JP2010103153A - Circuit board and method of producing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board which ensures adhesion of solder resist onto an insulating layer after a metal foil is removed even in a case where a metal foil having a low surface roughness on the surface adhering to the insulating layer is used, while exhibiting excellent reliability for PCT, having fine wiring, and reducing transmission loss of high frequency signal. <P>SOLUTION: In a circuit board having a conductor pattern which is formed by removing the metal foil from a laminate with a metal foil where a metal foil is bonded onto an insulating layer, a rough surface shape is formed on the surface of the insulating layer which is exposed after removing the metal foil. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、回路基板及びその製造方法に関し、特には微細配線を有し、高周波用途に用いられる回路基板及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a circuit board and a manufacturing method thereof, and more particularly to a circuit board having fine wiring and used for high frequency applications and a manufacturing method thereof.

回路基板の製造に用いられる金属箔付き積層板の金属箔としては、一般に銅箔が用いられ、その樹脂と接する面には、樹脂との接着性を向上させる目的で、十点平均粗さ(以下,Rzと表記する)で7〜8μm程度の凸凹形状に粗化された形状(粗面形状)が付与されている。   In general, copper foil is used as the metal foil of the laminate with metal foil used for the production of the circuit board, and the surface in contact with the resin has a ten-point average roughness (for the purpose of improving the adhesion with the resin) Hereinafter, the shape (roughened surface shape) roughened to an uneven shape of about 7 to 8 μm is given.

近年、パーソナルコンピュータや携帯電話等の情報端末機器に搭載される回路基板は、大容量の情報を高速に処理することが求められており、信号処理の高速化や低伝送損失化が必要になっている。また、高密度化の要求から、より微細な配線パターンが求められている。これに伴い、回路基板に使用する金属箔付き積層板の銅箔も、層間距離(絶縁層厚み)の確保やインピーダンスコントロールの重要性、及びエッチングによる微細配線の形成性の観点から、粗面形状が小さくなっている。このため、いわゆるロープロファイルと呼ばれるRzで2.7〜3.3μmの銅箔や、プロファイルフリーと呼ばれるRzで1.1〜1.5μmの銅箔を導体パターンとして用いた回路基板が提案されている(特許文献1、2、非特許文献1)。   In recent years, circuit boards mounted on information terminal devices such as personal computers and mobile phones have been required to process large amounts of information at high speed, and it is necessary to increase the speed of signal processing and reduce transmission loss. ing. In addition, a finer wiring pattern is required due to the demand for higher density. Along with this, the copper foil of the laminate with metal foil used for the circuit board is also roughened from the viewpoint of securing the interlayer distance (insulating layer thickness), the importance of impedance control, and the formability of fine wiring by etching. Is getting smaller. For this reason, circuit boards using a so-called low profile Rz 2.7-3.3 μm copper foil or a profile free Rz 1.1-1.5 μm copper foil as conductor patterns have been proposed. (Patent Documents 1 and 2, Non-Patent Document 1).

また、回路基板を形成する場合は、不要な箇所の銅箔を除去して導体パターンを絶縁層上に形成した後に、導体パターン上及び絶縁層上にソルダーレジストが形成される。導体パターン上のソルダーレジストの密着性を改善する方法としては、回路形成後に回路表面を粗化する方法が提案されている(特許文献3)。
特開2005−072493号公報 特開2008−111188号公報 小川信之、他4名、「微細配線形成用プロファイルフリー銅箔技術」、日立化成テクニカルレポート、日本国、2006年1月、No.46(2006−1)、P.15−18 特開H11−191482号公報
When a circuit board is formed, a solder resist is formed on the conductor pattern and the insulating layer after removing the copper foil at unnecessary portions and forming the conductor pattern on the insulating layer. As a method for improving the adhesion of the solder resist on the conductor pattern, a method of roughening the circuit surface after circuit formation has been proposed (Patent Document 3).
Japanese Patent Laying-Open No. 2005-072493 JP 2008-111188 A Nobuyuki Ogawa and four others, “Profile-free copper foil technology for fine wiring formation”, Hitachi Chemical Technical Report, Japan, January 2006, No. 46 (2006-1), p. 15-18 JP H11-191482 A

しかしながら、情報端末機器等に搭載される回路基板に対しては、耐久性促進テストであるPCT(プレッシャークッカーテスト)での耐久性が要求されることがある。このPCTにおいては、回路基板上に形成されたソルダーレジストの密着が不足し、剥がれが生じるケースがあった。   However, a circuit board mounted on an information terminal device or the like may be required to have durability in a PCT (pressure cooker test) that is a durability promotion test. In this PCT, there was a case where the solder resist formed on the circuit board was insufficiently adhered and peeled off.

一方で、微細配線の形成性や高周波での伝送損失を考慮すると、導体パターン形成に使用される銅箔の表面粗さは小さい方が望ましいため、回路基板の絶縁層と密着するマット面の表面粗さが小さいロープロファイル銅箔やプロファイルフリー銅箔が使用される傾向がある。このような表面粗さの小さい銅箔をエッチング除去した後の絶縁層表面の表面粗さは小さいため、PCTでのソルダーレジストの密着性を確保するのが難しい問題があった。   On the other hand, considering the formability of fine wiring and transmission loss at high frequencies, it is desirable that the copper foil used for conductor pattern formation has a smaller surface roughness, so the surface of the mat surface that is in close contact with the insulating layer of the circuit board There is a tendency to use low profile copper foil or profile free copper foil with low roughness. Since the surface roughness of the surface of the insulating layer after the copper foil having such a small surface roughness is removed by etching, there is a problem that it is difficult to ensure the adhesion of the solder resist in PCT.

特許文献4では、導体パターン上のソルダーレジストの密着は改善するものの、絶縁層上に対しては、粗面化しないので、絶縁層上のソルダーレジストの密着を確保するのは難しいという問題があった。   In Patent Document 4, although the adhesion of the solder resist on the conductor pattern is improved, there is a problem that it is difficult to ensure the adhesion of the solder resist on the insulating layer because the surface is not roughened on the insulating layer. It was.

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、絶縁層と密着する面の表面粗さの小さい金属箔を使用した場合でも、金属箔除去後の絶縁層上のソルダーレジストの密着を確保することができ、PCTに対する信頼性に優れ、かつ微細配線を有し、高周波信号の伝送損失の少ない回路基板を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and ensures the adhesion of the solder resist on the insulating layer after removing the metal foil, even when a metal foil having a small surface roughness on the surface in close contact with the insulating layer is used. An object of the present invention is to provide a circuit board that is excellent in reliability with respect to PCT, has fine wiring, and has low transmission loss of high-frequency signals.

