JP2010096614A - センサ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】センサチップと制御チップとをケースに取り付けてなるセンサ装置において、制御チップで発生した熱がセンサチップへ伝わりにくくするとともに、温度変化によりセンサチップに加わる応力を低減する。
【解決手段】ケース10にセンサチップ20と制御チップ30とを設け、これらを接続部材40で結線し、さらに封止樹脂50で封止し、センサチップ20における制御チップ30寄りの部位の一面に、接続部材40を接続し、センサチップ20における当該制御チップ30寄りの部位の他面を、接着剤70を介してケース10に直接接着することでケース10上に固定し、制御チップ30側からセンサチップ20側に延びる封止樹脂50におけるセンサチップ20側の端部を、接着剤70における制御チップ30側の端部とは反対側の端部と同じ位置とし、ケース10のうち接着剤70の直下に位置する部位を、封止樹脂50と同一の樹脂材料とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、センサチップとこれを制御する制御チップとをケースに取り付けてなるセンサ装置に関する。
従来より、この種のセンサ装置としては、ケースと、ケースに支持されて検出を行うセンサチップと、ケースに支持されてセンサチップの隣に配置され、センサチップの制御を行う制御チップと、これら両チップを結線し電気的に接続する接続部材と、ケース内に設けられ、接続部材および接続部材と両チップとの接続部位を封止する封止樹脂とを備えたものが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
特開2007−17352号公報
本発明者は、上記したような従来技術に基づき、センサ装置を試作し、これについて検討を行った。図5は、本発明者が試作した試作品としてのセンサ装置の概略断面構成を示す図である。
図5においては、ケース10は樹脂などよりなり、このケース10にはセンサチップ20および制御チップ30が支持されている。ここでは、ケース10には、セラミックや金属製のリードフレームなどよりなる基板60がインサート成形されており、両チップ20、30は、この基板60上に接着剤70を介して接着されることで、ケース10に支持されている。
そして、センサチップ20と制御チップ30とは、ボンディングワイヤなどの接続部材40により結線されて電気的に接続されている。また、ケース10には、両チップ20、30を封止する封止樹脂50が設けられ、この封止樹脂50により接続部材40および接続部材40と両チップ20、30との接続部位が封止されている。
この試作品において、特にセンサチップ20は温度や応力などの外部的要因により特性が変動しやすいため、部分的な接着により固定されている。つまり、センサチップ20は、その一面に接続部材40が接続されており、それとは反対側の他面が基板60に対向し、当該他面の一部が接着剤70を介して基板60に接着されている。
ここで、センサチップ20と制御チップ30とは、熱伝導率が高いセラミックや金属よりなる同一の基板60に搭載されているため、制御チップ30で発熱した熱が、基板60を伝ってセンサチップ20まで容易に到達してしまい、特性変動の原因になる。
また、センサチップ20を固定している部材については、センサチップ20の一面上には封止樹脂50、センサチップ20の下すなわち他面側には、基板60、さらにその下にはケース10があり、センサチップ20の上下には、線膨張係数が異なる材料が複雑に入り組んでいる。そのため、温度変化によりセンサチップ20に応力が加わってしまい、特性変動を及ぼすという問題が生じる。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、センサチップとこれを制御する制御チップとをケースに取り付けてなるセンサ装置において、制御チップで発生した熱がセンサチップへ伝わりにくくするとともに、温度変化によりセンサチップに加わる応力を低減することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、ケース(10)にセンサチップ(20)と制御チップ(30)とを設け、両チップ(20、30)を接続部材(40)で結線し電気的に接続し、この接続部材(40)および接続部材(40)と両チップ(20、30)との接続部位を封止樹脂(50)で封止してなるセンサ装置において、センサチップ(20)における制御チップ(30)寄りの部位の一面に、接続部材(40)が接続されるとともに、センサチップ(20)における当該制御チップ(30)寄りの部位の他面が接着剤(70)を介してケース(10)に直接接着されることでセンサチップ(20)はケース(10)上に固定されており、封止樹脂(50)は、制御チップ(30)側からセンサチップ(20)側に延びるとともに、当該封止樹脂(50)におけるセンサチップ(20)側の端部は、接着剤(70)における制御チップ(30)側の端部とは反対側の端部と同じ位置となっており、ケース(10)のうち接着剤(70)の直下に位置する部位は、封止樹脂(50)と同一の樹脂材料よりなることを特徴とする。
