or Kovar, and has a frame shape with a punched center. The first frame portion 110b is connected to the sealing conductor film HB provided so as to surround the outer periphery of one main surface of the substrate portion 110a by brazing or the like. Two pairs of piezoelectric vibration element mounting pads 111 are provided on one main surface of the substrate portion 110a exposed in the first recess space K1. 1 to 3, the element mounting member 110 has a second recessed space K2 formed by the other main surface of the substrate portion 110a and the second frame portion 110c. A thermistor element mounting pad 112 is provided on the other main surface of the substrate portion 110a exposed in the second recess space K2.

前記素子搭載部材１１０の第２の枠部１１０ｃの圧電振動素子搭載パッド１１１が設けられている面とは反対側の主面の４隅には、外部接続用電極端子Ｇが設けられている。外部接続用電極端子Ｇは、２個一対の圧電振動素子用電極端子Ｇ１と２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２により構成されている。２個一対の圧電振動素子用電極端子Ｇ１は、前記素子搭載部材１１０の第２の枠部１１０ｃの他方の主面の対角に設けられている。また、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２は第２の枠部１１０ｃの前記圧電振動素子用電極端子Ｇ１が設けられている位置と異なる２つの隅部に設けられている。つまり、前記サーミスタ素子用電極端子Ｇ２は、前記圧電振動素子用電極端子Ｇ１が設けられている対角とは異なる第２の枠部１１０ｃの対角に設けられている。 External connection electrode terminals G are provided at the four corners of the main surface opposite to the surface on which the piezoelectric vibration element mounting pad 111 of the second frame portion 110c of the element mounting member 110 is provided. The external connection electrode terminal G includes two pairs of piezoelectric vibration element electrode terminals G1 and two pairs of thermistor element electrode terminals G2. The two pairs of piezoelectric vibration element electrode terminals G 1 are provided diagonally to the other main surface of the second frame portion 110 c of the element mounting member 110. The two pairs of thermistor element electrode terminals G2 are provided at two corners of the second frame 110c different from the positions where the piezoelectric vibration element electrode terminals G1 are provided. In other words, the thermistor element electrode terminal G2 is provided at a diagonal of the second frame portion 110c different from the diagonal at which the piezoelectric vibration element electrode terminal G1 is provided.

圧電振動素子搭載パッド１１１といずれかの外部接続用電極端子Ｇは、前記素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２内の基板部１１０ａに形成された部分を有する圧電振動素子用配線パターン１１３と、基板部１１０ａに設けられた第１のビア導体１１４と、基板部１１０ａ及び第２の枠部１１０ｃの内部に形成された第２のビア導体１１５により接続されている。つまり、図４及び図５に示すように、圧電振動素子搭載パッド１１１は、第１のビア導体１１４を介して圧電振動素子用配線パターン１１３の一端と接続されている。また、圧電振動素子用配線パターン１１３の他端は、第２のビア導体１１５を介して圧電振動素子用電極端子Ｇ１と接続されている。よって、圧電振動素子搭載パッド１１１は、圧電振動素子用電極端子Ｇ１と電気的に接続されることになる。 The piezoelectric vibration element mounting pad 111 and any one of the external connection electrode terminals G include a piezoelectric vibration element wiring pattern 113 having a portion formed on the substrate portion 110a in the second recess space K2 of the element mounting member 110. The first via conductor 114 provided in the substrate part 110a is connected to the second via conductor 115 formed inside the substrate part 110a and the second frame part 110c. That is, as shown in FIGS. 4 and 5, the piezoelectric vibration element mounting pad 111 is connected to one end of the piezoelectric vibration element wiring pattern 113 via the first via conductor 114. The other end of the piezoelectric vibration element wiring pattern 113 is connected to the piezoelectric vibration element electrode terminal G 1 via the second via conductor 115. Therefore, the piezoelectric vibration element mounting pad 111 is electrically connected to the piezoelectric vibration element electrode terminal G1.