本発明は、以下のものに関する。
(1) 絶縁層上に金属箔を張り合わせた金属箔付き積層板の前記金属箔を除去して形成した導体パターンを有する回路基板において、前記金属箔を除去した後の露出した前記絶縁層表面に粗面形状を形成した回路基板。
(2) 上記(1)において、導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さよりも、露出した絶縁層表面の表面粗さの方が大きい回路基板。
(3) 上記(1)または(2)において、金属箔がプロファイルフリー銅箔である回路基板。
(4) 上記(1)から(3)の何れかにおいて、粗面形状の形成が、プラズマ処理により形成される回路基板。
(5) 絶縁層上に金属箔を張り合わせた金属箔付き積層板の前記金属箔を除去して形成した導体パターンを有する回路基板の製造方法において、前記金属箔を除去して導体パターンを形成する工程と、露出した前記絶縁層表面に粗面形状を形成する工程とを有する回路基板の製造方法。
(6) 上記(5)において、金属箔としてプロファイルフリー銅箔を用いる回路基板の製造方法。
(7) 上記(5)又は(6)において、粗面形状を形成する工程が、プラズマ処理を有する回路基板の製造方法。
The present invention relates to the following.
(1) In a circuit board having a conductor pattern formed by removing the metal foil of a laminated sheet with a metal foil laminated with a metal foil on an insulating layer, on the surface of the exposed insulating layer after the metal foil is removed A circuit board with a rough surface.
(2) The circuit board according to (1), wherein the surface roughness of the exposed insulating layer surface is larger than the surface roughness of the insulating layer surface in contact with the conductor pattern.
(3) The circuit board according to (1) or (2), wherein the metal foil is a profile-free copper foil.
(4) The circuit board according to any one of (1) to (3), wherein the rough surface is formed by plasma processing.
(5) In the manufacturing method of a circuit board having a conductor pattern formed by removing the metal foil of the laminated sheet with the metal foil laminated with the metal foil on the insulating layer, the conductor pattern is formed by removing the metal foil. A method for manufacturing a circuit board, comprising: a step; and a step of forming a rough surface shape on the exposed surface of the insulating layer.
(6) A method for manufacturing a circuit board according to (5), wherein a profile-free copper foil is used as the metal foil.
(7) The method for manufacturing a circuit board according to (5) or (6), wherein the step of forming a rough surface includes plasma treatment.

本発明によれば、プロファイルフリー銅箔を使用した場合でも、銅箔除去後の絶縁層上のソルダーレジストの密着を確保することができ、PCTに対しても信頼性に優れ、かつ微細配線を有し、高周波信号の伝送損失の少ない回路基板を提供することができる。   According to the present invention, even when a profile-free copper foil is used, it is possible to ensure adhesion of the solder resist on the insulating layer after removing the copper foil, which is excellent in reliability with respect to PCT and has fine wiring. It is possible to provide a circuit board having a low transmission loss of high-frequency signals.

本発明でいう、回路基板とは、配線板や半導体搭載用基板として用いられるものであり、例えば図1に示すように、絶縁層3上に金属箔4を張り合わせた金属箔付き積層板1の前記金属箔4の不要部分を除去して形成した導体パターン6を有するものが挙げられる。   The circuit board referred to in the present invention is used as a wiring board or a semiconductor mounting board. For example, as shown in FIG. 1, the laminated board 1 with a metal foil in which a metal foil 4 is laminated on an insulating layer 3 is used. What has the conductor pattern 6 formed by removing the unnecessary part of the said metal foil 4 is mentioned.

本発明でいう、絶縁層3とは、有機絶縁材料を用いて形成された絶縁基板、コア基板、フィルム、層間絶縁層、ビルドアップ層などをいう。本発明で用いる絶縁層3は、金属箔4と密着している表面、または密着していた金属箔4を除去した後の露出した表面を有する。即ち、本発明で用いる絶縁層3は、その表面に金属箔4の表面形状が転写した状態となっている。ここで、金属箔4の表面形状とは、金属箔4の表裏面のうち、絶縁層3と密着する側の面(通常はいわゆるマット面に相当する。)の表面形状をいう。通常は、金属箔4と絶縁層3が積層一体化されて、金属箔付き積層板1が形成されるため、絶縁層3の金属箔4と密着した面には、金属箔4の表面形状が転写し、いわゆるレプリカが形成される。絶縁層3としては、一般的な配線板や半導体搭載用基板等の回路基板11に用いられるものを使用することができる。例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を含浸させたプリプレグを用いたガラスエポキシ基板やガラスポリイミド基板等、あるいは高分子量エポキシ樹脂を主成分とする接着シート等を使用することができる。プリプレグとしては、GEA679FG(日立化成工業株式会社製 商品名)等が、接着シートとしては、AS−3000、AS−2600W(何れも日立化成工業株式会社製 商品名)等が例示できる。   In the present invention, the insulating layer 3 refers to an insulating substrate, a core substrate, a film, an interlayer insulating layer, a build-up layer, and the like formed using an organic insulating material. The insulating layer 3 used in the present invention has a surface that is in close contact with the metal foil 4 or an exposed surface after the metal foil 4 that has been in close contact is removed. That is, the insulating layer 3 used in the present invention is in a state where the surface shape of the metal foil 4 is transferred to the surface thereof. Here, the surface shape of the metal foil 4 refers to the surface shape of a surface (usually corresponding to a so-called mat surface) of the metal foil 4 that is in close contact with the insulating layer 3. Usually, since the metal foil 4 and the insulating layer 3 are laminated and integrated to form the laminated sheet 1 with the metal foil, the surface shape of the metal foil 4 is on the surface of the insulating layer 3 that is in close contact with the metal foil 4. Transferring forms a so-called replica. As the insulating layer 3, those used for the circuit board 11 such as a general wiring board or a semiconductor mounting board can be used. For example, a glass epoxy substrate or a glass polyimide substrate using a prepreg in which a glass cloth is impregnated with an epoxy resin or a polyimide resin, an adhesive sheet mainly composed of a high molecular weight epoxy resin, or the like can be used. Examples of the prepreg include GEA679FG (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and examples of the adhesive sheet include AS-3000, AS-2600W (both manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.).

本発明で用いる金属箔4としては、回路基板11の導体パターン6の形成用に用いられるものであればよく、特に限定されることなく用いられる。良導性の観点から銅箔やアルミニウム箔であるのが好ましい。特には、汎用性の点から銅箔が望ましく、銅箔としては、電解銅箔や圧延銅箔等を用いることができる。   The metal foil 4 used in the present invention may be any metal foil that can be used for forming the conductor pattern 6 of the circuit board 11 and is not particularly limited. From the viewpoint of good conductivity, a copper foil or an aluminum foil is preferable. In particular, a copper foil is desirable from the viewpoint of versatility, and an electrolytic copper foil, a rolled copper foil, or the like can be used as the copper foil.

