JP2010106346A - 表面処理装置 - Google Patents

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達也 伊藤
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潤 小茂鳥
Kengo Fukazawa
剣吾 深沢
Yoshitaka Misaka
佳孝 三阪
Kazuhiro Kawasaki
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Abstract

【課題】被処理物を誘導加熱しつつ投射材を噴射して表面処理する際に、投射材の移着率の向上と表面粗さの低減を図ることができる表面処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ110と、チャンバ110内に窒素ガスを導入するガス供給部142と、チャンバ110内に配置され、被処理物Wを支持する支持台120と、支持台12の周囲に配置され、被処理物Wを加熱する誘導加熱コイル130と、誘導加熱コイル130に高周波電流を供給して被処理物Wを誘導加熱する高周波印加装置200と、支持台120に向けて窒素ガスと共に投射材を噴射させる噴射ノズル140とを具備していた。
【選択図】 図1

Description

本発明は、被処理物を誘導加熱しつつ投射材を噴射して表面処理する表面処理装置に関し、特に投射材の移着率の向上と表面粗さの低減を同時に行える技術に関する。
従来、例えば鋼材に金属粒子等の投射材(微粒子)を噴射して表面処理する表面処理装置が知られている。
例えば、ショットピーニング後に真空雰囲気で加熱してMnを蒸発除去し、表面のCr富化層のCr濃度を高める技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。すなわち、母材(被処理物)がステンレス鋼管内部に鋼球(投射材)を入れた状態で、母材に振動を加える等によって、鋼球を母材の内面に衝突させるショットピーニング処理を行ない、母材中のCrの表面拡散を促進させることによって、母材Pの内表面にCr富化層を発生させる。
ショットピーニング処理後において、その処理後の母材を真空加熱炉に送り込んで、例えば、真空、温度900〜1200℃の雰囲気で30分程度加熱し、母材の内表面のCr富化層について、Mnを蒸発除去する。
つまり、上述の化学成分のうち、Mnの沸点が低いことを利用して、Mnのみを蒸発させてCr富化層から除去する。なお、Mn成分は、ステンレス鋼の製造時や溶接時に、応力割れの発生を防止するための有用な金属成分であるが、製品または部品の状態とした後に除去しても、ステンレス鋼としての基本的性質に及ぼす影響を無視できる。
また、ショットピーニング後に酸化物の保護皮膜を形成する技術が知られている(例えば、特許文献2参照)。すなわち、投射材としては、耐酸化性に優れた保護皮膜を形成する金属なら何でも良く、Crの他にAlやSi等が考慮される。そして、これらの金属の粉末、またはこれらの金属を含む合金、またはこれらの混合体が投射材として使用される。この投射材の平均粒径は50〜300μmが好適である。母材としては、たとえば、高Crフェライト系耐熱鋼を含むフェライト系耐熱鋼、オーステナイト系耐熱鋼等の耐熱鋼や、ステンレス鋼等が例示される。そして、ショットピーニング処理装置は、一般に使用されているものが利用可能である。このショットピーニング処理の投射材の噴射圧力は6.0〜8.5kg/cmの範囲が考慮される。噴射時間は、対象となる母材の大きさによって異なるが、たとえば、寸法10×20×2mmの試験片の場合には、一試験片あたり5 秒以上が好適である。このように、母材上のCr付着層は、一般に使用されている装置で処理が可能で、投射材も、ショットピーニングに必要な量だけ使用されるため、非常に低コストで形成される。
次に、このCr付着層が形成された母材について、予備酸化処理を行う。この処理は、大気雰囲気中、あるいは、Ar,H,Nガスなどの低酸素雰囲気中において、600℃〜800℃で熱処理することで、母材上にCr酸化物の保護皮膜が形成される。熱処理時間は、大気雰囲気中では1時間程度、低酸素雰囲気中では20〜100時間程度が考慮される。これによって、母材表面に0.3μm以下の厚さの酸化物の保護皮膜が形成される。