また、サーミスタ素子搭載パッド１１２とサーミスタ素子用電極端子Ｇ２は、前記素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２内の基板部１１０ａに形成された部分を有するサーミスタ素子用配線パターン１１６と第２の枠部１１０ｃの内部に形成された第３のビア導体１１７により接続されている。つまり、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すようにサーミスタ素子搭載パッド１１２は、サーミスタ素子用配線パターン１１６の一端と接続されている。また、サーミスタ素子用配線パターン１１６の他端は、第３のビア導体１１７を介してサーミスタ素子用電極端子Ｇ２と接続されている。よって、サーミスタ素子用搭載パッド１１２は、サーミスタ素子用電極端子Ｇ２と電気的に接続されることになる。 Further, the thermistor element mounting pad 112 and the thermistor element electrode terminal G2 have a portion formed on the substrate portion 110a in the second recessed space K2 of the element mounting member 110 and the second wiring pattern 116 for the thermistor element. They are connected by a third via conductor 117 formed inside the frame part 110c. That is, as shown in FIGS. 4A and 4B, the thermistor element mounting pad 112 is connected to one end of the thermistor element wiring pattern 116. The other end of the thermistor element wiring pattern 116 is connected to the thermistor element electrode terminal G 2 via the third via conductor 117. Therefore, the thermistor element mounting pad 112 is electrically connected to the thermistor element electrode terminal G2.

蓋体１３０は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）などからなる。このような蓋体１３０は、第１の凹部空間Ｋ１を、窒素ガスや真空などで気密的に封止される。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、素子搭載部材１１０の第１の枠部１１０ｂ上に載置され、第１の枠部１１０ｂの表面の金属と蓋体１３０の金属の一部とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第１の枠部１１０ｂに接合される。 The lid 130 is made of, for example, an Fe—Ni alloy (42 alloy), an Fe—Ni—Co alloy (Kovar), or the like. Such a lid 130 hermetically seals the first recessed space K1 with nitrogen gas or vacuum. Specifically, the lid body 130 is placed on the first frame portion 110b of the element mounting member 110 in a predetermined atmosphere, and a part of the metal of the surface of the first frame portion 110b and the metal of the lid body 130. By applying a predetermined current so as to be welded and performing seam welding, the first frame portion 110b is joined.

前記導電性接着剤ＤＳは、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。 The conductive adhesive DS contains a conductive powder as a conductive filler in a binder such as a silicone resin. As the conductive powder, aluminum (Al), molybdenum (Mo), tungsten (W ), Platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), titanium (Ti), nickel (Ni), nickel iron (NiFe), or a combination thereof is used. .

尚、前記素子搭載部材１１０は、アルミナセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面に圧電振動素子搭載パッド１１１、サーミスタ素子搭載パッド１１２、封止用導体膜ＨＢ、外部接続用電極端子Ｇ等となる導体ペーストを、また、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に第１のビア導体１１４、第２のビア導体１１５、第３のビア導体１１７等となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することにより製作される。 When the element mounting member 110 is made of alumina ceramic, the piezoelectric vibration element mounting pad 111 and the thermistor element are mounted on the surface of a ceramic green sheet obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent or the like to a predetermined ceramic material powder. A first via conductor is formed in a through-hole previously formed by punching a ceramic green sheet with a conductive paste to be used as the pad 112, the sealing conductive film HB, the electrode terminal G for external connection, etc. 114, the second via conductor 115, the third via conductor 117, etc. are manufactured by applying a conventional paste by screen printing, laminating a plurality of these, press molding, and firing at a high temperature. Is done.

本発明の第１の実施形態に係る圧電振動子１００によれば、サーミスタ素子１４０が第２の凹部空間Ｋ２内底面の対角線に平行になるように配置されていることによって、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子用配線パターン１１６の配線距離を短くし、浮遊容量を小さくすることができる。よって、サーミスタ素子１４０に接続されている浮遊容量を低減することができるので、正確なサーミスタ素子１４０の値を出力することができる。 According to the piezoelectric vibrator 100 according to the first embodiment of the present invention, the thermistor element 140 is arranged so as to be parallel to the diagonal line of the inner bottom surface of the second recessed space K2, so that a conventional piezoelectric device is obtained. In comparison, the wiring distance of the thermistor element wiring pattern 116 can be shortened, and the stray capacitance can be reduced. Therefore, since the stray capacitance connected to the thermistor element 140 can be reduced, an accurate value of the thermistor element 140 can be output.