また、銅箔としては、絶縁層3との接着性を向上させる目的で、銅箔が絶縁層3と接する面に、絶縁層3と密着する面の表面粗さがRzで7〜8μm程度の凸凹形状に粗化された形状を有する一般銅箔や、いわゆるロープロファイル銅箔と言われるRzで2.7〜3.3μmの銅箔、プロファイルフリー銅箔と言われるRzで1.1〜1.5μmの銅箔を用いることもできる。これらの中でも、層間距離(絶縁層3厚み)の確保やインピーダンスコントロールの重要性、高周波信号の伝送損失の抑制、及びエッチングによる微細配線の形成性の観点から、特に粗面形状10が小さい、プロファイルフリー銅箔が望ましい。このようなプロファイルフリー銅箔としては、例えばPF−E−3(日立化成工業製、商品名)、MultiFoil−G シリーズ(三井金属鉱業株式会社製、商品名)等が挙げられる。ここで、表面粗さとは、JIS B0601:2001「製品の幾何特性仕様 (GPS) −表面性状:輪郭曲線方式−用語,定義及び表面性状パラメータ」の付属書1において規定されている「十点平均粗さ:Rz」をいう。   Moreover, as a copper foil, for the purpose of improving the adhesiveness with the insulating layer 3, the surface roughness of the surface in close contact with the insulating layer 3 on the surface where the copper foil is in contact with the insulating layer 3 is about 7 to 8 μm in Rz. A general copper foil having a roughened shape of unevenness, a so-called low profile copper foil Rz of 2.7 to 3.3 μm, and a profile free copper foil of Rz 1.1 to 1 It is also possible to use a copper foil of 5 μm. Among these, the profile of the rough surface shape 10 is particularly small from the viewpoint of securing the interlayer distance (thickness of the insulating layer 3), the importance of impedance control, the suppression of transmission loss of high-frequency signals, and the formation of fine wiring by etching. Free copper foil is desirable. Examples of such profile-free copper foil include PF-E-3 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name), MultiFoil-G series (trade name, manufactured by Mitsui Metal Mining Co., Ltd.), and the like. Here, the surface roughness means “ten-point average” defined in Annex 1 of JIS B0601: 2001 “Product Geometric Characteristics Specification (GPS) —Surface Properties: Contour Curve Method—Terms, Definitions, and Surface Property Parameters”. “Roughness: Rz”.

また、金属箔4として使用する銅箔は、必要に応じて適当な厚みを有するものを用いることができる。市販の銅箔は約10〜150μmの範囲の厚みを有し、回路基板用途としては18μm及び35μmの厚みを有する銅箔が一般に用いられる。より微細な回路パターンを形成する観点から、12μm、9μm、または5μmの厚みを有するものなど、比較的薄膜の銅箔を用いることがより好ましい。   Moreover, what has suitable thickness can be used for the copper foil used as the metal foil 4 as needed. Commercially available copper foil has a thickness in the range of about 10 to 150 μm, and copper foils having thicknesses of 18 μm and 35 μm are generally used for circuit board applications. From the viewpoint of forming a finer circuit pattern, it is more preferable to use a relatively thin copper foil such as one having a thickness of 12 μm, 9 μm, or 5 μm.

本発明でいう、金属箔付き積層板1は、絶縁層3と金属箔4とを積層一体化した構造のものであり、例えば絶縁基板、コア基板、フィルム、層間絶縁層、ビルドアップ層等の絶縁層3に、銅箔やアルミニウム箔等の金属箔4を張り合わせた状態のものをいう。また、片面板、両面板、多層板を含む。接着シートやプリプレグ等の絶縁層3を形成する材料と、金属箔4とを重ね合わせて、プレス装置やラミネート装置を用いて、加圧・加熱することにより作製することができる。   The laminate 1 with a metal foil referred to in the present invention has a structure in which an insulating layer 3 and a metal foil 4 are laminated and integrated. For example, an insulating substrate, a core substrate, a film, an interlayer insulating layer, a buildup layer, etc. It refers to a state in which a metal foil 4 such as a copper foil or an aluminum foil is bonded to the insulating layer 3. Moreover, a single-sided board, a double-sided board, and a multilayer board are included. A material for forming the insulating layer 3 such as an adhesive sheet or a prepreg and the metal foil 4 can be overlapped, and can be produced by pressing and heating using a press device or a laminating device.

本発明でいう、導体パターン6とは、金属箔付き積層板1の絶縁層3と密着した金属箔4の不要部分を除去して残った部分から形成されるものである。金属箔4上にパターン(部分めっき)で導体パターン6となる部分を厚付けした後、それ以外の部分の金属箔4を除去する、いわゆるセミアディティブ法、または、金属箔4上にパネルめっき(全面めっき)で全面を厚付けした後、導体パターン6なる部分以外の不要部分を除去する、いわゆるサブトラクト法、等によって形成することができる。このように、導体パターン6は、絶縁層3と密着した金属箔4の不要部分を除去して残った部分から形成されるので、導体パターン6を形成した後に露出した絶縁層3表面は、金属箔4の表面形状が転写された状態となる。   The conductor pattern 6 referred to in the present invention is formed from a portion left after removing an unnecessary portion of the metal foil 4 in close contact with the insulating layer 3 of the laminated sheet 1 with metal foil. After thickening the portion to be the conductor pattern 6 on the metal foil 4 with a pattern (partial plating), the other portion of the metal foil 4 is removed, so-called semi-additive method, or panel plating on the metal foil 4 ( After the entire surface is thickened by (entire surface plating), it can be formed by a so-called subtracting method or the like, in which unnecessary portions other than the portion to be the conductor pattern 6 are removed. Thus, since the conductor pattern 6 is formed from the remaining portion after removing the unnecessary portion of the metal foil 4 in close contact with the insulating layer 3, the surface of the insulating layer 3 exposed after forming the conductor pattern 6 is a metal The surface shape of the foil 4 is transferred.

導体パターン6の形成のための、絶縁層3上の金属箔4の除去は、配線板や半導体実装用基板の製造において使用される一般的なエッチング法によって行うことができる。エッチング液としては、塩化第二鉄液、塩化第二銅液、アルカリエッチャント等を用い、スプレー処理等によって行うことができる。   The removal of the metal foil 4 on the insulating layer 3 for forming the conductor pattern 6 can be performed by a general etching method used in the production of a wiring board or a semiconductor mounting substrate. As an etching solution, ferric chloride solution, cupric chloride solution, alkali etchant, or the like can be used, and can be performed by spraying or the like.

本発明でいう、導体パターン6と接する絶縁層3表面とは、導体パターン6と接している絶縁層3の表面をいう。つまり、導体パターン6が形成された部分の絶縁層3は、金属箔4との密着部分を有しており、金属箔4の表面形状が転写している。   In the present invention, the surface of the insulating layer 3 in contact with the conductor pattern 6 refers to the surface of the insulating layer 3 in contact with the conductor pattern 6. That is, the insulating layer 3 in the portion where the conductor pattern 6 is formed has a close contact portion with the metal foil 4, and the surface shape of the metal foil 4 is transferred.

本発明でいう、露出した絶縁層3表面とは、導体パターン6を形成する部分以外の金属箔4を除去した後の時点で、露出した絶縁層3の表面をいう。この導体パターン6が形成されなかった部分(除去された部分)の露出した絶縁層3表面は、導体パターン6が形成されるまでは金属箔4と密着していたために、金属箔4の表面形状が転写している。この露出した絶縁層3表面には、ソルダーレジスト7が形成される。   In the present invention, the exposed surface of the insulating layer 3 refers to the surface of the exposed insulating layer 3 after the metal foil 4 other than the portion where the conductor pattern 6 is formed is removed. The exposed surface of the insulating layer 3 where the conductor pattern 6 was not formed (removed portion) was in close contact with the metal foil 4 until the conductor pattern 6 was formed. Is transcribing. A solder resist 7 is formed on the exposed surface of the insulating layer 3.