それによれば、従来の基板に比べて熱伝導率が小さい樹脂よりなるケース(10)に、センサチップ(20)が直接接着されているので、その隣の制御チップ(30)で発生した熱はセンサチップ(20)へ伝わりにくく、また、センサチップ(20)の一面側と他面側すなわちセンサチップ(20)の上側と下側とで、同一の樹脂材料で同一の位置まで封止が行われているので、温度変化によりセンサチップ(20)に加わる応力の差が、極力低減される。
そのため、本発明によれば、制御チップ(30)で発生した熱がセンサチップ(20)へ伝わりにくくするとともに、温度変化によりセンサチップ(20)に加わる応力を低減することができる。
ここで、請求項2に記載の発明のように、ケース(10)のうち接着剤(70)の直下に位置する部位を構成する樹脂材料、および、封止樹脂(50)を構成する樹脂材料は、ともにエポキシ樹脂であるものにできる。
また、請求項3に記載の発明のように、封止樹脂(50)におけるセンサチップ(20)側の端部は、当該端部よりも制御チップ(30)側に位置する封止樹脂(50)の部分が当該端部を越えてはみ出すのを防止するダム部(51)として構成されているものとしてもよい。
それによれば、封止樹脂(50)におけるセンサチップ(20)側の端部がダム部(51)として構成されているため、当該端部よりも制御チップ(30)側に位置する封止樹脂(50)の部分が、ダム部(51)にて堰き止められ、ダム部(51)よりも外側にはみ出さないから、封止樹脂(50)におけるセンサチップ(20)側の端部の位置を精度よく規定することができる。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るセンサ装置S1の概略断面構成を示す図である。本実施形態のセンサ装置は、圧力センサ、加速度センサ、角速度センサなどの各種のセンサに採用されるが、ここでは、熱式流量センサに適用したものとして説明する。
本実施形態のセンサ装置S1は、大きくは、ケース10と、ケース10に支持されて検出を行うセンサチップ20と、ケース10に支持されセンサチップ20の制御を行う制御チップ30と、これら両チップ20、30を結線し電気的に接続する接続部材40と、ケース10内に設けられ、接続部材40および接続部材40と両チップ20、30との接続部位を封止する封止樹脂50と、を備えて構成されている。
ここで、ケース10は、エポキシ樹脂よりなるもので、図1中の下部に底面、上方に開口した容器形状をなす。このケース10の底面には、センサチップ20および制御チップ30が支持されている。
センサチップ20は、シリコン半導体などの半導体基板に一般的な半導体プロセスにより、センシング部21を形成したものである。ここでは、センシング部21は、センサチップ20における他の部位に比べて薄肉部となっており、この薄肉部に熱式流量素子が形成されたものである。薄肉部の中央で発熱した熱が大気中に伝わり、流体により薄肉部の周囲上に移動し、その熱を感知することで流量を検出するようになっている。
制御チップ30は、センサチップ20の隣に配置され配線部材40を介してセンサチップ20と電気的に接続されており、センサチップ20に対して電気信号を入出力することで、センサチップ20の制御および信号の取り出しなどを行うものである。
また、ケース10の底面側には、従来と同様のセラミックの板材や金属製のリードフレームなどよりなる基板60がインサート成形されている。そして、この基板60には、制御チップ30が樹脂よりなる接着剤70を介して接着されており、それにより、制御チップ60は、ケース10に固定されて支持されている。この接着剤70は、樹脂よりなるが、たとえばポッティングやシートとして配置される。
ここで、配線部材40は、金やアルミなどのワイヤボンディングにより形成されたワイヤであるが、それ以外にもリボンなどの配線状のものであってもよい。この配線部材40は、制御チップ30における基板60の接着面とは反対側の面に接続され、両チップ20、30の間を跨いで、センサチップ20の一面に接続されている。
また、ケース10には、導電金属製のリード80がインサート成形されており、制御チップ30は、このリード80に対しても配線部材40にて結線され、電気的に接続されている。リード80は、外部と電気的に接続されるようになっており、これにより、制御チップ30は、外部と電気的な信号のやり取りが可能となっている。
ここで、センサチップ20と接続部材40との接続についてみてみると、センサチップ20は、センシング部21とは反対側の部位を制御チップ20側に位置させている。そして、接続部材40は、センサチップ20におけるセンシング部21以外の部位、すなわちセンサチップ20における制御チップ20寄りの部位の一面に、接続されている。