また、サーミスタ素子１４０から正確な出力値を出力することができるので、サーミスタ素子１４０から出力された抵抗値を換算することで得られた電圧から温度情報を得ることができる。このようにして得られた温度情報と、実際の圧電振動素子１２０の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。 In addition, since an accurate output value can be output from the thermistor element 140, temperature information can be obtained from the voltage obtained by converting the resistance value output from the thermistor element 140. The difference between the temperature information obtained in this way and the temperature information around the actual piezoelectric vibration element 120 can be reduced.

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る圧電振動子２００は、前記第２の凹部空間Ｋ２の角部が隣接する外部接続用電極端子Ｇ間に位置するように設けられており、前記第２の凹部空間内Ｋ２の壁部と平行になるようにサーミスタ素子１４０が配置されている点で第１の実施形態と異なる。 (Second Embodiment)
The piezoelectric vibrator 200 according to the second embodiment of the present invention is provided so that the corners of the second recessed space K2 are positioned between the adjacent external connection electrode terminals G, and the second The second embodiment is different from the first embodiment in that the thermistor element 140 is arranged so as to be parallel to the wall portion of the concave space K2.

本発明の第２の実施形態に係る圧電振動子２００は、図６に示すように、素子搭載部材２１０と圧電振動素子１２０と蓋体１３０とサーミスタ素子１４０で主に構成されている。この圧電振動子２００は、前記素子搭載部材２１０に形成されている第１の凹部空間Ｋ１内に圧電振動素子１２０が搭載され、第２の凹部空間Ｋ２内には、サーミスタ素子１４０が搭載されている。その第１の凹部空間Ｋ１が蓋体１３０により気密封止された構造となっている。 As shown in FIG. 6, the piezoelectric vibrator 200 according to the second embodiment of the present invention mainly includes an element mounting member 210, a piezoelectric vibration element 120, a lid body 130, and a thermistor element 140. In the piezoelectric vibrator 200, the piezoelectric vibration element 120 is mounted in the first recessed space K1 formed in the element mounting member 210, and the thermistor element 140 is mounted in the second recessed space K2. Yes. The first recess space K1 is hermetically sealed by the lid 130.

圧電振動素子１２０は、図６に示すように、水晶素板１２１に励振用電極１２２を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。水晶素板１２１は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。励振用電極１２２は、前記水晶素板１２１の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。このような圧電振動素子１２０は、その両主面に被着されている励振用電極１２２から延出する引き出し電極１２３と第１の凹部空間Ｋ１内底面に形成されている圧電振動素子搭載パッド１１１とを、導電性接着剤ＤＳを介して電気的且つ機械的に接続することによって第１の凹部空間Ｋ１に搭載される。このときの引き出し電極１２３が設けられた一辺とは反対側の自由端となる端辺を圧電振動素子１２０の先端部とする。 As shown in FIG. 6, the piezoelectric vibration element 120 is formed by depositing an excitation electrode 122 on a crystal base plate 121, and an alternating voltage from the outside is applied to the crystal base plate 121 via the excitation electrode 122. Then, excitation is generated in a predetermined vibration mode and frequency. The quartz base plate 121 is a substantially flat plate shape that is cut from an artificial crystalline lens at a predetermined cut angle and is subjected to outer shape processing, and has a planar shape of, for example, a quadrangle. The excitation electrode 122 is formed by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on both the front and back main surfaces of the crystal base plate 121. Such a piezoelectric vibration element 120 includes a lead electrode 123 extending from the excitation electrode 122 attached to both main surfaces of the piezoelectric vibration element 120 and a piezoelectric vibration element mounting pad 111 formed on the inner bottom surface of the first recess space K1. Are electrically and mechanically connected via the conductive adhesive DS to be mounted in the first recess space K1. At this time, an end side that is a free end opposite to the side on which the extraction electrode 123 is provided is defined as a tip portion of the piezoelectric vibration element 120.