本発明でいう、粗面形状10とは、露出した絶縁層3表面が有する表面形状に対して形成されるものである。即ち、露出した絶縁層3表面には、密着していた金属箔4の表面形状が転写されているが、本発明の粗面形状10は、この表面形状に対して形成されるものである。   In the present invention, the rough surface shape 10 is formed with respect to the surface shape of the exposed surface of the insulating layer 3. That is, the surface shape of the metal foil 4 that is in close contact with the exposed surface of the insulating layer 3 is transferred, but the rough surface shape 10 of the present invention is formed with respect to this surface shape.

金属箔4を除去した後の露出した絶縁層3表面には、粗面形状10が形成される。絶縁層3表面への粗面形状10の形成は、プラズマ処理を用いるのが、絶縁層3とソルダーレジスト7との密着性を確保する点で望ましい。プラズマ処理には真空プラズマ処理、大気圧プラズマ処理があり、両者とも密着力向上の効果を得ることができる。また、使用するガスは、アルゴン又は酸素を含んでいれば特に制限されないが、アルゴン、酸素、酸素/アルゴン、酸素/窒素などを用いることができる。また、酸素混合ガスは流量比で酸素の比率が1%以上になることが好ましい。酸素の比率が1%未満の場合は酸化処理の効果が小さくなる傾向がある。   A rough surface shape 10 is formed on the exposed surface of the insulating layer 3 after the metal foil 4 is removed. For the formation of the rough surface shape 10 on the surface of the insulating layer 3, it is desirable to use plasma treatment from the viewpoint of ensuring the adhesion between the insulating layer 3 and the solder resist 7. Plasma treatment includes vacuum plasma treatment and atmospheric pressure plasma treatment, both of which can improve the adhesion. The gas to be used is not particularly limited as long as it contains argon or oxygen, but argon, oxygen, oxygen / argon, oxygen / nitrogen, or the like can be used. Further, it is preferable that the oxygen mixed gas has a flow ratio of oxygen of 1% or more. When the oxygen ratio is less than 1%, the effect of the oxidation treatment tends to be small.

露出した絶縁層3表面に対する粗面形状10の形成は、初期のRzに対して、Rzが1.0μm〜2.0μm増加するように行うのが望ましい。つまり、金属箔4の表面形状が転写した状態の絶縁層3の表面粗さRzに対して、粗面形状10を形成した後のRzが1.0μm〜2.0μm増加するように形成するのが望ましい。絶縁層3と積層一体化する金属箔4として、Rzで7.0μm〜8.0μmの一般銅箔や、Rzで2.7μm〜3.3μmのロープロファイル銅箔、Rzで1.1μm〜1.5μmのプロファイルフリー銅箔を用いた場合、絶縁層3表面は、これらの銅箔の表面形状が転写されるため、これらの銅箔と同等の表面粗さを有している。つまり、この場合、露出した絶縁層3表面の初期のRzは、1.0μm〜8.0μmの表面粗さを有している。このため、粗面形状10の形成を、初期のRzに対して、Rzが1.0μm〜2.0μm増加するように行う場合、露出した絶縁層3表面に粗面形状10を形成した後の表面粗さは、Rzで2.0μm〜10.0μmとなる。このように、絶縁層3の表面形状がもともと有していた表面粗さに加えて、Rzで1.0μm〜2.0μmの微細凹凸が形成され、表面粗さRzが増加するため、いわゆるアンカー効果が強化され、絶縁層3表面に形成されるソルダーレジスト7の密着が改善する。形成する粗面形状10のRzが1.0μm未満では、絶縁層3の表面形状に対して形成される粗面形状10の凹凸が小さ過ぎるため、いわゆるアンカー効果が得にくく、絶縁層3表面に形成されるソルダーレジスト7のPCTにおける密着を確保するのが難しい。また、Rzが2.0μmを超えると、粗面形状10を付与するための処理に時間を要しコスト面での問題が生じるうえに、絶縁層3の表面形状がもともと有していた表面粗さに近づくため、その上に形成する粗面形状10の凹凸がもともと有していた表面粗さに吸収され、アンカー効果が薄れることが考えられる。   Formation of the rough surface shape 10 on the exposed surface of the insulating layer 3 is desirably performed so that Rz increases by 1.0 μm to 2.0 μm with respect to the initial Rz. That is, Rz after forming the rough surface shape 10 is increased by 1.0 μm to 2.0 μm with respect to the surface roughness Rz of the insulating layer 3 in a state where the surface shape of the metal foil 4 is transferred. Is desirable. As the metal foil 4 laminated and integrated with the insulating layer 3, a general copper foil of 7.0 μm to 8.0 μm in Rz, a low profile copper foil of 2.7 μm to 3.3 μm in Rz, and 1.1 μm to 1 in Rz When a profile-free copper foil of .5 μm is used, the surface of the insulating layer 3 has the same surface roughness as those copper foils because the surface shape of these copper foils is transferred. That is, in this case, the initial Rz of the exposed surface of the insulating layer 3 has a surface roughness of 1.0 μm to 8.0 μm. For this reason, when the rough surface shape 10 is formed so that Rz increases by 1.0 μm to 2.0 μm with respect to the initial Rz, the rough surface shape 10 is formed on the exposed insulating layer 3 surface. The surface roughness is 2.0 μm to 10.0 μm in Rz. In this way, in addition to the surface roughness originally possessed by the surface shape of the insulating layer 3, fine irregularities of 1.0 μm to 2.0 μm are formed in Rz and the surface roughness Rz increases, so-called anchors. The effect is enhanced, and the adhesion of the solder resist 7 formed on the surface of the insulating layer 3 is improved. If the Rz of the rough surface shape 10 to be formed is less than 1.0 μm, the unevenness of the rough surface shape 10 formed with respect to the surface shape of the insulating layer 3 is too small, so it is difficult to obtain a so-called anchor effect, and the surface of the insulating layer 3 It is difficult to ensure adhesion of the solder resist 7 to be formed in the PCT. On the other hand, if Rz exceeds 2.0 μm, it takes time for the treatment to give the rough surface shape 10, causing problems in terms of cost, and surface roughness that the surface shape of the insulating layer 3 originally had. Therefore, it is considered that the roughness of the rough surface shape 10 formed thereon is absorbed by the surface roughness originally possessed and the anchor effect is reduced.

また、露出した絶縁層3表面に対して粗面形状10を形成することにより、導体パターン6と接する絶縁層3表面の表面粗さよりも、露出した絶縁層3表面の表面粗さを大きくすることが可能となる。これにより、導体パターン6の絶縁層3と密着する面の表面粗さは小さくても、露出した絶縁層3表面がソルダーレジスト7の密着に十分な凹凸を備えるようにすることができるため、導体パターン6を形成する金属箔4として、その表面粗さがより小さいものを選択することができる。表面粗さが小さい金属箔4としては、例えば、ロープロファイル銅箔やプロファイルフリー銅箔を選択することができる。したがって、微細配線を有し、高周波での伝送損失を抑制した回路基板11の提供が可能となる。   Further, by forming the rough surface shape 10 on the exposed insulating layer 3 surface, the surface roughness of the exposed insulating layer 3 surface is made larger than the surface roughness of the insulating layer 3 surface in contact with the conductor pattern 6. Is possible. Thereby, even if the surface roughness of the surface of the conductor pattern 6 that is in close contact with the insulating layer 3 is small, the exposed surface of the insulating layer 3 can be provided with sufficient irregularities for the close contact of the solder resist 7. As the metal foil 4 forming the pattern 6, a metal foil having a smaller surface roughness can be selected. As the metal foil 4 having a small surface roughness, for example, a low profile copper foil or a profile free copper foil can be selected. Therefore, it is possible to provide the circuit board 11 having fine wiring and suppressing transmission loss at high frequencies.