そして、センサチップ20における制御チップ30寄りの部位の他面が、接着剤70を介して、樹脂よりなるケース10に直接接着されている。それによって、センサチップ20はケース10上に固定され、ケース10に支持されている。なお、センサチップ20を接着する接着剤70と制御チップ30を接着する接着剤70とは、同一のものでもよいし、異なるものでもよい。
そして、封止樹脂50は、ポッティングにより設けられるが、両チップ20、30上を、制御チップ30側からセンサチップ20側に延びている。それとともに、当該封止樹脂50におけるセンサチップ20側の端部は、センサチップ20をケース10に接着する接着剤70における制御チップ30側の端部とは反対側の端部(図1中の接着剤70における右側の端部)と同じ位置となっている。
この封止樹脂50とセンサチップ20を接着している接着剤70との配置関係について、より具体的に述べる。つまり、封止樹脂50は、制御チップ30上では、接続部材40および制御チップ30における接続部材40との接続部位を封止しつつ、制御チップ30から両チップ20、30の間を越えてセンサチップ20の一面上にまで連続して設けられている。
そして、センサチップ20の一面上を封止する封止樹脂50は、接続部材40およびセンサチップ20における接続部材40との接続部位を封止しつつ、センサチップ20における制御チップ30側の端部20aとこれとは反対側の端部20bとの中間まで延びており、当該両端部20a、20bの中間に、封止樹脂50におけるセンサチップ20側の端部が位置する。
ここで、センサチップ20における制御チップ30側の端部20aと封止樹脂50におけるセンサチップ20側の端部との距離L1を、センサチップ上を封止する樹脂の長さL1とする。本実施形態では、この長さL1は、そのままセンサチップ上を封止する封止樹脂50の長さL1に相当する。
一方、図1におけるセンサチップ20の下側すなわちセンサチップ20の他面側では、接着剤70は、ケース10とセンサチップ20との間に充填されており、センサチップ20における制御チップ30側の端部20aとこれとは反対側の端部20bとの間に接着剤70が位置している。
そして、センサチップ20における制御チップ30側の端部20aと、接着剤70における制御チップ30側の端部とは反対側の端部との距離L2を、センサチップ下を封止する樹脂の長さL2とする。ここでは、長さL2は、センサチップ下に位置する接着剤70の長さL2に相当する。このとき、本実施形態では、両樹脂の長さL1とL2とは、同じ長さとされている。
ここで、これら両長さL1とL2とが同じ長さであるとは、完全同一であること以外にも、±10%以下の誤差を含んで同一であることを意味する。これは、封止樹脂50および接着剤70の形成工程における加工誤差による。
すなわち、上述のように、封止樹脂50は樹脂のポッティングにより配置されて硬化されるものであり、接着剤70は樹脂のポッティングによる配置・硬化、もしくは成形された樹脂のシートとして配置されるものである。このような封止樹脂50および接着剤70の形成工程における加工誤差により、両長さL1とL2とが完全に同一であることを狙ったとしても、一般に両長さL1、L2の間で±10%以内の寸法誤差が生じる。
そのため、本実施形態では、両長さL1、L2の大きさの違いが±10%以下ならば、同一とみなす。こうして、センサチップ20の一面側と他面側すなわち図1におけるセンサチップ20の上側では封止樹脂50、下側では接着剤70というように、センサチップ20の上下において、センサチップ20における制御チップ30側の端部20aから同一の位置まで樹脂50、70による封止が行われている。
さらに、本実施形態では、ケース10のうちセンサチップ20を接着する接着剤70の直下に位置する部位を、センサチップ20の直上に位置する封止樹脂50と同一の樹脂材料よりなるものとしている。
ここで、ケース10のうち接着剤70の直下に位置する部位とは、センサチップ20を接着する接着剤70をケース10に投影した領域に位置するケース10の部分である。そして、ケース10のうち接着剤70の直下に位置する部位を構成する樹脂材料と、封止樹脂50を構成する樹脂材料とが同一であるとは、これら両者50、70の樹脂材料における組成や物性が同一であることを意味する。本実施形態では、ともに同一のエポキシ樹脂よりなる。
それにより、ケース10のうちセンサチップ20を接着する接着剤70の直下に位置する部位と、センサチップ20を挟んで接着剤70の直上に位置する封止樹脂50とは、同一の樹脂材料よりなるから、線膨張係数も互いに同一のものとなる。
なお、本実施形態では、ケース10のうちセンサチップ20を接着する接着剤70の直下に位置する部位だけではなく、ケース10全体を構成する樹脂材料と、封止樹脂50とが同一のものとなっている。