図６〜図７に示すサーミスタ素子１４０は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、電圧と温度との関係により、出力された抵抗値を電圧に換算することで、そのときの電圧から温度情報を得ることができる。サーミスタ素子１４０は、抵抗値と温度との関係が、例えば１対１で対応する式を示すものであり、その温度での抵抗値が、外部接続用電極端子Ｇを介して圧電振動子２００の外へ出力されることにより、例えば、電子機器等のメインＩＣ（図示せず）で出力された抵抗値を電圧に換算することで温度情報を得ることができる。サーミスタ素子１４０は、図７に示すように、素子搭載部材２１０の第２の凹部空間Ｋ２内に露出した後述する基板部２１０ａに設けられたサーミスタ素子搭載パッド２１２に半田等の導電性接合材ＨＤを介して搭載されている。サーミスタ素子１４０は、図６に示すように、素子搭載部材２１０の前記第２の凹部空間Ｋ２内の壁部と平行になるように配置されている。 The thermistor element 140 shown in FIGS. 6 to 7 shows a remarkable change in electrical resistance due to a temperature change. Since the voltage changes due to the change in the resistance value, the thermistor element 140 is output depending on the relationship between the voltage and the temperature. By converting the resistance value into a voltage, temperature information can be obtained from the voltage at that time. The thermistor element 140 represents an equation in which the relationship between the resistance value and the temperature corresponds, for example, one-to-one, and the resistance value at that temperature is expressed by the piezoelectric vibrator 200 through the external connection electrode terminal G. For example, temperature information can be obtained by converting a resistance value output from a main IC (not shown) such as an electronic device into a voltage. As shown in FIG. 7, the thermistor element 140 has a conductive bonding material HD such as solder on a thermistor element mounting pad 212 provided in a substrate part 210a (described later) exposed in the second recessed space K2 of the element mounting member 210. It is mounted through. As shown in FIG. 6, the thermistor element 140 is arranged to be parallel to the wall portion in the second recessed space K 2 of the element mounting member 210.

図７に示すように、素子搭載部材２１０は、基板部２１０ａと、第１の枠部２１０ｂ、第２の枠部２１０ｃとで主に構成されている。この素子搭載部材２１０は、前記基板部２１０ａの一方の主面に第１の枠部２１０ｂが設けられて、第１の凹部空間Ｋ１が形成されている。また、素子搭載部材２１０の他方の主面に第２の枠部２１０ｃが設けられて、第２の凹部空間Ｋ２が形成されている。尚、この素子搭載部材２１０を構成する基板部２１０ａ及び第２の枠部２１０ｃは、例えばアルミナセラミックス、ガラス−セラミックス等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。第１の枠部２１０ｂは、４２アロイやコバール等の金属から成り、中心が打ち抜かれた枠状になっている。また、第１の枠部２１０ｂは、基板部２１０ａの一方の主面の外周を囲繞するように設けられた封止用導体膜ＨＢ上にロウ付けなどにより接続される。第１の凹部空間Ｋ１内で露出した基板部２１０ａの一方の主面には、２個一対の圧電振動素子搭載パッド２１１が設けられている。また、図６に示すように素子搭載部材２１０は、基板部２１０ａの他方の主面と第２の枠部２１０ｃによって第２の凹部空間Ｋ２が形成されている。また、第２の凹部空間Ｋ２の角部が隣接する外部接続用電極端子間に位置するように設けられている。第２の凹部空間Ｋ２内で露出した基板部２１０ａの他方の主面には、サーミスタ素子搭載パッド２１２が設けられている。 As shown in FIG. 7, the element mounting member 210 is mainly composed of a substrate part 210a, a first frame part 210b, and a second frame part 210c. In the element mounting member 210, a first frame portion 210b is provided on one main surface of the substrate portion 210a to form a first recess space K1. In addition, a second frame portion 210c is provided on the other main surface of the element mounting member 210 to form a second recessed space K2. In addition, the board | substrate part 210a and the 2nd frame part 210c which comprise this element mounting member 210 are formed by laminating | stacking multiple ceramic materials, such as an alumina ceramic and glass-ceramics, for example. The first frame portion 210b is made of a metal such as 42 alloy or Kovar, and has a frame shape with a punched center. The first frame portion 210b is connected to the sealing conductor film HB provided so as to surround the outer periphery of one main surface of the substrate portion 210a by brazing or the like. Two pairs of piezoelectric vibration element mounting pads 211 are provided on one main surface of the substrate portion 210a exposed in the first recess space K1. As shown in FIG. 6, in the element mounting member 210, a second recessed space K2 is formed by the other main surface of the substrate portion 210a and the second frame portion 210c. The corners of the second recess space K2 are provided so as to be positioned between adjacent external connection electrode terminals. A thermistor element mounting pad 212 is provided on the other main surface of the substrate portion 210a exposed in the second recess space K2.