導体パターン6の形成に用いる金属箔4は、プロファイルフリー銅箔であるのが望ましい。プロファイルフリー銅箔としては、例えば、Rzが1.1μm〜1.5μmのPF−E−3(日立化成工業製、商品名)、MultiFoil−G シリーズ(三井金属鉱業株式会社製、商品名)等が挙げられる。これにより、より微細な配線を有し、高周波での伝送損失を抑制した回路基板11の提供が可能となる。一方で、プロファイルフリー銅箔のRzは1.1μm〜1.5μmと一般銅箔やロープロファイル銅箔と比べて小さいため、この表面形状が転写された絶縁層3の表面粗さも同等となる。このため、導体パターン6を形成した後の露出した絶縁層3表面にソルダーレジスト7を形成した場合、ソルダーレジスト7と絶縁層3との密着が不十分となる傾向がある。しかしながら、本発明では、導体パターン6を形成した後の露出した絶縁層3表面に、粗面形状10を形成するので、微細配線の形成や高周波での伝送損失の抑制を確保しつつ、ソルダーレジスト7と絶縁層3との密着を確保することができる。   The metal foil 4 used for forming the conductor pattern 6 is preferably a profile-free copper foil. As profile-free copper foil, for example, PF-E-3 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) having Rz of 1.1 μm to 1.5 μm, MultiFoil-G series (trade name, manufactured by Mitsui Metal Mining Co., Ltd.), etc. Is mentioned. As a result, it is possible to provide the circuit board 11 having finer wiring and suppressing transmission loss at high frequencies. On the other hand, since the Rz of the profile-free copper foil is 1.1 μm to 1.5 μm, which is smaller than that of a general copper foil or low profile copper foil, the surface roughness of the insulating layer 3 to which this surface shape is transferred is also equivalent. For this reason, when the solder resist 7 is formed on the exposed surface of the insulating layer 3 after the conductor pattern 6 is formed, the adhesion between the solder resist 7 and the insulating layer 3 tends to be insufficient. However, in the present invention, since the rough surface shape 10 is formed on the exposed insulating layer 3 surface after the conductor pattern 6 is formed, the solder resist is formed while ensuring the formation of fine wiring and the suppression of transmission loss at high frequencies. 7 and the insulating layer 3 can be secured.

ソルダーレジスト7は、配線板や半導体実装用基板の製造において使用される液状タイプやドライフィルムタイプのものを使用することができる。液状タイプの場合は、ロールコーターもしくはスクリーン印刷機を用いて塗布を行うことができる。ドライフィルムタイプの場合は、絶縁層3表面の粗面形状10への追従性の点から、真空加圧ラミネータを用いるのが望ましい。液状タイプのソルダーレジスト7として、例えば、PSR−4000AUS308(太陽インキ製造株式会社製、商品名)が挙げられ、ドラフィルムタイプのソルダーレジスト7として、例えば、PFR−800AUS402(太陽インキ製造株式会社製、商品名)が挙げられる。   The solder resist 7 may be a liquid type or dry film type used in the manufacture of wiring boards and semiconductor mounting substrates. In the case of a liquid type, application can be performed using a roll coater or a screen printer. In the case of the dry film type, it is desirable to use a vacuum pressurization laminator from the point of followability to the rough surface shape 10 on the surface of the insulating layer 3. Examples of the liquid type solder resist 7 include PSR-4000AUS308 (trade name, manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd.). Examples of the dry film type solder resist 7 include PFR-800AUS402 (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., Product name).

以下に、本発明の回路基板11の製造方法の一例について説明する。   Below, an example of the manufacturing method of the circuit board 11 of this invention is demonstrated.

まず、絶縁層3と金属箔4を積層一体化して金属箔付き積層板1を作成する。絶縁層3としては、例えば、GEA679FG(日立化成工業株式会社製、商品名)を、金属箔4としては、例えば、プロファイルフリー銅箔であるPF−E−3(日立化成工業株式会社製、商品名)を使用し、絶縁層3の上下両側に金属箔4を重ね、プレス装置等を用いて加熱・加圧することで、積層一体化する(図1(a))。なお、金属箔付き積層板1は、図1のような両面板に限られず、片面板や多層板であってもよい。   First, the insulating layer 3 and the metal foil 4 are laminated and integrated to produce the laminated plate 1 with the metal foil. As the insulating layer 3, for example, GEA679FG (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name) is used, and as the metal foil 4, for example, PF-E-3 (product made by Hitachi Chemical Co., Ltd., product) is a profile-free copper foil. 1), the metal foils 4 are stacked on the upper and lower sides of the insulating layer 3, and heated and pressed using a press device or the like to be laminated and integrated (FIG. 1 (a)). In addition, the laminated board 1 with metal foil is not restricted to a double-sided board like FIG. 1, A single-sided board and a multilayer board may be sufficient.

次に、金属箔付き積層板1の金属箔4上に、めっき9を施し、導体パターン6に必要な厚みにする。めっき9は、配線板や半導体実装用基板の製造において使用される、無電解銅めっきや電解銅めっき等を用いて形成することができる。   Next, plating 9 is performed on the metal foil 4 of the laminated sheet 1 with metal foil so that the conductor pattern 6 has a required thickness. The plating 9 can be formed using electroless copper plating, electrolytic copper plating, or the like used in the manufacture of wiring boards or semiconductor mounting substrates.

次に、回路形成用の感光性ドライフィルムとして、例えば、NIT−225(ニチゴーモートン株式会社製、商品名)で、上記めっき9を施した金属箔付き積層板1上に所定のパターンのエッチングレジストを形成する。そのあと、エッチングを行って、導体パターン6を形成する部分以外の不要な金属箔4の除去を行い、導体パターン6を形成した後、エッチングレジストを剥離する(図1(b))。なお、ここでは、サブトラクティブ工法を使用した例を説明したが、特に導体パターン6の形成に使用する工法は、絶縁層3と密着した金属箔4を除去する工程を含む工法であればよく、セミアディティブ工法を用いても可能である。   Next, as a photosensitive dry film for circuit formation, for example, NIT-225 (trade name, manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) is used. Form. Thereafter, etching is performed to remove the unnecessary metal foil 4 other than the portion where the conductor pattern 6 is to be formed. After the conductor pattern 6 is formed, the etching resist is peeled off (FIG. 1B). In addition, although the example which used the subtractive construction method was demonstrated here, especially the construction method used for formation of the conductor pattern 6 should just be a construction method including the process of removing the metal foil 4 closely_contact | adhered with the insulating layer 3, It is also possible to use the semi-additive method.