もちろん、それ以外にも、ケース10のうち当該接着剤70の直下に位置する部位のみが、部分的に封止樹脂50と同一の樹脂材料により構成され、それ以外のケース10の部位は封止樹脂50とは異なる樹脂材料により構成されていてもよい。たとえば、本実施形態では、ケース10の全体を構成する樹脂材料および封止樹脂50は、ともにエポキシ樹脂であり、その線膨脹係数は約10ppmである。
センサ装置S1の製造方法について述べる。基板60およびリード80がインサート成形されたエポキシ樹脂よりなるケース10を用意し、センサチップ20は、このケース10の樹脂部分に対して直接に接着剤70を介して接着し、制御チップ30は、このケース10における基板60に接着剤70を介して接着する。こうして、センサ装置S1ができあがる。
その後、金やアルミなどのワイヤボンディングを行い、配線部材40としてのワイヤによって、制御チップ30とリード80との間、および、制御チップ30とセンサチップ20の一面とを結線する。その後、ポッティングにより、上記した接着剤70との配置関係を満足するように、封止樹脂50を配置し、これを硬化させる。
ところで、本実施形態によれば、まず、制御チップ30が搭載されている基板60がセンサチップ20下まで到達しておらず、センサチップ20は、基板60に比べて熱伝導率が小さい樹脂よりなるケース10に、直接接着されている。そのため、制御チップ30で発生した熱は、ケース10により断熱され、センサチップ20には伝わりにくい。
たとえば、本実施形態において、基板60がセラミックの場合、その熱伝導率は10W/mK程度であり、基板60が銅などの金属の場合、その熱伝導率は100W/mK以上であるのに対し、ケース10を構成するエポキシ樹脂の熱伝導率は、0.5W/mK程度であり、大変小さい。
また、センサチップ20の上下を同一の樹脂材料で同一の位置まで封止しているので、センサチップ20の上側と下側とで応力のバランスが取れており、樹脂材料の線膨張係数が実質同一となっているため、温度変化によりセンサチップ20に加わる応力の差が、極力低減される。つまり、温度変化の際に、センサチップ20に応力がほとんどかからない構造となる。なお、線膨張係数については樹脂材料中のフィラー量を調整することなどにより、可能である。
また、センサチップ20を接着している接着剤70についても、センサチップ20の直上の封止樹脂50および直下のケース10と線膨張係数を合わせることが好ましい。しかし、センサチップ20の直上の封止樹脂50の厚さは500μm程度、直下のケース10の厚さは1mm程度であるのに対し、この接着剤70の厚みは数十μm程度と大幅に小さいため、この接着剤70については、線膨張係数を合わせなくても実質的に影響はない。
このように、本実施形態によれば、制御チップ30で発生した熱がセンサチップ20へ伝わりにくくするとともに、温度変化によりセンサチップ20に加わる応力を低減することができる。
(第2実施形態)
図2は、本発明の第2実施形態に係るセンサ装置S2の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、封止樹脂50を変形したことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
図2に示されるように、本実施形態では、封止樹脂50におけるセンサチップ20側の端部を、ダム部51として構成している。そして、このダム部51によって、ダム部51よりも制御チップ30側に位置する封止樹脂50の部分がダム部51を越えてはみ出すのを防止するようにしている。
このダム部51は、封止樹脂50の一部であり、封止樹脂50およびセンサチップ20の直下に位置するケース10の部分と同一の樹脂、ここではエポキシ樹脂よりなるものである。この場合、ダム部51と、当該ダム部51よりも制御チップ30側に位置する封止樹脂50の部分とでは、ダム部51の方を先に配置する。
このとき、ポッティングによりダム部51の樹脂を先に配置し、その後、そのダム部51よりも制御チップ30側に位置する封止樹脂50の部分を配置するが、ダム部51を先に硬化させた後、後者の部分をポッティングしてもよいし、ダム部51を硬化させず後者の部分をポッティングした後、全体を同時に硬化してもよい。
本実施形態によれば、封止樹脂50におけるセンサチップ20側の端部がダム部51として構成されているため、当該端部としてのダム部51よりも制御チップ30側に位置する封止樹脂50の部分が、ダム部51にて堰き止められ、ダム部51よりも外側にはみ出すのを防止できる。そのため、封止樹脂50におけるセンサチップ20側の端部の位置を精度よく規定することができる。
(第3実施形態)
図3は、本発明の第3実施形態に係るセンサ装置S3の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、センサチップ20下を封止する樹脂の構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