図８に示すように前記素子搭載部材２１０の第２の枠部２１０ｃの圧電振動素子搭載パッド２１１が設けられている面とは反対側の主面の４隅には、外部接続用電極端子Ｇが設けられている。外部接続用電極端子Ｇは、２個一対の圧電振動素子用電極端子Ｇ１と２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２により構成されている。２個一対の圧電振動素子用電極端子Ｇ１は、前記素子搭載部材２１０の第２の枠部２１０ｃの他方の主面の対角に設けられている。また、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２は第２の枠部２１０ｃの前記圧電振動素子用電極端子Ｇ１が設けられている位置と異なる２つの隅部に設けられている。つまり、前記サーミスタ素子用電極端子Ｇ２は、前記圧電振動素子用電極端子Ｇ１が設けられている対角とは異なる第２の枠部２１０ｃの対角に設けられている。 As shown in FIG. 8, external connection electrode terminals G are provided at the four corners of the main surface opposite to the surface on which the piezoelectric vibration element mounting pads 211 of the second frame portion 210c of the element mounting member 210 are provided. Is provided. The external connection electrode terminal G includes two pairs of piezoelectric vibration element electrode terminals G1 and two pairs of thermistor element electrode terminals G2. The two pairs of piezoelectric vibration element electrode terminals G 1 are provided diagonally to the other main surface of the second frame portion 210 c of the element mounting member 210. The two pairs of thermistor element electrode terminals G2 are provided at two corners of the second frame portion 210c different from the positions where the piezoelectric vibration element electrode terminals G1 are provided. In other words, the thermistor element electrode terminal G2 is provided at a diagonal of the second frame portion 210c different from the diagonal at which the piezoelectric vibration element electrode terminal G1 is provided.

圧電振動素子搭載パッド２１１といずれかの外部接続用電極端子Ｇは、前記素子搭載部材２１０の第２の凹部空間Ｋ２内の基板部２１０ａに形成された部分を有する圧電振動素子用配線パターン２１３と、基板部２１０ａに設けられた第１のビア導体２１４と、基板部２１０ａ及び第２の枠部２１０ｃの内部に形成された第２のビア導体２１５により接続されている。つまり、図８及び図９に示すように、圧電振動素子搭載パッド２１１は、第１のビア導体２１４を介して圧電振動素子用配線パターン２１３の一端と接続されている。また、圧電振動素子用配線パターン２１３の他端は、第２のビア導体２１５を介して圧電振動素子用電極端子Ｇ１と接続されている。よって、圧電振動素子搭載パッド２１１は、圧電振動素子用電極端子Ｇ１と電気的に接続されることになる。 The piezoelectric vibration element mounting pad 211 and any one of the external connection electrode terminals G include a piezoelectric vibration element wiring pattern 213 having a portion formed on the substrate portion 210a in the second recess space K2 of the element mounting member 210. The first via conductor 214 provided in the substrate portion 210a is connected to the second via conductor 215 formed inside the substrate portion 210a and the second frame portion 210c. That is, as shown in FIGS. 8 and 9, the piezoelectric vibration element mounting pad 211 is connected to one end of the piezoelectric vibration element wiring pattern 213 through the first via conductor 214. The other end of the piezoelectric vibration element wiring pattern 213 is connected to the piezoelectric vibration element electrode terminal G 1 via the second via conductor 215. Therefore, the piezoelectric vibration element mounting pad 211 is electrically connected to the piezoelectric vibration element electrode terminal G1.