次に、導体パターン6形成後に露出した絶縁層3表面に、粗面形状10を形成する。粗面形状10を形成する方法としては、例えば、プラズマ処理を用い、上記導体パターン6まで形成した金属箔付き積層板1を、プラズマチャンバ−内に設置して処理を行う。プラズマガスには、上述したように酸素やアルゴン等を用いる(図1(c))。   Next, a rough surface shape 10 is formed on the surface of the insulating layer 3 exposed after the conductor pattern 6 is formed. As a method for forming the rough surface shape 10, for example, plasma processing is used, and the laminate 1 with metal foil formed up to the conductor pattern 6 is placed in the plasma chamber for processing. As described above, oxygen, argon, or the like is used as the plasma gas (FIG. 1C).

次に、導体パターン6表面とソルダーレジスト7の密着性を向上させるため、導体パターン6表面に粗化処理を行う。粗化処理としては、例えば、CZ−8100(メック株式会社製、商品名)等の粗化液によるエッチングや、機械研磨等を用いることができる。   Next, in order to improve the adhesion between the surface of the conductor pattern 6 and the solder resist 7, the surface of the conductor pattern 6 is roughened. As the roughening treatment, for example, etching with a roughening solution such as CZ-8100 (trade name, manufactured by MEC Co., Ltd.), mechanical polishing, or the like can be used.

次に、絶縁層3表面及び導体パターン6上に、ソルダーレジスト7を形成する。ソルダーレジスト7の材料には、液状タイプであれば、例えば、PSR−4000 AUS308(太陽インキ製造株式会社製、商品名)を使用することができ、ドライフィルムタイプであれば、例えば、PFR−800 AUS402(太陽インキ製造株式会社製、商品名)を用いることができる。ソルダーレジスト7として、液状タイプを使用する場合は、ロールコーターもしくはスクリーン印刷機を用いて塗布を行い、さらに塗布面のタックを低減し取り扱い性をよくするためのセミキュアを行う。ドライフィルムタイプを使用する場合は、真空加圧ラミネータを用いてラミネートする。次に、所定のパターンのフォトマスクを用いて露光、現像、熱硬化、その後必要な場合はさらに紫外線露光を行って、ソルダーレジスト7が形成される(図1(d))。   Next, a solder resist 7 is formed on the surface of the insulating layer 3 and the conductor pattern 6. If the material of the solder resist 7 is a liquid type, for example, PSR-4000 AUS308 (trade name, manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd.) can be used. If the material is a dry film type, for example, PFR-800. AUS402 (trade name, manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd.) can be used. When a liquid type is used as the solder resist 7, coating is performed using a roll coater or a screen printing machine, and further semi-cure is performed to reduce the tack of the coated surface and improve the handleability. When using a dry film type, lamination is performed using a vacuum pressure laminator. Next, a solder resist 7 is formed by performing exposure, development, thermal curing using a photomask having a predetermined pattern, and then further ultraviolet exposure if necessary (FIG. 1D).

次に、ソルダーレジスト7が形成されておらず露出した導体パターン6上に、導体パターン6表面の酸化を抑制し、はんだ付け性やワイヤーボンディング性を付与するために、例えば、ニッケル−金めっき8等の表面処理を施して接続端子14を形成するのが望ましい。最後に、所定のサイズに切断を行い、回路基板11を形成する。   Next, in order to suppress the oxidation of the surface of the conductor pattern 6 on the exposed conductor pattern 6 where the solder resist 7 is not formed and to impart solderability and wire bonding property, for example, nickel-gold plating 8 It is desirable to form the connection terminal 14 by performing a surface treatment such as the above. Finally, the circuit board 11 is formed by cutting into a predetermined size.

以上に述べた本発明の回路基板11の製造方法によれば、導体パターン6形成後に、粗面形状10を形成する処理を行うので、導体パターン6の形成に用いる金属箔4の表面粗さが小さくても、導体パターン6形成後に露出した絶縁層3表面と、その上に形成したソルダーレジスト7との密着性を確保することができ、信頼性の向上を図ることができる。   According to the manufacturing method of the circuit board 11 of the present invention described above, since the rough surface shape 10 is formed after the conductor pattern 6 is formed, the surface roughness of the metal foil 4 used for forming the conductor pattern 6 is reduced. Even if it is small, the adhesion between the surface of the insulating layer 3 exposed after the formation of the conductor pattern 6 and the solder resist 7 formed thereon can be ensured, and the reliability can be improved.

以下に、本発明の回路基板11及びその製造方法を、実施例に基づいて説明するが、本発明は本実施例に限定されない。   Hereinafter, the circuit board 11 and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described based on examples, but the present invention is not limited to the examples.

(実施例1)
内層銅箔12と絶縁層3を備えたガラスエポキシ基板であるMCL−E−679FG(日立化成工業株式会社製 商品名)、銅箔厚み5μm、基板サイズ333mm×500mm、基板厚み0.8mmを準備した。次に、所定の位置にドリルを用いてφ0.2mmのスルーホール2を形成した。この基板に、所定の導体厚みになるように無電解銅めっき及び電解銅めっき処理を施し、めっき9を形成した。次に、サブトラクティブ工法を用いて導体パターン6を形成した(図2(a))。
Example 1
MCL-E-679FG (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), a glass epoxy substrate provided with the inner layer copper foil 12 and the insulating layer 3, a copper foil thickness of 5 μm, a substrate size of 333 mm × 500 mm, and a substrate thickness of 0.8 mm are prepared. did. Next, a through hole 2 having a diameter of 0.2 mm was formed at a predetermined position using a drill. The substrate was subjected to electroless copper plating and electrolytic copper plating so as to have a predetermined conductor thickness, thereby forming a plating 9. Next, the conductor pattern 6 was formed using the subtractive construction method (FIG. 2A).

次に、いわゆる黒化処理を用いて導体パターン6表面の粗化処理を行った。次に、絶縁層3であるGEA−679FG(日立化成工業株式会社製 商品名)と、金属箔4であるプロファイルフリー銅箔13のPF−E−3(日立化成工業株式会社製 商品名)を重ねて、プレス装置で加熱・加圧して積層一体化し、金属箔付き積層板1を形成した(図2(b))。   Next, the surface of the conductor pattern 6 was roughened using a so-called blackening treatment. Next, GEA-679FG (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) that is the insulating layer 3 and PF-E-3 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) of the profile-free copper foil 13 that is the metal foil 4 are used. The laminate was laminated and integrated by heating and pressurizing with a press device to form a laminate 1 with a metal foil (FIG. 2B).