上記第1実施形態では、センサチップ下を封止する樹脂の長さL2は、センサチップ下に位置する接着剤70の長さL2に相当した。それに対して、本実施形態では、図3に示されるように、センサチップ下を封止する樹脂の長さL2の分よりも、センサチップ20を接着する接着剤70の長さが短いものであり、その分、封止樹脂50がセンサチップ20の下側に入り込んでいる。
つまり、本実施形態では、センサチップ下を封止する樹脂の長さL2は、センサチップ20の下すなわち他面側にてセンサチップ20とケース10との間に入り込んだ封止樹脂50と、接着剤70とを合わせた長さとされている。
この場合も、上記第1実施形態と同様に、制御チップ30で発生した熱がセンサチップ20へ伝わりにくくするとともに、温度変化によりセンサチップ20に加わる応力を低減することができる。
なお、本実施形態におけるセンサチップ20の直下に位置し、センサチップ20を接着する接着剤70は、封止樹脂50と同じ樹脂材料であってもよい。この場合、接着剤70は、センサチップ20の下側において、上記第2実施形態に示したようなダム部の機能が期待できる。
(第4実施形態)
図4は、本発明の第4実施形態に係るセンサ装置S4の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第3実施形態に比べて、センサチップ20下に位置するケース10の構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
図4に示されるように、センサチップ20下に位置するケース10の部分に、センサチップ20側に突出する突起11を設けた、この突起11の先端とセンサチップ20との間に接着剤70を介在させて接着固定を行っている。これにより、センサチップ20の下に容易に封止樹脂50を回り込ませることができる。
(他の実施形態)
なお、ケース10のうち接着剤70の直下に位置する部位は、封止樹脂50と同一の樹脂材料よりなるものであればよく、上記したエポキシ樹脂以外の樹脂にて同一の樹脂であってもよい。
また、制御チップ30で発生した熱がセンサチップ20へ伝わりにくくするなっているため、上記実施形態のように、センサチップ20が熱式流量素子である場合に特に有効であるが、もちろん、センサチップ20としては、それ以外にも、圧力検出素子、加速度検出素子などであってもよい。
本発明の第1実施形態に係るセンサ装置の概略断面図である。 本発明の第2実施形態に係るセンサ装置の概略断面図である。 本発明の第3実施形態に係るセンサ装置の概略断面図である。 本発明の第4実施形態に係るセンサ装置の概略断面図である。 本発明者が試作した試作品としてのセンサ装置の概略断面図である。
符号の説明
10 ケース
20 センサチップ
30 制御チップ
40 接続部材
50 封止樹脂
51 ダム部
70 接着剤

Claims (3)

  1. ケース(10)と、
    前記ケース(10)に支持されて検出を行うセンサチップ(20)と、
    前記ケース(10)に支持されて前記センサチップ(20)の隣に配置され、前記センサチップ(20)の制御を行う制御チップ(30)と、
    前記センサチップ(20)と前記制御チップ(30)とを結線し電気的に接続する接続部材(40)と、
    前記ケース(10)内に設けられ、前記接続部材(40)および前記接続部材(40)と前記両チップ(20、30)との接続部位を封止する封止樹脂(50)と、を備え、
    前記センサチップ(20)における前記制御チップ(30)寄りの部位の一面に、前記接続部材(40)が接続されるとともに、前記センサチップ(20)における当該制御チップ(30)寄りの部位の他面が接着剤(70)を介して前記ケース(10)に直接接着されることで前記センサチップ(20)は前記ケース(10)上に固定されており、
    前記封止樹脂(50)は、前記制御チップ(30)側から前記センサチップ(20)側に延びるとともに、当該封止樹脂(50)における前記センサチップ(20)側の端部は、前記接着剤(70)における前記制御チップ(30)側の端部とは反対側の端部と同じ位置となっており、
    前記ケース(10)のうち前記接着剤(70)の直下に位置する部位は、前記封止樹脂(50)と同一の樹脂材料よりなることを特徴とするセンサ装置。
  2. 前記ケース(10)のうち前記接着剤(70)の直下に位置する部位を構成する樹脂材料、および、前記封止樹脂(50)を構成する樹脂材料は、ともにエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1に記載のセンサ装置。
  3. 前記封止樹脂(50)における前記センサチップ(20)側の端部は、当該端部よりも前記制御チップ(30)側に位置する前記封止樹脂(50)の部分が当該端部を越えてはみ出すのを防止するダム部(51)として構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のセンサ装置。
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