また、サーミスタ素子搭載パッド２１２とサーミスタ素子用電極端子Ｇ２は、前記素子搭載部材２１０の第２の凹部空間Ｋ２内の基板部２１０ａに形成された部分を有するサーミスタ素子用配線パターン２１６と第２の枠部２１０ｃの内部に形成された第３のビア導体２１７により接続されている。つまり、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すようにサーミスタ素子搭載パッド２１２は、サーミスタ素子用配線パターン２１６の一端と接続されている。また、サーミスタ素子用配線パターン２１６の他端は、第３のビア導体２１７を介してサーミスタ素子用電極端子Ｇ２と接続されている。よって、サーミスタ素子用搭載パッド２１２は、サーミスタ素子用電極端子Ｇ２と電気的に接続されることになる。 Further, the thermistor element mounting pad 212 and the thermistor element electrode terminal G2 have a portion formed on the substrate portion 210a in the second recessed space K2 of the element mounting member 210 and the second wiring pattern 216 for the thermistor element. They are connected by a third via conductor 217 formed inside the frame part 210c. That is, as shown in FIGS. 9A and 9B, the thermistor element mounting pad 212 is connected to one end of the thermistor element wiring pattern 216. The other end of the thermistor element wiring pattern 216 is connected to the thermistor element electrode terminal G 2 via the third via conductor 217. Therefore, the thermistor element mounting pad 212 is electrically connected to the thermistor element electrode terminal G2.

蓋体１３０は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）などからなる。このような蓋体１３０は、第１の凹部空間Ｋ１を、窒素ガスや真空などで気密的に封止される。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、素子搭載部材２１０の第１の枠部２１０ｂ上に載置され、第１の枠部２１０ｂの表面の金属と蓋体１３０の金属の一部とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第１の枠部２１０ｂに接合される。 The lid 130 is made of, for example, an Fe—Ni alloy (42 alloy), an Fe—Ni—Co alloy (Kovar), or the like. Such a lid 130 hermetically seals the first recessed space K1 with nitrogen gas or vacuum. Specifically, the lid 130 is placed on the first frame portion 210b of the element mounting member 210 in a predetermined atmosphere, and a part of the metal of the surface of the first frame portion 210b and the metal of the lid 130. By applying a predetermined current so as to be welded and performing seam welding, the first frame portion 210b is joined.

本発明の第２の実施形態に圧電振動子２００によれば、第２の凹部空間Ｋ２の角部が隣接する外部接続用電極端子Ｇ間に位置するように設けられており、第２の凹部空間Ｋ２内の壁部と平行になるようにサーミスタ素子１４０が配置されていることにより、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子用配線パターン２１６の配線距離を短くし、浮遊容量を小さくすることができる。よって、サーミスタ素子１４０に接続されている浮遊容量を低減することができるので、正確なサーミスタ素子１４０の値を出力することができる。また、サーミスタ素子１４０から正確な出力値を出力することができるので、サーミスタ素子１４０から出力された抵抗値を換算することで得られた電圧から正確な温度情報を得ることができる。よって、このようにして得られた温度情報と、実際の圧電振動素子１２０の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。 According to the piezoelectric vibrator 200 in the second embodiment of the present invention, the corners of the second recess space K2 are provided so as to be positioned between the adjacent external connection electrode terminals G, and the second recesses are provided. By disposing the thermistor element 140 so as to be parallel to the wall portion in the space K2, the wiring distance of the thermistor element wiring pattern 216 can be shortened and the stray capacitance can be reduced as compared with the conventional piezoelectric device. it can. Therefore, since the stray capacitance connected to the thermistor element 140 can be reduced, an accurate value of the thermistor element 140 can be output. In addition, since an accurate output value can be output from the thermistor element 140, accurate temperature information can be obtained from the voltage obtained by converting the resistance value output from the thermistor element 140. Therefore, the difference between the temperature information obtained in this way and the temperature information around the actual piezoelectric vibration element 120 can be reduced.

尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、前記した本実施形態では、圧電振動素子１２０を構成する圧電素材として水晶を用いた場合を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the above-described embodiment, the case where crystal is used as the piezoelectric material constituting the piezoelectric vibration element 120 has been described. The piezoelectric vibration element used may be used.