さらに、コイルに高周波電流を流して処理対象物の表面を所定の温度に誘導加熱し、処理対象物とコイルとを相対的に移動させて加熱した処理対象物の表面に粒子を噴射し、処理対象物の表面と粒子の熱化学反応により化合物層を形成させて粒子を結合させる(例えば、特許文献3参照)。なお、当該文献には、処理対象物を不活性ガスなどのシールドガスなどによって覆うような高価な装置が不用になって表面処理装置が簡単で安価な構造になる旨が明記されている。
一方、被処理物の表面温度を調節することで、金属粒子の移着率を向上させたものが知られている(例えば、特許文献4参照)。
特開平5−331670号公報 特開2005−298878号公報 特開2006−70320号公報 特開2008−127647号公報
上述した表面処理装置では、次のような問題があった。すなわち、投射材の皮膜厚さが十分に得られないという問題があった。また、被処理物の表面温度を調整するものにあっては、噴射する粒子と被処理物との結合は十分に得られるものの、温度が高くなるにつれて酸化物の生成量も多くなり、表面粗さが増大するという問題があった。さらに、被処理物の炭素分が雰囲気中の酸素と化合し(脱炭)、機械的特性が低下するという問題があった。
そこで本発明は、被処理物を誘導加熱しつつ投射材を噴射して表面処理する際に、投射材の移着率の向上と表面粗さの低減・機械的特性の維持を図ることができる表面処理装置を提供することを目的としている。
前記課題を解決し目的を達成するために、本発明の表面処理装置は次のように構成されている。
被処理物に投射材を噴射して表面処理する表面処理装置において、チャンバと、このチャンバ内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、前記チャンバ内に配置され、前記被処理物を支持する支持部と、この支持部の周囲に配置され、前記被処理物を加熱する誘導加熱コイルと、この誘導加熱コイルに高周波電流を供給して前記被処理物を誘導加熱する高周波印加部と、前記支持部に向けて前記不活性ガスと共に前記投射材を噴射させる投射材噴射部とを具備したことを特徴とする。
本発明によれば、被処理物を誘導加熱しつつ投射材を噴射して表面処理する際に、投射材の移着率の向上と表面粗さの低減・機械的特性の維持を図ることが可能となる。
図1は本発明の一実施の形態に係る表面処理装置100の概略構成を示す断面図、図2は、図2は表面処理装置100における被処理物Wの表面温度の推移を示すグラフ、図3は表面処理装置100による表面粗さ測定結果を比較例とともに示す図である。
表面処理装置100は、被処理物Wを誘導加熱しつつ投射材を噴射して表面処理する装置である。ここで、被処理物Wとしては、例えば磁性材料である鋼材を対象とすることができる。特に、鉄を主成分する鋼材が好適である。一方、投射材としては、例えば鉄、クロム、アルミニウム等の金属、あるいはクロム−ニッケルや炭化タングステン−コバルト等の合金、アルミナやシリカ、ジルコニア等のセラミックスである金属酸化物、炭化珪素や窒化珪素等のセラミックスである金属を含有する金属化合物等が例示できる。また、投射材としては、例えば平均粒径が数μm〜数百μmに調整されたものが利用される。
図1に示すように、表面処理装置100は、気密に形成されたチャンバ110を備えている。チャンバ110内には、被処理物Wを載置する支持台120と、この支持台120の周囲に設けられた誘導加熱コイル130と、支持台120に向けて投射材を噴射する噴射ノズル140とが設けられている。
チャンバ110には、チャンバ110内のガスを排気する排気口111、チャンバ110内のガスの酸素濃度を測定する酸素濃度計112が設けられている。酸素濃度計112の出力は後述する制御部300に接続されている。
支持台120には、被処理物Wの表面温度を測定する温度センサ121が設けられて居る。温度センサ121の出力は制御部300に接続されている。
誘導加熱コイル130は、チャンバ110外に設けられた高周波印加装置200に接続され、所定の周波数の高周波電流が印加される。
噴射ノズル140は、支持台120に向けられたノズル141と、このノズル141に不活性ガスを供給するガス供給部142と、このガス供給部142からのガス供給量を調整する調整弁143と、ノズル141に投射材を供給するホッパ144と、このホッパ144からの投射材の供給量を調整する調整部145とを備えている。不活性ガスとして、窒素ガスやアルゴンガスが用いられる。噴射速度としては、例えば数十m/秒から数千m/秒で噴射される。なお、噴射速度ではなく、噴射圧として制御してもよい。