次に、金属箔付き積層板1のプロファイルフリー銅箔13上に、いわゆるコンフォーマル工法を用いて所定の位置にバイアホール5を形成するための、窓孔形成用のエッチングレジストを作製し、エッチングによりバイアホール5を形成する位置のプロファイルフリー銅箔13の除去を行った後、エッチングレジストを剥離除去する。次に、炭酸ガスレーザーを用いて、プロファイルフリー銅箔13が除去された箇所の絶縁層3樹脂の除去を行う。次に、デスミア処理を行ってVia底部のスミアの除去を行った後、無電解銅めっき処理を行う。次に、めっきレジスト用のドライフィルムをラミネートし、所定のめっきレジストパターンをフォトリソグラフ法により形成し、現像によりめっきレジストが除去された部分に、電解銅めっきを用いてめっき9を形成した後、めっきレジストを剥離除去する。即ち、導体パターン6となる部分は、プロファイルフリー銅箔13の上にめっき9が形成されており、導体パターン6以外の部分は、プロファイルフリー銅箔13だけが残る状態となる。次に、上記電解銅めっきを用いてめっき9を形成した部分だけが残り、めっき9を形成した部分以外のプロファイルフリー銅箔13だけが完全に除去されるように、全面に対してエッチングを行うことにより、導体パターン6を形成する(図2(c))。   Next, an etching resist for forming a window hole for forming a via hole 5 at a predetermined position on the profile-free copper foil 13 of the laminated sheet 1 with a metal foil by using a so-called conformal method is prepared and etched. After removing the profile free copper foil 13 at the position where the via hole 5 is to be formed, the etching resist is peeled off. Next, the carbon dioxide gas laser is used to remove the insulating layer 3 resin where the profile-free copper foil 13 has been removed. Next, desmear treatment is performed to remove smear at the bottom of the Via, and then electroless copper plating is performed. Next, after laminating a dry film for a plating resist, forming a predetermined plating resist pattern by a photolithographic method, and forming a plating 9 on the portion where the plating resist was removed by development, using electrolytic copper plating, Strip and remove the plating resist. That is, plating 9 is formed on the profile-free copper foil 13 in the portion that becomes the conductor pattern 6, and only the profile-free copper foil 13 remains in the portion other than the conductor pattern 6. Next, the entire surface is etched so that only the portion where the plating 9 is formed using the electrolytic copper plating remains and only the profile-free copper foil 13 other than the portion where the plating 9 is formed is completely removed. Thus, the conductor pattern 6 is formed (FIG. 2C).

次に、導体パターン6を形成した金属箔付き積層板1に、酸素プラズマ処理を実施した。酸素プラズマは、プラズマガスとして酸素を用い、出力1000W、雰囲気圧力100Pa、処理時間は5分で行った(図3(d))。   Next, oxygen plasma treatment was carried out on the laminate 1 with metal foil on which the conductor pattern 6 was formed. Oxygen plasma was performed using oxygen as a plasma gas, with an output of 1000 W, an atmospheric pressure of 100 Pa, and a treatment time of 5 minutes (FIG. 3D).

次に、化学エッチング処理(メック製、CZ−8100)で導体パターン6表面の粗化処理を行い、次に、ドライフィルムタイプのソルダーレジスト7であるPFR−800AUS402(太陽インキ製造株式会社製 商品名)を真空ラミネートし、所定の開口部分を形成するため、フォトリソグラフ法を用いてソルダーレジスト7を形成した(図3(e))。   Next, the surface of the conductive pattern 6 is roughened by chemical etching (MEC, CZ-8100), and then dry film type solder resist 7 PFR-800AUS402 (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd.) In order to form a predetermined opening, a solder resist 7 was formed using a photolithographic method (FIG. 3E).

次に、露出した導体パターン6上に、導体パターン6表面の酸化を抑制し、はんだ付け性やワイヤーボンディング性を付与するために、ニッケル−金めっき8等の表面処理を施して、接続端子14を形成し、回路基板11を作製した(図3(f))。   Next, surface treatment such as nickel-gold plating 8 is performed on the exposed conductor pattern 6 in order to suppress oxidation of the surface of the conductor pattern 6 and to provide solderability and wire bonding property, so that the connection terminal 14 The circuit board 11 was produced (FIG. 3F).

(実施例2)
導体パターン6を形成した金属箔付き積層板1(図2(c))に、酸素プラズマ処理を実施した。酸素プラズマは、プラズマガスとして酸素を用い、出力1000W、雰囲気圧力100Pa、処理時間は10分で行った。それ以外は、実施例1と同様にして、回路基板11を作製した。
(Example 2)
Oxygen plasma treatment was performed on the laminate 1 with metal foil (FIG. 2C) on which the conductor pattern 6 was formed. Oxygen plasma was performed using oxygen as a plasma gas, with an output of 1000 W, an atmospheric pressure of 100 Pa, and a treatment time of 10 minutes. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the circuit board 11. FIG.

(実施例3)
導体パターン6を形成した金属箔付き積層板1(図2(c))に、プラズマガスとしてアルゴンガスを用いたプラズマ処理を実施した。アルゴンガスは出力1000W、雰囲気圧力100Pa、処理時間は15分で行った。それ以外は、実施例1と同様にして、回路基板11を作製した。
(Example 3)
Plasma treatment using argon gas as the plasma gas was performed on the laminate 1 with metal foil (FIG. 2C) on which the conductor pattern 6 was formed. The argon gas was output at 1000 W, the atmospheric pressure was 100 Pa, and the treatment time was 15 minutes. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the circuit board 11. FIG.

(比較例1)
導体パターン6を形成した金属箔付き積層板1(図2(c))に対して、プラズマ等の粗面形状10を形成するための処理を施さなかった。それ以外は、実施例1と同様にして、回路基板11を作製した。
(Comparative Example 1)
The treatment for forming the rough surface shape 10 such as plasma was not performed on the laminate 1 with metal foil (FIG. 2C) on which the conductor pattern 6 was formed. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the circuit board 11. FIG.

(比較例2)
導体パターン6を形成した金属箔付き積層板1(図2(c))に、デスミア処理を施した。デスミア処理は、配線板や半導体実装用基板の製造に用いられる、過マンガン酸ナトリウム水溶液を用い、温度85℃で6分間の条件で行った。それ以外は、実施例1と同様にして、回路基板11を作製した。
(Comparative Example 2)
Desmear treatment was performed on the laminated sheet 1 with metal foil (FIG. 2C) on which the conductor pattern 6 was formed. The desmear treatment was performed under conditions of a temperature of 85 ° C. for 6 minutes using a sodium permanganate aqueous solution used for manufacturing a wiring board or a semiconductor mounting substrate. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the circuit board 11. FIG.

(PCT)
以上により得られた実施例1〜3及び比較例1、2について、プレッシャークッカーテスト(PCT)を用いて、絶縁層3とソルダーレジスト7との密着性の評価を行った。PCTの条件は、121℃、100%RH、2atmで、96時間連続して保持した。その後、実体顕微鏡で観察を行い、絶縁層3とソルダーレジスト7との間の剥離の有無を確認した。
(PCT)
About Examples 1-3 obtained by the above and Comparative Examples 1 and 2, the adhesiveness evaluation of the insulating layer 3 and the soldering resist 7 was evaluated using the pressure cooker test (PCT). The PCT conditions were 121 ° C., 100% RH, and 2 atm, and were continuously maintained for 96 hours. Then, it observed with the stereomicroscope and the presence or absence of peeling between the insulating layer 3 and the soldering resist 7 was confirmed.