１１０・・・素子搭載部材
１１０ａ・・・基板部
１１０ｂ・・・第１の枠部
１１０ｃ・・・第２の枠部
１１１・・・圧電振動素子搭載パッド
１１２・・・サーミスタ素子搭載パッド
１２０・・・圧電振動素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０・・・蓋体
１４０・・・サーミスタ素子
１００・・・圧電振動子
Ｋ１・・・第１の凹部空間
Ｋ２・・・第２の凹部空間
ＤＳ・・・導電性接着剤
ＨＤ・・・導電性接合材
ＨＢ・・・封止用導体膜
Ｇ・・・外部接続用電極端子
Ｇ１・・・圧電振動素子用電極端子
Ｇ２・・・サーミスタ素子用電極端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 110 ... Element mounting member 110a ... Board | substrate part 110b ... 1st frame part 110c ... 2nd frame part 111 ... Piezoelectric vibration element mounting pad 112 ... Thermistor element mounting pad 120. · the piezoelectric vibrating element 121 ... quartz crystal substrate 122 ... excitation electrodes 123 ... lead-out electrodes 130 ... lid 140 ... thermistor 100 ... piezoelectric vibrator K1 ... first Recessed space K2 ... Second recessed space DS ... Conductive adhesive HD ... Conductive bonding material HB ... Conducting conductive film G ... External connection electrode terminal G1 ... Electrode terminal for piezoelectric vibration element G2 ... Electrode terminal for thermistor element

Claims

An element mounting member comprising a substrate portion, a first frame portion provided on one main surface of the substrate portion, and a second frame portion provided on the other main surface of the substrate portion;
Piezoelectric vibrations mounted on two pairs of piezoelectric vibration element mounting pads provided on the main surface of the substrate part exposed in the first recess space formed by the substrate part and the first frame part. Elements,
A thermistor element mounted on a pair of thermistor element mounting pads provided on the main surface of the substrate part exposed in a second recessed space formed by the substrate part and the second frame part; ,
A lid for hermetically sealing the first recessed space;
An external connection electrode terminal provided at four corners of the main surface on the opposite side of the main surface of the second frame portion on the substrate portion side;
The external connection electrode terminal is composed of two pairs of thermistor element electrode terminals and two pairs of piezoelectric vibration element electrode terminals,
The electrode terminals for the thermistor element are respectively provided at two corners located diagonally among the four corners of the main surface opposite to the main surface of the second frame portion on the substrate portion side,
The electrode terminal for the piezoelectric vibration element is diagonally not provided with the electrode terminal for the thermistor element among the four corners of the main surface of the second frame portion opposite to the main surface on the substrate portion side. It is provided at each of the two corners
The electrode terminal for the thermistor element is connected only to the thermistor element mounting pad,
The piezoelectric vibration element electrode terminal is connected only to the piezoelectric vibration element mounting pad,
The piezoelectric thermistor, wherein the thermistor element is arranged so as to be parallel to a diagonal line connecting two corners of the second recessed space adjacent to each of the two electrode terminals for the thermistor element.

An element mounting member comprising a substrate portion, a first frame portion provided on one main surface of the substrate portion, and a second frame portion provided on the other main surface of the substrate portion;
Piezoelectric vibrations mounted on two pairs of piezoelectric vibration element mounting pads provided on the main surface of the substrate part exposed in the first recess space formed by the substrate part and the first frame part. Elements,
A thermistor element mounted on a pair of thermistor element mounting pads provided on the main surface of the substrate part exposed in a second recessed space formed by the substrate part and the second frame part; ,
A lid for hermetically sealing the first recessed space;
An external connection electrode terminal provided at four corners of the main surface on the opposite side of the main surface of the second frame portion on the substrate portion side;
The external connection electrode terminal is composed of two pairs of thermistor element electrode terminals and two pairs of piezoelectric vibration element electrode terminals,
The electrode terminals for the thermistor element are respectively provided at two corners located diagonally among the four corners of the main surface opposite to the main surface of the second frame portion on the substrate portion side,
The electrode terminal for the piezoelectric vibration element is diagonally not provided with the electrode terminal for the thermistor element among the four corners of the main surface of the second frame portion opposite to the main surface on the substrate portion side. It is provided at each of the two corners
The electrode terminal for the thermistor element is connected only to the thermistor element mounting pad,
The piezoelectric vibration element electrode terminal is connected only to the piezoelectric vibration element mounting pad,
The corner portion of the second recess space is provided so as to be positioned between adjacent external connection electrode terminals,
The piezoelectric thermistor, wherein the thermistor element is arranged so as to be parallel to the side of the opening of the second recess space adjacent to each of the two electrode terminals for the piezoelectric vibration element.