高周波印加装置200は、単一、あるいは複数の周波数の高周波電流を誘導加熱コイル130に印加し、被処理物Wを誘導加熱する。
図1中300は、表面処理装置100の各部を制御する制御部を示している。制御部300は、作業者の設定、予め設定されたプログラム、センサ出力等の情報に基づいて、高周波印加装置200、調整弁143、調整部145の制御を行い、被処理物Wの加熱、投射材の噴射速度・噴射量、不活性ガスの噴射量等を調整する。
制御部300による制御の一例として、ノズル141から不活性ガスのみを噴射させてチャンバ110内を不活性ガスに置換させ、高周波印加装置200から誘導加熱コイル130に高周波電流を供給させて被処理物Wを所定の温度まで加熱させ、被処理物Wが所定の温度に加熱された後にノズル141から投射材及び不活性ガスを噴射させるとともに被処理物Wが所定の温度に維持される状態に誘導加熱コイル130に高周波電流を供給させ、ノズル141から不活性ガスのみを噴射させて被処理物Wを冷却させるように制御を行う。
このように構成された表面処理装置100は、次のようにして動作する。すなわち、ノズル141から窒素ガスのみを噴射し、チャンバ110内の空気を排気口111から排出し、窒素ガスに置換する。酸素濃度計112によるチャンバ110内の酸素濃度が所定値以下(例えば、0.3%以下)となった時点で、図2に示すように、高周波印加装置200から誘導加熱コイル130に高周波電流を供給させて被処理物Wを所定の温度まで加熱さる。ここでは、15秒かけて900℃とする。
次に、ノズル141から投射材及び窒素ガスを10秒間噴射させる。このとき、温度センサ121の出力が900℃に保持されるように、誘導加熱コイル130に高周波電流を供給させる。投射材の噴射により、投射材が被処理物Wの表面に衝突すると、投射材が被処理物Wの表面に移着するとともに、内部に拡散し、拡散層が形成される。このとき、チャンバ110内には酸素ガスが極めて少ない状態であるため、酸化スケールがほとんど生成されない。
次に、ノズル141から窒素ガスのみを被処理物Wに噴射し、30秒かけて冷却を行う。
上述したように、表面処理装置100によれば、窒素ガスで空気を置換し、加熱した状態を維持したまま、投射材を被処理物Wに吹き付けることができるので、投射材の移着率を高めることができるとともに、酸化スケールの生成を抑制することができる。すなわち、高温を維持しつつショット可能とするとともに、表面酸化スケールが生成しないように、不活性ガスで装置内雰囲気置換している。すなわち、密閉度を高めることで不活性ガスによる置換を効果的にしている。
投射材であるCr元素は、処理温度が低い場合は金属クロムとして表面近傍に存在するのに対し、処理温度が高い場合にはFeCrという、複酸化物を形成して存在する。これは、加熱しないショットピーニング処理の過程では、表面に移着した投射材が、繰返し折り畳まれることにより、内部に侵入するのに対し、本発明では、この一連の過程が高温状態において生じている。したがって、原子の結合状態はエネルギ的に不安定になるため投射材の基材への移着が促進される。さらに、移着した投射材成分は高温状態に加熱されていることにより、母材内部へと拡散しやすい状態が作られる。その結果、投射材成分が層状に拡散した組織が形成されたものと推定される。
ここで、酸化スケールの生成量を比較するために、投射材を噴射しない状態における表面粗さを測定した。図3に示すように、チャンバ110内を窒素ガスで置換しなかった場合(空気)に比べ、表面粗さを低減することができ、良好な表面品質を得ることができる。また、被処理物中の炭素分の化合を防止することで、機械的特性を維持することができる。
一方、被処理物Wとして、磁性材料である鉄鋼材料等を用い、耐蝕性や耐摩耗性の付与等の所望する特性を得るために鉄鋼材料との結合・複合化が得られる材料であるクロム等の金属を主成分とする金属粒子や金属化合物、あるいは金属酸化物粒子等を投射材として噴射させることで、耐食性が向上する原理について説明する。
例えば、S45C鋼では、特に耐食性を向上させるための元素が添加されていないため、電位を印加した直後から急激な電流密度の立ち上がりが認められる。このような分極挙動は、不動体膜を有さない金属の場合には一般的な挙動である。