(表面粗さの測定)
JIS B0601:2001「製品の幾何特性仕様(GPS)−表面性状:輪郭曲線方式−用語,定義及び表面性状パラメータ」の付属書1において規定されている「十点平均粗さ:Rz」に基づいて測定した。測定には、JIS B0651の触針式表面粗さ計や、JIS B0652の光波干渉式表面粗さ計を用いることができるが、本実施例では、光波干渉式表面粗さ計ZYGO社製NewView5030システムを用いて、絶縁層3表面のRzを測定した。
(Measurement of surface roughness)
Based on “ten-point average roughness: Rz” defined in Appendix 1 of JIS B0601: 2001 “Product Geometrical Specification (GPS) —Surface Properties: Contour Curve Method—Terms, Definitions, and Surface Property Parameters” It was measured. For the measurement, a stylus type surface roughness meter of JIS B0651 and a light wave interference type surface roughness meter of JIS B0652 can be used. Was used to measure Rz on the surface of the insulating layer 3.

実施例1〜3及び比較例1、2について、絶縁層3の表面粗さRz、及びPCTによる絶縁層3表面とソルダーレジスト7との間の密着性を評価した。その結果を表1に示す。   For Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2, the surface roughness Rz of the insulating layer 3 and the adhesion between the surface of the insulating layer 3 and the solder resist 7 by PCT were evaluated. The results are shown in Table 1.

Figure 2010103153

○:全く界面剥離が認められないもの ×:界面剥離が認められるもの
Figure 2010103153

○: No interfacial delamination ×: Interfacial delamination

実施例1では、酸素プラズマ処理により、絶縁層3表面に粗面形状10が形成され、Rzも未処理品よりは凹凸が大きく2.1μmとなり、ソルダーレジスト7との密着性が向上したため、PCTにより剥離が発生しなかった。
実施例2でも同様に、酸素プラズマ処理により、絶縁層3表面に粗面形状10が形成され、Rzも2.4μmとなり、ソルダーレジスト7の密着性が向上したため、PCTにより剥離が発生しなかった。
実施例3では、アルゴンプラズマを用いた処理であるが、この場合も絶縁層3表面に粗面形状10が形成され、Rzが2.1μmとなり、ソルダーレジスト7との密着性が向上したため、PCTにより剥離が発生しなかった。
比較例1では、基材表面の粗化処理を施さなかったためRzも1.0μmと小さく、ソルダーレジスト7との密着性が低く、PCTにより剥離が発生した。
比較例2ではデスミア処理により、基材表面を粗化処理しようと試みたが、デスミア処理により基材表面全体が均一に粗化され、凹凸の形成が十分にできなかったためRzが1.3μmと小さく、PCTにより剥離が発生した。
In Example 1, due to the oxygen plasma treatment, the rough surface shape 10 was formed on the surface of the insulating layer 3, and Rz was 2.1 μm larger than the untreated product, and the adhesion with the solder resist 7 was improved. No peeling occurred.
Similarly, in Example 2, the rough surface shape 10 was formed on the surface of the insulating layer 3 by the oxygen plasma treatment, the Rz was 2.4 μm, and the adhesion of the solder resist 7 was improved, so that no peeling occurred by PCT. .
In Example 3, the treatment was performed using argon plasma. In this case as well, the rough surface shape 10 was formed on the surface of the insulating layer 3, the Rz was 2.1 μm, and the adhesion with the solder resist 7 was improved. No peeling occurred.
In Comparative Example 1, since the surface of the base material was not roughened, Rz was as small as 1.0 μm, adhesion to the solder resist 7 was low, and peeling occurred due to PCT.
In Comparative Example 2, an attempt was made to roughen the substrate surface by desmearing, but the entire surface of the substrate was uniformly roughened by desmearing, and the formation of irregularities was not sufficient, so Rz was 1.3 μm. Small and peeled off by PCT.

本発明に係る回路基板の一例とその製造方法の一例である。It is an example of the circuit board which concerns on this invention, and an example of the manufacturing method. 本発明の実施例1〜3の回路基板の前半の製造方法である。It is the manufacturing method of the first half of the circuit board of Examples 1-3 of this invention. 本発明の実施例1〜3の回路基板とその後半の製造方法である。It is the circuit board of Examples 1-3 of this invention, and its manufacturing method of the second half.

符号の説明Explanation of symbols

1…金属箔付き積層板、2…スルーホール、3…絶縁層、4…金属箔、5…バイアホール、6…導体パターン、7…ソルダーレジスト、8…ニッケル−金めっき、9…めっき、10…粗面形状、11…回路基板、12…内層銅箔、13…プロファイルフリー銅箔、14…接続端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laminated board with metal foil, 2 ... Through hole, 3 ... Insulating layer, 4 ... Metal foil, 5 ... Via hole, 6 ... Conductor pattern, 7 ... Solder resist, 8 ... Nickel-gold plating, 9 ... Plating, 10 ... rough surface shape, 11 ... circuit board, 12 ... inner layer copper foil, 13 ... profile-free copper foil, 14 ... connection terminal

Claims (7)

絶縁層上に金属箔を張り合わせた金属箔付き積層板の前記金属箔を除去して形成した導体パターンを有する回路基板において、前記金属箔を除去した後の露出した前記絶縁層表面に粗面形状を形成した回路基板。   In a circuit board having a conductor pattern formed by removing the metal foil of a laminate with metal foil laminated with a metal foil on an insulating layer, the exposed surface of the insulating layer after removing the metal foil has a rough surface shape. Formed circuit board. 請求項1において、導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さよりも、露出した絶縁層表面の表面粗さの方が大きい回路基板。   2. The circuit board according to claim 1, wherein the surface roughness of the exposed insulating layer surface is larger than the surface roughness of the insulating layer surface in contact with the conductor pattern. 請求項1または2において、金属箔がプロファイルフリー銅箔である回路基板。   The circuit board according to claim 1 or 2, wherein the metal foil is a profile-free copper foil. 請求項1から3の何れかにおいて、粗面形状の形成が、プラズマ処理により形成される回路基板。   4. The circuit board according to claim 1, wherein the rough surface is formed by plasma processing. 絶縁層上に金属箔を張り合わせた金属箔付き積層板の前記金属箔を除去して形成した導体パターンを有する回路基板の製造方法において、前記金属箔を除去して導体パターンを形成する工程と、露出した前記絶縁層表面に粗面形状を形成する工程とを有する回路基板の製造方法。   In the method of manufacturing a circuit board having a conductor pattern formed by removing the metal foil of the laminate with metal foil laminated with a metal foil on an insulating layer, a step of forming the conductor pattern by removing the metal foil; Forming a rough surface shape on the exposed surface of the insulating layer. 請求項5において、金属箔としてプロファイルフリー銅箔を用いる回路基板の製造方法。   6. The method for manufacturing a circuit board according to claim 5, wherein a profile-free copper foil is used as the metal foil. 請求項5又は6において、粗面形状を形成する工程が、プラズマ処理を有する回路基板の製造方法。   7. The method for manufacturing a circuit board according to claim 5, wherein the step of forming the rough surface shape includes plasma treatment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006156547A (en) * 2004-11-26 2006-06-15 Nitto Denko Corp Wiring circuit board and manufacturing method thereof

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPN6012049116; 小川信之、他4名: '微細配線形成用プロファイルフリー銅箔技術' 日立化成テクニカルレポート No.46, 200601, p.15-18 *

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