このことは、400℃程度の加熱処理を行いながら、ショットピーニング処理をした場合には耐食性を改善する効果が無いことを示している。すなわち、加熱温度900℃という高温でショットピーニング処理を行うことで、炭素鋼に対してステンレス鋼に近い耐食性を付与することが可能なことを示唆するものである。このような非常に優れた耐食性を示す要因としては、厚い酸化膜層が存在するためか、その内側にクロム酸化物を含む層(Crリッチ層)が存在するためかのいずれかである。
ここで、Crリッチ層の耐食性に対する影響を明らかにするため、比較例として大気中で900℃に加熱し、圧縮空気のみを吹き付けた第1試験片を作製した。一方、窒素ガスを流しながらクロム粒子の投射を行った第2試験片を作製した。第1試験片は、クロム元素を含まない比較的厚い酸化物層が形成された。第2試験片は薄い酸化物層の内部にCrリッチ層が形成されている。
これらの試験片に対してアノード分極試験を行ったところ、第1試験片は第2試験片に対して高い電流密度を示しており、耐食性に劣っている。すなわち、厚い酸化物層の存在のみが高い耐食性をもたらす要因ではないことがわかる。したがって、Crリッチ層が耐食性に影響を与えていることが明らかであり、本実施の形態に係る表面処理装置100によってS45C鋼を処理することで耐食性が増すことが明らかとなった。
本発明は、同じ装置内でショットと加熱処理を同時に行うため、投射材の表面拡散が促進される。また加熱も同じ装置内で行うため、短時間で処理できる。例えば、特許文献1に記載された技術では、ショットと加熱処理とが別工程で行われているため、30分程度の加熱が必要となり、処理効率が低い。
また、特許文献3に記載された技術では、温度は維持されておらず、また不活性ガスを使っているが、密閉状態ではないため、表面に酸化物が形成されることを抑制していない。酸化物層を無くすには、このような不完全な密閉では実現できない。
このように表面処理装置100に相当する構成は従来にはなく、また、特許文献等にも示唆もされていない。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上述した例では、被処理物としては、表面に複数の凹凸を有する複雑な形状の例えば歯車やねじ、ボルト、ナット等の他、シャフトのような筒状の部材、異なる材料が積層する複合材料等にも適用できるのは勿論である。この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるのは勿論である。
本発明の一実施の形態に係る表面処理装置の構成を示す説明図。 同表面処理装置における被処理物の表面温度の推移を示すグラフ。 同表面処理装置による表面粗さ測定結果を比較例とともに示す図。
符号の説明
100…表面処理装置、110…チャンバ、111…排気口、112…酸素濃度計、120…支持台、121…温度センサ、130…誘導加熱コイル、140…噴射ノズル、142…ガス供給部、143…調整弁、145…調整部、200…高周波印加装置、300…制御部、W…被処理物。

Claims (2)

  1. 被処理物に投射材を噴射して表面処理する表面処理装置において、
    チャンバと、
    このチャンバ内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、
    前記チャンバ内に配置され、前記被処理物を支持する支持部と、
    この支持部の周囲に配置され、前記被処理物を加熱する誘導加熱コイルと、
    この誘導加熱コイルに高周波電流を供給して前記被処理物を誘導加熱する高周波印加部と、
    前記支持部に向けて前記不活性ガスと共に前記投射材を噴射させる投射材噴射部とを具備したことを特徴とした表面処理装置。
  2. 前記投射材噴射部から不活性ガスのみを噴射させて前記チャンバ内を前記不活性ガスに置換させ、前記高周波印加部から前記誘導加熱コイルに高周波電流を供給させて前記被処理物を所定の温度まで加熱させ、前記被処理物が所定の温度に加熱された後に前記投射材噴射部から前記投射材及び前記不活性ガスを噴射させるとともに前記被処理物が前記所定の温度に維持される状態に前記誘導加熱コイルに高周波電流を供給させ、投射材噴射部から不活性ガスのみを噴射させて前記被処理物を冷却させる制御部を具備したことを特徴とした表面処理装置。
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